CN1516927A

CN1516927A - 高频复合开关模块和使用该模块的移动通信设备

Info

Publication number: CN1516927A
Application number: CNA028047907A
Authority: CN
Inventors: 惫妊; 櫛谷洋; 己; 佐藤祐己
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2002-09-11
Publication date: 2004-07-28
Also published as: WO2003026155A1; JP2003087149A; EP1355432A1; US20040075491A1; US6998912B2

Abstract

一种高频复合开关模块，将移动通信设备中的功率放大器、具有发送接收切换电路功能的电路、接收用弹性表面声波(SAW)滤波器等的高频电路模块化为一个模块。发送电路部包含由阻抗匹配电路和阻抗变换电路构成的发送侧阻抗变换部、功率放大部和电源供给部。接收电路部包含由移相电路和SAW滤波器构成的接收侧阻抗变换部。在一个IC芯片上形成功率放大部和阻抗变换电路。在由导体层和电介质层构成的层叠体内部形成匹配电路、电源供给部和移相电路的至少一个。还将IC芯片和SAW滤波器安装于层叠体。

Description

高频复合开关模块和使用该模块的移动通信设备

技术领域

本发明涉及用于移动电话等的移动通信设备的高频电路模块。

背景技术

随着移动电话等的移动电通信的普及，趋向于使用可利用双波段移动电话***这样两个不同通信***的移动通信设备。

在现有这种通信设备中，多数为由两个通信***共用天线。对每个通信***，发送电路部和接收电路部分别需要独立的两个***。通过开关来切换这两个***来进行通信。

通常，这些发送电路部的高频部分由功率放大器和低通滤波器等构成。接收电路部的高频部分由阻抗匹配电路和弹性表面声波(表面声波)滤波器(以下，称为SAW滤波器)等构成。

工作时，这些发送电路部和接收电路部中的其中一个与天线成为连接状态。因此，在各电路部的天线侧设置使用PIN二极管的发送接收切换电路，根据由逻辑电路生成的控制而使其动作。这样，实现了两个不同通信***的通信。

通常，为使通信设备的设计和制造简单，在多数情况下，将该移动通信设备的高频部分模块化后组装到设备中。被称为高频复合开关模块、高频电路模块、高频前端模块等的模块存在该情况。

图12和图13表示用于两个不同通信***的移动通信设备中现在使用的高频复合开关模块的一例。图12是其分解立体图，图13是其框图。

如图12所示，在该模块中，在聚合多个电介质层1201形成的层叠体的内部布置导体图案1202而形成发送接收切换电路，即用于分离发送接收信号的开关电路的布线图案或图13所示的发送电路部的低通滤波器(LPF)1206。另外，在该层叠体的外层表面上安装有构成开关电路的PIN二极管1203、SAW滤波器1204和芯片部件1205。

这里，将SAW滤波器1204用作图13所示的接收电路部的带通滤波器(BPF)。

另外，由层叠体内部的导体图案1202、PIN二极管1203和芯片部件1205构成SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)开关1207。

在该模块中，功率放大器由于发热和尺寸上的原因不包含在模块中而分开配置。其结果，在模块和功率放大器之间需要新的传输线路来作为连接它们的信号路径。在其上，也需要独立地给两者进行电源供给的布线。

另外，在该模块中使用了在两个通信***间的切换和发送接收信号的切换中利用PIN二极管的开关电路。在该模块中，包含4个PIN二极管、芯片部件和布线图案来作为其构成元件。因此，必然在电路规模变大的同时，电路构成也变复杂，另外还需要更多的部件数量。随之，由于信号路径的传送损失变大，所以在天线端的发送功率和接收电路输入端上的接收功率也同样降低。即，移动通信设备的发送功率和接收功率的综合效率降低。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于移动通信设备的小型、简单、价格低廉且高性能的高频复合开关模块。在该高频复合开关模块中，一体化功率放大器、作为发送接收切换电路而发挥功能的电路、其中用于接收的带通滤波器等的高频电路。

在该高频复合开关模块中，包括同时连接发送电路部和接收电路部的一个公共端子。在发送电路部和接收电路部中，经公共端子彼此等效地切换各自的发送信号和接收信号。

这里，发送电路部包含发送侧阻抗变换部、放大部、电源供给部。发送侧阻抗变换部由阻抗匹配电路和阻抗变换电路构成，在接收时使接收信号反射。放大部将发送信号放大到规定值。电源供给部对放大部提供电源。

