CN1708899A - 平衡-不平衡型多频带滤波模块 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种平衡-不平衡型多频带滤波模块,具备分别具有开关元件的3个高频开关,以及通频带不同的两个平衡-不平衡型带通滤波器。第1高频开关,与模块的不平衡端口、第1平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口、第2平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接;第2高频开关,与模块的第1平衡端口、第1平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口、第2平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接;第3高频开关,与模块的第2平衡端口、第1平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口、第2平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接;根据所通过的高频信号来切换第1至第3高频开关,且将输入到模块的不平衡端口的高频信号从第1以及第2平衡端口输出,或将输入到第1以及第2平衡端口的高频信号从模块的不平衡端口输出。
Description
技术领域
本发明涉及一种能够利用不同的接入方式的移动电话等的多频带通信装置用高频电路中所使用的平衡-不平衡型多频带滤波模块。
背景技术
世界上的移动电话中有各种接入方式,并且在各个地区混合了多种接入方式。例如,TDMA(Time Division Multiple Access,时分多址联接)是现在的主流接入方式之一。作为采用该TDMA方式的主要通信方式,有日本的PDC(Personal Digital Cellular)、以欧洲为中心的GSM(GlobalSystem for Mobile Communications)以及DSC 1800(Digital Cellular System1800)、以美国为中心的PCS(Pers onal Communications Service)等。
除此之外,最近在美国、韩国、日本渐渐普及的接入方式中有CDMA(Code Division Multiple Access,码分多址联接)方式。作为代表性的标准,有以美国为中心的IS-95(Interim Standard-95),PCS(PersonalCommunications Service)频带也提供服务。另外,能够实现高速数据传送的第3代通信方式的W-CDMA(Wideband CDMA)也已经实用化了。如上所述,世界各国使用各种各样的通信方式。
以往的移动电话被设计成用于一种通信方式,例如GSM。但是,考虑到近年来的用户数的增加以及用户的便利性,有人提出了能够利用多种通信方式或接入方式的双频带或三频带移动电话,进一步还产生了4频带移动电话的要求。在这样的多频带移动电话的高频电路中,如果简单地对每个通信方式设置高频部件,就会使得高频电路大型化,因此,为了使其小型化,正在发展使不同的通信方式的高频部件共通化的技术。作为其中一例,具有让不同的通信方式用高频部件共通化的分频电路。例如,特开平8-321738号中,如图20中所示的等价电路所示,公开了一种由带通滤波器20a、20b与相位器40a、40b、70a、70b组合而成的通频带为950MHz以及1.9GHz的双频分频器200。
但是,如果将这样的高频部件应用于多频带移动电话的高频电路,则会出现几个问题。如果将该以往的高频部件200用于发送侧电路以及接收侧电路,构成多频带移动电话的高频电路,则成为如图21所示的电路。图21中表示能够利用GSM850(发送频率824~849MHz,接收频率869~894MHz)与GSM900(发送频率880~915MHz,接收频率925~960MHz)这两个通信方式的双频带移动电话的高频电路。
接收侧电路为了降低噪声指数并提高接收灵敏度,具备具有两根信号线的平衡式高频部件(低噪声放大器266,混频器268等)。因此,为了连接上述高频部件与低噪声放大器,需要有平衡-不平衡转换电路。另外,上述低噪声放大器266的输入阻抗被设为50Ω~300Ω左右,还需要阻抗转换电路。因此,考虑到利用平衡-不平衡转换变压器(平衡-不平衡变压器)262、263,作为具备平衡-不平衡转换电路以及阻抗转换电路的功能的电路元件。但是,不但在高频电路中增加了电路元件,而且在所处理的高频信号的频带中,还增加了平衡-不平衡变压器所具有的1dB左右的***损耗。其结果是,低噪声放大器266为了得到期望的增益,需要给放大元件供给额外的偏置电流,存在移动电话的电池消耗增加这一问题。
另外,在TDMA通信方式的高频电路中,一般通过开关电路264来进行天线269与发送接收电路之间的连接切换。在该开关电路264中,使用GaAsFET或二极管作为开关元件。在这样的开关电路中,大约发生了20~30dB左右的发送电路与接收电路之间的高频信号泄漏(绝缘)。因此,虽然数目不大,但高频信号泄漏到相互的电路中。
例如,在GSM850与GSM900,或DCS 1800与PCS这样的不同的通信方式中利用非常接近的频带的情况下,如图22所示,接收频带与发送频带部分重合。在通过GSM900进行通话时,高频信号的一部分从发送电路经开关电路泄漏到接收电路中,经处理GSM850的接收信号的带通滤波器252输入到低噪声放大器266中。另外,在通过GSM850进行通话时,来自天线的GSM850的接收信号,经处理GSM900的发送信号的带通滤波器251输入到放大器265中。不管哪种情况,都会降低通话品质。
发明内容
本发明的第1目的在于,提供一种与多种通信方式以及接入方式相对应,且能够抑制***损耗的增加的平衡-不平衡型多频带滤波模块。
本发明的第2目的在于,提供一种在利用非常接近的频带的通信方式或接入方式的多频带移动电话中,让所应当处理的通信方式或接入方式的高频信号通过,并隔绝其他通信方式或接入方式的高频信号的平衡-不平衡型多频带滤波模块。
本发明的第3目的在于,提供一种具有上述平衡-不平衡型多频带滤波模块的小型高频部件。
本发明的第4目的在于,提供一种具有上述平衡-不平衡型多频带滤波模块的多频带移动电话。
本发明的第1平衡-不平衡型多频带滤波模块的特征是:具备分别具有开关元件的3个高频开关,以及通频带不同的两个平衡-不平衡型带通滤波器,第1高频开关,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第3端口;第2高频开关,具有与所述模块的第1平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第3端口;第3高频开关,具有与所述模块的第2平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第3端口;根据所通过的高频信号来切换所述第1至第3高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
本发明的第2平衡-不平衡型多频带滤波模块的特征是,具备通频带不同的两个平衡-不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡-不平衡型带通滤波器相连接的6个相位器,第1相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第1平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;第2相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第2平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;第3相位器,具有与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;第4相位器,具有与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;第5相位器,具有与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;第6相位器,具有与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;并且将输入到所述模块不平衡端口中的高频信号,从所述第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出的平衡-不平衡型多频带滤波模块。
第2平衡-不平衡型多频带滤波模块中,第1、第3以及第4相位器与第1平衡-不平衡型带通滤波器相连接,在第2带通滤波器的通频带中,从模块的不平衡端口或第1以及第2平衡端口看第1平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗为高阻抗。另外,第2、第5以及第6相位器与第2平衡-不平衡型带通滤波器相连接,在第1带通滤波器的通频带中,从模块的不平衡端口或第1以及第2平衡端口看第2平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗为高阻抗。
本发明中的相位器的作用如下所述。图19(a)是表示从平衡-不平衡型带通滤波器的平衡端口所见的阻抗特性的一例的史密斯圆图,图19(b)是表示从平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口所见的阻抗特性的一例的史密斯圆图。该平衡-不平衡型带通滤波器是以GSM850为通频带的SAW滤波器。图中的三角形标记表示频率,标记1为869MHz,标记2为894MHz,标记3为925MHz,标记4为960MHz,标记1、2之间为GSM850的接收频带,标记3、4之间为GSM900的接收频带。
平衡端口的阻抗,在GSM850的接收频带中位于大约50Ω的区域,在GSM900的接收频带中,位于几乎断开的区域(高阻抗)。另外,不平衡端口的阻抗,在GSM850的接收频带中位于大约50Ω的区域,在GSM900的接收频带中,位于除几乎断开的区域(高阻抗)以外的区域。这里,“几乎断开的区域”是指,在通过Z=R+jX来表示阻抗Z时的实数部R为150Ω以上,虚数部X的绝对值为100Ω以上的区域。图19(a)以及图19(b)的史密斯圆图中,右端的斜线部分为几乎断开的区域。
