JP2001060839A - 3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 - Google Patents
3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機Info
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
- H03H7/21—Networks for phase shifting providing two or more phase shifted output signals, e.g. n-phase output
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- Power Engineering (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、薄型化、軽量化、低価格化を満足す
る3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機を提
供する。 【解決手段】 3端子フィルタ10は、インダクタL1
1〜L13及びコンデンサC11〜C14からなり、高
周波信号RFを入力する入力端子Pi、第1の高周波信
号RF1を出力する第1の出力端子Po1、第2の高周
波信号RF2を出力する第2の出力端子Po2を備え
る。そして、入力端子Piから入力した高周波信号RF
は、インダクタL11,L12、コンデンサC11,C
12で構成される高域通過フィルタを通過した後、コン
デンサC13を通って第1の高周波信号RF1として第
1の出力端子Po1から出力され、インダクタL13を
通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子P
o2から出力される。
る3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機を提
供する。 【解決手段】 3端子フィルタ10は、インダクタL1
1〜L13及びコンデンサC11〜C14からなり、高
周波信号RFを入力する入力端子Pi、第1の高周波信
号RF1を出力する第1の出力端子Po1、第2の高周
波信号RF2を出力する第2の出力端子Po2を備え
る。そして、入力端子Piから入力した高周波信号RF
は、インダクタL11,L12、コンデンサC11,C
12で構成される高域通過フィルタを通過した後、コン
デンサC13を通って第1の高周波信号RF1として第
1の出力端子Po1から出力され、インダクタL13を
通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子P
o2から出力される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、3端子フィルタ、
受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯電
話、ページャなどにおいて電波の受信を行う受信部に使
用される3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線
機に関する。
受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯電
話、ページャなどにおいて電波の受信を行う受信部に使
用される3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線
機に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、携帯電話などの携帯無線機は小
型、軽量が最優先課題であり、さらに高性能低価格が要
求される。性能の観点から、受信部の周波数変換部は相
互変調などの歪特性に優れ、局部発振信号の抑圧度の高
いダブルバランスミキサを用いることが最適であること
が知られている。
型、軽量が最優先課題であり、さらに高性能低価格が要
求される。性能の観点から、受信部の周波数変換部は相
互変調などの歪特性に優れ、局部発振信号の抑圧度の高
いダブルバランスミキサを用いることが最適であること
が知られている。
【0003】図8は、携帯無線機である携帯電話におけ
る受信部の周波数変換部のブロック図である。周波数変
換部1は、高域通過フィルタ2、バラン3〜5、ダブル
バランスミキサ6を備える。ダブルバランスミキサ6の
高周波信号入力端子6a,6b及び局部発振信号入力端
子6c,6dには180°位相の異なる高周波信号RF
及び局部発振信号Loが必要とされるため、不平衡信号
を平衡信号へ変換するバラン3,4が用いられる。ま
た、中間周波数信号出力端子6e,6fからは180°
位相の異なる中間周波数信号IFが出力されるため、平
衡信号を不平衡信号へ変換するバラン5が用いられる。
る受信部の周波数変換部のブロック図である。周波数変
換部1は、高域通過フィルタ2、バラン3〜5、ダブル
バランスミキサ6を備える。ダブルバランスミキサ6の
高周波信号入力端子6a,6b及び局部発振信号入力端
子6c,6dには180°位相の異なる高周波信号RF
及び局部発振信号Loが必要とされるため、不平衡信号
を平衡信号へ変換するバラン3,4が用いられる。ま
た、中間周波数信号出力端子6e,6fからは180°
位相の異なる中間周波数信号IFが出力されるため、平
衡信号を不平衡信号へ変換するバラン5が用いられる。
【0004】図9は、従来の携帯電話における受信部の
周波数変換部の斜視図である。プリント基板51上に、
ダブルバランスミキサであるIC52、面実装部品であ
るバラン53,54、高域通過フィルタ55、低雑音増
幅器であるIC56がそれぞれ実装された構成となって
いる。
周波数変換部の斜視図である。プリント基板51上に、
ダブルバランスミキサであるIC52、面実装部品であ
るバラン53,54、高域通過フィルタ55、低雑音増
幅器であるIC56がそれぞれ実装された構成となって
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
携帯無線機の受信部における周波数変換部では、ダブル
バランスミキサ自体は技術の進歩によりIC化及びパッ
ケージの小型化が進み小型軽量化を維持しているが、バ
ランは2つの穴が形成されたフェライト材に巻線を巻い
て構成し樹脂性の台座に装着されたもので、その大きさ
は5mm×5mm程度が現在得られる最小のものであ
る。したがって、携帯無線機の小型化、薄型化、軽量化
などを阻害する要因となっていた。
携帯無線機の受信部における周波数変換部では、ダブル
バランスミキサ自体は技術の進歩によりIC化及びパッ
ケージの小型化が進み小型軽量化を維持しているが、バ
ランは2つの穴が形成されたフェライト材に巻線を巻い
て構成し樹脂性の台座に装着されたもので、その大きさ
は5mm×5mm程度が現在得られる最小のものであ
る。したがって、携帯無線機の小型化、薄型化、軽量化
などを阻害する要因となっていた。
【0006】また、バランはフェライト材に巻線を巻く
工程を必要とし、面実装用とするためには樹脂性の台座
への取り付けも必要となり、組み立てにコストがかかり
携帯無線機の低価格化を阻害する要因ともなっていた。
工程を必要とし、面実装用とするためには樹脂性の台座
への取り付けも必要となり、組み立てにコストがかかり
携帯無線機の低価格化を阻害する要因ともなっていた。
