JP4134129B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第1の周波数帯域における受信信号である第1の受信信号を出力する第1の受信信号端子と、
第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号である第2の受信信号を出力する第2の受信信号端子と、
第1の周波数帯域における送信信号である第1の送信信号が入力される第1の送信信号端子と、
第2の周波数帯域における送信信号である第2の送信信号が入力される第2の送信信号端子と、
アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
第1および第2の受信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第1のダイプレクサと、
第1および第2の送信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第2のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備えている。
[第1の実施の形態]
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、無線LAN用の通信装置に用いられ、第1の周波数帯域における受信信号および送信信号と、第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号および送信信号とを処理するものである。第1の周波数帯域は、例えばIEEE802.11bにおいて使用される2.4GHz帯である。第2の周波数帯域は、例えばIEEE802.11aやIEEE802.11gにおいて使用される5GHz帯である。また、本実施の形態に係る高周波モジュールは、ダイバシティに対応可能なものである。
次に、図30ないし図34を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。まず、図30を参照して、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成について説明する。図30は、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る高周波モジュール501の回路構成は、基本的には、図4に示した高周波回路部の回路構成と同じである。本実施の形態に係る高周波モジュール501は、第1の実施の形態に係る高周波モジュール1における端子RX1,RX2,TX1,TX2を備えていない。代わりに、本実施の形態に係る高周波モジュール501は、平衡信号の形態の第1の受信信号を出力する2つの第1の受信信号端子RX11,RX12と、平衡信号の形態の第2の受信信号を出力する2つの第2の受信信号端子RX21,RX22と、平衡信号の形態の第1の送信信号が入力される2つの第1の送信信号端子TX11,TX12と、平衡信号の形態の第2の送信信号が入力される2つの第2の送信信号端子TX21,TX22とを備えている。
Claims (11)
- アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第1の周波数帯域における受信信号である第1の受信信号を出力する第1の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号である第2の受信信号を出力する第2の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域における送信信号である第1の送信信号が入力される第1の送信信号端子と、
前記第2の周波数帯域における送信信号である第2の送信信号が入力される第2の送信信号端子と、
前記アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
前記第1および第2の受信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第1のダイプレクサと、
前記第1および第2の送信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第2のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備え、
前記スイッチ回路は、前記第1および第2のダイプレクサのいずれかを前記アンテナ端子に接続するものであり、
前記第1のダイプレクサは、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第1の受信信号を通過させて前記第1の受信信号端子に送る第1の受信用バンドパスフィルタと、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第2の受信信号を通過させて前記第2の受信信号端子に送る第2の受信用バンドパスフィルタとを有し、
前記第2のダイプレクサは、前記第1の送信信号端子に入力された第1の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第1の送信用バンドパスフィルタと、前記第2の送信信号端子に入力された第2の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第2の送信用バンドパスフィルタとを有し、
前記各バンドパスフィルタは、共振回路を用いて構成され、
前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板であり、前記各共振回路は、前記誘電体層と導体層を用いて構成され、
前記スイッチ回路は前記基板に搭載され、前記導体層は、前記スイッチ回路と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層を含むことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成された分布定数線路を含むことを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。
- 前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成されインダクタンスを有する伝送線路を含み、
前記第1の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第2の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交し、
前記第1の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第2の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交していることを特徴とする請求項1または2記載の高周波モジュール。 - 前記基板は、前記第1のダイプレクサに含まれる全ての共振回路と前記第2のダイプレクサに含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の高周波モジュール。
- アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第1の周波数帯域における受信信号である第1の受信信号を出力する第1の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号である第2の受信信号を出力する第2の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域における送信信号である第1の送信信号が入力される第1の送信信号端子と、
前記第2の周波数帯域における送信信号である第2の送信信号が入力される第2の送信信号端子と、
前記アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
前記第1および第2の受信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第1のダイプレクサと、
前記第1および第2の送信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第2のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備え、
前記スイッチ回路は、前記第1および第2のダイプレクサのいずれかを前記アンテナ端子に接続するものであり、
前記第1のダイプレクサは、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第1の受信信号を通過させて前記第1の受信信号端子に送る第1の受信用バンドパスフィルタと、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第2の受信信号を通過させて前記第2の受信信号端子に送る第2の受信用バンドパスフィルタとを有し、
前記第2のダイプレクサは、前記第1の送信信号端子に入力された第1の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第1の送信用バンドパスフィルタと、前記第2の送信信号端子に入力された第2の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第2の送信用バンドパスフィルタとを有し、
前記各バンドパスフィルタは、共振回路を用いて構成され、
前記第1のダイプレクサは、更に、前記第2の受信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第2の受信信号を通過させるローパスフィルタを有し、
前記第2のダイプレクサは、更に、前記第2の送信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第2の送信信号を通過させるローパスフィルタを有することを特徴とする高周波モジュール。 - 更に、