在这种平衡-不平衡型带通滤波器中,平衡端口的阻抗在GSM900的接收频带中,位于几乎断开的区域,因此,实质上不会吸收GSM900的接收频带的高频信号,即使有也非常少。另外,由于不平衡端口的阻抗在GSM900的接收频带中,位于几乎断开的区域以外的区域,因此吸收了上述高频信号的一部分,使得***损耗特性恶化。因此使用相位器,通过相位器进行相位调整,以使不平衡端口的阻抗变为几乎断开的状态。
相位器由具有成为几乎断开的状态(高阻抗)的线路长的传输线路形成,或者由具有电感元件以及电容元件的低通滤波器或高通滤波器构成。在通过传输线路形成低通滤波器的电感元件的情况下,与只通过传输线路形成相位器的情况相比,线路长度可以更短,因此是非常理想的。
根据上述的构成,能够防止应当通过第1平衡-不平衡型带通滤波器的高频信号泄漏到第2平衡-不平衡型带通滤波器侧,同时,能够防止应当通过第2平衡-不平衡型带通滤波器的高频信号泄漏到第1平衡-不平衡型带通滤波器侧,能够得到高绝缘特性,因此,不会降低***损耗特性。
本发明的第3平衡-不平衡型多频带滤波模块的特征是,具备具有开关元件的高频开关、通频带不同的两个平衡-不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡-不平衡型带通滤波器相连接的4个相位器,所述高频开关,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第3端口;第1相位器,具有与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;第2相位器,具有与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;第3相位器,具有与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;第4相位器,具有与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;根据所通过的高频信号来切换所述第1高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
第3平衡-不平衡型多频带滤波模块中,第1以及第2相位器与第1平衡-不平衡型带通滤波器相连接,由具有在第2带通滤波器的通频带中,让从平衡-不平衡型多频带滤波模块的第1以及第2平衡端口所看到第1平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗为高阻抗的线路长度的传输线路形成。或者,第1以及第2相位器也可以通过具有电感元件以及电容元件的低通滤波器或高通滤波器构成。另外,第3以及第4相位器与第2平衡-不平衡型带通滤波器相连接,由具有在第1带通滤波器的通频带中,让从平衡-不平衡型多频带滤波模块的第1以及第2平衡端口所看到第2平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗变为高阻抗的线路长度的传输线路形成。或者,第3以及第4相位器也可以与第1以及第2相位器相同,通过具有电感元件以及电容元件的低通滤波器或高通滤波器构成。
本发明的第4平衡-不平衡型多频带滤波模块的特征是,具备具有开关元件的两个高频开关、通频带不同的两个平衡-不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡-不平衡型带通滤波器相连接的两个相位器,第1相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第1平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;第2相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第2平衡-不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;第1高频开关,具有与所述模块的第1平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第3端口;第2高频开关,具有与所述模块的第2平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡-不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第3端口;根据所通过的高频信号来切换所述第1至第2高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
第4平衡-不平衡型多频带滤波模块中,第1相位器与第1平衡-不平衡型带通滤波器相连接,通过具有在第2带通滤波器的通频带中,让从平衡-不平衡型多频带滤波模块的不平衡端口所看到第1平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗变为高阻抗的线路长度的传输线路形成。或者,第1相位器也可以通过具有电感元件以及电容元件的低通滤波器或高通滤波器构成。另外,第2相位器与第2平衡-不平衡型带通滤波器相连接,由具有在第1带通滤波器的通频带中,让从平衡-不平衡型多频带滤波模块的不平衡端口所看到第2平衡-不平衡型带通滤波器侧的阻抗变为高阻抗的线路长度的传输线路形成。或者,第2相位器也可以与第1相位器相同,通过具有电感元件以及电容元件的低通滤波器或高通滤波器构成。
作为优选方式,在第1至第4平衡-不平衡型多频带滤波模块中,第1以及第2平衡-不平衡型带通滤波器的输入阻抗Zi与输出阻抗Zo不同,且具有阻抗转换功能。在将不平衡端口作为输入端,将平衡端口作为输出端的情况下,最好让输出阻抗Zo比输入阻抗Zi大。另外,在将不平衡端口作为输出端,将平衡端口作为输入端的情况下,最好让输出阻抗Zo比输入阻抗Zi小。
带通滤波器可以由电感元件以及电容元件的LC电路构成,但优选SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器或FBAR(Film Bulk AcousticResonator)滤波器,更优选输入输出阻抗不同的滤波器。
作为优选方式,第1至第4平衡-不平衡型多频带滤波模块,由具有电极图案的多个电介质层所形成的层叠体构成,上述相位器以及上述高频开关的至少一部分,通过由上述电极图案所形成的传输线路构成,将上述平衡-不平衡型带通滤波器(SAW滤波器、FBAR滤波器等)以及构成上述高频开关的开关元件,安装在上述层叠体中。上述相位器及/或构成上述高频开关的电感元件以及电容元件也可以通过电极图案形成在电介质层上。该平衡-不平衡型多频带滤波模块中,其他高频部件,例如其他高频开关或滤波器、放大器、分频器、共用器等也可以与上述层叠体一体构成。
本发明的多频带移动电话的特征是,具备具有第1至第4平衡-不平衡型多频带滤波模块的高频电路。
附图说明
图1是表示本发明的滤波模块的概要图。
图2是表示有关本发明的一个实施例的滤波模块的框图。
图3是表示有关本发明的另一个实施例的滤波模块的框图。
图4是表示有关本发明的再一个实施例的滤波模块的框图。
图5是表示有关本发明的再一个实施例的滤波模块的框图。
图6是表示本发明的滤波模块中所使用的高频开关的等价电路的一例的图。
图7是表示本发明的滤波模块中所使用的高频开关的等价电路的另一例的图。
图8是表示本发明的滤波模块中所使用的高频开关的等价电路的再一例的图。
图9是表示本发明的滤波模块中所使用的高频开关的等价电路的再一例示意图。
图10是表示本发明的滤波模块中所使用的高频开关的等价电路的再一例的图。
图11(a)是表示有关本发明的一个实施例的滤波模块的表面的立体图。
图11(b)是表示有关本发明的一个实施例的滤波模块的背面的立体图。
图12是构成有关本发明的一个实施例的滤波模块的层叠基板的展开图。
图13是表示本发明的一个实施例的滤波模块的等价电路的图。
图14是构成本发明的一个实施例的滤波模块的层叠基板的展开图。
图15是表示具备有关本发明的另一个实施例的滤波模块的多频带移动电话用高频电路的框图。
图16是表示具备有关本发明的一个实施例的滤波模块的多频带移动电话的高频电路的框图。
图17是表示多频带移动电话中所使用的SPT5T开关的框图。
图18是表示具备有关本发明的一个实施例的滤波模块的多频带移动电话用高频电路的等价电路的图。
图19(a)是表示从平衡端口所观察到的带通滤波器的阻抗特性的史密斯圆图。
图19(b)是表示从不平衡端口所观察到的带通滤波器的阻抗特性的史密斯圆图。
图20是表示以往的双频分频电路的框图。
图21是表示具备以往的双频分频电路的多频带移动电话用高频电路的框图。
图22是表示GSM850与GSM900中的发送接收频率的图。
具体实施方式
本发明的平衡-不平衡型多频带滤波模块(以下简称作“滤波模块”),主要由高频开关或相位器,与通频带不同的平衡-不平衡型带通滤波器构成。作为平衡-不平衡型多频带滤波模块,以下以如图1所示的具有不平衡端口P1以及平衡端口P2-1、P2-2的3端子电路网为例,进行详细说明,但本发明并不仅限于此。
[1]实施例1
图2中表示了主要由高频开关与平衡-不平衡型带通滤波器所构成的滤波模块1。第1高频开关10a,具有与不平衡端口P1相连接的第1端口100a、与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的不平衡端口110a相连接的第2端口100b,以及与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的不平衡端口120a相连接的第3端口100c。
第1以及第2平衡-不平衡带通滤波器20a、20b,分别与具有3个端口的第2高频开关10b与第3高频开关10c相连接。
