TWI679792B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板包括主動元件陣列基板、隔離結構層、第一發光材料層以及第二發光材料層。主動元件陣列基板具有顯示區及圍繞顯示區的周邊區。隔離結構層配置於主動元件陣列基板上。顯示面板具有至少由隔離結構層定義出來的第一凹槽及第二凹槽。第一凹槽與第二凹槽設置於周邊區，且顯示區位於第一凹槽與第二凹槽之間。第一發光材料層及第二發光材料層分別填於第一凹槽及第二凹槽中。隔離結構層定義第一凹槽的邊緣與顯示區的邊緣之間的最短距離實質上等於隔離結構層定義第二凹槽的邊緣與顯示區的邊緣之間的最短距離。第一發光材料層的體積大於第二發光材料層的體積。一種顯示面板的製造方法亦被提出。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種自發光的顯示面板及其製造方法。

近年來，相較於目前主流的液晶顯示面板，有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）顯示面板因具有高色彩飽和度、應答速度快及高對比的性能表現，逐漸吸引各科技大廠的投資目光。然而，在其製造成本偏高及使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，即使OLED顯示面板具有上述優異的顯示品質，在消費端的市占率仍無法明顯提升。

為了尋求較低成本的製造方法，生產設備及相關材料的開發是許多製造商的努力方向之一，其中運用噴墨印刷（Inkjet printing，IJP）技術來製作發光材料層更是研究重點之一。由於發光材料需透過印刷噴頭（printing head）滴入或注入對應的凹槽中，因此發光材料需溶解於適合的溶劑才能進行噴吐。然而，在噴墨印刷的過程中，已噴塗在基板上的液滴，其溶劑會持續揮發，使得依序噴吐在不同區域的液滴具有不同的揮發程度，造成發光材料層在不同區域的成膜厚度也不同，進而影響顯示面板的發光均勻性。因此，如何克服上述技術瓶頸是目前科技廠所亟欲解決的課題。

本發明提供一種顯示面板，其發光均勻性佳。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，其生產良率高。

本發明的顯示面板，包括主動元件陣列基板、隔離結構層、第一發光材料層以及第二發光材料層。主動元件陣列基板具有顯示區及圍繞顯示區的周邊區。隔離結構層配置於主動元件陣列基板上。顯示面板具有至少由隔離結構層定義出來的第一凹槽及第二凹槽。第一凹槽與第二凹槽設置於周邊區，且顯示區位於第一凹槽與第二凹槽之間。第一發光材料層及第二發光材料層配置於主動元件陣列基板上，且分別填於第一凹槽及第二凹槽中。隔離結構層定義第一凹槽的邊緣與顯示區的邊緣之間的最短距離實質上等於隔離結構層定義第二凹槽的邊緣與顯示區的邊緣之間的最短距離。第一發光材料層的體積大於第二發光材料層的體積。

本發明的顯示面板的製造方法，包括提供主動元件陣列基板、在主動元件陣列基板上形成隔離結構材料層、進行蝕刻步驟以及進行噴墨印刷製程。主動元件陣列基板具有顯示區及圍繞顯示區的周邊區。蝕刻步驟包括移除隔離結構材料層重疊於周邊區且位於顯示區相對兩側的兩部分，以形成定義第一凹槽及第二凹槽的隔離結構層。噴墨印刷製程包括依序在第一凹槽及第二凹槽內噴塗第一液滴及第二液滴。第一液滴的液滴量大於第二液滴的液滴量。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一凹槽具有第一深度，第二凹槽具有第二深度，且第一深度大於第二深度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括平坦層。平坦層設置於主動元件陣列基板與隔離結構層之間。第一凹槽延伸貫穿隔離結構層並伸入平坦層。第二凹槽至少延伸於隔離結構層中。平坦層在第一凹槽下方的部分所具有的厚度小於在第二凹槽下方的部分所具有的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的隔離結構層定義出第一凹槽的部分具有第一厚度，而隔離結構層定義出第二凹槽的部分具有第二厚度，且第一厚度大於第二厚度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括虛設圖案，設置於第二凹槽內，且位於第二發光材料層下方。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第一電極，設置於顯示區。第一電極位於主動元件陣列基板與隔離結構層之間。虛設圖案位於主動元件陣列基板與第二發光材料層之間，且虛設圖案及第一電極屬於同一膜層。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一凹槽於主動元件陣列基板上的垂直投影面積大於第二凹槽於主動元件陣列基板上的垂直投影面積。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一發光材料層的厚度大於第二發光材料層的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第三發光材料層，配置於主動元件陣列基板上，且位於顯示區中。第三發光材料層的體積大於第二發光材料層的體積，且小於第一發光材料層的體積。隔離結構層更在顯示區中定義出第三凹槽，且第三發光材料層填於第三凹槽中。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第三發光材料層，配置於該主動元件陣列基板上。隔離結構層更在周邊區中定義出第三凹槽。第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽環繞顯示區，且第三發光材料層填於第三凹槽中。第三發光材料層的體積大於第二發光材料層的體積，且小於第一發光材料層的體積。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一發光材料層與第二發光材料層各自的厚度由中央向邊緣逐漸增加。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一發光材料層及第二發光材料層於主動元件陣列基板上的垂直投影在第一方向上分別具有第一寬度及第二寬度，且第一寬度大於第二寬度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的蝕刻步驟更包括移除隔離結構材料層重疊於顯示區的部分，以形成第三凹槽。噴墨印刷製程更包括於噴塗第一液滴之後且噴塗第二液滴之前，在第三凹槽噴塗第三液滴。第三液滴的液滴量大於第二液滴的液滴量，且小於第一液滴的液滴量。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括進行乾燥烘烤步驟，使第一液滴及第二液滴各自固化而形成發光材料層。位於第一凹槽內的發光材料層的體積大於位於第二凹槽的發光材料層的體積。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法，其中主動元件陣列基板還具有平坦層。蝕刻步驟更包括移除平坦層重疊於隔離結構材料層的兩部分的其中至少一者的部分。在進行蝕刻步驟後，平坦層在第一凹槽下方的部分所具有的厚度小於在第二凹槽下方的部分所具有的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括於主動元件陣列基板上形成虛設圖案。虛設圖案設置於第二凹槽內，且第二液滴覆蓋虛設圖案。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法中，在進行蝕刻步驟後，第一凹槽所占區域在第一方向上具有第一寬度。第二凹槽所占區域在第一方向上具有第二寬度，且第一寬度大於第二寬度。

基於上述，在本發明之實施例的顯示面板中，於周邊區上設置第一凹槽與第二凹槽，這兩凹槽分別設置在顯示區兩側，且填入位於顯示區一側之第一凹槽內的發光材料層的體積大於填入位於顯示區另一側之第二凹槽內的發光材料層的體積。如此，有助於提升設置在顯示區內的發光材料層的膜厚均勻性，進而達到較佳的發光均勻度。此外，本發明之實施例的顯示面板的製造方法中，在第一凹槽內噴塗發光材料液滴的步驟早於在第二凹槽內噴塗發光材料液滴，且噴入第一凹槽的液滴量大於噴入第二凹槽內的液滴量，這有助於改善噴塗在顯示區的發光材料液滴的揮發速率不均勻的情形，以提升位於顯示區之不同凹槽內的發光材料層的膜厚均勻性，進而提高生產良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1為本發明之第一實施例的顯示面板10的上視示意圖。圖2A至圖2F為圖1的顯示面板10的製造流程的剖面示意圖。圖2A至圖2E對應圖1的剖線A-A’、剖線B-B’及剖線C-C’，圖2F對應圖1的剖線A-A’、剖線C-C’及剖線D-D’。圖3為圖1的顯示面板10的剖面示意圖。需說明的是，為清楚呈現起見，圖1僅繪示出顯示面板10的隔離結構層181及基板110，而顯示面板10所包括的其他可能構件將於圖2A至圖2F示出。由圖1可知，基板110具有顯示區AA及圍繞顯示區AA的周邊區PA。隔離結構層181在周邊區PA中定義出多個第一凹槽及多個第二凹槽，多個第一凹槽例如包括凹槽181a，多個第二凹槽例如包括凹槽181b，而在顯示區AA中定義出多個第三凹槽，多個第三凹槽例如包括凹槽181c，其中顯示面板10進行顯示時顯示區AA中的凹槽181c所在區域可以發出光線以呈現畫面。以下將針對圖1所示的顯示面板10的製造流程進行示範性地說明。

請參照圖2A，首先，提供一主動元件陣列基板100，其中主動元件陣列基板100包括基板110、主動元件T以及閘絕緣層130。主動元件T配置於基板110上，且具有閘極G、源極S、汲極D以及半導體圖案SC。閘絕緣層130配置在半導體圖案SC與閘極G之間。舉例而言，在本實施例中，主動元件T的閘極G可選擇性地配置在半導體圖案SC的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體（top-gate TFT），但本發明並不以此為限。根據其他的實施例，主動元件T的閘極G也可配置在半導體圖案SC的下方，即閘極G位於半導體圖案SC與基板110之間，以形成底部閘極型薄膜電晶體（bottom-gate TFT）。在本實施例中，主動元件陣列基板100還可選擇性地包括緩衝層120，設置於基板110與主動元件T之間。另外，主動元件T所在區域例如為預定要顯示畫面的區域，因此，可理解，主動元件T都位在圖1的顯示區AA中，而周邊區PA可視為沒有主動元件T的區域。

在本實施例中，半導體圖案SC可包括源極區SR、輕摻雜源極區LSR、通道區CH、輕摻雜汲極區LDR以及汲極區DR，輕摻雜源極區LSR位於源極區SR與通道區CH之間，輕摻雜汲極區LDR位於通道區CH與汲極區DR之間，且閘極G重疊於半導體圖案SC的通道區CH，但本發明並不以此為限。根據其他的實施例，半導體圖案SC可僅包括源極區SR、通道區CH及汲極區DR。

承接上述，主動元件陣列基板100更包括層間絕緣層140，配置於閘絕緣層130上，且覆蓋主動元件T的閘極G。主動元件T的源極S與汲極D配置在層間絕緣層140上，且分別重疊於半導體圖案SC的不同兩區。詳細而言，主動元件T的源極S與汲極D都貫穿層間絕緣層140以及閘絕緣層130，以分別電性連接半導體圖案SC的源極區SR與汲極區DR。

在本實施例中，半導體圖案SC的材質例如是低溫多晶矽（low temperature poly-silicon，LTPS）半導體，也就是說，主動元件T可以是低溫多晶矽薄膜電晶體（LTPS TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，主動元件T也可以是非晶矽薄膜電晶體（Amorphous Silicon TFT，a-Si TFT）、微晶矽薄膜電晶體（micro-Si TFT）或金屬氧化物電晶體（Metal Oxide Transistor）。

主動元件陣列基板100更包括絕緣層150及平坦層160。絕緣層150覆蓋主動元件T的源極S、汲極D以及層間絕緣層140的部分表面，並可選擇性地具有重疊於主動元件T之汲極D的開口150a。平坦層160覆蓋絕緣層150與汲極D的部分表面。

需說明的是，閘極G、源極S、汲極D、閘絕緣層130、層間絕緣層140、絕緣層150及平坦層160分別可由任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板的任一閘極、任一源極、任一汲極、任一閘絕緣層、任一層間絕緣層、任一絕緣層及任一平坦層來實現，且閘極G、源極S、汲極D、閘絕緣層130、層間絕緣層140、絕緣層150及平坦層160分別可藉由任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法來形成，故於此不加以贅述。

接著，在主動元件陣列基板100上形成多個第一電極171，排列於顯示區AA。多個第一電極171設置在平坦層160上，且分別貫穿平坦層160與對應的主動元件T的汲極D電性連接。具體來說，圖2A雖為了圖面的清晰僅繪示一個主動元件T，但基板110上可形成有多個主動元件T，而各個第一電極171可以對應地連接其中一個主動元件T。在部分實施例中，第一電極171例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，第一電極171也可以是反射式電極，反射式電極的材質包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

另一方面，主動元件陣列基板100還可選擇性地包括多條訊號線，例如包括訊號線SL1及訊號線SL2，其中訊號線SL1例如是掃描線、資料線或電源線，訊號線SL2例如是周邊走線，但本發明並不以此為限。在本實施例中，基於導電性的考量，訊號線SL1及訊號線SL2的材料一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，訊號線SL1及訊號線SL2也可使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

請參照圖2B，接著，在主動元件陣列基板100上形成隔離結構材料層180。隔離結構層180覆蓋第一電極171及平坦層160的部分表面。請參照圖2C，在形成隔離結構材料層180後，進行一蝕刻步驟，移除隔離結構材料層180的多個部分以形成顯示面板10的隔離結構層181及至少由隔離結構層181所定義的多個凹槽。在本實施例中，蝕刻步驟還可選擇性地包括移除平坦層160在重疊於隔離結構材料層180之所述多個部分的至少一部分，但本發明並不以此為限。

由圖1可知，多個凹槽可陣列排列於基板110上，而多個凹槽例如包括凹槽181a、凹槽181b及凹槽181c，其中凹槽181c設置於基板110的顯示區AA，且凹槽181a及凹槽181b分別設置於顯示區AA相對兩側的周邊區PA。每一凹槽所占區域於基板110上的垂直投影面積大致上可選擇性地相同，但本發明並不以此為限。另外，隔離結構層181定義凹槽181a的邊緣與顯示區AA所占區域的邊緣於基板110上的垂直投影之間的最短距離S1實質上等於隔離結構層181定義凹槽181b的邊緣與顯示區AA所占區域的邊緣於基板110上的垂直投影之間的最短距離S2。所有的凹槽181c都位在顯示區AA內且所有的凹槽181a與凹槽181b都不在顯示區AA內。

請參照圖2C，在本實施例中，位於周邊區PA的凹槽181a與凹槽181b都可延伸貫穿隔離結構層181，而位於顯示區AA的凹槽181c也延伸貫穿隔離結構層181並暴露出第一電極171的部分表面。此外，凹槽181a還可選擇性地伸入平坦層160。舉例而言，平坦層160在凹槽181a下方的部分所具有的厚度t1小於平坦層160在凹槽181b下方的部分所具有的厚度t2，但本發明並不以此為限。換句話說，凹槽181a在垂直基板110的方向上所具有的深度d1大於凹槽181b在垂直基板110的方向上所具有的深度d2。

在一些實施例中，位在周邊區PA的多個凹槽也可不貫穿隔離結構層181，不過凹槽181a的深度d1仍大於凹槽181b的深度d2。也就是說，隔離結構層181在凹槽181a下方的部分所具有的厚度小於隔離結構層181在凹槽181b下方的部分所具有的厚度。如此，凹槽181a相較於凹槽181b而言具有較大的深度，因此能提供較大的容置空間。

在蝕刻步驟完成後，進行噴墨印刷製程，依序在多個凹槽中噴塗欲形成為發光結構的液滴。舉例而言，請參照圖1，噴墨印刷製程可由顯示面板10的其中一個角落開始，先沿製程路徑P1橫越整個顯示面板10的寬度並在製程路徑P1上的各個凹槽內滴入液滴，接著沿製程路徑P2進行同樣的流程，直到沿製程路徑Pn橫越整個顯示面板10的寬度並在製程路徑Pn上的各個凹槽內滴入液滴後，即可在整個顯示面板10上的所有凹槽內都填入液滴。在本實施例中，相鄰兩個製程路徑（例如製程路徑P1與製程路徑P2）的方向為相同，但在其他實施例中，相鄰兩個製程路徑的方向可為相反。

換言之，請參照圖2D，本實施例的噴墨印刷製程例如是依序在凹槽181a、凹槽181c及凹槽181b中噴塗液滴LD1、液滴LD2及液滴LD3。由圖2D可知，液滴LD1的液滴量大於液滴LD3的液滴量。在本實施例中，液滴LD1的液滴量可選擇性地大於液滴LD2的液滴量，且液滴LD3的液滴量可選擇性地小於液滴LD2的液滴量，但本發明並不以此為限。在噴墨印刷的過程中，搭載液滴之液體的噴頭係先在凹槽181a內進行噴塗，才接著在凹槽181c內進行噴塗，再於凹槽181b內進行噴塗。也就是說，位於周邊區PA的凹槽181a與181b中，先被噴塗的會被滴入較多量的液滴，而後被噴塗的會被滴入相對較少量的液滴。另外，位於顯示區AA的凹槽181c可被滴入恆定量的液滴，並不因噴墨步驟的順序而變化。

