JP2002317274A - メッキ触媒 - Google Patents

メッキ触媒

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JP2002317274A
JP2002317274A JP2001325735A JP2001325735A JP2002317274A JP 2002317274 A JP2002317274 A JP 2002317274A JP 2001325735 A JP2001325735 A JP 2001325735A JP 2001325735 A JP2001325735 A JP 2001325735A JP 2002317274 A JP2002317274 A JP 2002317274A
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
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    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 無電解金属シード層を堆積させ、不連続なシ
ード層をエンハーンスするのに適した触媒組成物、及
び、無電解シード層を堆積させる方法、不連続なシード
層を向上させる方法を提供する。 【解決手段】 １またはそれ以上の金属塩、１またはそ
れ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダ
ー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む、１μ
ｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆
積させるのに適した組成物および方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は一般に、その後のメタライゼーシ
ョンのためのシード層の分野に関する。特に、本発明は
メタライゼーション前のシード層の堆積および修復法に
関する。
【０００２】より小さな超小型電子デバイス、たとえば
サブミクロンジオメトリーのものが求められるために、
より高密度を取り扱う複数のメタライゼーション層を有
するデバイスになってきている。半導体ウェハー上に金
属線（配線ともいう）を形成するために用いられる一般
的金属の一例はアルミニウムである。アルミニウムは比
較的安価で、抵抗率が低く、比較的エッチングしやすい
という利点がある。アルミニウムは異なる金属層を連結
させるためにバイア（ｖｉａ）中に相互接続を形成する
ために用いられてきた。しかしながら、バイア／コンタ
クトホールの寸法がサブミクロンの範囲まで縮小する
と、不連続被覆の問題が生じ、このことは異なる金属層
間の相互接続を形成するためにアルミニウムを用いる際
に信頼性の問題を生じる。このような不十分な不連続被
覆の結果、高電流密度になり、エレクトロマイグレーシ
ョンが増大する。
【０００３】バイア中に向上した相互接続経路を提供す
る一法は、タングステンなどの金属を用いることにより
完全に充填されたプラグを形成し、金属層についてはア
ルミニウムを用いることである。しかしながら、タング
ステン法は高価で複雑であり、タングステンの抵抗率は
高く、タングステンプラグは空隙ができやすく、配線層
との接合点が不良である。
【０００４】銅が相互接続メタライゼーションのための
代替物質として提案されてきた。銅はタングステンと比
較して電気的特性が向上し、アルミニウムよりもエレク
トロマイグレーション特性が良好で、抵抗率が低い利点
がある。銅の欠点は、アルミニウムやタングステンと比
べて溶蝕しにくく、二酸化珪素などの誘電層中にマイグ
レーションする傾向があることである。このようなマイ
グレーションを防止するためには、窒化チタン、窒化タ
ンタルなどのバリア層を、銅層を堆積させる前に用いな
ければならない。
【０００５】電気化学堆積法などの銅層を施用するため
の典型的な技術は、導電性層に銅を施用するときにのみ
適している。したがって、下にある導電性シード層、典
型的には銅などの金属シード層が一般に銅の電気化学堆
積の前に基体に施用される。このようなシード層は種々
の方法、たとえば物理蒸着法（「ＰＶＤ」）および化学
蒸着法（「ＣＶＤ」）などにより施用することができ
る。典型的には、シード層は他の金属層と比較して薄
く、たとえば５０から１５００オングストロームの厚さ
である。
【０００６】金属シード層、特に銅シード層上の酸化物
はその後の銅堆積を妨げる。このような酸化物は金属シ
ード層が空気などの酸素に暴露されることにより形成さ
れる。典型的には、シード層が酸素に暴露される期間が
長いほど、酸化物の形成量は多くなる。銅シード層が薄
い場合、酸化銅は層全体にわたって酸化銅として存在し
得る。エレクトロニクス仕上作業におけるなどの電気メ
ッキの他の領域において、酸化銅層は典型的には酸性エ
ッチング浴により除去される。これらの浴は酸化物層を
溶解し、銅金属表面が残る。このようなエッチングプロ
セスは、シード層が薄いので一般的に銅シード層に適用
できない。酸化物がシード層表面から除去されると、シ
ード層が所々完全に除去される危険性があり、シード層
において不連続性が生じる。
【０００７】米国特許第５８２４５９９号（Ｓｃｈａｃ
ｈａｍ−Ｄｉａｍａｎｄら）は、真空下でウェハー上の
バリア層上の触媒銅層をコンフォーマルにブランケット
堆積させ、真空を破らずに触媒銅層上に保護アルミニウ
ム層を堆積させることにより銅シード層の表面上で酸化
物が形成されることを防ぐ方法を開示する。このような
真空下での銅層のブランケット堆積法は商業的に用いら
れる方法の典型である。
【０００８】ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４７７３１号
（Ｃｈｅｎ）は、まず超薄シード層を蒸着し、続いて超
薄シード層を電気化学的にエンハーンスして、最終シー
ド層を形成することによりシード層を提供する方法を開
示する。この特許出願によると、このような二段プロセ
スにより不連続性、すなわち、シード層の被覆が不完全
であるかまたは欠損しているシード層における領域が低
減されたシード層が得られる。しかしながら、このよう
な電解銅堆積物は無電解堆積ほどコンフォーマルでな
い。したがって、このような電解堆積物は実質的に上方
向にメッキすることなく実質的に不連続性を埋めること
はできない。
【０００９】物理または化学蒸着法によっては、非蒸着
プロセス、例えば電解および無電解堆積法により提供さ
れるのと同程度に不純物が少ない金属層が得られない。
さらに、ＰＶＤ法は金属をサイトファッションのライン
に堆積させる傾向がある。無電解堆積法は、ＰＶＤまた
はＣＶＤと異なり、コンフォーマルである傾向があり、
したがってより良好に開口部側壁を被覆し、より連続し
たシード層が得られ、したがってその後の電気メッキ後
の空隙形成が減少する。しかしながら、公知の無電解メ
ッキのコロイド状パラジウム触媒は典型的には強酸を含
み、これは薄い銅シード層を除去する。かかる公知触媒
はまたスズも含み、これは無電解メッキ前に除去しなけ
ればならない。このようなスズが完全に除去されない場
合、メッキされたフィルムにおいて欠陥が生じる可能性
がある。
【００１０】これらの用途において用いられる有機誘電
体物質は典型的には公知の誘電性物質よりも低い誘電率
を有する。しかしながら、バリア層の物理蒸着の加工温
度が高すぎるので、このような有機誘電体物質は適当に
用いることができない。
【００１１】したがって、電子デバイス、特に小さなジ
オメトリー、例えば０．５ミクロン以下の小ジオメトリ
ーを有するデバイスにおける表面ジオメトリーと合致す
る実質的に連続したシード層の堆積法が必要とされる。
また、バリア層の堆積のために低温プロセスも必要とさ
れる。さらに不連続シード層をエンハーンスするための
非電解的方法が必要とされる。
【００１２】驚くべきことに、本発明の組成物はシード
層、特に銅シード層をエンハーンスし、または銅シード
層における不連続性を修復するのに適していることが判
明した。さらに、本発明はスズを使用せずに薄い銅シー
ド層を堆積させるのに適している。本発明の無電解メッ
キ触媒はアルカリ性から中性であり、したがって公知酸
