TWI457183B - Substrate processing device - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種於具備狹縫噴嘴之基板處理裝置中形成複數層薄膜層之技術。

自先前以來，提出有自狹縫噴嘴噴出處理液，而於基板之表面形成薄膜之基板處理裝置。例如於專利文獻1中，記載有自狹縫噴嘴對基板噴出處理液之基板處理裝置。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-287914號公報

一般而言，當使用狹縫噴嘴於基板上形成薄膜時，藉由對塗佈有處理液之基板進行減壓乾燥與熱處理(加熱及冷卻)而形成薄膜。因此，當形成複數層薄膜層時，將塗佈→乾燥→熱處理這一循環重複特定之次數，必然會增長裝置之長度(參照圖11)。

又，於如上述般之裝置構成中，會產生如下問題：即便當僅於依序配置之複數個步驟中選擇特定之步驟時，若不通過不必要之處理步驟部，則亦無法到達後續處理步驟。因此，有整體之基板處理片數降低之虞。

本發明係有鑒於上述問題而成者，其目的在於提出一種形成複數層薄膜層之基板處理裝置，該基板處理裝置係縮短裝置全長且抑制處理片數之降低者。

為解決上述問題，技術方案1之發明係一種基板處理裝置，其係對基板塗佈特定之處理液而形成塗佈膜者，其特徵在於包括：塗佈機構，其具備第1及第2狹縫噴嘴、以及水平地載置上述基板之載置機構，且藉由使該狹縫噴嘴相對於載置在上述載置機構上之基板掃描移動，而對上述基板之上表面塗佈處理液；第1乾燥機構，其進行對藉由上述塗佈機構而得到塗佈之上述基板進行乾燥處理之步驟中之至少一部分即第1乾燥步驟；第1搬送機構，其將藉由上述塗佈機構而得到塗佈之上述基板搬入至上述第1乾燥機構；第2搬送機構，其將藉由上述第1搬送機構而搬送至上述第1乾燥機構之基板，自上述第1乾燥機構之與上述第1搬送機構所對向之面不同之面搬出；待機機構，其與上述第1乾燥機構積層配置，藉由上述第1搬送機構及上述第2搬送機構而將上述基板搬入或搬出；以及控制機構，其控制上述塗佈機構、上述第1乾燥機構、上述第1搬送機構及上述第2搬送機構；且上述塗佈機構及上述第1乾燥機構係配置於以上述第1搬送機構為中心之同心圓上，上述控制機構係於藉由上述第1搬送機構，將利用上述塗佈機構之上述第1狹縫噴嘴而塗佈處理液之基板搬入至上述第1乾燥機構進行第1乾燥步驟之後，藉由上述第2搬送機構，從上述第1乾燥機構搬入至上述待機機構，並藉由上述第1搬送機構，從上述待機機構搬出而再次載置於上述塗佈機構之載置機構上，並於該基板之由上述第1狹縫噴嘴所塗佈之處理液所形成之層的上表面，藉由上述第2狹縫噴嘴對與該層大致相 同之面積塗佈處理液。

又，技術方案2之發明係如技術方案1之基板處理裝置，其中，更包括第2乾燥機構，其進行對藉由上述塗佈機構而得到塗佈之上述基板進行乾燥處理之步驟中之至少一部分即第2乾燥步驟，且上述第2乾燥機構、及上述第1乾燥機構係配置於以上述第2搬送機構為中心之同心圓上；上述控制機構係將於進行第2乾燥步驟之後藉由上述第2搬送機構從上述第2乾燥機構搬入至與上述第1乾燥機構層疊配置之上述待機機構的基板，藉由上述第1搬送機構，從上述待機機構搬出而再次載置於上述塗佈機構之載置機構上。

又，技術方案3之發明係如技術方案2之基板處理裝置，其中，上述第1乾燥步驟包含對藉由上述塗佈機構而塗佈於上述基板上之塗佈液進行減壓乾燥之減壓乾燥步驟，上述第2乾燥步驟包含對上述基板加熱之加熱步驟。

