TWI733078B

TWI733078B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI733078B
Application number: TW108101440A
Authority: TW
Inventors: 林育玄; 陳建銓; 陳鵬聿
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2019-01-15
Publication date: 2021-07-11
Also published as: TW202002352A; TWI679789B; TW202001386A; TW202001363A; TWI683375B; TWI694626B; TW202001373A; TW202001374A; TW202002276A; TWI710832B; TWI678802B; TW202002354A; TWI678009B; TW202001853A; TW202002329A; TWI683168B; TW202002275A; TWI679765B; TW202002353A; TW202002356A

Abstract

一種顯示裝置，包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上，且具有與部分之第一電極重疊的第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上，且具有與第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上，且位於第一堤岸層的第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置。

隨著科技的進步，於有機發光二極體（ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE；OLED）顯示裝置的製程中，可使用噴墨印刷製程（Ink Jet Printing；IJP）形成發光層。噴墨印刷製程是將液化的有機發光材料噴射或注入到由堤岸（bank）定義出的開口中，以形成發光層。然而，位於顯示裝置的基板邊緣處或基板內部的開口中的有機發光材料之揮發速度不一，造成顯示裝置的基板邊緣處或基板內部的有機發光層的膜厚不均，進而影響顯示面板的顯示品質。

本發明提供一種顯示裝置，性能佳。

本發明的一種顯示裝置，包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上，且具有與部分之第一電極重疊的第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上，且具有與第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上，且位於第一堤岸層的第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量。

本發明的一種顯示裝置，包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括至少一第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上，且具有與部分之至少一第一電極重疊的至少一第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上，且具有與至少一第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上，且位於第一堤岸層的至少一第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積。

基於上述，本發明一實施例的顯示裝置包括基板及多個畫素結構，其中基板具有內部區以及內部區外的周邊區，畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構，且第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量。藉此，能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的固化速度不一的問題。另外，本發明另一實施例的顯示裝置藉由第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積，亦能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的固化速度不一的問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或（and/or）公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖1B是根據圖1A的剖線A-A’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1C是根據圖1A的剖線C-C’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1D是根據圖1A的剖線B-B’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1E是根據圖1A的剖線D-D’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1F是圖1A的顯示面板的畫素結構200B的放大示意圖。圖1A省略圖1B至圖1E之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。

請參考圖1A，顯示裝置10包括基板100以及多個畫素結構200A～200M。基板100具有內部區110以及周邊區120。周邊區120位於內部區110外。舉例而言，在本實施例中，周邊區120圍繞內部區110，周邊區120為內部區110至基板100邊緣100a、100b的區域。舉例而言，本實施例的周邊區120的形狀例如是口字型，但不以此為限。在本實施例中，基板100例如為硬質基板（rigid substrate）。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，基板100也可以是可撓式基板（flexible substrate）。舉例而言，上述之硬質基板的材質可為玻璃、石英或其它適當材料；上述之可撓式基板的材質可以是塑膠或其它適當材料。

請參考圖1A至圖1E，多個畫素結構200A～200M設置於基板100上。多個畫素結構200A～200M包括設置於內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200I、200J、200K、200L、200M。本實施例的每一畫素結構200A～200M包括第一電極220、第一堤岸層230、第二堤岸層240、發光層270以及第二電極300。在本實施例中，每一畫素結構200A～200M還可包括主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、電子傳輸層280以及電子注入層290，但本發明不以此為限。

在本實施例中，主動元件層210設置於基板100上。舉例而言，在本實施例中，主動元件層210包括主動元件，主動元件包括至少一薄膜電晶體，具有閘極、半導體圖案、汲極與源極。

在本實施例中，第一電極220設置於主動元件層210上。第一電極220與主動元件層210中的主動元件電性連接。舉例而言，本實施例的第一電極220例如為畫素電極，電性連接於主動元件之至少一薄膜電晶體的汲極。

第一堤岸層230設置於第一電極220上。第一堤岸層230具有與部分之第一電極220重疊的第一開口232。第一堤岸層230的材料包含氧化矽、氮化矽或其它合適的材料。

第二堤岸層240設置於第一堤岸層230上。第二堤岸層240具有與第一開口232重疊的第二開口242。在本實施例中，第二堤岸層240的材質與第一堤岸層230的材質可以不相同；舉例來說，對同一有機發光材料而言（例如簡稱為墨），第一堤岸層230例如為親墨性，而第二堤岸層240例如為疏墨性，但本發明不限於此。在本實施例中，第二堤岸層240的材料例如是光阻，但本發明不限於此。

