CN102166559B - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102166559B CN102166559B CN2011100057896A CN201110005789A CN102166559B CN 102166559 B CN102166559 B CN 102166559B CN 2011100057896 A CN2011100057896 A CN 2011100057896A CN 201110005789 A CN201110005789 A CN 201110005789A CN 102166559 B CN102166559 B CN 102166559B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- drying
- drier
- coating
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 189
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 42
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 80
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 26
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 230000008520 organization Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 11
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种缩短装置全长而且抑制处理张数下降的基板处理装置。在基板上形成多个涂敷液层时,需要根据作为目标的层的层叠数来串联排列地配置多台涂敷装置和干燥装置,因而存在装置的长度增大的问题。本发明的基板处理装置,以能够对涂敷部和干燥部进行访问的方式配置搬送单元,并将结束了涂敷工序的基板搬入到干燥部中。之后,将结束了规定的干燥处理的基板再次搬入到涂敷部中进行涂敷,从而防止装置的长度增大。并且,以层叠配置的方式在干燥部设置待机部,并且设置用于使结束了下游的加热工序的基板回到待机部的机构,从而进一步提高基板的处理效率。
Description
技术领域
本发明涉及在具有狭缝喷嘴的基板处理装置中形成多个薄膜层的技术。
背景技术
以往,提出了从狭缝喷嘴喷出处理液并在基板的表面上形成薄膜的基板处理装置。例如,在专利文献1中,记载了从狭缝喷嘴对基板喷出处理液的基板处理装置。
专利文献1:日本特开2007-287914号公报
一般而言,利用狭缝喷嘴在基板上形成薄膜时,通过对涂敷有处理液的基板进行减压干燥和热处理(加热以及冷却)来形成薄膜。因此,在要形成多个薄膜层时,涂敷→干燥→热处理这一循环要重复规定的次数,装置的长度必然变得很长(参照图11)。
另外,在如上所述的装置结构中,将产生以下问题:在从依次配置的多个工序中只选择规定的工序时,如果不经过不必要的处理工序部就难以到达后处理工序。因此,整个基板处理张数可能下降。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而做出的,其目的在于针对形成多个薄膜层的基板处理装置,提供一种缩短装置全长而且抑制处理张数下降的基板处理装置。
为了解决上述的问题,技术方案1的基板处理装置,对基板涂敷规定的处理液来形成涂敷膜,其特征在于,具有:涂敷机构,其具有第一及第二狭缝喷嘴和将所述基板载置为水平的载置单元,并通过使该狭缝喷嘴相对于所述载置单元所载置的基板进行扫描移动,在所述基板的上表面上涂敷处理液,第一干燥机构,其进行第一干燥工序,该第一干燥工序是对所述涂敷机构所涂敷的所述基板进行干燥处理的工序中的至少一部分,第一搬送机构,其将所述涂敷机构所涂敷的所述基板搬入到所述第一干燥机构中,控制机构,其对所述涂敷机构、所述第一干燥机构以及所述第一搬送机构进行控制;所述涂敷机构和所述第一干燥机构配置在以所述第一搬送机构为中心的同心圆上;所述控制机构利用所述搬送机构,将通过所述涂敷机构的所述第一狭缝喷嘴涂敷有处理液的基板搬入到所述第一干燥机构中,并进行了第一干燥工序之后,将该基板再次载置到所述涂敷机构的载置单元中,并通过所述第二狭缝喷嘴,在由所述第一狭缝喷嘴所涂敷的处理液形成的层的上表面上,与该层大致相同面积地涂敷处理液。
另外,技术方案2的基板处理装置,在技术方案1记载的基板处理装置的基础上,其特征在于,还具有:第二搬送机构,其将由所述第一搬送机构搬送到所述第一干燥机构中的基板,从所述第一干燥机构的与所述第一搬送机构相对的面不同的面搬出;待机机构,其与所述第一干燥机构层叠配置,并且利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构搬入或者搬出所述基板。
另外,技术方案3的基板处理装置,在技术方案2记载的基板处理装置的基础上,其特征在于,还具有第二干燥机构,该第二干燥机构进行第二干燥工序,该第二干燥工序是对所述涂敷机构所涂敷的所述基板进行干燥处理的工序中的至少一部分;所述第二干燥机构和所述第一干燥机构配置在以所述第二搬送机构为中心的同心圆上。