又，技術方案4之發明係如技術方案1至技術方案3中任一技術方案之基板處理裝置，其中，藉由上述第1狹縫噴嘴而塗佈之處理液與藉由上述第2狹縫噴嘴而塗佈之處理液為具有不同組成的處理液。

根據本發明，可防止裝置尺寸之長大化，並且能夠以簡單之構成於藉由第1狹縫噴嘴而塗佈於基板上之處理液之層的上表面上，形成藉由第2狹縫噴嘴而塗佈之處理液之層。又，當僅藉由第1狹縫噴嘴塗佈處理液時，亦可不經由藉由第2狹縫噴嘴塗佈處理液之機構而將基板搬送至下一步驟，因此，基板之處理片數提高。

尤其，根據技術方案2之發明，利用第2搬送機構將已藉由第1乾燥機構進行乾燥步驟之基板搬送至待機機構，藉此可於進行乾燥步驟之期間內利用塗佈機構進行下一個基板之塗佈，從而提高基板處理裝置之處理性能。

尤其，根據技術方案3之發明，可利用第2搬送機構將已藉由第1乾燥機構進行乾燥步驟之基板迅速搬入至第2乾燥機構，從而提高基板處理裝置至處理性能。

尤其，根據技術方案4之發明，可藉由第1乾燥步驟使利用塗佈機構所塗佈之處理液大致乾燥，其後，藉由第2乾燥步驟使該處理液確實地乾燥，從而提高基板處理裝置之處理性能。

尤其，根據技術方案5之發明，於由第1狹縫噴嘴所塗佈之處理液之層的上表面形成組成不同之層，藉此可形成具有各種效果之薄膜。

以下，一面參照隨附之圖式，一面詳細地說明本發明之較佳之實施形態。

圖1係表示具備本發明之基板處理裝置100之基板處理系統的圖。

再者，於圖1中，為便於圖示及說明，將Z軸方向定義為表示鉛垂方向者，將XY平面定義為表示水平面者，但該等係為把握位置關係而權宜定義者，並不限定以下所說明之各方向。以下之圖亦相同。

於基板處理系統中，將用於製造液晶顯示裝置之畫面面板之方形玻璃基板作為被處理基板90。

基板處理系統包括：搬入要處理之基板90之搬入部81、清洗基板90而使其清潔化之清洗部82、以及將基板90調節為特定之溫度之調溫部83。由調溫部83調整為特定之溫度之基板90被搬入至基板處理裝置100中。將該等搬入至基板處理裝置100為止之步驟稱作前處理步驟。

又，基板處理系統包括：移載部84，其暫時保管藉由基板處理裝置100而形成有薄膜之基板90且將其轉移至曝光部85；曝光部85，其對於基板90表面上之電路圖案等進行曝光；顯影部86，其對經曝光之基板90進行顯影處理；檢查部87，其檢查基板90；以及搬出部88，其搬出完成基板處理系統中之處理之基板90。將該等搬入基板處理裝置100後之步驟稱作後處理步驟。

再者，該等前處理步驟、及後處理步驟可根據形成於基板90上之電路等而適當選擇，因此並不限定於上述實施例。

基板處理裝置100包括：對基板90之表面塗佈處理液之塗佈部1；使由塗佈部1所塗佈之處理液乾燥之乾燥部4；以及對塗佈有處理液之基板進行加熱及冷卻之熱處理部5、熱處理部6。又，基板處理裝置100包括：於塗佈部1與乾燥部4之間搬送基板90之搬送單元2；以及於乾燥部4與熱處理部5、6之間搬送基板90之搬送單元3。如此，基板處理裝置100係基板處理系統中於基板90之表面形成薄膜之塗佈部，係作為前處理步驟之藉由搬送單元2自調溫部83取出基板90並進行各處理後，藉由搬送單元3將基板搬出至移載部84的裝置。