未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230於基板100上的垂直投影在第一方向d1上可具有寬度L1及寬度L2，而未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230在第二方向d2上具有寬度L3及寬度L4，其中第一方向d1與第二方向d2交錯。舉例而言，在本實施例中，第一方向d1與第二方向d2可垂直。請參考圖1A，值得注意的是，第一畫素結構200A設置於內部區110，第一畫素結構200A之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L1與寬度L2實質上可相等，且第一畫素結構200A之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向上的寬度L3與寬度L4實質上可相等；第二畫素結構200B設置於周邊區120，第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L1與寬度L2不相等，且第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向d2上的寬度L3與寬度L4不相等。請參考圖1D及圖1E，舉例而言，以第二畫素結構200B為例，第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L2大於寬度L1，而第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向上的寬度L4大於寬度L3。也就是說，第二畫素結構200B的第一開口232可偏離第二開口242的幾何中心，而第一畫素結構200A的第一開口232的幾何中心實質上可對齊於第二開口242的幾何中心。

發光層270設置於部分的第一電極220上，且位於第一堤岸層230的第一開口232與第二堤岸層240的第二開口242。舉例而言，在本實施例中，電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270依序設置於所述部分的第一電極220上。電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270位於第一堤岸層230的第一開口232與第二堤岸層240的第二開口242中。舉例而言，在本實施例中，電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270依序設置於部分的第一電極220上的方法例如是利用噴墨印刷製程（Ink Jet Printing；IJP），但本發明不限於此。在本實施例中，發光層270的材料例如是有機發光材料或量子點發光材料，但本發明不限於此。

於垂直基板100的第三方向d3上，發光層270的頂面272具有與第二開口242之中心重疊的一點272a。發光層270的頂面272上的一點272a至第一電極220的頂面222的距離為第一距離T1。發光層270的頂面272與第二堤岸層240的交界邊270a至第一堤岸層230的頂面234的距離為第二距離T2。在本實施例中，第一距離T1小於或等於第二距離T2。舉例而言，第二距離T2小於或等於20倍的第一距離T1，即T1 ≤ T2 ≤ 20´T1，但本發明不以此為限。

在本實施例中，電子傳輸層280與電子注入層290依序設置於發光層270與第二堤岸層240上。舉例而言，在本實施例中，電子傳輸層280與電子注入層290的形成方式例如是利用蒸鍍製程，但本發明不限於此。

第二電極300設置於發光層270上。舉例而言，在本實施例中，第二電極300設置於電子注入層290上。在本實施例中，於垂直基板100的第三方向d3上，第二電極300可具有大致上相同的膜厚。也就是說，於垂直基板100的第三方向d3上，發光層270的頂面272具有與第二開口242之中心重疊的一點272a，第二電極300的頂面302具有與第二開口242之中心重疊的一點302a。發光層270的頂面272上的一點272a位於與第一開口232及第二開口242重疊之部分的第一電極220的上方，第二電極300的頂面302上的一點302a位於一點272a的正上方，一點272a至一點302a在第三方向d3上的距離為第一距離H1。第二堤岸層240的頂面244與第二電極300的頂面302在第三方向d3上的距離為第二距離H2，第一距離H1約等於第二距離H2。也就是說，在本實施例中，由電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300構成的複合層具有大致上相同的膜厚，但本發明不以此為限。

值得一提的是，第二畫素結構200B的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1。請參考圖1F，舉例而言，虛擬中心線232x穿過第一開口232的幾何中心且與第二方向d2平行，虛擬中心線242x穿過第二開口242的幾何中心且與第二方向d2平行，而第一開口232的虛擬中心線232x與第二開口242的虛擬中心線242x在第一方向d1上相隔第一距離，所述第一距離即為第一偏移量d1。另一方面，本實施例的第一畫素結構200A之第一開口232的幾何中心實質上對齊第一畫素結構200A之第二開口242的幾何中心，因此第一畫素結構200A的第一偏移量d1實質上為0。亦即，本實施例的第二畫素結構200B的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。