無電解触媒よりも薄い銅シード層に対して有害性が低
い。
【００１３】一態様において、本発明は、１またはそれ
以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１また
はそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元
剤および塩基を含む、１μｍ以下の開口部を有する基体
上に無電解メッキ触媒を堆積させるのに適した組成物を
提供する。
【００１４】第二の態様において、本発明は、１または
それ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１
またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の
還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階
を含む、無電解メッキ触媒を１μｍ以下の開口部を有す
る基体上に堆積させる方法を提供する。
【００１５】第三の態様において、本発明は、１または
それ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１
またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の
還元剤および塩基を含む組成物と不連続金属シード層を
含む基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；
および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含
む、不連続シード層をエンハーンスする方法を提供す
る。
【００１６】第四の態様において、本発明は、１または
それ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１
またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の
還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段
階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッ
キ溶液と接触させる段階を含む、金属シード層を基体上
に堆積させる方法を提供する。
【００１７】第五の態様において、本発明は、１または
それ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１
またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の
還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段
階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッ
キ溶液と接触させる段階を含む集積回路を製造する方法
を提供する。
【００１８】第六の態様において、本発明は、無電解メ
ッキ触媒を含む電子デバイスであって、１またはそれ以
上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１または
それ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤
および塩基を含む組成物から触媒が堆積された電子デバ
イスを提供する。
【００１９】本明細書において用いる場合、特記しない
限り、以下の略号は以下の意味であるとする：℃＝摂氏
度；μｍ＝ミクロン＝マイクロメートル；ｇ／Ｌ＝１リ
ットルあたりのグラム数；Ｍ＝モル；ＨＰＣ＝ヒドロキ
シプロピルセルロース；ＨＭＣ＝ヒドロキシメチルセル
ロース；ＴＭＡＨ＝水酸化テトラメチルアンモニウム；
ＰＶＯＨ＝ポリ（ビニルアルコール）；ＫＯＨ＝水酸化
カリウム；ＨＰＡ＝次亜リン酸；ＳＦ＝ギ酸ナトリウ
ム；ＳＨＰ＝次亜リン酸ナトリウム。
【００２０】本明細書において用いる場合、「フィーチ
ャー（ｆｅａｔｕｒｅ）」とは、基体上のジオメトリ
ー、例えばトレンチおよびバイアを意味するが、これに
限定されない。「開口部」とは、くぼんだフィーチャ
ー、例えばバイアおよびトレンチを意味する。「小フィ
ーチャー」なる用語は、サイズが１ミクロン以下（≦１
μｍ）のものを意味する。「非常に小さなフィーチャ
ー」とは、サイズが１／２ミクロン以下（≦０．５μ
ｍ）のものを意味する。同様に、「小開口部」とは、サ
イズが１ミクロン以下の開口部を意味し、「極小開口
部」とは、サイズが１／２ミクロン以下の開口部を意味
する。本明細書において用いる場合、「メッキ」なる用
語は、特記しない限り、金属電気メッキを意味する。
「堆積」および「メッキ」は本明細書において交換可能
に用いられる。「ハロ」は、フルオロ、ブロモ、および
ヨードを意味する。同様に、「ハロゲン化物」とは、フ
ッ化物、塩化物、臭化物およびヨウ化物を意味する。
「アルキル」は、直鎖、分枝および環状アルキル基を包
含する。
【００２１】すべての百分率および比は特記しない限り
重量基準である。すべての範囲は両端を含み、組み合わ
せることができる。
【００２２】本発明は、１またはそれ以上の金属イオ
ン、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上
の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩
基を含む、１μｍ以下の開口部を有する基体上に無電解
メッキ触媒を堆積させるのに適した組成物を提供する。
無電解メッキ触媒として用いるのに適した任意の金属塩
を本発明において用いることができる。かかる金属塩と
しては：コバルト塩、銅塩、白金塩、パラジウム塩など
が挙げられるが、これに限定されない。銅塩およびパラ
ジウム塩が好ましい触媒である。かかる塩は、典型的に
は用いられる溶媒、典型的には水中に少なくとも部分的
に可溶性である。したがって、任意の溶媒可溶性金属塩
が適当である。金属塩の例としては、金属水酸化物、金
属ハロゲン化物、金属グルコン酸塩、金属酢酸塩、金属
硫酸塩、金属硝酸塩、金属スルホン酸塩、金属アルキル
スルホン酸塩、金属アリールスルホン酸塩、金属フルオ
ロホウ酸塩などが挙げられる。かかる触媒の選択は、当
業者により可能である。
【００２３】１またはそれ以上の金属塩は、典型的には
本発明の組成物において、約０．１ｇ／Ｌから約１５ｇ
／Ｌ、好ましくは、約０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、より
好ましくは１ｇ／Ｌ〜８ｇ／Ｌの量において存在する。
特に有用な範囲は、２ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌである。かかる
金属塩は、一般に商業的に入手可能であり、さらに精製
せずに用いることができる。
【００２４】広範囲におよぶ水溶性銅錯生成剤を本発明
において有利に用いることができる。好ましくは、かか
るキレート化剤は水溶性である。「水溶性」なる用語
は、キレート化剤が約１０００ｐｐｍまたはそれ以上で
水中に可溶性であることを意味する。かかるキレート化
剤は有機酸またはその塩であるのがさらに好ましく、よ
り好ましくは有機カルボン酸またはその塩である。適当
な有機酸は、１またはそれ以上のカルボキシレート基を
含む任意の水溶性有機化合物である。好ましい有機酸の
例としては：（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、
（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ
１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）
アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジ
カルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボ
ン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、（Ｃ２
