TWI707758B - 脫模膜、其製造方法及半導體封裝件之製造方法 - Google Patents

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TWI707758B
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笠井涉
鈴木政己
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

提供一種不易產生靜電及旋度、不會污染模具且模具追隨性優異的脫模膜、其製造方法及使用前述脫模膜之半導體封裝件之製造方法。
一種脫模膜，係在將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部的半導體封裝件之製造方法中，配置於模具之與硬化性樹脂相接之面；該脫模膜具備：第1熱可塑性樹脂層，係於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；第2熱可塑性樹脂層，係於樹脂密封部形成時與模具相接；及中間層，係配置於第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層之間；並且，第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層在180℃下之貯藏彈性係數分別為10~300MPa，在25℃下之貯藏彈性係數之差為1,200MPa以下，且厚度分別為12~50μm；中間層包含一含高分子系抗靜電劑之層。

Description

脫模膜、其製造方法及半導體封裝件之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種脫模膜、其製造方法、及使用前述脫模膜的半導體封裝件之製造方法，前述脫模膜係在將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部的半導體封裝件之製造方法中，配置於模具之模槽面。
發明背景
通常為了阻斷‧保護免受外氣，半導體晶片會以樹脂加以密封並以稱為封裝件之成形品安裝於基板上。半導體晶片之密封可使用環氧樹脂系等之熱硬化性樹脂等硬化性樹脂。就半導體晶片之密封方法來說，例如周知有所謂的轉注成形法或壓縮成形法，係將已安裝半導體晶片之基板配置成該半導體晶片位於模具之模槽內的預定處後，於模槽內填充硬化性樹脂使其硬化。
習知，封裝件係成形為藉由硬化性樹脂之流路亦即流道而連結的每1晶片之封裝件成形品。此時，為了提升封裝件脫離模具的脫模性，多藉由調整模具結構及對硬化性樹脂添加脫模劑等來進行。另外，由封裝件之小型化、多腳 化的要求來看，BGA方式或QFN方式甚至晶圓級CSP(WL-CSP)方式之封裝件逐漸增加。在QFN方式中為了確保支座及防止於端子部生成樹脂毛邊，或在BGA方式及WL-CSP方式中為了提升封裝件脫離模具的脫模性，多將脫模膜配置於模具之模槽面。
脫模膜對模具之模槽面的配置一般係以下述方式進行：從捲出輥將呈現疊繞狀態的長條脫模膜捲出，以被捲出輥及捲取輥拉伸之狀態供給於模具上，並藉由真空使之吸附於模槽面。又，最近亦有將預先配合模具裁剪而成的短條狀脫模膜供給於模具(專利文獻1)。
就脫模膜而言，一般是使用樹脂薄膜。但，該脫 模膜有容易起靜電的問題。例如在將其捲出來使用之情況下，於脫模膜剝離時會發生靜電，使存在於製造氣體環境下的粉塵等異物附著於起靜電之脫模膜上，而成為封裝件形狀異常(毛邊生成、異物附著等)或模具污垢的原因。尤其，現下作為半導體晶片之密封裝置已增加了採用顆粒樹脂的裝置(例如專利文獻2)，實在無法忽視從顆粒樹脂產生之粉塵附著於脫模膜所造成的形狀異常及模具污垢。
又，近年從封裝件之薄型化或放熱性提升的要求來看，將半導體晶片進行倒裝晶片接合而使晶片背面露出的封裝件逐年增長。此步驟稱為成型底部填膠(Molded Underfill；MUF)步驟。在MUF步驟中，為了保護及遮罩半導體晶片，脫模膜與半導體晶片係以直接接觸之狀態進行密封(例如專利文獻3)。此時，脫模膜若容易起靜電，便有因剝離時 之靜電-放電而破壞半導體晶片的疑慮。
就其對策來說，已有研究提出下述方法：(1)將脫模膜搬運至模具之前，先使其通過施加高電壓之電極間，對脫模膜噴吹經離子化之空氣來消除靜電的方法(專利文獻4)；(2)使其含有碳黑來降低脫模膜之表面電阻值的方法(專利文獻5)；及(3)於構成脫模膜之基材塗敷抗靜電劑，再進一步塗敷交聯型丙烯酸系黏著劑使其交聯而於脫模膜設置脫模層的方法(專利文獻6、7)等。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-272398號公報
專利文獻2：日本特開2008-279599號公報
專利文獻3：日本特開2013-123063號公報
專利文獻4：日本特開2000-252309號公報
專利文獻5：日本特開2002-280403號公報
專利文獻6：日本特開2005-166904號公報
專利文獻7：日本特開2013-084873號公報
發明概要
但，在方法(1)中，脫模膜雖經消除靜電，但空氣所致之塵埃揚起的風險高漲且無法防止剝離時的靜電-放電。
方法(2)中，若含有足以充分降低表面電阻值的碳黑， 則有碳黑容易從脫模膜脫離而已脫離之碳黑會污染模具的問題。
方法(3)中，由於是將交聯型丙烯酸系黏著劑塗敷於基材一面並使其交聯，因此基材若無某程度的厚度及彈性係數，脫模膜便會產生旋度。脫模膜一旦產生旋度，使脫模膜吸附於模具時，脫模膜可能無法良好地吸附於模具。尤其，若如專利文獻1中記載使用將短條狀脫模膜供給至模具的裝置，則旋度問題相當顯著。含有高彈性係數或厚型基材的脫模膜雖然不會產生旋度，但模具追隨性不夠充分，無法使用於講求模具追隨性的用途。
本發明目的在於提供一種不易產生靜電及旋 度、不會污染模具且模具追隨性優異的脫模膜、其製造方法、及使用前述脫模膜的半導體封裝件之製造方法。
本發明提供一種具有以下[1]~[9]之構成的脫模膜、其製造方法、及半導體封裝件之製造方法。
[1]一種脫模膜，係在將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部的半導體封裝件之製造方法中，配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面；其特徵在於具備：第1熱可塑性樹脂層，係於前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；第2熱可塑性樹脂層，係於前述樹脂密封部形成時與模具相接；及 中間層，係配置於第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層之間；並且，前述第1熱可塑性樹脂層及前述第2熱可塑性樹脂層在180℃下之貯藏彈性係數分別為10~300MPa，在25℃下之貯藏彈性係數之差為1,200MPa以下，且厚度分別為12~50μm；前述中間層包含一含高分子系抗靜電劑之層。
[2]如[1]之脫模膜，其中前述中間層具有含高分子系抗靜電劑之層及由不含高分子系抗靜電劑之接著劑所形成之接著層；或是，具有由含高分子系抗靜電劑之接著劑所形成之層。
[3]如[1]或[2]之脫模膜，其中前述第1熱可塑性樹脂層及前述第2熱可塑性樹脂層均不含無機系添加劑。
[4]如[1]~[3]中任一項之脫模膜，其中前述第1熱可塑性樹脂層與前述第2熱可塑性樹脂層之間的剝離強度為0.3N/cm以上，且該剝離強度係依照JIS K6854-2在180℃下測得。
[5]如[1]~[4]中任一項之脫模膜，其中前述含高分子系抗靜電劑之層的表面電阻值為1010Ω/□以下。
[6]如[1]~[5]中任一項之脫模膜，其以下述測定方法測定之旋度為1cm以下：
(旋度測定方法)
在20~25℃下，將10cm×10cm之正方形脫模膜靜置於平坦的金屬板上30秒鐘，測出前述脫模膜從金屬板浮起之部 分的最大高度(cm)後，令該值為旋度。
[7]一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件及樹脂密封部，該樹脂密封部係由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如[1]~[6]中任一項之脫模膜配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面；將安裝有半導體元件之基板配置於前述模具內，將硬化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得具有前述基板、前述半導體元件及前述樹脂密封部之密封體；及使前述密封體自前述模具脫模。
[8]如[7]之半導體封裝件之製造方法，其於獲得前述密封體之步驟中，前述半導體元件之一部分係與前述脫模膜直接相接。
[9]一種如請求項2記載之脫模膜之製造方法，其特徵在於包含下述步驟：使用接著劑將形成第1熱可塑性樹脂層之第1薄膜與形成第2熱可塑性樹脂層之第2薄膜予以乾式積層；前述第1薄膜及前述第2薄膜中之一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E1’(MPa)、厚度T1(μm)、寬度W1(mm)及加於薄膜之張力F1(N)，與另一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E2’(MPa)、厚度T2(μm)、寬度W2(mm)及加於薄膜之張力F2(N)會滿足下式(I)： 0.8≦{(E1’×T1×W1)×F2}/{(E2’×T2×W2)×F1}≦1.2…(I)
惟，在180℃下之貯藏彈性係數E1’(180)及E2’(180)為10~300MPa，在25℃下之貯藏彈性係數之差| E1’(25)-E2’(25)|為1,200MPa以下，且T1及T2分別為12~50(μm)。
本發明之脫模膜不易產生靜電及旋度，不會污染模具且模具追隨性優異。
藉由本發明之脫模膜之製造方法，可製造一種不易起靜電、不易產生旋度且模具追隨性優異的脫模膜。