在本實施例中，液滴LD1、液滴LD2及液滴LD3的材質可選擇性地包括發光結構材料及溶劑，其中發光結構材料例如包括電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料、電子傳輸材料及電子注入材料，溶劑例如是可用以溶解發光結構材料且具有揮發性的液體。詳細而言，在噴墨印刷的過程中，由於先進行噴塗的凹槽181a被滴入較多液滴量的液滴LD1，容納於凹槽181a中的揮發性溶劑也較多。在凹槽181a內被滴入液滴LD1後，直到所有凹槽都被滴入液滴的期間，凹槽181a內的液滴LD1的揮發性溶劑可能會揮發。因為容納於凹槽181a中揮發性溶劑較多，可在凹槽181a附近產生較大的蒸氣壓。如此，顯示區AA內鄰近於凹槽181a的凹槽181c雖較顯示區AA內其他區域的凹槽181c更早被噴塗了液滴LD2，其液滴LD2不容易在這段期間因溶劑的揮發而過早乾燥。因此，顯示區AA內的多個凹槽181c雖在不同時間被滴入液滴LD2，但完成噴墨印刷製程後，所有凹槽181c內的液滴LD2所具有的溶劑含量差異不大。如此，有助於提升位於不同區域的發光結構材料在乾燥後的成膜均勻性。

請參照圖2E，接著，進行乾燥及烘烤步驟，使滴入或注入每一凹槽的液滴其溶劑能揮發去除，並使發光結構材料固化而形成對應的發光材料層190。在本實施例中，形成在凹槽181a中的發光材料層190的體積大於形成在凹槽181b中的發光材料層190的體積。另外，形成在凹槽181c中的發光材料層190的體積可選擇性地小於形成在凹槽181a中的發光材料層190的體積，且可選擇性地大於形成在凹槽181b中的發光材料層190的體積，但本發明並不以此為限。

從另一觀點而言，在本實施例中，位於凹槽181a中的發光材料層190所具有的最小厚度t3可選擇性地大於位於凹槽181b中的發光材料層190所具有的最小厚度t4，但本發明並不以此為限。值得一提的是，發光材料層190的厚度由中央向邊緣逐漸增加，也就是說，發光材料層190在靠近凹槽邊緣的部分所具有的厚度大於在遠離凹槽邊緣的部分所具有的厚度。

請參照圖1及圖2F，隔離結構層181於周邊區PA中所定義的多個凹槽還包括凹槽181d，其中凹槽181a、凹槽181b及凹槽181d分別位於周邊區PA的不同部份且環繞顯示區AA。舉例而言，在圖2D所述的噴墨印刷的過程中，液滴噴塗的順序依序為凹槽181a、凹槽181d及凹槽181b，並且填於凹槽181d中的發光材料層190的體積大於填於凹槽181b中的發光材料層190的體積，且小於填於凹槽181a中的發光材料層190的體積。在部分實施例中，填於凹槽181d中的發光材料層190的體積可選擇性地小於填於凹槽181c中的發光材料層190。在另一部分實施例中，填於凹槽181d中的發光材料層190的體積也可大於填於凹槽181c中的發光材料層190。

由圖3可知，在本實施例中，顯示面板10具有形成於凹槽181a、181b與181c中的多個發光結構200。各發光結構200可包括依序堆疊於第一電極171上的電洞注入層191、電洞傳輸層192、發光層193及電子傳輸層194，其中電洞注入層191、電洞傳輸層192及發光層193各自可採用圖2D與2E中的發光材料層190的製作方式製作而成。舉例而言，在本實施例中，電洞注入層191、電洞傳輸層192、發光層193的形成方式各自包括先將對應的發光結構材料以噴墨的方式滴入或注入隔離結構層181所定義的多個凹槽，再將滴入或注入的材料進行乾燥固化而形成對應的膜層。需說明的是，本發明並不加以限定透過噴墨印刷製程所形成的發光材料層的種類及數量，任何所屬技術領域中具有通常知識者可依據發光材料的製程特性及需求，調整適於採用噴墨印刷方式進行成膜的發光材料層的數量。

特別一提的是，在顯示面板10的製造流程中，電洞注入層191固化後才進行電洞傳輸層192的噴墨印刷步驟，且在電洞傳輸層192固化後才進行發光層193的噴墨印刷步驟。如此，電洞注入層191、電洞傳輸層192及發光層193各自的厚度可藉由噴墨印刷的步驟來控制，且電洞注入層191、電洞傳輸層192及發光層193的材料彼此不會在噴墨印刷的過程中發生混染。另外，電洞注入層191、電洞傳輸層192及發光層193的堆疊在此僅是舉例說明之用，在其他的實施例中，電洞注入層191、電洞傳輸層192及發光層193的任相鄰兩層之間可選擇性地包含有一或多層其他的膜層。