另外,技术方案4的基板处理装置,在技术方案3记载的基板处理装置的基础上,其特征在于,所述第一干燥工序包括减压干燥工序,该减压干燥工序是对由所述涂敷机构涂敷在所述基板上的涂敷液进行减压干燥的工序;所述第二干燥工序包括加热工序,该加热工序是对所述基板加热的工序。
另外,技术方案5的基板处理装置,在技术方案1至4中任一项记载的基板处理装置的基础上,其特征在于,所述第一狭缝喷嘴所涂敷的处理液和所述第二狭缝喷嘴所涂敷的处理液是具有不同成分的处理液。
根据本发明,能够防止装置尺寸的长大化,而且能够用简单的结构在由第一狭缝喷嘴涂敷在基板上的处理液的层的上表面上,形成由第二狭缝喷嘴所涂敷的处理液的层。另外,在仅仅利用第一狭缝喷嘴涂敷处理液的情况下,也能够不经由利用第二狭缝喷嘴来涂敷处理液的机构,而将基板搬送到下一道工序,从而提高基板的处理张数。
特别地,根据技术方案2的发明,通过用第二搬送机构将由第一干燥机构进行干燥工序后的基板搬送到待机机构中,能够在进行干燥工序期间用涂敷机构进行下一基板的涂敷,从而提高基板处理装置的处理性能。
特别地,根据技术方案3的发明,能够用第二搬送机构将由第一干燥机构进行干燥工序后的基板迅速地搬入到第二干燥机构中,从而提高基板处理装置的处理性能。
特别地,根据技术方案4的发明,能够通过第一干燥工序使涂敷机构所涂敷的处理液大部分干燥,之后再通过第二干燥工序来使之可靠地干燥,从而提高基板处理装置的处理性能。
特别地,根据技术方案5的发明,通过在由第一狭缝喷嘴所涂敷的处理液形成的层的上表面上,形成不同成分的层,而能够形成具有各种效果的薄膜。
附图说明
图1是表示基板处理***的概略的图。
图2是表示涂敷装置1的立体图。
图3是表示搬送单元2的侧视图。
图4是表示搬送单元2的俯视图。
图5是表示干燥部4的侧视图。
图6是表示干燥部4、搬送单元2、搬送单元3、热处理部5的关系的侧视图。
图7是表示基板处理装置100和基板处理***的动作的图。
图8是在基板90的上表面上形成层A和层B之后的图。
图9是表示第二实施方式涉及的基板处理装置100和基板处理***的动作的图。
图10是表示其他实施方式涉及的基板处理装置100′的概略的图。
图11是表示以往的基板处理***的概略的图。
具体实施方式
下面,参照附图,详细地说明本发明的优选实施方式。
图1是表示具有本发明的基板处理装置100的基板处理***的图。
另外,在图1中,为了便于图示以及说明,定义Z轴方向表示铅垂方向,XY平面表示水平面,但这些是为了便于把握位置关系而定义的,并不是限定以下说明的各方向。在以下的图中也同样。
在基板处理***中,将用于制造液晶显示装置的画面板的方形玻璃基板作为被处理基板90。
基板处理***具有:搬入部81,其搬入要处理的基板90;清洗部82,其清洗基板90以使基板90洁净化;以及温度调节部83,其将基板90调节到规定的温度。将在温度调节部83中调整到规定的温度的基板90搬入到基板处理装置100中。将搬入到基板处理装置100中之前的这些工序称为前处理工序。
另外,基板处理***具有:移载部84,其临时保管通过基板处理装置100形成有薄膜的基板90,并交接至曝光部85;曝光部85,其在基板90的表面上将电路图案等曝光;显影部86,其对曝光后的基板90进行显影处理;***87,其检查基板90;以及搬出部88,其将基板处理***的处理完的基板90搬出。将基板处理装置100之后的这些工序称为后处理工序。
另外,由于这些前处理工序和后处理工序可以根据要在基板90上形成的电路等而适当选择,所以并不限定于上述的实施例。
基板处理装置100具有:涂敷部1,其在基板90的表面上涂敷处理液;干燥部4,其使在涂敷部1所涂敷的处理液干燥;热处理部5和热处理部6,其对涂敷有处理液的基板进行加热及冷却。另外,基板处理装置100具有:搬送单元2,其在涂敷部1与干燥部4之间搬送基板90;以及搬送单元3,其在干燥部4与热处理部5、6之间搬送基板90。这样,基板处理装置100是基板处理***中的在基板90的表面上形成薄膜的涂敷部,而且是利用搬送单元2从前处理工序的温度调节部83取出基板90并进行了各处理后,利用搬送单元3将基板搬出到移载部84的装置。
接着,对基板处理装置100的各部进行说明。图2是表示涂敷部1的图。
涂敷部1具有工作台15,其作为载置并保持被处理基板90的保持台而发挥作用,并且也作为附属的各机构的基台发挥作用。工作台15为石制的长方体形状,工作台15的上表面以及侧面加工成平坦面。
在工作台15的上表面上设置有基板90的保持面14。保持面14形成为水平,而且在保持面14上分布有许多真空吸附口(未图示)。并且,在涂敷部1处理基板90期间,该真空吸附口通过吸附该基板90,来将基板90保持在规定的水平位置上。
另外,工作台15的保持面14具有多个升降销(lift pin)LP,借助于该升降销LP在Z轴方向进退,能够将基板90载置在保持面14上,或者使基板90上升到规定的高度位置。
工作台15的上表面的(-Y)侧固定设置有移动导轨13a,在(+Y)侧固定设置有移动导轨13b。移动导轨13a、13b均配置成长度方向沿着X轴方向,并且具有引导后述的架桥结构11、12移动的功能。
在工作台15的上方设置有架桥结构11、12,该架桥结构11、12从该工作台15的两侧部分大致水平地架设。