第2高频开关10b的第1端口130a,与滤波模块1的第1平衡端口P2-1相连接,第2端口130b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第1平衡端口110b相连接,第3端口130c与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第1平衡端口120b相连接。另外,第3高频开关10c的第1端口150a,与滤波模块1的第2平衡端口P2-2相连接,第2端口150b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第2平衡端口110c相连接,第3端口150c与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第2平衡端口120c相连接。
本实施例中,带通滤波器20a、20b由平衡-不平衡型SAW滤波器所构成。平衡-不平衡型SAW滤波器,具有阻抗转换功能以及平衡-不平衡转换功能,通过调整电极指的相交宽度、排列以及结合,使输入阻抗与输出阻抗不同,同时进行平衡-不平衡转换。
与平衡-不平衡型SAW滤波器20a、20b的平衡端口110b、110c、120b、120c相连接的第2以及第3高频开关10b、10c,为了进行匹配,具有与SAW滤波器20a、20b的阻抗几乎相等的特性阻抗。为了调整在平衡-不平衡型SAW滤波器20a、20b的平衡端口中输入输出的平衡信号的平衡度(平衡特性),可以在平衡端口之间连接电感元件。另外,还可以使用FBAR(FilmBulk Acoustic Resonator)滤波器来代替SAW滤波器。
图6~图10表示第1至第3高频开关10a、10b、10c的等价电路的例子。另外,各个图中,作为一个例子给各个端口标上了第1高频开关10a的符号,在第2以及第3高频开关10b、10c的情况下也相同。
图6的开关电路为单刀双掷式(SPDT)开关,主要由传输线路与二极管构成。具体的说,该开关电路,在端口100a与端口100c之间具有传输线路LS1,同时在传输线路LS1的端口100c侧与地之间具有二极管DD1以及DC截止用电容器CS1,二极管DD1与DC截止用电容器CS1之间设有控制端口VC1。电容器CS1构成二极管DD1的动作时的感应成分与串联共振电路,在二极管DD1的动作时处于短路状态。该开关电路,还具有在端口100a与端口100b之间,经传输线路LS1与二极管DD1串联的二极管DD2,同时,在端口100b侧与地之间设有高频扼流线圈LS2。高频扼流线圈LS2可以使用传输线路作为高阻抗线路。通过从控制端口VC1所提供的控制电压,让二极管DD1、DD2导通/截止,进行端口100a与端口100b之间,以及端口100a与端口100c之间的连接的切换。另外,各个端口100a、100b、100c中还可以适当配置DC截止电容器(图中未示出)。
图7以及图8表示作为另一种开关电路的单刀双掷式(SPST)开关。图7的高频开关,端口100a与端口100b之间代替二极管DD2,设有传输线路LS3,这一点与图6的开关电路不同。传输线路LS3具有作为相位器的功能,为了让与端口100b相连接的平衡-不平衡型带通滤波器20a的阻抗,在与端口100c相连接的平衡-不平衡型带通滤波器20b的通频带中几乎断开(高阻抗化),而调整相位的移动角度。该高频开关由传输线路以及电感元件或电容元件构成,因此,能够去掉二极管DD2,降低滤波模块的消耗功率,同时还能够降低二极管DD2的传输损耗。图8中表示图7中所示的高频开关的变形例,将高频扼流线圈LS2设置在传输线路LS3的端口100a侧。该高频开关中,传输线路LS3也具有作为相位器的功能。
如图9以及图10所示,高频开关的开关元件中可以使用GaAsFET。如果使用GaAsFET,则不但能够得到比二极管开关更低的消耗功率,而且为了抑制变形的发生,还能够得到将多个GaAsFET串联起来等的各种电路构成。
如上所述构成滤波模块,能够对应于应当通过的高频信号,通过来自各个控制端口的电压,适当切换第1至第3高频开关10a~10c。
例如,在经平衡-不平衡型带通滤波器20a将不平衡端口P1与平衡端口P2-1、P2-2连接起来的情况下,第1高频开关10a的端口100a与端口100b之间相连接,第2高频开关10b的端口130a与端口130b之间相连接,第3高频开关10c的端口150a与端口150b之间相连接。另外,在经平衡-不平衡型带通滤波器20b将不平衡端口P1与平衡端口P2-1、P2-2连接起来的情况下,第1高频开关10a的端口100a与端口100c之间相连接,第2高频开关10b的端口130a与端口130c之间相连接,第3高频开关10c的端口150a与端口150c之间相连接。
通过该构成,输入到滤波模块的不平衡端口P1中的高频信号从平衡端口P2-1、P2-2输出,输入到平衡端口P2-1、P2-2中的高频信号从不平衡端口P1输出。
本实施例中,通过各个高频开关10a、10b、10c,在带通滤波器20a、20b之间得到了优异的绝缘特性,能够从实质上防止高频信号泄漏到另一方的电路侧中。
[2]实施例2
图3表示有关本发明的实施例2的滤波模块1。该滤波模块主要由相位器与平衡-不平衡型带通滤波器构成。
滤波模块的不平衡端口P1,与第1相位器40a的第1端口180b以及第2相位器40b的第1端口180d相连接,第1相位器40a的第2端口180c与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的不平衡端口110a相连接,第2相位器40b的第2端口180e与第1平衡~不平衡型带通滤波器20b的不平衡端口120a相连接。
第3相位器50a的第1端口160b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第1平衡端口110b相连接,第2端口160c与滤波模块的第1平衡端口P2-1相连接。
第4相位器50b的第1端口170b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第2平衡端口110c相连接,第2端口170c与滤波模块的第2平衡端口P2-2相连接。
第5相位器60a的第1端口160d与第2平衡-不平衡型带通滤波器20a的第1平衡端口120b相连接,第2端口160e与滤波模块的第1平衡端口P2-1相连接。
第6相位器60b的第1端口170d与第2平衡-不平衡型带通滤波器20a的第2平衡端口120c相连接,第2端口170e与滤波模块的第1平衡端口P2-2相连接。
各个相位器由传输线路以及滤波器构成,为了让包括平衡-不平衡型带通滤波器的阻抗几乎断开(高阻抗化),而调整相位的移动角度。
如上所述,第1、第3、第4相位器与第1平衡-不平衡型带通滤波器相连接,在第2平衡-不平衡型带通滤波器的通频带中为高阻抗,第2、第5、第6相位器与第2带通滤波器相连接,在第1平衡-不平衡型带通滤波器的通频带中为高阻抗,由此,对高频信号进行分频,将输入到滤波模块的不平衡端口P1的高频信号,从平衡端口P2-1、P2-2输出,或者将输入到平衡端口P2-1、P2-2的高频信号,从不平衡端口P1输出。
本实施例中,由于不需要开关元件,因此在将滤波模块应用于移动电话的情况下,能够降低消耗功率。
[3]实施例3
图4中所示的有关本发明的实施例3的滤波模块1,主要由具有开关元件的多个高频开关,与通频带不同的平衡-不平衡型带通滤波器,以及与平衡-不平衡型带通滤波器相连接的相位器构成。
开关模块1的不平衡端口P1,与第1高频开关10a的第1端口100a相连接,第2端口100b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的不平衡端口110a相连接,第3端口100c与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的不平衡端口120a相连接。
第1相位器50a的第1端口160b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第1平衡端口110b相连接,第2端口160c与滤波模块1的第1平衡端口P2-1相连接。
第2相位器50b的第1端口170b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第2平衡端口110c相连接,第2端口170c与滤波模块1的第2平衡端口P2-2相连接。
第3相位器60a的第1端口160d与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第1平衡端口120b相连接,第2端口160e与滤波模块1的第1平衡端口P2-1相连接。
第4相位器60b的第1端口170d与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第2平衡端口120c相连接,第2端口170e与滤波模块的第2平衡端口相连接。
第1以及第2相位器50a、50b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a相连接,在第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的通频带中为高阻抗,第3以及第4相位器60a、60b与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b相连接,在第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的通频带中为高阻抗,根据应当通过的高频信号来切换第1高频开关10a,由此,将输入到滤波模块1的不平衡端口P1的高频信号,从平衡端口P2-1、P2-2输出,将输入到平衡端口P2-1、P2-2的高频信号,从不平衡端口P1输出。
各个电路元件的功能与上述实施例相同,因此省略其说明。本实施例中,由于能够通过高频开关以及相位器来确保各个带通滤波器之间的绝缘,因此,能够在实质上防止来自其他电路的高频信号的泄漏。
[4]实施例4
图5中所示的有关本发明的实施例4的滤波模块1,与实施例3一样,也主要由具有开关元件的多个高频开关,通频带不同的平衡-不平衡型带通滤波器,以及与平衡-不平衡型带通滤波器相连接的相位器构成。
滤波模块1的不平衡端口P1,与第1相位器40a的第1端口180b以及第2相位器40b的第1端口180d相连接,第1相位器40a的第2端口180c与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的不平衡端口110a相连接,第2相位器40b的第2端口180e与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的不平衡端口120a相连接。第1以及第2平衡-不平衡型带通滤波器20a、20b,与具有3个端口的第1高频开关10b以及第2高频开关10c相连接。
第1高频开关的第1端口130a与滤波模块的第1平衡端口P2-1相连接,第2端口130b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第1平衡端口110b相连接,第3端口130c与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第1平衡端口120b相连接。
第2高频开关的第1端口150a与滤波模块的第2平衡端口P2-2相连接,第2端口150b与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的第2平衡端口110c相连接,第3端口150c与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的第2平衡端口120c相连接。
第1相位器40a与第1平衡-不平衡型带通滤波器20a相连接,在第2平衡-不平衡型带通滤波器20b的通频带中为高阻抗,第2相位器40b与第2平衡-不平衡型带通滤波器20b相连接,在第1平衡-不平衡型带通滤波器20a的通频带中为高阻抗,根据应当通过的高频信号来切换第1以及第2高频开关10b、10c,由此,将输入到滤波模块1的不平衡端口P1的高频信号,从平衡端口P2-1、P2-2输出,将输入到平衡端口P2-1、P2-2的高频信号,从不平衡端口P1输出。
各个电路元件的功能与上述实施例相同,因此省略其说明。本实施例中也一样,由于能够通过切换开关来确保各个带通滤波器之间的绝缘,因此,能够在实质上防止来自其他线路的高频信号的泄漏。
[5]实施例5
通过将实施例3(图4)的滤波模块1形成在多个陶瓷层上,并进行层叠,来构成高频部件。图11(a)以及(b)分别表示该高频部件的表面以及背面,图12表示构成滤波模块1的层叠体200的各层的构成,图13表示滤波模块1的等价电路。
如图13的等价电路所示,本实施例的滤波模块1,采用使用Pin二极管的二极管开关作为第1高频开关10a的开关元件。二极管开关主要由传输线路与二极管构成,具有在连接点100a与100c之间,形成在层叠体200内的传输线路LS1,与设置在传输线路LS1的连接点100c侧与地之间的二极管DD1以及DC截止用电容器CS1,以及形成在二极管DD1与电容器CS1之间的控制端口VC1。电容器CS1构成在二极管DD1动作时的感应成分与串联共振电路,在二极管DD1的动作时处于短路状态。
连接点100a与连接点100b之间,设置有经传输线路LS1与二极管DD1串联的二极管DD2,另外,在连接点100b侧与地之间设有高频扼流线圈LS2。为了提高二极管DD2截止时的绝缘特性,还连接有与二极管DD2并联的电感LS3,以及与其串联的电容器CS2。高频扼流线圈LS2可以由芯片电感构成,也可以由使用传输线路的高阻抗线路构成。通过从控制端口VC1所提供的控制电压,让二极管DD1、DD2导通/截止,进行连接点100a与连接点100b之间,以及连接点100a与连接点100c之间的连接的切换。另外,连接点100a侧设有DC截止电容器CS3。为了进行阻抗调整,可以根据带通滤波器的种类,在连接点100b、100c侧适当设置电容器,但在使用SAW滤波器作为带通滤波器的情况下,不需要在输入、输出之间进行直流切断。本实施例中,除了传输线路LS1以外的电路元件,作为芯片部件安装在形成于层叠基板的表面的连接盘(land)Lpp上。
本实施例中,使用面安装型的不平衡输入-平衡输出SAW滤波器,作为第1以及第2平衡-不平衡带通滤波器20a、20b。在平衡输出端P2-1、P2-2之间,为了让平衡度位于180°±10°的范围内,而连接有电感元件LF1、LF2。SAW滤波器可以在裸芯片的状态下安装在层叠体200的表面上,也可安装在形成于层叠体200上的空穴中,并用树脂密封。与不平衡输入-平衡输出SAW滤波器的平衡输出端侧相连接的相位器50a、50b、60a、60b,作为传输线路Lg1、Lg2、Lg3、Lg4通过线性电极形成在层叠体200上。电感元件以及电容元件等,当然还可以适当地通过电极图案而形成在层叠基板上。
安装有芯片部件的层叠体200的主面中,设有实施了电镀处理的SPCC等磁性金属的盖帽(cap)(图中未示出),以便覆盖芯片部件。还可以使用树脂密封材料来代替金属盖帽。作为树脂密封材料,最好使用在环氧树脂中适当添加了胺系、催化剂系、酸酐类的液体硬化剂,以及将线膨胀率调整为5~8ppm左右的材料或调整弹性率的材料等所得到的液态树脂密封材料。
层叠体200,例如通过能够在1000℃以下的低温烧制的陶瓷介电材料构成,在厚度为10μm~200μm的印刷电路基板上,印刷低电阻率的Ag或Cu等导电性膏剂,形成规定的电极图案,将多个印刷电路基板层叠为一体并进行烧制,通过这样制造出来。
作为介电材料,可以使用例如以Al、Si、Sr等为主要成分,以Ti、Bi、Cu、Mn、Na、K等为辅助成分的材料,或以Al、Si、Sr等为主要成分,以Ca、Pb、Na、K为辅助成分的材料,或包含有Al、Mg、Si、Gd等的材料,或包含有Al、Si、Zr、Mg等的材料。介电材料的介电率最好在5~15左右。除了陶瓷介电材料之外,还可以使用树脂基板或树脂与陶瓷介电材料粉末的复合材料所构成的基板。另外,为了使用HTCC(高温同时烧制陶瓷)技术,还可以使用Al2O3系陶瓷基板,同时由钨、钼等高熔点金属形成传输线路。
如图12所示,层叠体200的最下层的印刷电路基板1的上面形成有面积较宽阔的地电极E1,背面形成有用来安装电路基板的端子电极。端子电极由不平衡输入端口IN(P1)、平衡输出端口OUT(P2-1、P2-2)、地端口、开关电路控制用控制端口VC构成,分别通过形成在印刷电路基板上的通路孔(图中用黑点表示)相连接。另外,图示的端子设置是从背面侧所看到的情况下的设置,若从上方侧看的情况下,则上下位置颠倒。本实施例中,端子电极是LGA(Land Grid Array),但还可以采用BGA(Ball GridArray)等。另外,在无法确保与电路基板的连接强度的情况下,可以在与端子电极相同的面上,形成一个以上的辅助端子电极Nd,以便使与电路基板之间的连接更加强固。
层叠在印刷电路基板1上的印刷电路基板2中,形成有多个用来连接相位器Lg1、Lg3与相位器Lg2、Lg4的连接线路SL。通过将这些连接线路SL与相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4相连接,将线路SL与通路孔稍稍延长。因此,可以说连接线路SL以及通路孔也构成相位器的一部分。
层叠在印刷电路基板2上的印刷电路基板3中,同时形成有构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路Lg1d、Lg2d、Lg3d、Lg4d,构成第1开关10a的传输线路LS1d,以及通路孔。构成相位器的传输线路Lg1d、Lg2d、Lg3d、Lg4d与构成第1高频开关10a的传输线路LS1d为螺旋状,但如果面积允许还可以是碗曲(meander)状。构成相位器的传输线路Lg1d~Lg4d经通路孔与形成在印刷电路基板2上的传输线路SL相连接。
层叠在印刷电路基板3上的印刷电路基板4中,同时形成有构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路Lg1c、Lg2c、Lg3c、Lg4c,构成第1开关10a的传输线路LS1c,以及通路孔。构成相位器的传输线路Lg1c~Lg4c与构成第1开关10a的传输线路LS1c,经通路孔与形成在印刷电路基板3上的传输线路Lg1d、Lg2d、Lg3d、Lg4d以及构成第1开关10a的传输线路LS1d相连接。层叠在印刷电路基板4上的印刷电路基板5、6中,也分别形成有构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路Lg1b~Lg4b、Lg1a~Lg4a,和构成第1开关10a的传输线路LS1b、LS1a,各个线电极经通路孔相连接。
层叠在印刷电路基板6上的印刷电路基板7中,形成有面积较宽的地电极E2。地电极E2经通路孔与地电极E1相连接,将构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路与构成第1开关10a的传输线路夹在中间,使得电磁干扰非常少。为了防止构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路,与构成第1开关10a的传输线路相互干扰,而按照在层叠方向上不重叠的方式进行设置。另外,在连接构成相位器Lg1、Lg2、Lg3、Lg4的传输线路时,即使例如连接线路SL与印刷电路基板3的线电极部分重叠,也让其倾斜重叠,来防止干扰。
层叠在印刷电路基板7上的印刷电路基板8中,形成有用来连接芯片部件以及传输线路等电路元件的连接线路。连接线路Lv是从控制端VC1至电阻R的连接线路。地电极E2,防止构成印刷电路基板6上的相位器的传输线路与印刷电路基板8上的连接线路之间的干扰。另外,通过在靠近连接线路Lv处设置地电极E2,即使控制电源的电压变动,也很难使第1开关10a产生误动作。
连接线路Lf1、Lf2是连接第1开关10a以及第1与第1带通滤波器20a、20b的线路。通过连接线路Lf1、Lf2,也能够进行第1开关10a与第1以及第1带通滤波器20a、20b之间的阻抗匹配。
层叠在印刷电路基板8上的印刷电路基板9中,具有搭载芯片部件的多个连接盘电极Lpp,芯片部件经通路孔与形成在层叠体200内的连接线路或电路元件相连接。层叠体200的主面上,在沿着两个长边以及1个短边的位置上形成有用来固定金属外壳的连接盘Lcp。安装在连接盘电极Lpp上的开关元件(二极管或FET等)以及SAW滤波器处于裸装状态,可以对其进行树脂密封或管密封。
由此,使滤波模块成为层叠体,可以实现小型化。当然还可以将其他开关或放大器等复合化到层叠基板中。另外,上述实施例中,为了简化说明,而对不平衡输入-平衡输出的滤波模块进行了说明,但端子P1为不平衡输出端,且端子P2为平衡输入端的平衡输入-不平衡输出的滤波模块当然也属于本发明的范围。
