CN100397446C - 脉冲输出电路、移位寄存器和显示器件 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示器件的驱动电路，仅包括单一导通的TFT，其中输出信号的幅值是标准的。向TFT101和104输入一个脉冲，使TFT导通，节点á的电位升高。当节点á的电位达到(VDD-VthN)时，节点á变成处于浮动状态。于是，当时钟信号到达电平H时，TFT105导通，输出节点的电位升高。另一方面，随着输出节点电位的升高，由于电容107的作用，TFT105的栅极电位进一步升高，使得输出节点的电位高于(VDD+VthN)。因此，输出节点的电位升高到VDD，而不会出现TFT105的阈值引起的电压下降。而后，后续级的输出被输入到TFT102和103，使TFT102和103导通，而节点á的电位下降，使TFT105关断。同时TFT106导通，使得输出节点的电位达到电平L。

Description

脉冲输出电路、移位寄存器和显示器件
技术领域
本发明涉及的是一个脉冲输出电路、一个移位寄存器和一个显示器件。在本说明书中，详细说明了一个显示器件，包括一个液晶显示器件，其中液晶元件被用作象素，和一个自然发光的显示器件，其中使用了诸如电致发光(EL)单元的自然发光单元。还说明了一个显示器件的驱动电路，该电路将图像信号输入到显示器件的一个配置象素中，实现一幅图像的显示过程，该电路包括一个脉冲输出电路，如移位寄存器和逆变器，和一个放大电路，如放大器。
背景技术
近来，流行一种显示电路，特别是一种使用薄膜晶体管(此后称为TFT)有源矩阵型的显示器件，其中，在一个绝缘材料上，尤其是在一个玻璃板上形成一个半导体薄膜。采用TFT的有源矩阵型的显示器件包含数十万乃至数百万个按照一个方阵形式排布的象素，通过利用每个象素中配置的TFT控制每个象素的电荷来显示一幅图象。
根据近来的技术，进一步发展出一种技术，该技术涉及的不是形成一个象素的象素TFT，而是涉及一种多硅TFT，其中在一个象素部分的***区域使用一个TFT，同时形成一个驱动电路。这一技术极大地减小了装置的尺寸和消耗的功率。因此，一个显示器件是移动信息终端的显示部分的一个必不可少的装置，近来，其应用领域得到了极大的增加。
通过组合一个N沟道型TFT和一个P沟道型TFT所产生的一个CMOS电路，通常被用作一个形成显示器件的驱动电路。现在将描述一个移位寄存器，作为一个常规使用的CMOS电路的例子。图11A说明了一个常规使用的移位寄存器的例子，虚线框1100所包围的部分是一个用来输出一级脉冲的电路。在图11A中，突出显示了三个脉冲级。电路的一个级包括钟控的逆变器1101和1103，和一个逆变器1102。该电路的详细结构示于图11B。在图11B中，钟控的逆变器1101包含TFT1104至1107；逆变器1102包含1108和1109；钟控的逆变器1103包含TFT1110至1113。
形成一个电路的TFT包括三个电极，一个栅极，一个源极和一个漏极。一般情况下，在CMOS电路中，N沟道型的TFT通常采用一个较低电位的部分作为源极，一个较高电位部分作为漏极，而P沟道型TFT经常采用较高电位部分作为源极和一个低电位部分作为漏极。这样，将源极和漏极中的一个称为第一电极，其它的被称为是第二电极，以便防止在本发明有关的TFT描述中造成混淆。
现在将描述电路的运行。关于一个TFT的运行，在给定一个栅极电势时，掺杂区之间形成一个沟道时，一个导通状态被看作是“开”，而一个掺杂区之间的沟道被清除的非导通状态被当作是“关”。
参考图11A、11B和11C中所示的时序图。分别向TFT1107和1104输入一个时钟信号(此后被称为CK)和一个时钟反转信号(此后称为CKB)。向TFT1105和1106输入一个起始脉冲(此后称为SP)。当CK处于一个电平H时，CKB处于一个电平L，SP处于电平H，TFT1106和1107开通，一个电平为L的输出被输入到一个包含TFT1108和1109的逆变器，反转输出电平H到一个输出节点(SR输出1)。然后，当CK达到电平L并且CKB达到电平H，而SP处于电平H时，在一个包含逆变器1102和一个钟控逆变器1103的回路中进行一个保持操作。这样，一个H电平输出被连续地输出到输出节点。接下来，当CK达到电平H，而CKB达到电平L时，在钟控逆变器1101中再次进行一个写操作。一个L电平的输出被输出到输出节点，因为此时SP已经达到了电平L。此后，当CK达到电平L并且CKB到达电平H时，再次进行保持操作。在包含逆变器1102和钟控逆变器1103的回路中维持输出节点中的电平L。
上面描述的是一个级的运行。在下面的级中，CK和CKB之间的连接是相反的，这样，时钟信号的极性与上面相反，而运行情况是相似的。重复交替进行上面的操作，此后，类似地，按图11C所示的顺序输出一个采样脉冲。
CMOS电路的特征在于，可以在总体上抑制电路中消耗的电流，因为电流仅在逻辑发生变化(从电平H到电平L，或从电平L到电平H)时才流通，而当维持某种逻辑不变时(尽管实际中有微小的泄漏电流)电流是不流通的。
发明内容
随着移动电子装置尺寸的减小和重量的减轻，对采用液晶或自然发光单元的显示器件的需求快速地增长。但是，从生产的角度考虑，充分减少显示器件的制造费用是很难的。很容易预测这种需求在将来会更快，所以，希望能够提供一种低价的显示器件。
在一种绝缘材料上形成一个驱动电路的一般方法是采用多次光掩模对诸如有源层和布线等模式进行图形的曝光和蚀刻，来形成电路。制造中的处理次数最好要尽可能少，因为它直接影响到制造成本。当可以仅通过导电TFT来形成通常包括一个CMOS电路的驱动电路时，除了可以减少光掩模的次数，还可以省去一部分的离子掺杂处理，TFT既可以是N沟道型，也可以是P沟道型。
图9A说明了一个常规使用的CMOS逆变器(I)的实例和包含单个导电TFT的逆变器(II)和(III)。(II)为一个TFT负载型的逆变器，(III)为一个电阻负载型的逆变器。下面将分别描述其运行情况。
图9B显示了一个将被输入到一个逆变器的信号波形。此处规定一个输入信号的波形的幅值为VDD-VSS(VSS＜VDD)。这里假定VSS＝0[V]。
下面将描述一个电路的运行情况。为了清晰而简化说明，假定一个组成电路的N型TFT的阈值电压是统一的(VthN)，没有任何偏差。类似地，假定P型TFT的阈值电压也是统一的(VthP)。
当一个如图9B所示的信号被输入到一个CMOS逆变器(I)时，在这种情况下，输入信号的电位是处于电平H，一个P型的TFT901关断，一个N型的TFT902开通。由此，一个输出节点的电位这到电平L。相反，在输入信号的电位是电平L的情况下，P型TFT901导通，N型TFT902关断。由此，输出节点的电位达到电平H(图9C)。
接下来将描述TFT负载型的逆变器(II)的运行。类似地，假定图9B中所示的一个信号被输入到上述的逆变器中。当该输入信号处于电平L时，一个N型TFT904关断。输出节点的电位朝着电平H升高，因为一个负载TFT903总是是工作在饱和状态。另一方面，当输入信号处于电平H时，N型TFT904导通。当该N型TFT904的电流容量被设置为充分高于负载TFT903时，输出节点的电位朝着电平L减小。
电阻负载型的逆变器(III)的情况也是如此。当一个N型TFT906的导通电阻值被设置为充分低于一个负载电阻905的电阻值时，在输入信号处于电平H时，该N型TFT906导通，由此，输出节点朝着电平L减小。在输入信号处于电平L时，该N型TFT906关断，使得输出节点朝着电平H升高。
但是，在使用一个TFT负载型的逆变器(H)或一个电阻型逆变器(III)中，存在下面的问题。图9D显示了一个TFT负载型的逆变器(II)的输出波形。当输出处于电平H时，电位比907显示的数值VDD低。当规定输出节点侧的一个端子为一个TFT903的源极，供电电源VDD侧的一个端子为TFT903的漏极时，栅极的电位为VDD，因为栅极和漏极区是相连的。输出节点的电位最多仅能升高到VDD-VthN，因为保持负载TFT导通的条件为(TFT903的栅极和源极间的电压＞VthN)。即，907等于VthN。而且，当输出电位为电平L时，该电位可以比由908显示的数值VSS高，取决于TFT903负载和N型TFT904的电流容量的额定值。N型TFT904的电流容量应该充分高于负载TFT903的电流容量的额定值，以便使该电位高于VSS，但充分接近于VSS。图9E显示了一个电阻负载型逆变器(III)的输出波形。类似于上面的描述，其电位可以高于909显示的数值，取决于负载电阻905的电阻和N型TFT906的导通电阻的额定值。即，采用这里显示的一个仅包含单一导电TFT导致一个输出信号幅值相对于输入信号的幅值有所衰减。
对于一个电路中，其中前面的级的输出脉冲被输入到后续的级，诸如一个移位寄存器，随着级数从m，m+1，m+2...的增加，幅值依照一个TFT的阈值而衰减，使得电路不能工作。
鉴于上述的问题，本发明的一个目的是提供一个脉冲输出电路和一个移位寄存器，能够仅采用单一导电的TFT来减少制作过程，降低制造费用，并能够获得一个没有幅值衰减的输出。
考虑这样一种情况，在上面提到的由图9A的(II)表示的TFT负载型逆变器输出信号的幅值可以是标准的VDD-VSS。首先，在图10A中显示的电路中，当一个输出信号的电位达到电平L时，相对于供电电源VDD和输出节点间的电阻，仅要求供电电源VSS和输出节点间的电阻值要足够低，以便使该电位充分接近于VSS。即，当一个N型TFT1002为导通时，仅要求一个N型TFT为关断。第二，为了使一个输出信号的电位VDD，当该电位达到电平H时，通常仅要求N型TFT1001的栅极和源极之间的电压的绝对值大于VthN。即，N型TFT1001的栅极电位必须高于(VDD+VthN)，以便满足一个条件，就是输出节点的电平H为VDD。仅有两种为电路供电的电源：VDD和VSS。这样，只要没有第三个电位高于VDD的电源，利用常规的方法是不能满足上述条件的。
为了克服上述的缺陷，本发明采用了下面的方法。如图10B所示，在N型TFT1001的栅极和源极之间提供一个电容装置1003。当在N型TFT1001的栅极处在具有某一个电位的浮动状态下，输出节点的电位升高时，由于电容装置1003产生的电容配合，该N型TFT1001的栅极电位也根据输出节点的电位升高值而升高。可以利用上述效应，使N型TFT1001的栅极电位高于VDD(更确切地说，是高于VDD+VthN)。所以，可以将输出节点的电位充分提升到VDD。
除了采用实际的电容装置之外，还可以利用TFT1001的栅极和源极之间的寄生电容来作为图10B中的电容装置1003。在独立产生电容装置的情况下，很容易并最好是采用有源层、栅极材料和布线材料中的任意两种，将一个绝缘层夹在其中，但也可以采用其它材料。
现在描述本发明的结构。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第一幅值补偿电路；
一个第二幅值补偿电路；和
一个电容，
其中第一晶体管和第二晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第一晶体管的栅极连接到电容的第二端子上，
第一晶体管的栅极连接到第一幅值补偿电路的输出部分，
第二晶体管的栅极连接到第二幅值补偿电路的输出部分，
第二信号输入部分和第三输入部分均连接到第一幅值补偿电路的第一输入部分和第二输入部分，和
第二信号输入部分和第三输入部分均连接到第二幅值补偿电路的第一输入部分和第二输入部分。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个幅值补偿电路；和
一个电容，
其中第一晶体管和第二晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第二晶体管的栅极连接到第二幅值补偿电路的输出部分，
第一晶体管的栅极连接到幅值补偿电路的输出部分，
第二信号输入部分和第三输入部分均连接到幅值补偿电路的第一输入部分和第二输入部分，和
第二晶体管的栅极连接到第三输入信号线上。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极连接到第一电源；和
一个电容，
其中所有第一至第六晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极连接到电容的第二端于上，
第五晶体管的第二电极和第六晶体管的第二电极连接到第二晶体管的栅极上，
第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极连接到第二输入信号线上，和
第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极连接到第三输入信号线上。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；和
一个电容，
其中所有第一-第四晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极连接到电容的第二端子上，
第三晶体管的栅极连接到一个第二输入信号线上，和
第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极连接到第三输入信号线上。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第七晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第八晶体管，其第一电极连接到第一电源；和
一个电容，
其中所有第一至第八晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极连接到电容的第二端子上，
第五晶体管的第二电极、第六晶体管的第二电极和第七晶体管的第二电极连接到第二晶体管的栅极上，
第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极连接到第二输入信号线上，
第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极连接到第三输入信号线上，和
第七晶体管的栅极和第八晶体管的栅极连接到第四输入信号线上，
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个电容；和
一个扫描方向切换电路，
其中所有第一至第六晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极均连接到电容的第二端子上，
