TWI515890B - 有機發光顯示面板與其之製造方法 - Google Patents

Description

有機發光顯示面板與其之製造方法

本發明是有關於一種有機發光顯示面板。

一般之鏡面顯示器係在顯示面板上加一層反射層，使得顯示器具有鏡面效果。如此一來，在顯示面板未開啟時，鏡面顯示器呈現鏡面狀態，而當顯示面板開啟時，使用者不但可看到顯示面板所顯示的內容，同時也可看到自反射層反射的影像。

然而傳統的鏡面顯示器，其反射層通常會覆蓋顯示元件，因此顯示元件所發出的光在經過反射層後，亮度將大幅降低，因此往往需增加顯示元件的光輸出量以補償其損失。不過如此一來顯示面板的效率便會降低，且亦會消耗大量的功率。因此如何兼顧反射層之反射能力以及顯示元件的顯示能力，為業界急需解決的問題之一。

本發明之一態樣提供一種有機發光顯示面板，包含 基板、主動元件、保護層、反射層、平坦層、第一電極、畫素定義層、發光層與第二電極。主動元件設置於基板上。保護層覆蓋主動元件。反射層覆蓋至少部分之保護層。平坦層覆蓋反射層與保護層。第一電極設置於平坦層上。第一電極透過位於保護層以及平坦層中之第一開口接觸且電性連接於主動元件，其中第一電極於垂直投影方向上未與反射層重疊。畫素定義層覆蓋第一電極以及平坦層，且畫素定義層具有第二開口，以暴露出部分之第一電極。發光層設置於第一電極上，且位於第二開口內。第二電極覆蓋發光層以及畫素定義層。

在一實施方式中，第一電極與該反射層在垂直投影方向上係互補。

在一實施方式中，畫素定義層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycolmethylethylether；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)之組合。

在一實施方式中，畫素定義層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycolmethylethylether；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)之組合。

在一實施方式中，反射層之厚度實質上介於40奈 米(nm)至100 nm之間。

反射層之材質包含金屬、金屬合金或上述之任意組合。

在一實施方式中，主動元件包含圖案化半導體層、閘極介電層、閘極、介電層、源極與汲極。緩衝層設置於基板上。圖案化半導體層設置於基板上。圖案化半導體層具有半導體通道層、源極接觸部與汲極接觸部。閘極介電層覆蓋圖案化半導體層。閘極設置於閘極介電層上，且閘極於垂直投影方向上完全重疊於半導體通道層。介電層覆蓋閘極與閘極介電層。源極與汲極設置於部分之介電層上。源極接觸且電性連接於源極接觸部，且汲極透過接觸且電性連接於汲極接觸部。

在一實施方式中，圖案化半導體層之源極接觸部與汲極接觸部的材質包含P型摻雜多晶矽。

在一實施方式中，平坦層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycolmethylethylether；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)之組合。

在一實施方式中，平坦層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycolmethylethylether；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)之組 合。

本發明之另一態樣提供一種製造有機發光顯示面板的方法，包含下列步驟：提供基板。於基板上形成主動元件。形成保護層，保護層覆蓋主動元件。形成圖案化反射層。形成平坦層，平坦層覆蓋圖案化反射層與保護層。於平坦層與保護層中形成第一開口，第一開口暴露出主動元件之汲極。形成第一電極於平坦層上，第一電極透過第一開口接觸且電性連接於主動元件之汲極。形成畫素定義層，畫素定義層覆蓋平坦層與第一電極。於畫素定義層中形成第二開口，第二開口暴露出部分之第一電極。於第三開口中形成發光層。於畫素定義層上形成第二電極，第二電極接觸且電性連接至發光層。

在一實施方式中，第一電極於垂直投影方向上未與圖案化反射層重疊。

在一實施方式中，上述之形成主動元件之步驟包含：形成圖案化半導體層於基板上。形成閘極介電層覆蓋圖案化半導體層。形成閘極於閘極介電層上，閘極於垂直投影方向上部分重疊於圖案化半導體層。進行摻雜製程，以於未被閘極所遮蔽之圖案化半導體層中形成源極接觸部以及汲極接觸部，且於閘極所遮蔽之圖案化半導體層中形成半導體通道層。形成介電層覆蓋閘極。於介電層與閘極介電層中形成源極連通孔與汲極連通孔，以分別暴露出源極接觸部與汲極接觸部。形成源極與汲極於介電層上，其中源極與汲極分別透過源極連通孔與汲極連通孔，接觸且 電性連接至源極接觸部與汲極接觸部。

