DE102018201262B4 - Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls - Google Patents
Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls Download PDFInfo
- Publication number
- DE102018201262B4 DE102018201262B4 DE102018201262.8A DE102018201262A DE102018201262B4 DE 102018201262 B4 DE102018201262 B4 DE 102018201262B4 DE 102018201262 A DE102018201262 A DE 102018201262A DE 102018201262 B4 DE102018201262 B4 DE 102018201262B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power module
- pin
- fin
- metal block
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010125 resin casting Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls, umfassend:Bereitstellen eines Leistungsmoduls mit einem dicken Metallblock (1), wobei der Metallblock eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist, wobei die erste Oberfläche (11) mit lsoliermaterial (2) mit Leistungschips (3) verbunden ist und die zweite Oberfläche (12) eine flache Oberfläche ist,Platzieren des Leistungsmoduls in einen Hohlraum (400) zwischen einer oberen Gussform (41) und einer unteren Gussform (42), während die zweite Oberfläche (12) die obere Oberfläche (421) der unteren Gussform (42) kontaktiert,Vergießen des Leistungsmoduls mit Epoxidharz (5), so dass der freiliegende Teil der ersten Oberfläche (11) des Metallblocks (1), das Isoliermaterial und die Leistungschips (3) mit Epoxidharz (5) eingekapselt werden,maschinelles Bearbeiten der zweiten Oberfläche (12) in eine Pin-Fin-Form.
Description
- TECHNISCHES GEBIET
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls bzw. Leistungsmoduls mit Stiftkühlkörper.
- STAND DER TECHNIK
- Bezugnehmend auf
1 beinhaltet eine Pin-Fin-Basisplatte 10 eine Metallplatte 11 mit mehreren Finnen (Kühlrippen) 12 auf einer Seite (der Pin-Fin-Seite), wobei die andere Seite (die flache Seite) der Pin-Fin-Basisplatte mit einem Leistungsmodul verbunden ist. Die Finnen kontaktieren ein Flüssigkeitskühlsystem direkt, so dass das Leistungsmodul nicht überhitzt wird. Somit wird die Temperaturwechselbeständigkeit des Leistungsmoduls signifikant verbessert und die Lebensdauer des Leistungsmoduls wird verlängert. - Ein herkömmliches Pin-Fin-Leistungsmodul verwendet Silikongel als Versiegelungsmittel. Wie in
1 gezeigt ist, umfasst das Leistungsmodul, mit Ausnahme der Pin-Fin-Basisplatte 10, ferner ein Isoliermaterial 20 (wie etwa DBC (direkt gebondetes Kupfer), Polymerfilm) und auf dem Isoliermaterial 20 bereitgestellte Leistungschips 30 (IGBT, MOSFET, Diode usw.). Das Isoliermaterial 20 ist mit der flachen Seite der Pin-Fin-Basisplatte verbunden. Das Isoliermaterial 20 und die Leistungschips 30 sind in einem Gehäuse 50 eingekapselt und der Raum im Innern des Gehäuses ist mit Silikongel 40 gefüllt. Das herkömmliche Pin-Fin-Leistungsmodul weist eine komplizierte Struktur auf und benötigt mehr Schritte in dem Herstellungsprozess, was zu geringer Herstellungseffizienz und höheren Kosten führt. - Um die Struktur des Pin-Fin-Leistungsmoduls und den Herstellungsprozess zu vereinfachen, wird ein spritzgepresstes Leistungsmodul präsentiert. Wie in
2 -3 gezeigt ist, wird in diesem Leistungsmodul Epoxidharz 60 als ein Versiegelungsmittel verwendet und kein Gehäuse ist nötig. Eine untere Gussform 702 und eine obere Gussform 701 werden zum Herstellen des Leistungsmoduls verwendet. Das Leistungsmodul wird in dem Hohlraum 700 zwischen der oberen Gussform 701 und der unteren Gussform 702 platziert, wobei die Pin-Fin-Seite auf der oberen Oberfläche 7021 der unteren Gussform 702 platziert wird. Das (in2 gezeigte) Epoxidharz 60 wird unter Druck durch eine Öffnung 7011 an der oberen Gussform 701 in den Hohlraum 700 eingespritzt. Allerdings weist der aktuelle Herstellungsprozess die folgenden Nachteile auf: - 1) Ein aktueller Spritzpressprozess benötigt einen flachen Boden, um Epoxidharz daran zu hindern, zwischen die untere Gussform und die untere Oberfläche des Leistungsmoduls einzudringen. Im aktuellen Prozess wird das Epoxidharz zwischen die untere Gussform und die untere Oberfläche des Leistungsmoduls eindringen, da es zwischen den Finnen 12 Öffnungen 800 gibt.
- 2) Wenn Epoxidharz eingespritzt wird, ist der Druck auf das Isoliermaterial nicht gleichmäßig und auf jede Finne einwirkende Kräfte sind ebenfalls nicht gleichmäßig, was Isoliermaterial- & Pin-Fin-Basisplattenbrechen und/oder Pin-Fin-Biegen verursachen kann.