第五晶体管的第二电极和第六晶体管的第二电极连接到第二晶体管的栅极上，
第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，和
当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个电容；和
一个扫描方向切换电路，
其中所有第一至第四晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极连接到电容的第二端子上，
第三晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的，而第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，和
当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，而第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的。
依照本发明的脉冲输出电路包括：
一个第一晶体管，其第一电极连接到第一输入信号线；
一个第二晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个第七晶体管，其第一电极连接到第二电源；
一个第八晶体管，其第一电极连接到第一电源；
一个电容；和
一个扫描方向切换电路，
其中所有第一至第八晶体管具有一个相同的导电类型，
第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极和电容的第一端子均连接到一个输出信号线上，
第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极、第八晶体管的第二电极和第一晶体管的栅极连接到电容的第二端子上，
第五晶体管的第二电极、第六晶体管的第二电极和第七晶体管的第二电极连接到第二晶体管的栅极上，
第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极通过扫描方向切换电路连接到第二输入信号线和第三输入信号线上，
第七晶体管的栅极和第八晶体管的栅极连接到第四输入信号线上，
当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，和
当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第三输入信号线是导通的，对于第二信号线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第三信号线是不导通的。
在依照本发明的脉冲输出电路中，扫描方向切换电路包括：
一个第七晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第八晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第九晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上；
一个第十晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上，
并且其中第七至第十晶体管具有一个与第一至第六晶体管相同的导电类型，
第七晶体管的第二电极、第九晶体管的第二电极和第三晶体管的栅极连接到第六晶体管的栅极上，
第八晶体管的第二电极、第十晶体管的第二电极和第四晶体管的栅极连接到第五晶体管的栅极上，
第七晶体管的栅极和第十晶体管的栅极连接到第四输入信号线上，
第八晶体管的栅极和第九晶体管的栅极连接到第五输入信号线上，
当扫描方向切换信号被输入到第四输入信号线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第五输入信号线时，第七晶体管和第十晶体管是导通的，而第八晶体管和第九晶体管是不导通的，和
当扫描方向切换信号被输入到第五输入信号线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第四输入信号线时，第八晶体管和第九晶体管是导通的，而第七晶体管和第十晶体管是不导通的。
在依照本发明的脉冲输出电路中，扫描方向切换电路包括：
一个第五晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第六晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第七晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上；
一个第八晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上，
其中第五至第八晶体管具有一个与第一至第四晶体管相同的导电类型，
第五晶体管的第二电极、第七晶体管的第二电极均连接到第三晶体管的栅极上，
第六晶体管的第二电极、第八晶体管的第二电极和第二晶体管的栅极连接到第四晶体管的栅极上，
第五晶体管的栅极和第八晶体管的栅极均连接到第四输入信号线上，
第六晶体管的栅极和第七晶体管的栅极均连接到第五输入信号线上，
当扫描方向切换信号被输入到第四输入信号线，扫描方向切换的反转信号被输入到第五输入信号线时，第五晶体管和第八晶体管是导通的，而第六晶体管和第七晶体管是不导通的，和
当扫描方向切换信号被输入到第五输入信号线，扫描方向切换的反向信号被输入到第四输入信号线时，第六晶体管和第七晶体管是导通的，而第五晶体管和第八晶体管是不导通的。
在依照本发明的脉冲输出电路中，扫描方向切换电路包括：
一个第九晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第十晶体管，其第一电极连接到第二输入信号线上；
一个第十一晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上；
一个第十二晶体管，其第一电极连接到第三输入信号线上，
其中第九至第十二晶体管具有一个与第一至第八晶体管相同的导电类型，
第九晶体管的第二电极、第十一晶体管的第二电极和第三晶体管的栅极连接到第六晶体管的栅极上，
第十晶体管的第二电极、第十二晶体管的第二电极和第四晶体管的栅极连接到第五晶体管的栅极上，
第九晶体管的栅极和第十二晶体管的栅极均连接到第五输入信号线上，
第十晶体管的栅极和第十一晶体管的栅极均连接到第六输入信号线上，
当扫描方向切换信号被输入到第四输入信号线，扫描方向切换的反转信号被输入到第五输入信号线时，第九晶体管和第十二晶体管是导通的，而第十晶体管和第十一晶体管是不导通的，和
当扫描方向切换信号被输入到第五输入信号线，扫描方向切换的反转信号被输入到第四输入信号线时，第十晶体管和第十一晶体管是导通的，而第九晶体管和第十二晶体管是不导通的。
在依照本发明的脉冲输出电路中，
电容是采用一个第一晶体管的栅极和第一晶体管的第二电极之间的电容器。
在依照本发明的脉冲输出电路中，
电容由选自有源层材料、形成栅极的材料和布线材料中的两种材料组成。
依照本发明的移位寄存器是一个包括n级(其中n是一个自然数，n＞1)脉冲输出电路的移位寄存器，
其中，在第一级的脉冲输出电路中，
一个时钟信号或时钟反转信号被输入到第一输入信号线上，
一个起始脉冲被输入到信号线上，和
一个第二级脉冲输出电路的输出信号被输入到第三信号线上，
在第m级脉冲输出电路中(其中m是一个自然数，2＜m＜n-1)，
一个时钟信号或时钟反转信号被输入到第一输入信号线上，
一个第(m-1)级脉冲输出电路的输出信号被输入到第二信号线上，和
一个第(m+1)级脉冲输出电路的输出信号被输入到第三信号线上，
在第n级脉冲输出电路中，
一个时钟信号或时钟反转信号被输入到第一输入信号线上，
一个第(n-1)级脉冲输出电路的输出信号被输入到第二信号线上，和
第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个被输入到第三信号线上，
其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
在依照本发明的脉冲输出电路中，导电类型是N沟道型。
在依照本发明的脉冲输出电路中，导电类型是P沟道型。
在依照本发明的移位寄存器中，导电类型是N沟道型。
在依照本发明的移位寄存器中，导电类型是P沟道型。
附图简述
图1A至1C说明的是一个依照本发明的脉冲输出电路的实施方案模式；
图2是驱动图1A至1C中所示的脉冲输出电路的时序图；
图3A和3B说明的是一个附加一个扫描方向切换功能的移位寄存器，即一个依照本发明的实施方案模式的脉冲输出电路；
图4说明了一个依照本发明提供的显示器件中的一个源信号线驱动电路的结构的例子；
图5A至5D详细说明了一个依照本发明提供的显示器件中的电平移动器的电路结构及其幅值；
图6A和6B详细说明了一个依照本发明提供的显示器件中的缓冲器和采样开关的电路结构；
图7A至7C说明了一个移位寄存器，即一个本发明的实施方案，其结构被简化。
图8A至8G说明的是适用于本发明的电子装置的例子。
图9A说明的是一个常规CMOS逆变器和一个负载型逆变器，图9B至9E说明的是相应的输入和输出信号的波形；
图10A和10B解释了依照本发明的脉冲输出电路的运行原理；
图11A至11C说明了一个常规移位寄存器的电路结构和时序图；
图12说明了依照本发明提供的一个显示器件的全貌；
图13A、13B和13C说明了按照一个时钟信号的不同宽度显示的作为本发明的实施方案模式的一个移位寄存器的运行。
图14A和14B说明了添加了一个复位信号的输入移位寄存器及其时序图；
图15A和15B说明了添加了一个复位信号的输入移位寄存器；
图16A和16B一个与实施方案模式有所不同的导电晶体管的电路结构，；和
图17说明了驱动图16A和16B中所示的移位寄存器的时序图。
具体实施方式
[实施方案模式1]
图1说明了一个采用自举方式的移位寄存器，属于依照本发明的脉冲输出电路的一种模式。在图1A中所示的一个模块图中，由100显示的模块是一个用来输出一级采样脉冲的脉冲输出电路。图1A中所示的一个移位寄存器包含n级的脉冲输出电路。一个时钟信号(此后称为CK)、一个时钟反转信号(此后称为CKB)和一个起始脉冲(此后称为SP)被输入到该移位寄存器。图1B说明了模块100的详细电路结构。在图1B中，模块110是第一个幅值补偿电路，模块120是第二个幅值补偿电路。图1C说明了一个更详细的电路结构。在图1C中，第一个幅值补偿电路包括一个与电源VDD相连的TFT101，和一个与电源VSS相连的TFT102，而第二个幅值补偿电路120包括一个与电源VDD相连的TFT103，和一个与电源VSS相连的TFT104。
下面将参考图1A至1C中显示的电路图和图2中显示的时序图来说明电路的运行。一个第(m-1)级的输出脉冲被输入(m＝1时，即第一级时输入的是SP)到某个第m(1＜m＜n)级脉冲输出电路中的TFT101和TFT104的栅极。从而，电平达到H，以便使TFT101和104导通(参考图2中显示的210)。由此节点á的电位朝VDD侧升高(参考图2中显示的202)，当电位达到(VDD-VthN)时，TFT101关断，处于浮动状态。这样，TFT105导通。另一方面，TFT102和103处于关断状态，因为此时没有为TFT102和103的栅极输入脉冲，电平仍为L。因此，TFT106的栅极电位是电平L，TFT106处于关断状态，由此，当从TFT105的掺杂区的边缘输入一个CK时，即第一输入信号线(1)到达电平H时，输出节点的电位朝VDD侧升高。
在TFT105的栅极和输出节点间提供一个电容装置107，另外，节点á，即TFT105的栅极此时处于浮动的状态。所以，当输出节点的电位升高时，TFT105的栅极电位通过自举从(VDD-VthN)进一步升高。因而，TFT105的栅极电位变得高于VDD+VthN(参见图2中所示的202)。这样，输出节点的电位完全升高到VDD，并不因TFT105的阈值而减小(参见图2中所示的203)。
类似地，根据一个第(m+1)级的CKB输出一个脉冲(参考图2中所示的204)。该第(m+1)级的输出脉冲被反馈到第m级，有待被输入到TFT102和103的栅极。当TFT102和103的栅极达到电平H，并且TFT102和103导通时，节点á的电位朝着VSS侧减小，使TFT105关断。同时，TFT106的栅极电位达到电平H，TFT106导通，使第m级输出节点的电位达到电平L。
此后，重复类似的运行，直到最后一级，这样就可以及时地输出一个幅值为VDD-VSS的脉冲。在最后一级，由于没有后续级的输出脉冲，实际上维持一个CK有待输出，它是从图1C中所示的第三输入信号线输入的。由此，可以提供级数大于n的移位寄存器，当实际需要的采样脉冲的输出级数为n时，多余的级，包括末级，可以被当作虚设的级，因为末级的输出不能被用作一个采样脉冲。在水平循环开始之前，末级输出应该以任何方式停止。在图1A至1C中所示的电路中，被输入到第一级的起始脉冲也被输入到末级的第三输入信号线，被用作一个反馈脉冲，由此，末级的脉冲输出刚好在后续水平循环之前停止。
作为本实施方案模式显示的幅值补偿电路结构仅是一个例子，也可采用其它的结构。
还存在其它的方式，提供一个复位信号有待在反馈周期中输入到末级第三输入信号线1401，以便停止图14A和14B中所示的脉冲输出，和提供用于复位的TFT1503和1504，当输入该复位信号时，TFT1505的栅极电位达到电平L，TFT1505关断，TFT1506的栅极电位达到电平H，TFT1506导通，以便将所有级的输出固定在电平L，如图15A和15B所示。输入一个复位信号的时序可以与图14B所示的时序图相同。在图15A中，在末级脉冲输出电路中用标记*显示的第三输入信号线最好是连接到VSS侧的电源电位上，使得TFT1501和1502总是处于关断状态。
而且，在图15A和15B显示的电路情况下，可以通过在电路开始输出采样脉冲之前，即电源刚刚打开之后初次输入一个复位信号来确定所有级的输出节点电位(在图15A和15B显示的电路情况下，所有级的输出节点都被确定为电平L)，尽管没有在图中特别显示。在一个动态电路的情况下，这种操作对于电路的稳定运行是很有效的。
由于上述操作，即使在包括单一导电TFT的电路中，也可以获得相对于输出信号具有标准幅值的输出信号，而不会出现因连接到高电位侧供电电源的TFT的阈值而引起的幅值衰减。还有一个很大的优势在于，与常规CMOS电路相比，本实施方案模式中显示的电路结构不很复杂。
[实施方案模式2]
图3A和3B说明了一个例子，为本发明的实施方案模式中显示的移位寄存器增加一个扫描方向反转功能。在图3A中，与图1A所示的电路相比，增加了一个扫描方向切换信号(LR)和一个扫描方向切换反向信号(LRB)。
图3B说明了图3A中的模块300所示的脉冲输出电路的一个级的详细结构。与图1B中的脉冲电路一样，脉冲电路本体包括TFT301至306，一个电容装置307，而在第二和第三输入信号线(2)和(3)与脉冲电路之间提供一个由虚线框350显示的扫描方向切换电路。该实施方案中的扫描方向切换电路包括TFT308至311，起模拟开关的作用。
TFT301和304的栅极通过TFT308连接到第二输入信号线(2)，通过TFT310连接到第三信号线(3)，如图3B中所示。TFT302和303通过TFT309连接到第二输入信号线(2)，通过TFT311连接到第三信号线(3)。将一个LR信号输入到TFT308和TFT310的栅极，将一个LRB信号输入到TFT309和TFT311的栅极。LR和LRB排他地处于电平H或L，这样，本实施方案中的扫描方向切换电路处于下面两种状况。
第一，当LR处于电平H，LRB处于电平L时，TFT308和310导通，第二输入信号线(2)导向TFT301和304的栅极，第三输入信号线(3)导向TFT302和303的栅极。第二，当LR处于电平L，LRB处于电平H时，TFT309和311导通，第二输入信号线(2)导向TFT302和303的栅极，第三输入信号线(3)导向TFT301和304的栅极。
也就是说，当LR达到电平H，而LRB达到电平L时，通过输入的信号，按照第一级，第二级...和末级的顺序输出采样脉冲，相反，当LR达到电平L，而LRB达到电平H时，通过输入的信号，按照末级...第二级，第一级的顺序输出采样脉冲。依照本发明，可以通过提供一个附加采样电路，很容易添加一个这样的功能。但是，在该实施方案中，电路包含N沟道型TFT。在采用P沟道型TFT形成电路时，一个信号输入到LR意味着LR信号达到电平L，而LR处于电平H意味着没有信号输入到LR。
本实施方案中的扫描方向切换电路仅是一个例子。可以在其它的结构中添加类似的功能。
实施方案
下面对本发明的实施方案进行描述。
[实施方案1]
本实施方案描述的是一个通过单一导电TFT产生一个显示器件的例子。
可以依照现有的方法来制造具有象素TFT和驱动电路的衬底，如已公开的授予Koyama等人的美国专利5,889,291。也可以通过采用促进结晶的金属元素来结晶TFT有源层的半导体薄膜。例如，在发给Ohtani等人的美国专利5,643,826中公开的采用金属元件的方法。可以参考这些美国专利5,889,291和5,643,826的完整的公开内容。
图12是一个显示器件的概况图。源信号线驱动电路1201、栅极信号驱动电路1202和象素部分1203在衬底1200上被集成为一体，形成一个显示器件。象素部分中虚线框包围的部分对应于一个象素。在图12中显示的一个例子中，显示了液晶显示器件的象素和通过一个TFT(此有称为象素TFT)来控制施加到液晶显示单元的电荷。施加到源信号线驱动电路1201的信号和驱动电路1202的栅极信号是通过一个柔性印刷电路(FPC)1204从外部输入的。
图4说明了图12中显示的显示器件的源信号驱动电路1201的总体结构。该源信号线驱动电路包括一个时钟信号的电平移动器401，一个起始脉冲的电平移动器402，一个扫描方向切换型的移位寄存器403，一个缓冲器404和一个采样开关405。外部信号为一个时钟信号(CK)，一个时钟反转信号(CKB)，一个起始脉冲(SP)，一个扫描方向切换信号(LR，LRB)和模拟图象信号(Video1-Video12)。在刚刚以低电压幅值信号的形式从外面输入上面的CK、CKB和SP之后，就通过一个电平移动器对其进行幅值转换，然后，将其作为高电压幅值信号输入到一个驱动电路。在一个级中从一个移位寄存器输出的采样脉冲通过驱动采样开关405实现12列源信号线的模拟图象信号的同时采样。
图5A说明了一个时钟信号(LS1)的电平移动器的结构。在该结构中，一个电平移动电路的信号输入类型被设置为并联(级1)，而相应的对应于缓冲级(级2至级4)的两个输入的输出是交替输入的。
现在将描述电路的运行。共有三种电位VDD1、VDD2和VSS，其中VSS＜VDD1＜VDD2，作为图5A至5C中所用的电源电位。在本实施方案中，VSS＝0[v]，VDD1＝5[v]，VDD2＝16[v]。图5A中501、503、506和506显示的TFT可以是单栅极结构或是多栅极结构，其中有三个或更多的栅极，尽管在本实施方案中采用的是双栅极结构。其它TFT也不受栅极数的限制。
从一个信号输入部分1(1)输入一个具有幅值VDD1-VSS的CK。当CK为电平H时，TFT502和504导通，而当TFT503的栅极电位达到电平L时，TFT503关断。这样一个电平为L的信号被输出到节点a。当CK为电平L时，TFT502和504关断。因此，通过运行在饱和状态的TFT501，TFT503的栅极电位朝着VDD2侧升高，当电位达到VDD2-VthN时，TFT501关断，使得TFT503的栅极处于浮动状态。由此，TFT503导通，输出节点á的电位朝着VDD2侧升高。当输出节点á的电位升高时，由于电容装置505的运行，处于浮动状态的TFT503的栅极电位升高。升高的TFT503的栅极电位高于VDD2，当该电位还高于VDD+VthN时，输出节点á的电平H变为等于VDD2。这样，输出信号的电平L变为VSS，电平H变为VDD2，完成幅值转换。
另一方面，与CK类似，一个具有幅值VDD1-VSS的CKB从一个信号输入部分2(2)输入。一个包含TFT506至509的电平移动器和一个电容装置510进行幅值转换，而一个具有幅值VDD2-VSS的信号被输出到输出节点
Figure C0211918100331
输出到节点à和
Figure C0211918100332
的信号与输入的CK和CKB相比具有相反的极性。
在实施方案的显示器件中所用的电平移动器中，在幅值转换之后，为脉冲负载提供了一个缓冲级(级2和级4)。形成缓冲级的逆变器电路属于两个输出类型，要求一个输入信号和它的反转信号。在图5中级2所示的缓冲电路中，一个输入到TFT511的栅极的信号具有一个与输入到TFT512的栅极的信号相反的极性。对于TFT516和517也是这样。这里，前面提到的电平移动器输出被用作彼此的反转信号输入，因为CK和CKB是彼此极性相反的信号。
现在将描述形成一个缓冲级的逆变器电路的运行。在下文中仅对一个包括TFT511至514和一个电容装置515的逆变器电路的运行做详细的描述。其它逆变器电路的运行与上述类似。
当输入到TFT511栅极的信号为电平H时，TFT511导通，TFT513的栅极电位朝着VDD2侧升高。然后，当TFT513的栅极电位达到VDD2-VthN时，TFT511导通，TFT513的栅极处于浮动状态。另一方面，当电平为L的信号输入到栅极时，TFT512和514关断。随后，TFT513导通，输出节点
Figure C0211918100341
的电位朝着VDD2侧升高。由于电容装置515以及前面提到的移位寄存器和电平移动器的作用，处于浮动状态的TFT513的栅极电位升到高于VDD2+VthN。这样，输出节点
Figure C0211918100342
的电平H变为等于VDD2。
另一方面，当输入到TFT511栅极的信号为电平L时，TFT511关断，而当电平为H的信号输入到TFT512和514的栅极时，TFT512和514关断。这样，TFT513的栅极电位达到电平L，输出节点
Figure C0211918100343
达到电平L。
包括TFT516-519和一个电容装置520的逆变器电路的运行与上述类似，输出一个脉冲到输出节点输出到输出节点
Figure C0211918100345
的脉冲与输出到输出节点
Figure C0211918100346
的信号具有相反的极性。
随后，依照与级3和级4相类似的运行，最终还从信号输出部分3(3)和信号输出部分4(4)输出脉冲。在图5A中，级2的输出被输入到级3，这样逻辑不会被反转，与级1至级2的输入情况相反。但是，只要各级最后按照用户所需的脉冲逻辑相连接，则在各级的连接上没有特定的限制。
图5B说明了时钟信号(CK)的幅值转换。输入信号的幅值为0-5[V]，而输出信号的幅值为0-16[V]。
图5C说明了用于起始脉冲(LS2)的电平移动器。在图5C中，通过使用一个单输入型的电平移动电路(级1)，在级1之后是一个单输入型的逆变器电路(级2)和一个双输入型的逆变器电路(级3)，因为起始脉冲没有反转信号。电路运行类似于时钟信号的电平移动器的运行，所以不再赘述。
图5D说明了起始脉冲(SP)的幅值转换。一个输入信号的幅值为5[V]，而一个输出信号的幅值为16[V]。
图6A说明了包括一个单输入型逆变器电路(级1)和三级双输入型逆变器电路(级2-级4)的缓冲器(Buf.)的结构。单输入型逆变器电路的运行与电平移动器的运行相同，除了输入脉冲的幅值为VDD2-VSS和在输入和输出脉冲之间没有幅值转换之外。
双输入型逆变器电路的运行是这样的，一个前级输出信号被当作一个输入信号输入到TFT607，而一个前级逆变器的输入信号被当作输入信号的反转信号输入到TFT606。TFT606和TFT607的排斥运行使得TFT608的栅极电位以及前面提到的电平移动器能够被控制。在后续逆变器的运行中，一个前级的输出信号被用作一个输入信号，一个前级的输入信号被用作该输入信号的反转信号。
图6B说明了一个采样开关的结构。从信号输入部分25(25)输入一个采样脉冲，能够同时控制12个并联的TFT621。从信号部分1(1)-12(12)输入一个模拟图象信号，当输入采样脉冲时，该模拟图象信号被写入到一个源信号线。
本实施方案中所示的形成一个驱动电路的电路中，一个逆变器电路和一个电平移动器与本专利发明人提交的2001-133431号专利申请中所描述的相同。
在本实施方案中所示的显示器件中，构成包括象素部分的整个显示器件的电路的TFT仅为单一导通的TFT，其导通类型与象素TFT相同(例如N型TFT)。因此，在向半导体层添加一个P型TFT时可以省去离子掺杂过程，可以减少制造费用，提高产量。
当然，依照本发明，可以仅用P型TFT来产生一个驱动电路和一个象素TFT，尽管本实施方案中是用N型导通的TFT来形成显示器件的。这种情况下，应该注意，该省掉离子掺杂的过程是一个向半导体层添加N型TFT的过程。而且，本发明不仅可以用于液晶显示器件，而且适用于那些在一个绝缘材料上通过集成形成驱动电路来生产的器件。
[实施方案2]
在本实施方案中，将描述一个实施方案模式的图1A至1C中显示的脉冲输出电路的简化结构的例子。
图7A至7C说明了本实施方案的一个移位寄存器。在图7A中，模块700是一个用于输出一级脉冲的脉冲输出电路。图7A中的移位寄存器包括n个步骤的脉冲输出电路。图7B说明了一个详细的电路结构。图1A中显示的移位寄存器的模块图与图7A中显示的移位寄存器相同，两种情况下的输入信号也是相同的。该实施方案的不同之处在于，脉冲输出电路包括4个TFT701至704和一个电容装置705，如图7C所示。在图7B中，模块710是一个幅值补偿电路。图7C说明了进一步的细节。在图7C中，幅值补偿电路包括连接到电源VDD的TFT701和连接到电源VSS的TFT702。
现在将描述该电路的运行。第(m-1)级的一个输出脉冲被输入到第m级的TFT701的栅极(1＜m＜n)(当m＝1，即第一级时，输入的是SP)，TFT701的栅极电位达到电平H，TFT701导通。由此，节点á的电位朝着VDD侧升高。因而，当节点á的电位达到VDD-VthN时，TFT701关断，节点á处于浮动状态，这样TFT703将导通。另一方面，TFT702和704将关断，因为此时在TFT702和704的栅极上还没有脉冲输入，电平保持为L。这样，当从TFT703的掺杂区的边缘，即从第一输入信号线(1)输入一个CK时，一个输出节点的电位朝着VDD侧升高，达到电平H。
在TFT703的栅极和输出节点之间提供一个电容装置705，节点á，即TFT703的栅极处于浮动状态。因此，随着输出节点电位的升高，TFT703的栅极电位从VDD-VthN按照自举的方式进一步升高。而后，TFT703的栅极电位变为高于VDD+VthN，由此，输出节点的电位完全升高到VDD，而不会因为TFT703的阈值而减小。
类似地，依照一个CKB，在第(m+1)级输出一个脉冲。第(m+1)级输出脉冲被反馈到第m级，有待输入到TFT702和704的栅极。节点á的电位朝着VSS侧减小，当TFT702和704的栅极达到电平H而导通TFT702和704时，TFT703关断，然后，节点输出电位达到电平L。
此后，重复类似的运行，直到最末一级，顺次输出幅值为VDD-VSS的脉冲。在最末一级，实际上是连续输出一个CK，因为没有后续级的输出脉冲，该CK是从第三输入信号线(3)输入的，如图7B所示。但是，这不是假定采用虚拟级以及本实施方案中的问题。图7A和7C中显示的本实施方案中，通过在最后一级向第三输入信号线输入一个起始脉冲，使最后一级的输出脉冲刚好在后续水平周期之前停止。在与上述方法不同的其它方法中，在反馈周期中提供一个复位脉冲，输入到最后一级的第三信号线上，以便停止脉冲输出，如实施方案模式的段落中说明的那样，或者输入一个复位信号，使得在反馈周期中所有级的输出节点固定在电平L(与图15相同)。
可以说，本实施方案中显示的脉冲输出电路适用于这样一个部分，其中输出节点无需长时间维持一个需要的电位，即，一个其中的驱动频率相当高的部分。这是因为与实施方案模式中显示的脉冲输出电路相比，元件数很少，在没有采样脉冲输入/输出期间，有许多处于浮动状态的部分。所以，本实施方案的脉冲输出电路最适用于显示器件的源信号线驱动电路。
[实施方案3]
现在参考图13。在本发明的实施方案模式1和2以及实施方案2中显示的移位寄存器中，一个CK的电平H1301的周期和电平L1302的周期在长度上是相同的，如图13A中所示，而与CK具有相反极性的脉冲作为CKB输入。这里采样脉冲的宽度与CK和CKB的脉冲宽度相等，这样，采样脉冲的输出如图13A中1303至1307所示。1303表示第一级的采样脉冲；1304表示第二级的采样脉冲；此后，1305至1307表示第三至第五级采样脉冲。
CK的输入/输出信号和其它的信号具有一个从电平L变化到电平H的上升沿和一个从电平H到电平L的下降沿。这可能引起脉冲的重叠，而在理想情况下是一定不会出现的。图13A中显示的采样脉冲1303至1307显示出在相邻的脉冲之间，有一个上升周期与下降周期的重叠。