另一方面，在噴墨印刷製程及乾燥烘烤步驟後，還可利用例如熱蒸鍍（thermal evaporation）的方式於發光層193上形成電子傳輸層194，以完成多層堆疊的發光結構200。在一些實施例中，電子傳輸層194也可透過類似圖2D與圖2E的噴墨印刷的方式形成於發光層193上。接著，在隔離結構層181及發光結構200上形成第二電極172，第二電極172覆蓋隔離結構層181及發光結構200。詳細而言，在本實施例中，第二電極172可連續地由隔離結構層181上方，順應於隔離結構層181的側壁延伸至發光結構200上方並且覆蓋發光結構200。特別是，在一些實施例中，第二電極172可與發光結構200上的電子傳輸層194採用相同的製作方式形成，例如熱蒸鍍。第二電極172可具有大致均勻的膜層厚度。

承接上述，在本實施例中，第二電極172例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，第二電極172也可以是反射式電極，反射式電極的材質包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。於此，便完成本實施例的顯示面板10。

由圖1及圖3可知，顯示面板10包括主動元件陣列基板100、隔離結構層181、第一電極171、發光結構200及第二電極172。隔離結構層181在顯示面板10中定義出多個凹槽，而發光結構200填於各個凹槽中。多個凹槽例如包括凹槽181a、凹槽181b及凹槽181c。填於凹槽181c的發光結構200都夾於第一電極171與第二電極172之間且可經由主動元件T的驅動而發光以作為顯示元件之用。因此，凹槽181c所在區域可以視為顯示區AA。填於凹槽181a與凹槽181b的發光結構200都不用作顯示元件。因此，凹槽181a及凹槽181b所在區域可以視為周邊區PA，且凹槽181a及凹槽181b分別位於顯示區AA相對兩側。由於發光結構200中的發光層193可採有機發光材料製作，顯示面板10實質上為有機發光顯示面板。

在本實施例中，第一電極171與第二電極172例如其中一者是光穿透式電極層，而另一者可以是光穿透式電極層或反射式電極層。發光結構200包括依序堆疊於第一電極171上的電洞注入層191、電洞傳輸層192、發光層193及電子傳輸層194。本實施例的顯示面板10例如是頂發光（top emission）型態的顯示面板。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，顯示面板10也可以是底發光（bottom emission）型態的顯示面板。

在此，顯示區AA的邊緣例如由位於最外圍的凹槽181b的外邊緣所界定，也可能為位於最外圍的凹槽181b與鄰近的凹槽181a或181b之間的交界處。隔離結構層181定義凹槽181a的邊緣與顯示區AA的邊緣之間的最短距離S1實質上等於隔離結構層181定義凹槽181b的邊緣與顯示區AA的邊緣之間的最短距離S2。此外，位於凹槽181a中的發光材料層的體積大於位於凹槽181b中的發光材料層的體積。也就是說，如果凹槽181a、181b與181c可以採等間隔、等間距的方式設置。不過，凹槽181a、181b與181c內所填的發光結構200的體積可以不相同。

圖4為本發明之第二實施例的顯示面板20的剖線示意圖。請參照圖4，本實施例的顯示面板20與圖2F的顯示面板10的差異在於：顯示面板20還可選擇性地包括虛設圖案175，設置於凹槽181b內，且位於發光結構200下。此外，顯示面板20的多個凹槽僅由隔離結構層181定義。也就是說，顯示面板20的製造方法還可選擇性地包括於主動元件陣列基板100上形成虛設圖案175。

在本實施例中，虛設圖案175的材質可包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。另外，虛設圖案175及第一電極171可選擇性地屬於同一膜層，且彼此間隔開來，也就是說，虛設圖案175電性獨立於第一電極171。

圖5為本發明之第三實施例的顯示面板30的剖線示意圖。請參照圖5，本實施例的顯示面板30與圖2F的顯示面板10的差異在於：顯示面板30的隔離結構層181-1定義凹槽181a的部分具有厚度t5，而隔離結構層181-1定義凹槽181b的部分具有厚度t6，且厚度t5大於厚度t6。

