WO2015046040A1 - かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール - Google Patents

かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2015046040A1
WO2015046040A1 PCT/JP2014/074809 JP2014074809W WO2015046040A1 WO 2015046040 A1 WO2015046040 A1 WO 2015046040A1 JP 2014074809 W JP2014074809 W JP 2014074809W WO 2015046040 A1 WO2015046040 A1 WO 2015046040A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
fin
heat sink
panel
caulking
outer peripheral
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/074809
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
泰之 三田
中島 泰
弘行 芳原
清文 北井
清志 柴田
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to US15/024,953 priority Critical patent/US9892992B2/en
Priority to CN201480053065.0A priority patent/CN105580134B/zh
Priority to JP2015539157A priority patent/JP6091633B2/ja
Priority to DE112014004421.0T priority patent/DE112014004421B4/de
Publication of WO2015046040A1 publication Critical patent/WO2015046040A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1027IV
    • H01L2924/10272Silicon Carbide [SiC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/1033Gallium nitride [GaN]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Definitions

  • the present invention relates to a caulking heat sink, and more particularly, to a caulking heat sink structure used by being integrated with a power module.
  • a heat sink having a caulking structure is widely adopted as a heat sink in electronic devices having power semiconductor elements (heat generating portions) such as LSI (Large Scale Integration) and diodes (for example, Patent Documents 1, 4, and 5).
  • the heat sink having the caulking structure dissipates heat generated from the heat generating portion by heat conduction (or heat transfer).
  • a heat sink having a caulking structure a plurality of fins are inserted into fin insertion grooves formed on the plane of the fin base.
  • the fin base is plastically deformed by caulking the caulking portion of the fin base, and the fin base and the plurality of fins are integrated.
  • the heat sink integrated power module there is known a fin integrated power module in which a corrugated heat sink is integrated by being embedded in the unevenness of the base of the bottom surface of the resin-encapsulated power module (for example, Patent Document 2). Radiation noise emitted from the heat sink can be suppressed by connecting the radiating fin to the ground potential (for example, Patent Document 3).
  • the fin base and the fin which are separate members, are integrated by caulking.
  • One characteristic of the caulking heat sink is that the fin length is longer than the fin base length in the air path direction.
  • screw holes are machined on the fin base side of the caulking heat sink. This processing increases the cost of the power module and increases the size of the fin base in order to secure the screw hole manufacturing position. Screw holes machined in the grease surface of the fin base deteriorate the heat dissipation performance of the heat sink.
  • An object of the present invention is to produce a caulking heat sink that can secure an air passage to obtain a sufficient heat radiation performance and that can be easily fixed to a heat generating portion, and a heat sink integrated power module including the caulking heat sink.
  • the caulking heat sink according to the present invention includes a fin base having a first fin insertion groove and a second fin insertion groove having an outer peripheral portion and sandwiching the bifurcated caulking portion, and the first fin insertion of the fin base.
  • the caulking heat sink can secure the air passage by obtaining the caulking heat sink by sandwiching the panel between the fin bases, so that sufficient heat radiation performance can be obtained. Furthermore, since the panel and the fin base are integrated by caulking (press-fit) with protrusions provided on the panel, the fin base and the panel can be fixed with sufficient strength.
  • FIG. 1 is an assembly diagram illustrating an overall configuration of a caulking heat sink according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a component diagram showing components of the caulking heat sink according to the first embodiment. It is process drawing which shows the caulking procedure of a caulking heat sink. It is a figure explaining the effect which a panel has on a wind path. It is a figure explaining the role of the punch hole provided in the panel in the caulking heat sink by Embodiment 2.
  • FIG. It is sectional drawing showing the relationship between a fin base and a fin.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the role of protrusions formed on a panel in a caulking heat sink according to Embodiment 3. It is a figure showing the variation of the projection part formed in the panel. It is sectional drawing showing the form of the panel inserted in the fin base.
  • a side view and a plan view showing a structure of a cutting waste relief groove formed in a fin base In the caulking heat sink according to the fourth embodiment, a side view and a plan view showing a structure of a cutting waste relief groove formed in a fin base.
  • FIG. 10 is a side view and a plan view showing a structure of a panel guide groove formed in a fin base in a caulking heat sink according to a fourth embodiment. It is a figure which shows the state which covered the panel with a protrusion on the fin base.
  • FIG. 1 shows a heat sink integrated power module 100 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the heat sink integrated power module 100 includes a caulking heat sink 30 and a power module unit 40.
  • the caulking heat sink 30 includes a plurality of fins 1, a panel (intermediate member) 2, and a fin base 3.
  • the power semiconductor element (chip) 19 is mounted on the lead frame 16 and joined to the lead frame 16 with solder or the like.
  • the lead frame 16 is bonded to the fin base 3 via an insulating sheet 20.
  • the heat module with integrated heat sink 100 is formed by embedding the fin base 3 on the heat radiating surface side of the power module unit 40 and performing transfer molding, sandwiching the panel 2, and post-caulking the fin 1.
  • the fins are integrated.
  • the panel 2 is press-fitted into the fin base 3 and placed on the outer peripheral portion (see FIG. 3).
  • the mold resin (body) 18 of the power module section 40 is formed by transfer molding, it is possible to prevent a problem that the power semiconductor element is destroyed due to a load acting during caulking locally. That is, since the mold resin 18 is integrated as a structure, extreme stress concentration is prevented and stress is relieved. For this reason, the heat sink integrated power module 100 can ensure reliability by adopting a configuration in which it is integrated with a mold resin such as an epoxy resin and a similar hard resin.
  • heat conductive grease consists of a filler and resin. Even if the heat conductive grease is used, no major trouble occurs, but when a bleed that separates the filler and the resin occurs, the contact thermal resistance of the heat conductive grease increases. Further, the warpage of the bottom surface of the power module changes with the temperature change of the power module, so that the distance between the bottom surface of the power module and the bottom surface of the heat sink changes, and a phenomenon of dryout occurs in which the heat conductive grease is driven out. Also in this case, the contact thermal resistance increases.
  • the power semiconductor element 19 in addition to those formed of silicon (Si), those formed of a wide band gap semiconductor having a band gap larger than that of silicon can be suitably used.
  • the wide band gap semiconductor include silicon carbide (SiC), a gallium nitride material, and diamond.
  • FIG. 2 shows a form after assembling another caulking heat sink according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the caulking heat sink 30 includes a plurality of fins 1, a panel 2, and a fin base 3.
  • a protruding wall portion 6 is formed on the fin side surface of the fin base 3.
  • the plurality of fins 1 are supported by the protruding wall portions 6 of the fin base 3.
  • the fin 1 is retrofitted to the fin base 3 integrated with the power module portion. Since the flat fin 1 can be adhered to the protruding wall portion 6 of the fin base 3 as much as possible, a heat sink integrated power module having a sufficiently low contact thermal resistance and high heat dissipation can be obtained.
  • FIG. 3 shows a component diagram of the caulking heat sink according to the present invention, and shows a state before assembly.
  • the panel 2 is formed with an opening 2 a that is larger than the size (width) of the protruding wall 6 of the fin base 3.
  • the panel 2 is placed on and supported by the outer peripheral portion 3 a (first outer peripheral portion) of the fin base 3.
  • the fin 1, the panel 2, and the fin base 3 are assembled by caulking after the assembly.