−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）
アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アル
ケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジ
カルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカル
ボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボン酸、置換
アリールカルボン酸などおよびその塩が挙げられるが、
これに限定されない。「置換アルキル」、「置換アルケ
ニル」または「置換アリール」は、アルキルまたはアル
ケニル鎖上またはアリール環の１またはそれ以上の水素
が別の置換基、例えばハロ、ヒドロキシル、（Ｃ１−Ｃ
６）アルコキシ、シアノ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキルチ
オ、フェニル、フェノキシなどで置換されているものを
意味する。アミンカルボン酸としては、アミンテトラカ
ルボン酸、例えば、エチレンジアミンテトラカルボン酸
（「ＥＤＴＡ」）、およびアミンペンタカルボン酸が挙
げられる。特に有用な有機酸としては：ギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル
酸、アジピン酸、グルコール酸（ｇｌｕｃｏｌｉｃ ａ
ｃｉｄ）、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、ＥＤＴ
Ａ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸、サリチル酸お
よびそれらの塩が挙げられる。
【００２５】本発明の組成物中の有機酸の量は、典型的
には約０．１ｇ／Ｌ〜約２５ｇ／Ｌの範囲であり、好ま
しくは０．５ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ、より好ましくは２ｇ
／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの範囲である。有機酸の具体的な量
は、選択された具体的な金属塩および選択された具体的
な有機酸によって変わる。有機酸はさまざまな供給源か
ら商業的に入手可能であり、さらに精製せずに用いるこ
とができる。
【００２６】さまざまな有機バインダーが本発明の組成
物において適当である。かかるバインダーは、典型的に
は水溶性または水分散性であり、好ましくは水溶性であ
る。バインダーは、小分子であるかまたはポリマーであ
ってもよい。適当なバインダーとしては、セルロース、
ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキルセルロー
ス、たとえば、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキ
シエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロー
ス、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリマー、
誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンおよび酸化プ
ロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性部
分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、ポ
リ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリメ
タクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）およびナフタレ
ンホルムアルデヒド縮合物が挙げられる。好ましい有機
バインダーは、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒ
ドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロー
スおよびヒドロキシプロピルセルロースである。
【００２７】かかるバインダーは、広範囲におよぶ量、
典型的には約１ｇ／Ｌ〜約３０ｇ／Ｌの範囲において用
いることができる。好ましくは、有機バインダーは、５
ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌ、より好ましくは１０ｇ／Ｌ〜２０
ｇ／Ｌの量において用いられる。これらのバインダー
は、一般に商業的に入手可能であり、さらに精製せずに
用いることができる。
【００２８】広範囲におよぶ還元剤を本発明の組成物に
おいて用いることができる。適当な還元剤としては、次
亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウ
ム、ホウ水素化ナトリウム、ホルムアルデヒド、ジメチ
ルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、メチルモル
ホリノボラン、モルホリノボラン、ジイソプロピルアミ
ンボラン、Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム、亜リン酸ナ
トリウム、亜リン酸カリウム、酒石酸、グルコース、グ
リセリン、Ｎ，Ｎ−ジエチレングリシンナトリウム、ギ
酸ナトリウム、ギ酸カリウム、三塩化チタン、ヒドラジ
ン、チオ尿素、メチルチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、
Ｎ−エチルチオ尿素、ヒドロキノン、二価コバルト化合
物などが挙げられるが、これに限定されない。好ましい
還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウムお
よびギ酸ナトリウムが挙げられる。
【００２９】還元剤は、典型的には本発明の組成物中、
約５ｇ／Ｌ〜約６０ｇ／Ｌ、好ましくは１０ｇ／Ｌ〜５
０ｇ／Ｌの量において存在する。かかる還元剤は、一般
に商業的に入手可能であり、さらに精製せずに用いるこ
とができる。
【００３０】任意の適当な有機または無機塩基を本発明
の組成物において用いることができる。適当な塩基とし
ては：アルカリおよびアルカリ土類水酸化物、例えば水
酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム；水
酸化アンモニウム；水酸化アルキルアンモニウム、例え
ば、水酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウ
ム、たとえば水酸化テトラメチルアンモニウム；アミ
ン、カーボネートなどが挙げられるが、これに限定され
ない。かかる塩基は、組成物において、組成物のｐＨが
約７またはそれ以上、好ましくは約７．５〜約１３．
５、より好ましくは８〜１３、さらにより好ましくは
８．５〜１２、さらにより好ましくは１０〜１２になる
ような量において存在する。採用される具体的なｐＨ
は、ひとつには金属塩の選択によって変わる。たとえ
ば、本発明の組成物において銅塩を用いる場合、特に適
当なｐＨ範囲は、約７．５〜約８．０である。
【００３１】本発明の組成物は、１またはそれ上の金属
塩、１またはそれ以上の有機酸、１またはそれ以上の有
機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および１また
はそれ以上の塩基を任意の順序で組み合わせることによ
り調製することができる。一態様において、錯生成剤を
まず水中に溶解させ、続いて金属塩、有機バインダー、
塩基、還元剤を溶解させ、水を加えて最終体積にする。
好ましくは、凝集を避けるために有機バインダーを混合
物にゆっくり添加する。典型的には、本発明の組成物は
水中で調製されるが、１またはそれ以上の有機溶媒ある
いは水と１またはそれ以上の有機溶媒との混合物中で調
製することもできる。かかる有機溶媒としては、ポリヒ
ドロキシ化合物、例えばアルカンジオールおよびアルカ
ントリオール、グリコールエーテル、グリコールエーテ
