JP4451385B2 - 塗布処理装置及び塗布処理方法 - Google Patents

Description

本発明は，基板に塗布液を塗布する塗布処理装置及び塗布処理方法に関する。

例えば，液晶ディスプレイの製造プロセスのフォトリソグラフィ工程では，ガラス基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われている。

上述のレジスト塗布処理は，通常基板搬送ライン上に設けられたレジスト塗布処理ユニットにおいて行われ，例えばレジスト塗布処理ユニットのステージ上にガラス基板が順次搬送され，ノズルにより各ガラス基板にレジスト液を吐出することにより行われている。

ところで，上述したレジスト塗布処理ユニットには，ノズルの試し出し（プライミング処理）を行う回転ロールが設けられている。塗布前にノズルの先端部を回転ロールの上面に近づけ，回転ロールを回転させながら，ノズルから回転ロールにレジスト液を吐出することにより，ノズルの吐出状態を安定させることができる（特許文献１参照）。

特開平１０−１５６２５５号公報

しかしながら，上述したノズルの試し出しは，一枚のガラス基板を塗布する度に行われる。このため，ノズルは，一枚のガラス基板の塗布を終了した後に回転ロール上に移動し，試し出しを行い，再び吐出位置に戻される。この間，次に塗布されるガラス基板は，基板搬送ライン上で待たされている。このように，従来は，レジスト塗布処理ユニットでガラス基板の待ち時間が生じていたため，ガラス基板の処理タクトを十分に短くすることはできなかった。このため，高いスループットを実現することは難しかった。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レジスト塗布処理ユニットなどの塗布処理装置における基板の処理タクトを短縮することをその目的とする。

上記目的を達成するための本発明は，基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって，基板が水平方向に搬送される基板搬送路と，前記基板搬送路の上方に設けられ，前記基板搬送路を搬送される基板に対し塗布液を吐出するノズルと，前記基板搬送路の上方に設けられ，前記ノズルの塗布液の試し出しが行われる回転ロールと，前記基板搬送路に沿って設けられ，基板を搬入するための搬入ステージと，基板に塗布液を塗布するための塗布ステージと，基板を搬出するための搬出ステージとを有するステージと，を備え，前記ノズルは，前記基板搬送路に沿った前後に２つ設けられ，前記回転ロールは，前記各ノズル毎に設けられ，前記２つのノズルは，１つの塗布液の供給源に接続され，前記２つのノズルのうちの一方のノズルが基板に塗布液を塗布している間に，他方のノズルを回転ロールにおいて試し出しさせる制御部をさらに有することを特徴とする。

本発明によれば，一方のノズルが基板に塗布液を吐出している間に，他方のノズルが回転ロールにより試し出しを行うことができる。このため，一方のノズルにより一の基板の塗布処理が終了した後，直ちに他方のノズルにより次の基板の塗布処理を行うことができる。これにより，塗布処理装置において基板の処理待ち時間が無くなり，処理タクトを短縮できる。

前記各ノズルは，上下動自在に構成され，前記各回転ロールは，前記基板搬送路に沿って前後に移動し，ノズルの下方の位置に進退自在に構成されていてもよい。

前記基板搬送路の上流側のノズルに対しては，一方の回転ロールが上流側からノズルの下方の位置に進退自在であり，前記基板搬送路の下流側のノズルに対しては，他方の回転ロールが下流側からノズルの下方の位置に進退自在であってもよい。

前記２つのノズルは，同じ保持部材に保持されていてもよい。

前記２つのノズルは，前記基板搬送路上の同じ吐出位置に移動自在に構成されていてもよい。

別の観点による本発明は，上記塗布処理装置を用いた塗布処理方法であって，２つのノズルのうちの一方のノズルが基板に塗布液を塗布している間に，他方のノズルが回転ロールにおいて塗布液の試し出しを行うことを特徴とする。

本発明によれば，塗布処理装置における処理タクトを短縮できるので，スループットを向上できる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗布処理装置が搭載された塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。

塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば複数のガラス基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットが配置された処理ステーション３と，処理ステーションに３に隣接して設けられ，処理ステーション３と露光装置４との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には，カセット載置台１０が設けられ，当該カセット載置台１０は，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には，搬送路１１上をＸ方向に向かって移動可能な基板搬送体１２が設けられている。基板搬送体１２は，カセットＣに収容されたガラス基板Ｇの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のガラス基板Ｇに対して選択的にアクセスできる。

基板搬送体１２は，Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション３側のエキシマＵＶ照射ユニット２０や第６の熱処理ユニット群３４の各ユニットに対してもアクセスできる。

処理ステーション３は，例えばＹ方向（図１の左右方向）に延びる２列の搬送ラインＡ，Ｂを備えている。この搬送ラインＡ，Ｂにおいては，コロ搬送やアームによる搬送などにより，ガラス基板Ｇを搬送できる。処理ステーション３の正面側（Ｘ方向負方向側（図１の下側））の基板搬送路としての搬送ラインＡには，カセットステーション２側からインターフェイスステーション５側に向けて順に，例えばガラス基板Ｇ上の有機物を除去するエキシマＵＶ照射ユニット２０，ガラス基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄ユニット２１，第１の熱処理ユニット群２２，第２の熱処理ユニット群２３，ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する塗布処理装置としてのレジスト塗布処理ユニット２４，ガラス基板Ｇを減圧乾燥する減圧乾燥ユニット２５及び第３の熱処理ユニット群２６が直線的に一列に配置されている。

第１及び第２の熱処理ユニット群２２，２３には，ガラス基板Ｇを加熱又は冷却する複数の熱処理ユニットが多段に積層されている。第１の熱処理ユニット群２２と第２の熱処理ユニット群２３との間には，このユニット群２２，２３間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体２７が設けられている。第３の熱処理ユニット群２６にも同様に，熱処理ユニットが多段に積層されている。

処理ステーション３の背面側（Ｘ方向正方向側（図１の上方側））の搬送ラインＢには，インターフェイスステーション５側からカセットステーション２側に向けて順に，例えば第４の熱処理ユニット群３０，ガラス基板Ｇを現像処理する現像処理ユニット３１，ガラス基板Ｇの脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニット３２，第５の熱処理ユニット群３３及び第６の熱処理ユニット群３４が直線状に一列に配置されている。

第４〜第６の熱処理ユニット群３０，３３，３４には，それぞれ熱処理ユニットが多段に積層されている。また，第５の熱処理ユニット群３３と第６の熱処理ユニット群３４との間には，このユニット群３３，３４間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４０が設けられている。

搬送ラインＡの第３の熱処理ユニット群２６と搬送ラインＢの第４の熱処理ユニット群３０との間には，このユニット群２６，３０間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４１が設けられている。この搬送体４１は，後述するインターフェイスステーション５のエクステンション・クーリングユニット６０に対してもガラス基板Ｇを搬送できる。

搬送ラインＡと搬送ラインＢとの間には，Ｙ方向に沿った直線的な空間５０が形成されている。空間５０には，ガラス基板Ｇを載置して搬送可能なシャトル５１が設けられている。シャトル５１は，処理ステーション３のカセットステーション２側の端部からインターフェイスステーション５側の端部まで移動自在であり，処理ステーション３内の各搬送体２７，４０，４１に対してガラス基板Ｇを受け渡すことができる。

インターフェイスステーション５には，例えば冷却機能を有しガラス基板Ｇの受け渡しを行うエクステンション・クーリングユニット６０と，ガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファカセット６１と，外部装置ブロック６２が設けられている。外部装置ブロック６２には，基板Ｇに生産管理用のコードを露光するタイトラーと，ガラス基板Ｇの周辺部を露光する周辺露光装置が設けられている。インターフェイスステーション５には，上記エクステンション・クーリングユニット６０，バッファカセット６１，外部装置ブロック６２及び露光装置４に対して，ガラス基板Ｇを搬送可能な基板搬送体６３が設けられている。

