KR101638827B1 - 무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법 및 활성화액의 조성물 - Google Patents

무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법 및 활성화액의 조성물 Download PDF

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이태호
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Abstract

본원발명은 무전해 팔라듐 도금의 전처리 활성화액 조성물 로써 안정화제와 구리 이온용출 억제제를 사용하여 구리표면에 활성화제 팔라듐을 완벽하게 미세한 금속층을 형성시킴으로써 무전해 팔라듐 도금조에서의 팔라듐 도금 속도를 지속적으로 유지하여 일정한 도금 두께를 보장하고 도금조의 안정성을 유지한다. 구리 표면과 팔라듐 도금층간의 보이드와 핀홀 발생을 방지하여 우수한 솔더링 접합성과 와이어 본딩성을 제공하는 초미세회로 line/space(20㎛/20㎛)에 대한 구리 표면에 무전해 팔라듐 도금을 위한 전처리 활성화액에 관한 것이다.

Description

무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법 및 활성화액의 조성물 {METHOD FOR ACTIVATING PRETREATMENT OF ELECTROLESS PALLADIUM PLATING AND COMPOSITION OF ACTIVATING SOLUTION}
본원발명은 초미세 회로 line/space(20㎛/20㎛)의 인쇄회로기판 구리표면에 무전해 니켈도금 없이 곧바로 무전해 팔라듐 도금을 하는 것에 관한 것이다.
구체적으로, 무전해 팔라듐 도금 전에 별도의 전처리 활성화 공정을 통해서 구리 표면에 매우 얇은 팔라듐 피막을 형성하여 구리 용출을 막아 무전해 팔라듐 도금조 내에서 무전해 팔라듐 도금이 정상적으로 이루어지게 함은 물론 구리 표면과 무전해 팔라듐 도금층 간의 보이드와 핀홀 형성을 방지하는 전처리 활성화 공정에 관한 것이다.
고신뢰성을 요구하는 인쇄회로기판(PCB)의 경우에는 구리표면에 무전해 니켈 무전해 금도금이 사용되어 왔다. 이를 ENIG (Electroless Nickel/Immersion Gold) 공법이라 한다.
최근 Sn/Pb 솔더 사용이 금지되고 무연 솔더를 사용하게 되면서 Sn/Ag, Sn/Ag/Cu와 같은 고융점 솔더를 사용하게 되고, 이로 인한 온도 상승으로 접합 특성이 저하되고, 또한 와이어 본딩시에도 금도금 피막 표면에 니켈이 확산되어, 와이어 본딩성이 저하되는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해서, 무전해 니켈과 무전해 금도금 중간에 무전해 팔라듐을 도금하는 방법이 연구되었으며, 통상 이를 ENEPIG(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold) 공법이라 한다. 팔라듐 도금은 결정 상태가 매우 조밀하여 니켈 도금의 국부적 부식을 억제하며, 우수한 솔더 접합성과 와이어 본딩성을 제공한다. ENEPIG 공법에서 무전해 팔라듐 도금에 대하여 많은 연구가 이루어지고 있으며, 실제로 미세 회로의 고신뢰성 제품에 적용되고 있다. 이와 관련된 참고문헌은 다음과 같다.
참고문헌 일본공개특허공보 JP 2007-092092
일본공개특허공보 JP 2008-291348
일본공개특허공보 JP 2009-113655
미국특허공보 US 8,562,727
미국특허공보 US 7,678,183
한국공개특허 KR 10-2008-0015936
한국공개특허 KR 10-2008-0055888
한국특허공보 KR 10-0994579
한국특허공보 KR 10-1023306
ENEPIG 공법은 미세회로인 Line/space가 100㎛/100㎛에서 50㎛/50㎛까지는 매우 적합하다. 그러나 최근 전자부품의 소형화 고집적화 추세에 맞추어서 인쇄회로기판(PCB)에 초미세회로가 요청되고 있으며, Line/space가 20㎛/20㎛까지 요구되고 있다. 반도체 범프, 반도체 패키지 기판, COF, 플렉서블(Flexible) 기판 등에서 20㎛/20㎛ 가공 기술을 필요로 한다. ENEPIG 공법에서의 무전해 니켈의 두께는 통상 3~8㎛이상이어야 한다. 그러므로 20㎛/20㎛의 초미세회로에 ENEPIG 공법을 적용시키는 경우 브리지(Bridge) 현상으로 인해 회로의 단락이 발생하는 문제가 대두되었다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 도금두께를 줄여야 하기 때문에 구리 표면에 무전해 니켈 도금 없이 바로 무전해 팔라듐 도금을 해야하는 필요성이 강력하게 대두된 것이다. 즉, EPIG(Electroless Palladium / Immersion Gold)공법이다. 그러나 구리 표면에 무전해 팔라듐 도금을 하는 경우, 도금조 내에 증가하는 구리 이온으로 인해서 팔라듐 도금이 제대로 형성되지 못하며 많은 보이드와 핀홀이 발생하고, 무전해 팔라듐 도금조도 쉽게 분해되는 현상이 발생한다. 무전해 팔라듐 도금조에 인쇄회로기판(PCB)의 구리표면에서 용해된 구리 이온이 5ppm에 도달되는 경우에는 무전해 팔라듐 도금이 전혀 이루어지지 못한다. 이와 관련된 참고문헌은 다음과 같다.
참고문헌 미국특허공보 US 8,888,903
미국특허공보 US 3,285,754
독일공개특허 BC 054201129
초미세회로(20㎛/20㎛)의 인쇄회로기판(PCB)이 요청되어지면서 무전해 팔라듐과 무전해 금도금 두께를 0.2~0.3㎛정도로 유지하는 EPIG 공법이 구현 되어야 하는데 이를 위해서 무전해 팔라듐 도금전에 별도로 전처리 활성화 공정에 대해서 새롭게 연구되어지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 관련 기술은 하기와 같다.
한국공개특허 10-2014-0091548
무전해팔라듐 전처리 활성화액은 팔라듐염과 착화제로서 1.2.3차 아민류, 산(질산, 황산, 메탈설폰산), 산화제로서 니트레이트이온, 퍼클로레이트이온, 염소산 이온 등을 사용하였고, 팔라듐 도금조에는 인을 포함하지 않은 질화착화제와 포스포네이트 1~5개를 포함한 유기 안정화제를 사용한 것이 개시되어 있다.
한국공개특허 10-2011-0116994
무전해 팔라듐 전처리 활성화액으로 팔라듐염과 환원제로 차아인산염, 디메칠아민보란, 아인산염, 포름산염을 사용한 것이 개시되어 있다.
한국등록특허 10-0712033