架桥结构11主要包括由以碳纤维树脂(carbon fiber resin)为骨料的喷嘴支撑部110和支撑该喷嘴支撑部110的两端的升降机构112、113。同样地,架桥结构12主要包括以碳纤维树脂为骨料的喷嘴支撑部120和支撑喷嘴支撑部120的两端的升降机构122、123。
在喷嘴支撑部110、120上分别安装有狭缝喷嘴111、121。即,基板处理装置100具有在水平的Y轴方向延伸的两个狭缝喷嘴111、121。
并且,如图2示意性地所示,在狭缝喷嘴111上连接有喷出机构16,该喷出结构16包括贮存机构162、泵161以及供应配管163(在图2中用虚线表示),同样地,狭缝喷嘴121上连接有喷出机构17,该喷出机构17包括贮存机构172、泵171以及供应配管173(在图2中用虚线表示)。
在狭缝喷嘴111、121上,在喷出前端部设置有狭缝(未图示),并且如果利用泵161和171供应由贮存机构162、172所贮存的涂敷液,则从各个狭缝喷出涂敷液。
另外,在该实施例中,贮存机构162及贮存机构172中所贮存的涂敷液为不同成分的涂敷液,但无须一定为不同的成分,也可以为相同的成分。
升降机构112、113分开配置在架桥结构11的两侧,并通过喷嘴支撑部110与狭缝喷嘴111相连接。升降机构112、113用于并进地使狭缝喷嘴111升降,并且也用于调整狭缝喷嘴111在YZ平面内的姿势。同样地,架桥结构12的升降机构122,123用于并进地使狭缝喷嘴121升降,并且也用于调整狭缝喷嘴121在YZ平面内的姿势。
各升降机构112、113、122、123连接有未图示的线性马达(linear motor)。因此,架桥结构11以及12能够在由移动导轨13a以及13b规定的方向(X方向)上驱动。因此,通过使狭缝喷嘴111、112一边从各自的狭缝喷出涂敷液,一边借助线性马达在工作台15上沿着X方向移动,从而在基板90的主面上形成涂敷液的涂敷膜。
另外,在工作台15的(+X)侧以及(-X)侧设置有后述的清洗狭缝喷嘴111、121的清洗机构及待机容器(pod)等(图示省略)。因此,在狭缝喷嘴111未涂敷涂敷液时,架桥结构11移动到图2所示的(-X)侧进行待机。同样地,在狭缝喷嘴121未涂敷涂敷液时,架桥结构12移动到图2所示的(+X)侧进行待机。
返回图1,搬送单元2是在基板处理装置100中基板90进行搬送的单元。另外,搬送单元3同样地也是对基板90进行搬送的单元。
图3是表示搬送单元2的侧视图。另外,图4是表示搬送单元2的俯视图。由于搬送单元2和搬送单元3是同样的多关节机器人,因此利用搬送单元2作为代表对各部进行说明。
搬送单元2具有用于固定搬送单元2的各结构的基台21、臂部22、升降机构23及旋转机构29。
臂部22具有机械手221、第一臂223以及第二臂224。另外,机械手221具有四个卡盘222。
在卡盘222上竖立设置有未图示的多个支撑销。通过设置在卡盘222上的多个支撑销的前端抵接在基板90背面,机械手221从下方支撑基板90。
第一臂223和第二臂224与机械手221相连接。通过此种结构,臂部22伸缩自如,而且机械手221能够在水平面内进退。另外,说明了本实施方式的搬送单元2在图中仅在沿着X轴方向的方向上进退,但通过后述的旋转机构29能够变更机械手221的进退方向。在图3以及图4所示的状态下,用实线表示向(+X)方向前进的状态,并且用假想线表示向(-X)方向后退的状态。
升降机构23具有支撑构件231和支柱构件232。借助未图示的直动机构,安装有臂部22的支撑构件231能够沿着支柱构件232在Z轴方向上升降。即,升降机构23具有使臂部22沿着Z轴方向在规定的范围内升降的功能。
这样,通过具有升降机构23,搬送单元2能够使机械手221所支撑的基板90在Z轴方向移动。
旋转机构29具有未图示的旋转马达,该旋转机构29是使臂部22和升降机构23以轴O为中心一体进行旋转的机构。即,旋转机构29具有调整臂部22的进退方向的功能,例如,若自图3所示的状态,旋转机构29旋转180°,则臂部23处于相反的状态。即,处于向(-X)方向前进,向(+X)方向后退的状态。
另外,通过旋转机构29旋转到90°方向,臂部22的进退方向变为与纸面垂直的方向。
图5是表示干燥部4的图。干燥部4是层叠干燥单元41、42以及待机单元43而构成的。
干燥单元41具有盖部411、腔部412以及吸引机构413。干燥单元41是对涂敷部1的处理完成之后的基板90进行干燥处理的单元。
盖部411是与XY平面平行地配置的板状的构件,而且盖部411由未图示的框架来支撑。另外,盖部411能够如图5中用箭头所示那样地在Z轴方向升降,而且在上方位置(图5所示的位置)和下方位置之间升降。另外,盖部411在下方位置与腔部(chamber)412配合。
腔部412是主要形成干燥单元41的处理室的构件。
在盖部411的下表面以及腔部412的上表面形成有凹部,通过盖部411与腔部412互相配合,来形成密闭的处理空间414。另外,处理空间414形成为能够充分收纳水平姿势的基板90的大小的空间。
吸引机构413主要由使装置外的空调装置和处理空间414连通的配管构成。通过此种结构,在干燥单元41中能够进行减压干燥处理。
另外,详细结构未图示,但干燥单元41具有从下方贯通腔部412的多个升降销(未图示)。并且,通过该多个升降销的前端抵接基板90的背面,干燥单元41从下方支撑所搬入的基板90。另外,多个升降销能够在支撑基板90的状态下升降,所以干燥单元41能够调整所搬入的基板90的在Z轴方向的高度位置。