本实施例的滤波模块,通过来自与第1高频开关的端口VC1相连接的控制电路的电压,能够选择所通过的高频信号(例如GSM850与GSM900)。例如,在第1平衡-不平衡型带通滤波器对应于GSM850,第2平衡-不平衡型带通滤波器对应于GSM900的情况下,如表1所示,对与第1高频开关相连接的控制电路进行控制,变更各个模式。由于通过高频开关、相位器,能够得到各个带通滤波器之间的绝缘,因此,能够在实质上防止来自其他电路的高频信号的泄漏。
表1
模式 | VC1 |
GSM850 | ON |
GSM900 | OFF |
[6]实施例6
图14中表示构成实施例5的滤波模块的层叠体200的各层。由于该滤波模块的等价电路以及外观与实施例5几乎相同,因此省略其说明。以下以本实施例的层叠体与实施例5的不同点为中心进行说明。
本实施例中,使用具有如图19(a)以及图19(b)所示的具有阻抗特性的SAW滤波器作为第1平衡-不平衡型带通滤波器。该SAW滤波器的平衡端口的阻抗,如上所述,在GSM850的接收频带中大致位于50Ω的区域内,在GSM900的接收频带中大致位于断开的区域(高阻抗区域)中。因此,不需要在实施例5中所必需的构成相位器Lg1、Lg2的传输线路Lg1a~d,Lg2a~d,第1平衡-不平衡型带通滤波器经通路孔,与连接线路在平衡端口OUT(P2-1、P2-2)处相连接。
如上所述,由于连接线路或通路孔让线路长度增加,相位也发生变化,但本实施例中,由于线路长度的增加非常小,因此,阻抗特性实质上没有变化,在GSM900的接收频带中位于几乎断开的区域。因此,本实施例的滤波模块能够发挥与实施例5的滤波模块相同的功能。
与端子电极形成在同一个面上的辅助端子电极Nd,经通路孔与地电极E1(印刷电路基板1上)相连接。通过将辅助端子电极Nd作为地电极,能够让地电极E1的地电位均匀,同时还能够提高辅助端子电极Nd与层叠基板之间的密合强度。
本实施例中,也能够通过高频开关以及相位器,得到各个带通滤波器之间的绝缘,因此,能够在实质上防止来自其他电路的高频信号的泄漏。
[7]实施例7
本实施例涉及将滤波模块应用于多频带移动电话的情况。图15表示双频带移动电话的高频电路。这里以GSM850与GSM900这两个通信方式为例。
对天线ANT与发送***电路以及接收***电路之间的连接进行切换的高频开关264的接收端,与本发明的滤波模块1的不平衡端口P1相连接。滤波模块1的平衡端口P2-1、P2-2与低噪声放大器LNA的平衡端口相连接。另外,高频开关264的发送端,经低通滤波器72以及高频放大器PA与本发明的滤波模块1的不平衡端口P1相连接。高频开关264以及低通滤波器72中,例如可以使用GaAs开关或二极管开关、π型滤波器等公知的元件。
如果按照本实施例所述的方式构成高频电路,则不需要平衡-不平衡变压器,从而能够降低移动电话的电池消耗。另外,如果滤波模块1具有至少一个高频开关,则通过高频开关所具有的绝缘特性,即使在利用象GSM850与GSM900那样频带非常接近的不同的通信方式的情况下,也能够显著降低高频信号的泄漏,因此,不会降低多频带移动电话的通话品质。
本实施例中,高频电路的发送侧与接收侧分别设有本发明的滤波模块,但也可以根据需要设置在发送侧与接收侧的任一方,这种方式当然也包括在本发明的范围内。
[8]实施例8
图16表示具有多个滤波模块的多频带移动电话的高频电路,作为将本发明的滤波模块用于多频带移动电话的其他例子。该高频电路,能够利用如表2所示的4个发送接收频率不同的通信方式:GSM850、GSM900、DCS1800以及PCS。
表2
通信方式 | 发送信号频率Tx | 接收信号频率Rx |
GSM850 | 824-849MHz | 869-894MHz |
GSM900 | 880-915MHz | 925-960MHz |
DCS1800 | 1710-1785MHz | 1805-1880MHz |
PCS | 1850-1910MHz | 1930-1990MHz |
SP5T开关300,具有与天线ANT相连接的端口510f、输入GSM850与GSM900的发送信号的端口510a、输入DCS1800与PCS的发送信号的端口510b、输出GSM850与GSM900的接收信号的端口510e、输出DCS1800的接收信号的端口510c、输出PCS的接收信号的端口510d这6个输入输出端子。
图17表示SP5T开关的电路框图。端口510f,与使GSM850以及GSM900的高频信号通过的低通滤波器,和使DCS1800与PCS的高频信号通过的高通滤波器所构成的分频电路550相连接。分频电路550,通过适当组合主要由电感元件与电容元件所构成的带通滤波器、低通滤波器、高通滤波器、SAW滤波器等而构成,以将高频信号分频为两个以上的***的多路复用器构成。
分频电路550的低通滤波器,与对GSM850和GSM900的发送电路和接收电路之间的连接进行切换的高频开关560相连接。分频电路550的高通滤波器,与对DCS1800与PCS的发送电路和接收电路之间的连接进行切换的高频开关570相连接。高频开关560、570的发送电路侧与低通滤波器72、75相连接。高频开关560的接收电路侧与GaAs开关580相连接,对DCS1800的接收电路与PCS的接收电路进行切换。
如上所构成的SP5T开关300的端口510e与滤波模块1相连接的情况下的等价电路如图18所示。滤波模块1与图5中所示的电路相同,由第1以及第2相位器LS1a、LS1b、第1以及第2平衡-不平衡型带通滤波器60、65、具有4个开关元件FET1a~FET4a的第1高频开关,以及具有4个开关元件FET1b~FET4b的第2高频开关所构成。
本实施例的滤波模块的模式中,根据来自与各个控制端口相连接的控制电路的控制电压,按照表3所示的方式进行切换。
表3
模式 | VC1a | VC1b | VC3a | VC3b | VC3c | VC4a | VC4b | VC4c |
GSM850TX | ON | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF |
GSM850RX | OFF | OFF | ON | ON | OFF | OFF | OFF | OFF |
GSM900TX | ON | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF |
GSM900RX | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | ON | ON | OFF |
DCS1800TX | OFF | ON | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF |
DCS1800RX | OFF | OFF | OFF | OFF | ON | OFF | OFF | OFF |
PCSTX | OFF | ON | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF |
PCSRX | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | OFF | ON |
本实施例中,在通过GSM900进行发送的情况下,即使来自放大器PA的高频信号的一部分经开关570泄漏到端子510e中,通过滤波模块1,也能够将所泄漏的高频信号截止,因此,不会流入到包含有低噪声放大器的RF-IC350中。另外,来自天线ANT的GSM850或GSM900的接收信号,由带通滤波器去除其侧频带波等的乱真成分(噪声),并作为进行了阻抗转换的平衡信号输入给RF-IC350。因此,不会让移动电话的通信品质恶化。
图18所示的等价电路,如果去掉高频开关580,还可以具有作为GSM850/GSM900/DCS1800等的三频带移动电话的高频电路的功能。另外,还可以代替高频开关580,与滤波模块1相连接。
工业上的可利用性
本发明的平衡-不平衡型多频带滤波模块,能够抑制***损耗的增加,并且在利用频带非常接近的通信方式或接入方式中,能够让应当处理的通信方式或接入方式的高频信号通过,将其他通信方式或接入方式的高频信号截止。另外,如果将本发明的平衡-不平衡型多频带滤波模块用于多频带移动电话等的高频通信机器中,则也能够降低电池的消耗,降低通信品质的恶化,并削减该高频电路的部件个数。
Claims (8)
1.一种平衡—不平衡型多频带滤波模块,是具备分别具有开关元件的3个高频开关,以及通频带不同的两个平衡—不平衡型带通滤波器的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
第1高频开关,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第3端口;
第2高频开关,具有与所述模块的第1平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第3端口;
第3高频开关,具有与所述模块的第2平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第3端口;
根据所通过的高频信号来切换所述第1至第3高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
2.一种平衡—不平衡型多频带滤波模块,是具备通频带不同的两个平衡—不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡—不平衡型带通滤波器相连接的6个相位器的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
第1相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第1平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;
第2相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第2平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;
第3相位器,具有与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;
第4相位器,具有与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;
