JP2001060839A - ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 - Google Patents
３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機Info
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- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
- H03H7/21—Networks for phase shifting providing two or more phase shifted output signals, e.g. n-phase output
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- Filters And Equalizers (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、薄型化、軽量化、低価格化を満足す
る３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機を提
供する。 【解決手段】 ３端子フィルタ１０は、インダクタＬ１
１〜Ｌ１３及びコンデンサＣ１１〜Ｃ１４からなり、高
周波信号ＲＦを入力する入力端子Ｐｉ、第１の高周波信
号ＲＦ１を出力する第１の出力端子Ｐｏ１、第２の高周
波信号ＲＦ２を出力する第２の出力端子Ｐｏ２を備え
る。そして、入力端子Ｐｉから入力した高周波信号ＲＦ
は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１，Ｃ
１２で構成される高域通過フィルタを通過した後、コン
デンサＣ１３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として第
１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ１３を
通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子Ｐ
ｏ２から出力される。
る３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機を提
供する。 【解決手段】 ３端子フィルタ１０は、インダクタＬ１
１〜Ｌ１３及びコンデンサＣ１１〜Ｃ１４からなり、高
周波信号ＲＦを入力する入力端子Ｐｉ、第１の高周波信
号ＲＦ１を出力する第１の出力端子Ｐｏ１、第２の高周
波信号ＲＦ２を出力する第２の出力端子Ｐｏ２を備え
る。そして、入力端子Ｐｉから入力した高周波信号ＲＦ
は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１，Ｃ
１２で構成される高域通過フィルタを通過した後、コン
デンサＣ１３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として第
１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ１３を
通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子Ｐ
ｏ２から出力される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３端子フィルタ、
受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯電
話、ページャなどにおいて電波の受信を行う受信部に使
用される３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線
機に関する。
受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯電
話、ページャなどにおいて電波の受信を行う受信部に使
用される３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線
機に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話などの携帯無線機は小
型、軽量が最優先課題であり、さらに高性能低価格が要
求される。性能の観点から、受信部の周波数変換部は相
互変調などの歪特性に優れ、局部発振信号の抑圧度の高
いダブルバランスミキサを用いることが最適であること
が知られている。
型、軽量が最優先課題であり、さらに高性能低価格が要
求される。性能の観点から、受信部の周波数変換部は相
互変調などの歪特性に優れ、局部発振信号の抑圧度の高
いダブルバランスミキサを用いることが最適であること
が知られている。
【０００３】図８は、携帯無線機である携帯電話におけ
る受信部の周波数変換部のブロック図である。周波数変
換部１は、高域通過フィルタ２、バラン３〜５、ダブル
バランスミキサ６を備える。ダブルバランスミキサ６の
高周波信号入力端子６ａ，６ｂ及び局部発振信号入力端
子６ｃ，６ｄには１８０°位相の異なる高周波信号ＲＦ
及び局部発振信号Ｌｏが必要とされるため、不平衡信号
を平衡信号へ変換するバラン３，４が用いられる。ま
た、中間周波数信号出力端子６ｅ，６ｆからは１８０°
位相の異なる中間周波数信号ＩＦが出力されるため、平
衡信号を不平衡信号へ変換するバラン５が用いられる。
る受信部の周波数変換部のブロック図である。周波数変
換部１は、高域通過フィルタ２、バラン３〜５、ダブル
バランスミキサ６を備える。ダブルバランスミキサ６の
高周波信号入力端子６ａ，６ｂ及び局部発振信号入力端
子６ｃ，６ｄには１８０°位相の異なる高周波信号ＲＦ
及び局部発振信号Ｌｏが必要とされるため、不平衡信号
を平衡信号へ変換するバラン３，４が用いられる。ま
た、中間周波数信号出力端子６ｅ，６ｆからは１８０°
位相の異なる中間周波数信号ＩＦが出力されるため、平
衡信号を不平衡信号へ変換するバラン５が用いられる。
【０００４】図９は、従来の携帯電話における受信部の
周波数変換部の斜視図である。プリント基板５１上に、
ダブルバランスミキサであるＩＣ５２、面実装部品であ
るバラン５３，５４、高域通過フィルタ５５、低雑音増
幅器であるＩＣ５６がそれぞれ実装された構成となって
いる。
周波数変換部の斜視図である。プリント基板５１上に、
ダブルバランスミキサであるＩＣ５２、面実装部品であ
るバラン５３，５４、高域通過フィルタ５５、低雑音増
幅器であるＩＣ５６がそれぞれ実装された構成となって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
携帯無線機の受信部における周波数変換部では、ダブル
バランスミキサ自体は技術の進歩によりＩＣ化及びパッ
ケージの小型化が進み小型軽量化を維持しているが、バ
ランは２つの穴が形成されたフェライト材に巻線を巻い
て構成し樹脂性の台座に装着されたもので、その大きさ