次に，上述のレジスト塗布処理ユニット２４の構成について説明する。

レジスト塗布処理ユニット２４には，例えば図２及び図３に示すように搬送ラインＡに沿ったＹ方向に長いステージ７０が設けられている。ステージ７０は，搬入ステージ７０ａ，塗布ステージ７０ｂ及び搬出ステージ７０ｃを搬送ラインＡの上流側（Ｙ方向負方向側）から下流側（Ｙ方向正方向側）に向けて順に備えている。搬入ステージ７０ａと搬出ステージ７０ｃの上面には，図３に示すように多数のガス噴出口７１が形成されている。塗布ステージ７０ｂの上面には，ガス噴出口７１と吸引口７２が形成されている。ガス噴出口７１からガスを噴出することにより，ステージ７０全面においてガラス基板Ｇを浮上させることができる。また，塗布ステージ７０ｂにおいては，ガス噴出口７１によるガスの噴出と吸引口７２による吸引を調整することにより，ガラス基板Ｇをより塗布ステージ７０ｂに近づけ安定した高さに浮上させることができる。

ステージ７０の幅方向（Ｘ方向）の両側には，Ｙ方向に延びる一対の第１のガイドレール７３が形成されている。各第１のガイドレール７３には，ガラス基板Ｇの幅方向の端部を保持して移動する保持アーム７４が設けられている。ステージ７０上で浮上したガラス基板Ｇの両端部を保持アーム７４により保持して，そのガラス基板Ｇを第１のガイドレール７３に沿ってＹ方向に移動させることができる。

塗布ステージ７０ｂの上方には，ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する２つのノズル８０，８１が設けられている。第１のノズル８０は，例えば図３及び図４に示すようにＸ方向に向けて長い略直方体形状に形成されている。第１のノズル８０は，例えばガラス基板ＧのＸ方向の幅よりも長く形成されている。第１のノズル８０の下端部には，図４に示すようにスリット状の吐出口８０ａが形成されている。第１のノズル８０の上部には，レジスト液供給源８２に通じるレジスト液供給管８３が接続されている。

第２のノズル８１は，第１のノズル８０と同様の構成を有し，第２のノズル８１の下端部には，吐出口８１ａが形成され，第２のノズル８１の上部には，レジスト液供給源８２に通じるレジスト液供給管８３が接続されている。

図３及び図５に示すように第１のノズル８０と第２のノズル８１は，塗布ステージ７０ｂのＸ方向の両側に亘って架け渡された門型の保持部材としてのアーム（ガントリ）９０によって保持されている。アーム９０は，塗布ステージ７０ｂ上方でＸ方向の水平方向に向けて形成された上部水平部９０ａを備えている。ノズル８０，８１の上部には，上下方向に駆動するシリンダなどの駆動機構９１が設けられ，ノズル８０，８１は，この駆動機構９１を介してアーム９０の上部水平部９０ａに取り付けられている。図２に示すように第１のノズル８０は，上部水平部９０ａのＹ方向負方向側の側面に取り付けられ，第２のノズル８１は，上部水平部９０ａのＹ方向正方向側の側面に取り付けられている。各ノズル８０，８１は，各々の駆動機構９１により昇降し，下方を通過するガラス基板Ｇの表面に対し進退できる。

図２及び図３に示すように第１のノズル８０のＹ方向負方向側には，第１のノズル８０の試し出しが行われる第１の回転ロール１００が設けられている。この第１の回転ロール１００の位置が待機位置Ｔ１となる。第１の回転ロール１００は，回転軸をＸ方向に向けて，例えば第１のノズル８０よりも長く形成されている。第１の回転ロール１００は，例えば第１の回転ロール１００を洗浄するための洗浄容器１０１内に収容されている。この第１の回転ロール１００の最上部に第１のノズル８０の吐出口８０ａを近接させ，第１の回転ロール１００を回転させながら，吐出口８０ａから第１の回転ロール１００にレジスト液を吐出することにより，吐出口８０ａにおけるレジスト液の付着状態を整えて，レジスト液の吐出状態を安定させることができる。