干燥单元42具有盖部421、腔部422以及吸引机构423,并且通过盖部421与腔部422互相配合,来形成密闭的处理空间424。这样,由于干燥单元42具有与上述的干燥单元41相同的结构,而且是同样进行减压干燥处理的单元,所以省略详细的说明。另外,在本实施例中,干燥单元41和干燥单元42的进行减压干燥处理的压力、时间等参数不同。
待机单元43包括下部框架431和销432,而且下部框架431与XY平面平行。销432是用于将基板90载置为与下部框架431隔开规定的距离的构件。销432以能够支撑基板90的端部和中央部的方式配置在下部框架431上。通过此种结构,能够从下表面支撑所搬入的基板90。
另外,在本实施例中,待机单元43层叠配置在干燥单元41和干燥单元42的下部,但并不限定于此,具体而言,待机单元43也可以层叠配置在干燥单元41和干燥单元42的上部。
图6是表示干燥部4、搬送单元2、搬送单元3以及热处理部5之间的关系的侧视图。
干燥部4的框架(在图5和图6中用假想线表示)在(-X)侧和(+X)侧具有比基板90的宽度还宽的开口。因此,搬送单元2和搬送单元3能够将基板90搬入到干燥单元41、干燥单元42以及待机单元43中的任一个上。同样地,干燥单元41、干燥单元42以及待机单元43中的任一个所支撑的基板90能够由搬送单元2和搬送单元3中的一个搬出。
另外,待机单元43上所配置的销432配置在俯视时与机械手221的卡盘222不干涉的位置上。通过此种结构,能够在待机单元43与搬送单元2或者搬送单元3之间交接基板90。
另外,热处理部5和6是对由干燥部4进行减压干燥后的基板90进行加热处理和冷却处理的处理部。具体而言,热处理部5包括:加热单元51(以下称为HP),其载置基板90,并对基板90加热;冷却单元52(以下称为CP),其载置基板90,并将由上述HP加热后的基板冷却;缓冲部53(以下称为BF)。
在图6中只表示热处理部5,但由于热处理部6也是同样的结构,因此省略说明。
热处理部5和6是将上述的HP、CP以及BF以对应于各处理的方式适当地层叠而构成的,搬送单元3相对于在热处理部5和6层叠配置的HP、CP以及BF,进行基板90的搬入、搬出。
另外,上述的涂敷部1、搬送单元2、搬送单元3、干燥部4、热处理部5及热处理部6由未图示的控制部联动控制。控制部可以是基板处理装置100所单独具有的,也可以是基板处理***的控制部的一部分。控制部可以利用一般的计算机,也可以通过组合了电子电路的电路板来控制。
接着,利用图7,说明基板处理装置100和基板处理***的动作。
基板处理***利用清洗部82对搬入部81所搬入的基板90进行清洗处理,并且利用温度调节部83进行干燥并调整到规定的温度(步骤S11:前处理结束)。
然后,基板处理装置100驱动搬送单元2从温度调节部83取出基板90,并搬入到涂敷部1中。然后,涂敷部1在基板90上涂敷涂敷液A(步骤S12:涂敷处理A)。具体而言,控制部一边驱动涂敷部1的架桥结构11在基板90的上方扫描移动,一边驱动泵161将贮存机构162所贮存的涂敷液A涂敷在基板90上。
涂敷处理A完成后,搬送单元2将涂敷后的基板90搬送到干燥部4中。在此,利用干燥部4的干燥单元41进行规定的减压干燥处理(步骤S13:减压干燥A)。通过减压干燥处理A,基板90上所涂敷的涂敷液A由于大部分溶剂的蒸发,而处于干燥到无流动性的程度的状态。
减压干燥A完成后,搬送单元3将基板90搬送到热处理部5。在此,利用热处理部5的HP、CP以及BF,来进行规定的热处理等(步骤S14:热处理A)。具体而言,将基板90搬送到在热处理部5所层叠的HP中,并以规定的温度和时间进行加热处理,以此使基板90上的涂敷液A进一步干燥。加热处理结束后的基板90同样由搬送单元3搬送到CP中。在CP中,通过加热处理使基板90所积蓄的热散去,并返回到常温以便进行后面的处理。返回到常温后的基板被搬运到BF进行待机。关于在此的热处理,根据涂敷液A的成分、所希望的膜厚,适当组合来处理。
接着,控制部进行是否要对该基板90进行连续处理的判断(步骤S15)。在此,所谓的连续处理是指,在通过从上述的涂敷处理A至热处理A所形成的层(在此称为层A)的上表面上形成新的层B的处理。
图8是通过连续处理在基板90的上表面上层叠形成层A和层B的图。这样,通过层叠具有多种成分的层,能够形成具有各种特性的层。另外,通过使形成层A和层B的材料(涂敷液)为相同材料,也能够形成比通过一次涂敷工序能够形成的膜厚更厚的膜。并且,在该说明中,说明了形成二层的处理,但也能够形成比二层多的层。
在图7的步骤S15中,判定有无连续处理,判断为有(步骤S15:是)的基板90,由搬送单元3从BF取出,并被搬入到干燥部4的待机单元43中(步骤S21:向待机部搬送)。然后,搬入到待机单元43的基板90由搬送单元2搬出,并再次搬入到涂敷部1中。这样,通过设置待机单元43,不必经由干燥部4的干燥单元41和42,也能够从搬送单元3向搬送单元2进行基板90的交接。
涂敷部1对上表面形成有层A的状态的基板90,涂敷涂敷液B(步骤S22:涂敷处理B)。具体而言,控制部一边驱动涂敷部1的架桥结构12在基板90的上方扫描移动,一边驱动泵171将贮存机构172所贮存的涂敷液B涂敷在基板90上。