其次，進行基板處理裝置100之各部分之說明。圖2係表示塗佈部1之圖。

塗佈部1包括平台15，其係作為用於載置並保持被處理基板90之保持台而發揮功能，並且亦作為附屬之各機構之基台而發揮功能者。平台15係長方體形狀之石製，其上表面及側面被加工成平坦面。

於平台15之上表面設置有基板90之保持面14。保持面14係水平地形成，且分佈形成有多個真空吸附口(未圖示)。而且，該真空吸附口係藉由於在塗佈部1中處理基板90之期間內吸附基板90，而將基板90保持於特定之水平位置。

又，平台15之保持面14具備複數個頂銷LP，該頂銷LP於Z軸方向上進退，藉此可將基板90載置於保持面14或使其上升至特定之高度位置為止。

於平台15之上表面之(-Y)側固設有移動軌道13a，於(+Y)側固設有移動軌道13b。移動軌道13a、13b均配置成長度方向沿X軸方向，且具有引導下述之架橋構造11、12之移動的功能。

於平台15之上方設置有自該平台15之兩側部分起大致水平地架設的架橋構造11、12。

架橋構造11主要包括：以碳纖維樹脂為骨材之噴嘴支持部110、以及支持其兩端之升降機構112、113。同樣地，架橋構造12主要包括：以碳纖維樹脂為骨材之噴嘴支持部120、以及支持其兩端之升降機構122、123。

於噴嘴支持部110、120上分別安裝有狹縫噴嘴111、121。即，基板處理裝置100具備於水平Y軸方向上延伸之2個狹縫噴嘴111、121。

而且，如圖2中示意性地表示般，於狹縫噴嘴111上連接有包括儲存機構162、泵161、以及供給配管163(圖2中虛線所示)之噴出機構16。同樣地，於狹縫噴嘴121上連接有包括儲存機構172、泵171、以及供給配管173(圖2中虛線所示)之噴出機構17。

狹縫噴嘴111、121於噴出前端部設置有狹縫(未圖示)，而成為如下之構造：若藉由泵161、及171供給儲存機構162、172中所儲存之塗佈液，則自各個狹縫噴出塗佈液之結構。

再者，於該實施例中，儲存機構162、及儲存機構172中所儲存之塗佈液係組成不同者，但不一定必需為不同之組成，亦可為相同之組成。

升降機構112、113係分開配置於架橋構造11之兩側，藉由噴嘴支持部110而與狹縫噴嘴111連結。升降機構112、113使狹縫噴嘴111並行地升降，並且亦可用於調整狹縫噴嘴111於YZ平面內之姿勢。同樣地，架橋構造12之升降機構122、123使狹縫噴嘴121並行地升降，並且亦可用於調整狹縫噴嘴121於YZ平面內之姿勢。

各升降機構112、113、122、123係連接有未圖示之線性馬達。因此，架橋構造11及12可藉由移動軌道13a及13b而於規定之方向(X方向)上驅動。因此，一面自各個狹縫噴出塗佈液，一面藉由線性馬達使使狹縫噴嘴111、112於平台15上沿X方向移動，藉此於基板90之主面上形成塗佈液之塗佈膜。

又，於平台15之(+X)側及(-X)側設置有後述之清洗狹縫噴嘴111、121之清洗機構、或待機箱等(省略圖示)。因此，於狹縫噴嘴111不塗佈抗蝕液時，架橋構造11朝圖2所示之(-X)側移動並待機。同樣地，於狹縫噴嘴121不塗佈塗佈液時，架橋構造12朝圖2所示之(+X)側移動並待機。