  • the outer peripheral portion 3s of the fin base 3 is necessary in the process when being integrated with the mold resin. In this molding process, positioning pins are used.
  • the outer peripheral portion 3a is disposed closer to the inner peripheral side of the fin base than the outer peripheral portion 3s (second outer peripheral portion).
  • the thickness of the outer peripheral portion 3a is larger than the thickness of the outer peripheral portion 3s, but smaller than the thickness of the protruding wall portion 6. The thickness is measured from the power module mounting surface 3p.
  • the fin 1 is attached to the fin side surface 3f of the fin base.
  • the outer peripheral portion 3a and the outer peripheral portion 3s may be integrated as shown in FIG.
  • the thickness (Ta) of the outer peripheral portion 3a and the thickness (Ts) of the outer peripheral portion 3s are thinner than the thickness (Tf) of the fin base.
  • FIG. 4 shows the assembly process of the caulking heat sink.
  • the fin base 3 is formed with an outer peripheral portion 3 a, a caulking portion 4, a fin insertion groove 5, and a protruding wall portion 6.
  • the caulking portions 4 and the protruding wall portions 6 are alternately formed.
  • the caulking portion 4 having a bifurcated shape is plastically deformed by a press load during caulking.
  • Two insertion grooves (a first fin insertion groove 5a and a second fin insertion groove 5b) are formed between the protruding wall portions 6 facing each other with the caulking portion 4 interposed therebetween.
  • the fin 1 is inserted into the fin insertion groove 5.
  • the outer peripheral portion 3 a is provided on the outer periphery of the fin base 3 in order to sandwich the panel 2 between the protruding wall portions 6.
  • the thickness of the outer peripheral portion 3 a is thinner than the thickness of the caulking portion 4 and the protruding wall portion 6.
  • the panel 2 having the opening 2a is sandwiched between the outer periphery 3a.
  • the plurality of fins 1 are inserted into the fin insertion grooves 5 so that the plurality of fins are sandwiched between the fin bases 3. That is, the first fin 1a is inserted into the first fin insertion groove 5a, and the second fin 1b is inserted into the second fin insertion groove 5b.
  • the protruding wall portion 6 is in contact with the fin 1.
  • FIG. 4D when the jig 21 is inserted between the fins and the caulking portion 4 is plastically deformed, the fin 1 is caulked and fixed to the fin base 3. In this manner, the caulking portion 4 is plastically deformed to the fin side by caulking, and the fin base 3 and the fin 1 are integrated by bringing the fin 1 into contact with both sides of the protruding wall portion 6 of the fin base 3.
  • the white arrow represents the flow velocity vector 7.
  • the white arrow represents the flow velocity vector 7.
  • the panel 2 is sandwiched and integrated between the fin base 3 and the fin 1, as shown in FIG. 5A, even if the fin length is longer than the fin base length in the air path direction, Can be formed.
  • FIG. 5B in the case of a caulking heat sink without a panel, an air path directed upward or downward from the fin base 3 is formed.
  • the caulking heat sink according to the present application can improve the heat radiation performance because it can use the air path to the maximum without reducing the flow velocity between the fins.
  • the fin base 3 and the panel 2 and the fin base 3 and the fin 1 are integrated in contact.
  • the panel 2 can also be added to the heat dissipation path by heat conduction in each contact portion, so that the heat dissipation performance is improved.
  • the fin 1 by using a plate material such as aluminum or aluminum alloy, it was possible to achieve both workability and heat dissipation.
  • the fin base 3 is processed by machining, die casting, forging, extrusion, or the like, and the material is formed of aluminum, aluminum alloy, or the like.
  • the fins 1 and the fin base 3 are not limited to aluminum materials, and may be a combination of different materials. For example, by making the fin a copper-based plate material, the heat dissipation is further improved as compared with the case of aluminum.
  • the thickness of the fin 1 can be 0.6 mm to 1.0 mm
  • the width of the fin insertion groove 5 can be 0.8 mm to 1.2 mm
  • the fin pitch can be 3 mm to 5 mm. Since the heat path for heat radiation can be formed by the panel 2, the heat radiation performance can be improved even if the fin 1 having a length about twice the length of the fin base 3 is used in the air path direction.
  • the caulking heat sink according to the present invention has a large degree of freedom in the length of the fin, and the fin base size can be freely designed, so that the fin base can be downsized.
  • the fin base and the fin can be integrated with a low press load by adopting a structure in which the fin is pressed from both sides with respect to one protruding wall portion of the fin base as in this example.
  • the air path can be secured regardless of the fin length and the fin base length, so that the heat sink integrated power module with high heat dissipation can be obtained.
  • the wind path and the power module are separated from the cooling air by the panel, and an effect of blocking the wind from being directly applied to various electrodes of the power module can be obtained.
  • the insulation distance to prevent the deterioration of insulation due to the stay of dust and dirt is ranked according to the degree of contamination, and if the degree of contamination is high, a large distance is required.
  • By blocking the wind contact it is possible to reduce the degree of fouling, and the power module can be miniaturized.
  • Embodiment 2 The fin integrated power module does not have a structure (function) for fixing to the power module when it is fixed to a structural member. If the fin is longer than the fin base, the fin causes radiation noise. Thus, there remains a problem that high-speed switching cannot be used in order to prevent the semiconductor element and the control circuit from malfunctioning.
  • the structure of the caulking heat sink according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 6 (FIGS. 6A to 6C).
  • the panel 2 according to the second embodiment has the four holes 2b formed at the four corners.
  • the heat generating portion 8 such as the caulking heat sink 30 and the power module portion 40 can be fixed with screws 9 as shown in FIG. 6B.
  • the fixing member 10 and the caulking heat sink 30 can be fixed with screws 9.
  • the panel 2 Since the panel 2 is produced by a die such as press working, it can be produced without any additional processing cost even if the punched hole 2b is produced. By making the punched hole 2b in the panel 2 and caulking the heat generating portion 8 or the fixing member 10 to the heat sink, the vibration resistance can be improved.
  • the punched holes provided in the panel could also be used for positioning the panel and determining the panel orientation when the caulking heat sink was produced.
  • the panel 2 Since the panel 2 according to the second embodiment has a mechanism for fixing the produced caulking heat sink 30, the heat generating portion 8 and the fixing member 10, the panel 2 is made of a metal having sufficient strength such as a galvanized steel plate or SUS. Is desirable. However, it is not necessarily a metal, and a resin material may be used. When a resin material is used for the panel 2, it is necessary to make the conductivity sufficiently high from the viewpoint of electrical noise.
  • the thickness of the panel 2 is preferably larger than the thickness difference d between the outer peripheral portion 3a and the fin insertion groove 5 (see FIG. 7A).
  • the fin is pressed in the panel direction from the fin side surface 3f facing the power module mounting surface 3p.
  • the panel 2 can be integrated with the fin base 3 and the fin 1 with sufficient strength. Since both the fin 1 and the panel 2 and the contact between the panel 2 and the fin base 3 can be secured, the heat generating portion 8 or the fixing member 10 is connected via the panel 2 after the fin 1, the panel 2 and the fin base 3 are integrated. It was possible to improve the strength and vibration resistance when fixed to.
  • Providing punched holes 2b not only improves strength and vibration resistance, but also increases the number of contact surfaces, creating many electrical contacts, reducing the electrical resistance between the panel and fins. there were.
  • a grounding metal is attached to the panel, and the grounding terminal is configured so that the heat sink does not float with respect to the ground.
  • a grounding metal fitting fixes a terminal for screwing the grounding line to a heat sink through a metal conductor, for example.
  • Caulking heat sink basically considers fins, fin base and panel as one heat sink.
  • the screw base is not required on the fin base, the fin base can be configured with a minimum volume, and the overall size can be reduced.