涂敷处理B完成后,搬送单元2将涂敷后的基板90搬送到干燥部4中。在此,利用干燥部4的干燥单元42,以与减压干燥A不同的参数进行减压干燥处理B(步骤S23:减压干燥B)。通过减压干燥处理B,基板90上所涂敷的涂敷液B由于大部分溶剂的蒸发,而处于干燥到无流动性的程度的状态。
减压干燥B结束后,搬送单元3将基板90搬送到热处理部6中。在此,利用热处理部6的HP、CP以及BF来进行规定的热处理等(步骤S24:热处理B)。具体而言,将基板90搬送到热处理部6的HP中,并以规定的温度和时间进行加热处理,以此使基板90上的涂敷液B进一步干燥。加热处理结束后的基板90,同样地由搬送单元3搬送到热处理部6的CP中。在CP中,通过加热处理使基板90所积蓄的热散去,并返回到常温以便进行后面的处理。返回到常温的基板被搬运到热处理部6的BF待机。
经过上述工序,在基板90上形成层A和层B,并处于在缓冲部53待机的状态。之后,接收来自曝光部85的指示,搬送单元3将基板90搬入移载部84中(步骤S16:至曝光工序)。
另外,在图7的步骤S15中,判断连续处理的有无,并且在判定为无(步骤S15:否)的基板90,原封不动地在热处理部5的BF待机。然后,接收来自曝光部85的指示,由搬送单元3搬入到移载部84中(步骤S16:至曝光工序)。
如以上那样,在本实施例的基板处理装置100中,通过具有待机单元43,能够使暂时搬送到下游的热处理工序的基板返回到涂敷工序。因此,容易多次进行用涂敷液形成膜。这样,通过在形成层A之后连续地形成层B,能够降低杂质等混入到层A与层B之间的可能性。另外,通过适当选择涂敷液的种类和涂敷次数,不变更装置全体的设计(lay out)就能形成各个种类的涂敷膜。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式,能够进行各种变形。
例如,图9是说明本发明的第二实施方式涉及的基板处理***的动作的图。在第二实施方式中,示出了利用干燥性高的涂敷液作为涂敷液的情况。
第二实施方式涉及的基板处理***,与上述的实施方式涉及的基板处理***同样地,对由搬入部81搬入的基板90,进行前处理动作(步骤S111:前处理结束)。
之后,利用涂敷部1在基板90上涂敷涂敷液A′(步骤S112:涂敷处理A′)。此时的涂敷液A′利用比上述的涂敷液A干燥性高(沸点低)的溶剂。
涂敷处理A′结束后,进行减压干燥处理(步骤S113:减压干燥A′)。由于涂敷液A′的干燥性高,因此仅仅进行减压干燥A′就达到大致干燥的状态。这里,利用干燥部4的干燥单元41,进行规定的减压干燥处理。通过减压干燥处理A′,基板90上所涂敷的涂敷液A′由于溶剂蒸发,而处于大致干燥的状态。
在选择对形成有涂敷液A′层的基板90进行连续处理时(步骤S115:是),搬送单元2从干燥单元41搬出基板90,并且再次搬入到涂敷部1中(步骤S121)。
之后,对已搬入到涂敷部1的、在上表面形成有涂敷液A′层的状态的基板90,涂敷涂敷液B′(步骤S122:涂敷处理B′)。
涂敷处理B′结束后,搬送单元2将涂敷后的基板90搬送到干燥部4中(步骤S123:减压干燥B′)。
减压干燥B′结束后,由搬送单元3将基板90搬送到热处理部5中进行热处理(步骤S114:热处理)。在此,涂敷液B′也能够利用与涂敷液A′同样的干燥性高的涂敷液,从而能够避免后面的热处理工序。此种情况并不进行热处理(步骤S114),搬送单元3将基板90交接到下游的曝光工序。如以上那样,根据涂敷液的干燥性,也可以适当地省略热处理工序。
另外,在第二实施方式中,在步骤S121中,由搬送单元2将基板搬送到涂敷部1,但也可以由搬送单元3搬出基板90,并搬入到待机单元43中。通过利用搬送单元3,搬送单元2能够进行其他基板的搬送动作。
具体而言,在基板90在干燥单元41中进行减压干燥处理期间,涂敷部1进行其他基板的涂敷动作。然后,搬送单元3将基板90从干燥单元41搬送到待机单元43,并且搬送单元2将其他基板搬入干燥单元41中,由此能够使基板处理装置100的处理张数提高。
另外,在上述的实施方式中,干燥部4具有干燥单元41和干燥单元42,但也可以具有任一个干燥单元。另外,在根据涂敷液的成分而不需要减压干燥工序时,也可以是用如待机单元那样的仅仅载置基板的单元代替干燥单元41和干燥单元42来进行干燥处理的结构。
另外,在热处理部5和热处理部6中,具有多个加热单元51、冷却单元52以及缓冲部53,但它们配置及个数根据设计事项来适当决定。另外,以基板处理装置100具有热处理部5和热处理部6的结构进行了说明,但热处理部可以为任一个,这些也是根据设计事项来进行适当选择。另外,在根据涂敷液的成分而不需要加热处理、冷却处理时,也可以省略加热单元51、冷却单元52以及缓冲部53。
另外,搬送单元2和搬送单元3相对于干燥部4配置在相对的方向(180°方向)上,但并不限定于此。例如也可以如图10所示的基板处理装置100′那样,搬送单元2和搬送单元3相对于干燥部4配置在能够访问的位置(例如90°方向)。
Claims (5)
1.一种基板处理装置,对基板涂敷规定的处理液来形成涂敷膜,
该基板处理装置具有:
涂敷机构,其具有第一及第二狭缝喷嘴和将所述基板载置为水平的载置单元,通过使该狭缝喷嘴相对于所述载置单元所载置的基板进行扫描移动,在所述基板的上表面上涂敷处理液,