【0007】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、小型化、薄型化、軽量化、低
価格化を満足する3端子フィルタ、受信モジュール及び
携帯無線機を提供することを目的とする。
めになされたものであり、小型化、薄型化、軽量化、低
価格化を満足する3端子フィルタ、受信モジュール及び
携帯無線機を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の3端子フィルタは、複数のインダクタ及
び複数のコンデンサからなり、高周波信号を入力する入
力端子と、所望の周波数を有する第1の高周波信号を出
力する第1の出力端子と、前記第1の高周波信号と位相
が180°反転した第2の高周波信号を出力する第2の
出力端子とを備えることを特徴とする。
るため本発明の3端子フィルタは、複数のインダクタ及
び複数のコンデンサからなり、高周波信号を入力する入
力端子と、所望の周波数を有する第1の高周波信号を出
力する第1の出力端子と、前記第1の高周波信号と位相
が180°反転した第2の高周波信号を出力する第2の
出力端子とを備えることを特徴とする。
【0009】また、本発明の3端子フィルタは、複数の
誘電体層を積層してなる積層体を備え、前記インダクタ
のうち少なくとも1つを前記積層体の内部に設けたスト
リップライン電極で構成し、前記コンデンサのうち少な
くとも1つを前記積層体の内部に前記誘電体層を挟んで
互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構成する
ことを特徴とする。
誘電体層を積層してなる積層体を備え、前記インダクタ
のうち少なくとも1つを前記積層体の内部に設けたスト
リップライン電極で構成し、前記コンデンサのうち少な
くとも1つを前記積層体の内部に前記誘電体層を挟んで
互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構成する
ことを特徴とする。
【0010】本発明の受信モジュールは、低雑音増幅
器、ダブルバランスミキサ及び請求項2に記載の3端子
フィルタからなる受信モジュールであって、前記3端子
フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑音増幅器及
び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一方を搭載す
ることを特徴とする。
器、ダブルバランスミキサ及び請求項2に記載の3端子
フィルタからなる受信モジュールであって、前記3端子
フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑音増幅器及
び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一方を搭載す
ることを特徴とする。
【0011】また、本発明の受信モジュールは、前記3
端子フィルタを構成する前記積層体に設けたキャビティ
内に前記低雑音増幅器及びダブルバランスミキサの少な
くとも一方を搭載することを特徴とする。
端子フィルタを構成する前記積層体に設けたキャビティ
内に前記低雑音増幅器及びダブルバランスミキサの少な
くとも一方を搭載することを特徴とする。
【0012】本発明の携帯無線機は、アンテナ、低雑音
増幅器、3端子フィルタ、ダブルバランスミキサ及び復
調部で構成され、前記3端子フィルタに、上述の3端子
フィルタを用いることを特徴とする。
増幅器、3端子フィルタ、ダブルバランスミキサ及び復
調部で構成され、前記3端子フィルタに、上述の3端子
フィルタを用いることを特徴とする。
【0013】また、本発明の携帯無線機は、アンテナ、
受信モジュール及び復調部で構成され、前記受信モジュ
ールに、上述の受信モジュールを用いることを特徴とす
る。
受信モジュール及び復調部で構成され、前記受信モジュ
ールに、上述の受信モジュールを用いることを特徴とす
る。
【0014】本発明の3端子フィルタによれば、高周波
信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する第1
の高周波信号を出力する第1の出力端子と、第1の高周
波信号と位相が180°反転した第2の高周波信号を出
力する第2の出力端子とを備えるため、不要な信号であ
るイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平衡信
号を平衡信号へ変換することが可能となる。
信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する第1
の高周波信号を出力する第1の出力端子と、第1の高周
波信号と位相が180°反転した第2の高周波信号を出
力する第2の出力端子とを備えるため、不要な信号であ
るイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平衡信
号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【0015】本発明の受信モジュールによれば、3端子
フィルタを内蔵した積層体に低雑音増幅器及びダブルバ
ランスミキサの少なくとも一方を搭載するため、小型化
が可能である。
フィルタを内蔵した積層体に低雑音増幅器及びダブルバ
ランスミキサの少なくとも一方を搭載するため、小型化
が可能である。
【0016】本発明の携帯無線機によれば、小型の3端
子フィルタあるいは受信モジュールを用いるため、小型
化が可能である。
子フィルタあるいは受信モジュールを用いるため、小型
化が可能である。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1は、本発明の3端子フィルタに係
る第1の実施例の等価回路図である。3端子フィルタ1
0は、インダクタL11〜L13及びコンデンサC11
〜C14からなり、高周波信号RFを入力する入力端子
Pi、第1の高周波信号RF1を出力する第1の出力端
子Po1、第2の高周波信号RF2を出力する第2の出
力端子Po2を備える。
施例を説明する。図1は、本発明の3端子フィルタに係
る第1の実施例の等価回路図である。3端子フィルタ1
0は、インダクタL11〜L13及びコンデンサC11
〜C14からなり、高周波信号RFを入力する入力端子
Pi、第1の高周波信号RF1を出力する第1の出力端
子Po1、第2の高周波信号RF2を出力する第2の出
力端子Po2を備える。
【0018】以下、この3端子フィルタ10の動作につ
いて説明する。入力端子Piから入力した高周波信号R
Fは、インダクタL11,L12、コンデンサC11,
C12で構成される高域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサC13を通って第1の高周波信号RF1として
第1の出力端子Po1から出力され、インダクタL13
を通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子
Po2から出力される。
いて説明する。入力端子Piから入力した高周波信号R
Fは、インダクタL11,L12、コンデンサC11,
C12で構成される高域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサC13を通って第1の高周波信号RF1として
第1の出力端子Po1から出力され、インダクタL13