在本實施例中，第二畫素結構200B的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上還可具有第二偏移量d2。請參考圖1F，舉例而言，以第二畫素結構200B為例，虛擬中心線232y穿過第一開口232的幾何中心且與第一方向d1平行，虛擬中心線242y穿過第二開口242的幾何中心且與第一方向d1平行，而第一開口232的虛擬中心線232y與第二開口242的虛擬中心線242y在第二方向d2上相隔第二距離，所述第二距離即為第二偏移量d2。另一方面，本實施例的第一畫素結構200A之第一開口232的幾何中心實質上對齊第一畫素結構200A之第二開口242的幾何中心，因此第一畫素結構200A的第二偏移量d2實質上為0。亦即，本實施例的第二畫素結構200B的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。

請參考圖1A及圖1F，以第二畫素結構200B為例，其第一開口232的邊緣232s具有在第一方向d1上排列的第一點232a及第二點232b，第一點232a較第二點232b遠離基板100的邊緣100a；第一開口232的邊緣232s具有在第二方向d2上排列的第五點232c及第六點232d，第五點232c較第六點232d遠離基板100的邊緣100b；第二開口242之邊緣242s具有在第一方向d1上排列的第三點242a及第四點242b，第三點242a較第四點242b遠離基板100的邊緣100a；第二開口242之邊緣242s具有在第二方向d2上排列的第七點242c及第八點242d，第七點242c較第八點242d遠離基板100的邊緣100b。在第一方向d1上，第一點232a與第三點242a之間具有距離W1，第二點232b與第四點242b之間具有距離W2。在第二方向d2上，第五點232c與第七點242c之間具有距離W3，第六點232d與第八點242d之間具有距離W4。值得注意的是，在本實施例中，距離W2大於距離W1，且距離W4大於距離W3。也就是說，第二畫素結構200B之第一開口232的幾何中心相對於第二畫素結構200B之第二開口242的幾何中心朝基板100的內部區110偏移，而第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230在靠近基板100邊緣100a及/或邊緣100b處具有較大的寬度。

請參考圖1A，本實施例的多個畫素結構200A～200M還可以包括設置於周邊區120的第二畫素結構200F、200I、200L以及設置於周邊區120的第三畫素結構200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M。

舉例而言，在本實施例中，方向d1與方向d2可劃分出四個象限，其中第二畫素結構200F與第三畫素結構200G位於第一象限，第二畫素結構200B與第三畫素結構200C位於第二象限，第二畫素結構200I與第三畫素結構200J位於第三象限，第二畫素結構200L與第三畫素結構200M位於第四象限。

位於第二象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200B以及第三畫素結構200C沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d12依序排列。舉例而言，第三畫素結構200C的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200C的第一偏移量d1大於第二畫素結構200B的第一偏移量d1。此外，第三畫素結構200C的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200C的第二偏移量d2大於第二畫素結構200B的第二偏移量d2。

位於第三象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200I以及第三畫素結構200J沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d13依序排列。舉例而言，第三畫素結構200J的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200J的第一偏移量d1大於第二畫素結構200I的第一偏移量d1，第二畫素結構200I的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外，第三畫素結構200J的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200J的第二偏移量d2大於第二畫素結構200I的第二偏移量d2，第二畫素結構200I的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。

位於第四象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200L以及第三畫素結構200M沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向（例如：方向d12的反方向）依序排列。舉例而言，第三畫素結構200M的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200M的第一偏移量d1大於第二畫素結構200L的第一偏移量d1，第二畫素結構200L的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外，第三畫素結構200M的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200M的第二偏移量d2大於第二畫素結構200L的第二偏移量d2，第二畫素結構200L的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。

位於第一象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200F以及第三畫素結構200G沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向（例如：方向d13的反方向）依序排列。舉例而言，第三畫素結構200G的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200G的第一偏移量d1大於第二畫素結構200F的第一偏移量d1，第二畫素結構200F的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外，第三畫素結構200G的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200G的第二偏移量d2大於第二畫素結構200F的第二偏移量d2，第二畫素結構200F的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。

在本實施例中，第一畫素結構200A與第三畫素結構200D沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d1依序排列。舉例而言，在本實施例中，第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200D的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。另外，第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上的第二偏移量d2實質上可為0。

在本實施例中，第一畫素結構200A與第三畫素結構200E沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d2依序排列。舉例而言，在本實施例中，第三畫素結構200E的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200E的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。另外，第三畫素結構200E的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上的第一偏移量d1實質上可為0。

在本實施例中，第一畫素結構200A與第三畫素結構200K沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向（例如：方向d1的反方向）依序排列。舉例而言，在本實施例中，第三畫素結構200K的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1，且第三畫素結構200K的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。另外，第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上的第二偏移量d2實質上可為0。