在接收电路部中，接收侧阻抗变换部由移相电路和SAW滤波器构成，在发送时使发送信号反射。

另外，在同一IC芯片上形成放大部和阻抗变换电路。进一步，在由导体层和电介质层构成的层叠体内部形成阻抗匹配电路、电源供给部和移相电路的至少一个。另外，在层叠体的外层表面安装IC芯片和SAW滤波器的至少一个。

根据这样的构成，发送电路部和接收电路部的各自的发送信号和接收信号彼此在向另一电路部的侵入口处被反射。因此，等效地进行了发送接收信号的切换动作。也就是说，由于不需要现有的发送接收切换电路，所以高频电路部分小型化、简单化，其结果价格下降，使信号处理损耗降低。

另外，由于放大部和其***电路被集成到同一芯片上，所以缩短了发送信号路径，并进一步减小了发送信号的损失。

另外，作为本发明的另一方式，存在对应于两个不同通信***的高频复合开关模块。

该高频复合开关模块包括：分波电路，用于分离在两个不同通信***中使用的两个通信频带的信号，发送电路部和接收电路部，用于分别处理两个通信频带的信号。

另外，分别在一个IC芯片上形成用于各个通信***的放大部和阻抗变换电路。

进一步，在由导体层和电介质层构成的一个层叠体的内部形成用于各个通信***的阻抗匹配电路、电源供给部和移相电路的至少一个。

另外，在层叠体的外层表面安装IC芯片和对应于各个通信***的SAW滤波器的至少一个。这样，可使模块小型化、简单化，以低价来提供信号损失少的模块。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的高频复合开关模块的框图。

图2是本发明的实施方式1的高频复合开关模块的分解立体图。

图3是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的另一构成例的框图。

图4是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的再一构成例的框图。

图5是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的另一构成例的截面图。

图6是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的再一构成例的截面图。

图7是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的又一构成例的截面图。

图8是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的又一构成例的截面图。

图9是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的又一构成例的截面图。

图10是表示本发明的实施方式1的高频复合开关模块的又一构成例的截面图。

图11是本发明的实施方式2的高频复合开关模块的框图。

图12是现有例中高频复合开关模块的分解立体图。

图13是现有例中高频复合开关模块的框图。

具体实施方式

下面使用图1到图11说明本发明的实施方式。

下面说明的高频复合开关模块包含功率放大器和开关电路。因此，作为高频电路整体，可得到小型化、简单化、低价化和高性能化后的模块。

(实施方式1)

图1是本发明的实施方式1的高频复合开关模块的框图。

如图1所示，对于该模块，在发送电路部中，在发送端子102和公共端子100之间连接有放大部104和发送侧阻抗变换部111。在放大部104和发送侧阻抗变换部111之间连接有电源供给部107。

为了分别使发送信号和接收信号最大限度地通过和反射，由阻抗变换电路105和阻抗匹配电路106构成发送侧阻抗变换部111。这里，放大部104和阻抗变换电路105被集成到一个IC芯片110上。

在接收电路部中，在公共端子100和接收端子103之间连接有接收侧阻抗变换部112。为分别使接收信号和发送信号最大限度地通过和反射，由移相电路108和SAW滤波器109构成接收侧阻抗变换部112。

图2是本实施方式1的高频复合开关模块的分解立体图。

在多个电介质层201的各个之间，通过内层导体图案202，如图2这样形成阻抗匹配电路、电源供给部和移相电路。进一步，在电介质层201中最外层的上面，安装了IC芯片203和SAW滤波器204。这里，IC芯片203相当于上述的集成有放大部104和阻抗变换电路105的IC芯片110。另外，SAW滤波器204相当于SAW滤波器109。

下面，说明上述这样构成的高频复合开关模块的动作。

在发送时，从电源供给部107提供偏置电流，放大部104进入动作状态。从发送端子102输入的发送信号由放大部104放大后被输入到阻抗变换电路105。这里不进行阻抗变换，信号被输入到匹配电路106后进行阻抗匹配。

另外，设定移相电路108的电路常数，使得在发送信号频带中，从公共端子100测的SAW滤波器109的输入阻抗最大。其结果，从公共端子100到接收端子103方向的阻抗充分大。因此，发送信号在接收电路部的输入端几乎全被反射，其大部分从天线端子101输出。

另一方面，在接收时，从天线端子101输入的接收信号，通过移相电路108，通过SAW滤波器109而只将接收信号频带的信号输出到接收端子103。

另外，设定阻抗变换电路105的电路常数，从而使得在接收频带中，从公共端子100测的阻抗变换电路105的阻抗充分大。其结果，从公共端子100到发送端子102方向的阻抗充分大。因此，接收信号在发送电路部的输出端几乎全被反射，其大部分从接收端子103输出。