は５ｍｍ×５ｍｍ程度が現在得られる最小のものであ
る。したがって、携帯無線機の小型化、薄型化、軽量化
などを阻害する要因となっていた。
携帯無線機の受信部における周波数変換部では、ダブル
バランスミキサ自体は技術の進歩によりＩＣ化及びパッ
ケージの小型化が進み小型軽量化を維持しているが、バ
ランは２つの穴が形成されたフェライト材に巻線を巻い
て構成し樹脂性の台座に装着されたもので、その大きさ
は５ｍｍ×５ｍｍ程度が現在得られる最小のものであ
る。したがって、携帯無線機の小型化、薄型化、軽量化
などを阻害する要因となっていた。
【０００６】また、バランはフェライト材に巻線を巻く
工程を必要とし、面実装用とするためには樹脂性の台座
への取り付けも必要となり、組み立てにコストがかかり
携帯無線機の低価格化を阻害する要因ともなっていた。
工程を必要とし、面実装用とするためには樹脂性の台座
への取り付けも必要となり、組み立てにコストがかかり
携帯無線機の低価格化を阻害する要因ともなっていた。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、小型化、薄型化、軽量化、低
価格化を満足する３端子フィルタ、受信モジュール及び
携帯無線機を提供することを目的とする。
めになされたものであり、小型化、薄型化、軽量化、低
価格化を満足する３端子フィルタ、受信モジュール及び
携帯無線機を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の３端子フィルタは、複数のインダクタ及
び複数のコンデンサからなり、高周波信号を入力する入
力端子と、所望の周波数を有する第１の高周波信号を出
力する第１の出力端子と、前記第１の高周波信号と位相
が１８０°反転した第２の高周波信号を出力する第２の
出力端子とを備えることを特徴とする。
るため本発明の３端子フィルタは、複数のインダクタ及
び複数のコンデンサからなり、高周波信号を入力する入
力端子と、所望の周波数を有する第１の高周波信号を出
力する第１の出力端子と、前記第１の高周波信号と位相
が１８０°反転した第２の高周波信号を出力する第２の
出力端子とを備えることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の３端子フィルタは、複数の
誘電体層を積層してなる積層体を備え、前記インダクタ
のうち少なくとも１つを前記積層体の内部に設けたスト
リップライン電極で構成し、前記コンデンサのうち少な
くとも１つを前記積層体の内部に前記誘電体層を挟んで
互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構成する
ことを特徴とする。
誘電体層を積層してなる積層体を備え、前記インダクタ
のうち少なくとも１つを前記積層体の内部に設けたスト
リップライン電極で構成し、前記コンデンサのうち少な
くとも１つを前記積層体の内部に前記誘電体層を挟んで
互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構成する
ことを特徴とする。
【００１０】本発明の受信モジュールは、低雑音増幅
器、ダブルバランスミキサ及び請求項２に記載の３端子
フィルタからなる受信モジュールであって、前記３端子
フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑音増幅器及
び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一方を搭載す
ることを特徴とする。
器、ダブルバランスミキサ及び請求項２に記載の３端子
フィルタからなる受信モジュールであって、前記３端子
フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑音増幅器及
び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一方を搭載す
ることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の受信モジュールは、前記３
端子フィルタを構成する前記積層体に設けたキャビティ
内に前記低雑音増幅器及びダブルバランスミキサの少な
くとも一方を搭載することを特徴とする。
端子フィルタを構成する前記積層体に設けたキャビティ
内に前記低雑音増幅器及びダブルバランスミキサの少な
くとも一方を搭載することを特徴とする。
【００１２】本発明の携帯無線機は、アンテナ、低雑音
増幅器、３端子フィルタ、ダブルバランスミキサ及び復
調部で構成され、前記３端子フィルタに、上述の３端子
フィルタを用いることを特徴とする。
増幅器、３端子フィルタ、ダブルバランスミキサ及び復
調部で構成され、前記３端子フィルタに、上述の３端子
フィルタを用いることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の携帯無線機は、アンテナ、
受信モジュール及び復調部で構成され、前記受信モジュ
ールに、上述の受信モジュールを用いることを特徴とす
る。
受信モジュール及び復調部で構成され、前記受信モジュ
ールに、上述の受信モジュールを用いることを特徴とす
る。
【００１４】本発明の３端子フィルタによれば、高周波
信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する第１
の高周波信号を出力する第１の出力端子と、第１の高周
波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波信号を出
力する第２の出力端子とを備えるため、不要な信号であ
るイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平衡信
号を平衡信号へ変換することが可能となる。
信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する第１
の高周波信号を出力する第１の出力端子と、第１の高周
波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波信号を出
力する第２の出力端子とを備えるため、不要な信号であ
るイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平衡信
号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【００１５】本発明の受信モジュールによれば、３端子
フィルタを内蔵した積層体に低雑音増幅器及びダブルバ
ランスミキサの少なくとも一方を搭載するため、小型化
が可能である。
フィルタを内蔵した積層体に低雑音増幅器及びダブルバ
ランスミキサの少なくとも一方を搭載するため、小型化
が可能である。
【００１６】本発明の携帯無線機によれば、小型の３端
子フィルタあるいは受信モジュールを用いるため、小型
化が可能である。
子フィルタあるいは受信モジュールを用いるため、小型
化が可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の３端子フィルタに係
る第１の実施例の等価回路図である。３端子フィルタ１
０は、インダクタＬ１１〜Ｌ１３及びコンデンサＣ１１
〜Ｃ１４からなり、高周波信号ＲＦを入力する入力端子
Ｐｉ、第１の高周波信号ＲＦ１を出力する第１の出力端
子Ｐｏ１、第２の高周波信号ＲＦ２を出力する第２の出
力端子Ｐｏ２を備える。
施例を説明する。図１は、本発明の３端子フィルタに係
る第１の実施例の等価回路図である。３端子フィルタ１
０は、インダクタＬ１１〜Ｌ１３及びコンデンサＣ１１
〜Ｃ１４からなり、高周波信号ＲＦを入力する入力端子
Ｐｉ、第１の高周波信号ＲＦ１を出力する第１の出力端
子Ｐｏ１、第２の高周波信号ＲＦ２を出力する第２の出
力端子Ｐｏ２を備える。
【００１８】以下、この３端子フィルタ１０の動作につ
いて説明する。入力端子Ｐｉから入力した高周波信号Ｒ
Ｆは、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１，
Ｃ１２で構成される高域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサＣ１３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として
第１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ１３
を通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子
Ｐｏ２から出力される。
いて説明する。入力端子Ｐｉから入力した高周波信号Ｒ
Ｆは、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１，
Ｃ１２で構成される高域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサＣ１３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として
第１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ１３
を通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子
Ｐｏ２から出力される。
【００１９】この際、第２の高周波信号ＲＦ２の位相
は、インダクタＬ１３を通るため、第１の高周波信号Ｒ
Ｆ１の位相と比較して１８０°反転する。また、３端子
フィルタ１０は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデン
サＣ１１，Ｃ１２で高域通過フィルタを構成しているた
め、ダブルバランスミキサでのミキシングがローワーロ
ーカル(Lower Local)で行われる場合に使用し、所望の
高周波信号ＲＦよりも低いイメージ周波数を減衰させ
る。
は、インダクタＬ１３を通るため、第１の高周波信号Ｒ
Ｆ１の位相と比較して１８０°反転する。また、３端子
フィルタ１０は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデン
サＣ１１，Ｃ１２で高域通過フィルタを構成しているた
め、ダブルバランスミキサでのミキシングがローワーロ
ーカル(Lower Local)で行われる場合に使用し、所望の
高周波信号ＲＦよりも低いイメージ周波数を減衰させ
る。
【００２０】図２は、図１の等価回路を有する３端子フ
ィルタの分解斜視図である。３端子フィルタ１０は積層
体１１を備え、積層体１１の上面から下面に架けて、外
部端子Ｔ１１〜Ｔ１４が設けられる。この際、外部端子
Ｔ１１が３端子フィルタ１０の入力端子Ｐｉ（図１）、
外部端子Ｔ１２，Ｔ１４が３端子フィルタ１０の第１、
第２の出力端子Ｐｏ１，Ｐｏ２（図１）、外部端子Ｔ１
３がグランド端子となる。
ィルタの分解斜視図である。３端子フィルタ１０は積層
体１１を備え、積層体１１の上面から下面に架けて、外
部端子Ｔ１１〜Ｔ１４が設けられる。この際、外部端子
Ｔ１１が３端子フィルタ１０の入力端子Ｐｉ（図１）、
外部端子Ｔ１２，Ｔ１４が３端子フィルタ１０の第１、
第２の出力端子Ｐｏ１，Ｐｏ２（図１）、外部端子Ｔ１
３がグランド端子となる。
【００２１】積層体１１は例えば、８５０℃〜１０００
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第１〜第５の誘電体層１１１〜１１５を順次積層し、
焼成することによって形成される。
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第１〜第５の誘電体層１１１〜１１５を順次積層し、
焼成することによって形成される。
【００２２】第１の誘電体層１１１上には、チップ部品
からなるインダクタＬ１３、コンデンサＣ１２〜Ｃ１４
を実装するためのランドＬａ１が形成される。また、第
２、第３の誘電体層１１２，１１３上には、コンデンサ
電極Ｃｐ１，Ｃｐ２が形成される。
からなるインダクタＬ１３、コンデンサＣ１２〜Ｃ１４
を実装するためのランドＬａ１が形成される。また、第
２、第３の誘電体層１１２，１１３上には、コンデンサ
電極Ｃｐ１，Ｃｐ２が形成される。
【００２３】さらに、第４の誘電体層１１４上には、ス
トリップライン電極ＳＴ１，ＳＴ２が形成される。ま
た、第５の誘電体層１１５上には、グランド電極Ｇｐが
形成される。さらに、第１〜第４の誘電体層１１１〜１
１４には、各誘電体層１１１〜１１４を貫通するように
ビアホール電極Ｖｈ１が形成される。
トリップライン電極ＳＴ１，ＳＴ２が形成される。ま
た、第５の誘電体層１１５上には、グランド電極Ｇｐが
形成される。さらに、第１〜第４の誘電体層１１１〜１
１４には、各誘電体層１１１〜１１４を貫通するように
ビアホール電極Ｖｈ１が形成される。
【００２４】そして、ストリップライン電極ＳＴ１，Ｓ
Ｔ２とグランド電極Ｇｐとでマイクロストリップライン
型のインダクタＬ１１，Ｌ１２をそれぞれ構成する。ま
た、第２の誘電体層１１２を挟んで互いに対向している
コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２でコンデンサＣ１１を構
成する。
Ｔ２とグランド電極Ｇｐとでマイクロストリップライン
型のインダクタＬ１１，Ｌ１２をそれぞれ構成する。ま
た、第２の誘電体層１１２を挟んで互いに対向している
コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２でコンデンサＣ１１を構
成する。
【００２５】さらに、積層体１１に内蔵されたストリッ
プライン電極ＳＴ１，ＳＴ２、コンデンサ電極Ｃｐ１，
Ｃｐ２、積層体１１に搭載されたチップ部品であるイン
ダクタＬ１３、コンデンサＣ１２〜Ｃ１４は、積層体１
１に内蔵されたビアホール電極Ｖｈ１によりそれぞれ接
続される。
プライン電極ＳＴ１，ＳＴ２、コンデンサ電極Ｃｐ１，
Ｃｐ２、積層体１１に搭載されたチップ部品であるイン
ダクタＬ１３、コンデンサＣ１２〜Ｃ１４は、積層体１
１に内蔵されたビアホール電極Ｖｈ１によりそれぞれ接
続される。
【００２６】図３は、本発明の３端子フィルタに係る第
２の実施例の等価回路図である。３端子フィルタ２０
は、インダクタＬ２１〜Ｌ２３及びコンデンサＣ２１〜
Ｃ２４からなり、高周波信号ＲＦを入力する入力端子Ｐ
ｉ、第１の高周波信号ＲＦ１を出力する第１の出力端子
Ｐｏ１、第２の高周波信号ＲＦ２を出力する第２の出力
端子Ｐｏ２を備える。
２の実施例の等価回路図である。３端子フィルタ２０
は、インダクタＬ２１〜Ｌ２３及びコンデンサＣ２１〜
Ｃ２４からなり、高周波信号ＲＦを入力する入力端子Ｐ
ｉ、第１の高周波信号ＲＦ１を出力する第１の出力端子
Ｐｏ１、第２の高周波信号ＲＦ２を出力する第２の出力
端子Ｐｏ２を備える。
【００２７】以下、この３端子フィルタ２０の動作につ
いて説明する。入力端子Ｐｉから入力した高周波信号Ｒ
Ｆは、インダクタＬ２１，Ｌ２２、コンデンサＣ２１，
Ｃ２２で構成される低域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサＣ２３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として
第１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ２３
を通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子
Ｐｏ２から出力される。
いて説明する。入力端子Ｐｉから入力した高周波信号Ｒ
Ｆは、インダクタＬ２１，Ｌ２２、コンデンサＣ２１，
Ｃ２２で構成される低域通過フィルタを通過した後、コ
ンデンサＣ２３を通って第１の高周波信号ＲＦ１として
第１の出力端子Ｐｏ１から出力され、インダクタＬ２３
を通って第２の高周波信号ＲＦ２として第２の出力端子
Ｐｏ２から出力される。
【００２８】この際、第２の高周波信号ＲＦ２の位相
は、インダクタＬ２３を通るため、第１の高周波信号Ｒ
Ｆ１の位相と比較して１８０°反転する。また、３端子
フィルタ２０は、インダクタＬ２１，Ｌ２２、コンデン
サＣ２１，Ｃ２２で低域通過フィルタを構成しているた
め、後段のダブルバランスミキサでのミキシングがアッ
パーローカル(Upper Local)で行われる場合に使用し、
所望の高周波信号ＲＦよりも高いイメージ周波数を減衰
させる。
は、インダクタＬ２３を通るため、第１の高周波信号Ｒ
Ｆ１の位相と比較して１８０°反転する。また、３端子
フィルタ２０は、インダクタＬ２１，Ｌ２２、コンデン
サＣ２１，Ｃ２２で低域通過フィルタを構成しているた
め、後段のダブルバランスミキサでのミキシングがアッ
パーローカル(Upper Local)で行われる場合に使用し、
所望の高周波信号ＲＦよりも高いイメージ周波数を減衰
させる。
【００２９】上述の実施例の３端子フィルタによれば、
高周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数の第１
の高周波信号を出力する第１の出力端子と、前記第１の
高周波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波信号
を出力する第２の出力端子とを備えるため、不要な信号
であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平
衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
高周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数の第１
の高周波信号を出力する第１の出力端子と、前記第１の
高周波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波信号
を出力する第２の出力端子とを備えるため、不要な信号
であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、不平
衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【００３０】したがって、フィルタ機能とバラン機能と
を１つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ＋バランに比べ約２／３程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
を１つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ＋バランに比べ約２／３程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
【００３１】また、３端子フィルタを構成するインダク
タ、コンデンサを積層体に内蔵するため、各構成部品を
接続する配線の引き回し量を少なくできる。したがっ
て、各配線での信号損失を減少させ、雑音指数を改善す
ることができる。
タ、コンデンサを積層体に内蔵するため、各構成部品を
接続する配線の引き回し量を少なくできる。したがっ
て、各配線での信号損失を減少させ、雑音指数を改善す
ることができる。
【００３２】図４は、本発明の受信モジュールに係る一
実施例のブロック図である。受信モジュール３０は、低
雑音増幅器３１、３端子フィルタ３２、ダブルバランス
ミキサ３３、第１〜第５の端子Ｐ１〜Ｐ５で構成され、
低雑音増幅器３１の後段に３端子フィルタ３２とダブル
バランスミキサ３３とを順次接続したものである。
実施例のブロック図である。受信モジュール３０は、低
雑音増幅器３１、３端子フィルタ３２、ダブルバランス
ミキサ３３、第１〜第５の端子Ｐ１〜Ｐ５で構成され、
低雑音増幅器３１の後段に３端子フィルタ３２とダブル
バランスミキサ３３とを順次接続したものである。
【００３３】なお、３端子フィルタ３２の等価回路は、
図１に示す３端子フィルタ１０の等価回路と同様の回路
構成をなす。
図１に示す３端子フィルタ１０の等価回路と同様の回路
構成をなす。
【００３４】以下、この受信モジュール３０の動作につ
いて説明する。第１の端子Ｐ１の前段に接続されたアン
テナ（図示せず）で受信された高周波信号ＲＦ´は、低
雑音増幅器３１で増幅された後、３端子フィルタ３２に
入り、第１、第２の高周波信号ＲＦ１，ＲＦ２に変換さ
れる。その後、ダブルバランスミキサ３３で局部発振回
路ＬｏからバランＢＡＬ１を介した第１、第２の局部発
振信号Ｌｏ１，Ｌｏ２と混合され、第１、第２の中間周
波数ＩＦ１，ＩＦ２となってバランＢＡＬ２を介して後
段の復調部ＤＥＭに入る。
いて説明する。第１の端子Ｐ１の前段に接続されたアン
テナ（図示せず）で受信された高周波信号ＲＦ´は、低
雑音増幅器３１で増幅された後、３端子フィルタ３２に
入り、第１、第２の高周波信号ＲＦ１，ＲＦ２に変換さ
れる。その後、ダブルバランスミキサ３３で局部発振回