在本實施例中，第一畫素結構200A與第三畫素結構200H沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d2依序排列。舉例而言，在本實施例中，第三畫素結構200H的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2，且第三畫素結構200H的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。另外，第三畫素結構200H的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上的第一偏移量d1實質上可為0。

值得一提的是，在本實施例中，由於位於周邊區120的第二、三畫素結構200B～200M的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1及/或第二偏移量d2，因此，顯示裝置10中設置於周邊區120的第二、三畫素結構200B～200M中的發光層270的固化速度可以與設置於內部區110的第一畫素結構200A中的發光層270的固化速度差異較小，進而改善顯示裝置10的顯示品質。

圖2A是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖2B是根據圖2A的剖線E-E’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖2A省略圖2B之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。在此必須說明的是，圖2A與圖2B的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參考圖2A及圖2B，在本實施例的顯示裝置20中，多個畫素結構200A、200N包括設置於基板100的內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200N。舉例而言，在本實施例中，第二畫素結構200N可設置於基板100的角落，但不以此為限。

在本實施例中，第二畫素結構200N包括在第一方向d1上排列且相鄰的兩個子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2。在本實施例中，第二畫素結構200N之子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通。

在本實施例中，子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232彼此分離。也就是說，第二畫素結構200N的第一開口232為彼此分離的子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232。亦即，在本實施例中，第二畫素結構200N的至少一第一開口232於基板100上的垂直投影面積為子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232各自於基板100上的多個垂直投影面積的和。

需說明的是，由於子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通，因此可使用噴墨印刷製程的方法將一液滴同時配置於子畫素結構200N-1的第一電極220及子畫素結構200N-2的第一電極220上，進而形成子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的發光層270。子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的發光層270利用同一液滴形成，而子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2用以顯示相同的顏色。

在本實施例中，由於第二畫素結構200N之至少一第一開口232（亦即，子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232）於基板110上的垂直投影面積大於第一畫素結構200A之第一開口232於基板110上的垂直投影面積，因此使用噴墨印刷製程的方法形成發光層270時，設置於第二畫素結構200N之至少一第一開口232的液滴量會多於設置於第一畫素結構200A之第一開口232的液滴量。

值得一提的是，設置於周邊區120的第二畫素結構200N的液滴的揮發速度快，設置於內部區110的第一畫素結構200A的液滴的揮發速度慢，但由於設置於周邊區120的第二畫素結構200N上的液滴量大於設置於內部區110的第一畫素結構200A上的液滴量，使得第二畫素結構200N的發光層270的固化所需時間與第一畫素結構200A的發光層270的固化所需時間的差異能縮小。藉此，可以改善顯示面板20之周邊區120的第二畫素結構200N之發光層270與內部區110的第一畫素結構200A之發光層270的膜厚不一的問題，進而改善顯示裝置20的顯示品質。

在本實施例中，第一堤岸層230包括子堤岸230’。子堤岸230’位於子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232之間。在本實施例中，子堤岸230’在第一方向d1上具有寬度L5，且寬度L5不為0。

舉例而言，在本實施例中，第二畫素結構200N的至少一第一電極220可為彼此分離的多個第一電極220。具體而言，第二畫素結構200N的第一電極220為彼此分離的子畫素結構200N-1的第一電極220與子畫素結構200N-2的第一電極220。子畫素結構200N-1的第一電極220與子畫素結構200N-2的第一電極220可選擇性地各自連接到不同的薄膜電晶體。也就是說，在本實施例中，顯示裝置20於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地一致，但不以此為限。子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2各自的第一電極220分別與子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2各自的第一開口232重疊。發光層270設置於子畫素結構200N-1的部分第一電極220上與子畫素結構200N-2的部分第一電極220上，且位於子畫素結構200N-1的第一開口232、子畫素結構200N-2的第一開口232、子畫素結構200N-1的第二開口242以及子畫素結構200N-2的第二開口242中。舉例而言，在本實施例中，由於子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通，因此子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270可分別利用分佈於子畫素結構200N-1之第一開口232與子畫素結構200N-2之第一開口232的液滴，依序形成電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270，形成於子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的多個第一電極220上。電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270位於子畫素結構200N-1的第一開口232、子畫素結構200N-2的第一開口232、子畫素結構200N-1的第二開口242以及子畫素結構200N-2的第二開口242中。