第一干燥机构,其进行第一干燥工序,该第一干燥工序是对所述涂敷机构所涂敷的所述基板进行干燥处理的工序中的至少一部分,
第一搬送机构,其将所述涂敷机构所涂敷的所述基板搬入到所述第一干燥机构中,
控制机构,其对所述涂敷机构、所述第一干燥机构以及所述第一搬送机构进行控制;其特征在于,
所述涂敷机构和所述第一干燥机构配置在以所述第一搬送机构为中心的同心圆上;
所述控制机构,利用所述搬送机构将通过所述涂敷机构的所述第一狭缝喷嘴涂敷有处理液的基板搬入到所述第一干燥机构中,并进行了第一干燥工序之后,将该基板再次载置到所述涂敷机构的载置单元中,并通过所述第二狭缝喷嘴,在由所述第一狭缝喷嘴所涂敷的处理液形成的层的上表面上,与该层大致相同面积地涂敷处理液。
2.根据权利要求1所述基板处理装置,其特征在于,还具有:
第二搬送机构,其将由所述第一搬送机构搬送到所述第一干燥机构中的基板,从所述第一干燥机构的与所述第一搬送机构相对的面不同的面搬出;
待机机构,其与所述第一干燥机构层叠配置,并且利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构搬入或者搬出所述基板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有第二干燥机构,该第二干燥机构进行第二干燥工序,该第二干燥工序是对所述涂敷机构所涂敷的所述基板进行干燥处理的工序中的至少一部分,
所述第二干燥机构和所述第一干燥机构配置在以所述第二搬送机构为中心的同心圆上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一干燥工序包括减压干燥工序,该减压干燥工序是对由所述涂敷机构涂敷在所述基板上的涂敷液进行减压干燥的工序,
所述第二干燥工序包括加热工序,该加热工序是对所述基板加热的工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一狭缝喷嘴所涂敷的处理液和所述第二狭缝喷嘴所涂敷的处理液是具有不同成分的处理液。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010002547A JP5417186B2 (ja) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 基板処理装置 |
JP2010-002547 | 2010-01-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102166559A CN102166559A (zh) | 2011-08-31 |
CN102166559B true CN102166559B (zh) | 2013-08-21 |
Family
ID=44457885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011100057896A Expired - Fee Related CN102166559B (zh) | 2010-01-08 | 2011-01-07 | 基板处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5417186B2 (zh) |
KR (1) | KR101216321B1 (zh) |
CN (1) | CN102166559B (zh) |
TW (1) | TWI457183B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5578377B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2014-08-27 | セメス株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
KR101255638B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2013-04-16 | 씨앤에스엔지니어링 주식회사 | 평판패널의 세정장치 및 세정방법 |
KR101827364B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2018-03-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN103286049B (zh) * | 2012-03-02 | 2016-03-16 | 上海展辰涂料有限公司 | 紫外光固化涂料实木百叶窗表面施工方法 |
KR20140065851A (ko) * | 2012-11-22 | 2014-05-30 | 신화일렉트론 주식회사 | 다단식 글라스 건조장치 |
KR20140148282A (ko) * | 2013-06-21 | 2014-12-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6286239B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-02-28 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置、基板処理装置、塗布方法及び基板処理方法 |