  • the heat sink is provided with a ground terminal, and is connected to the ground using the ground terminal. If the impedance with the ground is high, the heat sink will behave as an antenna and disturb the space potential.
  • the electrical resistance between the fin base, the fin, and the panel is suppressed, noise resistance is improved as a result, and an allowable amount against noise can be greatly guaranteed.
  • the fin base and the panel are in contact with each other, heat can be transferred between the fin and the panel by heat conduction, so that the heat radiation performance can be improved. Further, by providing a hole in the panel as a mechanism for fixing the heat sink integrated power module, the manufactured heat sink integrated power module can be easily fixed to a fixing member or the like.
  • FIG. 8 shows a caulking heat sink according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the panel 2 of the present embodiment is provided with at least one protrusion 12 on at least one of the short side and the long side.
  • the distance Dp represents the distance between the protrusions facing each other in the long side direction.
  • FIG. 8B shows the fin base 3.
  • the distance Db represents the distance between the farthest protruding wall portions 6.
  • the protrusion 12 of the panel 2 is manufactured so as to satisfy the interval Dp ⁇ the interval Db. As shown in FIG.
  • the fin base 3 is crimped (press-fitted) to the fin base 3 by the protrusions 12, and the fin base 3 and the panel 2 with the protrusions are fixed.
  • the panel 2 with protrusions and caulking the fin base 3 and the panel 2 are sufficiently fixed, and the fin 1 is further caulked to the fin base 3.
  • the caulking heat sink after fabrication was a heat sink having sufficient vibration resistance.
  • the fin base and the panel are formed by machining such as press punching, die casting and cutting. Since the heat sink cannot be assembled unless a clearance allowing for dimensional tolerances is secured, there is always a clearance between the fin base and the panel. This gap should be kept at a minimum of about 0.1mm. On the other hand, a dimensional tolerance of at least ⁇ 0.1mm is required. As a result, a gap of about 0.2 mm is generated between the fin base and the panel. If such a gap exists, the panel 2 is sandwiched with the gap generated in the horizontal direction with respect to the fin base 3.
  • the panel is placed on the outer periphery 3a (first outer periphery).
  • the outer peripheral portion 3a is arranged on the inner peripheral side with respect to the outer peripheral portion 3s (second outer peripheral portion), and the thickness of the outer peripheral portion 3a is thicker than the thickness of the outer peripheral portion 3s but thinner than the thickness of the caulking portion 4.
  • the projection 12 of the panel since the projection 12 of the panel has a size that causes the fin base to be plastically deformed and bite in, a state in which there is no gap after integration can be realized. Therefore, the effect of improving the vibration resistance of the caulking heat sink could be exhibited.
  • the fin base and the panel are in sufficient contact, the contact thermal resistance between the fin base and the panel can be reduced, and the heat dissipation performance of the caulking heat sink can be improved.
  • the electrical resistance value from the panel to the fin is a member. It was possible to stably reduce the resistance level.
  • the variation in electrical resistance before and after the vibration test and the thermal cycle test could be reduced to several percent.
  • the structure has a large vibration resistance because it has sufficient rigidity even when it is fixed to a fixing member via a hole in the panel.
  • FIG. 9 Supplied with reference to FIG. 9 (FIGS. 9A to 9C) is a supplementary explanation of the shape of the projection 12 of the panel.
  • the shape of the protrusion 12 is not particularly limited as long as it is an acute angle shape (FIG. 9A), an R shape (FIG. 9B), a square shape (FIG. 9C), or the like.
  • the shape was an R shape or an acute angle shape
  • the fin base and the panel could be integrated at a low pressure during caulking.
  • the material of the panel is metal
  • the radiation noise suppressing effect is enhanced.
  • the radiation noise suppression effect was further enhanced by making the outer size of the panel the same as or longer than the total length of the fins.
  • Embodiment 4 FIG.
  • the panel 2 is often formed of a material harder than the fin base 3.
  • the projections of the panel scrape the fin base, and caulking is performed to fix the fin base and the panel with projections.
  • cutting scraps 13 such as aluminum scraps cut by the projections of the panel may be generated, and the panel may be fixed in an inclined state with respect to the fin base.
  • the panel is fixed to the fin base in an inclined state, when the fin is caulked to the fin base, the contact area between the fin 1 and the projecting wall portion 6 is reduced at the position where the panel floats.
  • the fin strength after caulking is lowered.
  • a cutting waste relief groove 14 is formed in advance on the fin base 3 according to the present embodiment.
  • the cutting waste relief groove 14 formed in the outer peripheral portion 3a of the fin base 3 is provided in a lower portion of a portion where the fin base is cut by the projection portion of the panel.
  • the fin base according to the present embodiment when the fin base and the panel are integrated, when the panel and the fin base are caulked, it is possible to stably prevent the panel from being fixed in a floating state. It was possible.
  • a panel guide groove 15 is formed in a portion where the fin base is cut by the projection 12 of the panel.
  • productivity when caulking (press-fitting) the panel and fin base has been improved.
  • the panel guide groove 15 formed in the fin base projecting wall 6 is made shorter than the length of the projection 12 of the panel.
  • FIG. 14 FIG. 14A
  • the chip base relief groove 14 and the panel guide groove 15 are formed in the fin base 3.
  • the projection 12 of the panel is engaged with the panel guide groove 15.
  • the panel 2 is press-fitted into the fin base 3.
  • the cutting waste 13 generated from the protruding wall portion 6 is accommodated in the cutting waste escape groove 14.
  • the panel can be set horizontally with respect to the fin base before caulking.
  • the positioning of the panel and the fin base has been simplified and productivity has been improved. It should be noted that the vibration resistance and electrical resistance before and after the cutting waste relief groove 14 and the panel guide groove 15 were produced on the fin base were good without change.
  • FIG. 15 illustrates a heat sink integrated power module 100 according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the heat sink integrated power module 100 includes a control board 17.
  • the power semiconductor element 19 is bonded to the lead frame 16.
  • the lead frame 16 is bonded to the fin base 3 via an insulating sheet 20.
  • An external signal is input to the control board 17 to control the plurality of power semiconductor elements 19.
  • FIG. 15 an example of a power module in which the control board 17 is integrally sealed with the mold resin 18 is shown, but other configurations have the same configuration, thereby having high heat dissipation performance and rigidity.
  • a power module with integrated heat sink is shown, but other configurations have the same configuration, thereby having high heat dissipation performance and rigidity.
  • FIG. 6 The structure of the caulking heat sink according to the sixth embodiment will be described with reference to FIG.
  • the fin base 3 according to Embodiment 6 has no protruding wall portion between the caulking portion and the caulking portion.
  • the caulking portion 4 having a bifurcated shape is deformed left and right, and caulking is performed from both sides of the fin by caulking portions, and the fin is fixed.
  • the fin base 3 is formed with a first fin insertion groove 5a and a second fin insertion groove 5b with a caulking portion 4 having a bifurcated shape interposed therebetween.
  • a panel is mounted in the outer peripheral part 3a (1st outer peripheral part).
  • the outer peripheral portion 3a is arranged on the inner peripheral side with respect to the outer peripheral portion 3s (second outer peripheral portion), and the thickness of the outer peripheral portion 3a is thicker than the thickness of the outer peripheral portion 3s but thinner than the thickness of the caulking portion 4.
  • the power semiconductor element When SiC is used for the power semiconductor element, the power semiconductor element is operated at a higher temperature than that of Si in order to take advantage of its characteristics. In a power module equipped with a SiC device, higher reliability is required as a power semiconductor element. Therefore, the merit of the present invention for realizing a highly reliable power module becomes more effective.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