무전해 팔라듐 전처리 단계로 인쇄회로기판 구리표면에 1차로 다공성 팔라듐 도금을 0.01~1㎛ 형성한 후에 2차로 무전해 팔라듐 도금을 하는 방법에 대해서 개시되어 있다. 또한, 1차 다공성 팔라듐 도금에 팔라듐염과 완충제로 붕산을 습윤제로 폴리에칠렌글리콜, pH 조절제로 황산, 염산, 질산을 사용한 것이 개시되어 있다.
미국공개특허 2013-0288475A1
무전해 팔라듐 전처리 단계인 활성화공정에서 구리표면에 팔라듐을 옴스트롱(Angstrom) 단위의 얇은 금속 시드 레이어(metal seed layer)를 형성하는 방법으로 팔라듐설페이트, 황산, 인산을 사용하는 방법을 사용한 것이 개시되어 있다.
상기 관련 기술 모두 무전해 팔라듐 도금 공법에서 구리표면에 팔라듐을 도금하기 위한 전처리 활성화 단계의 필요성과 활성화 방법에 대해서 개시하고 있으나, 어느 경우에도 무전해 팔라듐 도금조에서 PCB기판의 구리 표면에서 구리 이온의 용출 현상을 완전히 차단시키지 못함으로써, 도금조의 안정성이 크게 결여되고 이로 인해서 구리 표면과 팔라듐 도금 사이에서 핀홀과 보이드가 발생함은 물론 무전해 팔라듐의 도금 두께도 일정하게 보장되지 못한다. 이는 최종 접합특성, 부품 실장성, 접합부 강도, 열피로 특성, 충격 특성 등 제품의 최종 신뢰성이 보장되지 않음을 알 수 있다.
무전해 팔라듐 도금조 내에서 인쇄회로기판의 구리표면에서 구리이온이 용출되며 이로 인해서 무전해 팔라듐 도금 속도가 급격히 감소되고 도금조의 분해가 일어나 생산에 적용 시킬 수 없는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서 본원발명은 구리 표면과 팔라듐 도금층 사이의 보이드와 핀홀 형성없이 구리 표면을 완전하게 커버하는 전처리 활성화액 조성물과 전처리 활성화 방법에 대해서 연구하여 무전해 팔라듐 조에서의 구리이온 발생 없이 팔라듐 도금 두께를 유지하고 장기간 사용이 가능한 도금조의 안정성을 얻을 수 있게 되었다.
종래의 기술과 달리 본원발명자들은 EPIG 공법에서 초미세회로 (20㎛/20㎛) 기판의 구리 표면에 대한 무전해 팔라듐 도금을 위한 전처리 활성화공정에서 팔라듐 피막을 0.01~0.03㎛ 정도로 구리표면을 완전히 커버하여 이러한 과정에서 발생되는 보이드와 핀홀이 형성되는 것을 방지하는 새로운 연구를 수행 하였으며, 본원발명을 완성하기에 이르렀다.
기존의 활성화액 조성물인 팔라듐염, 환원제, 산 등으로는 보이드나 핀홀의 발생을 완전히 방지할 수가 없기 때문에 추가로 구리 표면에서 구리 이온의 용출을 막으면서 동시에 팔라듐을 균일하게 흡착시킬 수 있는 안정화제와 표면의 구리와 화학결합을 이루어 구리이온화를 억제하는 구리이온 용출 억제제를 함께 사용함으로써 문제를 해결하였다.
구체적으로 본원발명은 하기와 같은 실시태양을 갖는다.
본원발명의 일 실시 태양은 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제 및 탈이온수를 포함하는 무전해 팔라듐 도금의 전처리 활성화 액으로서, 상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하며, 상기 EO:PO의 비율은 7:3 ~ 6:4이며, 분자량은 4,000 ~ 8,000인 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112015076267042-pat00001
(상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 구리이온 용출 억제제는, 아졸화합물로로서 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 이미다졸화합물로서 2-페닐이미다졸, 1-비닐이마다졸, 벤조이미다졸, 2-부틸벤조이미다졸, 2-페닐에틸벤조이미다졸, 2-아미노벤조이미다졸으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 전처리 활성화액에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 탈이온수에 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제를 첨가하여 전처리 활성화액을 제조하는 단계, 상기 전처리 활성화제를 온도 20~50℃, 시간 2분~7분을 처리하는 단계를 포함하는 무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법에 있어서, 상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112015076267042-pat00002
(상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 팔라듐 화합물은 염화팔라듐, 황산팔라듐, 산화팔라듐, 질산팔라듐, 아세트산팔라듐, 테트라아민팔라듐클로라이드, 디니트로디아민팔라듐 및 디클로로디에틸렌아민팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 염산, 황산 및 질산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 산 화합물을 더 포함하는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 암모늄염은 염화암모늄, 황산암모늄 및 질산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 팔라듐 화합물은 팔라듐 농도 20~100 ㎎/L로 포함되는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 구리이온 용출 억제제는 0.01~2.00 mmol(밀리몰)/L로 포함되는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 상기 활성화제는 온도 20~50℃, 시간 2분~7분을 처리하는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
본원발명의 다른 실시 태양은 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제 및 탈이온수를 포함하는 무전해 니켈 도금 또는 무전해 은 도금의 전처리 활성화액으로서, 상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하며, 상기 EO:PO의 비율은 7:3 ~ 6:4이며, 분자량은 4,000 ~ 8,000인 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액 및 전처리 활성화 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112015076267042-pat00003