圖6為本發明之第四實施例的顯示面板40的上視示意圖。圖7為圖6的顯示面板40的剖面示意圖。請參照圖6及圖7，本實施例的顯示面板40與圖2F的顯示面板10的差異在於：顯示面板40的隔離結構層181-2所定義的凹槽181a所占區域於主動元件陣列基板100上的垂直投影面積大於凹槽181b所占區域於主動元件陣列基板100上的垂直投影面積。

舉例而言，凹槽181a所占區域在基板110上的垂直投影在方向z上具有寬度W1，凹槽181b所占區域在基板110上的垂直投影在方向z上具有寬度W2，而寬度W1可選擇性地大於寬度W2。換句話說，填於凹槽181a的發光材料層190於基板110上的垂直投影在方向z上的寬度可選擇性地大於填於凹槽181b的發光材料層190於基板110上的垂直投影在方向z上的寬度。

綜上所述，在本發明之實施例的顯示面板中，於周邊區上設置第一凹槽及第二凹槽，這兩凹槽分別設置在顯示區兩側，且填入位於顯示區一側之第一凹槽內的發光材料層的體積大於填入位於顯示區另一側之第二凹槽內的發光材料層的體積。如此，有助於提升設置在顯示區的發光材料層的膜厚均勻性，進而達到較佳的發光均勻度。此外，本發明之實施例的顯示面板的製造方法中，在第一凹槽內噴塗發光材料液滴的的步驟早於在第二凹槽內噴塗發光材料液滴，且噴入第一凹槽的液滴量大於噴入第二凹槽內的液滴量，這有助於改善噴塗在顯示區的發光材料液滴的揮發速率不均勻的情形，以提升位於顯示區之不同凹槽內的發光材料層的膜厚均勻性，進而提高生產良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40‧‧‧顯示面板

100‧‧‧主動元件陣列基板

110‧‧‧基板

120‧‧‧緩衝層

130‧‧‧閘絕緣層

140‧‧‧層間絕緣層

150‧‧‧絕緣層

150a‧‧‧開口

160‧‧‧平坦層

171‧‧‧第一電極

172‧‧‧第二電極

175‧‧‧虛設圖案

180‧‧‧隔離結構材料層

181、181-1、181-2‧‧‧隔離結構層

181a、181b、181c‧‧‧凹槽

190‧‧‧發光材料層

191‧‧‧電洞注入層

192‧‧‧電洞傳輸層

193‧‧‧發光層

194‧‧‧電子傳輸層

200‧‧‧發光結構

AA‧‧‧顯示區

CH‧‧‧通道區

D‧‧‧汲極

DR‧‧‧汲極區

d1、d2‧‧‧深度

G‧‧‧閘極

LDR‧‧‧輕摻雜汲極區

LD1~LD3‧‧‧液滴

LSR‧‧‧輕摻雜源極區

PA‧‧‧周邊區

S‧‧‧源極

SC‧‧‧半導體圖案

SL1、SL2‧‧‧訊號線

SR‧‧‧源極區

S1、S2‧‧‧距離

T‧‧‧主動元件

t1、t2、t3、t4、t5、t6‧‧‧厚度

W1、W2‧‧‧寬度

z‧‧‧方向

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’‧‧‧剖線

P1、P2、Pn‧‧‧製程路徑

圖1為本發明之第一實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖2A至圖2F為圖1的顯示面板的製造流程的剖面示意圖。 圖3為圖1的顯示面板的剖面示意圖。 圖4為本發明之第二實施例的顯示面板的剖線示意圖。 圖5為本發明之第三實施例的顯示面板的剖線示意圖。 圖6為本發明之第四實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖7為圖6的顯示面板的剖面示意圖。

Claims (16)