上述之鏡面顯示器，其先行製作反射層，再製作顯示元件(即上述之第一電極、畫素定義層、發光層與第二電極)，因此顯示元件所發出之光便不需經過反射層，也就不會損失其亮度。更甚者，第一電極與反射層於垂直投影方向呈現互補的關係，因此第一電極與反射層可合併成一鏡面結構，以達到鏡面反射的效果。

100‧‧‧基板

200‧‧‧主動元件

210‧‧‧緩衝層

220‧‧‧圖案化半導體層

222‧‧‧源極接觸部

224‧‧‧汲極接觸部

226‧‧‧半導體通道層

230‧‧‧閘極介電層

240‧‧‧閘極

250‧‧‧介電層

256‧‧‧源極連通孔

258‧‧‧汲極連通孔

260‧‧‧源極

270‧‧‧汲極

300‧‧‧保護層

302‧‧‧第一開口

400‧‧‧反射層

500‧‧‧平坦層

700‧‧‧畫素定義層

600‧‧‧第一電極

800‧‧‧發光層

702‧‧‧第二開口

900‧‧‧第二電極

第1圖為本發明實施方式之有機發光顯示面板的俯視圖。

第2~17圖為沿第1圖剖面線A-A之有機發光顯示面板的製造方法之示意圖。

以下將以圖式揭露本發明的複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖為本發明實施方式之有機發光顯示面板的俯視圖。第2~17圖為沿第1圖剖面線A-A之有機發光顯 示面板的製造方法之示意圖。應注意的是，為了清楚起見，第1圖僅繪示反射層400與第一電極600，其他元件皆已省略，合先敘明。其中第一電極600與反射層400之圖案在垂直投影方向上呈現互補，即第一電極600與反射層400之圖案呈現互補所形成之鏡面結構，於垂直投影方向上遮蔽第一電極600與反射層400以下的所有結構。然而第1圖的有機發光顯示面板之俯視設計僅用以說明，並不限於上述的圖式，只要第一電極600與反射層400之圖案在垂直投影方向上呈現互補，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，可依照實際需求適當變化設計。

請先參照第2圖。首先，提供基板100，並在基板100上形成緩衝層210。緩衝層210可完全覆蓋基板100，使得後續製程所形成的疊層結構能夠與基板100有較好的吸附力。基板100的材質可為玻璃、石英或矽基板。緩衝層210的材質可為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之任意組合。緩衝層210之形成方法可為物理氣相沉積法例如濺鍍法，或是化學氣相沉積法。

請參照第3圖。接著，在緩衝層210上形成圖案化半導體層220，例如是以微影與蝕刻製程對半導體層進行圖案化，而形成圖案化半導體層220。在本實施方式中，圖案化半導體層220的材質可包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體(organic semiconductor)、氧化物半導體(oxide semiconductor)或上述之任意組合，其形成方法可為物理氣相沉積法例如濺鍍法，或是化學氣相沉積法，而 圖案化上述之半導體層的方法則可為微影與蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。

請參照第4圖。然後，接續形成閘極介電層230覆蓋圖案化半導體層220與緩衝層210。閘極介電層230的材質可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之任意組合，而其形成方式例如為化學氣相沉積法。

請參照第5圖。之後，在閘極介電層230上形成閘極240，例如是以微影與蝕刻製程對第一金屬層(未繪示)進行圖案化，而形成閘極240。在本實施方式中，第一金屬層的材質可包含鈦、鉬、鉻、銥、鋁、銅、銀、金、鋅、銦、錠等上述之組合或合金，其形成方法可為物理氣相沉積法例如濺鍍法，或是化學氣相沉積法，而圖案化第一金屬層的方法則可為微影與蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。

