KR20140148282A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20140148282A
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 감광액을 도포하는 감광액 도포 유닛; 상기 감광액 도포 유닛에서 상기 기판을 전달 받아 대기압 상태에서 상기 감광액을 건조 시키는 대기압 건조 유닛; 및 대기압 상태에서 건조된 상기 기판을 감압 상태에서 건조 시키는 감압 건조 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 감광액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다.
포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 불필요한 영역을 제거하는 현상공정이 순차적으로 이루어진다. 또한, 감광액이 도포된 기판은 건조 및 베이크 공정을 통해 감광액을 안정화 시킨 후, 노광공정이 수행된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판에 도포된 감광액을 효율적으로 안정화 시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판에 도포된 감광액을 안정화 시키는 과정에서 감광액 막이 불균일하게 되는 것이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 감광액을 도포하는 감광액 도포 유닛; 상기 감광액 도포 유닛에서 상기 기판을 전달 받아 대기압 상태에서 상기 감광액을 건조 시키는 대기압 건조 유닛; 및 대기압 상태에서 건조된 상기 기판을 감압 상태에서 건조 시키는 감압 건조 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 유닛은, 내부에 상기 기판이 처리되는 내부 공간이 형성된 상압 챔버; 상기 내부 공간에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 유닛은 상기 상압 챔버의 내부에 기류를 발생 시키는 기류 발생 모듈을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기류 발생 모듈은 상기 상압 챔버의 측벽 내면에 위치되어 기류를 발생 시키는 송풍 부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 송풍 부재는 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판의 높이에 대응되는 높이에 제공될 수 있다.
또한, 상기 기류 발생 모듈은 상기 기판의 위쪽을 지나온 기체를 외부로 배기하는 배기 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 배기 부재는 상기 송풍 부재와 마주보도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 감압 건조 유닛은, 내부에 상기 기판이 처리되는 내부 공간이 형성된 감압 챔버; 상기 감압 챔버의 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 서셉터; 및 상기 감압 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 상하로 적층되게 배열될 수 있다.
또한, 상기 감광액 도포 유닛, 상기 대기압 건조 유닛 및 상기 감압 건조 유닛은 동일 평면 상에서 서로 인접하게 위치되도록 배열될 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 순차적으로 직접 연결될 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 하나의 건조 유닛으로 일체로 제공될 수 있다.
또한, 상기 건조 유닛은, 하나의 건조 챔버; 상기 건조 챔버의 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 건조 챔버 내부에 기류를 발생 시키는 기류 발생 모듈; 및 상기 건조 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판에 감광액을 도포하는 단계; 상기 기판을 대기압에서 건조 하는 대기압 건조 단계; 상기 기판을 감압 상태에서 건조 하는 감압 건조 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 대기압 건조 단계는 상기 기판의 위쪽에 기류를 형성한 상태에서 이루어질 수 있다.
또한, 상기 기류는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 감압 건조 단계는, 상기 기판이 위치된 공간을 제 1 흡입압력으로 감압하는 제 1 감압단계; 및 상기 기판이 위치된 공간을 상기 제 1 흡입 압력보다 큰 제 2 흡입압력으로 감압하는 제 2 감압단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 도포된 감광액을 효율적으로 안정화 시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 도포된 감광액이 안정화 되는 과정에서 감광액 막이 불균일하게 되는 것이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 배열관계를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1의 대기압 건조 유닛의 단면도이다.
도 3은 대기압 건조 유닛이 기판을 처리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 감압 건조 유닛의 단면도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 감광액 도포 유닛, 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 배열 관계를 나타내는 평면도이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 감광액 도포 유닛, 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 배열 관계를 나타내는 측면도이다.
도 7은 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 다른 배열 관계를 나타내는 측단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛을 나타내는 횡단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예에서 기판(S)은 평판 디스플레이용 패널의 일종인 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널이거나 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명하였으나, 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 배열관계를 나타낸 블록도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 감광액 도포 유닛(100), 대기압 건조 유닛(200), 감압 건조 유닛(300) 및 베이크 유닛(400)을 포함한다.