- Die
US 2017/0223875 A1 - Die
DE 11 2012 005 791 T5 offenbart einen rippenintegrierten Typ Halbleiterbauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauteil weist eine metallische Grundplatte auf, auf der in einem stehenden Zustand angeordnete Rippen auf einer ersten Hauptfläche durch Integralverarbeitung ausgebildet sind, eine Isolierschicht, die auf einer zweiten Hauptfläche der Grundplatte ausgebildet ist, wobei die zweite Hauptfläche der ersten Hauptfläche der Grundplatte entgegengesetzt ist, ein Schaltungsmuster, das an der Isolierschicht fixiert ist, und ein Halbleiterelement, das an das Schaltungsmuster angefügt ist. - Die US 2016 / 0 225 691 A1 zeigt einen verpressten Kühlkörper und ein Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper. Der Kühlkörper besitzt eine Rippenbasis, die eine äußere Peripherie aufweist. Die Rippenbasis umfasst weiterhin eine erste Rippeneinsetzungsnut und eine zweite Rippeneinsetzungsnut unter Anordnung eines Verpressungsbereichs mit einer gegabelten Formgebung, eine erste Rippe, die unter Verwendung des Verpressungsbereichs in der ersten Rippeneinsetzungsnut der Rippenbasis befestigt ist und eine zweite Rippe, die unter Verwendung des Verpressungsbereichs in der zweiten Rippeneinsetzungsnut der Rippenbasis befestigt ist. Weiterhin umfasst die Rippenbasis eine Platte, die einen Öffnungsbereich aufweist und auf der äußeren Peripherie der Rippenbasis platziert ist.
- KURZDARSTELLUNG
- Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen eines Verfahrens zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls, das die folgenden Schritte beinhaltet: Bereitstellen eines Leistungsmoduls mit einem dicken Metallblock, wobei der Metallblock eine erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche aufweist, wobei die erste Oberfläche mit Isoliermaterial mit Leistungschips verbunden ist und die zweite Oberfläche eine flache Oberfläche ist, Platzieren des Leistungsmoduls in einen Hohlraum zwischen einer oberen Gussform und einer unteren Gussform, während die zweite Oberfläche die obere Oberfläche der unteren Gussform kontaktiert, Vergießen des Leistungsmoduls mit Epoxidharz, so dass der freiliegende Teil der ersten Oberfläche des Metallblocks, das Isoliermaterial und die Leistungschips mit Epoxidharz eingekapselt werden, maschinelles Bearbeiten des Metallblocks an seiner zweiten Oberfläche in eine Pin-Fin-Form.
- Figurenliste
-
-
1 ist ein Querschnitt durch ein gelversiegeltes Pin-Fin-Leistungsmodul nach dem Stand der Technik. -
2 ist ein Querschnitt durch ein spritzgepresstes Pin-Fin-Leistungsmodul nach dem Stand der Technik. -
3 veranschaulicht ein Vergießen des Pin-Fin-Leistungsmoduls mit Epoxidharz in der oberen Gussform und der unteren Gussform nach dem Stand der Technik. -
4 veranschaulicht ein Vergießen des Leistungsmoduls mit einem dicken Metallblock. -
5 veranschaulicht das Leistungsmodul mit einem dicken Metallblock nach dem Entfernen der oberen Gussform und der unteren Gussform. -
6 veranschaulicht ein maschinelles Bearbeiten des Metallblocks in Pin-Fin-Form. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Bezugnehmend auf
4 -6 , wird das Pin-Fin-Leistungsmodul mittels der folgenden Schritte hergestellt: - Zunächst, Bereitstellen eines Leistungsmoduls mit einem 10 mm dicken Aluminiumblock oder Kupferblock 1, wobei der Block 1 eine erste Oberfläche 11 und eine der ersten Oberfläche 11 gegenüberliegende zweite Oberfläche 12 aufweist. Die erste Oberfläche 11 ist mit dem Isoliermaterial 2 mit darauf vorgesehenen Leistungschips 3 verbunden und die zweite Oberfläche 12 ist eine flache Oberfläche. Platzieren des Leistungsmoduls in einem Hohlraum 400 zwischen einer oberen Gussform 41 und einer unteren Gussform 42, wobei die zweite Oberfläche 12 die obere Oberfläche 421 der unteren Gussform 42 kontaktiert, der Hohlraum nur 4 mm breiter als der Block ist, Vergießen des Leistungsmoduls mit Epoxidharz 5, so dass der freiliegende Teil der ersten Oberfläche 11 des Blocks 1, das Isoliermaterial 2 und die Leistungschips 3 mit Epoxidharz 5 eingekapselt werden. Auf diese Weise wird im Wesentlichen kein Epoxidharz zwischen die zweite Oberfläche 12 und die obere Oberfläche 421 der unteren Gussform 42 eindringen, da die zweite Oberfläche 12 flach ist.