(상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
본원발명에 따른 무전해 팔라듐 도금의 전처리 활성화 공정에서 본원발명의 활성화액으로 처리한 경우 무전해 팔라듐 도금조에서 기판의 구리 표면에서의 구리 용출이 없어 일정한 팔라듐 도금 속도를 유지할 수 있어 균일한 두께의 팔라듐 도금층을 얻을 수 있으며, 또한 구리표면과 팔라듐 도금층간에 보이드와 핀홀 발생이 없어서 초미세회로(20㎛/20㎛)에서의 EPIG를 온전하게 형성할 수 있음으로써 회로간 번짐을 방지함은 물론 솔다 접합특성과 와이어 본딩성을 크게 향상 시킬 수 있다.
그림 1은 실시예 1의 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진
그림 2은 실시예 2의 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진
그림 3은 실시예 3의 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진
그림 4은 비교예 1의 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진
그림 5은 비교예 2의 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진
이하 본원발명에 따른 구리 표면에 무전해 팔라듐 도금을 처리하기 위한 전처리 활성화 방법 및 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.
본원발명에 따른 전처리 조성물은 팔라듐 화합물, 산, 암모늄염, 안정화제 및 구리이온 용출 억제제를 포함한다.
본원발명에서 사용되는 팔라듐 화합물로는 염화팔라듐, 황산 팔라듐, 산화팔라듐, 질산팔라듐, 아세트산팔라듐, 테트라아민 팔라듐클로라이드, 디니트로디아민팔라듐 및 디클로로디에틸렌아민팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용할 수 있다. 본원발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 팔라듐 화합물은 팔라듐 농도 20~100 mg/L로 포함될 수 있다. 본원발명의 전처리 활성화액의 조성물에 상기 팔라듐 화합물이 20mg/L 미만의 농도로 포함되는 경우 미도금이 되는 문제점이 발생될 수 있고, 상기 팔라듐 화합물이 100mg/L 초과의 농도로 포함하는 경우 회로가 번지고 비용이 상승하는 문제점이 발생될 수 있다.
본원발명에서 사용되는 산으로는 염산, 황산 및 질산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용할 수 있다. 본원발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 산은 20~120 g/L로 포함될 수 있다. 본원발명의 전처리 활성화액 조성물에 상기 산이 20g/L 미만으로 포함되는 경우 도금 번짐의 문제점이 발생될 수 있고, 상기 산이 120g/L 초과의 농도로 포함되는 경우 미도금이 생기는 문제점이 발생될 수 있다.
본원발명에서 사용되는 상기 암모늄염으로는 염화암모늄, 황산암모늄 및 질산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 본원발명의 일 실시형태에 있어서 상기 암모늄염은 100~2,000mg/L로 포함될 수 있다. 본원발명의 전처리 활성화액 조성물에 상기 암모늄염이 100mg/L 미만으로 포함되는 경우 액 안정성이 떨어지는 문제점이 발생될 수 있고, 상기 암모늄염이 2,000mg/L 초과의 농도로 포함되는 경우 팔라듐 흡착량이 많아 비용이 증가하는 문제점이 발생될 수 있다.
본원발명에 사용되는 상기 안정화제는 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하며, 상기 EO:PO의 비율은 7:3 ~ 6:4이며, 분자량은 4,000 ~ 8,000인 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112015076267042-pat00004
(상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
여기서, 상기 EO:PO의 비율은 7:3 ~ 6:4으로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 안정화제의 분자량은 4,000 ~ 8,000으로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, m은 더욱 바람직하게는 60~110, 가장 바람직하게는 70~100의 범위이다. 또한, n은 더욱 바람직하게는 40~60, 가장 바람직하게는 44~55의 범위이다.
상기 범위를 사용함으로써, 구리표면에 활성화제 팔라듐을 완벽하게 미세한 금속층을 형성시켜, 무전해 팔라듐 도금조에서의 팔라듐 도금 속도를 지속적으로 유지하여 일정한 도금 두께를 보장하고 도금조의 안정성을 유지할 수 있기 때문이다.
본원발명은 통상적으로 사용되는 EO/PO가 아닌 “하이디록시기”를 사용하는 것에 기술적 특징이 있다. 일반적으로 사용되는 EO/PO보다 “하이드록시기”를 사용함으로써, 균일한 도금을 얻을 수 있다. 이는 상기 치환기를 EO/PO에 도입함으로써 얻을 수 있는 효과이다. 또한, 알킬아민 중에서 보이드, 번짐, 균일성의 특성에서 R은 모노하이드록시 이소프로필이 가장 바람직하다.
본원발명의 일 실시형태에 있어서 상기 안정화제는 2mg~10mg/L 포함될 수 있다. 본원발명의 전처리 활성화액 조성물에서 상기 안정화제가 2mg/L 미만인 경우에는 보이드 및 핀홀 발생될 수 있고 10mg/L를 초과하는 경우에는 활성화제의 흡착을 방해하게 되는 문제점이 발생될 수 있다.
본원발명에서 사용되는 상기 구리이온 용출 억제제는 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸 및 5-메틸-1H-테트라졸을 포함하는 아졸 화합물 및 2-페닐이미다졸, 1-비닐이미다졸, 벤조이미다졸, 2-부틸벤조이미다졸, 2-페닐에틸벤조이미다졸 및 2-아미노벤조이미다졸을 포함하는 이미다졸 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 본원발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 구리이온 용출 억제제는 0.01~2.00mmol(밀리몰)/L로 포함될 수 있다. 본원발명의 전처리 활성화액 조성물에 상기 구리이온 용출 억제제가 0.01 mmol(밀리몰)/L미만의 함량으로 포함되는 경우 구리 표면에 침식이 발생하는 문제점이 발생 될 수 있고, 상기 구리 이온 용출 억제제가 2.00mmol(밀리몰)/L 초과의 농도로 포함되는 경우 팔라듐의 흡착을 방해하여 미도금이 생기는 문제점이 발생될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본원발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본원발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면은 본원발명의 바람직한 실시예이며, 본원발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있다.