返回至圖1，搬送單元2係基板處理裝置100中進行基板90之搬送之單元。又，搬送單元3亦同樣為進行基板90之搬送之單元。

圖3係表示搬送單元2之側視圖。又，圖4係表示搬送單元2之平面圖。搬送單元2與搬送單元3同為多關節機器人，因此使用搬送單元2為代表進行各部分之說明。

搬送單元2包括：用於固定搬送單元2之各構成之基台21、支臂部22、升降機構23、旋轉機構29。

支臂部22包括：機械手221、第1支臂223及第2支臂224。又，機械手221具備4個夾盤222。

於夾盤222上立設有未圖示之複數個支持銷。機械手221係藉由設置於夾盤222上之複數個支持銷之前端抵接於基板90之背面而自下方支持基板90。

第1支臂223及第2支臂224係與機械手221連結。藉由此種構造，支臂部22伸縮自如，機械手221可於水平面內進退。

再者，對本實施形態中之搬送單元2僅於沿圖中X軸方向之方向上進退進行了說明，但可藉由後述之旋轉機構29變更機械手221之進退方向。於圖3及圖4所示之狀態下，用實線表示朝(+X)方向進入之狀態，用虛線表示朝(-X)方向退出之狀態。

升降機構23具備支持構件231及支柱構件232。安裝有支臂部22之支持構件231係構成為藉由未圖示之直接作用機構，而可沿支柱構件232於Z軸方向上升降。即，升降機構23具有使支臂部22於Z軸方向上在特定之範圍內升降之功能。

如此，藉由具備升降機構23，搬送單元2可使由機械手221所支持之基板90朝Z軸方向移動。

旋轉機構29係具備未圖示之旋轉馬達，並使支臂部22及升降機構23以軸O為中心一體地旋轉之機構。即，旋轉機構29具備調整支臂部22之進退方向之功能，例如，若旋轉機構29自圖3所示之狀態起旋轉180°，則支臂部23成為向後之狀態。即，成為朝(-X)方向進入，朝(+X)方向退出之狀態。

又，藉由旋轉機構29朝90°方向旋轉，支臂部22之進退方向成為垂直於紙面之方向。

圖5係表示乾燥部4之圖。乾燥部4係使乾燥單元41、42及待機單元43積層而構成。

乾燥單元41包括：蓋部411、腔室412及吸引機構413。乾燥單元41係作為對結束塗佈部1中之處理之基板90進行乾燥處理的單元而構成。

蓋部411係以平行於XY平面之方式配置之板狀之構件，由未圖示之框架支持。又，蓋部411如圖5中箭頭所示，可於Z軸方向上升降，於上方位置(圖5所示之位置)與下方位置之間升降。再者，蓋部411於下方位置迎合腔室412。

腔室412係主要形成乾燥單元41中之處理室之構件。

於蓋部411之下表面及腔室412之上表面形成有凹部，藉由蓋部411與腔室412相互迎合而形成密閉之處理空間414。再者，處理空間414係形成為可充分收容水平姿勢之基板90之大小之空間。

吸引機構413主要由使裝置外之空調裝置與處理空間414連通之配管構成。藉由此種構造，於乾燥單元41中可進行減壓乾燥處理。

再者，雖然詳情並未圖示，但乾燥單元41具備自下方貫通腔室412之複數個頂銷(未圖示)。而且，該複數個頂銷之前端抵接於基板90之背面，藉此乾燥單元41自下方支持所搬入之基板90。又，複數個頂銷能夠以支持基板90之狀態升降，因此乾燥單元41可調整所搬入之基板90之Z軸方向之高度位置。

乾燥單元42包括：蓋部421、腔室422及吸引機構423，藉由蓋部421與腔室422相互迎合而形成密閉之處理空間424。如此，乾燥單元42具有與上述乾燥單元41相同之構成，同為進行減壓乾燥處理之單元，因此省略詳細之說明。再者，於本實施例中，乾燥單元41與乾燥單元42進行減壓乾燥處理之壓力及時間等參數不同。

待機單元43係由下部框架431與銷432構成，下部框架431係以平行於XY平面之方式構成。銷432係自下部框架431起隔開特定之距離而用於載置基板90之構件。銷432係以支持基板90之端部及中央部之方式配置於下部框架431上。藉由此種構成，可自下表面支持所搬入之基板90。

再者，於本實施例中，待機單元43係積層配置於乾燥單元41及乾燥單元42之下部，但並不限定於此，具體而言，待機單元43亦可積層配置於乾燥單元41及乾燥單元42之上部。