ルアセテートなどが挙げられるが、これに限定されな
い。アルカンジオールとしては、（Ｃ１−Ｃ２４）アル
カンジオール、例えば、グリコール、たとえばエチレン
グリコール、プロピレングリコールなどが挙げられる。
グリコールエーテルの例としては、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコー
ルモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチ
ルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエー
テル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレング
リコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエー
テルなどが挙げられる。他の適当な溶媒としては、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げ
られる。水および水と有機溶媒の混合物が好ましく、水
がより好ましい。
【００３２】本発明の触媒組成物は、さまざまな手段、
例えばディッピング、スプレー、フラッドコーティン
グ、スクリーンプリンティング、ローラーコーティン
グ、スピンコーティングなどにより基体に施用すること
ができる。適当な基体としては、たとえば集積回路にお
いて用いられるウェファー、プリント配線板内層および
外層、フレキシブル回路、マルチチップモジュール、コ
ネクター、リードフレームを包含するがこれに限定され
ない電子デバイスの製造において用いられる任意のもの
が挙げられる。基体はウェファーであるのが好ましい。
本発明の組成物を、小開口部（≦１μｍ）、より好まし
くは非常に小さな開口部（≦０．５μｍ）、さらにより
好ましくは≦０．１８μｍの開口部を有する基体に施用
するのがさらに好ましい。このように、本発明は、１μ
ｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆
積させる方法であって、１またはそれ以上の金属塩、１
またはそれ以上の有機酸、１またはそれ以上の有機バイ
ンダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組
成物と基体を接触させる段階を含む方法を提供する。
【００３３】基体上に堆積されるこのような無電解メッ
キ触媒の量は、施用される組成物コーティングまたはフ
ィルムの厚さにより決定される。したがって、堆積させ
る触媒の量は、基体に施用される組成物の量を制御する
ことにより制御することができる。基体に施用されるか
かる組成物は、実質的に連続したフィルムを形成する。
すなわち、複合体のフィルムは、基体の表面積の＞９５
％、好ましくは＞９８％、より好ましくは＞９９％を覆
う。
【００３４】いったん本発明の組成物を基体上に施用す
るか、または基体上にコートすると、これらを典型的に
は乾燥させて、均一な不活性触媒フィルムを得る。この
ような乾燥は、さまざまな手段によることができる。好
ましくは、このような乾燥は加熱することにより行われ
る。典型的には、このような加熱は、触媒を活性化させ
るのに必要な温度よりも低い温度で行われる。例えば、
コートした基体を空気中約１００℃まで、好ましくは約
９０℃までの温度で乾燥させることができる。典型的に
は、乾燥時間は触媒組成物において用いられる溶媒およ
び施用される触媒層の厚さによって変わる。このような
時間は、当業者により決定され、適当には、６０分ま
で、好ましくは４５分まで、より好ましくは３０分まで
である。
【００３５】乾燥後、不活性触媒フィルムを無電解金属
堆積の前に活性化させる。したがって、本発明の方法は
さらに活性化段階を包含する。不活性触媒フィルムをさ
まざまな手段、例えば高温などでの加熱、二酸化炭素ま
たはエキシマー（ｅｘｉｍｅｒ）レーザーへの暴露、紫
外線への暴露などにより活性化させることができる。好
ましくは、例えば触媒でコートされた基体をオーブン中
に入れるなど、高温で加熱することにより触媒を活性化
させる。このような加熱は、典型的には約１００℃以
上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃
以上、さらにより好ましくは１３０℃以上、さらにより
好ましくは１４０℃以上、例えば２００℃以上での温度
である。触媒を活性化させるためのこのような加熱は典
型的には１８０分まで、好ましくは１２０分まで、より
好ましくは６０分まで、さらにより好ましくは１５分ま
でである。当業者らは触媒の選択的活性化はマスクを通
してレーザまたは紫外線を用いることにより可能である
ことを理解できるであろう。
【００３６】いったん本発明の触媒を活性化させると、
これをさまざまな金属により無電解メッキすることがで
きる。無電解堆積できる適当な金属としては、銅、ニッ
ケル、金、銀、コバルト、パラジウム、白金、鉄などが
挙げられるが、これに限定されない。このような無電解
メッキ溶液は、典型的には１またはそれ以上の金属イオ
ン、１またはそれ以上の還元剤および任意に錯生成剤を
含む。典型的には、無電解メッキ溶液は水性であるが、
１またはそれ以上の有機溶媒を含むことができる。
【００３７】本発明は、基体上の不連続な金属シード層
をエンハーンスするのに特に適している。不連続な金属
シード層を「エンハーンス」するとは、このような不連
続なシード層またはシード層の欠損部分を実質的に埋め
るか、または好ましくは埋めるようにシード層を修復ま
たは拡大することを意味する。したがって、本発明は不
連続なシード層をエンハーンスするための方法であっ
て、不連続な金属シード層を含む基体を、１またはそれ
以上の金属塩、１またはそれ以上の有機酸、１またはそ
れ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤お
よび塩基を含む組成物と接触させる段階；触媒を活性化
させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させ
る段階を含む方法を提供する。
【００３８】別の態様において、本発明は基体上にシー
ド層を堆積させるのに特に適している。かかるシード層
は無電解的に堆積され、これはコンフォーマルである利
点を有する。したがって、公知シード層の問題を克服す
る均一でコンフォーマルなシード層が得られる。公知の
無電解触媒は、続いて堆積される銅層の抵抗率を増大さ
せるパラジウムを包含する。本発明は、触媒としてパラ
ジウムのかわりに銅の使用が可能である。銅塩を含むこ
のような触媒は、その後に堆積される銅層の抵抗率が増
大しいないので、シード層堆積において特に有利であ
る。
【００３９】したがって、本発明は基体上に金属シード
層を堆積させる方法であって、１またはそれ以上の金属
塩、１またはそれ以上の有機酸、１またはそれ以上の有
機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を
含む組成物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させ
る段階；触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含
む方法を提供する。集積回路デバイス上にシード層を堆
積させるために本発明を用いる場合、触媒組成物は好ま
しくはバリア層に施用される。適当なバリア層は、銅の
エレクトロマイグレーションを低減または防止する任意
のものである。適当なバリア層としては、タンタル、窒
化タンタル、窒化珪素化タンタル、チタン、窒化チタ
ン、タングステン、窒化タングステンおよび窒化珪化タ
ングステンが挙げられるが、これに限定されない。１以
上のバリア層、たとえば、チタン、その後に窒化チタ
ン、任意にその後に窒化珪化チタンなどを用いることが
できる。
【００４０】本発明はさらに、１またはそれ以上の金属
塩、１またはそれ以上の有機酸、１またはそれ以上の有
機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基と
基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；およ