 かしめヒートシンクは、外周部(3a,3s)を有し、二股形状を有するかしめ部(4)を挟んで第1フィン挿入溝(5)および第2フィン挿入溝(5)が形成されているフィンベース(3)と、フィンベース(3)の第1フィン挿入溝にかしめ部を使って固定されている第1フィン(1)と、フィンベース(3)の第2フィン挿入溝にかしめ部を使って固定されている第2フィン(1)と、開口部(2a)を有し、フィンベース(3)の外周部(3a)に載置されているパネル(2)とを備えている。外周部(3a,3s)の厚さはフィンベース(3)の厚さよりも薄い。

Description

かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール
 この発明は、かしめヒートシンクに関し、特に、パワーモジュールと一体化されて使用されるかしめヒートシンクの構造に関する。
 LSI(Large Scale Integration)、ダイオードなどの電力半導体素子(発熱部)を有する電子機器には放熱器としてかしめ構造のヒートシンクが広く採用されている(例えば特許文献1、4、5)。このかしめ構造のヒートシンクは、熱伝導(または熱伝達)により発熱部からの発熱を放散する。かしめ構造のヒートシンクでは、複数のフィンがフィンベースの平面に形成されたフィン挿入溝に挿入されている。フィンベースのかしめ部をかしめることによりフィンベースを塑性変形させて、フィンベースと複数のフィンを一体化する。
 ヒートシンク一体型パワーモジュールには、コルゲートヒートシンクを樹脂封止型パワーモジュールの底面のベースの凹凸にはめこんで一体化しているフィン一体型パワーモジュールが知られている(例えば特許文献2)。ヒートシンクから放出される放射ノイズは、放熱フィンをアース電位に接続することで抑制できる(例えば特許文献3)。
特開平7-193383号公報 特開2009-33065号公報 特開2012-049167号公報 特開2002-134973号公報 国際公開第2011/061779号
 特許文献1によるかしめ構造のヒートシンクでは、別部材であるフィンベースとフィンをかしめ加工により一体化している。かしめヒートシンクの1つの特徴として、風路方向では、フィンベースの長さよりも、フィンの長さの方が長くなる。このようなかしめヒートシンクを作製した場合、フィンベースとフィンだけでは風路が確保できず、放熱性能が不十分になる。
 電力半導体素子などの発熱部からの発熱を、グリスを介してかしめヒートシンクから放熱する構造では、かしめヒートシンクのフィンベース側にネジ穴が加工されている。この加工によって、パワーモジュールが高コスト化するとともに、ネジ穴作製位置を確保するために、フィンベースは大型化する。フィンベースのグリス面に加工されたネジ穴は、ヒートシンクの放熱性能を低下させる。
 この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものである。風路を確保して十分な放熱性能が得ることができ、かつ発熱部との固定が容易となるかしめヒートシンク、およびこのかしめヒートシンクを備えたヒートシンク一体型パワーモジュールを作製することを目的としている。
 本発明に係るかしめヒートシンクは、外周部を有し、二股形状を有するかしめ部を挟んで第1フィン挿入溝および第2フィン挿入溝が形成されているフィンベースと、フィンベースの第1フィン挿入溝にかしめ部を使って固定されている第1フィンと、フィンベースの第2フィン挿入溝にかしめ部を使って固定されている第2フィンと、開口部を有し、フィンベースの外周部に載置されているパネルとを備えている。外周部の厚さはフィンベースの厚さよりも薄い。
 この発明によれば、フィンベースにパネルを挟みこんでかしめヒートシンクを作製することで、かしめヒートシンクは風路を確保することができ、十分な放熱性能を得ることができる。さらに、パネルに設けた突起でパネルとフィンベースをかしめ加工(圧入)により一体化するため、フィンベースとパネルは十分な強度を有した状態で固定することができる。
本発明の実施の形態1によるヒートシンク一体型パワーモジュールの全体構成を示す断面図である。 実施の形態1によるかしめヒートシンクの全体構成を示す組み立て図である。 実施の形態1によるかしめヒートシンクの構成部品を示す部品図である。 かしめヒートシンクのかしめ手順を示す工程図である。 パネルが風路に及ぼす効果を説明する図である。 実施の形態2によるかしめヒートシンクにおいてパネルに設けられた抜き穴の役割を説明する図である。 フィンベースとフィンの関係を表す断面図である。 実施の形態3によるかしめヒートシンクにおいてパネルに形成された突起部の役割を説明する図である。 パネルに形成された突起部のバリエーションを表す図である。 フィンベースに挿入されたパネルの形態を表す断面図である。 実施の形態4によるかしめヒートシンクにおいて、フィンベースに形成された切削屑逃げ溝の構造を表す側面図と平面図である。 実施の形態4によるかしめヒートシンクにおいて、フィンベースに形成されたパネル誘導溝の構造を表す側面図と平面図である。 フィンベースに突起付きのパネルを被せた状態を示す図である。 フィンベースに形成された切削屑逃げ溝およびパネル誘導溝の役割を表す図である。 本発明の実施の形態5によるヒートシンク一体型パワーモジュールの全体構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態6によるフィンベースの構造を示す断面図である。
 以下に本発明にかかる、かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
実施の形態1.
 図1は、本発明の実施の形態1におけるヒートシンク一体型パワーモジュール100を示している。ヒートシンク一体型パワーモジュール100は、かしめヒートシンク30とパワーモジュール部40を備えている。かしめヒートシンク30は、複数のフィン1、パネル(中間部材)2およびフィンベース3から構成される。電力半導体素子(チップ)19は、リードフレーム16の上に搭載され、リードフレーム16とはんだ等で接合されている。リードフレーム16は絶縁シート20を介してフィンベース3に接着されている。
 ヒートシンク一体型パワーモジュール100は、パワーモジュール部40の放熱面側にフィンベース3を埋め込んでトランスファーモールド成形し、パネル2を挟み込み、フィン1を後付かしめ加工することで、パワーモジュール部、パネル、フィンを一体化している。パネル2を挟み込むには、パネル2をフィンベース3に圧入し、外周部(図3参照)に載置する。パワーモジュール部40のモールド樹脂(ボディ)18はトランスファモールド成形により構成したものであれば、かしめ時の荷重が局所的に作用して電力半導体素子が破壊する不具合を防止できる。すなわちモールド樹脂18が構造体として一体化しているために、極端な応力集中を防止し、応力を緩和する。このためエポキシ樹脂などのモールド樹脂ならびに類似の硬質の樹脂により一体化した構成とすることでヒートシンク一体型パワーモジュール100は信頼性を確保できる。
 一般的なヒートシンク一体型パワーモジュールでは、平坦面に仕上げたパワーモジュールの底面と平坦面に仕上げたヒートシンクの間を熱伝導性グリスにより熱的に接続し、放熱経路を確保している。通常、熱伝導性グリスは、フィラーと樹脂からなる。熱伝導性グリスを用いても大きな支障は生じないが、フィラーと樹脂が分離するブリードが発生すると熱伝導性グリス部の接触熱抵抗が増加する。またパワーモジュールの温度変化に伴いパワーモジュールの底面の反りが変化することで、パワーモジュールの底面とヒートシンクの底面との間隔が変化し、熱伝導性グリスが追い出されるというドライアウトという現象が生じる。この場合も接触熱抵抗が増加する。
 電力半導体素子19は、珪素(Si)によって形成したものの他、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成したものも好適に使用することができる。ワイドバンドギャップ半導体としては、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドなどがある。ワイドバンドギャップ半導体を用いた場合、許容電流密度が高く、電力損失も低いため、電力半導体素子19を用いた装置の小型化が可能となる。
 図2は、この発明の実施の形態1における別のかしめヒートシンクの組み立て後の形態を示すものである。かしめヒートシンク30は、複数のフィン1、パネル2およびフィンベース3から構成されている。フィンベース3のフィン側面には突壁部6が形成されている。複数のフィン1はフィンベース3の突壁部6で支えられている。コルゲートフィンを取り付ける方式と異なって、ヒートシンク一体型パワーモジュールでは、パワーモジュール部と一体化したフィンベース3にフィン1を後付けかしめ加工を行なう。フィンベース3の突壁部6に平板のフィン1を最大限密着させることが可能となるため、接触熱抵抗が十分小さい、放熱性の高いヒートシンク一体型パワーモジュールとなる。