藉由本發明之半導體封裝件之製造方法，可抑制脫模膜因剝離時之靜電-放電所產生的不良情況，例如異物附著於起靜電之脫模膜、伴隨而來的半導體封裝件之形狀異常或模具污垢、及源自脫模膜之放電所造成的半導體晶片破壞等。又，可良好地將脫模膜吸附於模具。
1‧‧‧脫模膜
2‧‧‧第1熱可塑性樹脂層
2a‧‧‧第1熱可塑性樹脂層2側 之表面
3‧‧‧第2熱可塑性樹脂層
3a‧‧‧第2熱可塑性樹脂層3側之表面
4‧‧‧中間層
10‧‧‧基板
12‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
14‧‧‧樹脂密封部
14a‧‧‧樹脂密封部14之上面
14A‧‧‧樹脂密封部
16‧‧‧印墨層
18‧‧‧接合線
19‧‧‧硬化物
20‧‧‧固定上模
22‧‧‧模槽底面構件
24‧‧‧可動下模
26‧‧‧模槽
30‧‧‧脫模膜
40‧‧‧硬化性樹脂
50‧‧‧上模
52‧‧‧下模
54‧‧‧模槽
56‧‧‧模槽面
58‧‧‧基板設置部
60‧‧‧樹脂導入部
62‧‧‧樹脂配置部
64‧‧‧柱塞
70‧‧‧基板
72‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
74‧‧‧底部填膠(樹脂密封部)
80‧‧‧網狀物
82‧‧‧網狀物
84‧‧‧排氣口
86‧‧‧透過貫通孔
90‧‧‧框材
92‧‧‧夾具
92A‧‧‧上部構件
92B‧‧‧下部構件
94‧‧‧砝碼
96‧‧‧熱板
98‧‧‧銷件
110‧‧‧半導體封裝件
110A‧‧‧整批密封體
120‧‧‧半導體封裝件
L1‧‧‧配管
L2‧‧‧配管
S‧‧‧空間
圖1係本發明之脫模膜之第1實施形態的概略截面圖。
圖2係以本發明之半導體封裝件之製造方法製得之半導體封裝件一例的概略截面圖。
圖3係以本發明之半導體封裝件之製造方法製得之半導體封裝件另一例的概略截面圖。
圖4係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實施形態中步驟(α3)的示意截面圖。
圖5係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實 施形態中步驟(α4)的示意截面圖。
圖6係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實施形態中步驟(α4)的示意截面圖。
圖7係本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中使用之模具一例的示意截面圖。
圖8係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中步驟(β1)的示意截面圖。
圖9係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中步驟(β2)的示意截面圖。
圖10係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中步驟(β3)的示意截面圖。
圖11係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中步驟(β4)的示意截面圖。
圖12係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中步驟(β5)的示意截面圖。
圖13係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第3實施形態中步驟(γ1)的示意截面圖。
圖14係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第3實施形態中步驟(γ3)的示意截面圖。
圖15係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第3實施形態中步驟(γ4)的示意截面圖。
圖16係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第3實施形態中步驟(γ5)的示意截面圖。
圖17所示者係實施例中使用之在180℃下之追隨性試 驗的裝置。
用以實施發明之形態
本說明書中之以下用語分別以下述定義作使用。
「熱可塑性樹脂層」係由熱可塑性樹脂所構成之層。於熱可塑性樹脂中，可因應需求摻混有無機添加劑、有機添加劑等添加物。
樹脂中之「單元」表示構成該樹脂之構成單元(單體單元)。
「氟樹脂」表示結構中含有氟原子之樹脂。
「(甲基)丙烯酸」為丙烯酸及甲基丙烯酸之總稱。「(甲基)丙烯酸酯」為丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之總稱。「(甲基)丙烯醯基」為丙烯醯基及甲基丙烯醯基之總稱。
熱可塑性樹脂層之厚度可依照ISO 4591：1992(JIS K7130：1999之B1法，採自塑膠膜或塑膠片之試料利用質量法進行的厚度測定方法)進行測定。
熱可塑性樹脂層之貯藏彈性係數E’可依照ISO 6 721-4：1994(JIS K7244-4：1999)進行測定。令頻率為10Hz，靜力為0.98N，且動態位移為0.035%。在溫度t(℃)下所測得之貯藏彈性係數E’亦記作E’(t)。在2℃/分之速度下使溫度從20℃開始上升並在25℃及180℃之值時所測得之E’分別稱作在25℃下之E’(25)及在180℃下之E’(180)。
算術平均粗度(Ra)係依照JIS B0601：2013(ISO 4287：1997，Amd.1：2009)測出之算術平均粗度。粗度曲線用之基準長度lr(截止值λ c)設為0.8mm。
脫模膜係一在半導體封裝件之製造方法中使用 的薄膜，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部，該脫模膜則是配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面。本發明之脫模膜例如在形成半導體封裝件之樹脂密封部時，係以覆蓋具有與該樹脂密封部形狀相對應形狀之模槽的模具中之模槽面的方式進行配置，並將之配置於所形成之樹脂密封部與模具之模槽面之間，藉此使獲得之半導體封裝件可輕易地從模具脫模。
[第1實施形態之脫模膜]
圖1為顯示本發明之脫模膜之第1實施形態的概略截面圖。
第1實施形態之脫模膜1具備第1熱可塑性樹脂層2、第2熱可塑性樹脂層3、及配置於該等之間的中間層4，該第1熱可塑性樹脂層2係於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接，該第2熱可塑性樹脂層3則是於前述樹脂密封部形成時與模具相接。
脫模膜1於半導體封裝件之製造時係將第1熱可塑性樹脂層2側之表面2a朝向模具之模槽配置，並於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂接觸。又，此時第2熱可塑性樹脂層3側之表面3a與模具之模槽面密著。藉由在此狀態下使硬化性樹脂硬化，可形成一形狀與模具之模槽形狀相對應之樹 脂密封部。
(第1熱可塑性樹脂層)
第1熱可塑性樹脂層2在180℃下之貯藏彈性係數E’(180)為10~300MPa，且以30~150MPa尤佳。180℃係一般成形時的模具溫度。
E’(180)只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜的模具追隨性即佳。於半導體元件密封時，脫模膜可確實地密著於模槽面，讓模具形狀連角部都正確地轉印於樹脂密封部。其結果可形成精度高的樹脂密封部，且已密封之半導體封裝件的成品率相當高。
前述E’(180)一旦超過前述範圍之上限值，在真空下使脫模膜追隨模具時，脫模膜之模具追隨性會不夠充分。所以，在轉注成形中進行合模時，會有半導體元件觸及未追隨完全的薄膜而造成破損、或密封部之角部缺口的情況。 在壓縮成形中，因為脫模膜之模具追隨性不夠充分，所以會有於薄膜上灑佈硬化性樹脂時從模具溢出、或密封部之角部缺口的情況。
E’(180)只要在前述範圍之下限值以上，脫模膜便不易產生旋度。又，將脫模膜予以拉伸並配置成覆蓋模具之模槽時，因為脫模膜不會太過柔軟，所以可均勻地對脫模膜賦予張力且不易產生縐痕。其結果，不會有脫模膜之縐痕轉印至樹脂密封部的表面，所以樹脂密封部之表面外觀佳。
第1熱可塑性樹脂層2之貯藏彈性係數E’可藉由構成第1熱可塑性樹脂層2之熱可塑性樹脂的結晶度來調 整。具體來說，前述熱可塑性樹脂之結晶度愈低，E’愈低。熱可塑性樹脂之結晶度可藉由公知方法調整。以乙烯/四氟乙烯共聚物為例，可藉由以四氟乙烯與乙烯為主體之單元比率、以及以四氟乙烯及乙烯以外之其他單體為主體之單元的種類與含量來進行調整。
第1熱可塑性樹脂層2之厚度為12~50μm，以 25~40μm為佳。
第1熱可塑性樹脂層2之厚度在前述範圍之下限值以上，因此脫模膜1不易產生旋度。又，脫模膜1容易處置，在將脫模膜1予以拉伸並配置成覆蓋模具之模槽時，不容易產生縐痕。
第1熱可塑性樹脂層2之厚度在前述範圍之上限值以下，則脫模膜1可輕易地變形，且模具追隨性優異。
第1熱可塑性樹脂層2宜具有可使硬化性樹脂(樹 脂密封部)輕易地從脫模膜1剝離的脫模性，該硬化性樹脂係在與脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2側之表面2a相接的狀態下硬化。又，宜具有可承受成形時之模具溫度、典型上為150~180℃的耐熱性。
就構成第1熱可塑性樹脂層2之熱可塑性樹脂(以下亦稱熱可塑性樹脂I)而言，從前述的脫模性及耐熱性、以及得以承受硬化性樹脂之流動或加壓力的強度、高溫下的延伸率等觀點來看，以選自於由氟樹脂、聚苯乙烯及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種為佳。該等熱可塑性樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就氟樹脂來說，從脫模性及耐熱性的觀點來 看，以氟烯烴系聚合物為佳。氟烯烴系聚合物係具有以氟烯烴為主體之單元的聚合物。氟烯烴可列舉四氟乙烯、氟乙烯、二氟亞乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。氟烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
氟烯烴系聚合物可列舉乙烯/四氟乙烯共聚物(以下亦稱ETFE)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。氟烯烴系聚合物可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就聚苯乙烯來說，從耐熱性及模具追隨性的觀點來看，以對位聚苯乙烯為佳。聚苯乙烯可經延伸，且可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就熔點200℃以上之聚烯烴來說，從脫模性及模具追隨性的觀點來看，以聚甲基戊烯為佳。聚烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就熱可塑性樹脂I而言，以選自於由聚甲基戊烯 及氟烯烴系聚合物所構成群組中之至少1種為佳，且以氟烯烴系聚合物較佳。其中，從在高溫下之延伸率較大的觀點來看，以ETFE尤佳。ETFE可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
ETFE係具有以四氟乙烯(以下亦稱TFE)為主體 之單元及以乙烯(以下亦稱E)為主體之單元的共聚物。
就ETFE而言，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元、以及以TFE及E以外之第3單體為主體之單元者 為佳。藉由以第3單體為主體之單元的種類或含量，可輕易地調整ETFE的結晶度、即第1熱可塑性樹脂層2的貯藏彈性係數。又，藉由具有以第3單體(尤其具有氟原子之單體)為主體之單元，可提升高溫(尤其在180℃前後)下的抗拉強度。
就第3單體來說，例如有具有氟原子之單體及不具氟原子之單體等。
具有氟原子之單體可列舉下述單體(a1)~(a5)。
單體(a1)：碳數3以下之氟烯烴類。
單體(a2)：X(CF2)nCY=CH2(惟，X、Y分別獨立為氫原子或氟原子，n為2~8之整數)所示之全氟烷基乙烯。
單體(a3)：氟乙烯基醚類。
單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。
單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
就單體(a1)而言，可列舉氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱HFP)、2-氫五氟丙烯等)等。
就單體(a2)而言，以n為2~6之單體為佳，n為2~4之單體尤佳。又以x為氟原子且Y為氫原子之單體即(全氟烷基)乙烯尤佳。
單體(a2)之具體例，可列舉下述化合物。
CF3CF2CH=CH2、CF3CF2CF2CF2CH=CH2((全氟丁基)乙烯；以下亦稱PFBE)、 CF3CF2CF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF2CF=CH2等。
單體(a3)之具體例，可列舉下述化合物。而，下述中，二烯之單體係得以進行環化聚合之單體。
CF2=CFOCF3、CF2=CFOCF2CF3、CF2=CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)；以下亦稱PPVE)、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF=CF2、CF2=CFO(CF2)2CF=CF2等。
單體(a4)之具體例，可列舉下述化合物。
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
單體(a5)之具體例，可列舉全氟(2,2-二甲基-1,3-二
Figure 104107349-A0202-12-0015-3
呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二
Figure 104107349-A0202-12-0015-4
呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二氧環戊烷)等。
就不具氟原子之單體而言，可列舉下述單體(b1)~(b4)。
單體(b1)：烯烴類。
單體(b2)：乙烯酯類。
單體(b3)：乙烯基醚類。
單體(b4)：不飽和酸酐。
單體(b1)之具體例，可列舉丙烯、異丁烯等。
單體(b2)之具體例，可舉如乙酸乙烯酯等。
單體(b3)之具體例，可列舉乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
單體(b4)之具體例，可列舉馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、納迪克酸酐(5-降
Figure 104107349-A0202-12-0016-5
烯-2,3-二甲酐)等。
第3單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就第3單體來說，從容易進行結晶度的調整即貯藏彈性係數之調整的觀點、以及藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元而使在高溫(尤其在180℃前後)下之抗拉強度優異的觀點來看，以單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯為佳，HFP、PPVE、CF3CF2CH=CH2、PFBE較佳，且以PFBE尤佳。
即，就ETFE來說，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元及以PFBE為主體之單元的共聚物尤佳。
在ETFE中，以TFE為主體之單元與以E為主體 之單元的莫耳比(TFE/E)宜為80/20~40/60，且70/30~45/55較佳，65/35~50/50尤佳。TFE/E只要在前述範圍內，ETFE的耐熱性及機械物性即佳。
相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)， ETFE中以第3單體為主體之單元的比率宜為0.01~20莫耳%，且0.10~15莫耳%較佳，0.20~10莫耳%尤佳。以第3單體為主體之單元的比率只要在前述範圍內，ETFE的耐熱性及機械物性即佳。
以第3單體為主體之單元含有以PFBE為主體之 單元時，相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)，以PFBE為主體之單元的比率宜為0.5~4.0莫耳%，且0.7~3.6莫耳%較佳，1.0~3.6莫耳%尤佳。以PFBE為主體之單元的比率只要在前述範圍內，便可將脫模膜在180℃下之抗拉彈性係數調整在前述範圍內。又，可提升高溫(尤其在180℃前後)下的抗拉強度。
ETFE之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳， 5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。ETFE之MFR只要在前述範圍內，便可提升ETFE之成形性，且脫模膜的機械特性佳。
ETFE之MFR係依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃下測出之值。
第1熱可塑性樹脂層2可僅由熱可塑性樹脂I所構 成，亦可含有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。無機系添加劑可列舉碳黑、二氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋁鈷、雲母(mica)、氧化鋅等。有機系添加劑則可列舉聚矽氧油、金屬皂等。
從減低第1熱可塑性樹脂層2之貯藏彈性係數來提升模具追隨性等的觀點來看，第1熱可塑性樹脂層2以不含無機 系添加劑為佳。
第1熱可塑性樹脂層2可為單層結構亦可為多層結構。 從模具追隨性、抗拉伸度、製造成本等觀點來看，以單層結構為佳。
從脫模性優異的觀點來看，第1熱可塑性樹脂層 2宜為由氟樹脂構成之單層結構、或至少於表面2a側之最外層包含由氟樹脂構成之層(以下亦稱氟樹脂層)的多層結構，且以由氟樹脂構成之單層結構尤佳。
前述多層結構例如有由多個氟樹脂層所構成者、以及包含由1層以上氟樹脂層及1層以上氟樹脂以外之樹脂所構成之層(以下亦稱其他層)且至少於表面2a側之最外層配置有氟樹脂層者等。當包含有其他層時，多層結構之例可列舉如自表面2a側起依序積層有氟樹脂層及其他層之2層結構、及自表面2a側起依序積層有氟樹脂層、其他層、氟樹脂層之3層結構等。
第1熱可塑性樹脂層2係由氟樹脂所構成時，脫 模膜1的脫模性佳，又充分具有得以承受成形時之模具溫度(典型上為150~180℃)的耐熱性、及得以承受硬化性樹脂之流動或加壓力的強度等，在高溫下的延伸率亦佳。尤其，第1熱可塑性樹脂層2若為單層結構，與多層結構之情況相較下，模具追隨性、抗拉伸度等的物性較佳，可提升作為脫模膜的適性，更有製造成本較少的傾向。
樹脂密封部形成時，第1熱可塑性樹脂層2之與硬化性樹脂相接之面、即脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2 側的表面2a可為平滑亦可形成有凹凸。在脫模性的觀點下以形成有凹凸為佳。
在為平滑的情況下，表面2a的算術平均粗度(Ra)以0.01~0.2μm為佳，0.05~0.1μm尤佳。
在形成有凹凸的情況下，表面2a的Ra以1.0~2.1μm為佳，1.2~1.9μm尤佳。
形成有凹凸時的表面形狀可為多個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多個凸部及/或凹部呈規則排列之形狀。又，多個凸部及/或凹部的形狀及大小可相同亦可互異。
就凸部而言，可列舉延伸存在脫模膜表面的長條形凸條及呈散佈的突起等。就凹部來說，則可列舉延伸存在脫模膜表面的長條形溝槽及呈散佈的孔等。
以凸條或溝槽的形狀來說，可列舉直線、曲線、彎折形狀等。在脫模膜表面上，可為多數凸條或溝槽平行存在呈條紋狀。就凸條或溝槽之與長邊方向正交之方向的截面形狀而言，可列舉三角形(V字形)等多角形、半圓形等。
以突起或孔的形狀來說，可列舉三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形、其他各種不定形等。
(第2熱可塑性樹脂層)
第2熱可塑性樹脂層3在180℃下之貯藏彈性係數E’(180)及厚度、該等的適當範圍均與第1熱可塑性樹脂層2相同。
第2熱可塑性樹脂層3之E’(180)及厚度則可分別與第1熱可塑性樹脂層2之E’(180)及厚度相同或互異。
惟，第1熱可塑性樹脂層在25℃下之E’(25)及第2熱可塑性樹脂層在25℃下之E’(25)的差(|第1熱可塑性樹脂層之E’(25)-第2熱可塑性樹脂層之E’(25)|)為1,200MPa以下，且以1,000MPa以下尤佳。E’(25)之差只要在前述範圍之下限值以下，便可抑制旋度。在抑制旋度的觀點下，其與第1熱可塑性樹脂層2之厚度差宜在20μm以下。
就構成第2熱可塑性樹脂層3之熱可塑性樹脂(以 下亦稱熱可塑性樹脂II)來說，從脫模膜1脫離模具的脫模性、得以承受成形時之模具溫度(典型上為150~180℃)的耐熱性、得以承受硬化性樹脂之流動或加壓力的強度、及高溫下的延伸率等觀點來看，以選自於由氟樹脂、聚苯乙烯、聚酯、聚醯胺及乙烯/乙烯醇共聚物及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種為佳。該等熱可塑性樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就氟樹脂、聚苯乙烯、熔點200℃以上之聚烯烴而言，分別可列舉與前述熱可塑性樹脂I相同之物。
就聚酯來說，從耐熱性、強度的觀點來看，以聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦稱PET)、易成形PET、聚對苯二甲酸丁二酯(以下亦稱PBT)、聚對苯二甲酸萘二酯為佳。
易成形PET係在乙二醇及對苯二甲酸(或對苯二甲酸二甲酯)外再與其他單體共聚而改良了成形性者。具體來說，即為以下述方法測出之玻璃轉移溫度Tg在105℃以下 的PET。
Tg係tanδ(E”/E’)取最大值時的溫度，該tanδ(E”/E’)為依照ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”之比。Tg係令頻率為10Hz、靜力為0.98N且動態位移為0.035%，在2℃/分下使溫度從20℃升溫至180℃來進行測定。
聚酯可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就聚醯胺而言，從耐熱性、強度、氣體障壁性的觀點來看，以尼龍6、尼龍MXD6為佳。聚醯胺可經延伸亦可未經延伸。聚醯胺可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就熱可塑性樹脂II而言，前述中又以選自於由聚甲基戊烯、氟烯烴系聚合物、易成形PET及PBT所構成群組中之至少1種為佳，且以選自於由ETFE、易成形PET及PBT所購成群組中之至少1種尤佳。
第2熱可塑性樹脂層3可僅由熱可塑性樹脂II構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。無機系添加劑、有機系添加劑各自可列舉與前述相同之物。
從防止模具污垢、減低第2熱可塑性樹脂層3之貯藏彈性係數以提升模具追隨性等的觀點來看，第2熱可塑性樹脂層3不含無機系添加劑為佳。
第2熱可塑性樹脂層3可為單層結構亦可為多層結構。從模具追隨性、抗拉伸度、製造成本等的觀點來看，以單層結構為佳。
樹脂密封部形成時，第2熱可塑性樹脂層3之與 模具相接之面、即脫模膜1之第2熱可塑性樹脂層3側的表面3a可為平滑亦可形成有凹凸。
在為平滑之情況下，表面3a的算術平均粗度(Ra)宜為0.01~0.2μm，且0.05~0.1μm尤佳。形成有凹凸時，表面3a之Ra宜為1.5~2.1μm，且1.6~1.9μm尤佳。
形成有凹凸時的表面形狀可為多個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多個凸部及/或凹部呈規則排列之形狀。又，多個凸部及/或凹部的形狀及大小可相同亦可互異。凸部、凹部、凸條、突起或孔之具體例可列舉與前述相同之例。
表面2a及表面3a兩面形成有凹凸時，各表面之Ra及表面形狀可相同亦可互異。
(中間層)
中間層4包含含有高分子系抗靜電劑之層(以下亦稱高分子系抗靜電層)。高分子系抗靜電層藉由含有高分子系抗靜電劑，可減低表面電阻值，有助於脫模膜1抗靜電。中間層更可含有高分子系抗靜電層以外之其他層。
中間層4之表面電阻值從抗靜電的觀點來看，在1010Ω/□以下為佳，在109Ω/□以下尤佳。前述表面電阻值若在1010Ω/□以下，便可顯現脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2側之表面2a的抗靜電性。所以，於半導體封裝件之製造時，即便如半導體元件的一部分與脫模膜1直接相接的情況下，仍可充分抑制脫模膜之靜電-放電所造成的半 導體元件破壞。
中間層4之表面電阻值從抗靜電的觀點來看愈低愈佳，且下限並無特別限定。高分子系抗靜電劑之導電性能愈高及高分子系抗靜電劑之含量愈多，中間層4之表面電阻值有愈小之傾向。
<高分子系抗靜電層>
就高分子系抗靜電劑來說，可使用作為抗靜電劑既已公知的高分子化合物。舉例來說如有：側基具有4級銨鹽基之陽離子系共聚物、含聚苯乙烯磺酸之陰離子系化合物、具有聚環氧烷鏈之化合物(聚環氧乙烷鏈、聚環氧丙烷鏈為佳)、聚乙二醇甲基丙烯酸酯共聚物、聚醚酯醯胺、聚醚醯胺醯亞胺、聚醚酯、環氧乙烷-表氯醇共聚物等非離子系高分子、及π共軛系導電性高分子等。該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
側基具有4級銨鹽基之共聚物中的4級銨鹽基具 有賦予介電極化性及導電性所致之快速的介電極化緩和性之效果。
前述共聚物於側基具有4級銨鹽基以及羧基為佳。若具有羧基，則前述共聚物具有交聯性，進而可獨自形成中間層4。又，與胺甲酸乙酯系接著劑等接著劑併用時，其會與該接著劑反應而形成交聯結構，進而可顯著提升接著性、耐久性、及其他力學特性。
前述共聚物更可於側基具有羥基。羥基具有與接著劑中之官能基例如異氰酸酯基反應而提高接著性之效果。
前述共聚物可藉由使上述具有各官能基之單體 共聚合而製得。具有4級銨鹽基之單體的具體例，可列舉二甲基胺基乙基丙烯酸酯4級化物(含有作為對離子之氯化物、硫酸鹽、磺酸鹽、烷基磺酸鹽等的陰離子)等。具有羧基之單體的具體例，可列舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯醯氧基乙基琥珀酸、酞酸、六氫酞酸等。
亦可使該等以外之其他單體進行共聚合。其他單體可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯、鹵化乙烯、烯烴等乙烯基衍生物等。
前述共聚物中具有各官能基之單元的比率可適 宜設定。相對於總單元合計，具有4級銨鹽基之單元的比率以15~40莫耳%為佳。該比率在15莫耳%以上時，抗靜電效果即佳。一旦超過40莫耳%，便有共聚物之親水性過高之虞。相對於總單元合計，具有羧基之單元的比率以3~13莫耳%為佳。
前述共聚物在側基具有羧基之情況下，可於前 述共聚物添加交聯劑(硬化劑)。就交聯劑來說，可列舉甘油二環氧丙基醚等2官能環氧化合物、三羥甲丙烷三環氧丙基醚等3官能環氧化合物、三羥甲丙烷三吖丙啶基醚等伸乙亞胺化合物等之多官能化合物。
亦可於前述共聚物添加2-甲咪唑、2-乙基、4-甲咪唑等咪唑衍生物或其他胺類作為前述2官能、3官能的環氧化合物之開環反應觸媒。
π共軛系導電性高分子係具有π共軛發達的主 鏈之導電性高分子。就π共軛系導電性高分子，可使用公知物，舉例如聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、及其等之衍生物等。
高分子系抗靜電劑可使用借由公知方法所製造 者，亦可使用市售品。例如，就側基具有4級銨鹽基及羧基之共聚物的市售品來說，可列舉Konishi公司製「BONDE IP(BONDEIP、商標名)-PA100主劑」等。
高分子系抗靜電層可列舉下述層(1)~(4)等。
層(1)：其為高分子系抗靜電劑具有薄膜形成能力者，係將前述高分子系抗靜電劑直接或使其溶解於溶劑來進行濕式塗佈並因應需求進行乾燥所形成之層。
層(2)：其為高分子系抗靜電劑具有薄膜形成能力且可熔融者，係將前述高分子系抗靜電劑熔融塗佈所形成之層。
層(3)：其為結合劑具有薄膜形成能力且可熔融者，係將使高分子系抗靜電劑分散或溶解於前述結合劑而成的組成物熔融塗佈所形成之層。
層(4)：其為結合劑具有薄膜形成能力者，係將含有前述結合劑及高分子系抗靜電劑之組成物直接或使其溶解於溶劑來進行濕式塗佈並因應需求進行乾燥所形成之層。惟，歸屬層(1)者不屬於層(4)。
層(1)中，高分子系抗靜電劑具有薄膜形成能力係表示高分子抗靜電劑可溶於有機溶劑等溶劑，將其溶液進行濕式塗佈並使其乾燥時，可形成膜。
層(2)中，高分子系抗靜電劑可熔融係表示可藉由加熱熔融之意。有關層(3)(4)中之結合劑的「具有薄膜形成能力」、「可熔融」亦為同義。
層(1)中之高分子系抗靜電劑可具有交聯性，亦 可不具交聯性。高分子系抗靜電劑具有交聯性時，可與交聯劑併用。
就具有薄膜形成能力及交聯性之高分子系抗靜電劑來說，可舉如前述側基具有4級銨鹽基及羧基之共聚物等。
交聯劑可列舉與前述相同之物。
層(1)之厚度以0.01~1.0μm為佳，0.03~0.5μm尤佳。 層(1)之厚度若小於0.01μm，便無法獲得充分的抗靜電效果；另外，一旦超過1.0μm，於其上塗敷接著層時，有使第1熱可塑性樹脂層2與第2熱可塑性樹脂層3間之接著性降低之虞。
就層(2)中之高分子系抗靜電劑來說，可列舉含 有界面活性劑或碳黑等之聚烯烴樹脂等。市售品有PELECTRON HS(三洋化成工業公司製)等。層(2)之厚度的適當範圍與層(1)之厚度的適當範圍相同。
就層(3)中之結合劑來說，可舉如通用的熱可塑 性樹脂。熱可塑性樹脂以具有有助於接著之官能基的樹脂為佳，以便於熔融成形時進行接著。就該官能基而言，可舉如羰基等。相對於層(3)之整體質量，層(3)中之高分子系抗靜電劑含量為10~40質量份為佳，10~30質量份尤佳。 層(3)之厚度的適當範圍與層(1)之厚度的適當範圍相同。
形成層(4)之組成物的1例為接著劑。接著劑係 表示含有主劑及硬化劑並可藉由加熱等而硬化使接著性發揮之物。
接著劑可為1液型接著劑亦可為2液型接著劑。
形成層(4)之接著劑(以下亦稱層(4)形成用接著劑)，可舉例如於不含高分子系抗靜電劑之接著劑中添加有高分子系抗靜電劑者等。
接著劑中所添加之高分子系抗靜電劑可為具有薄膜形成能力者，亦可為不具薄膜形成能力者(例如π共軛系導電性高分子)。
就不含高分子系抗靜電劑之接著劑來說，可使用作為乾式積層用接著劑既已公知者。例如可使用：聚乙酸乙烯酯系接著劑；由丙烯酸酯(丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸2-乙基己酯等)之均聚物或共聚物、或者丙烯酸酯與其他單體(甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等)之共聚物等所構成的聚丙烯酸酯系接著劑；氰基丙烯酸酯系接著劑；由乙烯與其他單體(乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等)之共聚物等所構成之乙烯共聚物系接著劑；纖維素系接著劑；聚酯系接著劑；聚醯胺系接著劑；聚醯亞胺系接著劑；由尿素樹脂或三聚氰胺樹脂等所構成之胺基樹脂系接著劑；苯酚樹脂系接著劑；環氧系接著劑；多元醇(聚醚多元醇、聚酯多元醇等)與異氰酸酯及/或三聚異氰酸酯交聯而成的聚胺甲酸乙酯系接著劑；反應型(甲基)丙烯酸系接著劑；由氯丁二烯橡膠、腈橡膠、苯乙 烯-丁二烯橡膠等所構成之橡膠系接著劑；聚矽氧系接著劑；由鹼金屬矽酸鹽、低熔點玻璃等所構成之無機系接著劑；及其他等之接著劑。
層(4)形成用接著劑中之高分子系抗靜電劑含量 以可使層(4)之表面電阻值成為1010Ω/□以下之量為佳，且以109Ω/□以下尤佳。
從抗靜電的觀點來看，層(4)形成用接著劑中之高分子系抗靜電劑含量愈多愈佳，但高分子系抗靜電劑為π共軛系導電性高分子，在將不含高分子系抗靜電劑之接著劑中添加有π共軛系導電性高分子者當作層(4)形成用接著劑使用而形成中間層4時，高分子系抗靜電劑含量一旦變多，便有層(4)之接著性降低、且第1熱可塑性樹脂層2與第2熱可塑性樹脂層3間之密著性變得不夠充分之虞。所以，此時相對於成為黏結劑之樹脂的固體成分，層(4)形成用接著劑中之高分子系抗靜電劑含量在40質量%以下為佳，在30質量%以下尤佳。下限值以1質量%為佳，5質量%尤佳。
層(4)之厚度以0.2~5μm為佳，0.5~2μm尤佳。層(4)之厚度若在前述範圍之下限值以上，第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層之接著性即佳，且抗靜電性優異。若在前述範圍之上限值以下，則生產性佳。
中間層4所具有之高分子系抗靜電層可為1層亦可為2層以上。例如，可僅具有層(1)~(4)中之任一種，亦可具有2種以上。
就高分子系抗靜電層來說，在易製造的觀點下以層(1) 為佳。亦可將層(1)與層(2)~(4)中之任1種以上併用。
<其他層>
高分子系抗靜電層以外之其他層，可列舉熱可塑性樹脂層、由不含高分子系抗靜電劑之接著劑所形成之層(以下亦稱非抗靜電性接著層)、氣體障壁層等。熱可塑性樹脂層可列舉與第1熱可塑性樹脂層2、第2熱可塑性樹脂層3相同者。非抗靜電性接著層中之接著劑可列舉與前述相同之物。氣體障壁層則可列舉如金屬層、金屬蒸鍍層、金屬氧化物蒸鍍層等。
<中間層之層構成>
就中間層4來說，以具有高分子系抗靜電層及非抗靜電性接著層者或具有層(4)者為佳。中間層4若為此種構成，便可藉由乾式積層法製造脫模膜1。
中間層4的理想層構成可列舉以下(11)~(15)等。
(11)自第1熱可塑性樹脂層2側起依序積層有層(1)~(3)中之任一層及非抗靜電性接著層之層。
(12)自第1熱可塑性樹脂層2側起依序積層有層(4)及非抗靜電性接著層之層。
(13)由1層之層(4)所構成之層。
(14)自第1熱可塑性樹脂層2側起依序積層有層(4)、第3熱可塑性樹脂層及非抗靜電性接著層之層。
(15)自第1熱可塑性樹脂層2側起依序積層有層(4)、第3熱可塑性樹脂層、氣體障壁層及非抗靜電性接著層之層。
上述中，以(11)或(13)為佳，(11)較佳，且其中層(1)~(3)中之任一層為層(1)者尤佳。
就構成第3熱可塑性樹脂層之熱可塑性樹脂來說，可列舉與前述熱可塑性樹脂II相同之樹脂。第3熱可塑性樹脂層之厚度並無特別限定，以6~50μm為佳。
中間層4之厚度以0.1~55μm為佳，0.5~25μm尤 佳。中間層4之厚度只要在前述範圍之下限值以上，抗靜電性與接著性便充分良好；若在上限值以下，模具追隨性即佳。
(脫模膜之厚度)
脫模膜1之厚度以25~100μm為佳，40~75μm尤佳。厚度只要在前述範圍之下限值以上，脫模膜便不易產生旋度。又，脫模膜容易處置，所以將脫模膜予以拉伸並配置成覆蓋模具之模槽時，不容易產生縐痕。厚度只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜便可輕易地變形，可提升其對於模具之模槽形狀的追隨性，因此脫模膜可牢固地密著於模槽面，進而可穩定形成高品質的樹脂密封部。模具之模槽愈大，脫模膜1之厚度在前述範圍內愈薄愈好。又，愈是具有多數模槽的複雜模具，脫模膜1之厚度在前述範圍內愈薄愈好。
(脫模膜之旋度)
脫模膜1以下述測定方法測得之旋度在1cm以下為佳，0.5cm以下尤佳。
(旋度測定方法)
在20~25℃下，將10cm×10cm之正方形脫模膜靜置於平坦的金屬板上30秒鐘，測出前述脫模膜從金屬板浮起之部分的最大高度(cm)後，令該值為旋度。
脫模膜一旦具有旋度，脫模膜便無法順利地吸 附於模具。在製造半導體封裝件時，脫模膜對於模具的供給一般為卷對卷方式(將呈現疊繞狀態的長條形脫模膜從捲出輥捲出，然後以被捲出輥及捲取輥拉伸之狀態供給至模具上的方式)，最近亦有採用按規格裁剪方式(將預先已配合模具加以裁剪的短條脫模膜供給至模具的方式)。脫模膜一旦具有旋度，尤其在按規格裁剪方式的情況下會產生脫模膜無法順利地吸附於模具之問題。
前述旋度若在1cm以下，即使在按規格裁剪方式之情況下，仍可良好地讓脫模膜吸附於模具。
前述旋度之大小可藉由第1熱可塑性樹脂層2及第2熱可塑性樹脂層3之貯藏彈性係數及厚度、乾式積層條件等來進行調整。
(脫模膜1之製造方法)
脫模膜1宜藉由含有下述步驟之製造方法來製造：使用接著劑將形成第1熱可塑性樹脂層2之第1薄膜與形成第2熱可塑性樹脂層3之第2薄膜進行乾式積層之步驟。
乾式積層可藉由公知的方法進行。
例如，於第1薄膜及第2薄膜中之一薄膜的單面上塗佈接著劑並使其乾燥，然後於其上重疊其他薄膜，再使其通過已加熱到預定溫度(乾式積層溫度)的一對輥件(層合輥) 間進行壓接。藉此，便可製得依序積層有第1熱可塑性樹脂層2、具有接著層之中間層4及第2熱可塑性樹脂層3的積層體。
接著劑可含高分子系抗靜電劑亦可不含高分子 系抗靜電劑。
在使用不含高分子系抗靜電劑之接著劑的情況下(接著層為非抗靜電性接著層之情況)，於乾式積層步驟前會進行一於第1薄膜及第2薄膜中之任一者或兩者表面(中間層4側)形成高分子系抗靜電層之步驟。
例如，於第1薄膜及第2薄膜中之一薄膜的單面上塗佈具有薄膜形成能力之高分子系抗靜電劑並使其乾燥，然後於其上塗佈不含高分子系抗靜電劑之接著劑並使其乾燥，再於其上重疊其他薄膜後，使其通過已加熱至預定溫度(乾式積層溫度)之一對輥件(層合輥)間進行壓接。藉此，可製得依序積層有第1熱可塑性樹脂層2、作為中間層4之層(1)及非抗靜電性接著層、及第2熱可塑性樹脂層3的積層體。
於乾式積層步驟前且於形成高分子系抗靜電層步驟之前或之後，亦可進行一形成非抗靜電性接著層及高分子系抗靜電層以外之其他層的步驟。
在使用含有高分子系抗靜電劑之接著劑的情況下(接著層為層(4)之情況)，可進行形成高分子系抗靜電層之步驟及形成其他層之步驟，或可不進行該等步驟。
乾式積層後，可因應需求進行固化、切斷等。
在前述乾式積層步驟中，前述第1薄膜及前述第 2薄膜中之一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E1’(MPa)、厚度T1(μm)、寬度W1(mm)及加於薄膜之張力F1(N)，與另一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E2’(MPa)、厚度T2(μm)、寬度W2(mm)及加於薄膜之張力F2(N)滿足下式(I)為佳，且以滿足下式(II)尤佳。
0.8≦{(E1’×T1×W1)×F2}/{(E2’×T2×W2)×F1}≦1.2…(I)
0.9≦{(E1’×T1×W1)×F2}/{(E2’×T2×W2)×F1}≦1.1…(II)
惟，在180℃下之貯藏彈性係數E1’(180)與E2’(180)為10~300MPa，在25℃下之貯藏彈性係數差| E1’(25)-E2’(25)|為1,200MPa以下，且T1及T2各自為12~50(μm)。
藉由以滿足式(I)的方式進行前述乾式積層步驟，可使乾式積層時殘留於2張薄膜之應力差達最少程度，所以可使製得之脫模膜不易產生旋度。
就乾式積層之薄膜來說，可使用市售物，亦可 使用藉由公知的製造方法所製得者。亦可對薄膜施加電暈處理、電漿處理、底漆塗敷處理等表面處理。