감광액 도포 유닛(100)은 기판(S)에 감광액을 도포한다. 감광액은 용매에 용해되어 액상으로 기판(S)에 도포될 수 있다. 용매는 유기 용제가 사용될 수 있다. 예를 들어, 유기 용제는 신나일 수 있다.
도 2는 도 1의 대기압 건조 유닛의 단면도이다.
도 1 및 도 2 를 참조하면, 대기압 건조 유닛(200)은 상압 챔버(210), 지지 부재(220) 및 기류 발생 모듈(230, 240)을 포함한다. 대기압 건조 유닛(200)은 감광액이 도포된 기판(S)을 감광액 도포 유닛(100)에서 전달 받아 대기압 상태에서 건조 시키는 대기압 건조 단계를 수행한다.
상압 챔버(210)는 내부에 기판(S)이 처리되는 내부 공간을 제공한다. 내부 공간을 외부와 밀폐되게 제공될 수 있다. 상압 챔버(210)에는 기판(S)이 반입 또는 반출되는 개구 및 개구를 개폐하는 도어가 제공된다. 개구는 하나가 제공되어, 기판(S)의 반입 및 반출시 사용될 수 있다. 또한, 상압 챔버(210)에는 기판(S)의 반입을 위한 개구와 기판(S)의 반출을 위한 개구 별개로 제공될 수 도 있다.
지지 부재(220)는 기판(S)이 상압 챔버(210) 내부에서 처리되는 동안 기판(S)을 지지 한다. 지지 부재(220)는 상압 챔버(210)의 내부에 제공된다. 예를 들어, 지지 부재(220)는 상압 챔버(210)의 하벽(210b) 내면에 위치될 수 있다. 지지 부재(220)에는 리프트 핀들(221)이 제공될 수 있다. 리프트 핀들(221)은 지지 부재(220)의 상면에 승강 가능하게 제공된다. 리프트 핀들(221)은 승강 하면서, 기판(S)이 상압 챔버(210) 내부로 반입 되거나, 상압 챔버(210)에서 외부로 반출되는 것을 보조 한다.
도 3은 대기압 건조 유닛이 기판을 처리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기류 발생 모듈(230, 240)은 상압 챔버(210)의 내부에 기류를 발생 시킨다. 기류 발생 모듈(230, 240)은 송풍 부재(230) 및 배기 부재(240)를 포함한다.
송풍 부재(230)는 상압 챔버(210)의 내부 공간 방향을 향하도록 위치된다. 송풍 부재(230)는 상압 챔버(210) 측벽 내면에 위치될 수 있다. 송풍 부재(230)는 도어가 제공되는 측벽외의 측벽에 위치될 수 있다. 또한, 송풍 부재(230)는 도어의 옆에 위치되도록 도어와 동일한 측벽에 제공될 수 도 있다. 송풍 부재(230)는 상압 챔버(210)에서 처리되는 기판(S)의 높이에 대응되는 높이에 위치되게 제공될 수 있다. 송풍 부재(230)는 내부 공간에 기류를 발생시킨다. 예를 들어, 송풍 부재(230)는 팬으로 제공될 수 있다. 송풍 부재(230)에서 발생되는 기류는 기판(S)의 상면과 나란하게 형성될 수 있다. 또한, 송풍 부재(230)는 공급 라인을 통해 외부에서 기체를 공급 받을 수 있다.
송풍 부재(230)에서 발생된 기류는 기판(S)의 상면을 지나면서 기판(S)에 도포된 감광액을 건조시킨다. 구체적으로, 감광액에 포함된 유기 용제는 휘발성에 의해 기류쪽으로 증발된다. 기류가 기판(S)의 상면과 나란하게 형성되는 경우, 기류에 의해 기판(S)에 도포된 감광액 막이 영역별로 불균일해지는 것이 최소화 될 수 있다.
배기 부재(240)는 상압 챔버(210)의 내부 공간 방향을 향하도록 위치된다. 배기 부재(240)는 기판(S)의 위쪽을 지나온 기체를 외부로 배기한다. 배기 부재(240)는 송풍 부재(230)와 마주보도록 상압 챔버(210)의 측벽 내면에 위치될 수 있다. 배기 부재(240)가 배기하는 기체의 양은 공급 라인을 통해 공급된 기체의 양에 대응될 수 있다. 따라서, 상압 챔버(210)의 내부 압력은 대기압으로 유지될 수 있다.