特别是对于通过采样模拟图象信号来显示图象的显示器件，由于相邻采样脉冲之间的重叠，有时图象信号采样是按错误的时序完成的，可能会造成显示质量变坏。
为了避免这种采样脉冲的重叠，如图13C中所示，在CK的脉冲宽度上给出一个差值。这种情况下，电平H1308的周期略小于电平L1309的周期。在CKB中，电平H的周期也略小于电平L的周期。这样的差别解决了CK的上升沿和CKB的下降沿的重叠或CK的下降沿和CKB的上升沿之间的重叠，由此，如图1310至1314所示，可以解决相邻的采样脉冲之间的上升周期和下降周期的重叠。
现在再次参考图1B。在图1B中所示的脉冲输出电路的运行中，在TFT105导通期间，当CK或CKB被输出到一个输出节点上时，输出一个采样脉冲。即，从节点á的电位开始上升时起，到节点á的电位降落到电平L时，通过一个后序级的采样脉冲，输出CK或CKB。这样，当CK的上升时间与CKB的下降时间发生重叠时，或当CK的下降时间与CKB的上升时间重叠时，有时在采样脉冲之前或之后可能会输出错误的脉冲。
在采样脉冲1305前面的一个级中的采样脉冲1304被输入到移位寄存器，从中输出采样脉冲1305，从此刻起，在输出节点上出现的是CK或CKB(对于输出采样脉冲的级，为CK)，如图13A中所示。所以，当在1315所示的时间，即在前级采样脉冲1304开始上升时，CK还没有完全减小到电平L时，在最初输出采样脉冲1305之前，出现一个错误的脉冲1316，如图13B中所示。因此，本实施方案所示的CK和CKB的脉宽度调制可以避免发生这样的错误运行。
[实施方案4]
在实施方案模式和上面的实施方案中所示的例子里，电路仅包含N沟道型TFT。但是，通过互换高电位和低电位的电源，类似的电路可以仅包含P沟道型TFT。
图16A和16B说明一个仅包含P沟道型TFT的移位寄存器的例子。图16A中显示的模块图与图1中所示的仅包含N沟道型TFT的移位寄存器相类似。图16A中，模块1600为输出一个级的采样脉冲的脉冲输出电路。与包含N沟道型TFT移位寄存器不同的一点是电源的高低电平是相反的，如图16B中所示。
图17说明了时序图和输出脉冲。参考图1A至1C和2，在实施方案模式中对相应部分的运行已经进行了描述，所以这里省去细节的描述。电平H和电平L刚好与图2中显示的情况相反。
[实施方案5]
本发明可以适用于制造用于不同类型的电子设备的显示器件。便携信息终端(如电子笔记，移动式计算机和便携式电话)，摄像机，数字照相机，个人计算机，电视和便携电话都被认为是属于上述的电子装置。其例子显示于图8A至8G。
图8A说明了一个包括一个框体3001、一个支撑3002和一个显示部分3003的液晶显示器(LCD)。本发明可用于显示部分3003。
图8B说明了一台摄像机，包含一个本体3011、一个显示部分3012、一个声音输入部分3013、一个操作开关3014、一个电池3015和一个图象接收部分3016。本发明可用于显示部分3012。
图8C说明了一个笔记类型的个人计算机，包括一个主体3021、一个框体3022、一个显示部分3023和一个键盘3024。本发明可用于显示部分3023。
图8D说明了一个便携式信息终端，包括一个本体3031、一个触针3032、一个显示部分3033。以操作按钮3034和一个外部接口3035。被发明可用于显示部分3033。
图8E说明了一个放音机器，具体说是一台安装在汽车上的音频装置，包括一个本体3041、一个显示部分3042和操作开关3043和3044。本发明可用于显示部分3042。尽管用安装在汽车上的音频装置来显示一个本实施方案的例子，本发明还可用于一个便携式或家用的音频机器。
图8F说明一个数码照相机，包括一个本体3051、一个显示部分(A)3052、一个目镜部分3053、一个操作开关3054、一个显示部分(B)3055和一个电池3056。本发明可用于显示部分(A)3052和显示部分(B)3055。
图8G说明了一个便携式电话，包括一个本体3061、一个声音输出部分3062、一个声音输入部分3062、一个显示部分3064、一个操作开关3065和一个天线3066。本发明可用于显示部分3064。
应该注意到，本发明中显示的例子仅是一部分，本发明的用途不局限于上面介绍的内容。
依照本发明，显示器件的驱动电路和象素部分可以仅包含单一导通的TFT，减少显示器件的制作过程，有助于减少费用和提高产量，所以可以以一个较低的费用来提供显示器件。

Claims (51)

1.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极电连接到第一电源；和
一电容器；
其中第一至第六晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极中的每一个均电连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极中的每一个均电连接到第一晶体管的栅极；
其中第五晶体管的第二电极和第六晶体管的第二电极电连接到第二晶体管的栅极；
其中第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极电连接到第一脉冲信号输入线；
其中第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极电连接到第二脉冲信号输入线；和
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
2.包含n级依照权利要求1的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲输入到第一脉冲信号输入线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
并且其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
3.依照权利要求1的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
4.依照权利要求1的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
5.依照权利要求1的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
6.依照权利要求5的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，其中该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
7.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；和
一电容器；
其中第一至第四晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、和第二晶体管的第二电极中的每一个均连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极中的每一个连接到第一晶体管的栅极；
其中第三晶体管的栅极连接到第一脉冲信号输入线；
其中第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极连接到第二脉冲信号输入线，和
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
8.包含n级依照权利要求7的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲一个输入到第一脉冲信号输入线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
9.依照权利要求7的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
10.依照权利要求7的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
11.依照权利要求7的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
12.依照权利要求11的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
13.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第七晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第八晶体管，其第一电极电连接到第一电源；和
一电容器；
其中第一至第八晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极中的每一个均连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极、第八晶体管的第二电极中的每一个均电连接到第一晶体管的栅极；
其中第五晶体管的第二电极、第六晶体管的第二电极和第七晶体管的第二电极中的每一个均电连接到第二晶体管的栅极；
其中第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极电连接到第一脉冲信号输入线；
其中第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极电连接到第二脉冲信号输入线；
其中第七晶体管的栅极和第八晶体管的栅极电连接到一个复位信号输入线，和
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
14.包含n级依照权利要求13的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲输入到第一脉冲输入信号线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲输入信号线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
15.依照权利要求13的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
16.依照权利要求13的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
17.依照权利要求13的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
18.依照权利要求17的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
19.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个扫描方向切换电路，和
一电容器，
其中第一至第六晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极中的每一个均连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极中的每一个均电连接到第一晶体管的栅极；
其中第五晶体管的第二电极和第六晶体管的第二电极电连接到第二晶体管的栅极；
其中第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极中的每一个通过扫描方向切换电路连接到第一脉冲信号输入线和第二脉冲信号输入线；
其中第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极中的每一个通过扫描方向切换电路连接到第一脉冲信号输入线和第二脉冲信号输入线；
其中当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第二脉冲信号输入线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的；和
其中当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第二输入信号线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
20.包含n级依照权利要求19的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲输入到第一脉冲信号输入线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
21.依照权利要求19的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
22.依照权利要求19的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
23.依照权利要求19的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
24.依照权利要求23的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
25.一个依照权利要求19脉冲输出电路，其中扫描方向切换电路包括：
一个第七晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第八晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第九晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上；和
一个第十晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上，
其中第七至第十晶体管具有一个与第一至第六晶体管相同的导电类型；
其中第七晶体管的第二电极、第九晶体管的第二电极和第三晶体管的栅极中的每一个电连接到第六晶体管的栅极上；
其中第八晶体管的第二电极、第十晶体管的第二电极和第四晶体管的栅极中的每一个均电连接到第五晶体管的栅极上；
其中第七晶体管的栅极和第十晶体管的栅极电连接到第一扫描方向切换信号输入线；
其中第八晶体管的栅极和第九晶体管的栅极电连接到第二扫描方向切换信号输入线；