실시예 1
[표 1]에 나타난 성분 함량 및 조건에 따라, 탈이온수에 황산팔라듐에서 팔라듐함량으로 50mg/L, 황산 70g/L, 황산암모늄 0.3g/L 및 1,2,4 트리아졸 2mg/L, [화학식 2]로 표시되는 EO/PO 2mg/L 첨가하여 본원발명에 따른 전처리 활성화액을 제조한 후, 전처리 활성화제 베스에서 온도 30℃에서 테스트 기판을 5분동안 처리 한 후, 공지의 무전해 팔라듐 도금을 실시하였다.
[화학식 2]
Figure 112015076267042-pat00005
[화학식 2]에서 n은 48, m은 72이다.
*사용되는 테스트 기판
본 실시예에 사용된 PCB기판은 SMD(solder mask defined)타입의 0.4mm 두께의 기판을 사용하였다. 기판에 형성된 회로의 피치는 line/space를 20㎛ ~ 40㎛으로 도면과 같이 형성하여, 도금층 계면과 회로와 회로간 번짐 평가를 수행하였고 FIB(Focused Ion Beam)로 단면을 절단하여 하지 소재의 침식 여부를 확인하였다.
실시예 2
[표 1]에 나타난 성분 함량 및 조건에 따라, 탈이온수에 염화팔라듐에서 팔라듐 함량으로 50mg/L, 염산(35%) 100g/L, 염화암모늄 0.5g/L 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸 5mg/L, [화학식 2]로 표시되는 EO/PO 5mg/L 첨가하여 본원발명에 따른 전처리 활성화액을 제조한 후 전처리 활성화제 베스에서 온도 30℃에서 테스트 기판을 5분동안 처리 한 후 공지의 무전해 팔라듐 도금을 실시하였다.
실시예 3
[표 1]에 나타난 성분 함량 및 조건에 따라, 탈이온수에 황산팔라듐에서 팔라듐함량으로 50mg/L, 황산 70g/L, 황산암모늄 0.15g/L 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸 5mg/L, [화학식 2]로 표시되는 EO/PO 5mg/L 첨가하여 본원발명에 따른 전처리 활성화액을 제조한 후 전처리 활성화제 베스에서 온도 30℃에서 테스트 기판을 5분동안 처리 한 후 공지의 무전해 니켈 도금을 실시하였다.
비교예 1
[표 1]에 나타난 성분 함량 및 조건에 따라, 탈이온수에 황산팔라듐에서 팔라듐함량으로 50mg/L, 황산 70g/L, 황산암모늄 0.3g/L 첨가하여 본원발명의 비교로 전처리 활성화액을 제조한 후 전처리 활성화제 베스에서 온도 30℃에서 테스트 기판을 5분동안 처리 한 후 공지의 무전해 팔라듐 도금을 실시하였다.
비교예 2
[표 1]에 나타난 성분 함량 및 조건에 따라, 탈이온수에 황산팔라듐에서 팔라듐함량으로 50mg/L, 황산 70g/L, 황산암모늄 0.15g/L 첨가하여 본원발명의 비교로 전처리 활성화액을 제조한 후 전처리 활성화제 베스에서 온도 30℃에서 테스트 기판을 5분동안 처리 한 후 공지의 무전해 니켈 도금을 실시하였다.
화합물 단위 실시예 비교예
1 2 3 1 2
Pd 메탈(염화팔라듐) mg/L 50
Pd 메탈(황산팔라듐) mg/L 50 50 50 50
염산 (35%) g/L 100
황산 g/L 70 70 70 70
염화암모늄 g/L 0.5
황산암모늄 g/L 0.3 0.15 0.3 0.15
1,2,4-트리아졸 mg/L 2
3-아미노-1,2,4-트리아졸 mg/L 5 5
[화학식 2]로 표시되는 EO/PO mg/L 2 5 5
온도 ℃ 30 30 30 30 50
처리시간 분 5 5 5 5 5
보이드 없음 없음 없음 있음 있음
번짐 없음 없음 없음 없음 있음
도금 균일성 양호 양호 양호 미도금 양호
[표 1]
그림 1은 실시예 1, 그림 2는 실시예 2, 그림 3은 실시예 3에서 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진을 나타내고 있는 사진이다. 또한, 그림 4는 비교예 1, 그림 5는 비교예 2를 나타내고 있는 사진이다.
[표 1] 및 그림 1~3은 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진에서 나타난 바와 같이, 실시예 1, 2 및 3에서 활성화제의 안정화제로서 [화학식 2]로 표시되는 EO/PO 화합물을 사용하여 베이스 금속인 동과 팔라듐층 사이에 보이드가 없고, line 20㎛/space 20㎛의 회로에서 번짐이 발생하지 않은 균일하고 우수한 도금결과를 얻었다.
[표 1] 및 그림 4~5은 평가기판용 도금 기판에서, Line/Space 도금 후 기판 상부면에서 편광현미경 사진에서 나타난 바와 같이, 비교예 1 및 2에서는 안정화제를 사용하지 않은 종래의 일반적인 액조성으로 비교하였으나 베이스 금속인 동과 팔라듐층간 보이드가 심하고 활성화제 이후 팔라듐층이 부분적으로 충분하게 균일하지 못한 결과를 얻었다.
이상의 설명은 본원발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본원발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본원발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본원발명에 개시된 실시예들은 본원발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본원발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본원발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본원발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제 및 탈이온수를 포함하는 무전해 팔라듐 도금의 전처리 활성화 액으로서,
    상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
    [화학식 1]
    Figure 112016057414473-pat00006