請參照第6圖。接著，以閘極240為遮罩對圖案化半導體層220進行摻雜製程，以於未被閘極240所遮蔽之圖案化半導體層220中形成源極接觸部222以及汲極接觸部224，且於閘極240所遮蔽之圖案化半導體層220中形成半導體通道層226。具體而言，圖案化半導體層220的材質例如為非晶矽。在以閘極240為罩幕並進行摻雜製程後，圖案化半導體層220未被閘極240所遮蔽的區域形成P型摻雜非晶矽。再經過退火製程後，被閘極240所遮蔽的圖案化半導體層220則由非晶矽轉變成多晶矽，因此形成半導體通道層226。未被閘極240所遮蔽的區域則轉變成P 型摻雜多晶矽，而形成源極接觸部222以及汲極接觸部224。但本發明並不限定為P型摻雜，亦可為N型摻雜。

請參照第7圖。形成介電層250覆蓋閘極240與閘極介電層230。介電層250的材質可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之任意組合。介電層250的形成方式例如為化學氣相沉積法。

請參照第8圖。接著，在介電層250與閘極介電層230中形成源極連通孔256與汲極連通孔258，以分別暴露出源極接觸部222與汲極接觸部224。在本實施方式中，形成源極連通孔256與汲極連通孔258的方法可為微影與蝕刻法。

請參照第9圖。然後，在介電層250上形成源極260與汲極270，例如是以微影與蝕刻製程對第二金屬層(未繪示)進行圖案化，而形成源極260與汲極270。源極260透過源極連通孔256與源極接觸部222電性連接並接觸，且汲極270透過汲極連通孔258與汲極接觸部224電性連接並接觸。在本實施方式中，第二金屬層的材質可包含鈦、鉬、鉻、銥、鋁、銅、銀、金、鋅、銦、錠等上述之組合或合金，其形成方法可為物理氣相沉積法例如濺鍍法，或是化學氣相沉積法。圖案化第二金屬層的方法則可為微影與蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。

在此步驟完成後，圖案化半導體層220(即源極接觸部222、汲極接觸部224與半導體通道層226)、閘極介電層230、閘極240、介電層250、源極260與汲極270將共 同構成主動元件200。應了解到，本實施方式雖然將主動元件200繪示為頂閘型薄膜電晶體，但此並不限制本發明，實際上主動元件200亦可為其他形式的主動元件，例如底閘型薄膜電晶體，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇主動元件200的實施方式。

請參照第10圖。接著，依序形成保護層300與反射層400覆蓋主動元件200。在本實施方式中，保護層300的材質可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、有機材料或上述之任意組合。保護層300的形成方式可為化學氣相沉積法、物理氣相沉積法或旋塗法。反射層400的材質可為金屬、金屬合金或上式之任意組合。反射層400的形成方式可為物理氣相沉積法例如濺鍍法，或是化學氣相沉積法。反射層400的厚度實質上介於40奈米(nm)至100 nm之間，而較佳為介於60 nm至100 nm之間。

請參照第11圖，去除至少一部分位於主動元件200之汲極270上方的反射層400，其方式可為例如微影與蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。請參照第12圖。然後，形成平坦層500以覆蓋反射層400及保護層300，且於平坦層500及保護層300中形成第一開口302，以暴露出部分汲極270。在本實施方式中，形成第一開口302的方法可為微影與蝕刻法。在本實施方式中，平坦層500的形成方式可為例如旋塗法。

由於平坦層500位於反射層400的上方，為了使光線在經由反射層400的反射後，不致於損失其光強度，平 坦層500可選擇為光穿透率大於90%的材料，例如丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)與耦合劑(Coupling Agent)之組合，但不限於此。具體而言，平坦層500可為具20%~30%之丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、1%~10%之二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、55%~65%之二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、1%~10%之丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)與1%~5%之耦合劑(Coupling Agent)的組合。如上述之成分與比例所形成之平坦層500，其於400 nm波長的光穿透率可大於92.1%。

在其他實施方式中，平坦層500可為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)與耦合劑(Coupling Agent)之組合，但不限於此。具體而言，平坦層500可為具20%~30%之丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、1%~10%之二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、55%~65%之二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、1%~10%之 乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)與1%~5%之耦合劑(Coupling Agent)的組合。以上述之成分與比例所形成之平坦層500，其於400 nm波長的光穿透率可大於95.5%。