其中当扫描方向切换信号被输入到第一扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线时，第七晶体管和第十晶体管是导通的，第八晶体管和第九晶体管是不导通的；和
其中当扫描方向切换信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第一扫描方向信号输入线时，第八晶体管和第九晶体管是导通的，第七晶体管和第十晶体管是不导通的。
26.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个扫描方向切换电路，和
一电容器，
其中第一至第四晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、和第二晶体管的第二电极中的每一个均连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极中的每一个均电连接到第一晶体管的栅极上；
其中第三晶体管的栅极通过扫描方向切换电路均电连接到第一脉冲信号输入线和第二脉冲信号输入线；
其中第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极通过扫描方向切换电路均电连接到第一脉冲信号输入线和第二脉冲信号输入线；
其中当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，而第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极对于第二脉冲信号输入线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的；
其中当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极对于第二脉冲信号输入线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的，而第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，和
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
27.包含n级依照权利要求26的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲一个输入到第一脉冲信号输入线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
并且其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
28.依照权利要求26的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
29.依照权利要求26的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
30.依照权利要求26的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
31.依照权利要求30的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
32.一个依照权利要求26脉冲输出电路，其中扫描方向切换电路包括：
一个第五晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第六晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第七晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上；和
一个第八晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上，
并且其中第五至第八晶体管具有一个与第一至第五晶体管相同的导电类型；
其中第五晶体管的第二电极和第七晶体管的第二电极电连接到第三晶体管的栅极上；
其中第六晶体管的第二电极、第八晶体管的第二电极和第二晶体管的栅极中的每一个均电连接到第四晶体管的栅极上；
其中第五晶体管的栅极和第八晶体管的栅极连接到第一扫描方向切换信号输入线；
其中第六晶体管的栅极和第七晶体管的栅极连接到第二扫描方向切换信号输入线；
其中当扫描方向切换信号被输入到第一扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线时，第五晶体管和第八晶体管是导通的，第六晶体管和第七晶体管是不导通的；和
其中当扫描方向切换信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第一扫描方向切换信号输入线时，第六晶体管和第七晶体管是导通的，第五晶体管和第八晶体管是不导通的。
33.一个脉冲输出电路，包括：
一个第一晶体管，其第一电极电连接到一个时钟信号输入线；
一个第二晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第三晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第四晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第五晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第六晶体管，其第一电极电连接到第一电源；
一个第七晶体管，其第一电极电连接到第二电源；
一个第八晶体管，其第一电极电连接到第一电源；和
一个扫描方向切换电路，和
一电容器，
其中第一至第八晶体管具有一个相同的导电类型；
其中第一晶体管的第二电极、第二晶体管的第二电极中的每一个均连接到一个输出信号线上；
其中第三晶体管的第二电极、第四晶体管的第二电极、第八晶体管的第二电极中的每一个均连接到第一晶体管的栅极；
其中第五晶体管的第二电极、第六晶体管的第二电极和第七晶体管的第二电极中的每一个均连接到第二晶体管的栅极上；
其中第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极通过扫描方向切换电路均连接到第一脉冲信号输入线和第二脉冲信号输入线；
其中第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极通过扫描方向切换电路均电连接到第一脉冲信号线和第二脉冲信号输入线；
其中第七晶体管的栅极和第八晶体管的栅极均连接到一个复位信号输入线上；
其中当扫描方向切换电路处于第一状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第二脉冲信号输入线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的；和
其中当扫描方向切换电路处于第二状态时，第三晶体管的栅极和第六晶体管的栅极对于第二脉冲信号输入线是导通的，对于第一脉冲信号输入线是不导通的，而第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极对于第一脉冲信号输入线是导通的，对于第二脉冲信号输入线是不导通的，和
其中所述电容器的第一端子与所述输出信号线电连接；而所述电容器的第二端子与所述第一晶体管的栅极电连接。
34.包含n级依照权利要求33的脉冲输出电路的移位寄存器，其中n为一个自然数，1＜n，
在第一级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个起始脉冲输入到第一脉冲输入信号线，和
将第二级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，
在第m级脉冲输出电路中，其中m为一个自然数，2≤m≤n-1，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第m-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲信号输入线，和
将一个第m+1级脉冲输出电路的输出信号输入到第二脉冲信号输入线，和
在第n级脉冲输出电路中，
将一个时钟信号或时钟反转信号输入到时钟信号输入线，
将一个第n-1级脉冲输出电路的输出信号输入到第一脉冲输入线，和
将第一电源、复位信号和起始脉冲中的一个输入到上述第二脉冲信号输入线，
其中根据时钟信号或时钟反转信号和起始脉冲，按顺序输出一个采样脉冲。
35.依照权利要求33的脉冲输出电路，其中导电类型是N沟道型。
36.依照权利要求33的脉冲输出电路，其中导电类型是P沟道型。
37.依照权利要求33的脉冲输出电路，其中脉冲输出电路被用于显示器件中。
38.依照权利要求37的脉冲输出电路，其中所述显示器件被施加到一个电子装置，该电子装置选自包括便携式信息终端、摄像机、数码相机、个人计算机、电视机和便携式电话的组。
39.一个依照权利要求33脉冲输出电路，其中扫描方向切换电路包括：
一个第九晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第十晶体管，其第一电极电连接到第一脉冲信号输入线上；
一个第十一晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上；和
一个第十二晶体管，其第一电极电连接到第二脉冲信号输入线上，
其中第九至第十二晶体管具有一个与第一至第八晶体管相同的导电类型；
其中第九晶体管的第二电极、第十一晶体管的第二电极和第三晶体管的栅极中的每一个均电连接到第六晶体管的栅极上；
其中第十晶体管的第二电极、第十二晶体管的第二电极、第四晶体管的栅极中的每一个均电连接到第五晶体管的栅极上；
其中第九晶体管的栅极和第十二晶体管的栅极连接到第一扫描方向切换信号输入线；
其中第十晶体管的栅极和第十一晶体管的栅极连接到第二扫描方向切换信号输入线；
其中当扫描方向切换信号被输入到第一扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线时，第九晶体管和第十二晶体管是导通的，第十晶体管和第十一晶体管是不导通的；和
其中当扫描方向切换信号被输入到第二扫描方向切换信号输入线，扫描方向切换信号的反转信号被输入到第一扫描方向切换信号输入线时，第十晶体管和第十一晶体管是导通的，第九晶体管和第十二晶体管是不导通的。
40.依照权利要求1的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
41.依照权利要求1的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
42.依照权利要求7的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
43.依照权利要求7的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
44.依照权利要求13的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
45.依照权利要求13的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
46.依照权利要求19的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
47.依照权利要求19的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
48.依照权利要求26的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
49.依照权利要求26的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
50.依照权利要求33的脉冲输出电路，其中设置在第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极之间的电容被用作电容器，并且其中第一晶体管的源极是该第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个。
51.依照权利要求33的脉冲输出电路，其中所述电容器包括从由有源层材料、栅极材料和布线材料组中选出的两种材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513644A (zh) * 2009-09-24 2016-04-20 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
CN108766336A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、反相器制作方法、栅极驱动电路及显示装置

Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4785271B2 (ja) * 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
SG119161A1 (en) * 2001-07-16 2006-02-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3658349B2 (ja) * 2001-09-20 2005-06-08 松下電器産業株式会社 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
AU2003214699A1 (en) 2002-04-08 2003-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI293444B (en) * 2002-04-08 2008-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device
JP4679812B2 (ja) * 2002-11-07 2011-05-11 シャープ株式会社 走査方向制御回路および表示装置