を通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子
Po2から出力される。
【0019】この際、第2の高周波信号RF2の位相
は、インダクタL13を通るため、第1の高周波信号R
F1の位相と比較して180°反転する。また、3端子
フィルタ10は、インダクタL11,L12、コンデン
サC11,C12で高域通過フィルタを構成しているた
め、ダブルバランスミキサでのミキシングがローワーロ
ーカル(Lower Local)で行われる場合に使用し、所望の
高周波信号RFよりも低いイメージ周波数を減衰させ
る。
は、インダクタL13を通るため、第1の高周波信号R
F1の位相と比較して180°反転する。また、3端子
フィルタ10は、インダクタL11,L12、コンデン
サC11,C12で高域通過フィルタを構成しているた
め、ダブルバランスミキサでのミキシングがローワーロ
ーカル(Lower Local)で行われる場合に使用し、所望の
高周波信号RFよりも低いイメージ周波数を減衰させ
る。
【0020】図2は、図1の等価回路を有する3端子フ
ィルタの分解斜視図である。3端子フィルタ10は積層
体11を備え、積層体11の上面から下面に架けて、外
部端子T11〜T14が設けられる。この際、外部端子
T11が3端子フィルタ10の入力端子Pi(図1)、
外部端子T12,T14が3端子フィルタ10の第1、
第2の出力端子Po1,Po2(図1)、外部端子T1
3がグランド端子となる。
ィルタの分解斜視図である。3端子フィルタ10は積層
体11を備え、積層体11の上面から下面に架けて、外
部端子T11〜T14が設けられる。この際、外部端子
T11が3端子フィルタ10の入力端子Pi(図1)、
外部端子T12,T14が3端子フィルタ10の第1、
第2の出力端子Po1,Po2(図1)、外部端子T1
3がグランド端子となる。
【0021】積層体11は例えば、850℃〜1000
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第1〜第5の誘電体層111〜115を順次積層し、
焼成することによって形成される。
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第1〜第5の誘電体層111〜115を順次積層し、
焼成することによって形成される。
【0022】第1の誘電体層111上には、チップ部品
からなるインダクタL13、コンデンサC12〜C14
を実装するためのランドLa1が形成される。また、第
2、第3の誘電体層112,113上には、コンデンサ
電極Cp1,Cp2が形成される。
からなるインダクタL13、コンデンサC12〜C14
を実装するためのランドLa1が形成される。また、第
2、第3の誘電体層112,113上には、コンデンサ
電極Cp1,Cp2が形成される。
【0023】さらに、第4の誘電体層114上には、ス
トリップライン電極ST1,ST2が形成される。ま
た、第5の誘電体層115上には、グランド電極Gpが
形成される。さらに、第1〜第4の誘電体層111〜1
14には、各誘電体層111〜114を貫通するように
ビアホール電極Vh1が形成される。
トリップライン電極ST1,ST2が形成される。ま
た、第5の誘電体層115上には、グランド電極Gpが
形成される。さらに、第1〜第4の誘電体層111〜1
14には、各誘電体層111〜114を貫通するように
ビアホール電極Vh1が形成される。
【0024】そして、ストリップライン電極ST1,S
T2とグランド電極Gpとでマイクロストリップライン
型のインダクタL11,L12をそれぞれ構成する。ま
た、第2の誘電体層112を挟んで互いに対向している
コンデンサ電極Cp1,Cp2でコンデンサC11を構
成する。
T2とグランド電極Gpとでマイクロストリップライン
型のインダクタL11,L12をそれぞれ構成する。ま
た、第2の誘電体層112を挟んで互いに対向している
コンデンサ電極Cp1,Cp2でコンデンサC11を構
成する。
【0025】さらに、積層体11に内蔵されたストリッ
プライン電極ST1,ST2、コンデンサ電極Cp1,
Cp2、積層体11に搭載されたチップ部品であるイン
ダクタL13、コンデンサC12〜C14は、積層体1
1に内蔵されたビアホール電極Vh1によりそれぞれ接
続される。
プライン電極ST1,ST2、コンデンサ電極Cp1,
Cp2、積層体11に搭載されたチップ部品であるイン
ダクタL13、コンデンサC12〜C14は、積層体1
1に内蔵されたビアホール電極Vh1によりそれぞれ接
続される。
【0026】図3は、本発明の3端子フィルタに係る第
2の実施例の等価回路図である。3端子フィルタ20
は、インダクタL21〜L23及びコンデンサC21〜
C24からなり、高周波信号RFを入力する入力端子P
i、第1の高周波信号RF1を出力する第1の出力端子
Po1、第2の高周波信号RF2を出力する第2の出力
端子Po2を備える。
2の実施例の等価回路図である。3端子フィルタ20
は、インダクタL21〜L23及びコンデンサC21〜
C24からなり、高周波信号RFを入力する入力端子P
i、第1の高周波信号RF1を出力する第1の出力端子
Po1、第2の高周波信号RF2を出力する第2の出力
端子Po2を備える。
【0027】以下、この3端子フィルタ20の動作につ
いて説明する。入力端子Piから入力した高周波信号R
Fは、インダクタL21,L22、コンデンサC21,
C22で構成される低域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサC23を通って第1の高周波信号RF1として
第1の出力端子Po1から出力され、インダクタL23
を通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子
Po2から出力される。
いて説明する。入力端子Piから入力した高周波信号R
Fは、インダクタL21,L22、コンデンサC21,
C22で構成される低域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサC23を通って第1の高周波信号RF1として
第1の出力端子Po1から出力され、インダクタL23
を通って第2の高周波信号RF2として第2の出力端子
Po2から出力される。
【0028】この際、第2の高周波信号RF2の位相
は、インダクタL23を通るため、第1の高周波信号R
F1の位相と比較して180°反転する。また、3端子
フィルタ20は、インダクタL21,L22、コンデン
サC21,C22で低域通過フィルタを構成しているた
め、後段のダブルバランスミキサでのミキシングがアッ
パーローカル(Upper Local)で行われる場合に使用し、
所望の高周波信号RFよりも高いイメージ周波数を減衰
させる。
は、インダクタL23を通るため、第1の高周波信号R
F1の位相と比較して180°反転する。また、3端子
フィルタ20は、インダクタL21,L22、コンデン
サC21,C22で低域通過フィルタを構成しているた
め、後段のダブルバランスミキサでのミキシングがアッ
パーローカル(Upper Local)で行われる場合に使用し、
所望の高周波信号RFよりも高いイメージ周波数を減衰
させる。
【0029】上述の実施例の3端子フィルタによれば、
高周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数の第1
の高周波信号を出力する第1の出力端子と、前記第1の