例えば，図３に示すように第１の回転ロール１００のＸ方向の両側には，Ｙ方向に延びる一対の第２のガイドレール１１０が形成されている。例えば洗浄容器１０１は，モータなどの駆動源により第２のガイドレール１１０上を移動する支持アーム１１１によって支持されている。第２のガイドレール１１０上で支持アーム１１１を移動させることによって，洗浄容器１０１内の第１の回転ロール１００を，Ｙ方向の水平方向に移動させ，第１のノズル８０の下方の位置に移動させることができる。

第２のノズル８１のＹ方向正方向側には，第２のノズル８１の試し出しが行われる第２の回転ロール１２０が設けられている。この第２の回転ロール１２０の位置が待機位置Ｔ２となる。第２の回転ロール１２０は，上述の第１の回転ロール１００と同様の構成を有している。第２の回転ロール１２０は，例えば洗浄容器１２１内に収容されている。また，洗浄容器１２１は，上述の洗浄容器１０１と同様に，第２のガイドレール１１０上を移動する支持アーム１２２によって支持されている。これにより，第２の回転ロール１２０は，Ｙ方向の水平方向に移動し，第２のノズル８１の下方の位置に移動できる。

なお，ガラス基板Ｇの保持アーム７４，ノズル８０，８１の駆動機構９１，回転ロール１００，１２０の回転機構，洗浄容器１０１，１２１の支持アーム１１１，１２２などの駆動系の動作は，例えば図１に示す制御部１２５により制御されている。制御部１２５は，これらの駆動系の動作を制御して，レジスト塗布処理ユニット２４において所定の塗布処理を実行できる。

次に，以上のように構成されたレジスト塗布処理ユニット２４の塗布処理プロセスを，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。

先ず，カセットステーション２のカセットＣ内の複数のガラス基板Ｇが，基板搬送体１２によって，順次処理ステーション３のエキシマＵＶ照射ユニット２０に搬送される。ガラス基板Ｇは，搬送ラインＡに沿って，エキシマＵＶ照射ユニット２０，スクラバ洗浄ユニット２１，第１の熱処理ユニット群２３の熱処理ユニット，第２の熱処理ユニット群２４の熱処理ユニット，レジスト塗布処理ユニット２４，減圧乾燥ユニット２５及び第３の熱処理ユニット群２６の熱処理ユニットに順に搬送され，各処理ユニットにおいて所定の処理が施される。第３の熱処理ユニット群２６で熱処理の終了したガラス基板Ｇは，搬送体４１によって，インターフェイスステーション５に搬送され，基板搬送体６３によって露光装置４に搬送される。

露光装置４において露光処理の終了したガラス基板Ｇは，基板搬送体６３によってインターフェイスステーション５に戻され，搬送体４０によって処理ステーション３の第４の熱処理ユニット群３０に搬送される。ガラス基板Ｇは，搬送ラインＢに沿って，第４の熱処理ユニット群３０の熱処理ユニット，現像処理ユニット３１，ｉ線ＵＶ照射ユニット３２，第５の熱処理ユニット群３３の熱処理ユニット及び第６の熱処理ユニット群３４の熱処理ユニットに順に搬送され，各処理ユニットにおいて所定の処理が施される。第６の熱処理ユニット群３４で熱処理の終了したガラス基板Ｇは，基板搬送体１２によってカセットステーション２のカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

次に，レジスト塗布処理ユニット２４における塗布処理プロセスについて説明する。

先ず，第１のノズル８０の試し出しが行われる。この際，図２に示すように第１のノズル８０よりＹ方向負方向側の待機位置Ｔ１で待機していた第１の回転ロール１００が，Ｙ方向正方向側に移動し，第１のノズル８０の下方に位置される。このとき，第１のノズル８０の吐出口８０ａが第１の回転ロール１００の上部表面に近接される。第１の回転ロール１００が回転し，第１のノズル８０から第１の回転ロール１００にレジスト液が吐出されて，第１のノズル８０の吐出状態が安定する。その後，第１の回転ロール１００は，Ｙ方向負方向側に移動し，元の待機位置Ｔ１に戻される。