就薄膜之製造方法來說並無特別限定，可利用公知的製造方法。
兩面平滑之熱可塑性樹脂薄膜的製造方法，可舉例如以具備具預定唇寬之T型模的擠出機來進行熔融成形之方法等。
單面或兩面形成有凹凸之薄膜的製造方法，則可舉例如以熱加工於薄膜表面轉印原模凹凸之方法，從生產性的 觀點來看以下述方法(i)、(ii)等為佳。在方法(i)、(ii)中，藉由使用輥狀的原模，可進行連續加工，進而可顯著提升形成有凹凸之薄膜的生產性。
方法(i)，係使薄膜通過原模輥與壓印滾筒輥之間，將形成於原模輥表面之凹凸連續轉印於薄膜表面。
方法(ii)，係使從擠出機之模頭擠出之熱可塑性樹脂通過原模輥與壓印滾筒輥之間，讓該熱可塑性樹脂成形為薄膜狀，同時將形成於原模輥表面之凹凸連續轉印於該薄膜狀之熱可塑性樹脂表面。
在方法(i)、(ii)中，若使用表面形成有凹凸者作為壓印滾筒輥，便可獲得兩面形成有凹凸的熱可塑性樹脂薄膜。
以上係針對本發明之脫模膜顯示第1實施形態加 以說明，惟本發明不受此上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等均為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
(作用效果)
本發明之脫模膜不易產生靜電及旋度，不會污染模具且模具追隨性佳。
即，因為本發明之脫模膜具有高分子系抗靜電層，所以即使熱可塑性樹脂層(第1熱可塑性樹脂層、第2熱可塑性樹脂層等)中不含碳黑等無機填料，依舊得以顯現抗靜電性能力。所以，於半導體封裝件製造時，可抑制脫模膜因剝離時之靜電-放電所產生的不良情況，例如異物附著 於起靜電之脫模膜、或源自脫模膜之放電所造成的半導體晶片破壞等。又，不易因為已附著於脫模膜之異物或源自脫模膜之無機填料的脫離而產生半導體封裝件的形狀異常或模具污垢。又，本發明之脫模膜不易產生旋度且充分具備半導體封裝件製造中所講究的模具追隨性。所以，半導體封裝件製造時可使脫模膜良好地吸附於模具。
[半導體封裝件]
就使用本發明之脫模膜以後述本發明之半導體封裝件之製造方法所製造的半導體封裝件來說，可列舉電晶體、二極體等集結半導體元件而成的積體電路；及具有發光元件之發光二極體等。
就積體電路之封裝件形狀來說，可覆蓋積體電路整體，亦可覆蓋積體電路一部分(使積體電路一部分露出)。 就具體例來說，可列舉BGA(Ball Grid Array：球柵陣列封裝)、QFN(Quad Flat Non-leaded package：四面扁平無引腳封裝)、SON(Small Outline Non-leaded package：小輪廓無引腳封裝)等。
就半導體封裝件而言，從生產性的觀點來看，以經過整批密封及分割所製造者為佳，可列舉如密封方式為MAP(Molded Array Packaging：模製陣列封裝)方式或WL(Wafer Level packaging：晶圓級封裝)方式之積體電路等。
圖2係顯示半導體封裝件一例之概略截面圖。
該例之半導體封裝件110具有基板10、安裝於基板10上之半導體晶片(半導體元件)12、密封半導體晶片12之樹 脂密封部14、及形成於樹脂密封部14之上面14a的印墨層16。半導體晶片12具有表面電極(無圖示)，基板10具有與半導體晶片12之表面電極相對應的基板電極(無圖示)，表面電極及基板電極則是藉由接合線18而相互電連接。
樹脂密封部14之厚度(從基板10之半導體晶片12 設置面起至樹脂密封部14之上面14a的最短距離)並無特別限定，以「半導體晶片12之厚度」以上且「半導體晶片12之厚度+1mm」以下為佳，「半導體晶片12之厚度」以上且「半導體晶片12之厚度+0.5mm」以下尤佳。
圖3為顯示半導體封裝件之另一例的概略截面 圖。該例之半導體封裝件120具有基板70、安裝於基板70上之半導體晶片(半導體元件)72及底部填膠(樹脂密封部)74。底部填膠74係填充在基板20與半導體晶片72主面(基板70側之表面)間的間隙，半導體晶片72之背面(與基板70側為相反側之表面)則呈露出狀態。
[半導體封裝件之製造方法]
本發明之半導體封裝件之製造方法，係製造具有半導體元件、及由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部的半導體封裝件；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：以前述第1熱可塑性樹脂層側之表面或前述第1脫模層側之表面朝向前述模具內之空間的方式，將前述本發明之脫模膜配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面；將安裝有半導體元件之基板配置於前述模具內，將硬 化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得具有前述基板、前述半導體元件及前述樹脂密封部之密封體；及使前述密封體自前述模具脫模。
本發明之半導體封裝件之製造方法除了使用本發明之脫模膜以外，可採用公知的製造方法。
例如，就樹脂密封部之形成方法來說，可列舉壓縮成形法或轉注成形法，而就此時所使用之裝置來說，則可利用公知的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。製造條件也是只要設成與公知的半導體封裝件之製造方法中之條件為同條件即可。
(第1實施形態)
半導體封裝件之製造方法之一實施形態，係針對使用前述脫模膜1作為脫模膜並藉由壓縮成形法來製造圖2所示半導體封裝件110之情況詳細說明。本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(α1)~(α7)。
步驟(α1)，以脫模膜1覆蓋模具之模槽且脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2側之表面2a朝向模槽內之空間的方式(即第2熱可塑性樹脂層3側之表面3a朝向模槽面)來配置脫模膜1。
步驟(α2)，將脫模膜1真空抽吸至模具之模槽面之側。
步驟(α3)，將硬化性樹脂填充至模槽內。
步驟(α4)，將安裝有多個半導體晶片12之基板10配置於模槽內之預定位置，藉由硬化性樹脂將前述多個半導體 晶片12予以整批密封而形成樹脂密封部，藉此製得具有基板10、安裝於該基板10上之多個半導體晶片12、及將前述多個半導體晶片12整批密封之樹脂密封部的整批密封體。
步驟(α5)，從模具內取出前述整批密封體。
步驟(α6)，將前述整批密封體之基板10及前述樹脂密封部切斷以使前述多個半導體晶片12分離，藉此獲得具有基板10、安裝於該基板10上之至少1個半導體晶片12、及用以密封半導體晶片12之樹脂密封部14的單片化密封體。
步驟(α7)，於單片化密封體之樹脂密封部14表面使用印墨形成印墨層16而獲得半導體封裝件1。
模具：就第1實施形態中之模具來說，可使用作為使用於壓縮成形法之模具既已公知之物，例如可舉如圖4中所示具有固定上模20、模槽底面構件22、及配置於該模槽底面構件22周緣的框狀可動下模24之模具。
於固定上模20形成有眞空通氣孔(省略圖示)，該眞空通氣孔係用以抽吸基板10與固定上模20間之空氣藉此將基板10吸附於固定上模20。又，於模槽底面構件22形成有眞空通氣孔(省略圖示)，該眞空通氣孔係用以抽吸脫模膜1與模槽底面構件22間之空氣藉此將脫模膜1吸附於模槽底面構件22。
在該模具中，係藉由模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面，形成形狀與步驟(α4)中所形成之樹脂密封部之形狀相對應的模槽26。以下，模槽底面構件22之上 面及可動下模24之內側側面亦總稱為模槽面。
步驟(α1)： 以覆蓋模槽底面構件22之上面的方式將脫模膜1配置於可動下模24上。此時，脫模膜1係配置成第2熱可塑性樹脂層3側之表面3a朝向下側(模槽底面構件22方向)。
脫模膜1係從捲出輥(省略圖示)送出並以捲取輥(省略圖示)捲取。脫模膜1會被捲出輥及捲取輥拉伸，因此可在經延展之狀態下配置於可動下模24上。
步驟(α2)： 另外透過模槽底面構件22之眞空通氣孔(省略圖示)進行真空抽吸，將模槽底面構件22之上面與脫模膜1間之空間減壓，使脫模膜1延展變形而真空吸附於模槽底面構件22之上面。再將配置於模槽底面構件22周緣的框狀可動下模24壓緊，將脫模膜1朝所有方向拉伸，使其呈緊張狀態。
又，因高溫環境下的脫模膜1之強度、厚度及依模槽底面構件22之上面與可動下模24之內側側面所形成的凹部形狀，脫模膜1不見得會密著於模槽面。在步驟(α2)之真空吸附的階段當中，如圖4所示，脫模膜1與模槽面之間可殘留有些許空隙。
步驟(α3)： 如圖4所示，藉由灑佈機(省略圖示)將硬化性樹脂40適量填充於模槽26內之脫模膜1上。又，另外透過固定上模20之眞空通氣孔(省略圖示)進行真空抽吸，使安裝有多個 半導體晶片12之基板10真空吸附於固定上模20之下面。
就硬化性樹脂40而言，亦可使用在半導體封裝 件之製造中既已採用的各種硬化性樹脂。以環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂為佳，環氧樹脂尤佳。
環氧樹脂可列舉如SUMIMONO BAKELITE CO.,LTD.製SUMIKON EME G770H type Fver.GR、Nagase ChemteX Corporation製T693/R4719-SP10等。聚矽氧樹脂之市售品，則可列舉信越化學工業公司製
Figure 104107349-A0202-12-0040-6
LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
硬化性樹脂40中亦可含有碳黑、熔融二氧化 矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。而，在此雖顯示填充固體物作為硬化性樹脂40之例，但本發明不受此限定，亦可填充液狀的硬化性樹脂。
步驟(α4)： 如圖5所示，在模槽26內之脫模膜1上已填充有硬化性樹脂40的狀態下，使模槽底面構件22及可動下模24上升與固定上模20合模。接著如圖6所示，僅使模槽底面構件22上升並同時將模具加熱使硬化性樹脂40硬化而形成將多個半導體晶片12整批密封的樹脂密封部。