請參照第13圖。在平坦層500上形成第一電極600(例如為陽極)。第一電極600可透過第一開口302接觸且電性連接於汲極270。在本實施方式中，第一電極600可為單層或多層結構，其材質可為金屬(銀、鋁)、任何可反射光線之導電材料或上述之任意組合。形成第一電極600的方式可為例如微影與蝕刻法。

請參照第14圖。形成畫素定義層700覆蓋平坦層500與第一電極600。在本實施方式中，畫素定義層700的厚度可為約1.5um~5um。因畫素定義層700位於反射層400的上方，為了使光線在經由反射層400的反射後，不致於損失其光強度，畫素定義層700可選擇為光穿透率大於90%的材料，例如丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)與耦合劑(Coupling Agent)之組合，但不限於此。具體而言，畫素定義層700可為具20%~30%之丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、1%~10%之二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、55%~65%之二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、1%~10%之丙二醇甲醚醋酸酯 (Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)與1%~5%之耦合劑(Coupling Agent)的組合。如上述之成分與比例所形成之畫素定義層700，其於400 nm波長的光穿透率可大於92.1%。

在其他實施方式中，畫素定義層700可為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)與耦合劑(Coupling Agent)之組合，但不限於此。具體而言，畫素定義層700可為具20%~30%之丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、1%~10%之二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、55%~65%之二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)、1%~10%之乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)與1%~5%之耦合劑(Coupling Agent)的組合。如上述之成分與比例所形成之畫素定義層700，其於400 nm波長的光穿透率可大於95.5%。

請參照第15圖。在畫素定義層700中形成至少一第二開口702，以暴露出至少一部分之第一電極600。在本實施方式中，形成第二開口702的方法可為微影與蝕刻法。

請參照第16圖。接著，於第二開口702內形成發光層800，其中發光層800例如可由電洞傳輸層、有機發光材料層與電子傳輸層所組成，但不以此為限。

請參照第17圖。於畫素定義層700上形成第二電極900(例如為陰極)，且第二電極900透過第二開口702接 觸且電性連接至發光層800。在本實施方式中，第二電極900的材質可為薄金屬(銀、鋁)、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、任何透明導電材料或上述之任意組合。而第二電極900的形成方法可為物理氣相沉積法例如濺鍍法或蒸鍍法，或是化學氣相沉積法。藉由上述製程，可製作出本實施方式之有機發光顯示面板。

本實施方式之有機發光顯示面板為頂發光型顯示面板，因其反射層400位於發光層800的下方，因此自發光層800所發出的光不需通過反射層400，便不會有降低發光效率的問題。另一方面，因反射層400與第一電極600的材質皆具有反射光線的效果，且第一電極600與反射層400之圖案呈現互補而形成一鏡面結構。有機發光顯示面板可藉由此鏡面結構反射光線。另外，在本實施方式的平坦層500與畫素定義層700皆使用具高穿透率的材質，且第二電極900之材質亦為透明導電材料。因此被第一電極600與反射層400所反射的光，不致於因為通過平坦層500、畫素定義層700與第二電極900而損失其亮度。舉例而言，一般之有機發光顯示面板，因其反射層(例如為半穿反金屬)位於有機發光元件的上方，因此有機發光元件發出的光在經過半穿反金屬後，其光強度會損失約70~85%。然而在本實施方式之有機發光顯示面板中，因發光層800上方不存在反射層400或第一電極600，因此發光層800發出之光不會被遮蔽，也就不會有發光損耗的問題存在。

請同時參閱第1圖以及第13圖。在本實施方式中， 第一電極600於垂直投影方向上未與反射層400重疊，且第一電極600與反射層400之圖案在垂直投影方向上呈現互補。換句話說，第一電極600與反射層400之圖案呈現互補所形成之鏡面結構，於垂直投影方向上遮蔽第一電極600與反射層400以下的所有結構。第一電極600與反射層400之間於垂直投影方向不具有實質間隙，因此使用者觀看此鏡面結構便不會產生不適感，然而本發明不以此為限。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧基板