在本實施例中，電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270還可形成於子堤岸230’上。於垂直基板100的第三方向d3上，發光層270的頂面272具有與第二開口之中心重疊的一點272a以及與子堤岸230’之中心重疊的一點272b。發光層270的頂面272上的一點272a至第一電極220的頂面222的距離為第一距離T1。發光層270的頂面272上的一點272b至子堤岸230’的頂面234’具有距離T1’。在本實施例中，第一距離T1約等於距離T1’。

電子傳輸層280、電子注入層290與第二電極300依序設置於發光層270與第二堤岸層240上。舉例而言，在本實施例中，電子傳輸層280、電子注入層290與第二電極300的每一者可以具有大致上相同的膜厚，但本發明不限於此。

圖3A是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖3B是根據圖3A的剖線F-F’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖3A省略圖3B之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。在此必須說明的是，圖3A與圖3B的實施例沿用圖2A與圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參考圖3A及圖3B，在本實施例的顯示裝置30中，多個畫素結構200A、200P包括設置於基板100的內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200P。舉例而言，在本實施例中，第二畫素結構200P可設置於基板100的角落，但不以此為限。

在本實施例中，第二畫素結構200P包括在第一方向d1上排列且相鄰的三個子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2以及子畫素結構200P-3。在本實施例中，第二畫素結構200P之子畫素結構200P-1的第二開口242、子畫素結構200P-2的第二開口242與子畫素結構200P-3的第二開口242相通。

在本實施例中，子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232彼此分離。也就是說，第二畫素結構200P的第一開口232為彼此分離的子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232。亦即，在本實施例中，第二畫素結構200P的至少一第一開口232於基板100上的垂直投影面積為第二畫素結構200P中的子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232以及子畫素結構200P-3的第一開口232各自於基板100上的多個垂直投影面積的和。

需說明的是，由於子畫素結構200P-1的第二開口242、子畫素結構200P-2的第二開口242與子畫素結構200P-3的第二開口242相通，因此可使用噴墨印刷製程的方法將一液滴同時配置於子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220及子畫素結構200P-3的第一電極220上，進而形成子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2與子畫素結構200P-3的發光層270。子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3的發光層270利用同一液滴形成，而子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3用以顯示相同的顏色。

在本實施例中，由於第二畫素結構200P之至少一第一開口232（亦即，子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232）於基板110上的垂直投影面積大於第一畫素結構200A之第一開口232於基板110上的垂直投影面積，因此使用噴墨印刷製程的方法形成發光層270時，設置於第二畫素結構200P之至少一第一開口232的液滴量會多於設置於第一畫素結構200A之第一開口232的液滴量。

值得一提的是，設置於周邊區120的第二畫素結構200P的液滴的揮發速度快，設置於內部區110的第一畫素結構200A的液滴的揮發速度慢，但由於設置於周邊區120的第二畫素結構200P上的液滴量大於設置於內部區110的第一畫素結構200A上的液滴量，使得第二畫素結構200P的發光層270的固化所需的時間與第一畫素結構200A的發光層270的固化所需的時間的差異能縮小。藉此，可以改善顯示面板30之周邊區120的第二畫素結構200P之發光層270與內部區110的第一畫素結構200A之發光層270的膜厚不一的問題，進而改善顯示裝置30的顯示品質。

舉例而言，在本實施例中，第一堤岸層230包括子堤岸230’、230”。子堤岸230’位於子畫素結構200P-1的第一開口232與子畫素結構200P-2的第一開口232之間，而子堤岸230”位於子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232之間。在本實施例中，子堤岸230’及子堤岸230”各自在第一方向d1上具有寬度L5及寬度L5’，且寬度L5與寬度L5’皆不為0。在本實施例中，發光層270的頂面272上的一點272b至子堤岸230”的頂面234”具有距離T1”。在本實施例中，第一距離T1、距離T1’與距離T1”實質上相等。

在本實施例中，第二畫素結構200P中的子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220及子畫素結構200P-3的第一電極220彼此分離，子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3各自的第一電極220分別與子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3各自的第一開口232重疊。子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220與子畫素結構200P-3的第一電極220可選擇性地各自連接到不同的薄膜電晶體。也就是說，在本實施例中，顯示裝置30於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地一致，但不以此為限。

圖4是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖4的實施例與圖2A的實施例的主要差異在於：在圖4的實施例中，在第二方向d2上相鄰的兩子畫素結構200Q-1、200Q-2之各自的第二開口242彼此相通。圖4之顯示裝置40具有與前述圖2A之顯示裝置20類似的功效及優點，於此便不再重述。