在步驟(α4)中，可藉由使模槽底面構件22上升時之壓力，將已填充於模槽26內之硬化性樹脂40進一步朝模槽面壓入。藉此，可使脫模膜1延展變形而密著於模槽面。所以，可形成形狀與模槽26形狀相對應的樹脂密封部。
模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度以 100~185℃為佳，140~175℃尤佳。加熱溫度只要在前述範圍之下限值以上，便可提升半導體封裝件110之生產性。 加熱溫度只要在前述範圍之上限值以下，便可抑制硬化性樹脂40之劣化。
從抑制因硬化性樹脂40之熱膨脹率所造成的樹脂密封部14之形狀變化的觀點來看，在尤其講究半導體封裝件110之保護的情況下，宜在前述範圍內盡量低溫的溫度下進行加熱。
步驟(α5)： 將固定上模20、模槽底面構件22及可動下模24開模，取出整批密封體。
將整批密封體予以脫模之同時，將脫模膜1使用完畢的部分送至捲取輥(省略圖示)，並將脫模膜1之未使用部分從捲出輥(省略圖示)送出。脫模膜1從捲出輥搬送至捲取輥時之厚度在25μm以上為佳。厚度低於25μm時，容易在脫模膜1搬送時產生縐痕。一旦於脫模膜1發生縐痕，便有縐痕轉印至樹脂密封部14而成為製品不良之虞。厚度只要在25μm以上，即可對脫模膜1充分地施加張力來抑制縐痕的發生。
步驟(α6)： 將從模具內取出之整批密封體的基板10及樹脂密封部切斷以使多個半導體晶片12分離(單片化)，而獲得具有基板10、至少1個半導體晶片12、及密封半導體晶片12之樹脂密封部14的單片化密封體。
單片化可藉由公知方法進行，例如可列舉切割法。切割法係使切割刀一邊旋轉並一邊將對象物切斷的方法。就切割刀而言，典型上可使用於圓盤外周燒結有鑽石粉之旋轉刃(鑽石切刀)。利用切割法所行之單片化例如可藉由下述方法來進行：將切斷對象物之整批密封體藉由夾具固定於處理台上，在切斷對象物之切斷區域與前述夾具間之存有可***切割刀之空間的狀態下，使前述切割刀運行其間。
在步驟(α6)中，如前述將整批密封體切斷之步驟(切斷步驟)以後，可包含異物除去步驟，該異物除去步驟係從噴嘴朝前述切斷對象物供給液體同時使前述處理台移動，其中該噴嘴是配置在與覆蓋前述切割刀之外殼分開之位置。
步驟(α7)： 為了在步驟(α6)中所得單片化密封體的樹脂密封部14之上面(曾與脫模膜1相接之面)14a顯示任意的資訊，乃塗佈印墨形成印墨層16，而獲得半導體封裝件110。
就可藉由印墨層16顯示之資訊來說並無特別限定，可列舉序號、製造商相關資訊及零件類別等。印墨的塗佈方法並無特別限定，例如可適用噴墨法、網版印刷、由橡膠版之轉印等各種印刷法。
就印墨來說並無特別限定，可自公知印墨中適當選擇。而印墨層16之形成方法，在硬化速度快且封裝件上的滲斑少、及不吹熱風所以封裝件的位移少等觀點下，以使 用光硬化型印墨，以噴墨法使該印墨附著於樹脂密封部14之上面14a並藉由光照射使該印墨硬化之方法為佳。
就光硬化型印墨來說，典型上可使用含有聚合性 化合物(單體、寡聚物等)之物。於印墨中可因應需求添加顏料、染料等色材、液體介質(溶劑或分散媒)、聚合抑制劑、光聚合引發劑及其他各種添加劑等。其他添加劑可列舉如滑劑、聚合促進劑、滲透促進劑、濕潤劑(保濕劑)、定著劑、防黴劑、防腐劑、抗氧化劑、放射線吸收劑、螫合劑、pH調整劑、增稠劑等。
就使光硬化型印墨硬化之光來說，可列舉紫外 線、可見光線、紅外線、電子射線、放射線等。
紫外線之光源可列舉殺菌燈、紫外線用螢光燈、碳弧、氙燈、複印用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、紫外線發光二極體、紫外線雷射二極體、自然光等。
光照射可在常壓下進行亦可在減壓下進行。又，可在空氣中進行，亦可在氮氣體環境、二氧化碳氣體環境等惰性氣體環境下進行。
(第2實施形態)
就半導體封裝件之製造方法之其他實施形態，針對使用前述脫模膜1作為脫模膜並以轉注成形法製造圖2所示之半導體封裝件110的情況詳細說明。
本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(β1)~(β7)。
步驟(β1)，以脫模膜1覆蓋模具之模槽且脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2側之表面2a朝模槽內之空間的方式(第2熱可塑性樹脂層3側之表面3a朝模槽面)來配置脫模膜1。
步驟(β2)，將脫模膜1真空抽吸至模具之模槽面之側。
步驟(β3)，將安裝有多個半導體晶片12之基板10配置於模槽內之預定位置。
步驟(β4)，於模槽內填充硬化性樹脂，藉由該硬化性樹脂將多個半導體晶片12整批密封而形成樹脂密封部，藉此製得具有基板10、安裝於該基板10上之多個半導體晶片12、及將前述多個半導體晶片12整批密封之樹脂密封部的整批密封體。
步驟(β5)，從模具內取出前述整批密封體。
步驟(β6)，將前述整批密封體之基板10及前述樹脂密封部切斷以使前述多個半導體晶片12分離，藉此獲得具有基板10、安裝於該基板10上之至少1個半導體晶片12、及將前述半導體晶片12密封之樹脂密封部14的單片化密封體。
步驟(β7)，於單片化密封體之樹脂密封部14表面使用印墨形成印墨層而獲得半導體封裝件1。
模具： 第2實施形態中之模具，可使用作為轉注成形法中使用之模具既已公知之物，可舉例如圖7所示具有上模50及下模52之模具。上模50形成有形狀與步驟(α4)中形成之樹脂密封部14形狀相對應的模槽54及將硬化性樹脂40導引至 模槽54的凹狀樹脂導入部60。下模52形成有用以設置已搭載半導體晶片12之基板10的基板設置部58及用以配置硬化性樹脂40的樹脂配置部62。又，於樹脂配置部62內設置有柱塞64，該柱塞64可將硬化性樹脂40擠出至上模50之樹脂導入部60。
步驟(β1)：如圖8所示，將脫模膜1配置成覆蓋上模50之模槽54。脫模膜1宜配置成覆蓋模槽54及樹脂導入部60整體。脫模膜1會被捲出輥(省略圖示)及捲取輥(省略圖示)拉伸，因此可在經延展之狀態下配置成覆蓋上模50之模槽54。
步驟(β2)：如圖9所示，透過形成於上模50之模槽54外部的溝槽(省略圖示)進行真空抽吸，將脫模膜1與模槽面56間之空間及脫模膜1與樹脂導入部60之內壁間的空間予以減壓，使脫模膜1延展變形而真空吸附於上模50之模槽面56。
又，因高溫環境下的脫模膜1之強度、厚度及模槽54之形狀，脫模膜1不見得會密著於模槽面56。如圖9所示，在步驟(β2)之真空吸附階段中，脫模膜1與模槽面56之間會殘留些許空隙。
步驟(β3)：如圖10所示，將安裝有多個半導體晶片12之基板10設置於基板設置部58，並將上模50與下模52合模，使多個半導體晶片12配置於模槽54內之預定位置。又，於樹脂配置部62之柱塞64上預先配置硬化性樹脂40。就硬化性樹脂40 而言，可舉與方法(α)中所列硬化性樹脂40相同之物。
步驟(β4)：如圖11所示，將下模52之柱塞64上推，並透過樹脂導入部60於模槽54內填充硬化性樹脂40。接著將模具加熱使硬化性樹脂40硬化而形成密封多個半導體晶片12的樹脂密封部。
在步驟(β4)中，係於模槽54內填充硬化性樹脂40，以藉樹脂壓力將脫模膜1進一步推入模槽面56側，使其延展變形而密著於模槽面56。所以，可形成形狀與模槽54形狀相對應的樹脂密封部14。
使硬化性樹脂40硬化時的模具加熱溫度、即硬化性樹脂40的加熱溫度，宜設成與方法(α)中之溫度範圍為相同範圍。
硬化性樹脂40填充時的樹脂壓以2~30MPa為佳，3~10MPa尤佳。樹脂壓只要在前述範圍之下限值以上，便不易產生硬化性樹脂40之填充不足等缺點。樹脂壓只要在前述範圍之上限值以下，便可輕易製得品質良好的半導體封裝件110。硬化性樹脂40之樹脂壓可藉由柱塞64調整。
步驟(β5)：如圖12所示，將整批密封體110A從模具取出，該整批密封體110A具有基板10、安裝於基板10上之多個半導體晶片12及將前述多個半導體晶片12整批密封之樹脂密封部14A。此時，在樹脂導入部60內硬化性樹脂40硬化而成的硬化物19會以附著於整批密封體110A之樹脂密封部14A的 狀態連同整批密封體110A一起從模具中被取出。所以，將附著於所取出之整批密封體110A上的硬化物19予以切除便可獲得整批密封體110A。
步驟(β6)： 將步驟(β5)中所得之整批密封體110A的基板10及樹脂密封部14A切斷使多個半導體晶片12分離(單片化)，而獲得具有基板10、至少1個半導體晶片12及將半導體晶片12密封之樹脂密封部14的單片化密封體。步驟(β6)可以與步驟(α6)同樣的方式進行。
步驟(β7)： 為了於所得單片化密封體的樹脂密封部14上面(曾與脫模膜1之第1面相接之面)14a顯示任意的資訊，塗佈印墨形成印墨層16而獲得半導體封裝件110。步驟(β7)可以與步驟(α7)同樣的方式進行。
(第3實施形態)
就半導體封裝件之製造方法的其他實施形態來說，針對使用前述脫模膜1作為脫模膜並以轉注成形法製造圖3所示之半導體封裝件120的情況詳細說明。
本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(γ1)~(γ5)。
步驟(γ1)，以覆蓋具有上模及下模之模具的前述上模之模槽、且脫模膜1之第1熱可塑性樹脂層2側的表面2a朝向模槽內之空間的方式(第2熱可塑性樹脂層3側之表面3a朝向前述上模之模槽面)來配置脫模膜1。
步驟(γ2)，將脫模膜1真空抽吸至前述上模之模槽面側。
步驟(γ3)，將安裝有半導體晶片72之基板70配置於下模上，將上模與下模合模，使脫模膜1密著於半導體晶片72之背面(與基板70側為相反側之表面)。
步驟(γ4)，於上模與下模間之模槽內填充硬化性樹脂而形成底部填膠74，藉此獲得具有基板70、半導體晶片72及底部填膠74之半導體封裝件120(密封體)。
步驟(γ5)，從模具內取出前述半導體封裝件120。
模具：就第3實施形態中之模具來說，可使用與第2實施形態中之模具相同之物。