    (상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구리이온 용출 억제제는, 아졸화합물로로서 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-테트라졸 및 이미다졸화합물로서 2-페닐이미다졸, 1-비닐이마다졸, 벤조이미다졸, 2-부틸벤조이미다졸, 2-페닐에틸벤조이미다졸, 2-아미노벤조이미다졸으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 팔라듐 화합물은 염화팔라듐, 황산팔라듐, 산화팔라듐, 질산팔라듐, 아세트산팔라듐, 테트라아민팔라듐클로라이드, 디니트로디아민팔라듐 및 디클로로디에틸렌아민팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
  4. 제1항에 있어서,
    염산, 황산 및 질산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 산 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 암모늄염은 염화암모늄, 황산암모늄 및 질산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액
  6. 제1항에 있어서,
    상기 팔라듐 화합물은 팔라듐 농도 20~100 ㎎/L로 포함되는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 구리이온 용출 억제제는 0.01~2.00 mmol(밀리몰)/L로 포함되는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
  8. 탈이온수에 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제를 첨가하여 전처리 활성화액을 제조하는 단계,
    상기 전처리 활성화액으로 온도 20~50℃, 시간 2분~7분에서 기판을 처리하는 단계를 포함하는 무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법에 있어서,
    상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 전처리 활성화 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112016057414473-pat00007