第１のノズル８０の試し出しが終了すると，第１のノズル８０は，図６に示すように下降し，所定の高さの吐出位置Ｅ１に移動する。これまでの間に，ガラス基板Ｇ１は，搬入ステージ７０ａに搬入されている。第１のノズル８０が吐出位置Ｅ１まで移動すると，搬入ステージ７０ａのガラス基板Ｇ１が一定の速度でＹ方向正方向側に搬送される。ガラス基板Ｇ１が塗布ステージ７０ｂ上を移動し，第１のノズル８０の下方を通過する際に，第１のノズル８０からレジスト液が吐出され，ガラス基板Ｇ１の上面の全面にレジスト液が塗布される。

第１のノズル８０がガラス基板Ｇ１にレジスト液を塗布している間に，第２のノズル８１の試し出しが行われる。このとき，第２の回転ロール１２０は，第２のノズル８１よりもＹ方向正方向側の待機位置Ｔ２から第２のノズル８１の下方の位置まで移動する。第２のノズル８１から回転している第２の回転ロール１２０にレジスト液が吐出されて，第２のノズル８１の吐出状態が安定する。第２のノズル８１の試し出しが終了すると，第２の回転ロール１２０は，Ｙ方向負方向側に移動し，元の待機位置Ｔ２に戻される。

また，ガラス基板Ｇ１の塗布処理が行われている間に，次のガラス基板Ｇ２が搬入ステージ７０ａに搬入される。

ガラス基板Ｇ１が第１のノズル８０の下方を通過し終えてレジスト液の塗布が終了すると，第１のノズル８０は，図７に示すように元の待機位置まで上昇される。このとき，第２のノズル８１は，下降し，所定の高さの吐出位置Ｅ２まで移動する。第２のノズル８１が吐出位置Ｅ２に移動すると，搬入ステージ７０ａで待機していたガラス基板Ｇ２がガラス基板Ｇ１に連続して塗布ステージ７０ｂ側に移動される。ガラス基板Ｇ２が第２のノズル８１の下方を通過する際に，第２のノズル８１からレジスト液が吐出され，ガラス基板Ｇ２の上面の全面にレジスト液が塗布される。

第２のノズル８１がガラス基板Ｇ２にレジスト液を塗布している間に，第１の回転ロール１００が待機位置Ｔ１から再び第１のノズル８０の下方の位置まで移動し，第１のノズル８０の試し出しが行われる。第１のノズル８０の試し出しが終了すると，第１の回転ロール１００は，再び待機位置Ｔ１に戻される。また，この間に，次のガラス基板Ｇ３が搬入ステージ７０ａに搬入される。先のガラス基板Ｇ１は，搬出ステージ７０ｃから次の減圧乾燥ユニット２５に搬送される。

ガラス基板Ｇ２が第２のノズル８１の下方を通過し終え，レジスト液の塗布が終了すると，第２のノズル８１は，図８に示すように上方の待機位置まで戻され，今度は第１のノズル８０が吐出位置Ｅ１まで下降する。第１のノズル８０が吐出位置Ｅ１に移動すると，次のガラス基板Ｇ３が塗布ステージ７０ｂ側に移送され，ガラス基板Ｇ３が第１のノズル８０の下方を通過する際に，第１のノズル８０からガラス基板Ｇ３にレジスト液が塗布される。一方，この間に，第２の回転ロール１２０が待機位置Ｔ２から第２のノズル８１の下方の位置まで移動し，第２の回転ロール１２０の試し出しが行われる。このように，第１のノズル８０と第２のノズル８１による塗布処理が交互に行われて，塗布処理を行っていないノズルについては，試し出しが行われる。なお，以上のレジスト塗布処理ユニット２４における一連の塗布処理プロセスは，例えば制御部１２５による各種駆動系の制御によって実現されている。