- Bezugnehmend auf
5 Entfernen der oberen Gussform und der unteren Gussform. Nach dem Entnehmen aus der Gussform wird die zweite Oberfläche maschinell in die Pin-Fin-Form 121 bearbeitet, wie in6 gezeigt ist. Selbst wenn während des Vergießens eine geringe Menge Epoxidharz auf die zweite Oberfläche gequetscht wird, kann es während des maschinellen Bearbeitungsprozesses entfernt werden. - Der Druck wird während des Epoxidharzgießens gleichmäßig verteilt, da die flache Oberfläche die untere Gussform kontaktiert, und somit das Isoliermaterialbrechen oder -biegen vermieden werden kann. Darüber hinaus ist es einfacher, die Pin-Fin-Form nach dem Spritzpressen auf dem dicken Metallblock zu bearbeiten und die Qualität der Finnen (Finnen mit nahezu derselben Länge) ist besser. Und es ist unwahrscheinlich, dass Finnen in diesem Prozess brechen oder sich verbiegen.
- Eine Reihe von alternativen Strukturelementen und Verarbeitungsschritten wurde für die bevorzugte Ausführungsform vorgeschlagen. Obgleich die Erfindung mit Bezugnahme auf spezifische Ausführungsformen beschrieben wurde, ist die Beschreibung für die Erfindung veranschaulichend und ist nicht als die Erfindung beschränkend aufzufassen. Verschiedene Modifikationen und Anwendungen können dem Fachmann in den Sinn kommen, ohne vom wahren Wesen und dem Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie er durch die angehängten Ansprüche definiert ist.
Claims (5)
- Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls, umfassend: Bereitstellen eines Leistungsmoduls mit einem dicken Metallblock (1), wobei der Metallblock eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist, wobei die erste Oberfläche (11) mit lsoliermaterial (2) mit Leistungschips (3) verbunden ist und die zweite Oberfläche (12) eine flache Oberfläche ist, Platzieren des Leistungsmoduls in einen Hohlraum (400) zwischen einer oberen Gussform (41) und einer unteren Gussform (42), während die zweite Oberfläche (12) die obere Oberfläche (421) der unteren Gussform (42) kontaktiert, Vergießen des Leistungsmoduls mit Epoxidharz (5), so dass der freiliegende Teil der ersten Oberfläche (11) des Metallblocks (1), das Isoliermaterial und die Leistungschips (3) mit Epoxidharz (5) eingekapselt werden, maschinelles Bearbeiten der zweiten Oberfläche (12) in eine Pin-Fin-Form.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei der Metallblock (1) aus Aluminium oder Kupfer ist. - Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei der Metallblock (1) 8 mm bis 12 mm dick ist. - Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei eine Breitendifferenz zwischen dem Hohlraum (400) und dem Metallblock (1) nicht größer als 2 mm - 5 mm ist. - Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei Epoxidharz (5) entfernt wird, das an dem Metallblock (1) während des maschinellen Bearbeitens anhaftet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102018201262.8A DE102018201262B4 (de) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102018201262.8A DE102018201262B4 (de) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102018201262A1 DE102018201262A1 (de) | 2019-08-01 |
| DE102018201262B4 true DE102018201262B4 (de) | 2022-10-13 |
Family
ID=67223974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102018201262.8A Active DE102018201262B4 (de) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | Ein Verfahren zum Herstellen eines Pin-Fin-Leistungsmoduls |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102018201262B4 (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112012005791T5 (de) | 2012-01-31 | 2014-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20160225691A1 (en) | 2013-09-27 | 2016-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Swaged heat sink and heat sink integrated power module |
| US20170223875A1 (en) | 2014-09-09 | 2017-08-03 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Power conversion device |
-
2018
- 2018-01-29 DE DE102018201262.8A patent/DE102018201262B4/de active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112012005791T5 (de) | 2012-01-31 | 2014-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20160225691A1 (en) | 2013-09-27 | 2016-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Swaged heat sink and heat sink integrated power module |
| US20170223875A1 (en) | 2014-09-09 | 2017-08-03 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Power conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102018201262A1 (de) | 2019-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102009061178B3 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE102005050330B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE102014213564B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE112012005791B4 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE69224343T2 (de) | Halbleiteranordnung mit Kühlerstruktur und Verfahren zur Herstellung | |
| DE10066442B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur | |
| DE3783783T2 (de) | Plastikumhuellter chiptraeger und verfahren zu dessen herstellung. | |
| DE102012214917B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE112017003669B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE102009049613B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE102004043523B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlplatte und Anheftteil | |
| DE102009011213A1 (de) | Halbleitermodul und Verfahren zum Herstellen desselben | |
| DE112013004552T5 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE10251248A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE102005002767A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2611531A1 (de) | In kunststoff eingekapselter integrierter schaltungsbaustein | |
| DE102019132837B4 (de) | Doppelseitiges Kühlleistungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102011086092A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE102019200271B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE112004002702B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbaugruppe und Matrixbaugruppe | |
| DE102015103897B4 (de) | Leitungsrahmen mit Kühlerplatte, Verfahren zur Herstellung eines Leitungsrahmens mit Kühlerplatte, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE112013007426B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE112014006653T5 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE102018208486A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE3852124T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung vom harzumhüllten Typ. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final |