JP4339103B2 (ja) * 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR100487439B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시장치의 양방향 구동 회로 및 구동 방법
KR100843383B1 (ko) * 2002-12-31 2008-07-03 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 집적 아모퍼스실리콘계 박막트랜지스터 드라이브열을 갖는액정표시장치
JP4425547B2 (ja) 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
US7528643B2 (en) * 2003-02-12 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
KR100490623B1 (ko) 2003-02-24 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 버퍼 회로 및 이를 이용한 액티브 매트릭스 표시 장치
US7161184B2 (en) 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7221095B2 (en) 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US7224118B2 (en) 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP4535696B2 (ja) * 2003-06-27 2010-09-01 三洋電機株式会社 表示装置
JP4565815B2 (ja) * 2003-06-27 2010-10-20 三洋電機株式会社 表示装置
JP4565816B2 (ja) * 2003-06-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 表示装置
JP4522057B2 (ja) * 2003-06-30 2010-08-11 三洋電機株式会社 表示装置
JP4759908B2 (ja) * 2003-07-09 2011-08-31 ソニー株式会社 フラットディスプレイ装置
TWI336921B (en) 2003-07-18 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7211454B2 (en) 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
TW200509026A (en) * 2003-08-25 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Scan driver, scan driving system with low input voltage and their level shift voltage circuit
JP4686972B2 (ja) * 2003-11-17 2011-05-25 ソニー株式会社 シフトレジスタ回路、基本回路および表示装置
JP2005189680A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sony Corp バッファ回路、ディスプレイ装置の駆動回路、ディスプレイ装置
CN100334806C (zh) * 2004-06-30 2007-08-29 统宝光电股份有限公司 移位暂存器与使用其的移位暂存器组
JP4794158B2 (ja) * 2004-11-25 2011-10-19 三洋電機株式会社 表示装置
JP2006277789A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sony Corp シフトレジスタおよび表示装置
US7688107B2 (en) * 2005-04-19 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, display device, and electronic device
US7483013B2 (en) * 2005-05-20 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, display device, and electronic appliance therewith
JP3872085B2 (ja) * 2005-06-14 2007-01-24 シャープ株式会社 表示装置の駆動回路、パルス生成方法および表示装置
KR100666637B1 (ko) * 2005-08-26 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치의 발광제어 구동장치
CN100397468C (zh) * 2005-08-31 2008-06-25 友达光电股份有限公司 移位寄存电路
US9153341B2 (en) * 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP5291874B2 (ja) * 2005-10-18 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、シフトレジスタ、表示装置
US7663592B2 (en) * 2005-10-19 2010-02-16 Tpo Displays Corp. Systems involving signal driving circuits for driving displays
US7675796B2 (en) * 2005-12-27 2010-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007080813A1 (en) 2006-01-07 2007-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
TWI329855B (en) * 2006-01-27 2010-09-01 Au Optronics Corp Dynamic shift register circuit
KR100719670B1 (ko) * 2006-04-06 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기 전계발광 표시장치
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101352344B1 (ko) * 2006-09-13 2014-01-15 삼성디스플레이 주식회사 신호전송 부재 및 이를 갖는 표시장치
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI427602B (zh) 2006-10-17 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
JP2008140489A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Seiko Epson Corp シフトレジスタ、走査線駆動回路、データ線駆動回路、電気光学装置及び電子機器
US8552948B2 (en) 2007-04-05 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising threshold control circuit
JP5042077B2 (ja) * 2007-04-06 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100932799B1 (ko) * 2007-06-05 2009-12-21 호서대학교 산학협력단 레지스터
US8013633B2 (en) * 2007-06-20 2011-09-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor logic
US8093555B2 (en) 2007-11-21 2012-01-10 Shimadzu Corporation Mass spectrometer
US8427206B2 (en) 2007-12-20 2013-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Buffer and display device
US8749469B2 (en) 2008-01-24 2014-06-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device for reducing parasitic capacitance with a dummy scan line
CN101515431B (zh) * 2008-02-22 2011-01-19 财团法人工业技术研究院 栅极驱动器用的平移寄存器
JP5143599B2 (ja) * 2008-03-13 2013-02-13 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 液晶駆動装置
JP5151585B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-27 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
JP4835626B2 (ja) * 2008-04-03 2011-12-14 ソニー株式会社 シフトレジスタ回路、表示パネル及び電子機器
GB2459661A (en) * 2008-04-29 2009-11-04 Sharp Kk A low power NMOS latch for an LCD scan pulse shift register
KR101301394B1 (ko) * 2008-04-30 2013-08-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 구동방법
JP5136198B2 (ja) * 2008-05-14 2013-02-06 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101510904B1 (ko) * 2008-12-22 2015-04-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8330702B2 (en) * 2009-02-12 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, display device, and electronic device
US8872751B2 (en) 2009-03-26 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
EP2234100B1 (en) * 2009-03-26 2016-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI381640B (zh) * 2009-07-14 2013-01-01 Au Optronics Corp 具雙向傳輸機制之移位暫存器電路
US7986172B2 (en) * 2009-08-31 2011-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Switching circuit with gate driver having precharge period and method therefor
TW202309859A (zh) 2009-09-10 2023-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
CN112242173A (zh) * 2009-10-09 2021-01-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101882350B1 (ko) * 2009-10-09 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JPWO2011046044A1 (ja) * 2009-10-13 2013-03-07 学校法人 東洋大学 信号線駆動回路
KR101717460B1 (ko) * 2009-10-16 2017-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
US8054935B2 (en) * 2009-11-13 2011-11-08 Au Optronics Corporation Shift register with low power consumption
JP4963314B2 (ja) * 2009-11-16 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器
JP5457826B2 (ja) * 2009-12-28 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ レベルシフト回路、信号駆動回路、表示装置および電子機器
JP5473686B2 (ja) * 2010-03-11 2014-04-16 三菱電機株式会社 走査線駆動回路
TW201133440A (en) * 2010-03-19 2011-10-01 Au Optronics Corp Shift register circuit and gate driving circuit
TWI427587B (zh) * 2010-05-11 2014-02-21 Innolux Corp 顯示器