圖5是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖5的實施例與圖4的實施例的主要差異在於：在圖5的實施例中，第二畫素結構200R的至少一第一開口232與第二畫素結構200R的第二開口242在第一方向d1上具有不為0的第一偏移量d1。第二畫素結構200R的至少一第一開口232與第二畫素結構200R的第二開口242在第二方向d2上具有不為0的第二偏移量d2。

具體而言，在本實施例中，設置於周邊區120的第二畫素結構200R包括在第二方向d2上相鄰的子畫素結構200R-1與子畫素結構200R-2，子畫素結構200R-1的第二開口242與子畫素結構200R-2的第二開口242相通，而子畫素結構200R-1的第一開口232與子畫素結構200R-2的第一開口232彼此分離。虛擬中心線232x穿過子畫素結構200R-1的第一開口232及子畫素結構200R-2的第一開口232之整體的幾何中心且平行於第二方向d2，虛擬中心線242x穿過第二畫素結構200R的第二開口242的幾何中心，而第一偏移量d1為虛擬中心線232x與虛擬中心線242x在第一方向d1上的距離。虛擬中心線232y穿過子畫素結構200R-1的第一開口232及子畫素結構200R-2的第一開口232之整體的幾何中心且平行於第一方向d1，虛擬中心線242y穿過第二畫素結構200R的第二開口242的幾何中心，而第二偏移量d2為虛擬中心線232y與虛擬中心線242y在第二方向d2上的距離。

圖5的顯示裝置50兼具圖4之顯示裝置50及圖1A之顯示裝置10的優點及功效，於此便不再重述。

圖6是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖6的實施例與圖4的實施例的主要差異在於：在圖6的實施例中，不但位於周邊區120之第二畫素結構200S的第二開口242於基板100上的垂直投影面積大於位於內部區110之第一畫素結構200A的第二開口242於基板100上的垂直投影面積，位於周邊區120之第二畫素結構200S的第一開口232於基板100上的垂直投影面積也大於位於內部區110之第一畫素結構200A的第一開口232於基板100上的垂直投影面積。此外，在本實施例中，顯示裝置60於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地不一致，例如：內部區110的解析度可大於周邊區120的解析度，但不以此為限。圖6的顯示裝置60具有與圖4之顯示裝置40類似的優點及功效，於此便不再重述。

圖7是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖7的實施例與圖4的實施例的主要差異在於：在圖7的實施例中，顯示裝置70於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地不一致，例如：周邊區120的解析度可大於內部區110的解析度，但不以此為限。

綜上所述，本發明一實施例的顯示裝置，包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上，且具有與部分之第一電極重疊的第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上，且具有與第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上，且位於第一堤岸層的第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。特別是，第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量，或者第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積。藉此，能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的膜厚不一的問題，進而改善顯示裝置的顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70‧‧‧顯示裝置 100‧‧‧基板 100a、100b‧‧‧邊緣 110‧‧‧內部區 120‧‧‧周邊區 200A‧‧‧第一畫素結構 200B、200F、200I、200L、200N、200P、200Q、200R、200S、200T‧‧‧第二畫素結構 200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M‧‧‧第三畫素結構 200N-1、200N-2、200P-1、200P-2、200P-3、200Q-1、200Q-2、200R-1、200R-2、200T-1、200T-2‧‧‧子畫素結構 210‧‧‧主動元件層 220‧‧‧第一電極 222‧‧‧頂面 230‧‧‧第一堤岸層 230’、230”‧‧‧子堤岸 232‧‧‧第一開口 232a‧‧‧第一點 232b‧‧‧第二點 232c‧‧‧第五點 232d‧‧‧第六點 232s‧‧‧邊緣 232x、232y‧‧‧虛擬中心線 234、234’、234”‧‧‧頂面 240‧‧‧第二堤岸層 242‧‧‧第二開口 242a‧‧‧第三點 242b‧‧‧第四點 242c‧‧‧第七點 242d‧‧‧第八點 242s‧‧‧邊緣 242x、242y‧‧‧虛擬中心線 244‧‧‧頂面 250‧‧‧電洞注入層 260‧‧‧電洞傳輸層 270‧‧‧發光層 270a‧‧‧交界邊 272‧‧‧頂面 272a、272b‧‧‧點 280‧‧‧電子傳輸層 290‧‧‧電子注入層 300‧‧‧第二電極 302‧‧‧頂面 302a‧‧‧點 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’‧‧‧剖線 d1‧‧‧第一方向 d12、d13‧‧‧方向 d2‧‧‧第二方向 d3‧‧‧第三方向 H1‧‧‧第一距離 H2‧‧‧第二距離 L1、L2、L3、L4、L5、L5’‧‧‧寬度 T1‧‧‧第一距離 T1’、T1”、W1、W2、W3、W4‧‧‧距離 T2‧‧‧第二距離 d1‧‧‧第一偏移量 d2‧‧‧第二偏移量

圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖1B是根據圖1A的剖線A-A’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1C是根據圖1A的剖線C-C’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1D是根據圖1A的剖線B-B’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1E是根據圖1A的剖線D-D’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1F是圖1A的顯示面板的畫素結構200B的放大示意圖。圖2A是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖2B是根據圖2A的剖線E-E’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖3A是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖3B是根據圖3A的剖線F-F’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖4是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖5是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖6是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖7是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。

10‧‧‧顯示裝置

100‧‧‧基板

100a、100b‧‧‧邊緣

110‧‧‧內部區

120‧‧‧周邊區

200A‧‧‧第一畫素結構

200B、200F、200I、200L‧‧‧第二畫素結構

200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M‧‧‧第三畫素結構

220‧‧‧第一電極

230‧‧‧第一堤岸層

232‧‧‧第一開口

240‧‧‧第二堤岸層

242‧‧‧第二開口

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖線

d1‧‧‧第一方向

d12、d13‧‧‧方向

d2‧‧‧第二方向

d3‧‧‧第三方向

Claims

一種顯示裝置，包括：一基板，具有一內部區以及該內部區外的一周邊區；以及多個畫素結構，設置於該基板上，其中該些畫素結構的每一個包括：一第一電極；一第一堤岸層，設置於該第一電極上，且具有與部分之該第一電極重疊的一第一開口；一第二堤岸層，設置於該第一堤岸層上，且具有與該第一開口重疊的一第二開口；一發光層，設置於該部分的該第一電極上，且位於該第一堤岸層的該第一開口與該第二堤岸層的該第二開口；以及一第二電極，設置於該發光層上；其中，該些畫素結構包括設置於該內部區的一第一畫素結構以及設置於該周邊區的一第二畫素結構，且該第二畫素結構的一第一開口與該第二畫素結構的一第二開口在一第一方向上具有一第一偏移量，其中第二畫素結構的該第一開口與該第二畫素結構的該第二開口在一第二方向上具有一第二偏移量，且該第一方向與該第二方向交錯。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一畫素結構的一第一開口與該第一畫素結構的一第二開口在該第一方向上具有一第一偏移量，且該第二畫素結構的該第一偏移量大於該第一畫素結構的該第一偏移量。
如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中該些畫素結構還包括一第三畫素結構，該第一畫素結構、該第二畫素結構以及該第三畫素結構沿著由該基板之該內部區指向該基板之該周邊區的一方向依序排列；該第三畫素結構的一第一開口與該第三畫素結構的一第二開口在該第一方向上具有一第一偏移量，且該第三畫素結構的該第一偏移量大於該第二畫素結構的該第一偏移量。
一種顯示裝置，包括：一基板，具有一內部區以及該內部區外的一周邊區；以及多個畫素結構，設置於該基板上，其中該些畫素結構的每一個包括：一第一電極；一第一堤岸層，設置於該第一電極上，且具有與部分之該第一電極重疊的一第一開口；一第二堤岸層，設置於該第一堤岸層上，且具有與該第一開口重疊的一第二開口；一發光層，設置於該部分的該第一電極上，且位於該第一堤岸層的該第一開口與該第二堤岸層的該第二開口；以及一第二電極，設置於該發光層上；其中，該些畫素結構包括設置於該內部區的一第一畫素結構以及設置於該周邊區的一第二畫素結構，且該第二畫素結構的一第一開口與該第二畫素結構的一第二開口在一第一方向上具有一第一偏移量，其中該第二畫素結構之該第一開口的一邊緣具有在該第一方向上排列的一第一點及一第二點，該第一點較該第二點遠離該基板的一邊緣；該第二畫素結構之該第二開口之一邊緣具有在該第一方向上排列的一第三點及一第四點，該第三點較該第四點遠離該基板的該邊緣，該第二點與該第四點在該第一方向上的一距離大於該第一點與該第三點在該第一方向上的一距離。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一畫素結構的一第一開口與該第一畫素結構的一第二開口在該第二方向上具有一第二偏移量，且該第二畫素結構的該第二偏移量大於該第一畫素結構的該第二偏移量。