圖6係表示乾燥部4、搬送單元2、搬送單元3、及熱處理部5之關係之側視圖。

乾燥部4之框架(圖5及圖6中虛線所示)於(-X)側及(+X)側具有較基板90之寬度更大之開口。因此，搬送單元2、及搬送單元3可將基板90搬入至乾燥單元41、乾燥單元42、及待機單元43之任一者中。同樣地，由乾燥單元41、乾燥單元42、及待機單元43中之任一者所支持之基板90亦可藉由搬送單元2或搬送單元3中之任一者搬出。

再者，配置於待機單元43上之銷432係配置於俯視下不干擾機械手221之夾盤222之位置。藉由如此構成，可於待機單元43與搬送單元2或搬送單元3之間進行基板90之交接。

又，熱處理部5及6係對藉由乾燥部4而減壓乾燥之基板90進行加熱處理及冷卻處理之處理部。具體而言，其包括：載置基板90且對基板90加熱之加熱單元51(以下稱作HP)、載置基板90且將藉由上述HP加熱之基板冷卻之冷卻單元52(以下稱作CP)、以及緩衝器53(以下稱作BF)。

於圖6中，僅表示熱處理部5，但熱處理部6亦為相同之構成，因此省略說明。

熱處理部5及6係以使上述HP、CP及BF與各處理相對應之方式適當積層而構成，搬送單元3係相對於積層配置於熱處理部5及6之HP、CP、BF，進行基板90之搬入、搬出。

再者，上述塗佈部1、搬送單元2、搬送單元3、乾燥部4、熱處理部5、熱處理部6係藉由未圖示之控制部而聯動地控制。控制部可為基板處理裝置100單獨具備，亦可為基板處理系統之控制部之一部分。控制部可使用一般之計算機，亦可藉由組合有電子電路之基板而控制。

其次，使用圖7說明基板處理裝置100、及基板處理系統之動作。

基板處理系統係藉由清洗部82對自搬入部81所搬入之基板90進行清洗處理，藉由調溫部83對該基板90進行乾燥，並將其調整為特定之溫度(步驟S11：前處理結束)。

然後，基板處理裝置100驅動搬送單元2而自調溫部83取出基板90，並將其搬入至塗佈部1。然後，藉由塗佈部1將塗佈液A塗佈於基板90上(步驟S12：塗佈處理A)。具體而言，控制部驅動塗佈部1之架橋構造11而使其於基板90之上方掃描移動，並且藉由驅動泵161而將儲存機構162中所儲存之塗佈液A塗佈於基板90。

若完成塗佈處理A，則搬送單元2將經塗佈之基板90搬送至乾燥部4。此處，使用乾燥部4之乾燥單元41進行特定之減壓乾燥處理(步驟S13：減壓乾燥A)。藉由減壓乾燥處理A，塗佈於基板90上之塗佈液A因大部分溶劑蒸發，而成為乾燥至流動性消失之程度之狀態。

若完成減壓乾燥A，則搬送單元3將基板90搬送至熱處理部5。此處，利用熱處理部5之HP、CP及BF進行特定之熱處理等(步驟S14：熱處理A)。具體而言，將基板90搬送至積層於熱處理部5之HP，進行特定之溫度及時間之加熱處理，藉此使基板90上之塗佈液A進一步乾燥。結束加熱處理之基板90同樣藉由搬送單元3而被搬送至CP。於CP中，使藉由加熱處理而蓄積於基板90中之熱逸出，並以可進行其後之處理之方式恢復至常溫。恢復至常溫之基板被搬運至BF並待機。此處之熱處理係根據塗佈液A之組成及所期望之膜厚而適當組合後進行處理。

繼而，控制部判斷是否對該基板90進行連續處理(步驟S15)。此處，所謂連續處理，係指於藉由上述塗佈處理A至熱處理A所形成之層(此處稱作層A)之上表面形成新的層B之處理。