 図3は、この発明におけるかしめヒートシンクの部品図を示し、組み立て前の状態を表すものである。パネル2には、フィンベース3の突壁部6のサイズ(幅)よりも大である開口部2aが形成されている。パネル2はフィンベース3の外周部3a(第1外周部)に載置され、支えられる。フィン1、パネル2およびフィンベース3は組み立て後、かしめ加工されて一体化される。フィンベース3の外周部3sは、モールド樹脂によって一体化する際に工程上必要となる。このモールド工程では位置決めピンを使用する。外周部3aは、外周部3s(第2外周部)よりもフィンベースの内周側に配設されている。外周部3aの厚さは外周部3sの厚さよりも大きいが突壁部6の厚さよりも小さい。厚さはパワーモジュール取付け面3pからの長さを測るものとする。フィン1はフィンベースのフィン側面3fに取り付けられる。ただし、外周部3sは必須ではないので、図1のように外周部3aと外周部3sが一体化していてもよい。外周部3aの厚さ(Ta)および外周部3sの厚さ(Ts)はフィンベースの厚さ(Tf)よりも薄い。
 図4(図4A~図4D)は、かしめヒートシンクの組み立て工程を示すものである。フィンベース3には、図4Aに示すように、外周部3a、かしめ部4、フィン挿入溝5および突壁部6が形成されている。かしめ部4と突壁部6は交互に形成されている。二股形状を有するかしめ部4はかしめ加工の際にプレス荷重により塑性変形する。相対向する突壁部6の間にはかしめ部4を挟んで二つの挿入溝(第1フィン挿入溝5aおよび第2フィン挿入溝5b)が形成されている。フィン1はフィン挿入溝5に挿入する。外周部3aはパネル2を突壁部6に挟み込むためにフィンベース3の外周に設けられている。外周部3aの厚さはかしめ部4および突壁部6の厚さよりも薄い。
 先ず図4Bに示すように、外周部3aに開口部2aを有するパネル2を挟み込む。次いで、図4Cに示すように、複数のフィン1をフィン挿入溝5に挿入し、複数のフィンがフィンベース3に挟み込まれた状態にする。すなわち第1フィン挿入溝5aには第1フィン1aを挿入し、第2フィン挿入溝5bには第2フィン1bを挿入する。突壁部6はフィン1と接触する。さらに図4Dに示すように、フィンの間に治具21を挿入し、かしめ部4を塑性変形するとフィンベース3にフィン1がかしめ固定される。このように、かしめ加工により、かしめ部4をフィン側に塑性変形し、フィン1をフィンベース3の突壁部6の両側から接触させることでフィンベース3とフィン1を一体化する。
 パネル2の効果を図5(図5Aと図5B)を使って説明する。図中、白抜き矢印は流速ベクトル7を表している。フィン一体型パワーモジュールでは、風路方向のフィンの長さがフィンベースの長さよりも長い場合に放熱性の良い風路を作製できない。フィンベース3とフィン1の間にパネル2が挟みこまれて一体化されていると、図5Aに示すように、風路方向にフィンの長さがフィンベースの長さよりも長い場合でも、直線状の風路を形成することができる。これに対し図5Bに示すように、パネルがないかしめヒートシンクの場合には、フィンベース3から上方向あるいは下方向に向かう風路が形成される。本願に係るかしめヒートシンクはフィン間の流速が減少することなく、風路を最大限使用することができるため、放熱性能を向上させることができた。
 フィンベース3とパネル2、およびフィンベース3とフィン1は接触して一体化されている。各接触部での熱伝導により、パネル2も放熱経路に追加することができるため、放熱性能が向上する。フィン1に関しては、材質がアルミニウム、もしくはアルミニウム合金などの板材とすることで、加工性と放熱性の両立が可能であった。また、フィンベース3は、機械加工、ダイキャスト、鍛造加工、押出加工などで加工され、材質はアルミニウム、アルミニウム合金などで形成される。ただし、フィン1、フィンベース3ともにアルミニウム材料に限定されるものではなく、各々が異なる材料の組み合わせであっても良い。例えば、フィンを銅系の板材にすることで、アルミニウムの場合よりも更に放熱性が向上する。
 本発明のかしめヒートシンクの場合、例えば、フィン1の厚みを0.6mm~1.0mm、フィン挿入溝5の幅を0.8mm~1.2mm、フィンピッチを3mm~5mmにすることができる。パネル2で放熱用の風路が形成できるため、風路方向に対して、フィンベース3の長さの2倍程度の長さのフィン1を用いても、放熱性能の向上が図れた。本発明に係るかしめヒートシンクは、フィンの長さにおける自由度が大きく、フィンベースサイズを自由に設計できるため、フィンベースの小型化が実現できた。
 なお、上記の数値は一例を示すものであって、特にこれらの数値に限定されるわけではなく、自由に設計可能である。この例のようにフィンベースの1個の突壁部について両側からフィンを押し当てる構造にすることで、低プレス荷重でフィンベースとフィンを一体化可能であった。フィンベースの突壁部6の表面粗さ(Ra)として、Ra=0.5μm程度のような極めて平滑性の高い表面粗さとする事で、接触熱抵抗が軽減された。また、フィンの表面粗さは圧延材を用いる事で、Ra=0.1μm以下が特別なコストアップなしに実現可能であった。これらの表面粗さは小さいほうが、放熱性能の向上が図れる。
 本実施の形態によれば、パネル2を設けることで、フィン長さとフィンベース長さに関係なく、風路を確保できるため、放熱性の高いヒートシンク一体型パワーモジュールとなる。また、パネルにより風路とパワーモジュールを冷却風から分け隔てることとなり、パワーモジュールの各種電極に風が直接あたらないように遮る効果が得られる。ところで埃やゴミの滞留による絶縁性の劣化を防ぐための絶縁距離は汚損度によりランク別され、汚損度が高い場合は大きな距離を必要とするが、本願のようにパワーモジュールの電極への冷却風の接触を遮ることで、汚損度を低くしても差し支えなくなり、パワーモジュールを小型化できる。
実施の形態2.
 フィン一体化パワーモジュールには、構造部材に固定する際に、パワーモジュール側に固定するための構造(機能)が存在しない、フィンの長さがフィンベースよりも長い場合、フィンが放射ノイズの原因となり、半導体素子や制御回路を誤動作させる事を防止するために高速なスイッチングが使えないといった課題が残されていた。実施の形態2に係るかしめヒートシンクの構成を図6(図6A~図6C)に基づいて説明する。実施の形態2に係るパネル2は、図6Aに示すように、抜き穴2bが4隅に形成されている。抜き穴2bを設けたことにより図6Bのように、かしめヒートシンク30とパワーモジュール部40などの発熱部8をねじ9で固定することができる。また、図6Cに示すように、固定用部材10とかしめヒートシンク30をねじ9で固定することができる。
 パネル2は、プレス加工などの金型によって作製されるため、抜き穴2bを作製しても追加加工費は発生せずに作製可能であった。パネル2に抜き穴2bを作製し、発熱部8または固定用部材10をかしめヒートシンクに固定することで、耐振動性の向上が可能であった。なお、パネルに設けたこの抜き穴に関しては、かしめヒートシンク作製時のパネルの位置決め、パネル方向決めにも使用可能であった。
 実施の形態2に係るパネル2は、作製したかしめヒートシンク30と、発熱部8および固定用部材10を固定する機構を持つため、亜鉛メッキ鋼板、SUSなどの十分な強度を有する金属で構成することが望ましい。ただし、必ずしも金属である必要はなく、樹脂系材料であっても構わない。パネル2に樹脂系材料を使用する場合、電気ノイズの観点から、導電率を十分高くしておくことが必要である。
 パネル2の厚さは、外周部3aとフィン挿入溝5の厚み差dよりも大きくしておくことが好ましい(図7A参照)。かしめ加工時には図7Bに示すように、パワーモジュール取付け面3pと対向するフィン側面3fからフィンはパネル方向に押し当てられる。フィンベース3とパネル2が接触した状態でかしめ加工が実施されることで、フィンベース3とフィン1に対して、パネル2は十分な強度を持った状態で一体化することが可能である。フィン1とパネル2、パネル2とフィンベース3の両方の接触を確保できるため、フィン1、パネル2、フィンベース3を一体化した後に、パネル2を介して、発熱部8または固定用部材10に固定した際の強度と耐振動性の向上を図ることが可能であった。
 抜き穴2bを設けたことで、強度、耐振動性が向上するだけでなく、接触面が増えることで電気接点が多数作成されるため、パネル-フィン間の電気抵抗を低減することが可能であった。通常、パネルにはアース金具をとりつけ、ヒートシンクが電気的にグランドに対して浮かないようにアース端子を構成する。アースラインをネジ留めする端子を例えば金属の導体を介してヒートシンクに固定するのがアース金具である。ヒートシンクにネジ穴を設けてアース金具を取り付ける例や、ヒートシンクと一体化されたパネルにアース金具を取り付けるなどいくつかの構成がありえる。
 かしめヒートシンクは、基本的に、フィン、フィンベース、パネルをひとつのヒートシンクとして考慮する。パネルにアース金具を取り付けると、フィンベースにネジ留め部が不要となり、フィンベースを最小限の容積で構成でき、全体を小型化できる。一般的にヒートシンクはアース端子を供え、前記アース端子を用いてグランドに接続する。グランドとのインピーダンスが高いと、ヒートシンクがアンテナとしての振る舞いを見せ、空間電位を乱す。本発明ではフィンベース、フィン、パネル間の電気抵抗を抑制したので、結果として耐ノイズ性が向上し、またノイズに対する許容量を大きく保証できるようになった。