如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中該些畫素結構還包括一第三畫素結構，該第一畫素結構、該第二畫素結構以及該第三畫素結構沿著由該基板之該內部區指向該基板之該周邊區的一方向依序排列；該第三畫素結構的一第一開口與該第三畫素結構的一第二開口在該第二方向上具有一第二偏移量，且該第三畫素結構的該第二偏移量大於該第二畫素結構的該第二偏移量。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第二畫素結構之該第一開口的一邊緣具有在該第二方向上排列的一第五點及一第六點，該第五點較該第六點遠離該基板的一邊緣；該第二畫素結構之該第二開口之一邊緣具有在該第二方向上排列的一第七點及一第八點，該第七點較該第八點遠離該基板的該邊緣，該第五點與該第七點在該第二方向上的一距離大於該第六點與該第八點在該第二方向上的一距離。
一種顯示裝置，包括：基板，具有一內部區以及該內部區外的一周邊區；以及多個畫素結構，設置於該基板上，其中該些畫素結構的每一個包括：一第一電極；一第一堤岸層，設置於該第一電極上，且具有與部分之該第一電極重疊的一第一開口；一第二堤岸層，設置於該第一堤岸層上，且具有與該第一開口重疊的一第二開口；一發光層，設置於該部分的該第一電極上，且位於該第一堤岸層的該第一開口與該第二堤岸層的該第二開口；以及一第二電極，設置於該發光層上；其中，該些畫素結構包括設置於該內部區的一第一畫素結構以及設置於該周邊區的一第二畫素結構，且該第二畫素結構的一第一開口與該第二畫素結構的一第二開口在一第一方向上具有一第一偏移量，其中於垂直該基板的一第三方向上，該發光層的一頂面具有與該第二開口之中心重疊的一點，該點至該第一電極的頂面的距離為一第一距離，該發光層的該頂面與該第二堤岸層的一交界邊至該第一堤岸層的一頂面的距離為一第二距離，該第一距離小於或等於該第二距離，且該第二距離小於或等於20倍的該第一距離。
一種顯示裝置，包括：一基板，具有一內部區以及該內部區外的一周邊區；以及多個畫素結構，設置於該基板上，其中該些畫素結構的每一個包括：至少一第一電極；一第一堤岸層，設置於該第一電極上，且具有與部分之該至少一第一電極重疊的一至少一第一開口；一第二堤岸層，設置於該第一堤岸層上，且具有與該至少一第一開口重疊的一第二開口；一發光層，設置於該部分的該第一電極上，且位於該第一堤岸層的該至少一第一開口與該第二堤岸層的該第二開口；以及一第二電極，設置於該發光層上；其中，該些畫素結構包括設置於該內部區的一第一畫素結構以及設置於該周邊區的一第二畫素結構，該第二畫素結構之至少一第一開口於該基板上的一垂直投影面積大於該第一畫素結構之至少一第一開口於該基板上的一垂直投影面積。
如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中該第二畫素結構的至少一第一電極為彼此分離的多個第一電極，該第二畫素結構的至少一第一開口為彼此分離的多個第一開口，該第二畫素結構的該些第一電極分別與該第二畫素結構的該些第一開口重疊，而該第二畫素結構之該至少一第一開口於該基板上的該垂直投影面積為該第二畫素結構的該些第一開口於該基板上的多個垂直投影面積的和。
如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中該第二畫素結構的至少一第一開口與該第二畫素結構的一第二開口在一第一方向上具有一第一偏移量。
如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置，其中第二畫素結構的該至少一第一開口與該第二畫素結構的該第二開口在一第二方向上具有一第二偏移量，且該第一方向與該第二方向交錯。
如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中於垂直該基板的一第三方向上，該發光層的一頂面具有與該第二開口之中心重疊的一點，該點至該第一電極的頂面的距離為一第一距離，該發光層的該頂面與該第二堤岸層的一交界邊至該第一堤岸層的一頂面的距離為一第二距離，該第一距離小於或等於該第二距離，且該第二距離小於或等於20倍的該第一距離。
如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中該第二畫素結構之一第二開口於該基板上的一垂直投影面積大於該第一畫素結構之一第二開口於該基板上的一垂直投影面積。