圖8係藉由連續處理而於基板90之上表面積層形成有層A及層B之圖。如此，藉由積層具有複數種組成之層，可形成具有各種特性之層。又，藉由將形成層A與層B之材料(塗佈液)設定為相同之材料，亦可形成較藉由一次塗佈步驟可形成之膜厚更厚之膜。此外，於該說明中說明形成2層之處理，但亦可形成較2層更多之層。

於圖7之步驟S15中，判斷連續處理之有無，判斷為有(步驟S15中為Yes)之基板90係藉由搬送單元3而自BF取出，並被搬入至乾燥部4之待機單元43中(步驟S21：搬送至待機部)。然後，搬入至待機單元43中之基板90藉由搬送單元2而搬出，並被再次搬入至塗佈部1。如此，藉由設置待機單元43，可不經由乾燥部4之乾燥單元41及42，而自搬送單元3針對搬送單元2進行基板90之交接。

塗佈部1對上表面形成有層A之狀態之基板90塗佈塗佈液B(步驟S22：塗佈處理B)。具體而言，控制部驅動塗佈部1之架橋構造12而使其於基板90之上方掃描移動，並且藉由驅動泵171而將儲存機構172中所儲存之塗佈液B塗佈於基板90。

若完成塗佈處理B，則搬送單元2將經塗佈之基板90搬送至乾燥部4。此處，利用乾燥部4之乾燥單元42，以與減壓乾燥A不同之參數進行減壓乾燥處理B(步驟S23：減壓乾燥B)。藉由減壓乾燥處理B，塗佈於基板90上之塗佈液B因大部分溶劑蒸發，而成為乾燥至流動性消失之程度之狀態。

若完成減壓乾燥B，則搬送單元3將基板90搬送至熱處理部6。此處，利用熱處理部6之HP、CP及BF進行特定之熱處理等(步驟S24：熱處理B)。具體而言，將基板90搬送至熱處理部6之HP，進行特定之溫度及時間之加熱處理，藉此使基板90上之塗佈液B進一步乾燥。結束加熱處理之基板90同樣藉由搬送單元3而被搬送至熱處理部6之CP。於CP中，使藉由加熱處理而蓄積於基板90之熱逸出，並以可進行其後之處理之方式恢復至常溫。恢復至常溫之基板被搬運至6之BF並待機。

藉由經過上述步驟，於基板90上形成層A及層B，並成為於緩衝器53中待機之狀態。其後，受到來自曝光部85之指示，搬送單元3將基板90搬入至移載部84(步驟S16：進入曝光步驟)。

又，於圖7之步驟S15中，判斷連續處理之有無，判斷為無(步驟S15中為No)之基板90仍然於熱處理部5之BF中待機。而且，受到來自曝光部85之指示，藉由搬送單元3將基板90搬入至移載部84(步驟S16：進入曝光步驟)。

如上所述，於本實施例之基板處理裝置100中，藉由具備待機單元43，可暫且使搬送至下游之熱處理步驟之基板返回至塗佈步驟。因此，容易複數次地進行利用塗佈液之膜形成。如此，藉由於形成層A之後連續地形成層B，可降低在層A與層B之間混入雜質之可能性。又，藉由適當地選擇塗佈液之種類及塗佈次數，可不進行裝置整體之佈局變更而形成各種塗佈膜佈局。

以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變形。

例如，圖9係說明本發明之第2實施形態之基板處理系統之動作的圖。於第2實施形態中，表示使用乾燥性較高之塗佈液作為塗佈液之情形。

第2實施形態之基板處理系統與上述實施形態之基板處理系統相同，對自搬入部81所搬入之基板90進行前處理動作(步驟S111：前處理完成)。

其後，藉由塗佈部1塗佈液A'塗佈於基板90上(步驟S112：塗佈處理A')。此時之塗佈液A'係使用與上述塗佈液A相比乾燥性更高(=沸點更低)之溶劑。

若完成塗佈處理A'，則進行減壓乾燥處理(步驟S113：減壓乾燥A')。由於塗佈液A'乾燥性較高，因此僅進行減壓乾燥A'便成為大致乾燥之狀態。此處，利用乾燥部4之乾燥單元41進行特定之減壓乾燥處理。藉由減壓乾燥處理A'，塗佈於基板90上之塗佈液A'因溶劑蒸發而成為大致乾燥之狀態。