高周波信号と位相が180°反転した第2の高周波信号
を出力する第2の出力端子とを備えるため、不要な信号
であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平
衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
高周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数の第1
の高周波信号を出力する第1の出力端子と、前記第1の
高周波信号と位相が180°反転した第2の高周波信号
を出力する第2の出力端子とを備えるため、不要な信号
であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平
衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【0030】したがって、フィルタ機能とバラン機能と
を1つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ+バランに比べ約2/3程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
を1つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ+バランに比べ約2/3程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
【0031】また、3端子フィルタを構成するインダク
タ、コンデンサを積層体に内蔵するため、各構成部品を
接続する配線の引き回し量を少なくできる。したがっ
て、各配線での信号損失を減少させ、雑音指数を改善す
ることができる。
タ、コンデンサを積層体に内蔵するため、各構成部品を
接続する配線の引き回し量を少なくできる。したがっ
て、各配線での信号損失を減少させ、雑音指数を改善す
ることができる。
【0032】図4は、本発明の受信モジュールに係る一
実施例のブロック図である。受信モジュール30は、低
雑音増幅器31、3端子フィルタ32、ダブルバランス
ミキサ33、第1〜第5の端子P1〜P5で構成され、
低雑音増幅器31の後段に3端子フィルタ32とダブル
バランスミキサ33とを順次接続したものである。
実施例のブロック図である。受信モジュール30は、低
雑音増幅器31、3端子フィルタ32、ダブルバランス
ミキサ33、第1〜第5の端子P1〜P5で構成され、
低雑音増幅器31の後段に3端子フィルタ32とダブル
バランスミキサ33とを順次接続したものである。
【0033】なお、3端子フィルタ32の等価回路は、
図1に示す3端子フィルタ10の等価回路と同様の回路
構成をなす。
図1に示す3端子フィルタ10の等価回路と同様の回路
構成をなす。
【0034】以下、この受信モジュール30の動作につ
いて説明する。第1の端子P1の前段に接続されたアン
テナ(図示せず)で受信された高周波信号RF´は、低
雑音増幅器31で増幅された後、3端子フィルタ32に
入り、第1、第2の高周波信号RF1,RF2に変換さ
れる。その後、ダブルバランスミキサ33で局部発振回
路LoからバランBAL1を介した第1、第2の局部発
振信号Lo1,Lo2と混合され、第1、第2の中間周
波数IF1,IF2となってバランBAL2を介して後
段の復調部DEMに入る。
いて説明する。第1の端子P1の前段に接続されたアン
テナ(図示せず)で受信された高周波信号RF´は、低
雑音増幅器31で増幅された後、3端子フィルタ32に
入り、第1、第2の高周波信号RF1,RF2に変換さ
れる。その後、ダブルバランスミキサ33で局部発振回
路LoからバランBAL1を介した第1、第2の局部発
振信号Lo1,Lo2と混合され、第1、第2の中間周
波数IF1,IF2となってバランBAL2を介して後
段の復調部DEMに入る。
【0035】図5は、図4における受信モジュールのみ
の分解斜視図である。なお、図2と同一もしくは同等の
部分には同一番号を付し、詳細な説明は省略する。
の分解斜視図である。なお、図2と同一もしくは同等の
部分には同一番号を付し、詳細な説明は省略する。
【0036】受信モジュール30は積層体34を備え、
積層体34の上面から下面に架けて、外部端子T21〜
T26が設けられる。この際、外部端子T21〜T25
が受信モジュール30の第1の端子P1、第3の端子P
3、第5の端子P5、第4の端子P4、第2の端子P2
(図4)、外部端子T26がグランド端子となる。
積層体34の上面から下面に架けて、外部端子T21〜
T26が設けられる。この際、外部端子T21〜T25
が受信モジュール30の第1の端子P1、第3の端子P
3、第5の端子P5、第4の端子P4、第2の端子P2
(図4)、外部端子T26がグランド端子となる。
【0037】積層体34は例えば、850℃〜1000
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第1〜第6の誘電体層341〜346を順次積層し、
焼成することによって形成される。
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第1〜第6の誘電体層341〜346を順次積層し、
焼成することによって形成される。
【0038】第1の誘電体層341上には、ICからな
る低雑音増幅器31、ダブルバランスミキサ33、及び
チップ部品からなる3端子フィルタ32のインダクタL
23、コンデンサC22〜C24をそれぞれ実装するた
めのランドLa2が形成される。また、第2の誘電体層
342上には、接続用の配線Liが形成される。
る低雑音増幅器31、ダブルバランスミキサ33、及び
チップ部品からなる3端子フィルタ32のインダクタL
23、コンデンサC22〜C24をそれぞれ実装するた
めのランドLa2が形成される。また、第2の誘電体層
342上には、接続用の配線Liが形成される。
【0039】さらに、第3、第4の誘電体層343,3
44上には、コンデンサ電極Cp1,Cp2が形成され
る。また、第5の誘電体層345上には、ストリップラ
イン電極ST1,ST2が形成される。
44上には、コンデンサ電極Cp1,Cp2が形成され
る。また、第5の誘電体層345上には、ストリップラ
イン電極ST1,ST2が形成される。
【0040】さらに、第6の誘電体層346上には、グ
ランド電極Gpが形成される。さらに、第1〜第5の誘
電体層341〜345には、各誘電体層341〜345
を貫通するようにビアホール電極Vh2が形成される。
ランド電極Gpが形成される。さらに、第1〜第5の誘
電体層341〜345には、各誘電体層341〜345
を貫通するようにビアホール電極Vh2が形成される。
【0041】そして、ストリップライン電極ST1,S
T2とグランド電極Gpとで3端子フィルタ32のイン
ダクタL21,L22をそれぞれ構成する。また、第3
の誘電体層343を挟んで互いに対向しているコンデン
サ電極Cp1,Cp2で3端子フィルタ32のコンデン
サC21を構成する。
T2とグランド電極Gpとで3端子フィルタ32のイン
ダクタL21,L22をそれぞれ構成する。また、第3
の誘電体層343を挟んで互いに対向しているコンデン
サ電極Cp1,Cp2で3端子フィルタ32のコンデン
サC21を構成する。
【0042】さらに、積層体34に内蔵されたストリッ
プライン電極ST1,ST2、コンデンサ電極Cp1,
Cp2、積層体34に搭載された低雑音増幅器31、ダ
ブルバランスミキサ33、及び3端子フィルタ32のイ