第5相位器,具有与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;
第6相位器,具有与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;
并且,将输入到所述模块的不平衡端口中的高频信号,从所述第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
3.一种平衡—不平衡型多频带滤波模块,是具备具有开关元件的高频开关、通频带不同的两个平衡—不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡—不平衡型带通滤波器相连接的4个相位器的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
所述高频开关,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第3端口;
第1相位器,具有与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;
第2相位器,具有与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口;
第3相位器,具有与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第1平衡端口相连接的第2端口;
第4相位器,具有与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第1端口,以及与所述模块的第2平衡端口相连接的第2端口,
根据所通过的高频信号来切换所述第1高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
4.一种平衡—不平衡型多频带滤波模块,是具备具有开关元件的两个高频开关、通频带不同的两个平衡—不平衡型带通滤波器,以及与所述平衡—不平衡型带通滤波器相连接的两个相位器的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
第1相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第1平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;
第2相位器,具有与所述模块的不平衡端口相连接的第1端口,以及与第2平衡—不平衡型带通滤波器的不平衡端口相连接的第2端口;
第1高频开关,具有与所述模块的第1平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第1平衡端口相连接的第3端口;
第2高频开关,具有与所述模块的第2平衡端口相连接的第1端口、与第1平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第2端口、与第2平衡—不平衡型带通滤波器的第2平衡端口相连接的第3端口;
根据所通过的高频信号来切换所述第1至第2高频开关,并将输入到所述模块的不平衡端口的高频信号,从第1以及第2平衡端口输出,或者将输入到所述第1以及第2平衡端口的高频信号,从所述模块的不平衡端口输出。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
所述第1以及第2平衡—不平衡型带通滤波器的输入阻抗Zi与输出阻抗Zo不同,并且具有阻抗转换功能。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
所述平衡—不平衡型带通滤波器为SAW滤波器或FBAR滤波器。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的平衡—不平衡型多频带滤波模块,其特征在于:
通过具有电极图案的多个电介质层所形成的层叠体构成,构成所述相位器以及所述高频开关的传输线路通过所述电极图案形成,构成所述高频开关的开关元件以及所述平衡—不平衡型带通滤波器,安装在所述层叠体上。
8.一种多频带移动电话,其特征在于,具备:
具有如权利要求1~7中任一项所述的平衡—不平衡型多频带滤波模块的高频电路。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102024795A (zh) * | 2009-09-10 | 2011-04-20 | 新科金朋有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
CN101714857B (zh) * | 2008-09-29 | 2013-01-09 | 太阳诱电株式会社 | 表面波装置 |
CN103262411A (zh) * | 2010-12-22 | 2013-08-21 | 埃普科斯股份有限公司 | 滤波器件 |
CN103765775A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
CN101953070B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-03-25 | 太阳诱电株式会社 | 滤波器、分波器、通信模块以及通信装置 |
CN107689783A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及弹性波滤波器的制造方法 |
CN109067380A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-21 | 深圳振华富电子有限公司 | 抗振动式功分器 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100547941C (zh) | 2003-12-11 | 2009-10-07 | 日立金属株式会社 | 多频带高频电路、多频带高频电路部件及多频带通信装置 |
US8270926B2 (en) * | 2004-03-16 | 2012-09-18 | Broadcom Corporation | Radio front end and applications thereof |
JP2005323062A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Hitachi Metals Ltd | 平衡−不平衡型分波器 |
US7446629B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same |
DE102004049684B4 (de) | 2004-10-12 | 2019-01-03 | Snaptrack, Inc. | Frontendmodul mit einem Antennenschalter |
JP4134129B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
JP4134005B2 (ja) | 2004-11-15 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
JP4134004B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
CN101088228B (zh) * | 2004-12-28 | 2010-12-08 | 株式会社村田制作所 | 平衡-不平衡型滤波器模块和通信装置 |
CN101160734B (zh) | 2005-04-15 | 2011-04-13 | 日立金属株式会社 | 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置 |
JP4446922B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2010-04-07 | 富士通メディアデバイス株式会社 | フィルタおよび分波器 |
US20070030095A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-08 | Mitsutaka Hikita | Antenna duplexer and wireless terminal using the same |
JP4944889B2 (ja) | 2005-09-12 | 2012-06-06 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的なモジュール |
KR100983017B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2010-09-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 복합 고주파 부품 및 이동체 통신 장치 |
US8026775B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Decade bandwidth planar MMIC four port transformer |
US8362835B2 (en) | 2006-02-17 | 2013-01-29 | Gradual Tech Software L.L.C. | Decade bandwidth planar MMIC four port transformer |
US7557673B1 (en) * | 2006-03-09 | 2009-07-07 | Bae Systems Information And Electronics Systems Integration Inc. | Wide bandwidth microwave balun |
JP4441886B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-03-31 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