도 4는 도 1의 감압 건조 유닛의 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 감압 건조 유닛(300)은 감압 챔버(310), 서셉터(320) 및 감압 부재(330)을 포함한다. 감압 건조 유닛(300)은 대기압 상태에서 일차적으로 건조된 기판(S)을 대기압 건조 유닛(200)에서 전달 받아 감압 상태에서 건조 시키는 감압 건조 단계를 수행한다.
감압 챔버(310)는 내부에 기판(S)이 처리되는 내부 공간을 제공한다. 내부 공간을 외부와 밀폐되게 제공될 수 있다. 감압 챔버(310)에는 기판(S)이 반입 및 반출하는 개구와 개구를 개폐 하는 도어가 제공된다. 개구는 하나가 제공되어, 기판(S)의 반입 및 반출시 사용될 수 있다. 또한, 감압 챔버(310)에는 기판(S)의 반입을 위한 개구와 기판(S)의 반출을 위한 개구가 별개로 제공될 수 도 있다.
서셉터(320)는 기판(S)이 감압 챔버(310) 내부에서 처리되는 동안 기판(S)을 지지 한다. 서셉터(320)는 감압 챔버(310)의 내부에 제공된다. 예를 들어, 서셉터(320)는 감압 챔버(310)의 하벽(310b) 내면에 위치될 수 있다. 서셉터(320)에는 리프트 핀들(321)이 제공될 수 있다. 리프트 핀들(321)은 서셉터(320)의 상면에 승강 가능하게 제공된다. 리프트 핀들(321)은 승강 하면서, 기판(S)이 감압 챔버(310) 내부로 반입 되거나, 상압 챔버(210)에서 외부로 반출되는 것을 보조 한다.
감압 부재(330)는 감압 챔버(310)의 내부에서 기체 및 기판(S)에서 증발된 유기 용제를 배기시켜, 감압 챔버(310)의 내부를 감압한다. 감압 부재(330)는 감압 라인(331)을 통해 감압 챔버(310)에 형성된 감압홀(312)에 연결된다. 감압 부재(330)가 감압 챔버(310)의 내부를 감압시키면, 유기 용제가 증발 되면서 기판(S)이 건조된다. 감압 챔버(310)의 감압 과정에서 기체 및 유기 용제가 감압홀(312)로 배출됨에 따라, 기판(S) 주위에는 기류가 형성된다. 기판(S)에 도포된 감광액에는 이러한 기류에 의한 힘이 작용된다. 그러나, 감광액은 대기압 건조 유닛(200)에서 1차적으로 건조된 상태로 제공된다. 따라서, 감광액은 처음 도포된 상태에 비해 유동성이 감소된 상태다. 따라서, 감압 챔버(310) 내부의 감압시 발생되는 기류에 의해 감광액 막이 영역별로 불균일해지는 것이 초소화 된다. 또한, 감압홀(312)은 감압 챔버(310)의 하벽에 형성될 수 있다. 따라서, 기체 및 유기 용제가 감압홀(312)을 통해 배출될 때 발생되는 기류가 기판(S)에 미치는 영향이 최소화 될 수 있다.
감압 부재(330)는 감압 챔버(310)의 내부를 단계적으로 감압 할 수 있다. 먼저, 기판(S)이 감압 건조 유닛(300)으로 반입된 후 감압 챔버(310)가 차폐되면, 감압 부재(330)는 제 1 흡입압력으로 감압 챔버(310)의 기체 및 유기 용제를 배출하여 감압을 실시한다. 설정 시간이 경과되면, 감압 부재(330)는 제 2 흡입압력으로 감압 챔버(310)의 기체 및 유기 용제를 배출하여 감압 챔버(310)의 내부를 감압한다. 이 때, 제 2 흡입압력은 제 1 흡입압력보다 큰 값을 갖는다.