另外，阻抗变换电路105的电源也可与放大部104的电源共用。这时，由于使用本模块的移动通信设备的电源控制用逻辑电路的数目少了一个，所以有助于电路的小型化。

另外，阻抗变换电路105也可由使用场效应晶体管、PIN二极管、变容二极管的其中之一的电路，或使用镓砷半导体的开关构成。这些电路都可容易地与放大部一起组装到一个IC芯片上。另外，其制造成本相对只将放大部组合到IC芯片的情况，几乎不发生变化。

进一步，如图3所示，也可在阻抗匹配电路106和公共端子100之间***方向性耦合器311。这时，方向性耦合器311的辅助线路可用作用于监视输出信号的监视器端子，而得到高性能的模块。

另外，也可由在层叠体内部形成的导体图案形成方向性耦合器311。这时，可实现带有监视器端子的模块，而不使形状变大。

另外，可构成为使得形成方向性耦合器311的导体图案与作为构成阻抗匹配电路的、在信号流径上串联连接的电感而起作用的导体图案电磁场耦合。这时，可一体化阻抗匹配电路和方向性耦合器。因此，不但增加了模块的功能，而且可使其小型化。进一步，可使导体图案的设计自由度提高。

另外，如图4所示，可在阻抗变换电路105和阻抗匹配电路106之间***隔直流电容器412。这时，由于提供给放大部104和阻抗变换电路105的直流电流不流过其它电路元件，所以可降低功率消耗。

进一步，在放大部104不动作时，也可将阻抗变换电路105和公共端子100之间的电路构成为在接收频带中生成二分之一波长整数倍的相位差。这时，在接收频带中，从公共端子100到发送端子102方向的阻抗等于放大部的输出阻抗，并变得充分大。因此，接收信号在发送电路部的输出端被大部分反射，接收信号几乎不出现在发送端子102侧。

上面，是与发送电路部有关的各种构成，在接收侧电路部也存在下面的构成。

移相电路108也可以由作为串联连接在信号线上的电感和在信号线和地之间并联连接的电容器而起作用的导体图案构成。这时小型化了移相电路108。

进一步，优选其输入反射系数的大小在发送频带中为0.8以上的SAW滤波器109。这时，在发送频带中，从公共端子100到接收端子103方向的阻抗充分大。因此，发送信号在接收电路部的输入端大部分被反射，而几乎不出现在接收端子103侧。

另外，在匹配电路106中，耦合在地和信号线之间的并联电容器的至少一个可为变阻器，这时，可保护模块使其不发生因雷击等造成的浪涌电压·电流。

另外，如图5所示，也可在安装在层叠体上面的IC芯片515的正下方的电介质层513上形成热通孔517。这时，从IC芯片515产生的热通孔517高效地散热。这里，IC芯片515相当于IC芯片110。

另外，在图5所示的构成中，在层叠体的外层表面上安装有IC芯片515和相当于SAW滤波器109的SAW滤波器516。

进一步，如图6所示，也可构造为：安装密封盖618，使其覆盖IC芯片515和SAW滤波器516，且由导电性树脂619粘合IC芯片515和盖618。这时也可高效地散热从IC芯片515产生的热。这里，如图6所示，形成内层导体图案514，使其夹持在电介质层513中。

另外，如图7所示，也可以构成为：在层叠体和SAW滤波器516之间设有SiO₂层720。这时，从IC芯片515产生的热难以传到SAW滤波器516。因此，改善了SAW516的温度特性。

另外，如图8所示，也可以构造为：在层叠体的下面设有凹部，将IC芯片822安装在其中，而在层叠体的上面安装SAW滤波器516。这里，如图8所示，由通过导电性树脂823与IC芯片822粘合的金属板824覆盖层叠体的凹部。这时，也可高效地散热来自IC芯片515产生的热。

进一步，如图9所示，也可构造为：在层叠体中设置中空层925，而代替形成层叠体时将导体层和电介质层连接而没有间隙地进行层叠。这时，从IC芯片515产生的热也难以通过空气层，传到SAW滤波器516，从而改善了SAW滤波器516的温度特性。