び触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む集積
回路を製造する方法を提供する。したがって、本発明は
さらに、１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上
の有機酸、１またはそれ以上の有機バインダー、１また
はそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物から触媒が
堆積された、無電解メッキ触媒を含む電子デバイスを提
供する。
【００４１】いったん本発明の触媒を活性化させると、
広範囲におよぶ金属によりこれを無電解メッキすること
ができる。無電解メッキできる適当な金属としては、
銅、ニッケル、金、銀、コバルト、パラジウム、白金、
鉄などが挙げられるが、これに限定されない。好ましく
は、無電解メッキ浴は無電解銅メッキ浴である。かかる
無電解メッキ溶液は典型的には、１またはそれ以上の金
属塩、１またはそれ以上の還元剤および任意に錯生成剤
を含む。典型的には、無電解メッキ溶液は水性である
が、１またはそれ以上の有機溶媒を含むこともできる。
【００４２】金属イオンは、無電解メッキ浴中、任意の
可溶性形態、例えば硝酸塩、硫酸塩、スルホン酸塩、ア
ルキルスルホン酸塩、アリールスルホン酸塩、ハロゲン
化物、フルオロホウ酸塩、グルコン酸塩、酢酸塩などに
おいて存在することができる。このような金属塩の量
は、堆積させる金属および用いられる具体的な無電解浴
によって変わる。このような量は、当業者により決定さ
れる。
【００４３】さまざまな還元剤をこのような無電解浴に
おいて用いることができる。適当な還元剤としては、次
亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、ホウ水素化
ナトリウム、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボラ
ン、トリメチルアミンボラン、メチルモルホリノボラ
ン、モルホリノボラン、ジイソプロピルアミンボラン、
Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、
亜リン酸カリウム、酒石酸、グルコース、グリセリン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルグリシンナトリウム、ギ酸ナトリウ
ム、ギ酸カリウム、三塩化チタン、ヒドラジン、チオ尿
素、メチルチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ−エチル
チオ尿素、ヒドロキノン、二価コバルト化合物などが挙
げられるが、これに限定されない。無電解銅浴に関して
は、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボランおよびホ
ウ水素化ナトリウムが好ましい。無電解浴中のこのよう
な還元剤の量は、当業者には周知である。
【００４４】任意に、無電解浴は、１またはそれ以上の
錯生成剤、たとえばエチレンジアミン、ＥＤＴＡ、テト
ラメチレンジアミン、クエン酸塩、酒石酸塩などを含む
ことができる。
【００４５】活性化された触媒を含む基体を、典型的に
は無電解メッキ浴と所望の金属層を堆積させるのに十分
な温度および時間で接触させる。このような時間および
温度は、堆積させる金属および用いられる具体的な無電
解メッキ浴によって変わる。典型的には、このような無
電解メッキは、室温より低い温度から約９５℃、好まし
くは、２５℃〜８０℃の間の温度で行うことができる。
適当なメッキ時間は、典型的には少なくとも約０．２５
分、好ましくは少なくとも約０．５分、より好ましくは
少なくとも約５分である。他の適当なメッキ時間として
は、少なくとも約２０分である。用いられるめっき時間
に上限はない。このような無電解メッキを行う時間が長
いほど、結果として得られる金属堆積物が厚くなる。当
業者らは、堆積物の厚さが増大するとともにメッキ速度
が遅くなることを理解できるであろう。
【００４６】不連続性を有するシード層をエンハーンス
または修復するために本発明を用いる場合、このような
不連続性を実質的に埋めるか、または好ましくは完全に
埋めるのに十分な時間基体を無電解メッキ浴と接触させ
る。シード層を堆積させるために本発明を用いる場合、
このようなシード層はさまざまな厚さであってよい。本
発明は、蒸着を必要とすることなく超薄コンフォーマル
シード層を堆積させることができる。
【００４７】基体において存在する任意の開口部が無電
解金属堆積物により実質的に埋められるかまたは完全に
埋められるまで基体をメッキすることができると理解さ
れる。これは、このような基体のメッキにおいて用いら
れるメッキ浴が一つだけしか必要でないという利点があ
る。無電解堆積はコンフォーマルである傾向にあるの
で、無電解金属堆積物は完全に開口部を埋めないのが好
ましい。したがって、無電解堆積物は部分的に開口部を
埋め、その後に基体を無電解浴から取り出し、好ましく
は同じ金属で、電気メッキするのが好ましい。このよう
にして、小さな開口部、特に≦０．１８μｍの開口部を
空隙のないボトムアップフィルを行うことができる。
【００４８】したがって、本発明は、１またはそれ以上
の開口部を含み、それぞれの開口部が本発明の方法から
得られた無電解金属堆積物を含む電子デバイス基体を含
む製品も提供する。
【００４９】いったん本発明にしたがって開口部を埋め
るために半導体ウェファーをメッキすると、ウェファー
を好ましくは化学的機械的プラナリゼーション（「ＣＭ
Ｐ」）に付す。ＣＭＰ法は本発明にしたがって以下のよ
うにして行うことができる。
【００５０】移動するポリッシングパッドの表面に対し
てウェファーを押しつけるウェファーキャリア中にウェ
ファーを取り付ける。ポリッシングパッドは公知の平滑
ポリッシングパッドまたは溝付ポリッシングパッドであ
ってもよい。このような溝付パッドは当業界で一般的で
あり、たとえばＲｏｄｅｌ，Ｉｎｄ．（Ｎｅｗａｒｋ，
Ｄｅｌａｗａｒｅ）から入手可能なものである。ポリッ
シングパッドはポリッシングパッドを回転させることが
できる公知のプラテン上に設置することができる。ポリ
ッシングパッドは支持手段、たとえば接着剤、例えば両
側に接着剤を有する両面テープなど（これに限定されな
い）によりプラテン上に取り付けることができる。
【００５１】ポリッシング溶液またはスラリーをポリッ
シングパッド上に供給する。ウェファーキャリアはポリ
ッシングパッド上の異なる位置にあってもよい。ウェフ
ァーを任意の適当な支持手段、たとえばウェファーホル
ダー、真空または液体張力、たとえばこれに限定されな
いが流体、例えばこれに限定されないが水などによりそ
の位置に保持することができる。支持手段が真空による
場合、ウェファーキャリアに連結した中空シャフトがあ
るのが好ましい。さらに、空気または不活性気体など
（これに限定されない）の気体圧力を調節するために中
空シャフトを用いることができるか、またはまずウェフ
ァーを支持するために真空を用いることができる。気体
または真空を中空シャフトからキャリアに通じる。気体
はウェファーを所望のポリッシングパッドに対して押し
つけることができ、所望の外形になる。真空はまずウェ
ファーをウェファーキャリア中の位置に支持することが
できる。いったんウェファーがポリッシングパッドの上
部にきたら、真空を停止し、気体圧力をかけて、ウェフ
ァーをポリッシングパッドに押し込む。過剰または望ま
しくない銅を次に取り除く。プラテンおよびウェファー
キャリアは独立して回転可能である。したがって、ウェ
ファーをポリッシングパッドと同じ方向に同じかまたは
異なる速度で回転させることができるか、あるいはウェ
ファーをポリッシングパッドと反対方向に回転させるこ
とができる。
【００５２】したがって、本発明は、半導体ウェファー
を回転するポリッシングパッドと接触させ、これにより
過剰の物質を半導体ウェファーから除去することを含
む、化学機械的プラナリゼーション法により過剰の物質
を半導体ウェファーから除去する方法であって、該半導
体ウェファーが前記方法に従ってあらかじめ堆積または
エンハーンスしておいたシード層を含むものである方法
を提供する。
【００５３】以下の実施例は本発明のさまざまな態様を