JP5581263B2 (ja) 2010-05-13 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 バッファ回路
KR101994074B1 (ko) 2010-05-21 2019-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101778701B1 (ko) * 2010-08-11 2017-09-15 삼성디스플레이 주식회사 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
US8923473B2 (en) * 2010-09-02 2014-12-30 Sharp Kabushiki Kaisha Signal processing circuit, driver circuit, and display device
CN103155412B (zh) 2010-09-02 2015-12-02 夏普株式会社 信号处理电路、逆变器电路、缓冲电路、驱动器电路、电平移位器、显示装置
US8779809B2 (en) 2010-09-02 2014-07-15 Sharp Kabushiki Kaisha Signal processing circuit, inverter circuit, buffer circuit, level shifter, flip-flop, driver circuit, and display device
US9030237B2 (en) * 2010-09-02 2015-05-12 Sharp Kabushiki Kaisha Transistor circuit, flip-flop, signal processing circuit, driver circuit, and display device
KR20120033672A (ko) * 2010-09-30 2012-04-09 삼성모바일디스플레이주식회사 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
TWI587306B (zh) * 2011-05-13 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN103503057B (zh) * 2011-05-23 2016-02-10 夏普株式会社 扫描信号线驱动电路、具备它的显示装置和扫描信号线的驱动方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5288654B2 (ja) * 2011-11-02 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8994439B2 (en) 2012-04-19 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, image display device, storage device, and electronic device
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
TWI635501B (zh) 2012-07-20 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
US9171842B2 (en) 2012-07-30 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sequential circuit and semiconductor device
US9412764B2 (en) * 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9041453B2 (en) 2013-04-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse generation circuit and semiconductor device
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103400559B (zh) * 2013-07-31 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
TWI502578B (zh) 2013-12-05 2015-10-01 Au Optronics Corp 閘極驅動器
CN103943055B (zh) * 2014-03-27 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
US9325311B1 (en) * 2014-11-20 2016-04-26 Innolux Corporation Gate driver and display device using the same
JP2016143428A (ja) * 2015-01-29 2016-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ シフトレジスタ回路
JP6154445B2 (ja) * 2015-09-09 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9824658B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd GOA circuit and liquid crystal display device
CN105529000B (zh) 2016-02-18 2018-01-23 京东方科技集团股份有限公司 信号生成单元、移位寄存器、显示装置及信号生成方法
CN106448539B (zh) * 2016-10-28 2023-09-19 合肥京东方光电科技有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
JP2017084438A (ja) * 2016-11-21 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108346402B (zh) * 2017-01-22 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN107331418B (zh) * 2017-07-31 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN107610737B (zh) * 2017-10-26 2023-07-21 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
KR20200084964A (ko) * 2019-01-03 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110085160B (zh) * 2019-04-04 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路及显示面板
CN110288960B (zh) * 2019-06-28 2021-09-28 武汉天马微电子有限公司 一种转换电路、显示面板以及显示装置
JP2020076964A (ja) * 2019-09-26 2020-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN111402804B (zh) * 2020-04-26 2021-07-13 武汉天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置
WO2023178607A1 (zh) * 2022-03-24 2023-09-28 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898479A (en) * 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
EP0315362A2 (en) * 1987-10-30 1989-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit
CN1157450A (zh) * 1995-03-06 1997-08-20 汤姆森多媒体公司 带阈值电压漂移补偿的液晶显示驱动器
CN1240043A (zh) * 1996-12-09 1999-12-29 汤姆森多媒体公司 双向移位寄存器
US6091393A (en) * 1997-01-08 2000-07-18 Lg Electronics Inc. Scan driver IC for a liquid crystal display

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506851A (en) * 1966-12-14 1970-04-14 North American Rockwell Field effect transistor driver using capacitor feedback
US3774055A (en) * 1972-01-24 1973-11-20 Nat Semiconductor Corp Clocked bootstrap inverter circuit
DE2639555C2 (de) * 1975-09-04 1985-07-04 Plessey Overseas Ltd., Ilford, Essex Elektrische integrierte Schaltung
JPS5295961A (en) 1976-02-09 1977-08-12 Hitachi Ltd Solid scanning circuit
JPS52119160A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Nec Corp Semiconductor circuit with insulating gate type field dffect transisto r
JPS55156427A (en) 1979-05-23 1980-12-05 Sharp Corp Bootstrap buffer circuit
JPS5693431A (en) * 1979-12-27 1981-07-29 Hitachi Ltd Bootstrap output circuit
JPS5694838A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Driving circuit
DE3026951A1 (de) * 1980-07-16 1982-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Treiberstufe in integrierter mos-schaltkreistechnik mit grossem ausgangssignalverhaeltnis
JPS5829200A (ja) 1981-08-12 1983-02-21 Semiconductor Res Found 走査回路
JPS5916424A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp 半導体回路
JPS59225613A (ja) 1983-06-06 1984-12-18 Toshiba Corp 半導体回路
JPS60140924A (ja) * 1983-12-27 1985-07-25 Nec Corp 半導体回路
JP2556684B2 (ja) * 1986-08-26 1996-11-20 則男 赤松 論理回路
JPS63204815A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Hitachi Ltd 半導体論理回路
US4804870A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Signetics Corporation Non-inverting, low power, high speed bootstrapped buffer
US4959697A (en) * 1988-07-20 1990-09-25 Vtc Incorporated Short channel junction field effect transistor
JPH03163911A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Hitachi Ltd インバータの回路
JPH03165171A (ja) 1989-11-24 1991-07-17 Ricoh Co Ltd 密着型イメージセンサー
US5222082A (en) 1991-02-28 1993-06-22 Thomson Consumer Electronics, S.A. Shift register useful as a select line scanner for liquid crystal display
JP3321188B2 (ja) * 1991-07-26 2002-09-03 株式会社東芝 出力回路
JPH05136683A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Hitachi Ltd 出力バツフア回路
JP2894068B2 (ja) 1992-01-30 1999-05-24 日本電気株式会社 半導体集積回路
JPH0698081A (ja) 1992-09-14 1994-04-08 Hitachi Ltd 固体撮像素子
KR960008735B1 (en) * 1993-04-29 1996-06-29 Samsung Electronics Co Ltd Mos transistor and the manufacturing method thereof