KR102535550B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2023-05-22 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 유기 피막 제조방법, 도전성 기판 제조방법 및 유기 피막 제조장치 |
DE112016006798B4 (de) * | 2016-04-26 | 2024-02-22 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Schichtaufbringungsvorrichtung |
KR102121418B1 (ko) | 2018-07-30 | 2020-06-10 | (주)에스티아이 | 기판 지지 장치 및 그 제어 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1755526A (zh) * | 2004-09-30 | 2006-04-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理*** |
CN101060066A (zh) * | 2006-04-17 | 2007-10-24 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2919925B2 (ja) * | 1990-07-26 | 1999-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2949547B2 (ja) * | 1993-02-08 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP3236703B2 (ja) * | 1993-05-31 | 2001-12-10 | 平田機工株式会社 | 流体塗布装置 |
JPH081065A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理装置 |
JPH0883745A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 処理装置 |
JP3273031B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2002-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP3920638B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2007-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP4363046B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2009-11-11 | 東レ株式会社 | 塗布装置および塗布方法並びにディスプレイ用部材の製造方法 |
JP2005142372A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4490797B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100625087B1 (ko) * | 2004-08-16 | 2006-09-20 | (주)이노포스 | 다단계 자동 스핀코팅 시스템 |
JP4451385B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
JP5149513B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-02-20 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5028195B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2012-09-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2010
- 2010-01-08 JP JP2010002547A patent/JP5417186B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-08 KR KR1020100110388A patent/KR101216321B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-11-29 TW TW099141274A patent/TWI457183B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-01-07 CN CN2011100057896A patent/CN102166559B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1755526A (zh) * | 2004-09-30 | 2006-04-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理*** |