前記第1の受信信号端子と前記第1のダイプレクサとの間に挿入された第1のアンプおよび第3の受信用バンドパスフィルタと、
前記第2の受信信号端子と前記第1のダイプレクサとの間に挿入された第2のアンプおよび第4の受信用バンドパスフィルタと、
前記第1の送信信号端子と前記第2のダイプレクサとの間に挿入された第3のアンプおよび第3の送信用バンドパスフィルタと、
前記第2の送信信号端子と前記第2のダイプレクサとの間に挿入された第4のアンプおよび第4の送信用バンドパスフィルタとを備え、
前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含み、高周波モジュールの構成要素を一体化する積層基板であり、
前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記第1の受信信号端子は、平衡信号の形態の第1の受信信号を出力するものであり、
前記第2の受信信号端子は、平衡信号の形態の第2の受信信号を出力するものであり、
前記第1の送信信号端子は、平衡信号の形態の第1の送信信号が入力されるものであり、
前記第2の送信信号端子は、平衡信号の形態の第2の送信信号が入力されるものであり、
前記第1のダイプレクサは、不平衡信号の形態の第1および第2の受信信号を出力し、
前記第2のダイプレクサには、不平衡信号の形態の第1および第2の送信信号が入力され、
高周波モジュールは、更に、
前記第1のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第1の受信信号を、平衡信号の形態の第1の受信信号に変換して、前記第1の受信信号端子に送る第1のバランと、
前記第1のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第2の受信信号を、平衡信号の形態の第2の受信信号に変換して、前記第2の受信信号端子に送る第2のバランと、
前記第1の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第1の送信信号を、不平衡信号の形態の第1の送信信号に変換して、前記第2のダイプレクサに送る第3のバランと、
前記第2の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第2の送信信号を、不平衡信号の形態の第2の送信信号に変換して、前記第2のダイプレクサに送る第4のバランとを備えたことを特徴とする請求項6記載の高周波モジュール。 - 前記基板は、互いに反対側を向く第1の面と第2の面とを有し、
前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、前記第1の面に搭載され、
高周波モジュールは、高周波モジュールの構成要素の一部を構成すると共に前記第1の面に搭載された複数の受動素子を含むことを特徴とする請求項6または7記載の高周波モジュール。 - 更に、前記第1の面およびこの第1の面に搭載された全ての要素を覆う樹脂層を備えたことを特徴とする請求項8記載の高周波モジュール。
- 前記の全ての端子は、前記第2の面に配置されていることを特徴とする請求項9記載の高周波モジュール。
- 前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、いずれも、前記複数の受動素子のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有するベアチップの形態の半導体素子になっていることを特徴とする請求項8ないし10のいずれかに記載の高周波モジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005279493A JP4134129B2 (ja) | 2004-10-28 | 2005-09-27 | 高周波モジュール |
US11/254,992 US7471930B2 (en) | 2004-10-28 | 2005-10-21 | High frequency module |
EP05023297A EP1655851A3 (en) | 2004-10-28 | 2005-10-25 | High frequency module |
CN2005101188292A CN1767406B (zh) | 2004-10-28 | 2005-10-28 | 高频模块 |
US12/216,303 US7650120B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-07-02 | High frequency module |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004314153 | 2004-10-28 | ||
JP2005279493A JP4134129B2 (ja) | 2004-10-28 | 2005-09-27 | 高周波モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008110763A Division JP2008193739A (ja) | 2004-10-28 | 2008-04-21 | 高周波モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006157880A JP2006157880A (ja) | 2006-06-15 |
JP4134129B2 true JP4134129B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=35744826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005279493A Expired - Fee Related JP4134129B2 (ja) | 2004-10-28 | 2005-09-27 | 高周波モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7471930B2 (ja) |
EP (1) | EP1655851A3 (ja) |
JP (1) | JP4134129B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10102201C2 (de) * | 2001-01-18 | 2003-05-08 | Epcos Ag | Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung |
DE10246098A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Epcos Ag | Schaltungsanordnung |
US7149496B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-12-12 | Kyocera Corporation | High-frequency module and radio communication apparatus |
TWI243543B (en) * | 2003-12-30 | 2005-11-11 | Delta Electronics Inc | Front-end module for multi-band and multi-mode wireless network system |
WO2006003959A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Hitachi Metals, Ltd. | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
JP4134129B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
JP4716047B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-07-06 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
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-
2005
- 2005-09-27 JP JP2005279493A patent/JP4134129B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-21 US US11/254,992 patent/US7471930B2/en active Active
- 2005-10-25 EP EP05023297A patent/EP1655851A3/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-07-02 US US12/216,303 patent/US7650120B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7650120B2 (en) | 2010-01-19 |
US20080285531A1 (en) | 2008-11-20 |
EP1655851A3 (en) | 2012-02-29 |
JP2006157880A (ja) | 2006-06-15 |
EP1655851A2 (en) | 2006-05-10 |
US20060094393A1 (en) | 2006-05-04 |
US7471930B2 (en) | 2008-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080602 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4134129 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140606 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |