WO2021038796A1 - 電力半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

電力半導体装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021038796A1
WO2021038796A1 PCT/JP2019/033921 JP2019033921W WO2021038796A1 WO 2021038796 A1 WO2021038796 A1 WO 2021038796A1 JP 2019033921 W JP2019033921 W JP 2019033921W WO 2021038796 A1 WO2021038796 A1 WO 2021038796A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
panel
base plate
protrusion
power semiconductor
semiconductor device
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/033921
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘行 芳原
俊二 増森
林 建一
正喜 後藤
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to CN201980099697.3A priority Critical patent/CN114342069B/zh
Priority to US17/621,249 priority patent/US11600546B2/en
Priority to JP2019566379A priority patent/JP6714176B1/ja
Priority to PCT/JP2019/033921 priority patent/WO2021038796A1/ja
Publication of WO2021038796A1 publication Critical patent/WO2021038796A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878Mechanical treatment, e.g. deforming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • H01L23/49551Cross section geometry characterised by bent parts

Definitions

  • the present invention relates to a power semiconductor device including a heat sink and a method for manufacturing the same.
  • a power semiconductor device having a structure in which fins are fixed to a base plate having good thermal conductivity.
  • Such a power semiconductor device has a structure in which a base plate is inserted through an opening of a panel which is a plate-shaped conductive material, and the panel is sandwiched and fixed between the base plate and fins.
  • Patent Document 1 discloses a power semiconductor device in which a protrusion is provided on a side surface of a panel forming an opening.
  • the protrusion is press-fitted into the base plate. That is, in the electric power semiconductor device disclosed in Patent Document 1, the base plate is plastically deformed so that the protrusions bite into the base plate.
  • the panel is held so as not to come off from the base plate by the frictional force of the contact surface between the side surface of the protrusion and the base plate.
  • Patent Document 2 discloses a power semiconductor device in which a positioning portion having a concave shape used for positioning a panel is provided on an outer peripheral surface of a base plate.
  • the base plate inside the positioning portion is provided with protrusions whose upper surface is lower than the upper surface of the base plate.
  • a positioning portion made of a protrusion is provided at a position corresponding to the positioning portion on the surface of the panel forming the opening.
  • the base plate is inserted into the opening of the panel in a state where the positioning portion of the base plate and the positioning portion of the panel are aligned, and a load perpendicular to the panel is applied only to the protrusions. , Plastically deform the protrusions.
  • the material constituting the plastically deformed protrusion spreads between the positioning portion of the base plate and the positioning portion of the panel, adheres to the panel, and the base plate and the panel. And are fixed.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a power semiconductor device capable of making it difficult for a panel to come off from a base plate and simplifying a processing process.
  • the electric power semiconductor device of the present invention includes a mold portion, a flat plate-shaped conductive panel, and a plurality of fins.
  • a power semiconductor element and a base plate having a first surface on which a plurality of grooves are arranged and a second surface opposite to the first surface in the Z direction perpendicular to the first surface are formed of a mold resin. It is molded.
  • the panel is formed with an opening through which the first surface of the base plate is inserted, and has a third surface and a fourth surface opposite to the third surface.
  • the plurality of fins are fixed to the grooves of the base plate.
  • the panel has a plurality of protrusions on the side surface forming the opening, which project toward the opposite side surface.
  • the protrusion is a cross section of the protrusion parallel to the surface formed in the Z direction and the protrusion direction of the protrusion, and has a fifth surface forming a taper toward the tip of the protrusion.
  • the base plate has a covering portion that covers the fifth surface of the plurality of protrusions including the tip, and is plastically deformed so as to fill a gap between the side surfaces of the plurality of protrusions and fitted to the panel.
  • the electric power semiconductor device has an effect that the panel is hard to come off from the base plate and the processing process can be simplified.
  • Sectional drawing which shows typically an example of the procedure of the manufacturing method of the electric power semiconductor device by Embodiment 1.
  • Sectional drawing which shows typically an example of the procedure of the manufacturing method of the electric power semiconductor device by Embodiment 1.
  • Sectional drawing which shows typically an example of the procedure of the manufacturing method of the electric power semiconductor device by Embodiment 1.
  • Sectional drawing which shows typically an example of the procedure of the manufacturing method of the electric power semiconductor device by Embodiment 1.
  • Top view schematically showing an example of a portion where the protrusion and the base plate are fixed after being manufactured by the method for manufacturing a power semiconductor device according to the first embodiment.
  • Top view schematically showing an example of the configuration of the panel according to the fourth embodiment It is a figure which shows the state of the joining state of the base plate and a panel according to Embodiment 4, and is the cross-sectional view of XIV-XIV of FIG.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the electric power semiconductor device according to the first embodiment.
  • the direction in which the fins 4 are arranged is the upward direction, and the direction opposite to the upward direction is the downward direction.
  • the expressions "upper” and “lower” are for convenience only and do not mean the actual “upper” and “lower”, and may be upside down.
  • the electric power semiconductor device 1 includes a mold portion 2, a plurality of fins 4, and a panel 6.
  • the mold portion 2 is a lead frame 12 bonded to a power semiconductor element (not shown) and a base plate 20 molded with a molding resin.
  • the base plate 20 has a fin insertion groove 233 for inserting the fin 4 on the upper surface which is the first surface.
  • the extending direction of the fin insertion groove 233 is the Y direction, and the direction perpendicular to the Y direction is the X direction. Further, the direction perpendicular to both the X direction and the Y direction is defined as the Z direction.
  • the fin insertion grooves 233 are arranged at intervals in the X direction.
  • the fin 4 is a rectangular thin plate-shaped member.
  • the fin 4 is made of a metal material having high thermal conductivity so that heat generated by a power semiconductor element described later can be dissipated.
  • the fins 4 are made of aluminum or copper.
  • the fins 4 are fixed to the base plate 20 by being inserted into the fin insertion groove 233 of the base plate 20 and crimped.
  • the fins 4 are arranged so as to sandwich the panel 6 with the base plate 20. In the Y direction, the length of the fin 4 is made longer than the length of the base plate 20. As a result, the heat dissipation property of the power semiconductor device 1 is improved.
  • the panel 6 is a flat plate-like member having an upper surface which is a third surface and a lower surface which is a fourth surface opposite to the upper surface.
  • the panel 6 is made of a conductive metal material that is harder than the material of the base plate 20.
  • the panel 6 is made of, for example, a stainless steel plate or a galvanized steel plate that is resistant to corrosion. In particular, galvanized steel sheets are cheaper than stainless steel sheets, and are therefore suitable as materials.
  • the panel 6 has an opening 61 through which the upper portion of the base plate 20 can be inserted.
  • the fins 4 are fixed to the base plate 20 with the upper portion of the base plate 20 inserted through the opening 61 of the panel 6.
  • the length of the panel 6 is preferably equal to or greater than the length of the fins 4.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of the electric power semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing an example of the configuration of the electric power semiconductor device according to the first embodiment.
  • the mold portion 2 includes a power semiconductor element 11, a lead frame 12, and a base plate 20.
  • the power semiconductor element 11 is a semiconductor element for power control. Rectifier diodes, power transistors, thyristors, and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are examples of power semiconductor devices 11.
  • the power semiconductor element 11 is an element formed of silicon (Si) or an element formed of a wide bandgap semiconductor having a bandgap larger than that of silicon. Examples of wide bandgap semiconductors are silicon carbide (SiC), gallium nitride based materials or diamond. Since the power semiconductor element 11 using the wide bandgap semiconductor has a high allowable current density and a low power loss, the power semiconductor device 1 can be miniaturized.
  • the lead frame 12 has an element mounting portion 121 on which the element is mounted and a terminal portion 122 drawn out as a terminal for connection.
  • the power semiconductor element 11 is arranged by the conductive member 14 on the lower surface of the element mounting portion 121.
  • An example of the conductive member 14 is solder or silver paste.
  • the power semiconductor elements 11 are electrically connected to each other, or the power semiconductor elements 11 and the lead frame 12 are electrically connected by a connecting member 15.
  • An example of the connecting member 15 is aluminum or copper.
  • the base plate 20 is a member that transfers the heat of the power semiconductor element 11 to the fins 4.
  • the base plate 20 has a rectangular shape in the plan view.
  • the base plate 20 is made of a metal material having high thermal conductivity and being softer than the panel 6.
  • the base plate 20 is made of a metal material that is easily plastically deformed when the panel 6 is crimped.
  • the base plate 20 is made of, for example, aluminum or copper.
  • a step structure is provided on the upper side surface of the base plate 20. That is, the base plate 20 has a first pedestal portion 21 on the lower surface side, which is the second surface, a second pedestal portion 22 arranged on the first pedestal portion 21, and fins arranged on the second pedestal portion 22. It has a fixing portion 23 and.
  • the base plate 20 is joined to the element mounting portion 121 of the lead frame 12 on the lower surface of the first pedestal portion 21 via the insulating member 16.
  • the insulating member 16 is made of an insulating material having high thermal conductivity.
  • An example of the insulating member 16 is an insulating sheet, an insulating substrate or an insulating film.
  • an epoxy resin containing a filler having high thermal conductivity can be used.
  • the outer peripheral surface of the second pedestal portion 22 is the stepped surface of the first stepped portion 51 provided on the first pedestal portion 21.
  • the flat portion 51a of the first step portion 51 is the upper surface of the first pedestal portion 21. That is, the second pedestal portion 22 has a rectangular shape smaller than that of the first pedestal portion 21 in the plan view, and the upper surface of the peripheral edge portion of the first pedestal portion 21 is exposed as the flat portion 51a.
  • the fin fixing portion 23 has a stepped surface of the second stepped portion 52 provided on the second pedestal portion 22 as an outer peripheral surface.
  • the fin fixing portion 23 has a rectangular shape smaller than that of the second pedestal portion 22 in the plan view.
  • the flat portion of the second step portion 52 that is, the upper surface exposed at the peripheral edge portion of the second pedestal portion 22, becomes the panel installation surface 52a on which the panel 6 is placed.
  • a protruding wall portion 231 extending in the Y direction and a caulking portion 232 extending in the Y direction are alternately provided in the X direction.
  • the protruding wall portion 231 has a function of supporting one surface of the lower portion of the fin 4.
  • the protruding wall portions 231 are provided at predetermined intervals in the X direction.
  • the caulking portion 232 is provided between two protruding wall portions 231 adjacent to each other in the X direction.
  • the upper end of the crimped portion 232 has a bifurcated shape and supports one surface of the lower portion of the fin 4 adjacent in the X direction.
  • the ridge portion 231 and the caulking portion 232 are separated by a groove extending in the Y direction. This groove becomes the fin insertion groove 233.
  • the protruding wall portions 231 are arranged at both ends in the X direction.
  • the protruding wall portions 231 arranged at both ends in the X direction have a protrusion mounting portion 235 which is a recess in which a part of the protruding wall portion 231 is hollowed out.
  • the two protruding wall portions 231 arranged at both ends in the X direction each have four protrusion mounting portions 235.
  • the protrusion mounting portion 235 has a function of supporting the protrusion 65 described later on the panel 6 before the panel 6 is crimped to the base plate 20.
  • the second pedestal portion 22 has a waste escape groove 221 at a position corresponding to the protrusion mounting portion 235 on the stepped surface perpendicular to the X direction.
  • the waste escape groove 221 is a groove that serves as an escape place for the waste of the base plate 20 that is discharged when the panel 6 is crimped to the base plate 20.
  • the panel installation surface 52a is provided at a position higher than the upper surface of the mold resin 18. As a result, even if burrs occur on the mold resin 18, the mold resin 18 does not get caught under the panel 6. Therefore, the panel 6 does not tilt with respect to the upper surface of the base plate 20, and the parallelism between the panel 6 and the base plate 20 can be ensured.
  • the panel 6 is a rectangular plate-shaped member having an opening 61, and a notch 62 is provided at one corner.
  • the cutout portion 62 serves as a mark indicating the setting direction of the panel 6.
  • the opening 61 has a rectangular shape in the plan view.
  • the opening 61 has a size capable of inserting the fin fixing portion 23 of the base plate 20.
  • the panel 6 has a protrusion 65 on the side surface forming the opening 61, which projects toward the opposite side surface.
  • the shape of the cross section of the protrusion 65 parallel to the surface formed in the Z direction and the protrusion direction of the protrusion 65 has an upper surface which is a fifth surface forming a taper toward the tip of the protrusion 65.
  • the protrusion 65 has a triangular shape that becomes thinner from the connection portion 65a with the panel 6 toward the tip in the plan view.
  • four protrusions 65 are provided on each of the two sides parallel to the Y direction.
  • the panel 6 has four screw holes 63 on the peripheral edge portion. A screw hole 63 is provided in order to fix the panel 6 with screws to the housing of the device in which the power semiconductor device 1 is provided.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a state of joining the base plate and the panel according to the first embodiment, and is a sectional view taken along line IV-IV of FIG.
  • the panel 6 can be manufactured by etching or cutting, but since the cost of manufacturing is high in both cases, the panel 6 is generally manufactured by an inexpensive punching process.
  • the punching process is performed by shearing a member with a punch using a punching die having the shape of a panel 6. Therefore, in the product manufactured by punching, a curved surface called a sagging surface is formed on the upper surface of the panel 6, and a burrs surface is formed on the lower surface of the panel 6. Further, in general, an uneven surface is formed on the side surface of the panel 6 instead of a gentle surface.
  • the upper surface of the tip end portion of the protrusion 65 is a curved surface 65c in the side view, and the protrusion is relative to the position of the upper surface in the connection portion 65a in the Z direction.
  • the position of the upper surface of the tip of the portion 65 is low. That is, the position of the tip of the upper surface of the protrusion 65, which is the fifth surface, in the Z direction exists on the lower surface side of the panel 6 as compared with the position of the upper surface of the panel 6. Further, the position of the lower surface, which is the sixth surface of the protrusion 65, coincides with the position of the lower surface of the panel 6.
  • the side surface 65b located on the opening 61 side of the protrusion 65 and the base plate 20 are in contact with each other so as not to create a gap as much as possible, and the tip of the protrusion 65 is formed.
  • a part of the curved surface 65c of the above is covered by a covering portion 237 which is a constituent member of the base plate 20.
  • the covering portion 237 covers a part of the curved surface 65c at the tip of the protrusion 65, and the gap that may occur between the side surface 65b of the protrusion 65 and the base plate 20 becomes smaller, so that the panel 6 and the base
  • the adhesive force with the plate 20 is improved, and the panel 6 is less likely to come off from the base plate 20.
  • even if the side surface 65b of the protrusion 65 is an uneven surface, it is not necessary to additionally process the side surface 65b of the panel 6. As a result, an inexpensive panel 6 can be used.
  • the protruding wall portion 231 has a recessed portion 236 from which the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235 is partially removed.
  • the recessed portion 236 is provided between the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235 and the covering portion 237.
  • the recessed portion 236 will be described later in the manufacturing method, but is formed by the outer shape of the jig when the protrusion 65 and the protrusion mounting portion 235 of the panel 6 are simultaneously pressed by the jig.
  • the recessed portion 236 has a tapered surface 236a that is inclined toward the peripheral edge portion of the base plate 20.
  • the recessed portion 236 is larger than the protruding portion 65 on the XY plane.
  • the shape of the recessed portion 236 on the XY plane may be a rectangular shape, a perfect circular shape, an elliptical shape, or a triangular shape like the protruding portion 65.
  • the length L of the protrusion 65 which is the size in the X direction, is 0.5 mm or more and 0.9 mm or less. As described above, it is desirable that the length L of the protrusion 65 is smaller than the thickness of the panel 6. By reducing the length L of the protrusion 65, the area for fixing the fins 4 to the base plate 20 can be increased. As a result, the heat dissipation performance of the power semiconductor device 1 can be improved. Further, by reducing the length L of the protrusion 65, the press load when pressing the protrusion 65 can be reduced, and the power semiconductor device 1 can be easily manufactured.
  • the lower surface of the panel 6 comes into contact with the panel installation surface 52a of the panel 6.
  • the protrusion 65 conducts contact with the base plate 20 and functions as a ground for the power semiconductor device 1.
  • the caulking heat sink 30 is composed of the plurality of fins 4, the panel 6, and the base plate 20.
  • 5 to 9 are cross-sectional views schematically showing an example of the procedure of the method for manufacturing the electric power semiconductor device according to the first embodiment.
  • 5 to 7 correspond to the IV-IV sectional views of FIG. 3, and
  • FIGS. 8 and 9 correspond to the sectional views of the base plate and the panel.
  • the direction in which the fins 4 are arranged is the upward direction, and the direction opposite to the upward direction is the downward direction.
  • the expressions "upper” and “lower” are for convenience only and do not mean the actual “upper” and “lower”, and may be upside down.
  • the power semiconductor element 11 is joined to the lower surface of the element mounting portion 121 of the lead frame 12 via the conductive member 14. Then, the base plate 20 is arranged via the insulating member 16 on the upper surface side of the element mounting portion 121 of the lead frame 12 to which the power semiconductor element 11 is bonded, and the mold portion 2 molded with the mold resin 18 is created.
  • panel caulking is performed to crimp the panel 6 to the base plate 20.
  • the fin fixing portion 23 of the base plate 20 is inserted through the opening 61 of the panel 6.
  • the position of the protrusion 65 of the panel 6 is aligned with the position of the protrusion mounting portion 235 of the base plate 20, and the base plate 20 is inserted into the panel 6.
  • the lower surface of the protrusion 65 which is the sixth surface, comes into contact with the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235, and the panel 6 is supported by the fin fixing portion 23 by the protrusion 65.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 which is a jig, is pressed against the upper surface of the protrusion 65. Then, the panel protrusion pressurizing portion 90 is used to simultaneously press all the protrusions 65 downward.
  • the lower surface 91 of the panel protrusion pressurizing portion 90 is parallel to the upper surface or the lower surface of the base plate 20.
  • the size of the lower surface 91 of the panel protrusion pressurizing portion 90 on the XY plane is made larger than the size of the protrusion 65.
  • the base plate 20 around the protrusion 65 can be pressed at the same time as the protrusion 65.
  • the term “periphery” refers to the range of the base plate 20 with which the panel protrusion pressurizing portion 90 comes into contact when the upper surface of the protrusion 65 is located at a position below the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235.
  • the panel protrusion pressurizing part 90 In the pressing by the panel protrusion pressurizing part 90, only the protrusion 65 is pushed at the beginning. However, when the upper surface of the protrusion 65 comes to a position below the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235 during caulking, the panel protrusion pressurizing portion 90 moves downward while simultaneously pressing the protrusion 65 and the base plate 20. To do. At this time, the base plate 20 constituting the protrusion mounting portion 235 is plastically deformed by the pressing by the panel protrusion pressurizing portion 90.
  • the base plate 20 of the portion pressed by the panel protrusion pressurizing portion 90 is deformed in the direction of the arrow E and moves so as to fill the space between the side surface of the base plate 20 and the side surface 65b of the protrusion 65. To do. Therefore, even when the panel 6 having the protrusion 65 whose side surface 65b is an uneven surface is used, the gap that may occur between the protrusion 65 and the base plate 20 is reduced, and the adhesive force between the base plate 20 and the panel 6 is increased. Can be improved.
  • the upper surface of the protrusion 65 which is lower than the upper surface of the panel 6, the base plate 20, and the panel protrusion are added.
  • a space surrounded by the lower surface 91 of the pressing portion 90 is created.
  • the surface of the aluminum material is covered with an oxide film, but when the oxide film on the surface of the aluminum material is peeled off, a new surface without the oxide film appears. If the new surface of the aluminum material comes into contact with the panel 6, the ground resistance can be suppressed low. However, when the new surface of the aluminum material comes into contact with air, it is instantly covered with an oxide film.
  • the side surface 65b of the protrusion 65 and the base plate 20 are brought into close contact with each other.
  • the base plate 20 is deformed while allowing the base plate 20 to be deformed. Therefore, it is possible to fill the gap between the side surface 65b of the protrusion 65 and the new surface of the base plate 20 in a state where almost no air is involved. At this time, there may be a slight gap between the side surface 65b of the protrusion 65 and the base plate 20. That is, according to the manufacturing method of the present embodiment, the new surface appearing on the base plate 20 comes into contact with the protrusion 65 of the panel 6 before being oxidized. As a result, the ground resistance can be lowered and a stable ground can be secured.
  • the panel caulking is completed in one step by simultaneously pressing the protrusion 65 and the base plate 20 around the protrusion 65 by using the panel protrusion pressurizing portion 90.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 has a lower surface 91 and side surfaces 92 and 92a, which are pressing surfaces that come into contact with the protrusion 65, but the lower portion of the side surface 92a that comes into contact with the base plate 20 during pressing is cut off in a tapered shape. It has been.
  • a taper is provided in the lower portion of the side surface 92a so that the area of the panel protrusion pressurizing portion 90 parallel to the lower surface 91 becomes smaller toward the lower surface 91, and the tapered surface 92b is provided.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 provided with the tapered surface 92b on the base plate 20 side, when the protrusion 65 is pressed by the lower surface 91 of the panel protrusion pressurizing portion 90, the panel protrusion is added.
  • a part of the pressing portion 90 penetrates into the base plate 20 at an angle not perpendicular to the bottom surface 235a of the protrusion mounting portion 235 of the base plate 20.
  • the portion of the material constituting the base plate 20 that has been crushed by plastic deformation tends to wrap around the side surface 65b and the upper surface of the protrusion 65.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 is not provided with the tapered surface 92b, the side surface 92a of the panel protrusion pressurizing portion 90 and the base plate 20 are in contact with each other until the panel protrusion pressurizing portion 90 is completely pulled out from the base plate 20. It will be in the same state as it was. Therefore, there is a problem that a frictional force is continuously applied between the two, and the panel protrusion pressurizing portion 90 and the base plate 20 are likely to be fixed.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 is provided with the tapered surface 92b, the tapered surface 92b and the base plate 20 of the panel protrusion pressurizing portion 90 after the panel is crimped.
  • the contact surface with the taper surface is 236a. Therefore, as soon as the panel protrusion pressurizing portion 90 is pulled up in the pulling direction, in the example of FIG. 7, the side surface 92b of the panel protrusion pressurizing portion 90 is in a state of not contacting the tapered surface 236a of the base plate 20. .. As a result, the panel protrusion pressurizing portion 90 is easily separated from the base plate 20, and the panel protrusion pressurizing portion 90 and the base plate 20 are prevented from sticking to each other.
  • the shape of the bottom surface of the panel protrusion pressurizing portion 90 may be a rectangular shape, a perfect circular shape, an elliptical shape, or any other shape. Further, it is desirable that the material of the panel protrusion pressurizing portion 90 is a member harder than the base plate 20 and the panel 6 such as stainless steel and tool steel.
  • a plurality of fins 4 are inserted into the fin insertion grooves 233 of the fin fixing portion 23.
  • the lower portion of the fin 4 is in contact with the protruding wall portion 231.
  • the jig 95 is inserted into the crimped portion 232 between the fins 4 to pressurize.
  • the jig 95 is inserted into the bifurcated portion of the caulking portion 232.
  • the crimped portion 232 is plastically deformed, and the fins 4 are crimped and fixed to the base plate 20. Then, by removing the jig 95, the electric power semiconductor device 1 is manufactured.
  • FIG. 10 is a top view schematically showing an example of a portion where the protrusion and the base plate are fixed after being manufactured by the method for manufacturing a power semiconductor device according to the first embodiment. Due to the pressurization by the panel protrusion pressurizing portion 90, a recessed portion 236 is formed in the protrusion mounting portion 235 of the base plate 20 after the panel is crimped.
  • the side surface of the protrusion mounting portion 235 is perpendicular to the upper surface of the panel 6, but the side surface of the recessed portion 236 is a tapered surface 236a that is inclined at an angle not perpendicular to the upper surface of the panel 6.
  • the recessed portion 236 By making the recessed portion 236 larger than the protrusion 65 in the plan view, it is possible to move a large amount of the constituent materials of the base plate 20 existing around the protrusion 65 to the protrusion 65 when the panel is crimped. As a result, the covering portion 237 of the base plate 20 can cover the upper surface of the tip portion of the protruding portion 65. Further, the width of the waste escape groove 221 provided below the protrusion mounting portion 235 in the Y direction is made larger than the width of the connecting portion 65a between the protrusion 65 and the panel 6 in the Y direction. There is.
  • the panel protrusion pressurizing portion 90 can efficiently press the protrusion 65 and the base plate 20 at the same time.
  • the side surface 65b of the protrusion 65 manufactured by punching is an uneven surface, so that the contact between the side surface 65b of the protrusion 65 and the base plate 20 is small. There is a possibility of becoming. Further, since the contact between the side surface 65b of the protrusion 65 and the base plate 20 is small, the panel 6 can easily come off in the direction opposite to the pressing direction. Therefore, after the panel 6 and the base plate 20 are fixed, there is a concern that the panel 6 may come off when handling to the next process.
  • the fin fixing portion 23 of the base plate 20 is inserted into the opening 61 of the panel 6, and the panel 6 is fixed so that the lower surface of the panel 6 is in contact with the panel installation surface 52a of the base plate 20.
  • a protrusion 65 is provided so as to project toward the opening 61 and the upper surface of the tip is lower than the connection portion 65a with the panel 6.
  • the upper surface including the tip of the protrusion 65 is the base plate in a state where the base plate 20 is plastically deformed so as to fill the gap between the side surface 65b on the tip side of the protrusion 65 and the base plate 20 and is fitted with the panel 6.
  • the covering portion 237 of 20 covers.
  • a method of additionally machining the side surface 65b of the protrusion 65 which is an uneven surface, can be considered.
  • the protrusion 65 of the panel 6 and the base plate 20 are simultaneously pressed in one step to deform the base plate 20 and project the constituent material of the base plate 20. It is moved to the side surface 65b and the upper surface of the tip portion of the portion 65. As a result, a part of the upper surface of the tip end portion of the protrusion 65 is covered with the base plate 20, and most of the gaps on the side surface 65b of the protrusion 65 are filled.
  • the side surface 65b of the protrusion 65 comes into contact with the new surface of the base plate 20 without touching the air. Therefore, an inexpensive panel 6 only for punching can be used, the ground resistance can be lowered, and a stable ground can be secured. Further, the radiation noise from the power semiconductor element 11 is reduced, and the malfunction of the power semiconductor element 11 can be significantly suppressed.
  • a recessed portion 236 whose side surface is a tapered surface 236a is provided below the protrusion mounting portion 235 of the base plate 20.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a state of joining the base plate and the panel according to the second embodiment.
  • the protrusion 65 has a stepped portion 65d whose upper surface is gradually lowered from the connecting portion 65a with the panel 6 toward the tip end. That is, the tip of the protrusion 65 has a staircase structure.
  • the step portion 65d having three steps is shown, but the step portion 65d can have any number of steps.
  • the flat portion 651 of the step portion 65d is covered with the covering portion 237 of the base plate 20.
  • the step portion 65d may be on the tip side of the protrusion 65 with respect to the connection portion 65a between the protrusion 65 and the panel 6.
  • at least one or more of the plurality of protrusions 65 may be the protrusions 65 shown in FIG.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the protrusion 65 has a stepped portion 65d whose upper surface is gradually lowered from the connecting portion 65a with the panel 6 toward the tip in a side view. Further, the covering portion 237 of the base plate 20 covers each flat portion 651 of the step portion 65d. Thereby, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, by increasing the angle of inclination of the virtual upper surface formed by the stepped portion 65d, the amount of the covering portion 237 covering the tip portion of the protruding portion 65 increases as compared with the case of the first embodiment, so that the base The adhesive force between the plate 20 and the panel 6 can be increased as compared with the case of the first embodiment. Further, since the tip portion of the protrusion 65 becomes the step portion 65d, the contact area between the protrusion 65 and the base plate 20 increases. As a result, a stable ground can be secured as in the case of the first embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a state of joining the base plate and the panel according to the third embodiment.
  • the upper surface of the tip end portion of the protrusion 65 is an inclined surface 65e having a linear gradient toward the tip end in the cross-sectional view.
  • the top of the inclined surface 65e is covered with a covering portion 237 of the base plate 20.
  • the start of the inclined surface 65e is near the center of the protrusion 65 in the length direction, but it may be on the tip side of the connection portion 65a between the protrusion 65 and the panel 6.
  • at least one or more of the plurality of protrusions 65 may be the protrusions 65 shown in FIG.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the upper surface of the tip portion of the protrusion 65 is composed of an inclined surface 65e having a linear gradient. Therefore, when the panel is crimped, the constituent material of the base plate 20 moves while filling the inclined surface 65e. Further, since the amount of the covering portion 237 that covers the protrusion 65 with the base plate 20 is increased as compared with the case of the first embodiment, the fixing force between the base plate 20 and the panel 6 can be increased. Further, since the contact area between the protrusion 65 and the base plate 20 is increased, a stable ground can be secured as in the case of the first embodiment.
  • FIG. 13 is a top view schematically showing an example of the configuration of the panel according to the fourth embodiment.
  • the panel 6 has two types of protrusions 65, 65A on the side surface forming the opening 61.
  • the protrusions 65 are arranged outside the two side surfaces extending in the Y direction of the side surfaces forming the opening 61 of the panel 6 in the Y direction. In the example of FIG. 13, they are arranged at four places.
  • the protrusion 65A is arranged between the two protrusions 65 arranged on the two side surfaces extending in the Y direction of the side surfaces forming the opening 61 of the panel 6. In the example of FIG. 13, they are arranged at four places.
  • the protrusion 65 is the same as that described in FIG. 4 of the first embodiment, but the protrusion 65A has a structure different from that of the protrusion 65.
  • FIG. 14 is a diagram schematically showing a state of joining the base plate and the panel according to the fourth embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XIV-XIV of FIG.
  • the protrusion 65A has a structure that is bent downward from the connection portion 65a of the protrusion 65A with the panel 6.
  • the position of the lower surface 65f, which is the sixth surface of the protrusion 65A does not coincide with the position of the lower surface 6a of the panel 6, and protrudes below the lower surface 6a of the panel 6.
  • the protrusion 65 and the protrusion 65A can be manufactured at the same time by punching. That is, the panel 6 can be manufactured at low cost.
  • the lower surface of the protrusion 65 shown in the first embodiment is flat so that it can easily come into contact with the panel installation surface 52a.
  • the protrusion 65 is pressed by the panel protrusion pressurizing portion 90, the protrusion 65 of the panel 6 reaches the panel installation surface 52a where the panel caulking is completed. Therefore, as shown in FIG. It is easy to be held by the base plate 20 in a state where there is no inclination.
  • the lower surface 65f of the protrusion 65A is arranged obliquely with respect to the lower surface 6a of the panel 6. As a result, as shown in FIG. 14, the protrusion 65A bites into the lower side of the panel installation surface 52a where the panel caulking is completed.
  • the curved surface 65c at the tip is covered with the covering portion 237 of the base plate 20.
  • the protrusion 65A as shown in FIG. 14, a region wider than the curved surface 65c at the tip is covered with the covering portion 237 of the base plate 20.
  • the number of the protrusions 65 and the protrusions 65A is an example and can be any number.
  • the panel 6 has a protrusion 65 having a lower surface corresponding to the lower surface 6a of the panel 6 and a protrusion 65A having a lower surface 65f protruding downward with respect to the lower surface 6a of the panel 6. ..
  • the protrusion 65 has a role of maintaining the parallelism of the panel 6 after the panel is crimped.
  • the protrusion 65A has a role of suppressing the inclination of the panel 6 and increasing the fixing force between the base plate 20 and the panel 6 by biting into the panel installation surface 52a of the base plate 20 when the panel is crimped. ..
  • the area covered by the covering portion 237 of the base plate 20 is larger than that on the upper surface of the protrusion 65. This also increases the adhesive force between the base plate 20 and the panel 6.
  • the protrusion 65A arranged on the opening 61 side of the panel 6 bites into the panel installation surface 52a of the panel 6 in a state of being bent downward from the connection portion 65a of the protrusion 65A with the panel 6. As a result, the contact area with the base plate 20 is increased, and a stable ground can be secured.
  • the shape of the side surface of the protrusions 65, 65A provided on the panel 6 is not limited to the shapes shown in FIGS. 4, 11, 12, and 14.
  • the configuration shown in the above-described embodiment shows an example of the content of the present invention, can be combined with another known technique, and is one of the configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit or change the part.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

電力半導体装置は、モールド部と、平板状の導電性のパネル(6)と、複数のフィンと、を備える。モールド部は、電力半導体素子と、複数の溝が配置される第1面および第1面に垂直なZ方向において第1面とは反対側の第2面を有するベース板(20)と、がモールドされる。パネルは、ベース板の第1面が挿通される開口が形成されているとともに、第3面と第3面とは反対側の第4面とを有する。複数のフィンは、ベース板の溝に固着される。パネルは、開口を形成する側面に、対向する側面に向かって突出する複数の突起部(65)を有する。突起部は、Z方向および突起部の突出方向で形成される面と平行な突起部の断面で、突起部の先端に向けて先細りを形成する第5面を有する。ベース板は、先端を含む複数の突起部の第5面上を覆う覆い部を有するとともに、複数の突起部の側面との隙間を埋めるように塑性変形してパネルと嵌合する。

Description

電力半導体装置およびその製造方法
 本発明は、ヒートシンクを備える電力半導体装置およびその製造方法に関する。
 従来、発熱の激しい電力半導体素子を冷却するために、熱伝導性の良好なベース板にフィンを固定した構造の電力半導体装置が提案されている。このような電力半導体装置は、板状の導電性材料であるパネルの開口にベース板を挿通させ、ベース板とフィンとの間でパネルを挟み込んで固定した構造を有する。
 特許文献1には、開口を形成するパネルの側面に突起部が設けられた電力半導体装置が開示されている。特許文献1に開示される電力半導体装置は、パネルの開口にベース板を挿通させるときに、突起部をベース板に圧入させる。つまり、特許文献1に開示される電力半導体装置は、ベース板を塑性変形させて突起部をベース板に食い込ませている。これによって、特許文献1に開示される電力半導体装置では、突起部の側面とベース板との接触面の摩擦力によって、パネルがベース板から抜けないように保持される。
 特許文献2には、パネルの位置決めに用いられる凹形状である位置決め部がベース板の外周面に設けられた電力半導体装置が開示されている。特許文献2に開示される電力半導体装置では、位置決め部の内側のベース板には、上面の位置がベース板の上面よりも低い突起が設けられる。また、特許文献2に開示される電力半導体装置では、開口を形成するパネルの面の位置決め部に対応する位置には、突起部からなる位置決め部が設けられる。特許文献2に開示される電力半導体装置では、ベース板の位置決め部とパネルの位置決め部との位置を合わせた状態で、ベース板をパネルの開口に挿入し、パネルに垂直な荷重を突起のみにかけて、突起を塑性変形させる。これによって、特許文献2に開示される電力半導体装置では、塑性変形した突起を構成する材料が、ベース板の位置決め部とパネルの位置決め部との間に広がり、パネルに密着し、ベース板とパネルとが固定される。
国際公開第2015/046040号 国際公開第2015/083201号
 しかしながら、上記特許文献1の技術では、パネルの突起部の側面に凹凸があると、突起部をベース板に圧入したときに、突起部の側面とベース板との間に隙間が生じるため、ベース板と突起部の側面との接触面積が小さくなり、パネルがベース板から抜けやすくなるという問題があった。また、上記特許文献2の技術によれば、ベース板を加工して突起を作製しているため、加工工程が複雑になり加工コストが高くなってしまう。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パネルがベース板から抜けにくくするとともに、加工工程を簡略化することができる電力半導体装置を得ることを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電力半導体装置は、モールド部と、平板状の導電性のパネルと、複数のフィンと、を備える。モールド部は、電力半導体素子と、複数の溝が配置される第1面および第1面に垂直なZ方向において第1面とは反対側の第2面を有するベース板と、がモールド樹脂によってモールドされる。パネルは、ベース板の第1面が挿通される開口が形成されているとともに、第3面と第3面とは反対側の第4面とを有する。複数のフィンは、ベース板の溝に固着される。パネルは、開口を形成する側面に、対向する側面に向かって突出する複数の突起部を有する。突起部は、Z方向および突起部の突出方向で形成される面と平行な突起部の断面で、突起部の先端に向けて先細りを形成する第5面を有する。ベース板は、先端を含む複数の突起部の第5面上を覆う覆い部を有するとともに、複数の突起部の側面との隙間を埋めるように塑性変形してパネルと嵌合している。
 本発明にかかる電力半導体装置は、パネルがベース板から抜けにくくするとともに、加工工程を簡略化することができるという効果を奏する。
実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を示す分解斜視図 実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を模式的に示す上面図 実施の形態1によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す図であり、図3のIV-IV断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図 実施の形態1による電力半導体装置の製造方法で製造された後の突起部とベース板との固着部分の一例を模式的に示す上面図 実施の形態2によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す断面図 実施の形態3によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す断面図 実施の形態4によるパネルの構成の一例を模式的に示す上面図 実施の形態4によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す図であり、図13のXIV-XIV断面図
 以下に、本発明の実施の形態にかかる電力半導体装置およびその製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を示す分解斜視図である。なお、以下の説明では、電力半導体装置1および電力半導体装置1を構成する部材において、フィン4が配置される方向を上方向とし、上方向とは反対側の方向を下方向とする。この「上」および「下」の表現は、便宜上の記載であり、実際の「上」および「下」を意味するものではなく、上下逆でもよい。電力半導体装置1は、モールド部2と、複数のフィン4と、パネル6と、を備える。
 モールド部2は、図示しない電力半導体素子と接合されたリードフレーム12と、ベース板20と、がモールド樹脂でモールドされたものである。ベース板20は、第1面である上面にフィン4を挿入するフィン挿入溝233を有する。ベース板20の上面において、フィン挿入溝233の延在方向をY方向とし、Y方向に垂直な方向をX方向とする。また、X方向およびY方向の両方に垂直な方向をZ方向とする。フィン挿入溝233は、X方向に間隔を置いて配置される。
 フィン4は、矩形の薄板状の部材である。フィン4は、後述する電力半導体素子での発熱を放熱することができるように、熱伝導性の高い金属材料によって構成される。一例では、フィン4は、アルミニウムまたは銅で構成される。フィン4は、ベース板20のフィン挿入溝233に挿入され、かしめられることによって、ベース板20に固定される。フィン4は、パネル6をベース板20と挟み込むように配置される。Y方向において、フィン4の長さは、ベース板20の長さよりも長くされる。これによって、電力半導体装置1での放熱性が向上される。
 パネル6は、第3面である上面と、上面とは反対側の第4面である下面とを有する平板状の部材である。パネル6は、ベース板20の材料よりも硬い導電性の金属材料によって構成される。パネル6は、例えば、腐食しにくいステンレス鋼板または亜鉛メッキ鋼板によって構成される。特に、亜鉛メッキ鋼板は、ステンレス鋼板より安価であるので、材料として適している。パネル6は、ベース板20の上部を挿通可能な開口61を有する。ベース板20の上部をパネル6の開口61に挿通した状態で、フィン4がベース板20に固定される。Y方向において、パネル6の長さは、フィン4の長さ以上とされることが望ましい。このパネル6を設けることによって、Y方向のフィン4の長さがベース板20の長さよりも長い場合でも、X方向に隣接するフィン4間の領域で、直線状の風路を形成することができる。
 図2は、実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。図3は、実施の形態1による電力半導体装置の構成の一例を模式的に示す上面図である。モールド部2は、電力半導体素子11と、リードフレーム12と、ベース板20と、を有する。
 電力半導体素子11は、電力制御用の半導体素子である。整流ダイオード、パワートランジスタ、サイリスタ、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は、電力半導体素子11の一例である。電力半導体素子11は、珪素(Si)によって形成される素子、または珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成される素子である。ワイドバンドギャップ半導体の一例は、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドである。ワイドバンドギャップ半導体を用いた電力半導体素子11は、許容電流密度が高く、電力損失が低いため、電力半導体装置1を小型化することができる。
 リードフレーム12は、素子が搭載される素子搭載部分121と、接続用の端子として引き出される端子部分122と、を有する。素子搭載部分121の下面には、導電部材14によって電力半導体素子11が配置される。導電部材14の一例は、はんだまたは銀ペーストである。また、電力半導体素子11同士、または電力半導体素子11とリードフレーム12との間は、接続部材15によって電気的に接続される。接続部材15の一例は、アルミニウムまたは銅である。
 ベース板20は、電力半導体素子11の熱をフィン4へと伝える部材である。ベース板20は、平面図で矩形状である。ベース板20は、熱伝導性が高く、パネル6よりも柔らかい金属材料によって構成される。ベース板20は、パネル6をかしめるときに、塑性変形しやすい金属材料によって構成される。ベース板20は、例えばアルミニウムまたは銅によって構成される。ベース板20の上方の側面には、段差構造が設けられる。つまり、ベース板20は、第2面である下面側の第1台座部21と、第1台座部21上に配置される第2台座部22と、第2台座部22上に配置されるフィン固定部23と、を有する。
 ベース板20は、絶縁部材16を介して、第1台座部21の下面でリードフレーム12の素子搭載部分121と接合される。絶縁部材16は、熱伝導性の高い絶縁材料によって構成される。絶縁部材16の一例は、絶縁シート、絶縁基板または絶縁膜である。絶縁部材16として、熱伝導性の高いフィラーを含むエポキシ樹脂を用いることができる。
 第2台座部22は、第1台座部21上に設けられた第1段差部51の段差面を外周面とする。第1段差部51の平坦部51aが第1台座部21の上面となる。すなわち、第2台座部22は、平面図で第1台座部21よりも小さい矩形状であり、第1台座部21の周縁部の上面が平坦部51aとして露出している。
 フィン固定部23は、第2台座部22上に設けられた第2段差部52の段差面を外周面とする。フィン固定部23は、平面図で第2台座部22よりも小さい矩形状である。第2段差部52の平坦部、すなわち第2台座部22の周縁部で露出した上面は、パネル6が載置されるパネル設置面52aとなる。
 フィン固定部23の上面には、Y方向に延在する突壁部231と、Y方向に延在するかしめ部232と、がX方向に交互に設けられる。突壁部231は、フィン4の下部の一方の面を支える機能を有する。突壁部231は、X方向に予め定められた間隔で設けられる。かしめ部232は、X方向に隣接する2つの突壁部231間に設けられる。かしめ部232の上端は、二股形状を有しており、X方向に隣接するフィン4の下部の一方の面を支えている。突壁部231とかしめ部232との間には、Y方向に延在する溝によって区切られている。この溝がフィン挿入溝233となる。なお、X方向の両端部には、突壁部231が配置される。
 図1および図3に示されるように、X方向の両端部に配置される突壁部231は、突壁部231の一部が抉られた凹部である突起載置部235を有する。一例では、X方向の両端部に配置される2つの突壁部231は、それぞれ4つの突起載置部235を有する。突起載置部235は、ベース板20にパネル6をかしめる前に、パネル6の後述する突起部65を支持する機能を有する。また、第2台座部22は、X方向に垂直な段差面の突起載置部235に対応する位置に屑逃げ溝221を有する。屑逃げ溝221は、ベース板20にパネル6をかしめる際に排出されるベース板20の屑の逃げ場となる溝である。
 図2に示されるように、ベース板20と、ベース板20の下面に絶縁部材16を介して接合されるリードフレーム12と、リードフレーム12の素子搭載部分121に接合された電力半導体素子11と、がモールド樹脂18によって一体成形されることによって、モールド部2が形成される。なお、パネル設置面52aは、モールド樹脂18の上面よりも高い位置に設けられる。これにより、モールド樹脂18のバリが発生した場合でも、パネル6の下にモールド樹脂18を噛みこむことがない。そのため、パネル6がベース板20の上面に対して傾くことがなく、パネル6とベース板20との間の平行度を確保することができる。
 パネル6は、図3に示されるように、開口61を有する矩形状の板状の部材であるが、1か所の角部に切り欠き部62が設けられる。切り欠き部62は、パネル6のセット方向を示す目印となる。開口61は、平面図で矩形状である。開口61は、ベース板20のフィン固定部23を挿通することができるサイズを有する。パネル6は、開口61を形成する側面に、対向する側面に向かって突出する突起部65を有する。Z方向および突起部65の突出方向で形成される面と平行な突起部65の断面の形状は、突起部65の先端に向けて先細りを形成する第5面である上面を有する。一例では、突起部65は、平面図でパネル6との接続部65aから先端に向かうにつれて細くなる三角形状を有する。図3の例では、Y方向と平行な2つの辺のそれぞれに、4つの突起部65が設けられる。フィン固定部23をパネル6の開口61に挿通させたときに、突起部65の位置とベース板20のフィン固定部23に設けられる突起載置部235の位置とは、対応している。つまり、ベース板20の突起載置部235の位置にパネル6の突起部65の位置を合わせて、パネル6の開口61にベース板20のフィン固定部23を挿通する。また、パネル6の下面がベース板20のパネル設置面52a上に接触するように、パネル6の突起部65と、突起部65の周囲のベース板20と、を上方から加圧することで、パネル6がベース板20上に固定される。パネル6は、周縁部に4か所のネジ孔63を有する。電力半導体装置1が設けられる装置の筐体にネジでパネル6を固定するために、ネジ孔63が設けられる。
 図4は、実施の形態1によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す図であり、図3のIV-IV断面図である。エッチング加工または切削加工によってパネル6を製作することができるが、いずれも製作にかかる費用が高価となるため、パネル6は、一般的には安価な打ち抜き加工で製作される。打ち抜き加工は、パネル6の形状になる抜き型を使って、パンチで部材をせん断するように製作される。そのため、打ち抜き加工によって製作されたものは、パネル6の上面にダレ面と呼ばれる曲面が形成され、パネル6の下面にカエリ面が形成される。また、一般的に、パネル6の側面には、なだらかな面ではなく凹凸面が形成される。
 そのため、図2および図4に示されるように、側面視で突起部65の先端部の上面は、曲面65cとなっており、接続部65aでの上面のZ方向における位置に比して、突起部65の先端の上面の位置が低くなっている。すなわち、第5面である突起部65の上面の先端のZ方向における位置は、パネル6の上面の位置に比してパネル6の下面側に存在する。また、突起部65の第6面である下面の位置は、パネル6の下面の位置と一致している。パネル6がベース板20に接合された状態では、突起部65の開口61側に位置する側面65bとベース板20との間になるべく隙間が生じないように接触するとともに、突起部65の先端部の曲面65cの一部をベース板20の構成部材である覆い部237が覆う構成となっている。このように、覆い部237が突起部65の先端部の曲面65cの一部を覆うとともに、突起部65の側面65bとベース板20との間に生じ得る隙間が小さくなるので、パネル6とベース板20との間の固着力が向上し、パネル6はベース板20から外れにくくなる。また、突起部65の側面65bが凹凸面であっても、パネル6の側面65bを追加工しなくてもよい。その結果、安価なパネル6を使用することができる。
 図3および図4に示されるように、パネル6が固定された状態では、突壁部231は、突起載置部235の底面235aが一部除去された凹み部236を有する。凹み部236は、突起載置部235の底面235aと覆い部237との間に設けられる。凹み部236は、後述する製造方法で説明するが、パネル6の突起部65と突起載置部235とを治具で同時に加圧する際に、治具の外形によって形成される。凹み部236は、ベース板20の周縁部に向かって傾斜するテーパ面236aを有する。
 XY平面上において凹み部236は突起部65よりも大きい。XY平面上での凹み部236の形状は、矩形状でもよいし、真円形状または楕円形状でもよいし、突起部65と同様に三角形状でもよい。
 また、パネル6の厚みが1.0mm以上2.0mm以下である場合には、突起部65のX方向のサイズである長さLは、0.5mm以上0.9mm以下である。このように、突起部65の長さLは、パネル6の厚さよりも小さいことが望ましい。突起部65の長さLを小さくすることで、ベース板20にフィン4を固定する面積を拡大することができる。その結果、電力半導体装置1の放熱性能を向上させることができる。また、突起部65の長さLを小さくすることで、突起部65を押圧する際のプレス荷重を小さくすることができ、電力半導体装置1の製造が容易になる。
 図2および図4に示されるように、パネル6の下面は、パネル6のパネル設置面52aと接触する。突起部65は、ベース板20と接触することで導通し、電力半導体装置1のアースとして機能する。
 なお、図2に示されるように、複数のフィン4、パネル6およびベース板20によってかしめヒートシンク30が構成される。
 つぎに、このような構造の電力半導体装置1の製造方法について説明する。図5から図9は、実施の形態1による電力半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。なお、図5から図7は、図3のIV-IV断面図に対応し、図8および図9は、ベース板およびパネルの断面図に対応している。なお、以下の説明では、電力半導体装置1および電力半導体装置1を構成する部材において、フィン4が配置される方向を上方向とし、上方向とは反対側の方向を下方向とする。この「上」および「下」の表現は、便宜上の記載であり、実際の「上」および「下」を意味するものではなく、上下逆でもよい。
 まず、リードフレーム12の素子搭載部分121の下面に導電部材14を介して電力半導体素子11を接合する。そして、電力半導体素子11が接合されたリードフレーム12の素子搭載部分121の上面側に、絶縁部材16を介してベース板20を配置し、モールド樹脂18でモールドしたモールド部2が作成される。
 次いで、モールド部2から突出したリードフレーム12を、適正な形状に成形するリード成型工程などの工程を経た後、パネル6をベース板20にかしめるパネルかしめが行われる。ここでは、ベース板20のフィン固定部23をパネル6の開口61に挿通する。このとき、図5に示されるように、パネル6の突起部65の位置をベース板20の突起載置部235の位置に合わせて、ベース板20をパネル6に挿通する。これによって、第6面である突起部65の下面が突起載置部235の底面235aと接触し、パネル6がフィン固定部23に突起部65によって支持される状態となる。
 その後、突起部65の上面に、治具であるパネル突起加圧部90を押し当てる。そして、パネル突起加圧部90を用いてすべての突起部65を同時に下方に押圧する。パネル突起加圧部90の下面91は、ベース板20の上面または下面と平行である。XY平面上でパネル突起加圧部90の下面91の大きさは、突起部65の大きさよりも大きくされる。これによって、突起部65の上面が突起載置部235の底面235a以下の位置にあるときに、突起部65の周囲のベース板20も突起部65と同時に押圧することができる。なお、ここで、周囲とは、突起部65の上面が突起載置部235の底面235a以下の位置にあるときに、パネル突起加圧部90が接触するベース板20の範囲をいう。
 パネル突起加圧部90による押圧では、最初のうちは、突起部65だけが押されていく。しかし、かしめ途中で、突起部65の上面が突起載置部235の底面235a以下の位置にくると、パネル突起加圧部90は突起部65およびベース板20を同時に押し付けながら下方に向かって移動する。このとき、パネル突起加圧部90による押圧によって、突起載置部235を構成するベース板20は塑性変形する。具体的には、パネル突起加圧部90によって押圧される部分のベース板20は、矢印Eの方向へ変形し、ベース板20の側面と突起部65の側面65bとの間を埋めるように移動する。そのため、側面65bが凹凸面である突起部65を有するパネル6を使用した場合でも、突起部65とベース板20との間に生じうる隙間を減らし、ベース板20とパネル6との固着力を向上させることができる。また、突起部65の上面が突起載置部235の底面235a以下の位置となるかしめ途中では、パネル6の上面よりも低くなっている突起部65の上面と、ベース板20と、パネル突起加圧部90の下面91と、で囲まれた空間ができる。ベース板20および突起部65の両方を同時に押圧することによって、その空間を埋めるようにベース板20が塑性変形し、その結果として覆い部237が形成される。
 ベース板20がアルミニウム材で構成される場合を例に挙げると、アルミニウム材の表面は酸化膜で覆われているが、アルミニウム材の表面の酸化膜が剥がれると、酸化膜がない新生面が現れる。アルミニウム材の新生面がパネル6と接触すれば、アース抵抗を低く抑えることができる。しかし、アルミニウム材の新生面は空気に触れると瞬時に酸化膜で覆われてしまう。
 そこで、本実施の形態では、図6に示されるように、突起部65と突起部65の周囲のベース板20とを同時に押圧することで、突起部65の側面65bとベース板20とを密着させながら、ベース板20を変形させている。そのため、ほとんど空気を巻き込まない状態で突起部65の側面65bとベース板20の新生面との隙間を埋めることができる。このとき、突起部65の側面65bとベース板20との間には、若干の隙間が存在してもよい。つまり、本実施の形態の製造方法によれば、ベース板20に現れた新生面が、酸化される前に、パネル6の突起部65と接触する。その結果、アース抵抗を低くすることができるとともに、安定なアースを確保することができる。
 ついで、図7に示されるように、かしめ完了では、突起部65を含むパネル6の下面は、パネル設置面52aに到達する。また、パネル突起加圧部90で押圧され、変形によって移動したベース板20の構成材料であるベース板屑20aは屑逃げ溝221に移動する。屑逃げ溝221の空間を大きく取ることで、ベース板屑20aが外側に排出できるようにしている。以上のようにして、パネルかしめが実行される。
 図5から図7に示されるように、パネルかしめは、パネル突起加圧部90を用いて、突起部65および突起部65の周囲のベース板20を同時に押圧して、一回の工程で完了される。パネル突起加圧部90は、突起部65と接触する押圧面である下面91と、側面92,92aと、を有するが、押圧時にベース板20と接触する側面92aの下部は、テーパ状に切り落とされている。つまり、下面91に向かって下面91と平行なパネル突起加圧部90の面積が小さくなるように、側面92aの下部にはテーパが設けられており、テーパ面92bとなっている。このように、テーパ面92bをベース板20側に設けたパネル突起加圧部90を用いることで、パネル突起加圧部90の下面91で突起部65を押圧しているときに、パネル突起加圧部90の一部はベース板20の突起載置部235の底面235aに垂直ではない角度でベース板20に侵入する。その結果、ベース板20を構成する材料が、塑性変形で潰れた部分が突起部65の側面65bおよび上面に回り込みやすくなる。
 パネル突起加圧部90にテーパ面92bが設けられない場合には、パネル突起加圧部90をベース板20から完全に引き抜くまで、パネル突起加圧部90の側面92aとベース板20とが接触したままの状態となる。そのため、両者の間に摩擦力がかかり続け、パネル突起加圧部90とベース板20との固着が起こりやすいという問題があった。しかし、図7に示されるように、実施の形態1では、パネル突起加圧部90にテーパ面92bを設けているので、パネルかしめ後のパネル突起加圧部90のテーパ面92bとベース板20との接触面がテーパ面236aとなる。そのため、パネル突起加圧部90をわずかでも引き抜き方向、図7の例では上方向に引き上げた途端、パネル突起加圧部90の側面92bはベース板20のテーパ面236aと接触しない状態となる。その結果、パネル突起加圧部90がベース板20から離脱されやすくなり、パネル突起加圧部90とベース板20との固着が防止される。なお、パネル突起加圧部90の底面の形状は、矩形状であってもよいし、真円形状または楕円形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。また、パネル突起加圧部90の材質は、ステンレス鋼、工具鋼など、ベース板20およびパネル6よりも固い部材であることが望ましい。
 その後、図8に示されるように、複数のフィン4を、フィン固定部23のフィン挿入溝233に挿入する。このとき、フィン4の下部は、突壁部231と接触した状態となっている。さらに、図9に示されるように、フィン4の間のかしめ部232に治具95を挿入し、加圧する。このとき、かしめ部232の二股に分かれている部分に治具95が挿入される。これによって、かしめ部232が塑性変形し、ベース板20にフィン4がかしめられ、固定される。そして、治具95を抜き去ることによって、電力半導体装置1が製造される。
 図10は、実施の形態1による電力半導体装置の製造方法で製造された後の突起部とベース板との固着部分の一例を模式的に示す上面図である。パネル突起加圧部90による加圧によって、パネルかしめ後にベース板20の突起載置部235には、凹み部236が形成される。突起載置部235の側面は、パネル6の上面に対して垂直であるが、凹み部236の側面は、パネル6の上面に対して直角ではない角度で傾斜するテーパ面236aとなっている。
 平面図で凹み部236を突起部65よりも大きくすることで、パネルかしめ時に、突起部65の周囲に存在するベース板20の構成材料を突起部65へ多く移動させることができる。これによって、ベース板20の覆い部237が、突起部65の先端部の上面を覆うことができる。また、突起載置部235の下方に設けられる屑逃げ溝221のY方向のサイズである幅は、突起部65とパネル6との接続部65aのY方向のサイズである幅よりも大きくしている。これによって、パネルかしめ時にベース板20の構成材料の移動によって生じるベース板屑20aが広がりやすくなり、ベース板屑20aがベース板20の外へ排出されやすくなる。その結果、パネル突起加圧部90で突起部65とベース板20とを同時に効率良く押圧することができる。
 ところで、突起部65でベース板20を切削しながら押圧する場合、打ち抜きで製作された突起部65の側面65bは凹凸面であるため、突起部65の側面65bとベース板20との接触が小さくなる可能性がある。また、突起部65の側面65bとベース板20との接触が小さいため、パネル6が押圧方向と逆の方向へ抜けやすい。そのため、パネル6とベース板20とが固定された後に、次の工程へハンドリングするときに、パネル6が外れる不具合が懸念される。
 一方、実施の形態1では、パネル6の開口61にベース板20のフィン固定部23を挿通し、パネル6の下面がベース板20のパネル設置面52aに接するようにパネル6を固定した。パネル6の開口61側の辺には、開口61側に突出するとともに、パネル6との接続部65aよりも先端の上面の位置が低い突起部65が設けられる。この突起部65の先端部側の側面65bとベース板20との隙間を埋めるようにベース板20が塑性変形してパネル6と嵌合した状態で、突起部65の先端を含む上面をベース板20の覆い部237が覆う。これによって、パネル6とベース板20との間の固着力が向上し、パネル6がベース板20から外れてしまうことを抑制することができる。
 なお、実施の形態1によらない方法では、凹凸面である突起部65の側面65bを追加工する方法が考えられる。しかし、実施の形態1では、上記したように、1回の工程でパネル6の突起部65とベース板20とを同時に押圧し、ベース板20を変形させて、ベース板20の構成材料を突起部65の先端部の側面65bおよび上面に移動させる。これによって、突起部65の先端部の上面の一部がベース板20で覆われ、かつ突起部65の側面65bのほとんどの隙間が埋められる。このとき、突起部65の側面65bは空気に触れずにベース板20の新生面と接触する。そのため、打ち抜き加工のみの安価なパネル6を使用することができるとともに、アース抵抗を低くでき、安定なアースを確保することができる。また、電力半導体素子11からの放射ノイズが低減され、電力半導体素子11の誤動作を大幅に抑制することができる。
 さらに、ベース板20の突起載置部235の下方に、側面がテーパ面236aである凹み部236を設けた。これによって、パネルかしめ後の状態を上方向からだけでなく、斜め方向からも目視による確認をすることができ、外観検査を行いやすくすることができる。
実施の形態2.
 図11は、実施の形態2によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す断面図である。実施の形態2では、突起部65は、パネル6との接続部65aから先端に向かって上面が段階的に低くなる段差部65dを有する。すなわち、突起部65の先端部は階段構造となっている。図11の例では、3段の段差を有する段差部65dを示したが、段差部65dは、任意の段数の段差を有することができる。そして、段差部65dの各平坦部651上がベース板20の覆い部237で覆われている。段差部65dは、突起部65のうち、突起部65とパネル6との接続部65aよりも先端側であればよい。また、複数ある突起部65のうち、少なくとも1つ以上が図11に示される突起部65としてもよい。なお、実施の形態1と同一の構成要素には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
 実施の形態2では、突起部65は、側面視でパネル6との接続部65aから先端に向かって上面が段階的に低くなる段差部65dを有する。また、段差部65dの各平坦部651上をベース板20の覆い部237が覆う。これによって、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。また、段差部65dによって形成される仮想の上面の傾斜の角度を大きくすることで、突起部65の先端部分を覆う覆い部237の量が実施の形態1の場合に比して増えるので、ベース板20とパネル6との間の固着力を実施の形態1の場合に比して増大させることができる。また、突起部65の先端部が段差部65dとなることで、突起部65とベース板20との接触面積が増加する。その結果、実施の形態1の場合と同様に、安定なアースを確保することができる。
実施の形態3.
 図12は、実施の形態3によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す断面図である。実施の形態3では、断面図で突起部65の先端部の上面が、先端に向かって直線的な勾配を有する傾斜面65eとなっている。そして、傾斜面65eの上がベース板20の覆い部237で覆われている。図12では、傾斜面65eの始まりは、突起部65の長さ方向の中央付近であるが、突起部65とパネル6との接続部65aよりも先端側であればよい。また、複数ある突起部65のうち、少なくとも1つ以上が図12に示される突起部65としてもよい。なお、実施の形態1と同一の構成要素には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
 実施の形態3では、突起部65の先端部の上面が直線的な勾配を有する傾斜面65eで構成される。そのため、パネルかしめ時に、ベース板20の構成材料が傾斜面65eを埋めながら移動する。また、突起部65をベース板20で覆う覆い部237の量が実施の形態1の場合に比して増えるので、ベース板20とパネル6との間の固着力を増大させることができる。さらに、突起部65とベース板20との接触面積が増加するので、実施の形態1の場合と同様に、安定なアースを確保することができる。
実施の形態4.
 図13は、実施の形態4によるパネルの構成の一例を模式的に示す上面図である。パネル6は、開口61を形成する側面に、2種類の突起部65,65Aを有する。突起部65は、パネル6の開口61を形成する側面のうちY方向に延在する2つの側面のY方向の外側に配置される。図13の例では、4か所に配置される。突起部65Aは、パネル6の開口61を形成する側面のうちY方向に延在する2つの側面に配置される2つの突起部65の間に配置される。図13の例では、4か所に配置される。
 突起部65は、実施の形態1の図4で説明したものと同じであるが、突起部65Aは、突起部65とは異なる構造を有する。図14は、実施の形態4によるベース板とパネルとの接合の様子を模式的に示す図であり、図13のXIV-XIV断面図である。突起部65Aは、突起部65Aのパネル6との接続部65aから下側に折れ曲がった構造を有する。そして、突起部65Aの第6面である下面65fの位置は、パネル6の下面6aの位置と一致しておらず、パネル6の下面6aよりも下側に突出している。図13に示されるようなパネル6では、打ち抜き加工で同時に突起部65および突起部65Aを製作することができる。つまり、パネル6を安価に製造することができる。
 実施の形態1で示した突起部65の下面は平坦であり、パネル設置面52aと接触しやすくなっている。パネル突起加圧部90で突起部65を押圧した場合には、パネルかしめが完了するパネル設置面52aにパネル6の突起部65が到達するため、図4に示されるように、パネル6は、傾きがない状態でベース板20に保持されやすい。一方、突起部65Aの下面65fは、パネル6の下面6aに対して斜めに配置される。これによって、図14に示されるように、パネルかしめが完了するパネル設置面52aよりも下側に突起部65Aが食い込む。
 また、突起部65では、図4に示されるように、先端部の曲面65cがベース板20の覆い部237で覆われる。しかし、突起部65Aでは、図14に示されるように、先端部の曲面65cよりも広い領域がベース板20の覆い部237で覆われる。その結果、突起部65Aとベース板20との間の接触面積が増加し、ベース板20とパネル6間の固着力が増大する。なお、突起部65と突起部65Aの数は、例示であり、任意の数とすることができる。
 実施の形態4では、パネル6は、パネル6の下面6aと一致する下面を有する突起部65と、パネル6の下面6aに対して下側に突出した下面65fを有する突起部65Aと、を有する。突起部65は、パネルかしめ後には、パネル6の平行度を保つ役割を有する。また、突起部65Aは、パネルかしめ時に、ベース板20のパネル設置面52aに食い込むことで、パネル6の傾きを抑制し、ベース板20とパネル6との間の固着力を増大させる役割を有する。
 さらに、突起部65Aの上面では、突起部65の上面に比してベース板20の覆い部237で覆われる面積が大きくなる。これによっても、ベース板20とパネル6との間の固着力が増大する。
 また、パネル6の開口61側に配置された突起部65Aは突起部65Aのパネル6との接続部65aから下側に折れ曲がった状態で、パネル6のパネル設置面52aに食い込む。その結果、ベース板20との接触面積が増加し、安定なアースを確保することができる。
 なお、パネル6に設けられる突起部65,65Aの側面の形状は、図4、図11、図12および図14に示される形状に限定されるものではない。
 以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
 1 電力半導体装置、2 モールド部、4 フィン、6 パネル、6a,65f,91 下面、11 電力半導体素子、12 リードフレーム、14 導電部材、15 接続部材、16 絶縁部材、18 モールド樹脂、20 ベース板、20a ベース板屑、21 第1台座部、22 第2台座部、23 フィン固定部、30 かしめヒートシンク、51 第1段差部、51a,651 平坦部、52 第2段差部、52a パネル設置面、61 開口、65,65A 突起部、65a 接続部、65b,92,92a 側面、65c 曲面、65d 段差部、65e 傾斜面、90 パネル突起加圧部、92b,236a テーパ面、95 治具、121 素子搭載部分、122 端子部分、221 屑逃げ溝、231 突壁部、232 かしめ部、233 フィン挿入溝、235 突起載置部、235a 底面、236 凹み部、237 覆い部。

Claims (11)

  1.  電力半導体素子と、複数の溝が配置される第1面および前記第1面に垂直なZ方向において前記第1面とは反対側の第2面を有するベース板と、がモールド樹脂によってモールドされるモールド部と、
     前記ベース板の前記第1面が挿通される開口が形成されているとともに、第3面と前記第3面とは反対側の第4面とを有する平板状の導電性のパネルと、
     前記ベース板の前記溝に固着される複数のフィンと、
     を備え、
     前記パネルは、前記開口を形成する側面に、対向する前記側面に向かって突出する複数の突起部を有し、
     前記突起部は、Z方向および前記突起部の突出方向で形成される面と平行な前記突起部の断面で、前記突起部の先端に向けて先細りを形成する第5面を有し、
     前記ベース板は、前記先端を含む前記複数の突起部の前記第5面上を覆う覆い部を有するとともに、前記複数の突起部の側面との隙間を埋めるように塑性変形して前記パネルと嵌合していることを特徴とする電力半導体装置。
  2.  前記複数の突起部の前記第5面では、先端部が曲面であることを特徴とする請求項1に記載の電力半導体装置。
  3.  前記複数の突起部の少なくとも1つの突起部の前記第5面では、先端部が段差部を有することを特徴とする請求項1に記載の電力半導体装置。
  4.  前記複数の突起部の少なくとも1つの突起部の前記第5面では、先端部が直線的な勾配を有する傾斜面であることを特徴とする請求項1に記載の電力半導体装置。
  5.  前記ベース板は、前記パネルを固定する位置に、前記パネルを載置するパネル設置面を有し、
     前記複数の突起部は、前記第5面とは反対側の第6面が前記パネル設置面と接触して載置されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の電力半導体装置。
  6.  前記ベース板は、前記パネルを固定する位置に、前記パネルを載置するパネル設置面を有し、
     前記複数の突起部は、前記第5面とは反対側の第6面のZ方向における位置が前記パネルの前記第4面の位置と一致する第1突起部と、前記第6面の先端が前記パネルの前記第4面の位置よりも前記第3面とは反対側に存在する第2突起部と、を含み、
     前記第1突起部は、前記第2面が前記パネル設置面と接触して載置され、
     前記第2突起部の少なくとも一部は、前記パネル設置面に食い込んでいることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の電力半導体装置。
  7.  前記ベース板は、Z方向において前記覆い部と前記第1面との間に凹み部を有し、
     前記凹み部の側面は、テーパ形状を有していることを特徴とする請求項5または6に記載の電力半導体装置。
  8.  前記ベース板は、Z方向において前記パネル設置面と前記第2面との間に溝を有することを特徴とする請求項5から7のいずれか1つに記載の電力半導体装置。
  9.  前記ベース板を構成する材料は、前記パネルを構成する材料よりも柔らかいことを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の電力半導体装置。
  10.  電力半導体素子と、複数のフィンが固着される第1面および前記第1面に垂直なZ方向において前記第1面とは反対側の第2面を有するベース板と、をモールド樹脂によってモールドしたモールド部を形成する工程と、
     開口と、前記開口を形成する側面に、対向する前記側面に向かって突出する複数の突起部と、を備えるとともに、第3面と前記第3面とは反対側の第4面とを有する平板状の導電性のパネルの前記複数の突起部が前記ベース板に載置されるように、前記パネルの前記開口に前記ベース板の前記第1面を挿通する工程と、
     前記ベース板の前記第1面をZ方向から最初に治具で前記複数の突起部を押圧し、前記治具が前記突起部および前記ベース板と接触した後に前記複数の突起部と前記ベース板とをZ方向から押圧する工程と、
     を含み、
     前記突起部は、Z方向および前記突起部の突出方向で形成される面と平行な前記突起部の断面で、前記突起部の先端に向けて先細りを形成する第5面を有することを特徴とする電力半導体装置の製造方法。
  11.  前記治具は、前記突起部および前記ベース板と接触し、前記ベース板の第1面と平行な押圧面と、前記押圧面に隣接する側面と、を有し、
     前記側面のうち押圧時に前記ベース板と接触する部分には、前記押圧面に向かって前記押圧面と平行な前記治具の面積が小さくなるようにテーパが設けられることを特徴とする請求項10に記載の電力半導体装置の製造方法。
PCT/JP2019/033921 2019-08-29 2019-08-29 電力半導体装置およびその製造方法 WO2021038796A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980099697.3A CN114342069B (zh) 2019-08-29 2019-08-29 功率半导体装置及其制造方法
US17/621,249 US11600546B2 (en) 2019-08-29 2019-08-29 Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
JP2019566379A JP6714176B1 (ja) 2019-08-29 2019-08-29 電力半導体装置およびその製造方法
PCT/JP2019/033921 WO2021038796A1 (ja) 2019-08-29 2019-08-29 電力半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/033921 WO2021038796A1 (ja) 2019-08-29 2019-08-29 電力半導体装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021038796A1 true WO2021038796A1 (ja) 2021-03-04

Family

ID=71103906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/033921 WO2021038796A1 (ja) 2019-08-29 2019-08-29 電力半導体装置およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11600546B2 (ja)
JP (1) JP6714176B1 (ja)
CN (1) CN114342069B (ja)
WO (1) WO2021038796A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015046040A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 三菱電機株式会社 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール
WO2015083201A1 (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 三菱電機株式会社 電力半導体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020704A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 三菱電機株式会社 電力半導体装置
WO2018079396A1 (ja) * 2016-10-31 2018-05-03 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP3367431A1 (de) * 2017-02-28 2018-08-29 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung zur entwärmung eines leistungshalbleitermoduls

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015046040A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 三菱電機株式会社 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール
WO2015083201A1 (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 三菱電機株式会社 電力半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021038796A1 (ja) 2021-09-27
US11600546B2 (en) 2023-03-07
JP6714176B1 (ja) 2020-06-24
US20220352049A1 (en) 2022-11-03
CN114342069B (zh) 2023-03-24
CN114342069A (zh) 2022-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10431529B2 (en) Semiconductor device
TWI434020B (zh) 散熱機器及散熱機器之製造方法
JP6091633B2 (ja) かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法
JP4899481B2 (ja) 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置の製法
WO2013118478A1 (ja) 半導体装置
US10950527B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20160300785A1 (en) Power semiconductor device
JP7338204B2 (ja) 半導体装置
US7468554B2 (en) Heat sink board and manufacturing method thereof
JP2006216641A (ja) 半導体モジュール
US20190013261A1 (en) Semiconductor module
WO2021038796A1 (ja) 電力半導体装置およびその製造方法
JP4413054B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
US20170062381A1 (en) Method for manufacturing wire bonding structure, wire bonding structure, and electronic device
JP4339660B2 (ja) 半導体装置
EP1729342A1 (en) Heat sink board and manufacturing method thereof
JP2007299817A (ja) 半導体装置
JP7156172B2 (ja) 半導体装置
WO2019163941A1 (ja) パワーモジュール用基板およびパワーモジュール
JP4170352B2 (ja) 光結合半導体装置および電子機器
WO2023100733A1 (ja) 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
JP7428261B2 (ja) 半導体装置
JP2561470Y2 (ja) 絶縁封止電子部品
JP2008218933A (ja) 半導体パッケージ
JP2010141034A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019566379

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19943018

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19943018

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1