TW264575B (zh) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5467038A (en) * 1994-02-15 1995-11-14 Hewlett-Packard Company Quick resolving latch
JP3402400B2 (ja) * 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
US6919874B1 (en) 1994-05-17 2005-07-19 Thales Avionics Lcd S.A. Shift register using M.I.S. transistors and supplementary column
FR2720185B1 (fr) 1994-05-17 1996-07-05 Thomson Lcd Registre à décalage utilisant des transistors M.I.S. de même polarité.
JPH08123566A (ja) 1994-08-31 1996-05-17 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路および半導体装置の製造方法
JP2939865B2 (ja) 1995-07-03 1999-08-25 カシオ計算機株式会社 薄膜半導体装置およびそれを用いた表示装置
JP3092506B2 (ja) * 1995-03-27 2000-09-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびこれを用いた表示駆動装置
US5694061A (en) * 1995-03-27 1997-12-02 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device having same conductive type MIS transistors, a simple circuit design, and a high productivity
JPH0936729A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JPH0946216A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JP3272209B2 (ja) * 1995-09-07 2002-04-08 アルプス電気株式会社 Ｌｃｄ駆動回路
JP3436629B2 (ja) * 1996-01-08 2003-08-11 シャープ株式会社 表示および撮像のための装置
US5949398A (en) 1996-04-12 1999-09-07 Thomson Multimedia S.A. Select line driver for a display matrix with toggling backplane
JP2921510B2 (ja) * 1996-10-07 1999-07-19 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
US5952991A (en) * 1996-11-14 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display
KR100218506B1 (ko) * 1996-12-14 1999-09-01 윤종용 액정 표시 장치용 레벨 시프트 회로
KR100242244B1 (ko) * 1997-08-09 2000-02-01 구본준 스캐닝 회로
JPH11184440A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sony Corp 液晶表示装置の駆動回路
JP3680601B2 (ja) 1998-05-14 2005-08-10 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ、表示装置、撮像素子駆動装置及び撮像装置
JP2000106617A (ja) 1998-09-29 2000-04-11 Canon Inc 読取装置および読取システム
JP4181710B2 (ja) 1998-10-21 2008-11-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド シフトレジスタ
KR100281336B1 (ko) 1998-10-21 2001-03-02 구본준 쉬프트 레지스터 회로
KR100438525B1 (ko) 1999-02-09 2004-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
US6501098B2 (en) * 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
JP3858486B2 (ja) * 1998-11-26 2006-12-13 セイコーエプソン株式会社 シフトレジスタ回路、電気光学装置および電子機器
KR100430099B1 (ko) * 1999-03-02 2004-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
JP3609977B2 (ja) * 1999-07-15 2005-01-12 シャープ株式会社 レベルシフト回路および画像表示装置
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4651785B2 (ja) 1999-07-23 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3858136B2 (ja) 1999-08-20 2006-12-13 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
WO2001020591A1 (en) * 1999-09-11 2001-03-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
JP3911923B2 (ja) 1999-09-27 2007-05-09 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
JP4359368B2 (ja) 1999-10-29 2009-11-04 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW577241B (en) * 2000-03-28 2004-02-21 Sanyo Electric Co Display device
US6611248B2 (en) * 2000-05-31 2003-08-26 Casio Computer Co., Ltd. Shift register and electronic apparatus
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US7030551B2 (en) * 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP2002176162A (ja) 2000-08-10 2002-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置
JP4954404B2 (ja) 2000-09-14 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW546615B (en) * 2000-11-22 2003-08-11 Hitachi Ltd Display device having an improved voltage level converter circuit
KR100752602B1 (ko) 2001-02-13 2007-08-29 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치
TW525139B (en) 2001-02-13 2003-03-21 Samsung Electronics Co Ltd Shift register, liquid crystal display using the same and method for driving gate line and data line blocks thereof
JP4785271B2 (ja) * 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
SG119161A1 (en) * 2001-07-16 2006-02-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) * 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
JP4425547B2 (ja) * 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
JP4968681B2 (ja) * 2007-07-17 2012-07-04 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 半導体回路とそれを用いた表示装置並びにその駆動方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898479A (en) * 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
EP0315362A2 (en) * 1987-10-30 1989-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit
CN1157450A (zh) * 1995-03-06 1997-08-20 汤姆森多媒体公司 带阈值电压漂移补偿的液晶显示驱动器
US5701136A (en) * 1995-03-06 1997-12-23 Thomson Consumer Electronics S.A. Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation
CN1240043A (zh) * 1996-12-09 1999-12-29 汤姆森多媒体公司 双向移位寄存器
US6091393A (en) * 1997-01-08 2000-07-18 Lg Electronics Inc. Scan driver IC for a liquid crystal display

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513644A (zh) * 2009-09-24 2016-04-20 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
CN105513644B (zh) * 2009-09-24 2019-10-15 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
CN108766336A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、反相器制作方法、栅极驱动电路及显示装置
US11101013B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Shift register, method for fabricating inverter, gate driving circuit, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20130057161A1 (en) 2013-03-07
US20170076820A1 (en) 2017-03-16
KR20020086298A (ko) 2002-11-18
US9812218B2 (en) 2017-11-07
US20140327008A1 (en) 2014-11-06
US20060202940A1 (en) 2006-09-14
US9105520B2 (en) 2015-08-11
CN1385825A (zh) 2002-12-18
US8786533B2 (en) 2014-07-22
US10916319B2 (en) 2021-02-09
KR100832252B1 (ko) 2008-05-28
US10424390B2 (en) 2019-09-24
JP2002335153A (ja) 2002-11-22
US10109368B2 (en) 2018-10-23
TWI315511B (en) 2009-10-01
US7710384B2 (en) 2010-05-04
TWI285857B (en) 2007-08-21
US20100073348A1 (en) 2010-03-25
US20180122492A1 (en) 2018-05-03
US20190147969A1 (en) 2019-05-16
US8264445B2 (en) 2012-09-11
US20150340378A1 (en) 2015-11-26
US20200082895A1 (en) 2020-03-12
US7057598B2 (en) 2006-06-06
US9496291B2 (en) 2016-11-15
TW200710818A (en) 2007-03-16
US20020167026A1 (en) 2002-11-14
JP4439761B2 (ja) 2010-03-24

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