另外，也可构造为：在该中空层填充绝热性树脂。由于这时从IC芯片515产生的热也难以传到SAW滤波器516，所以也改善了SAW滤波器516的温度特性。

另外，如图10所示，也可以在安装好的IC芯片515和SAW滤波器516之间设置槽1027，而代替层叠体上面为平面状的情况。这时，从IC芯片515产生的热也难以传送到SAW滤波器516，从而改善了SAW滤波器516的温度特性。

在上述的说明中，将IC芯片配置到层叠体的外层表面或层叠体的凹部中。另外，也可将SAW滤波器配置在层叠体的外层表面或层叠体的凹部中。

虽然本实施方式的层叠体的种类和其制作方法、形成在层叠体内部的阻抗匹配电路和电源电路部和移相电路的构造和形成方法、和在IC芯片上形成的放大部和阻抗变换电路的构造和形成方法具有多种变化，但是本发明并不限于这些细节部分。

如上所述，在本实施方式的模块中，将放大部104和阻抗变换电路105安装在由一个IC芯片203(参照图2)构成的模块中。除此之外，由于该模块等效地具有作为发送接收切换电路的功能，所以不需要现有的接收发送切换电路。这样，提供了小型、简单、价格低廉的高频复合开关模块。

另外，通过小型化该模块，可得到低损耗的信号路径。因此，提高了天线的发送接收功率的综合效率。

(实施方式2)

图11是本发明的实施方式2的高频复合开关模块的框图。

图11所示的模块使两个不同通信***的发送接收成为可能。该模块具有分波电路1105。分波电路1105包括连接到天线的公共端子1102、第一和第二端子1103和1104。与实施方式1相同，在第一和第二端子上同时连接了发送电路部和接收电路部。

在第一端子1103和第一发送端子1106之间连接有第一发送电路部，该第一发送电路部由第一放大部1108、第一电源供给部1111、第一阻抗变换电路1109和第一阻抗匹配电路1110构成。这里，第一阻抗变换电路1109和第一阻抗匹配电路1110构成第一发送侧阻抗变换部，工作为分别使第一发送信号和接收信号最大限度地通过和反射。

另一方面，在第一端子1103和第一接收端子1107之间连接有第一接收电路部，该第一接收电路部由第一移相电路1112和第一SAW滤波器1113构成。这里，第一移相电路1112和第一SAW滤波器1113构成第一接收侧阻抗变换部，工作为分别使第一接收信号和发送信号最大限度地通过和反射。这里，第一放大部1108和第一阻抗变换电路1109被集成为第一IC芯片1114。

另外，在第二端子1104和第二发送端子1115之间连接有第二发送电路部，该第二发送电路由第二放大部1117、第二电源供给部1120、第二阻抗变换电路1118和第二阻抗匹配电路1119构成。

这里，第二阻抗变换电路1118和第二阻抗匹配电路1119构成第二发送侧阻抗变换部，工作为分别使第二发送信号和接收信号最大限度地通过和反射。

另一方面，在第二端子1104和第二接收端子1116之间连接有第二接收电路部，该第二接收电路部由第二移相电路1121和第二SAW滤波器1122构成。

第二移相电路1121和第二SAW滤波器1122构成第二接收侧阻抗变换部，工作为分别使第二接收信号和发送信号最大限度地通过和反射。这里，第二放大部1117和第二阻抗变换电路1118被集成为第二IC芯片1123。

与实施方式1相同，本实施方式的模块，在构成层叠体的多个电介质层之间，通过内层导体图案，形成第一和第二阻抗匹配电路1110和1119、第一和第二电源供给部11 11和1120、第一和第二移相电路1112和1121。另外，在层叠体的外层表面安装第一和第二IC芯片1114和1123、第一和第二SAW滤波器1113和1122的至少一个。

对于上述这样构成的模块，下面，说明其动作。

分波电路1105在第二通信频带中，包含有具有很大的输入输出阻抗的第一滤波器1150A，和在第一通信频带中，包含有呈现很大输入输出阻抗的第二滤波器1105B。

因此，第一通信频带的信号被第二滤波器几乎全反射，其大部分在公共端子1102和第一端子1103之间通过，几乎不出现在第二端子1104侧。

另外，第二通信频带的信号被第一滤波器大部分反射，其大部分在公共端子1102和第二端子1104之间通过，几乎不出现在第一端子1103侧。

在发送位于第一通信频带的第一发送信号时，从第一电源供给部1111供给偏置电流，第一放大部1108进入动作状态。

从第一发送端子1106输入第一发送信号，由第一放大部1108放大后，输入到第一阻抗变换电路1109。这里，不进行阻抗变换，而将信号输入到第一匹配电路1110，进行阻抗匹配。