路ＬｏからバランＢＡＬ１を介した第１、第２の局部発
振信号Ｌｏ１，Ｌｏ２と混合され、第１、第２の中間周
波数ＩＦ１，ＩＦ２となってバランＢＡＬ２を介して後
段の復調部ＤＥＭに入る。
【００３５】図５は、図４における受信モジュールのみ
の分解斜視図である。なお、図２と同一もしくは同等の
部分には同一番号を付し、詳細な説明は省略する。
の分解斜視図である。なお、図２と同一もしくは同等の
部分には同一番号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３６】受信モジュール３０は積層体３４を備え、
積層体３４の上面から下面に架けて、外部端子Ｔ２１〜
Ｔ２６が設けられる。この際、外部端子Ｔ２１〜Ｔ２５
が受信モジュール３０の第１の端子Ｐ１、第３の端子Ｐ
３、第５の端子Ｐ５、第４の端子Ｐ４、第２の端子Ｐ２
（図４）、外部端子Ｔ２６がグランド端子となる。
積層体３４の上面から下面に架けて、外部端子Ｔ２１〜
Ｔ２６が設けられる。この際、外部端子Ｔ２１〜Ｔ２５
が受信モジュール３０の第１の端子Ｐ１、第３の端子Ｐ
３、第５の端子Ｐ５、第４の端子Ｐ４、第２の端子Ｐ２
（図４）、外部端子Ｔ２６がグランド端子となる。
【００３７】積層体３４は例えば、８５０℃〜１０００
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第１〜第６の誘電体層３４１〜３４６を順次積層し、
焼成することによって形成される。
℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウ
ム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックスからな
る第１〜第６の誘電体層３４１〜３４６を順次積層し、
焼成することによって形成される。
【００３８】第１の誘電体層３４１上には、ＩＣからな
る低雑音増幅器３１、ダブルバランスミキサ３３、及び
チップ部品からなる３端子フィルタ３２のインダクタＬ
２３、コンデンサＣ２２〜Ｃ２４をそれぞれ実装するた
めのランドＬａ２が形成される。また、第２の誘電体層
３４２上には、接続用の配線Ｌｉが形成される。
る低雑音増幅器３１、ダブルバランスミキサ３３、及び
チップ部品からなる３端子フィルタ３２のインダクタＬ
２３、コンデンサＣ２２〜Ｃ２４をそれぞれ実装するた
めのランドＬａ２が形成される。また、第２の誘電体層
３４２上には、接続用の配線Ｌｉが形成される。
【００３９】さらに、第３、第４の誘電体層３４３，３
４４上には、コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２が形成され
る。また、第５の誘電体層３４５上には、ストリップラ
イン電極ＳＴ１，ＳＴ２が形成される。
４４上には、コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２が形成され
る。また、第５の誘電体層３４５上には、ストリップラ
イン電極ＳＴ１，ＳＴ２が形成される。
【００４０】さらに、第６の誘電体層３４６上には、グ
ランド電極Ｇｐが形成される。さらに、第１〜第５の誘
電体層３４１〜３４５には、各誘電体層３４１〜３４５
を貫通するようにビアホール電極Ｖｈ２が形成される。
ランド電極Ｇｐが形成される。さらに、第１〜第５の誘
電体層３４１〜３４５には、各誘電体層３４１〜３４５
を貫通するようにビアホール電極Ｖｈ２が形成される。
【００４１】そして、ストリップライン電極ＳＴ１，Ｓ
Ｔ２とグランド電極Ｇｐとで３端子フィルタ３２のイン
ダクタＬ２１，Ｌ２２をそれぞれ構成する。また、第３
の誘電体層３４３を挟んで互いに対向しているコンデン
サ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２で３端子フィルタ３２のコンデン
サＣ２１を構成する。
Ｔ２とグランド電極Ｇｐとで３端子フィルタ３２のイン
ダクタＬ２１，Ｌ２２をそれぞれ構成する。また、第３
の誘電体層３４３を挟んで互いに対向しているコンデン
サ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２で３端子フィルタ３２のコンデン
サＣ２１を構成する。
【００４２】さらに、積層体３４に内蔵されたストリッ
プライン電極ＳＴ１，ＳＴ２、コンデンサ電極Ｃｐ１，
Ｃｐ２、積層体３４に搭載された低雑音増幅器３１、ダ
ブルバランスミキサ３３、及び３端子フィルタ３２のイ
ンダクタＬ２３、コンデンサＣ２２〜Ｃ２４は、積層体
３４に内蔵されたビアホール電極Ｖｈ２によりそれぞれ
接続される。
プライン電極ＳＴ１，ＳＴ２、コンデンサ電極Ｃｐ１，
Ｃｐ２、積層体３４に搭載された低雑音増幅器３１、ダ
ブルバランスミキサ３３、及び３端子フィルタ３２のイ
ンダクタＬ２３、コンデンサＣ２２〜Ｃ２４は、積層体
３４に内蔵されたビアホール電極Ｖｈ２によりそれぞれ
接続される。
【００４３】図６は、図５の受信モジュールの変形例を
示す断面図である。受信モジュール３０ａは、図５の実
施例の受信モジュール３０と比較して、低雑音増幅器３
１、ダブルバランスミキサ３３を積層体３４ａの裏面に
設けたキャビティ３５に搭載する点で異なる。
示す断面図である。受信モジュール３０ａは、図５の実
施例の受信モジュール３０と比較して、低雑音増幅器３
１、ダブルバランスミキサ３３を積層体３４ａの裏面に
設けたキャビティ３５に搭載する点で異なる。
【００４４】なお、キャビティ３５は、図５の第６の誘
電体層３４６下にキャビティ３５が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層（図示せず）をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ３５は、低雑音
増幅器３１、ダブルバランスミキサ３３が搭載された
後、樹脂３６を充填することで封止される。
電体層３４６下にキャビティ３５が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層（図示せず）をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ３５は、低雑音
増幅器３１、ダブルバランスミキサ３３が搭載された
後、樹脂３６を充填することで封止される。
【００４５】上述の実施例の受信モジュールによれば、
３端子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵
した積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭
載するため、低雑音増幅器、３端子フィルタ、ダブルバ
ランスミキサの間の各配線を積層体の内部に設けること
ができる。したがって、各配線での損失を低減できるた
め、良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ること
ができる。
３端子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵
した積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭
載するため、低雑音増幅器、３端子フィルタ、ダブルバ
ランスミキサの間の各配線を積層体の内部に設けること
ができる。したがって、各配線での損失を低減できるた
め、良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ること
ができる。
【００４６】また、低雑音増幅器＋高周波フィルタ＋バ
ラン＋ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
ラン＋ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
【００４７】さらに、図６の変形例では、ＩＣからなる
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを、３端子フィル
タのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に
設けられたキャビティに搭載するため、積層体の表面に
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことが
なくなる。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミ
キサが積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジ
ュールの信頼性が向上するとともに、受信モジュールの
薄型化が可能になる。
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを、３端子フィル
タのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に
設けられたキャビティに搭載するため、積層体の表面に
低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことが
なくなる。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミ
キサが積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジ
ュールの信頼性が向上するとともに、受信モジュールの
薄型化が可能になる。
【００４８】図７は、本発明の携帯無線機に係る一実施
例のブロック図である。携帯無線機である携帯電話４０
は、アンテナＡＮＴ、スイッチＳＷを介してアンテナＡ
ＮＴに接続される受信部Ｒｘ及び送信部Ｔｘ、並びにス
イッチＳＷ、受信部Ｒｘ及び送信部Ｔｘをカバーする筐
体ＣＯＶを備える。
例のブロック図である。携帯無線機である携帯電話４０
は、アンテナＡＮＴ、スイッチＳＷを介してアンテナＡ
ＮＴに接続される受信部Ｒｘ及び送信部Ｔｘ、並びにス
イッチＳＷ、受信部Ｒｘ及び送信部Ｔｘをカバーする筐
体ＣＯＶを備える。
【００４９】この際、受信部Ｒｘは、低雑音増幅器４
１、３端子フィルタ４２、ダブルバランスミキサ４３、
復調部４４を備え、送信部Ｔｘは、高出力増幅器４５、
帯域通過フィルタ４６、ミキサ４７、変調部４８を備え
る。また、受信部Ｒｘのダブルバランスミキサ４３及び
送信部Ｔｘのミキサ４７の一方の入力には局部発振信号
を発生する局部発振回路４９が接続される。
１、３端子フィルタ４２、ダブルバランスミキサ４３、
復調部４４を備え、送信部Ｔｘは、高出力増幅器４５、
帯域通過フィルタ４６、ミキサ４７、変調部４８を備え
る。また、受信部Ｒｘのダブルバランスミキサ４３及び
送信部Ｔｘのミキサ４７の一方の入力には局部発振信号
を発生する局部発振回路４９が接続される。
【００５０】そして、携帯電話の受信部Ｒｘの３端子フ
ィルタ４２に、図１の３端子フィルタ１０や図３の３端
子フィルタ２０を用いたり、携帯電話の受信部Ｒｘの低
雑音増幅器４１、３端子フィルタ４２及びダブルバラン
スミキサ４４に、図５の受信モジュール３０や図６の受
信モジュール３０ａを用いるものである。
ィルタ４２に、図１の３端子フィルタ１０や図３の３端
子フィルタ２０を用いたり、携帯電話の受信部Ｒｘの低
雑音増幅器４１、３端子フィルタ４２及びダブルバラン
スミキサ４４に、図５の受信モジュール３０や図６の受
信モジュール３０ａを用いるものである。
【００５１】上述の実施例の携帯無線機によれば、小型
で、低コストの３端子フィルタあるいは受信モジュール
を用いるため、小型化、低コスト化が容易に可能であ
る。また、良好な受信特性を備えた３端子フィルタや受
信モジュールを用いるため、携帯無線機の受信特性の劣
化を防止することができ、携帯無線機の信頼性の向上が
可能となる。
で、低コストの３端子フィルタあるいは受信モジュール
を用いるため、小型化、低コスト化が容易に可能であ
る。また、良好な受信特性を備えた３端子フィルタや受
信モジュールを用いるため、携帯無線機の受信特性の劣
化を防止することができ、携帯無線機の信頼性の向上が
可能となる。
【００５２】なお、上述の３端子フィルタ及び受信モジ
ュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化ア
ルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合に
ついて説明したが、比誘電率（εｒ）が１以上であれば
何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリカ
を主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等でも
同様の効果が得られる。
ュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化ア
ルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合に
ついて説明したが、比誘電率（εｒ）が１以上であれば
何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリカ
を主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等でも
同様の効果が得られる。
【００５３】上述の３端子フィルタの実施例では、図１
及び図３のように高域通過フィルタ、低域通過フィルタ
を構成する部分が１段の場合について説明したが、必要
に応じて複数段であってもよい。
及び図３のように高域通過フィルタ、低域通過フィルタ
を構成する部分が１段の場合について説明したが、必要
に応じて複数段であってもよい。
【００５４】上述の受信モジュールの実施例では、ダブ
ルバランスミキサでのミキシングがローワーローカルで
行われる際に用いられる３端子フィルタ（図１）を備え
た場合について説明したが、ダブルバランスミキサでの