説明するために提示されたものであって、どの態様にお
いても本発明の範囲を制限するものではない。
【００５４】実施例１ 表に列挙した量の成分を水と組み合わせることにより、
以下の触媒サンプルを調製する。
【００５５】
【表１】
【００５６】実施例２ ＰＶＤにより０，５μｍ以下の開口部を有するバリア層
をコートしたシリコンウェファーに不連続な銅シード層
を施用する。サンプル１をウェファー上にスピンコート
し、その後９０℃で空気中３０分間乾燥させる。ウェフ
ァーを１４０℃のオーブン中に１５分間入れることによ
り触媒を次に活性化させる。ウェファーを次に無電解銅
浴と接触させて、実質的に連続した銅シード層を得る。
ウェファーを次に酸銅浴を用いて電気メッキして、開口
部を実質的に銅で充填する。
【００５７】実施例３ ウェファーがシード層を含まない以外は実施例２と同様
である。
【００５８】実施例４ サンプル８を用いる以外は、実施例３を繰り返す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デービッド・メリックス イギリス，コベントリー州，シーブイ５・ ６ピーユー，アールズドン，ハンティント ン・ロード・66 (72)発明者 マーティン・ティー・グーシー イギリス，ナニートン州，シーブイ10・９ エヌゼット，ギャリー・コモン，プラウ・ ヒル・ロード，ヒル・ファーム（番地な し) (72)発明者 ナリンダー・ベインズ イギリス，ウルバーハンプトン州，ダブリ ューブイ11・３エージー，ロデリック・ド ライブ・20 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA04 AA05 AA31 AA41 BA01 BA03 BA06 BA08 BA09 BA14 BA18 BA35 CA01 CA06 CA12 CA16 CA19 CA21 CA22 CA23 DA01 4M104 BB04 BB05 BB06 BB08 BB09 BB14 BB17 BB18 BB30 BB32 BB33 BB36 DD53 DD77 DD81 FF17 FF18

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １またはそれ以上の金属塩、１またはそ
    れ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダ
    ー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む、１μ
    ｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆
    積させるのに適した組成物。
  2. 【請求項２】 １またはそれ以上の金属塩が銅塩または
    パラジウム塩から選択される請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸か
    ら選択される請求項１記載の組成物。
  4. 【請求項４】 有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカ
    ルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、
    （Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１
    −Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）
    アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル
    トリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン
    酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２
    −Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ
    １２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）ア
    ルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニ
    ルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボ
    ン酸または置換アリールカルボン酸から選択される請求
    項３記載の組成物。
  5. 【請求項５】 有機酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
    シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン
    酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸またはリン
    ゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸ま
    たはサリチル酸から選択される請求項４記載の組成物。
  6. 【請求項６】 １またはそれ以上の有機バインダーが、
    セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキ
    ルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロース、ヒ
    ドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセ
    ルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリ
    マー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンと酸化
    プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性
    部分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、
    ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリ
    メタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）またはナフタ
    レンホルムアルデヒド縮合物から選択される請求項１記
    載の組成物。
  7. 【請求項７】 塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナトリ
    ウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水酸
    化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選択
    される請求項１記載の組成物。
  8. 【請求項８】 １またはそれ以上の金属塩、１またはそ
    れ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダ
    ー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物
    と基体を接触させる段階を含む、１μｍ以下の開口部を
    有する基体上に無電解メッキ触媒を堆積させる方法。
  9. 【請求項９】 １またはそれ以上の金属塩が、銅塩また
    はパラジウム塩から選択される請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 １またはそれ以上の銅錯生成剤が有機
    酸から選択される請求項８記載の方法。
  11. 【請求項１１】 有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル
    カルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、