베이크 유닛(400)은 기판(S)을 감압 건조 유닛(300)에서 전달받아 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정을 통해 기판(S)에 도포된 감광액은 안정화 될 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 감광액 도포 유닛, 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 배열 관계를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 감광액 도포 유닛(100a), 대기압 건조 유닛(200a) 및 감압 건조 유닛(300a)은 동일 평면상에서 서로 인접하게 위치된다. 예를 들어, 감압 건조 유닛(300a)은 감광액 도포 유닛(100a)과 설정 거리 이격되게 위치될 수 있다. 감광액 도포 유닛(100a)과 감압 건조 유닛(300a) 사이에는 이송 유닛(500a)이 제공될 수 있다. 그리고, 대기압 건조 유닛(200a)은 이송 유닛(500a)의 일 측에 위치될 수 있다. 이송 유닛(500a)은 감광액이 도포된 기판(S)을 감광액 도포 유닛(100a)으로 이동시킬 수 있다. 그리고, 이송 유닛(500a)은 대기압 건조 유닛(200a)에서 건조된 기판(S)을 감압 건조 유닛(300a)으로 이동시킬 수 있다.
또한, 대기압 건조 유닛(200a)은 상하로 복수개 적층되게 제공될 수 있다. 그리고, 이송 유닛(500a)은 상하로 승강 가능하게 제공되어 기판(S)을 감광액 도포 유닛(100a)에서 비어 있는 대기압 건조 유닛(200a)으로 이동시킬 수 있다.
또 다른 실시 예로, 대기압 건조 유닛(200a)은 감광액 도포 유닛(100a)과 설정 거리 이격되게 위치될 수 있다. 감광액 도포 유닛(100a)과 대기압 건조 유닛(200a) 사이에는 이송 유닛(500a)이 제공될 수 있다. 그리고, 감압 건조 유닛(300a)은 이송 유닛(500a)의 일 측에 위치될 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 감광액 도포 유닛, 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 배열 관계를 나타내는 측면도이다.
도 6을 참조하면, 대기압 건조 유닛(200b)과 감압 건조 유닛(300b)은 상하로 적층되게 제공될 수 있다. 예를 들어, 대기압 건조 유닛(200b)이 감압 건조 유닛(300b)의 위에 위치되거나, 감압 건조 유닛(300b)이 대기압 건조 유닛(200b)의 위에 위치될 수 있다. 그리고, 대기압 건조 유닛(200b) 및 감압 건조 유닛(300b)과 감광액 도포 유닛(100b) 사이에는 이송 유닛(500a)이 위치될 수 있다. 이송 유닛(500a)은 기판(S)의 조작을 위한 조작부(520)과 조작부(520)가 상하로 이동 가능하게 제공되는 레일(510)을 포함할 수 있다. 이송 유닛(500a)은 감광액 도포 유닛(100b)에서 감광액이 도포된 기판(S)을 감광액 도포 유닛(100b)으로 이동시킬 수 있다. 그리고, 이송 유닛(500a)은 대기압 건조 유닛(200b)에서 건조된 기판(S)을 감압 건조 유닛(300b)으로 이동시킬 수 있다. 또한, 대기압 건조 유닛(200b)은 상하로 복수개 적층되게 제공될 수 있다. 그리고, 이송 유닛(500a)은 기판(S)을 감광액 도포 유닛(100b)에서 비어 있는 대기압 건조 유닛(200b)으로 이동시킬 수 있다.
도 7은 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛의 다른 배열 관계를 나타내는 측단면도이다.
도 7을 참조하면, 대기압 건조 유닛(200c) 및 감압 건조 유닛(300c)은 순차적으로 직접 연결되록 제공될 수 있다.
상압 챔버(250)와 감압 챔버(350)는 서로 연결되도록 제공된다. 상압 챔버(250)에는 감압 챔버(350)의 반대쪽 측벽에 반입 개구(251) 및 반입 개구(251)를 개폐하는 반입 도어(252)가 제공된다. 상압 챔버(250)와 감압 챔버(350)가 공유하는 측벽에는 연결 개구(351) 및 연결 개구(351)를 개폐하는 연결 도어(352)가 제공된다. 그리고, 감압 챔버(350)에는 대기압 건조 유닛(200c)의 반대쪽 측벽에 반출 개구(353) 및 반출 개구(353)를 개폐하는 반출 도어(354)가 제공된다. 반입 개구(251), 연결 개구(351) 및 반출 개구(353)는 서로 동일한 높이에 형성될 수 있다.