以上の実施の形態によれば，レジスト塗布処理ユニット２４の塗布ステージ７０ｂ上に２つのノズル８０，８１が設けられ，各ノズル８０，８１に対して回転ロール１００，１２０が設けられたので，一方のノズルがレジスト液を塗布している間に他方のノズルの試し出しを行うことができる。これにより，一方のノズルによる塗布処理が終了した後，直ちに他方のノズルがレジスト液を吐出できるので，複数のガラス基板Ｇを待ち時間なしに連続して処理することができる。この結果，搬送ラインＡにおけるレジスト塗布処理ユニット２４の処理タクトを短縮できる。

第１及び第２のノズル８０，８１を上下動自在にし，第１及び第２の回転ロール１００，１２０をノズルの下方の位置に対し水平方向に進退自在にしたので，各ノズル８０，８１は，下降して，ガラス基板Ｇに近づいてレジスト液を吐出することができる。また，各ノズル８０，８１が上昇し，各回転ロール１００，１２０をノズル８０，８１の下方に移動させて，各ノズル８０，８１の試し出しを行うことができる。この場合，各ノズル８０，８１を各回転ロール１００，１２０上まで往復させる必要がないので，その分ノズル８０，８１の移動距離と移動時間が短くてすみ，各ノズル８０，８１の塗布処理と試し出しの切り替えを迅速に行うことができる。それ故，ガラス基板Ｇの処理タクトをより短縮できる。

第１のノズル８０と第２のノズル８１が同じアーム９０に保持されているので，レジスト塗布処理ユニット２４の構造を単純化し，またレジスト塗布処理ユニット２４を小型化できる。

上記実施の形態では，第１のノズル８０と第２のノズル８１の吐出位置Ｅ１，Ｅ２が搬送ラインＡ上の前後にずれていたが，同じ位置で吐出できるようにしてもよい。この場合，例えば図９に示すように塗布ステージ７０ｂのＸ方向の両側に，Ｙ方向に延びる第３のガイドレール１３０が設けられる。アーム９０は，モータなどの駆動源１３１により第３のガイドレール１３０上を移動できる。

そして，塗布処理時には，例えば図１０に示すように試し出しの終了した第１のノズル８０が下降する際に，アーム９０が例えばＹ方向正方向側に移動し，第１のノズル８０が例えば塗布ステージ７０ｂ上の中間点の吐出位置Ｅ３に移動される。このとき，第１のノズル８０は，下降と水平移動の組み合わせによりＹ方向正方向側の斜め下方向の吐出位置Ｅ３に対して直線的に移動される。また，このアーム９０の移動により，第２のノズル８１は，Ｙ方向正方向側に移動され，例えば第２の回転ロール１２０の上方に移動する。なお，第２の回転ロール１２０は，予め第２のノズル８１の移動先の下方に設置されていてもよいし，第２のノズル８１の試し出しの際に，第２の回転ロール１２０が第２のノズル８１の移動先の下方に移動するようにしてもよい。前者の場合には，第２の回転ロール１２０の水平駆動機構はなくてもよい。

また，第１のノズル８０は，レジスト液の塗布を終了すると，図１１に示すようにアーム９０がＹ方向負方向側に移動する。このとき，第１のノズル８０は，アーム９０によりＹ方向負方向側に移動され，それと同時に上昇する。これにより，第１のノズル８０は，Ｙ方向負方向側の斜め上方に移動され，第１の回転ロール１００の上方の待機位置に戻される。また，第２のノズル８１も，アーム９０によりＹ方向負方向側に移動され，それと同時に下降する。これにより，第２のノズル８１は，Ｙ方向負方向側の斜め下方向に移動され，第１のノズル８０と同じ吐出位置Ｅ３に移動される。なお，第１の回転ロール１００は，予め第１のノズル８０の待機位置の下方に設置されていてもよいし，第１のノズル８０の試し出しを行う際に，第１の回転ロール１００が第１のノズル８０の下方に移動してもよい。