1. 一種顯示面板，包括：一主動元件陣列基板，具有一顯示區及圍繞該顯示區的一周邊區；一隔離結構層，配置於該主動元件陣列基板上，且該顯示面板具有至少由該隔離結構層定義出來的一第一凹槽及一第二凹槽，其中該第一凹槽與該第二凹槽設置於該周邊區，且該顯示區位於該第一凹槽與該第二凹槽之間；一第一發光材料層及一第二發光材料層，配置於該主動元件陣列基板上，且分別填於該第一凹槽及該第二凹槽中，其中該隔離結構層定義該第一凹槽的邊緣與該顯示區的邊緣之間的最短距離實質上等於該隔離結構層定義該第二凹槽的邊緣與該顯示區的該邊緣之間的最短距離，且該第一發光材料層的體積大於該第二發光材料層的體積；以及一第三發光材料層，配置於該主動元件陣列基板上，且位於該顯示區中，該第三發光材料層的體積大於該第二發光材料層的體積，且小於該第一發光材料層的體積，其中該隔離結構層更在該顯示區中定義出一第三凹槽，且該第三發光材料層填於該第三凹槽中。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一凹槽具有一第一深度，該第二凹槽具有一第二深度，且該第一深度大於該第二深度。
3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，更包括一平坦層，該平坦層設置於該主動元件陣列基板與該隔離結構層之間，其中該第一凹槽延伸貫穿該隔離結構層並伸入該平坦層，該第二凹槽至少延伸於該隔離結構層中，且該平坦層在該第一凹槽下方的部分所具有的厚度小於在該第二凹槽下方的部分所具有的厚度。
4. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該隔離結構層定義出該第一凹槽的部分具有一第一厚度，而該隔離結構層定義出該第二凹槽的部分具有一第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一虛設圖案，設置於該第二凹槽內，且位於該第二發光材料層下方。
6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，更包括一第一電極，設置於該顯示區，且該第一電極位於該主動元件陣列基板與該隔離結構層之間，其中該虛設圖案位於該主動元件陣列基板與該第二發光材料層之間，且該虛設圖案及該第一電極屬於同一膜層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一凹槽於該主動元件陣列基板上的垂直投影面積大於該第二凹槽於該主動元件陣列基板上的垂直投影面積。
8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一發光材料層的厚度大於該第二發光材料層的厚度。
9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括：一第四發光材料層，配置於該主動元件陣列基板上，其中該隔離結構層更在該周邊區中定義出一第四凹槽，該第一凹槽、該第二凹槽與該第四凹槽環繞該顯示區，而該第四發光材料層填於該第四凹槽中，且該第四發光材料層的體積大於該第二發光材料層的體積，且小於該第一發光材料層的體積。
10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一發光材料層與該第二發光材料層各自的厚度由中央向邊緣逐漸增加。
11. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一發光材料層及該第二發光材料層於該主動元件陣列基板上的垂直投影在一第一方向上分別具有一第一寬度及一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。
12. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供一主動元件陣列基板，其中該主動元件陣列基板具有一顯示區及圍繞該顯示區的一周邊區；在該主動元件陣列基板上形成一隔離結構材料層；進行一蝕刻步驟，移除該隔離結構材料層重疊於該周邊區且位於該顯示區相對兩側的兩部分，以形成定義一第一凹槽及一第二凹槽的一隔離結構層，其中該蝕刻步驟更包括移除該隔離結構材料層重疊於該顯示區的一部分，以形成一第三凹槽；以及進行一噴墨印刷製程，依序在該第一凹槽及該第二凹槽內噴塗一第一液滴及一第二液滴，其中該第一液滴的液滴量大於該第二液滴的液滴量，該噴墨印刷製程更包括於噴塗該第一液滴之後且噴塗該第二液滴之前，在該第三凹槽噴塗一第三液滴，其中該第三液滴的液滴量大於該第二液滴的液滴量，且小於該第一液滴的液滴量。
13. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板的製造方法，更包括：進行一乾燥烘烤步驟，使該第一液滴及該第二液滴各自固化而形成一發光材料層，其中位於該第一凹槽內的該發光材料層的體積大於位於該第二凹槽內的該發光材料層的體積。
14. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板的製造方法，其中該主動元件陣列基板具有一平坦層，該蝕刻步驟更包括移除該平坦層重疊於該隔離結構材料層的該兩部分的其中至少一者的一部分，且在進行該蝕刻步驟後，該平坦層在該第一凹槽下方的部分所具有的厚度小於在該第二凹槽下方的部分所具有的厚度。
15. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板的製造方法，更包括：於該主動元件陣列基板上形成一虛設圖案，其中該虛設圖案設置於該第二凹槽內，且該第二液滴覆蓋該虛設圖案。
16. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板的製造方法，其中在進行該蝕刻步驟後，該第一凹槽所占區域在一第一方向上具有一第一寬度，該第二凹槽所占區域在該第一方向上具有一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。