    （Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１
    −Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）
    アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル
    トリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン
    酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２
    −Ｃ１ ２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ
    １２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）ア
    ルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニ
    ルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボ
    ン酸または置換アリールカルボン酸から選択される請求
    項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、
    酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グ
    ルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、
    クエン酸またはリンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼ
    ントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される請求
    項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 １またはそれ以上の有機バインダー
    が、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシア
    ルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロー
    ス、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロ
    ピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロー
    スポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレン
    と酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に
    疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリ
    マー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテ
    ル）、ポリメタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）ま
    たはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される
    請求項８記載の方法。
  14. 【請求項１４】 塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナト
    リウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水
    酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選
    択される請求項８記載の方法。
  15. 【請求項１５】 開口部が０．５μｍ以下である請求項
    ８記載の方法。
  16. 【請求項１６】 不連続金属シード層を含む基体を、１
    またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成
    剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ
    以上の還元剤および塩基を含む組成物と接触させる段
    階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッ
    キ溶液と接触させる段階を含む、不連続シード層をエン
    ハーンスする方法。
  17. 【請求項１７】 基体が１μｍ以下の開口部を含む請求
    項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 活性化される段階が、加熱、二酸化炭
    素またはエキシマーレーザーへの暴露、または紫外線へ
    の暴露を含む請求項１６記載の方法。
  19. 【請求項１９】 １またはそれ以上の金属塩が、銅塩ま
    たはパラジウム塩から選択される請求項１６記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】 １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸
    から選択される請求項１６記載の方法。
  21. 【請求項２１】 有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル
    カルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、
    （Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１
    −Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）
    アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル
    トリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン
    酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２
    −Ｃ１ ２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ
    １２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）ア
    ルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニ
    ルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボ
    ン酸または置換アリールカルボン酸から選択される請求
    項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、
    酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グ
    ルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、
    クエン酸またはリンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼ
    ントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される請求
    項２１記載の組成物。
  23. 【請求項２３】 １またはそれ以上の有機バインダー
    が、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシア
    ルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロー
    ス、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロ
    ピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロー
    スポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレン
    と酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に
    疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリ
    マー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテ
    ル）、ポリメタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）ま
    たはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される
    請求項１６記載の方法。
  24. 【請求項２４】 塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナト
    リウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水
    酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選
    択される請求項１６記載の方法。
  25. 【請求項２５】 １またはそれ以上の金属塩、１または
    それ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バイン
    ダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成
    物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；
    および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含
    む、金属シード層を基体上に堆積させる方法。
  26. 【請求項２６】 基体が１μｍ以下の開口部を含む請求
    項２５記載の方法。
  27. 【請求項２７】 活性化される段階が、加熱、二酸化炭
    素またはエキシマーレーザーへの暴露、または紫外線へ
    の暴露を含む請求項２５記載の方法。
  28. 【請求項２８】 １またはそれ以上の金属塩が、銅塩ま
    たはパラジウム塩から選択される請求項２５記載の方
    法。
  29. 【請求項２９】 １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸
    から選択される請求項２５記載の方法。
  30. 【請求項３０】 １またはそれ以上の有機酸が、（Ｃ１
    −Ｃ１２）アルキルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アル
    キルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカル
    ボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置
    換（Ｃ２−Ｃ １２）アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１
    −Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）
    アルケニルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジ
    カルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン
    酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、置換
    （Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２
    −Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、アミンカルボン
    酸、アリールカルボン酸または置換アリールカルボン酸
    から選択される請求項２９記載の方法。
  31. 【請求項３１】 １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、
    酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グ
    ルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、
    クエン酸、リンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼント
    リカルボン酸またはサリチル酸から選択される請求項２
    ５記載の方法。
  32. 【請求項３２】 １またはそれ以上の有機バインダー
    が、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシア
    ルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロー
    ス、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロ
    ピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロー
    スポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレン
    と酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に
    疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリ
    マー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテ
    ル）、ポリメタクリル酸またはナフタレンホルムアルデ
    ヒド縮合物から選択される請求項２５記載の方法。
  33. 【請求項３３】 塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナト
    リウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水
    酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選
    択される請求項２５記載の方法。
  34. 【請求項３４】 １またはそれ以上の金属塩、１または
    それ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バイン
    ダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成
    物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；
    および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含
    む、集積回路を製造する方法。
  35. 【請求項３５】 無電解メッキ触媒を含む電子デバイス
    であって、触媒が、１またはそれ以上の金属塩、１また
    はそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バイ
    ンダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組
    成物から堆積されているデバイス。
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