 さらに、フィンベースとパネルが接触することで、フィンとパネル間も熱伝導で伝熱することができるため、放熱性能の向上が可能であった。また、ヒートシンク一体型パワーモジュールを固定する機構として、パネルに抜き穴を設けておくことで、作製したヒートシンク一体型パワーモジュールを固定部材などに容易に固定することができる。
実施の形態3.
 図8は本発明の実施の形態3におけるかしめヒートシンクを示すものである。図8Aに示すように、本実施の形態のパネル2には短辺側、長辺側の少なくとも一方に、少なくとも1個以上の突起部12が設けられている。間隔Dpは長辺方向に対向する突起部の距離を表している。図8Bはフィンベース3を表している。間隔Dbは最も離れている突壁部6の距離を表している。パネル2の突起部12は間隔Dp<間隔Dbを満足するように製作する。図8Cに示すように、突起部12によってフィンベース3にかしめ加工(圧入)し、フィンベース3と突起付のパネル2を固定する。突起付のパネル2を使用し、フィンベース3とパネル2をかしめ加工することで、フィンベース3とパネル2が十分に固定された状態で、さらにフィン1をフィンベース3にかしめ加工するため、作製後のかしめヒートシンクは十分に耐振動性を有したヒートシンクとなった。
 通常、フィンベースとパネルはプレス打ち抜き、ダイキャスト、切削などの機械加工により形成する。ヒートシンクは寸法公差を見越した隙間を確保しておかないと、組み立てられないため、かならずフィンベースとパネルには隙間が存在する。この隙間量として0.1mm程度は最低限確保しておかなければならない。これに対して寸法公差としては最低±0.1mm程度が必要である。結果的にフィンベースとパネルの間には0.2mm程度の隙間が生じることになる。このような隙間が存在すると、パネル2はフィンベース3に対して水平方向に隙間が生じた状態で挟持されることになる。
 パネルは外周部3a(第1外周部)に載置される。外周部3aは外周部3s(第2外周部)よりも内周側に配設され、外周部3aの厚さは外周部3sの厚さよりも厚いがかしめ部4の厚さよりも薄い。本実施の形態によれば、パネルの突起部12をフィンベースを塑性変形させて食い込ませる寸法としたことで、一体化した後に隙間がない状態を実現できる。よってかしめヒートシンクの耐振動性を向上させるという作用を発揮できた。さらに、フィンベースとパネルが十分に接触しているため、フィンベースとパネルの接触熱抵抗を低減させることができ、かしめヒートシンクの放熱性能の向上が可能であった。
 作製後のかしめヒートシンクの電気抵抗についても、パネルとフィンベースがパネルの突起部12によって、かしめ加工され、電気接点が安定して作成することができるため、パネルからフィンまでの電気抵抗値は部材抵抗レベルにまで安定して低減することが可能であった。パネルに突起部を設けることで、振動試験、熱サイクル試験前後での、電気抵抗の変動は数%にまで低減可能であった。また、パネルに突起部を設けておくことで、パネルの抜き穴を介して、固定部材に固定した場合でも、十分な剛性を持つため、耐振動性が大きい構造となった。
 パネルの突起部12の形状について、図9(図9A~図9C)を使って、補足説明する。突起部12の形状は、鋭角形状(図9A)、R形状(図9B)、四角形状(図9C)などであれば、形状は問わない。実験では、R形状、鋭角形状であれば、フィンベースとパネルのかしめ加工時に低圧力で一体化が可能であった。すなわちフィンベースを塑性変形させたことで、単に接するだけでは抑制が困難な接触抵抗をオーミックコンタクトが可能な程度にまで抑制することができ、電気抵抗を十分低減できた。この場合パネルの材質は金属であれば放射ノイズ抑制効果が高まった。またパネルの外形サイズはフィンの全長と同じか長くすることで、さらに放射ノイズ抑制効果が高まった。
実施の形態4.
 パネル2はフィンベース3よりも硬い材料で形成することが多い。フィンベースと突起付のパネルをかしめ加工する際、パネルの突起部がフィンベースを削って、かしめ加工が実施され、フィンベースと突起付のパネルが固定される。このため、図10に示すように、パネルの突起部によって切削されたアルミ屑などの切削屑13が発生し、パネルがフィンベースに対して、傾いた状態で固定される場合が在りうる。パネルがフィンベースに対して、傾いた状態で固定されると、フィンをフィンベースにかしめ加工した際に、パネルが浮いた側の箇所では、フィン1と突壁部6との接触面積が減少し、かしめ後のフィン強度が低下することが考えられる。
 そこで、本実施の形態に係るフィンベース3には、図11(図11A、図11B)に示すように、切削屑逃げ溝14が予め形成されている。フィンベース3の外周部3aに形成されている切削屑逃げ溝14は、パネルの突起部によってフィンベースが切削される部分の下部に設ける。本実施の形態に係るフィンベースによれば、フィンベースとパネルを一体化する場合に、パネルとフィンベースをかしめ加工した際、パネルが浮いた状態で固定されることを安定して防ぐことが可能であった。
 さらに、図12(図12A、図12B)に示すように、上述の切削屑逃げ溝14に加えて、パネルの突起部12によってフィンベースが切削される部分に、パネル誘導溝15を作製することで、パネルとフィンベースをかしめ加工(圧入)する際の生産性が向上した。フィンベースの突壁部6に形成するパネル誘導溝15はパネルの突起部12の長さよりも長さを短くする。
 パネル誘導溝がない場合、かしめ加工する際のセット状態は、突起付のパネルがフィンベースの上に乗った状態でセットされる(図13参照)。このため、フィンベースとパネルの位置決めが難しい。パネルが左右の片側に寄った状態でセットされると、パネルの突起部によってフィンベースを切削する量に大きなバラつきが生じる。設定した圧力では、パネルとフィンベースを十分にかしめ加工できない場合が発生し、かしめ加工できた場合でも、パネルが傾いた状態で固定される可能性があった。
 図14(図14A~図14C)を使って切削屑逃げ溝14とパネル誘導溝15の効果を説明する。図14Aに示すように、フィンベース3には切削屑逃げ溝14とパネル誘導溝15が形成されている。先ず図14Bに示すように、パネルの突起部12をパネル誘導溝15に係合させる。ついで図14Cに示すように、パネル2をフィンベース3に圧入する。突壁部6から生じた切削屑13は切削屑逃げ溝14に収容される。このように、切削屑逃げ溝14とパネル誘導溝15を作製することで、かしめ前にパネルはフィンベースに対して、水平にセットすることができる。また、パネルとフィンベースの位置決めが簡便となり、生産性が向上した。なお、切削屑逃げ溝14およびパネル誘導溝15をフィンベースに作製した前後での、耐振動性と電気抵抗は変化せずに良好であった。
実施の形態5.
 図15は、本発明の実施の形態5における、ヒートシンク一体型パワーモジュール100を示している。ヒートシンク一体型パワーモジュール100は、制御基板17を備えている。電力半導体素子19はリードフレーム16に接合されている。リードフレーム16は絶縁シート20を介してフィンベース3に接着されている。制御基板17に外部信号を入力し、複数の電力半導体素子19を制御する。ここでは、制御基板17を一体的にモールド樹脂18で封止したパワーモジュールの例を示しているが、他の構成のものでも同様の構成とすることで、放熱性能の高い、剛性を有したヒートシンク一体型パワーモジュールとなる。
実施の形態6.
 実施の形態6に係るかしめヒートシンクの構成を図16に基づいて説明する。実施の形態6に係るフィンベース3は、かしめ部とかしめ部の間に突壁部がない。このかしめヒートシンクでは二股形状を有するかしめ部4を左右に変形させてフィンの両側からかしめ部でかしめ加工して、フィンが固定される。フィンベース3には、二股形状を有するかしめ部4を挟んで第1フィン挿入溝5aおよび第2フィン挿入溝5bが形成されている。パネルは外周部3a(第1外周部)に載置される。外周部3aは外周部3s(第2外周部)よりも内周側に配設され、外周部3aの厚さは外周部3sの厚さよりも厚いがかしめ部4の厚さよりも薄い。
 電力半導体素子にSiCを用いた場合、電力半導体素子はその特徴を生かすべくSiの時と比較してより高温で動作させることになる。SiCデバイスを搭載するパワーモジュールにおいては、電力半導体素子としてより高い信頼性が求められるため、高信頼のパワーモジュールを実現するという本発明のメリットはより効果的なものとなる。
 なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1 フィン、1a 第1フィン、1b 第2フィン、2 パネル、
2a 開口部、2b 抜き穴、3 フィンベース、3a 外周部、
3s 外周部、3p パワーモジュール取付け面、3f フィン側面、
4 かしめ部、5 フィン挿入溝、5a 第1フィン挿入溝、
5b 第2フィン挿入溝、6 突壁部、7 流速ベクトル、8 発熱部、
9 ねじ、10 固定用部材、12 突起部、13 切削屑、
14 切削屑逃げ溝、15 パネル誘導溝、16 リードフレーム、
17 制御基板、18 モールド樹脂、19 電力半導体素子、
20 絶縁シート、21 治具、30 かしめヒートシンク、
40 パワーモジュール部、
100 ヒートシンク一体型パワーモジュール。