JP2007306172A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Tdk Corp | バンドパスフィルタ素子および高周波モジュール |
WO2008004396A1 (fr) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module de filtre et appareil de communication |
CN101401304B (zh) | 2006-08-21 | 2011-04-13 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
EP2131493A4 (en) * | 2007-05-29 | 2011-07-20 | Murata Manufacturing Co | ACOUSTIC WAVE DISCHARGE FILTER |
JP2009021895A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | アンテナ共用器とそれを用いた通信機器 |
US20090128254A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Tdk Corporation | High frequency electronic component |
JP5016467B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-09-05 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ |
US7880562B2 (en) * | 2008-11-14 | 2011-02-01 | Tdk Corporation | Balanced-output triplexer |
JP4539788B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
DE102009032093B9 (de) * | 2009-07-07 | 2017-03-02 | Epcos Ag | Diplexerschaltung mit Balun-Funktionalität |
KR101628240B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2016-06-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기를 이용한 발룬 |
WO2012063446A1 (ja) | 2010-11-09 | 2012-05-18 | パナソニック株式会社 | 弾性波装置 |
CN102104392B (zh) * | 2010-12-15 | 2013-10-09 | 华为技术有限公司 | 多频段多路收发设备及方法、基站*** |
WO2012128271A1 (ja) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
WO2013080428A1 (ja) | 2011-11-28 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 高周波フィルタ |
CN104303418B (zh) * | 2012-07-19 | 2016-11-09 | 株式会社村田制作所 | 双工器及具备该双工器的模块 |
KR102047812B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2019-11-22 | 삼성전자주식회사 | 다중 대역 안테나 장치 및 다중 대역 안테나를 포함하는 무선 통신 장치 |
JP2015195449A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 三菱電機株式会社 | マルチバンド高周波電力増幅器 |
US10312960B2 (en) * | 2014-08-12 | 2019-06-04 | Qorvo Us, Inc. | Switchable RF transmit/receive multiplexer |
US9780866B2 (en) | 2014-08-12 | 2017-10-03 | Qorvo Us, Inc. | Configurable RF transmit/receive multiplexer |
US9843342B2 (en) | 2014-08-12 | 2017-12-12 | Qorvo Us, Inc. | Tunable RF transmit/receive multiplexer |
US9837983B2 (en) * | 2015-03-13 | 2017-12-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic filter device with combined passband |
KR102576845B1 (ko) * | 2015-06-03 | 2023-09-11 | 가부시키가이샤 와이솔재팬 | 탄성파 장치 |
US9634639B2 (en) * | 2015-09-10 | 2017-04-25 | Harris Corporation | Tunable electronic circuit which converts balanced signals to unbalanced signals |
US10476532B2 (en) * | 2016-02-24 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multiplexer, transmission apparatus, and reception apparatus |
JP6658070B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2020-03-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、送信装置および受信装置 |
US11894622B2 (en) | 2016-08-29 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Antenna structure with double-slotted loop and associated methods |
US11764473B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
US11749893B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna impedance-matching and associated methods |
US11769949B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-26 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
US11764749B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
WO2019021983A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
US11750167B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for radio-frequency matching networks and associated methods |
US11916514B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-02-27 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band wideband balun and associated methods |
US11894621B2 (en) | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun with improved performance and associated methods |
US11894826B2 (en) | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun and associated methods |
WO2019187744A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
CN111090064B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-02-01 | 上海联影医疗科技股份有限公司 | 射频收发链路、装置和磁共振设备 |
JP2021145282A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021158554A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021158556A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
CN113098437B (zh) * | 2021-04-02 | 2022-09-20 | 西安博瑞集信电子科技有限公司 | 一种可调宽频段滤波器组 |
US11862872B2 (en) | 2021-09-30 | 2024-01-02 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna optimization and associated methods |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS517793Y1 (zh) * | 1970-11-18 | 1976-03-02 | ||