상압 챔버(250)와 감압 챔버(350)에는 기판(S)을 상압 챔버(250)에서 감압 챔버(350)로 이송할 수 있는 이송 부재(270, 370)가 제공될 수 있다. 일 예로, 이송 부재(270, 370)는 서로 나란하게 배열되는 샤프트들일 수 있다. 각각의 샤프트에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러(미도시)들이 이격하여 고정 결합될 수 있다. 롤러들은 이송되는 기판(S)의 하면과 접촉하며, 기판(S)을 지지한다. 샤프트들은 반입 개구(251), 연결 개구(351) 및 반출 개구(353)가 형성된 높이에 제공될 수 있다. 샤프트들는 그 길이 방향이 반입 개구(251), 연결 개구(351) 및 반출 개구(353)의 배열 방향에 대해 수직하게 제공될 수 있다. 따라서, 샤프트들의 회전에 따라 기판(S)은 상압 챔버(250)에서 감압 챔버(350)로 이송될 수 있다.
상압 챔버(250)에 제공되는 리프트 핀들(261)은 대기압 건조가 진행될 때, 이송 부재(270, 370)보다 위로 상승되어 기판(S)을 지지할 수 있다. 그리고, 상압 챔버(250)의 리프트 핀들(261)은 기판(S)이 상압 챔버(250)에서 감압 챔버(350)로 이송될 때 이송될 때 이송 부재(270, 370)보다 아래쪽으로 이동될 수 있다.
상압 챔버(250)의 내면의 일 측벽에는 송풍 부재(280)가 위치될 수 있다. 또한, 상압 챔버(250)의 내면의 일 측벽에는 배기 부재(미도시)가 위치될 수 있다.
감압 챔버(350)에 제공되는 리프트 핀들(361)은 감압 건조가 진행될 때, 이송 부재(270, 370)보다 위로 상승되어 기판(S)을 지지할 수 있다. 또한, 감압 챔버(350)에 제공되는 리프트 핀들(361) 기판(S)이 반출 개구(353)로 반출될 때, 이송 부재(370)보다 아래쪽으로 이동될 수 있다. 그리고, 감압 챔버(350)에 제공되는 리프트 핀들(361)은 기판(S)이 상압 챔버(250)에서 감압 챔버(350)로 이송될 때 이송 부재(270, 370)보다 아래쪽으로 이동될 수 있다.
상압 챔버(250)에 제공되는 송풍 부재(280), 배기 부재 및 감압 챔버(350)에 연결되는 감압 부재(380)의 구성 및 동작은 도 2 및 도 3과 동일 하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 대기압 건조 유닛 및 감압 건조 유닛을 나타내는 횡단면도이다.
도 8을 참조하면, 대기압 건조 유닛(600) 및 감압 건조 유닛(600)은 하나의 건조 유닛(600)에 포함되도록 제공된다.
건조 유닛(600)은 건조 챔버(610), 지지 부재(620), 기류 발생 모듈(630, 640) 및 감압 부재(650)를 포함한다.
건조 챔버(610)는 내부에 기판(S)이 처리되는 내부 공간을 제공한다. 내부 공간을 외부와 밀폐되게 제공될 수 있다. 건조 챔버(610)에는 기판(S)이 반입 및 반출하는 개구와 개구를 개폐 하는 도어가 제공된다. 개구는 하나가 제공되어, 기판(S)의 반입 및 반출시 사용될 수 있다. 또한, 건조 챔버(610)에는 기판(S)의 반입을 위한 개구와 기판(S)의 반출을 위한 개구가 별개로 제공될 수 도 있다.