當對形成有塗佈液A'之層之基板90選擇連續處理時(步驟S115中為Yes)，搬送單元2自乾燥單元41搬出基板90，並將其再次搬入至塗佈部1中(步驟S121)。

其後，對搬入至塗佈部1中之上表面形成有塗佈液A'之層之狀態的基板90塗佈塗佈液B'(步驟S122：塗佈處理B')。

若完成塗佈處理B'，則搬送單元2將經塗佈之基板90搬送至乾燥部4(步驟S123：減壓乾燥B')。

若完成減壓乾燥B'，則藉由搬送單元3將基板90搬送至熱處理部5進行熱處理(步驟S114：熱處理)。此處，塗佈液B'亦使用與塗佈液A'相同之乾燥性較高之塗佈液，藉此，可避免其後之熱處理步驟。於此種情形時，不進行熱處理(步驟S114)，搬送單元3將基板90轉移至下游之曝光步驟。如上所述，亦可藉由塗佈液之乾燥性而適當地省略熱處理步驟。

再者，於第2實施形態中，步驟S121中藉由搬送單元2將基板搬送至塗佈部1，但亦可藉由搬送單元3將基板90搬出，並搬入至待機單元43。藉由利用搬送單元3，搬送單元2可進行其他基板之搬送動作。

具體而言，於利用乾燥單元41對基板90進行減壓乾燥處理之期間內，塗佈部1進行其他基板之塗佈動作。而且，藉由搬送單元3將基板90自乾燥單元41搬送至待機單元43，並且搬送單元2將其他基板搬入至乾燥單元41，可使基板處理裝置100之處理片數提高。

又，於上述實施形態中，乾燥部4具備乾燥單元41及乾燥單元42，但亦可為其中任一者。又，於根據塗佈液之組成而無需減壓乾燥步驟之情形時，亦可為利用如待機單元般僅載置基板之單元代替乾燥單元41及乾燥單元42進行乾燥處理之構成。

又，熱處理部5及熱處理部6中具備複數個加熱單元51、冷卻單元52、及緩衝器53，但該等之配置及個數係作為設計事項而適當決定。又，基板處理裝置100係使用具備熱處理部5及熱處理部6之構成進行了說明，但熱處理部亦可為其中任一者，該等亦係作為設計事項而適當選擇之事項。又，於根據塗佈液之組成而無需加熱處理、冷卻處理之情形時，亦可省略加熱單元51、冷卻單元52、及緩衝器53。

又，相對於乾燥部4，將搬送單元2及搬送單元3配置於相對之方向(180°方向)，但並不限定於此。例如，如圖10所示之基板處理裝置100'般，亦可相對於乾燥部4，將搬送單元2及搬送單元3配置於可接近之位置(例如90°方向)。