JPS517793A (ja) * | 1973-12-26 | 1976-01-22 | Otani Kenji | Tsurioroshisochi |
JPH08321738A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 二周波数帯域通過フィルタ及び二周波数分波器及び二周波数合成器 |
EP1146638B1 (en) * | 1995-05-16 | 2003-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless unit for a time division multiple access system |
JPH09121138A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-05-06 | Fujitsu Ltd | フィルタ装置及びこれを用いた無線装置 |
JP2803723B2 (ja) | 1996-09-02 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | 周波数変換型フィルタ |
JPH11144961A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 表面実装型平衡不平衡変換素子 |
JP2002064301A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-02-28 | Hitachi Metals Ltd | トリプルバンド用高周波スイッチモジュール |
JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
KR100387212B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2003-06-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 듀플렉서 및 통신 장치 |
JP2001160766A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-06-12 | Murata Mfg Co Ltd | デュプレクサ及び通信機装置 |
DE19960299A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Epcos Ag | Duplexer mit verbesserter Sende-/Empfangsbandtrennung |
JP4320691B2 (ja) | 2000-01-18 | 2009-08-26 | 日立金属株式会社 | 送信・受信切り替え回路 |
JP3478264B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2003-12-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3707351B2 (ja) | 2000-03-31 | 2005-10-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及びそれを用いた無線機器 |
JP3411016B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | フィルタ回路 |
EP1223634A3 (en) * | 2000-12-26 | 2003-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method |
JP3480445B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2003-12-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US6462631B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-10-08 | Agilent Technologies, Inc. | Passband filter having an asymmetrical filter response |
JP2002280926A (ja) | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
JP3509764B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP3973915B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
JP3509771B2 (ja) | 2001-04-18 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置、通信装置 |
JP2003087150A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波複合スイッチモジュール |
JP3988864B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-10-10 | Tdk株式会社 | フィルタ及びこれを用いた分波器 |
JP3932962B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-06-20 | 株式会社村田製作所 | バンドパスフィルタ及び通信機 |
-
2003
- 2003-10-27 WO PCT/JP2003/013718 patent/WO2004038913A1/ja active Application Filing
- 2003-10-27 CN CNB200380102045XA patent/CN100536328C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-27 EP EP03758945A patent/EP1557944A4/en not_active Withdrawn
- 2003-10-27 US US10/532,239 patent/US7242268B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101953070B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-03-25 | 太阳诱电株式会社 | 滤波器、分波器、通信模块以及通信装置 |
CN101714857B (zh) * | 2008-09-29 | 2013-01-09 | 太阳诱电株式会社 | 表面波装置 |
US9484334B2 (en) | 2009-09-10 | 2016-11-01 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming directional RF coupler with IPD for additional RF signal processing |
CN102024795A (zh) * | 2009-09-10 | 2011-04-20 | 新科金朋有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
CN102024795B (zh) * | 2009-09-10 | 2015-03-25 | 新科金朋有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
CN103262411A (zh) * | 2010-12-22 | 2013-08-21 | 埃普科斯股份有限公司 | 滤波器件 |
CN103262411B (zh) * | 2010-12-22 | 2017-05-10 | 埃普科斯股份有限公司 | 滤波器件 |
CN103765775A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
US9595938B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-03-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
CN103765775B (zh) * | 2011-09-01 | 2016-08-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
CN107689783A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及弹性波滤波器的制造方法 |
CN107689783B (zh) * | 2016-08-05 | 2020-12-15 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及弹性波滤波器的制造方法 |
CN109067380A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-21 | 深圳振华富电子有限公司 | 抗振动式功分器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100536328C (zh) | 2009-09-02 |
US7242268B2 (en) | 2007-07-10 |
WO2004038913A1 (ja) | 2004-05-06 |
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EP1557944A4 (en) | 2008-03-05 |
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