ンダクタL23、コンデンサC22〜C24は、積層体
34に内蔵されたビアホール電極Vh2によりそれぞれ
接続される。
プライン電極ST1,ST2、コンデンサ電極Cp1,
Cp2、積層体34に搭載された低雑音増幅器31、ダ
ブルバランスミキサ33、及び3端子フィルタ32のイ
ンダクタL23、コンデンサC22〜C24は、積層体
34に内蔵されたビアホール電極Vh2によりそれぞれ
接続される。
【0043】図6は、図5の受信モジュールの変形例を
示す断面図である。受信モジュール30aは、図5の実
施例の受信モジュール30と比較して、低雑音増幅器3
1、ダブルバランスミキサ33を積層体34aの裏面に
設けたキャビティ35に搭載する点で異なる。
示す断面図である。受信モジュール30aは、図5の実
施例の受信モジュール30と比較して、低雑音増幅器3
1、ダブルバランスミキサ33を積層体34aの裏面に
設けたキャビティ35に搭載する点で異なる。
【0044】なお、キャビティ35は、図5の第6の誘
電体層346下にキャビティ35が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層(図示せず)をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ35は、低雑音
増幅器31、ダブルバランスミキサ33が搭載された
後、樹脂36を充填することで封止される。
電体層346下にキャビティ35が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層(図示せず)をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ35は、低雑音
増幅器31、ダブルバランスミキサ33が搭載された
後、樹脂36を充填することで封止される。
【0045】上述の実施例の受信モジュールによれば、
3端子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵
した積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭
載するため、低雑音増幅器、3端子フィルタ、ダブルバ
ランスミキサの間の各配線を積層体の内部に設けること
ができる。したがって、各配線での損失を低減できるた
め、良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ること
ができる。
3端子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵
した積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭
載するため、低雑音増幅器、3端子フィルタ、ダブルバ
ランスミキサの間の各配線を積層体の内部に設けること
ができる。したがって、各配線での損失を低減できるた
め、良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ること
ができる。
【0046】また、低雑音増幅器+高周波フィルタ+バ
ラン+ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
ラン+ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
【0047】さらに、図6の変形例では、ICからなる
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを、3端子フィル
タのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に
設けられたキャビティに搭載するため、積層体の表面に
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことが
なくなる。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミ
キサが積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジ
ュールの信頼性が向上するとともに、受信モジュールの
薄型化が可能になる。
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを、3端子フィル
タのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に
設けられたキャビティに搭載するため、積層体の表面に
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことが
なくなる。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミ
キサが積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジ
ュールの信頼性が向上するとともに、受信モジュールの
薄型化が可能になる。
【0048】図7は、本発明の携帯無線機に係る一実施
例のブロック図である。携帯無線機である携帯電話40
は、アンテナANT、スイッチSWを介してアンテナA
NTに接続される受信部Rx及び送信部Tx、並びにス
イッチSW、受信部Rx及び送信部Txをカバーする筐
体COVを備える。
例のブロック図である。携帯無線機である携帯電話40
は、アンテナANT、スイッチSWを介してアンテナA
NTに接続される受信部Rx及び送信部Tx、並びにス
イッチSW、受信部Rx及び送信部Txをカバーする筐
体COVを備える。
【0049】この際、受信部Rxは、低雑音増幅器4
1、3端子フィルタ42、ダブルバランスミキサ43、
復調部44を備え、送信部Txは、高出力増幅器45、
帯域通過フィルタ46、ミキサ47、変調部48を備え
る。また、受信部Rxのダブルバランスミキサ43及び
送信部Txのミキサ47の一方の入力には局部発振信号
を発生する局部発振回路49が接続される。
1、3端子フィルタ42、ダブルバランスミキサ43、
復調部44を備え、送信部Txは、高出力増幅器45、
帯域通過フィルタ46、ミキサ47、変調部48を備え
る。また、受信部Rxのダブルバランスミキサ43及び
送信部Txのミキサ47の一方の入力には局部発振信号
を発生する局部発振回路49が接続される。
【0050】そして、携帯電話の受信部Rxの3端子フ
ィルタ42に、図1の3端子フィルタ10や図3の3端
子フィルタ20を用いたり、携帯電話の受信部Rxの低
雑音増幅器41、3端子フィルタ42及びダブルバラン
スミキサ44に、図5の受信モジュール30や図6の受
信モジュール30aを用いるものである。
ィルタ42に、図1の3端子フィルタ10や図3の3端
子フィルタ20を用いたり、携帯電話の受信部Rxの低
雑音増幅器41、3端子フィルタ42及びダブルバラン
スミキサ44に、図5の受信モジュール30や図6の受
信モジュール30aを用いるものである。
【0051】上述の実施例の携帯無線機によれば、小型
で、低コストの3端子フィルタあるいは受信モジュール
を用いるため、小型化、低コスト化が容易に可能であ
る。また、良好な受信特性を備えた3端子フィルタや受
信モジュールを用いるため、携帯無線機の受信特性の劣
化を防止することができ、携帯無線機の信頼性の向上が
可能となる。
で、低コストの3端子フィルタあるいは受信モジュール
を用いるため、小型化、低コスト化が容易に可能であ