この実施の形態によれば，第１のノズル８０と第２のノズル８１の吐出位置が一致するので，搬送ラインＡ上における各ガラス基板Ｇの塗布位置が同じになる。この結果，例えば各ガラス基板Ｇについて，塗布処理から次の乾燥処理までの所要時間が一定になり，その所要時間の相違によって塗布状態がばらつくことがなくなる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば以上の実施の形態では，２つのノズル８０，８１が同じアーム９０に保持されていたが，別のアームに保持されている場合にも本発明は適用できる。また，以上の実施の形態では，本発明を，レジスト液の塗布が行われるレジスト塗布処理ユニット２４に適用していたが，現像液などの他の塗布液を塗布する塗布処理装置に適用してもよい。本発明は，ガラス基板Ｇ以外の他のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）やフォトマスク用のマスクレチクル，半導体ウェハなどの他の基板に塗布液を塗布する場合にも適用できる。

本発明は，塗布処理装置における基板の処理能力を向上する際に有用である。

本実施の形態における塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。 レジスト塗布処理ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。 レジスト塗布処理ユニットの構成の概略を示す平面図である。 ノズルの説明図である。 レジスト塗布ユニットの搬送ライン方向から見た縦断面である。 第１のノズルがレジスト液を塗布している際のレジスト塗布処理ユニット内の様子を示す縦断面の説明図である。 第２のノズルがレジスト液を塗布している際のレジスト塗布処理ユニット内の様子を示す縦断面の説明図である。 再び第１のノズルがレジスト液を塗布している際のレジスト塗布処理ユニット内の様子を示す縦断面の説明図である。 アームをＹ方向に移動自在にした場合のレジスト塗布処理ユニットの構成の概略を示す平面図である。 第１のノズルがレジスト液を塗布している際のレジスト塗布処理ユニット内の様子を示す縦断面の説明図である。 第２のノズルがレジスト液を塗布している際のレジスト塗布処理ユニット内の様子を示す縦断面の説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理装置
２４ レジスト塗布処理ユニット
８０ 第１のノズル
８１ 第２のノズル
７０ｂ 塗布ステージ
９０ アーム
１００ 第１の回転ロール
１２０ 第２の回転ロール
Ｇ ガラス基板

Claims (6)

1. 基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって，
   基板が水平方向に搬送される基板搬送路と，
   前記基板搬送路の上方に設けられ，前記基板搬送路を搬送される基板に対し塗布液を吐出するノズルと，
   前記基板搬送路の上方に設けられ，前記ノズルの塗布液の試し出しが行われる回転ロールと，
   前記基板搬送路に沿って設けられ，基板を搬入するための搬入ステージと，基板に塗布液を塗布するための塗布ステージと，基板を搬出するための搬出ステージとを有するステージと，を備え，
   前記ノズルは，前記基板搬送路に沿った前後に２つ設けられ，
   前記回転ロールは，前記各ノズル毎に設けられ，
   前記２つのノズルは，１つの塗布液の供給源に接続され，
   前記２つのノズルのうちの一方のノズルが基板に塗布液を塗布している間に，他方のノズルを回転ロールにおいて試し出しさせる制御部をさらに有することを特徴とする，塗布処理装置。
2. 前記各ノズルは，上下動自在に構成され，
   前記各回転ロールは，前記基板搬送路に沿って前後に移動し，ノズルの下方の位置に進退自在に構成されていることを特徴とする，請求項１に記載の塗布処理装置。
3. 前記基板搬送路の上流側のノズルに対しては，一方の回転ロールが上流側からノズルの下方の位置に進退自在であり，
   前記基板搬送路の下流側のノズルに対しては，他方の回転ロールが下流側からノズルの下方の位置に進退自在であることを特徴とする，請求項２に記載の塗布処理装置。
4. 前記２つのノズルは，同じ保持部材に保持されていることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の塗布処理装置。
5. 前記２つのノズルは，前記基板搬送路上の同じ吐出位置に移動自在に構成されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の塗布処理装置。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の塗布処理装置を用いた塗布処理方法であって，
   ２つのノズルのうちの一方のノズルが基板に塗布液を塗布している間に，他方のノズルが回転ロールにおいて塗布液の試し出しを行うことを特徴とする，塗布処理方法。

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