200‧‧‧主動元件

270‧‧‧汲極

300‧‧‧保護層

302‧‧‧第一開口

400‧‧‧反射層

500‧‧‧平坦層

600‧‧‧第一電極

700‧‧‧畫素定義層

702‧‧‧第二開口

800‧‧‧發光層

900‧‧‧第二電極

Claims (13)

1. 一種有機發光顯示面板，包含：一基板；一主動元件，設置於該基板上；一保護層，覆蓋該主動元件；一反射層，覆蓋至少部分之該保護層；一平坦層，覆蓋該反射層與該保護層；一第一電極，設置於該平坦層上，該第一電極透過位於該保護層以及該平坦層中之一第一開口接觸且電性連接於該主動元件，其中該第一電極於一垂直投影方向上未與該反射層重疊；一畫素定義層，覆蓋該第一電極以及該平坦層，且該畫素定義層具有一第二開口，以暴露出部分之該第一電極；一發光層，設置於該第一電極上，且位於該第二開口內；以及一第二電極，覆蓋該發光層以及該畫素定義層。
2. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該第一電極與該反射層之圖案在該垂直投影方向上係呈現互補。
3. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該畫素定義層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)與乙酸丁酯 (n-Butyl acetate；BA)之組合。
4. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該畫素定義層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)之組合。
5. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該反射層之厚度實質上介於40奈米(nm)至100nm之間。
6. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該反射層之材質包含金屬、金屬合金或上述之任意組合。
7. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該主動元件包含：一圖案化半導體層，設置於該基板上，該圖案化半導體層具有一半導體通道層、一源極接觸部與一汲極接觸部；一閘極介電層，覆蓋該圖案化半導體層；一閘極，設置於該閘極介電層上，且該閘極於該垂直投影方向上完全重疊於該半導體通道層；一介電層，覆蓋該閘極與該閘極介電層；以及一源極與一汲極，設置於部分之該介電層上，其中該 源極接觸且電性連接於該源極接觸部，且該汲極接觸且電性連接於該汲極接觸部。
8. 如請求項7所述之有機發光顯示面板，其中該圖案化半導體層之該源極接觸部與該汲極接觸部的材質包含P型摻雜多晶矽。
9. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該平坦層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate；BA)之組合。
10. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該平坦層之材質為丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester；NQD Ester)、二苷醇***(Diethyleneglycol methylethylether；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate；PGMEA)之組合。
11. 一種製造有機發光顯示面板的方法，包含下列步驟：提供一基板；於該基板上形成一主動元件； 依序形成一保護層，該保護層覆蓋該主動元件；形成一圖案化反射層；形成一平坦層，該平坦層覆蓋該圖案化反射層與該保護層；於該平坦層與該保護層中形成一第一開口，該第一開口暴露出該主動元件之一汲極；形成一第一電極於該平坦層上，該第一電極透過該第一開口接觸且電性連接於該主動元件之該汲極；形成一畫素定義層，該畫素定義層覆蓋該平坦層與該第一電極；於該畫素定義層中形成一第二開口，該第二開口暴露出部分之該第一電極；於該第二開口中形成一發光層；以及於該畫素定義層上形成一第二電極，該第二電極接觸且電性連接該發光層。
12. 如請求項11所述之製造有機發光顯示面板的方法，其中該第一電極於一垂直投影方向上未與該圖案化反射層重疊。
13. 如請求項11所述之製造有機發光顯示面板的方法，其中形成該主動元件之步驟包含：形成一圖案化半導體層於該基板上；形成一閘極介電層覆蓋該圖案化半導體層； 形成一閘極於該閘極介電層上，該閘極於垂直投影方向上部分重疊於該圖案化半導體層；進行一摻雜製程，以於未被該閘極所遮蔽之該圖案化半導體層中形成一源極接觸部以及一汲極接觸部，且於該閘極所遮蔽之該圖案化半導體層中形成一半導體通道層；形成一介電層覆蓋該閘極；於該介電層與該閘極介電層中形成一源極連通孔與一汲極連通孔，以分別暴露出該源極接觸部與該汲極接觸部；以及形成一源極與該汲極於該介電層上，其中該源極與該汲極分別透過該源極連通孔與該汲極連通孔，接觸且電性連接至該源極接觸部與該汲極接觸部。