另外，设定第一移相电路1112的电路常数，使得在第一发送频带中从第一端子1103测的第一SAW滤波器1113的输入阻抗最大。即，从第一端子1103到第一接收端子1107方向的阻抗充分大。因此，第一发送信号在第一接收电路部的输入端大部分被反射，其大部分经分波电路1105从第一端子1103输出到公共端子1102。

在接收位于第一通信频带中的第一接收信号时，由天线接收的第一接收信号经分波电路1105被导入到第一移相电路1112上。之后，第一SAW滤波器1113只使第一接收频带的信号通过，而使其输出到第一接收端子1107。

这时，设定第一阻抗变换电路1109的电路常数，而使得在第一接收频带中从第一端子1103测的第一阻抗变换电路1109的电路充分大。即，在第一接收频带中，从第一端子1103到第一发送端子1106方向的阻抗充分大。

因此，第一接收信号在第一发送电路部的输出端被大部分反射，其大部分被输出到第一接收端子1107。

在发送位于第二通信频带的第二发送信号时，从第二电源供给部1120提供偏置电流，第二放大部1117进入到动作状态。

从第二发送端子1115输入第二发送信号，由第二放大部1117放大后，输入到第一阻抗变换电路1118。这里，不进行阻抗变换，信号输入第一匹配电路1119并进行阻抗匹配。

另外，设定第二移相电路1121的电路常数，使得在第二发送频带中，从第二端子1104测的第二SAW滤波器1122的输入阻抗最大。即，从第二端子1104到第二接收端子1116方向的阻抗充分大。因此，第二发送信号在第二接收电路部的输入端大部分被反射，其大部分经分波电路1105从第二端子1104输出到公共端子1102。

在接收位于第二通信频带的第二接收信号时，由天线接收的第二接收信号经分波电路1105被导入到第二移相电路1121。

之后，通过第二SAW滤波器1122，只使第二接收频带的信号通过，并被输出到第二接收端子1116。这时，设定第二阻抗变换电路1118的电路常数，而使得在第二接收频带中，从第二端子1104测的第二阻抗变换电路1118的阻抗充分大。

即，在第二通信频带中，从第二端子1104到第一发送端子1115方向的阻抗充分大。因此，第二接收信号在第二发送电路部的输出端大部分被反射，其大部分被输出到第二接收端子1116。

另外，本实施方式的IC芯片，虽然使用了与各个通信频带对应的两个IC芯片，但也可使用一个芯片化了的器件来作为IC芯片。这时可进一步小型化用于两个不同通信***的高频复合开关模块。

另外，本实施方式的SAW滤波器，虽然使用了与各个通信频带对应的两个SAW滤波器，但是也可使用一个封装了的器件来作为SAW滤波器。这时也可更小型化模块。

进一步，构成本实施方式的分波电路1105的串联电感和并联电容器中，在并联电容器的至少一个上可使用变阻器。这时，可保护模块使其不发生由雷击等产生的浪涌电压·电流。

本实施方式的层叠体的种类和其制作方法，在层叠体内部形成的两个阻抗匹配电路、电源供给部和移相电路的构造和形成方法，及在IC芯片上形成的放大部和阻抗变换电路的构造和形成方法具有多种变化，但是本发明并不限定在这些细节部分。

如上所述，本实施方式的模块，不仅可在两个不同通信***上使用，而且由于还包含放大部和具有发送接收切换电路功能的电路，所以可使模块小型化、简单化和低价化。

另外，因小型化缩短了信号路径而降低了传送损耗，因此可提高天线的发送接收功率的综合功率。

产业上的可利用性

根据本发明，将功率放大器、具有发送接收切换电路功能的电路、接收用的带通滤波器等的几乎全部高频电路一体化为模块。因此，本发明可使使用该模块的移动通信设备的小型化、简单化成为可能。随之，实现了通信设备材料的减少和部件数目的减少。因此，可实现设备的低价化。

另外，该模块，通过使信号路径缩短和简单，可降低信号损耗。因此，可使天线的发送接收功率的综合效率提高。这带来了设备的高性能化。

Claims

1.一种高频复合开关模块，使用公共端子，用于进行将发送信号加以发送、将接收信号加以接收的切换，其特征在于，包括：

a)发送侧阻抗变换部，包含阻抗匹配电路和阻抗变换电路，连接于所述公共端子，用于在接收时使所述接收信号反射；

b)放大部，放大所述发送信号，并输出到所述发送侧阻抗变换部；

c)电源供给部，给所述放大部提供电力；

d)接收侧阻抗变换部，包含移相电路和弹性表面声波(SAW)滤波器，连接于所述公共端子，用于在发送时使所述发送信号反射；

i)将所述放大部和所述阻抗变换电路形成在同一IC芯片上；ii)所述阻抗匹配电路、所述电源供给部和所述移相电路的至少一个，形成在由导体层和电介质层构成的层叠体的内部；iii)在所述层叠体的外层表面安装所述IC芯片和所述SAW滤波器的至少一个。