Claims (13)

  1.  外周部を有し、二股形状を有するかしめ部を挟んで第1フィン挿入溝および第2フィン挿入溝が形成されているフィンベースと、
    前記フィンベースの第1フィン挿入溝に前記かしめ部を使って固定されている第1フィンと、
    前記フィンベースの第2フィン挿入溝に前記かしめ部を使って固定されている第2フィンと、
    開口部を有し、前記フィンベースの外周部に載置されているパネルとを備えていて、
    前記外周部の厚さは前記フィンベースの厚さよりも薄いかしめヒートシンク。
  2.  前記フィンベースは、前記かしめ部を挟んで相対向する突壁部を有することを特徴とする請求項1に記載のかしめヒートシンク。
  3.  前記パネルの厚さは、前記外周部と前記第1フィン挿入溝の厚み差よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のかしめヒートシンク。
  4.  前記パネルの開口部には、突起部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載のかしめヒートシンク。
  5.  前記外周部には、前記パネルの突起部に対応する位置に溝が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のかしめヒートシンク。
  6.  前記突壁部には、前記パネルの突起部に対応する位置に溝が形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載のかしめヒートシンク。
  7.  前記外周部は、厚さの異なる第1外周部と第2外周部を有し、
    前記パネルは前記第1外周部に載置されていて、
    前記第1外周部は前記第2外周部よりも内周側に配設され、
    前記第1外周部の厚さは前記第2外周部の厚さよりも厚いが前記かしめ部の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1または2に記載のかしめヒートシンク。
  8.  前記パネルの厚さは、前記第1外周部と前記第1フィン挿入溝の厚み差よりも大きいことを特徴とする請求項7に記載のかしめヒートシンク。
  9.  前記パネルの開口部には、突起部が形成されていることを特徴とする請求項7に記載のかしめヒートシンク。
  10.  前記第1外周部には、前記パネルの突起部に対応する位置に溝が形成されていることを特徴とする請求項9に記載のかしめヒートシンク。
  11.  前記フィンベースの突壁部には、前記パネルの突起部に対応する位置に溝が形成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のかしめヒートシンク。
  12.  前記第1フィンと前記第2フィンは、風路方向の長さが、前記フィンベースの風路方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のかしめヒートシンク。
  13.  請求項1から12のいずれか1項に記載のかしめヒートシンクと、
    電力半導体素子と、
    前記電力半導体素子を封止する封止樹脂体とを備えているヒートシンク一体型パワーモジュール。
PCT/JP2014/074809 2013-09-27 2014-09-19 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール WO2015046040A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/024,953 US9892992B2 (en) 2013-09-27 2014-09-19 Swaged heat sink and heat sink integrated power module
CN201480053065.0A CN105580134B (zh) 2013-09-27 2014-09-19 铆接散热器、散热器一体型功率模块、及它们的制造方法
JP2015539157A JP6091633B2 (ja) 2013-09-27 2014-09-19 かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法
DE112014004421.0T DE112014004421B4 (de) 2013-09-27 2014-09-19 Verpresster Kühlkörper und Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-200820 2013-09-27
JP2013200820 2013-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015046040A1 true WO2015046040A1 (ja) 2015-04-02