1．．．塗佈裝置

2、3．．．搬送單元

4．．．乾燥部

5、6．．．熱處理部

11、12．．．架橋構造

13a、13b．．．移動軌道

14．．．保持面

15．．．平台

16、17．．．噴出機構

21．．．基台

22．．．支臂部

23、112、113、122、123．．．升降機構

29．．．旋轉機構

41、42．．．乾燥單元

43．．．待機單元

51、HP．．．加熱單元

52、CP．．．冷卻單元

53、BF．．．緩衝器

81．．．搬入部

82．．．清洗部

83．．．調溫部

84．．．移載部

85．．．曝光部

86．．．顯影部

87．．．檢查部

88．．．搬出部

90．．．基板

100、100'．．．基板處理裝置

110、120．．．噴嘴支持部

111、121．．．狹縫噴嘴

161、171．．．泵

162、172．．．儲存機構

163、173．．．供給配管

221．．．機械手

222．．．夾盤

223．．．第1支臂

224．．．第2支臂

231．．．支持構件

232．．．支柱構件

411、421．．．蓋部

412、422．．．腔室

413、423．．．吸引機構

414、424．．．處理空間

431．．．下部框架

432．．．銷

LP．．．頂銷

圖1係表示基板處理系統之概略之圖；

圖2係表示塗佈裝置1之立體圖；

圖3係表示搬送單元2之側視圖；

圖4係表示搬送單元2之平面圖；

圖5係表示乾燥部4之側視圖；

圖6係表示乾燥部4、搬送單元2、搬送單元3、熱處理部5之關係之側視圖；

圖7係表示基板處理裝置100、及基板處理系統之動作之圖；

圖8係於基板90之上表面形成層A及層B後之圖；

圖9係表示第2實施形態之基板處理裝置100、及基板處理系統之動作之圖；

圖10係表示其他實施形態之基板處理裝置100'之概略之圖；及

圖11係表示先前之基板處理系統之概略之圖。

2、3．．．搬送單元

4．．．乾燥部

5．．．熱處理部

41、42．．．乾燥單元

43．．．待機單元

51、HP．．．加熱單元

52、CP．．．冷卻單元

53、BF．．．緩衝器

432．．．銷

Claims (4)

1. 一種基板處理裝置，其係對基板塗佈特定之處理液而形成塗佈膜者，其特徵在於包括：塗佈機構，其具備第1及第2狹縫噴嘴、以及水平地載置上述基板之載置機構，且藉由使該狹縫噴嘴相對於載置在上述載置機構上之基板掃描移動，而對上述基板之上表面塗佈處理液；第1乾燥機構，其進行對藉由上述塗佈機構而塗佈之上述基板進行乾燥處理之步驟中之至少一部分的第1乾燥步驟；第1搬送機構，其將藉由上述塗佈機構而塗佈之上述基板搬入至上述第1乾燥機構；第2搬送機構，其將藉由上述第1搬送機構而搬送至上述第1乾燥機構之基板，自上述第1乾燥機構之與上述第1搬送機構所對向之面不同之面搬出；待機機構，其與上述第1乾燥機構積層配置，藉由上述第1搬送機構及上述第2搬送機構而將上述基板搬入或搬出；以及控制機構，其控制上述塗佈機構、上述第1乾燥機構、上述第1搬送機構及上述第2搬送機構；且上述塗佈機構及上述第1乾燥機構係配置於以上述第1搬送機構為中心之同心圓上，上述控制機構係於藉由上述第1搬送機構，將利用上述塗佈機構之上述第1狹縫噴嘴而塗佈處理液之基板搬入 至上述第1乾燥機構進行第1乾燥步驟之後，藉由上述第2搬送機構，從上述第1乾燥機構搬入至上述待機機構，並藉由上述第1搬送機構，從上述待機機構搬出而再次載置於上述塗佈機構之載置機構上，並於該基板之由上述第1狹縫噴嘴所塗佈之處理液所形成之層的上表面，藉由上述第2狹縫噴嘴對與該層大致相同之面積塗佈處理液。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中更包括第2乾燥機構，其進行對藉由上述塗佈機構而塗佈之上述基板進行乾燥處理之步驟中之至少一部分的第2乾燥步驟，且上述第2乾燥機構、及上述第1乾燥機構係配置於以上述第2搬送機構為中心之同心圓上；上述控制機構係將於進行第2乾燥步驟之後藉由上述第2搬送機構從上述第2乾燥機構搬入至與上述第1乾燥機構層疊配置之上述待機機構的基板，藉由上述第1搬送機構，從上述待機機構搬出而再次載置於上述塗佈機構之載置機構上。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1乾燥步驟包含對藉由上述塗佈機構而塗佈於上述基板上之塗佈液進行減壓乾燥之減壓乾燥步驟，上述第2乾燥步驟包含對上述基板加熱之加熱步驟。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中藉由上述第1狹縫噴嘴而塗佈之處理液與藉由上述第2狹縫噴嘴而塗佈之處理液為具有不同組成的處理液。