    (상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
  9. 팔라듐 화합물, 암모늄염, pH조정제, 구리이온 용출 억제제, 안정화제 및 탈이온수를 포함하는 무전해 니켈 도금 또는 무전해 은 도금의 전처리 활성화 액으로서,
    상기 안정화제로 하기 [화학식 1]로 표시되는 EO/PO 코폴리머(에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드의 코폴리머)를 사용하는 것을 특징으로 하는 전처리 활성화액.
    [화학식 1]
    Figure 112016057414473-pat00008

    (상기 식에서, R은 탄소수 1~10의 모노하이드록시 알킬 또는 디하이드록시 알킬을 나타내며, m은 50~120, n은 30~70의 범위를 나타낸다.)
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032335A (ko) * 2000-10-24 2002-05-03 마티네즈 길러모 도금 촉매
KR20100027966A (ko) * 2008-09-03 2010-03-11 오꾸노 케미칼 인더스트리즈 컴파니,리미티드 무전해 도금용 활성화액

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032335A (ko) * 2000-10-24 2002-05-03 마티네즈 길러모 도금 촉매
KR20100027966A (ko) * 2008-09-03 2010-03-11 오꾸노 케미칼 인더스트리즈 컴파니,리미티드 무전해 도금용 활성화액

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101883249B1 (ko) * 2017-03-31 2018-08-30 (주)엠케이켐앤텍 무전해 니켈 도금용 전처리 활성화액, 이를 사용한 무전해 니켈 도금 방법 및 표면 처리 방법, 및 무전해 니켈 도금을 포함하는 인쇄회로 기판

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