2.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述阻抗变换电路的电源与所述放大部的电源共用。

3.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述阻抗变换电路包含场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述阻抗变换电路包含使用镓砷半导体的开关。

5.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述阻抗变换电路包含PIN二极管。

6.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述阻抗变换电路包含变容二极管。

7.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述阻抗匹配电路和所述公共端子之间***有方向性耦合器。

8.根据权利要求7所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述方向性耦合器由在所述层叠体内部形成的导体图案构成。

9.根据权利要求7所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述方向性耦合器，由与作为构成所述阻抗匹配电路的串联电感而发挥作用的导体图案电磁耦合的导体图案构成。

10.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述阻抗匹配电路和所述阻抗变换电路之间***有隔直流电容器。

11.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述放大部不动作时，在所述阻抗变换电路和所述公共端子之间，存在与接收信号频带内的频率的二分之一波长的整数倍相当的相位差。

12.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述移相电路由作为串联电感和并联电容器而用的导体图案构成。

13.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述SAW滤波器的接收频带的输入反射系数的大小为0.8以上。

14.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

构成所述电阻匹配电路的并联电容器的至少一个是变阻器。

15.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述层叠体的外层表面，形成与安装有所述IC芯片的部分连通的至少一个通孔。

16.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

安装密封盖，使其覆盖所述IC芯片和所述SAW滤波器，由导电性树脂粘合所述IC芯片和所述密封盖。

17.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述层叠体和所述SAW滤波器之间设有SiO₂层。

18.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述层叠体的下面设有凹部，在所述凹部内部安装所述IC芯片，由使用导电性树脂而与所述IC芯片粘合的金属板覆盖所述凹部，同时，在所述层叠体的上面安装所述SAW滤波器。

19.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述层叠体的内部设有中空层。

20.根据权利要求19所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在所述中空层中填充有绝热性树脂。

21.根据权利要求1所述的高频复合开关模块，其特征在于：

在安装在所述层叠体外层表面的所述IC芯片和所述SAW滤波器之间的所述外层表面上设有槽。

22.一种高频复合开关模块，用于第一通信***和第二通信***，其特征在于，包括：

a)分波电路，用于分离所述第一和第二通信***分别使用的第一发送信号和接收信号以及第二发送信号和接收信号；

b)第一发送电路部，用于处理所述第一发送信号；

c)第一接收电路部，用于处理所述第一接收信号；

d)第二发送电路部，用于处理所述第二发送信号；

e)第二接收电路部，用于处理所述第二接收信号，

所述第一和第二发送电路部，分别包含：

第一和第二发送侧阻抗变换部，包含第一和第二阻抗匹配电路和第一和第二阻抗变换电路，用于在接收时分别使所述第一和第二接收信号反射；

第一和第二放大部，用于分别放大所述第一和第二发送信号；

第一和第二电源供给部，用于分别将电源电力提供给所述第一和第二放大部，

所述第一和第二接收电路部，分别包含第一和第二移相电路以及第一和第二SAW滤波器，在发送时，分别反射所述第一和第二发送信号；

i)所述第一和第二放大部与所述第一和第二阻抗变换电路分别形成于第一和第二IC芯片；ii)所述第一和第二阻抗匹配电路、所述第一和第二电源供给部和所述第一和第二移相电路中的至少一个形成在由导体层和电介质层构成的层叠体的内部；iii)在所述层叠体的外层表面上安装所述第一和第二IC芯片与所述第一和第二SAW滤波器的至少一个。

23.根据权利要求22所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述第一IC芯片和所述第二IC芯片由一个IC芯片构成。

24.根据权利要求22所述的高频复合开关模块，其特征在于：

所述第一SAW滤波器和所述第二SAW滤波器由一个SAW滤波器构成。

25.根据权利要求22所述的高频复合开关模块，其特征在于：

构成所述分波电路的并联电容器的至少一个是变阻器。

26.一种移动通信设备，进行发送接收，其特征在于：

使用了权利要求1到25的其中之一所述的高频复合开关模块。