る。また、良好な受信特性を備えた3端子フィルタや受
信モジュールを用いるため、携帯無線機の受信特性の劣
化を防止することができ、携帯無線機の信頼性の向上が
可能となる。
【0052】なお、上述の3端子フィルタ及び受信モジ
ュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化ア
ルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合に
ついて説明したが、比誘電率(εr)が1以上であれば
何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリカ
を主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等でも
同様の効果が得られる。
ュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化ア
ルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合に
ついて説明したが、比誘電率(εr)が1以上であれば
何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリカ
を主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等でも
同様の効果が得られる。
【0053】上述の3端子フィルタの実施例では、図1
及び図3のように高域通過フィルタ、低域通過フィルタ
を構成する部分が1段の場合について説明したが、必要
に応じて複数段であってもよい。
及び図3のように高域通過フィルタ、低域通過フィルタ
を構成する部分が1段の場合について説明したが、必要
に応じて複数段であってもよい。
【0054】上述の受信モジュールの実施例では、ダブ
ルバランスミキサでのミキシングがローワーローカルで
行われる際に用いられる3端子フィルタ(図1)を備え
た場合について説明したが、ダブルバランスミキサでの
ミキシングがアッパーローカルで行われる際に用いられ
る3端子フィルタ(図3)を備えた場合でも同様の効果
が得られる。
ルバランスミキサでのミキシングがローワーローカルで
行われる際に用いられる3端子フィルタ(図1)を備え
た場合について説明したが、ダブルバランスミキサでの
ミキシングがアッパーローカルで行われる際に用いられ
る3端子フィルタ(図3)を備えた場合でも同様の効果
が得られる。
【0055】また、低雑音増幅器とダブルバランスミキ
サとがともに積層体に搭載される場合について説明した
が、いずれか一方が積層体に搭載されていてもよい。
サとがともに積層体に搭載される場合について説明した
が、いずれか一方が積層体に搭載されていてもよい。
【0056】上述の受信モジュールの変形例では、樹脂
を充填することによりキャビティを封入する場合につい
て説明したが、金属あるいはセラミックスからなるキャ
ップによりキャビティを封入してもよい。この場合に
は、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサをベアチップ
の状態で搭載することが可能となり、その結果、受信モ
ジュールのより低コスト化が達成できる。
を充填することによりキャビティを封入する場合につい
て説明したが、金属あるいはセラミックスからなるキャ
ップによりキャビティを封入してもよい。この場合に
は、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサをベアチップ
の状態で搭載することが可能となり、その結果、受信モ
ジュールのより低コスト化が達成できる。
【0057】
【発明の効果】請求項1の3端子フィルタによれば、高
周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する
第1の高周波信号を出力する第1の出力端子と、前記第
1の高周波信号と位相が180°反転した第2の高周波
信号を出力する第2の出力端子とを備えるため、不要な
信号であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、
不平衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する
第1の高周波信号を出力する第1の出力端子と、前記第
1の高周波信号と位相が180°反転した第2の高周波
信号を出力する第2の出力端子とを備えるため、不要な
信号であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、
不平衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【0058】したがって、フィルタ機能とバラン機能と
を1つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ+バランに比べ約2/3程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
を1つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ+バランに比べ約2/3程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
【0059】請求項2の3端子フィルタによれば、3端
子フィルタを構成するインダクタ、コンデンサを積層体
に内蔵するため、各構成部品を接続する配線の引き回し
量を少なくできる。したがって、各配線での信号損失を
減少させ、雑音指数を改善することができる。
子フィルタを構成するインダクタ、コンデンサを積層体
に内蔵するため、各構成部品を接続する配線の引き回し
量を少なくできる。したがって、各配線での信号損失を
減少させ、雑音指数を改善することができる。
【0060】請求項3の受信モジュールによれば、3端
子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した
積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭載す
るため、低雑音増幅器、3端子フィルタ、ダブルバラン
スミキサの間の各配線を積層体の内部に設けることがで
きる。したがって、各配線での損失を低減できるため、
良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ることがで
きる。
子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した
積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭載す
るため、低雑音増幅器、3端子フィルタ、ダブルバラン
スミキサの間の各配線を積層体の内部に設けることがで
きる。したがって、各配線での損失を低減できるため、
良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ることがで
きる。
【0061】また、低雑音増幅器+高周波フィルタ+バ
ラン+ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
ラン+ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
【0062】請求項4の受信モジュールによれば、低雑
音増幅器、ダブルバランスミキサを3端子フィルタのイ
ンダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に設けら
れたキャビティに搭載するため、積層体の表面に低雑音
増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことがなくな
る。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが
積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジュール
の信頼性が向上するとともに、受信モジュールの薄型化
が可能になる。
音増幅器、ダブルバランスミキサを3端子フィルタのイ
ンダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に設けら
れたキャビティに搭載するため、積層体の表面に低雑音
増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことがなくな
る。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが
積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジュール
の信頼性が向上するとともに、受信モジュールの薄型化
が可能になる。
【0063】請求項5の携帯無線機によれば、小型で、
低コストの3端子フィルタを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。
低コストの3端子フィルタを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。
【0064】請求項6の携帯無線機によれば、小型で、
低コストの受信モジュールを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。また、良好な
受信特性を備えた受信モジュールを用いるため、携帯無
線機の受信特性の劣化を防止することができ、携帯無線
機の信頼性の向上が可能となる。
低コストの受信モジュールを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。また、良好な
受信特性を備えた受信モジュールを用いるため、携帯無
線機の受信特性の劣化を防止することができ、携帯無線
機の信頼性の向上が可能となる。
【図1】本発明の3端子フィルタに係る第1の実施例の
等価回路図である。
等価回路図である。
【図2】図1の第1の実施例の等価回路図を備えた3端
子フィルタの分解斜視図である。
子フィルタの分解斜視図である。
【図3】本発明の3端子フィルタに係る第2の実施例の
等価回路図である。
等価回路図である。
【図4】本発明の受信モジュールに係る一実施例のブロ
ック図である。
ック図である。
【図5】図4における受信モジュールのみの分解斜視図
である。
である。
【図6】図5の受信モジュールの変形例を示す断面図で
ある。
ある。
【図7】本発明の携帯無線機に係る一実施例のブロック
図である。
図である。
【図8】一般的な携帯電話における受信部の周波数変換
部のブロック図である。
部のブロック図である。
【図9】従来の携帯電話における受信部の周波数変換部
の斜視図である。
の斜視図である。
10,20,32,42 3端子フィルタ 11,34,34a 積層体 111〜115,341〜346 誘電体層 30,30a 受信モジュール 31,41 低雑音増幅器 33,43 ダブルバランスミキサ 35 キャビティ 40 携帯電話(携帯無線機) C11〜C14,C21〜C24 コンデンサ Cp1,Cp2 コンデンサ電極 L11〜L13,L21〜L23 インダクタ Pi 入力端子 Po1,Po2 出力端子 RF,RF1,RF2 高周波信号 ST1,ST2 ストリップライン電極
フロントページの続き Fターム(参考) 5E082 AB03 BB01 DD07 DD13 FG26 JJ09 JJ15 5J024 AA01 BA01 BA19 CA09 DA01 DA28 DA29 DA35 EA02
Claims (6)
- 【請求項1】 複数のインダクタ及び複数のコンデンサ
からなり、高周波信号を入力する入力端子と、所望の周
波数を有する第1の高周波信号を出力する第1の出力端
子と、前記第1の高周波信号と位相が180°反転した
第2の高周波信号を出力する第2の出力端子とを備える
ことを特徴とする3端子フィルタ。 - 【請求項2】 複数の誘電体層を積層してなる積層体を
備え、前記インダクタのうち少なくとも1つを前記積層
体の内部に設けたストリップライン電極で構成し、前記
コンデンサのうち少なくとも1つを前記積層体の内部に
前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けた複数のコン
デンサ電極で構成することを特徴とする請求項1に記載
の3端子フィルタ。 - 【請求項3】 低雑音増幅器、ダブルバランスミキサ及
び請求項2に記載の3端子フィルタからなる受信モジュ
ールであって、 前記3端子フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑
音増幅器及び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一
方を搭載することを特徴とする受信モジュール。 - 【請求項4】 前記3端子フィルタを構成する前記積層
体に設けたキャビティ内に前記低雑音増幅器及びダブル
バランスミキサの少なくとも一方を搭載することを特徴
とする請求項3に記載の受信モジュール。 - 【請求項5】 アンテナ、低雑音増幅器、3端子フィル
タ、ダブルバランスミキサ及び復調部で構成され、 前記3端子フィルタに、請求項1あるいは請求項2に記
載の3端子フィルタを用いることを特徴とする携帯無線
機。 - 【請求項6】 アンテナ、受信モジュール及び復調部で
構成され、 前記受信モジュールに、請求項3あるいは請求項4に記
載の受信モジュールを用いることを特徴とする携帯無線
機。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11232638A JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
EP00116960A EP1077528A3 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-07 | Three-terminal filter, receiving module, and portable radio apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11232638A JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001060839A true JP2001060839A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16942447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11232638A Pending JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 3端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1077528A3 (ja) |
JP (1) | JP2001060839A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004038913A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Hitachi Metals, Ltd. | 平衡−不平衡型マルチバンドフィルタモジュール |
US7898362B2 (en) | 2005-02-16 | 2011-03-01 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passband filter |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005027184A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Seiko Epson Corp | 高周波複合部品 |
JP4042860B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2008-02-06 | 太陽誘電株式会社 | バラン |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103543A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Toshiba Corp | Tuner circuit of television picture receiver |
JPS5869106A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Maspro Denkoh Corp | 分波器 |
JPS58158990A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | マスプロ電工株式会社 | 高周波回路基板 |
JPH088673A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧可変共振器 |
JPH0917643A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 |
JPH09237867A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
JPH10154917A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Tdk Corp | ローパスフィルタ |
JPH11177377A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波複合部品及びそれを用いた無線装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267788A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 複合部品 |
FR2757710A1 (fr) * | 1996-12-19 | 1998-06-26 | Philips Electronics Nv | Dispositif semiconducteur incluant un circuit coupleur passif dephaseur de 180° |
US5835850A (en) * | 1996-08-12 | 1998-11-10 | At&T Corp | Self-testing transceiver |
JPH11312987A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | インピーダンス安定装置及びそれを用いた高周波モジュール |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP11232638A patent/JP2001060839A/ja active Pending
-
2000
- 2000-08-07 EP EP00116960A patent/EP1077528A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103543A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Toshiba Corp | Tuner circuit of television picture receiver |
JPS5869106A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Maspro Denkoh Corp | 分波器 |
JPS58158990A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | マスプロ電工株式会社 | 高周波回路基板 |
JPH088673A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧可変共振器 |
JPH0917643A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 |
JPH09237867A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
JPH10154917A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Tdk Corp | ローパスフィルタ |
JPH11177377A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波複合部品及びそれを用いた無線装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004038913A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Hitachi Metals, Ltd. | 平衡−不平衡型マルチバンドフィルタモジュール |
US7242268B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-07-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Unbalanced-balanced multiband filter module |
US7898362B2 (en) | 2005-02-16 | 2011-03-01 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passband filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1077528A3 (en) | 2001-03-21 |
EP1077528A2 (en) | 2001-02-21 |
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