Family

ID=52743177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/074809 WO2015046040A1 (ja) 2013-09-27 2014-09-19 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9892992B2 (ja)
JP (1) JP6091633B2 (ja)
CN (1) CN105580134B (ja)
DE (1) DE112014004421B4 (ja)
WO (1) WO2015046040A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104968183A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 安徽博隆节能电器有限公司 一种高效插片散热器
WO2019163600A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
JP2019207992A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 京セラ株式会社 電気素子搭載用パッケージおよび電気装置
JP6714176B1 (ja) * 2019-08-29 2020-06-24 三菱電機株式会社 電力半導体装置およびその製造方法
DE112021005020T5 (de) 2020-09-25 2023-07-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitermodul, Verfahren zum Herstellen desselben und Leistungswandlungsgerät
WO2024116851A1 (ja) * 2022-11-28 2024-06-06 ローム株式会社 半導体装置および電力変換ユニット

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107636390A (zh) 2015-03-20 2018-01-26 沙特基础工业全球技术公司 用于照明设备的塑料散热件
DE112016004423T5 (de) * 2015-09-29 2018-06-28 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
CN108701688B (zh) * 2015-12-04 2021-11-09 罗姆股份有限公司 功率模块装置、冷却构造体、以及电动汽车或混合动力汽车
CN106684065A (zh) * 2016-09-07 2017-05-17 四川上特科技有限公司 一种集成式Mini整流桥新结构及其制作工艺
US11152280B2 (en) 2016-11-24 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10488028B2 (en) * 2017-05-03 2019-11-26 Fluence Bioengineering, Inc. Systems and methods for a heat sink
DE102018201262B4 (de) * 2018-01-29 2022-10-13 Zf Friedrichshafen Ag Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls
JP7154296B2 (ja) * 2018-07-04 2022-10-17 三菱電機株式会社 車両用電力変換装置
JP6575739B1 (ja) * 2019-02-26 2019-09-18 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置
JP7238522B2 (ja) * 2019-03-22 2023-03-14 富士通株式会社 ヒートシンク、基板モジュール、伝送装置及びヒートシンクの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270736A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2009081157A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Funai Electric Co Ltd 放熱板取付構造
JP2009218396A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Mitsubishi Electric Corp 放熱器
WO2011061779A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 三菱電機株式会社 放熱機器及び放熱機器の製造方法
JP2012049167A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置
JP5236127B1 (ja) * 2012-07-31 2013-07-17 三菱電機株式会社 電力半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2715890B2 (ja) 1993-12-27 1998-02-18 日本軽金属株式会社 ヒートシンクの加工用治具
JP3647359B2 (ja) 2000-06-19 2005-05-11 ダイワ精工株式会社 釣竿
JP2002134973A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヒートシンク装置及び電子機器
JP2009033065A (ja) 2007-07-30 2009-02-12 Mitsubishi Electric Corp フィン一体型半導体モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270736A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2009081157A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Funai Electric Co Ltd 放熱板取付構造
JP2009218396A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Mitsubishi Electric Corp 放熱器
WO2011061779A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 三菱電機株式会社 放熱機器及び放熱機器の製造方法
JP2012049167A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置
JP5236127B1 (ja) * 2012-07-31 2013-07-17 三菱電機株式会社 電力半導体装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104968183A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 安徽博隆节能电器有限公司 一种高效插片散热器
WO2019163600A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
JPWO2019163600A1 (ja) * 2018-02-23 2020-12-03 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
JP2019207992A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 京セラ株式会社 電気素子搭載用パッケージおよび電気装置
JP7148276B2 (ja) 2018-05-30 2022-10-05 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
JP2022168166A (ja) * 2018-05-30 2022-11-04 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
JP6714176B1 (ja) * 2019-08-29 2020-06-24 三菱電機株式会社 電力半導体装置およびその製造方法
WO2021038796A1 (ja) * 2019-08-29 2021-03-04 三菱電機株式会社 電力半導体装置およびその製造方法
US11600546B2 (en) 2019-08-29 2023-03-07 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
DE112021005020T5 (de) 2020-09-25 2023-07-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitermodul, Verfahren zum Herstellen desselben und Leistungswandlungsgerät
WO2024116851A1 (ja) * 2022-11-28 2024-06-06 ローム株式会社 半導体装置および電力変換ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
CN105580134A (zh) 2016-05-11
DE112014004421T5 (de) 2016-06-09
CN105580134B (zh) 2018-09-18
DE112014004421B4 (de) 2021-07-08
JPWO2015046040A1 (ja) 2017-03-09
JP6091633B2 (ja) 2017-03-08
US20160225691A1 (en) 2016-08-04
US9892992B2 (en) 2018-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6091633B2 (ja) かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法
JP4989552B2 (ja) 電子部品
JP6257478B2 (ja) 電力用半導体装置
JP5432085B2 (ja) 電力半導体装置
JP5831273B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN109565165B (zh) 导电部件、电路构成体及导电部件的制造方法
US9685399B2 (en) Power semiconductor device
JP2001332670A (ja) 半導体装置の実装構造
US11043443B2 (en) Electric device and heat radiator
JP7237647B2 (ja) 回路基板および電子装置
JP4244760B2 (ja) 半導体装置
US7468554B2 (en) Heat sink board and manufacturing method thereof
JP2007165426A (ja) 半導体装置
JP4046623B2 (ja) パワー半導体モジュールおよびその固定方法
JP2007227762A (ja) 半導体装置及びこれを備えた半導体モジュール
EP1729342A1 (en) Heat sink board and manufacturing method thereof
US11561051B2 (en) Heat sink, board module, transmission device, and method of manufacturing the heat sink
JP2006237464A (ja) 半導体発光装置
WO2019163941A1 (ja) パワーモジュール用基板およびパワーモジュール
JP2006066427A (ja) 電力用半導体装置
JP5124329B2 (ja) 半導体装置
JP4096776B2 (ja) 半導体装置
JP6714176B1 (ja) 電力半導体装置およびその製造方法
JP7517053B2 (ja) 半導体装置
JP2010040996A (ja) ヒートシンク

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480053065.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14847777

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015539157

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15024953

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112014004421

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120140044210

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14847777

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1