ミキシングがアッパーローカルで行われる際に用いられ
る３端子フィルタ（図３）を備えた場合でも同様の効果
が得られる。
ルバランスミキサでのミキシングがローワーローカルで
行われる際に用いられる３端子フィルタ（図１）を備え
た場合について説明したが、ダブルバランスミキサでの
ミキシングがアッパーローカルで行われる際に用いられ
る３端子フィルタ（図３）を備えた場合でも同様の効果
が得られる。
【００５５】また、低雑音増幅器とダブルバランスミキ
サとがともに積層体に搭載される場合について説明した
が、いずれか一方が積層体に搭載されていてもよい。
サとがともに積層体に搭載される場合について説明した
が、いずれか一方が積層体に搭載されていてもよい。
【００５６】上述の受信モジュールの変形例では、樹脂
を充填することによりキャビティを封入する場合につい
て説明したが、金属あるいはセラミックスからなるキャ
ップによりキャビティを封入してもよい。この場合に
は、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサをベアチップ
の状態で搭載することが可能となり、その結果、受信モ
ジュールのより低コスト化が達成できる。
を充填することによりキャビティを封入する場合につい
て説明したが、金属あるいはセラミックスからなるキャ
ップによりキャビティを封入してもよい。この場合に
は、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサをベアチップ
の状態で搭載することが可能となり、その結果、受信モ
ジュールのより低コスト化が達成できる。
【００５７】
【発明の効果】請求項１の３端子フィルタによれば、高
周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する
第１の高周波信号を出力する第１の出力端子と、前記第
１の高周波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波
信号を出力する第２の出力端子とを備えるため、不要な
信号であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、
不平衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
周波信号を入力する入力端子と、所望の周波数を有する
第１の高周波信号を出力する第１の出力端子と、前記第
１の高周波信号と位相が１８０°反転した第２の高周波
信号を出力する第２の出力端子とを備えるため、不要な
信号であるイメージ周波数の信号を除去するとともに、
不平衡信号を平衡信号へ変換することが可能となる。
【００５８】したがって、フィルタ機能とバラン機能と
を１つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ＋バランに比べ約２／３程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
を１つで補うことができるため、実装面積が従来のフィ
ルタ＋バランに比べ約２／３程度となり、小型化が可能
になる。また、部品点数を低減することができるため、
低コスト化が可能になる。
【００５９】請求項２の３端子フィルタによれば、３端
子フィルタを構成するインダクタ、コンデンサを積層体
に内蔵するため、各構成部品を接続する配線の引き回し
量を少なくできる。したがって、各配線での信号損失を
減少させ、雑音指数を改善することができる。
子フィルタを構成するインダクタ、コンデンサを積層体
に内蔵するため、各構成部品を接続する配線の引き回し
量を少なくできる。したがって、各配線での信号損失を
減少させ、雑音指数を改善することができる。
【００６０】請求項３の受信モジュールによれば、３端
子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した
積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭載す
るため、低雑音増幅器、３端子フィルタ、ダブルバラン
スミキサの間の各配線を積層体の内部に設けることがで
きる。したがって、各配線での損失を低減できるため、
良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ることがで
きる。
子フィルタのインダクタ、コンデンサの一部を内蔵した
積層体に低雑音増幅器、ダブルバランスミキサを搭載す
るため、低雑音増幅器、３端子フィルタ、ダブルバラン
スミキサの間の各配線を積層体の内部に設けることがで
きる。したがって、各配線での損失を低減できるため、
良好な受信特性を備えた受信モジュールを得ることがで
きる。
【００６１】また、低雑音増幅器＋高周波フィルタ＋バ
ラン＋ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
ラン＋ダブルバランスミキサで構成していた従来の受信
モジュールに比べ、部品点数を低減することができるた
め、低コスト化及び軽量化が可能になる。
【００６２】請求項４の受信モジュールによれば、低雑
音増幅器、ダブルバランスミキサを３端子フィルタのイ
ンダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に設けら
れたキャビティに搭載するため、積層体の表面に低雑音
増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことがなくな
る。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが
積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジュール
の信頼性が向上するとともに、受信モジュールの薄型化
が可能になる。
音増幅器、ダブルバランスミキサを３端子フィルタのイ
ンダクタ、コンデンサの一部を内蔵した積層体に設けら
れたキャビティに搭載するため、積層体の表面に低雑音
増幅器、ダブルバランスミキサが飛び出すことがなくな
る。その結果、低雑音増幅器、ダブルバランスミキサが
積層体から剥がれる恐れが少なくなり、受信モジュール
の信頼性が向上するとともに、受信モジュールの薄型化
が可能になる。
【００６３】請求項５の携帯無線機によれば、小型で、
低コストの３端子フィルタを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。
低コストの３端子フィルタを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。
【００６４】請求項６の携帯無線機によれば、小型で、
低コストの受信モジュールを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。また、良好な
受信特性を備えた受信モジュールを用いるため、携帯無
線機の受信特性の劣化を防止することができ、携帯無線
機の信頼性の向上が可能となる。