CN101060066A (zh) * | 2006-04-17 | 2007-10-24 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP特开平6-236915A 1994.08.23 |
JP特开平8-83745A 1996.03.26 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101216321B1 (ko) | 2012-12-27 |
TW201130572A (en) | 2011-09-16 |
CN102166559A (zh) | 2011-08-31 |
JP2011142237A (ja) | 2011-07-21 |
TWI457183B (zh) | 2014-10-21 |
KR20110081752A (ko) | 2011-07-14 |
JP5417186B2 (ja) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102166559B (zh) | 基板处理装置 | |
KR101181560B1 (ko) | 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치 | |
WO2013157462A1 (ja) | 収納容器、収納容器のシャッター開閉ユニット、及びこれらを用いたウエハストッカー | |
KR101010779B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 그 방법 및 기억 매체 | |
JP5054218B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN101060066B (zh) | 基板处理装置 | |
KR101295494B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20060098339A (ko) | 도포· 현상장치 | |
KR102296014B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 | |
US9370804B2 (en) | Substrate case cleaning apparatus | |
JP5551625B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20150004131U (ko) | 박막 광발전 장치의 처리를 위한 멀티 모듈 시스템 | |
JP5290890B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101209654B1 (ko) | 트레이 틸트 장치 | |
CN102502260A (zh) | 玻璃基板存储搬运***以及玻璃基板存储平台 | |
US11075101B2 (en) | Indexer apparatus, substrate treating apparatus, method for controlling indexer apparatus, and method for controlling substrate treating apparatus | |
KR102141200B1 (ko) | 이송 로봇 및 이를 포함하는 이송 장치 | |
KR101769440B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP2013069916A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
KR20120028798A (ko) | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
JP2023037589A (ja) | タワーリフトとこれを含む物流システム及びこれを利用した搬送方法 | |
JP5394969B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 | |
KR101181597B1 (ko) | 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치 | |
KR20210010401A (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 | |
KR101863190B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG Address before: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130821 Termination date: 20170107 |