지지 부재(620)는 기판(S)이 건조 챔버(610) 내부에서 처리되는 동안 기판(S)을 지지 한다. 지지 부재(620)는 건조 챔버(610)의 내부에 제공된다. 예를 들어, 지지 부재(620)는 건조 챔버(610)의 하벽 내면에 위치될 수 있다. 지지 부재(620)에는 리프트 핀들(621)이 제공될 수 있다. 리프트 핀들(621)은 지지 부재(620)의 상면에 승강 가능하게 제공된다. 리프트 핀들(621)은 승강 하면서, 기판(S)이 건조 챔버(610) 내부로 반입 되거나, 건조 챔버(610)에서 외부로 반출되는 것을 보조 한다.
기류 발생 모듈(630, 640)의 구성 및 동작은 도 2 및 도 3의 기류 발생 모듈(230, 240)과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
건조 챔버(610)에 형성된 감압홀(611)에 연결되는 감압 부재(650)의 구성 및 동작은 기류 발생 모듈(630, 640)의 동작이 종료된 후에 동작을 개시하는 점 외에 도 4의 감압 부재(330)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 감광액 도포 유닛 200: 대기압 건조 유닛
210: 상압 챔버 220: 상압 지지 부재
230: 송풍 부재 240: 배기 부재
300: 감압 건조 유닛 310: 감압 챔버
320: 서셉터 330: 감압 부재
400: 베이크 유닛

Claims (17)

  1. 기판에 감광액을 도포하는 감광액 도포 유닛;
    상기 감광액 도포 유닛에서 상기 기판을 전달 받아 대기압 상태에서 상기 감광액을 건조 시키는 대기압 건조 유닛; 및
    대기압 상태에서 건조된 상기 기판을 감압 상태에서 건조 시키는 감압 건조 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 유닛은,
    내부에 상기 기판이 처리되는 내부 공간이 형성된 상압 챔버;
    상기 내부 공간에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 3 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 유닛은 상기 상압 챔버의 내부에 기류를 발생 시키는 기류 발생 모듈을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기류 발생 모듈은 상기 상압 챔버의 측벽 내면에 위치되어 기류를 발생 시키는 송풍 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 송풍 부재는 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판의 높이에 대응되는 높이에 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 기류 발생 모듈은 상기 기판의 위쪽을 지나온 기체를 외부로 배기하는 배기 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 배기 부재는 상기 송풍 부재와 마주보도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감압 건조 유닛은,
    내부에 상기 기판이 처리되는 내부 공간이 형성된 감압 챔버;
    상기 감압 챔버의 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 서셉터; 및
    상기 감압 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 상하로 적층되게 배열되는 기판 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 감광액 도포 유닛, 상기 대기압 건조 유닛 및 상기 감압 건조 유닛은 동일 평면 상에서 서로 인접하게 위치되도록 배열되는 기판 처리 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 순차적으로 직접 연결되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 유닛과 상기 감압 건조 유닛은 하나의 건조 유닛으로 일체로 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 건조 유닛은,
    하나의 건조 챔버;
    상기 건조 챔버의 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 건조 챔버 내부에 기류를 발생 시키는 기류 발생 모듈; 및
    상기 건조 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 기판에 감광액을 도포하는 단계;
    상기 기판을 대기압에서 건조 하는 대기압 건조 단계;
    상기 기판을 감압 상태에서 건조 하는 감압 건조 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 대기압 건조 단계는 상기 기판의 위쪽에 기류를 형성한 상태에서 이루어지는 기판 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기류는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 형성되는 기판 처리 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항에 있어서,
    상기 감압 건조 단계는,
    상기 기판이 위치된 공간을 제 1 흡입압력으로 감압하는 제 1 감압단계; 및
    상기 기판이 위치된 공간을 상기 제 1 흡입 압력보다 큰 제 2 흡입압력으로 감압하는 제 2 감압단계를 포함하는 기판 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061493A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 三菱電機株式会社 半導体ウエハ基板の熱処理装置及び熱処理方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102322825B1 (ko) * 2019-10-14 2021-11-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007319821A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Seiko Epson Corp 成膜方法および成膜装置
JP2008211037A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4542577B2 (ja) * 2007-09-19 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP4805384B2 (ja) * 2009-11-12 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101085191B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101098982B1 (ko) * 2009-12-03 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 방법
JP5417186B2 (ja) * 2010-01-08 2014-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061493A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 三菱電機株式会社 半導体ウエハ基板の熱処理装置及び熱処理方法

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