低コストの受信モジュールを用いるため、携帯無線機の
小型化、低コスト化が容易に可能である。また、良好な
受信特性を備えた受信モジュールを用いるため、携帯無
線機の受信特性の劣化を防止することができ、携帯無線
機の信頼性の向上が可能となる。
【図１】本発明の３端子フィルタに係る第１の実施例の
等価回路図である。
等価回路図である。
【図２】図１の第１の実施例の等価回路図を備えた３端
子フィルタの分解斜視図である。
子フィルタの分解斜視図である。
【図３】本発明の３端子フィルタに係る第２の実施例の
等価回路図である。
等価回路図である。
【図４】本発明の受信モジュールに係る一実施例のブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】図４における受信モジュールのみの分解斜視図
である。
である。
【図６】図５の受信モジュールの変形例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の携帯無線機に係る一実施例のブロック
図である。
図である。
【図８】一般的な携帯電話における受信部の周波数変換
部のブロック図である。
部のブロック図である。
【図９】従来の携帯電話における受信部の周波数変換部
の斜視図である。
の斜視図である。
１０，２０，３２，４２ ３端子フィルタ １１，３４，３４ａ 積層体 １１１〜１１５，３４１〜３４６ 誘電体層 ３０，３０ａ 受信モジュール ３１，４１ 低雑音増幅器 ３３，４３ ダブルバランスミキサ ３５ キャビティ ４０ 携帯電話（携帯無線機） Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４ コンデンサ Ｃｐ１，Ｃｐ２ コンデンサ電極 Ｌ１１〜Ｌ１３，Ｌ２１〜Ｌ２３ インダクタ Ｐｉ 入力端子 Ｐｏ１，Ｐｏ２ 出力端子 ＲＦ，ＲＦ１，ＲＦ２ 高周波信号 ＳＴ１，ＳＴ２ ストリップライン電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E082 AB03 BB01 DD07 DD13 FG26 JJ09 JJ15 5J024 AA01 BA01 BA19 CA09 DA01 DA28 DA29 DA35 EA02
Claims (6)
- 【請求項１】 複数のインダクタ及び複数のコンデンサ
からなり、高周波信号を入力する入力端子と、所望の周
波数を有する第１の高周波信号を出力する第１の出力端
子と、前記第１の高周波信号と位相が１８０°反転した
第２の高周波信号を出力する第２の出力端子とを備える
ことを特徴とする３端子フィルタ。 - 【請求項２】 複数の誘電体層を積層してなる積層体を
備え、前記インダクタのうち少なくとも１つを前記積層
体の内部に設けたストリップライン電極で構成し、前記
コンデンサのうち少なくとも１つを前記積層体の内部に
前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けた複数のコン
デンサ電極で構成することを特徴とする請求項１に記載
の３端子フィルタ。 - 【請求項３】 低雑音増幅器、ダブルバランスミキサ及
び請求項２に記載の３端子フィルタからなる受信モジュ
ールであって、 前記３端子フィルタを構成する前記積層体に、前記低雑
音増幅器及び前記ダブルバランスミキサの少なくとも一
方を搭載することを特徴とする受信モジュール。 - 【請求項４】 前記３端子フィルタを構成する前記積層
体に設けたキャビティ内に前記低雑音増幅器及びダブル
バランスミキサの少なくとも一方を搭載することを特徴
とする請求項３に記載の受信モジュール。 - 【請求項５】 アンテナ、低雑音増幅器、３端子フィル
タ、ダブルバランスミキサ及び復調部で構成され、 前記３端子フィルタに、請求項１あるいは請求項２に記
載の３端子フィルタを用いることを特徴とする携帯無線
機。 - 【請求項６】 アンテナ、受信モジュール及び復調部で
構成され、 前記受信モジュールに、請求項３あるいは請求項４に記
載の受信モジュールを用いることを特徴とする携帯無線
機。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232638A JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
| EP00116960A EP1077528A3 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-07 | Three-terminal filter, receiving module, and portable radio apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232638A JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060839A true JP2001060839A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16942447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11232638A Pending JP2001060839A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1077528A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001060839A (ja) |
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| WO2004038913A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Hitachi Metals, Ltd. | 平衡−不平衡型マルチバンドフィルタモジュール |
| US7898362B2 (en) | 2005-02-16 | 2011-03-01 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passband filter |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4042860B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2008-02-06 | 太陽誘電株式会社 | バラン |
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| JPS5869106A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Maspro Denkoh Corp | 分波器 |
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