步驟(γ1)：如圖13所示，將脫模膜1配置成覆蓋上模50之模槽54。步驟(γ1)可以與步驟(β1)同樣的方式進行。
步驟(γ2)：透過形成於上模50之模槽54外部的溝槽(省略圖示)進行真空抽吸，將脫模膜1與模槽面56間之空間、及脫模膜1與樹脂導入部60之內壁間的空間減壓，使脫模膜1延展變形而真空吸附於上模50之模槽面56。步驟(γ2)可以與步驟(β2)同樣的方式進行。
步驟(γ3)：如圖14所示，將已安裝半導體晶片72之基板70設置於下模52之基板設置部58。
然後將上模50與下模52合模，使半導體晶片12配置於模槽54內之預定位置，同時使脫模膜1密著於半導體晶片72之背面(與基板70側為相反側之表面)。又，於樹脂配置部62之柱塞64上預先配置硬化性樹脂40。
就硬化性樹脂40，可舉與方法(α)中所列硬化性樹脂40相同之物。
步驟(γ4)： 如圖15所示，將下模52之柱塞64上推，並透過樹脂導入部60於模槽54內填充硬化性樹脂40。接著將模具加熱，使硬化性樹脂40硬化而形成底部填膠74。步驟(γ4)可以與步驟(β4)同樣的方式進行。
步驟(γ5)： 如圖16所示，從模具取出半導體封裝件120，該半導體封裝件120具有基板70、安裝於基板70上之半導體晶片72及將半導體晶片72之側面及底面密封之底部填膠74。此時，在樹脂導入部60內硬化性樹脂40硬化而成的硬化物76會以附著於半導體封裝件12之底部填膠74的狀態連同半導體封裝件12一起從模具中被取出。所以，切除附著於所取出之半導體封裝件120上的硬化物76即可獲得半導體封裝件120。
於本實施形態，在步驟(γ4)中係在半導體晶片 72之一部分(背面)與脫模膜1直接相接的狀態下填充硬化性樹脂40。藉此，可獲得不使硬化性樹脂接觸半導體晶片72之與脫模膜1直接相接之部分而使半導體晶片72一部分露 出的半導體封裝件120。
以上，已針對本發明之半導體封裝件之製造方 法顯示第1~第3實施形態加以說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等之組合等均為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，在第1實施形態中係顯示於步驟(α5)後依序進行步驟(α6)、步驟(α7)之例，惟步驟(α6)、步驟(α7)亦可以相反順序進行。即，可於已從模具取出之整批密封體的樹脂密封部表面使用印墨形成印墨層，然後將整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷。
同樣地，在第2實施形態中係顯示於步驟(β5)後依序進行步驟(β6)、步驟(β7)之例，惟步驟(β6)、步驟(β7)亦可以相反順序進行。即，可於已從模具取出之整批密封體的樹脂密封部表面使用印墨形成印墨層，然後將整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷。
從脫模膜剝離樹脂密封部之時序不限於從模具取出樹脂密封部時，亦可從模具連同脫模膜一起取出樹脂密封部，然後從樹脂密封部剝離脫模膜。
整批密封之多個半導體晶片12之各晶片間的距離可均等亦可不均等。從可均質地進行密封並對多個半導體晶片12之各晶片均勻地施加負荷(即負荷最小)的觀點來看，以使多個半導體晶片12之各晶片間的距離均等為佳。
又，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法所 製造的半導體封裝件不限於半導體封裝件110、120。
依照製造之半導體封裝件，亦可不進行第1實施形態中之步驟(α6)~(α7)、及第2實施形態中之步驟(β6)~(β7)。 例如，樹脂密封部之形狀不限於圖2~3所示者，亦可具有段差等。受樹脂密封部密封之半導體元件可為1個亦可為多個。印墨層亦非必須。
製造發光二極體作為半導體封裝件時，樹脂密封部亦可作為透鏡部發揮作用，因此通常不會於樹脂密封部表面形成印墨層。若為透鏡部，樹脂密封部之形狀可採用略半球型、砲彈型、菲涅耳透鏡型、半柱型、略半球透鏡陣列型等各種透鏡形狀。
實施例
以下將顯示實施例詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限定。後述例1~13中，例1~9為實施例，例10~13為比較例。以下顯示各例中使用之材料及評估方法。
[使用材料] <熱可塑性樹脂>
ETFE(1)：後述製造例1中所得之四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.5/46.3/1.2(莫耳比)之共聚物(MFR：12g/10分)。
ETFE(2)：後述製造例2中所得之四氟乙烯/乙烯/PFBE=56.3/40.2/3.5(莫耳比)之共聚物(MFR：12.5g/10分)。
PBT：聚對苯二甲酸丁二酯、「Novaduran5020」(三菱 工程塑料公司製)。
聚甲基戊烯：「TPX MX004」(三井化學公司製)。
<製造例1：ETFE(1)之製造>
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽予以脫氣，饋入1-氫十三氟己烷881.9g、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子公司製、以下亦稱AK225cb)335.5g、CH2=CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)7.0g，並壓入TFE 165.2g、乙烯(以下亦稱E)9.8g後，將聚合槽內升溫至66℃，再饋入作為聚合引發劑溶液之過氧異戊酸三級丁酯(以下亦稱PBPV)1質量%之AK225cb溶液7.7mL，使其開始聚合。
為使聚合中壓力維持恆定，連續饋入TFE/E=54/46之莫耳比的單體混合氣體。又，配合單體混合氣體之饋入而連續饋入相對於TFE與E之合計莫耳數為相當於1.4莫耳%之量的PFBE。聚合開始2.9小時後，在已饋入單體混合氣體100g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫並同時將聚合槽之壓力排淨至常壓。
然後以玻璃濾器將製得之漿料予以抽吸過濾，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得ETFE(1)105g。
<製造例2：ETFE(2)之製造>
將聚合槽之內容積設為1.2L，並分別將聚合開始前要饋入之1-氫十三氟己烷之量從881.9g變更成0g，將AK225cb之量從335.5g變更成291.6g，將PFBE之量從7.0g變更成16.0g，將TFE之量從165.2g變更成186.6g，將E之量從9.8g變更成6.4g，將PBPV為1質量%之AK225cb溶液之量 從5.8mL變更成5.3mL，且將聚合中要連續饋入之單體混合氣體之TFE/E莫耳比從54/46變更成58/42，將PFBE之量(相對於TFE與E之合計莫耳數)從0.8莫耳%變更成3.6莫耳%，並於聚合開始3小時後在已饋入單體混合氣體90g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫，除此以外以與製造例1同樣的方式獲得ETFE(2)90g。
<熱可塑性樹脂薄膜>
ETFE薄膜(1-1)：厚度30μm。單面具有凹凸且Ra為1.5，另一單面則為平滑且Ra為0.1。ETFE薄膜(1-1)係以下述程序製造。
藉由已將模唇開度調整成可使薄膜厚度成為30μm之擠出機，在320℃下將ETFE(1)熔融擠出。並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而製造出ETFE薄膜。
ETFE薄膜(1-2)：厚度25μm。兩面為平滑且兩 面之Ra為0.1。ETFE薄膜(1-2)除了有調整原模輥、製膜速度、夾持壓力條件以外，以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(2-1)：厚度25μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。ETFE薄膜(2-1)係使用ETFE(2)來替代ETFE(1)並將擠出溫度設為300℃，除此以外以與ETFE薄膜(1-2)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(1-3)：厚度12μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。ETFE薄膜(1-3)除了將各條件調整成可使厚度成為12μm以外，以與ETFE薄膜(1-2)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(1-4)：厚度50μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1，並將各條件調整成可使厚度成為50μm，除此以外以與ETFE薄膜(1-2)同樣的方式製造。
而，各薄膜均有施行電暈處理以使依照ISO8296：1987(JIS K6768：1999)之濕潤張力成為40mN/m以上。
PBT薄膜(1-1)：厚度25μm。單面具有凹凸且Ra 為0.8，另一單面則為平滑且Ra為0.1。PBT薄膜(1-1)係以下述程序製造。
藉由已將模唇開度調整成可使厚度成為25μm之擠出機，在280℃下將聚對苯二甲酸丁二酯樹脂「Novaduran5020」(三菱工程塑料公司製)熔融擠出。並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而製造出PBT薄膜。
PBT薄膜(1-2)：厚度50μm。兩面具有凹凸且兩 面之Ra為1.5。PBT薄膜(1-2)除了有調整原模輥、製膜速度、夾持壓力條件以外，以與PBT薄膜(1-1)同樣的方式製造。
TPX薄膜(1-1)：厚度25μm。單面具有凹凸且Ra為0.8，另一單面為平滑且Ra為0.1。TPX薄膜(1-1)係以下述程序製造。
藉由已將模唇開度調整成可使厚度成為25μm之擠出機，在280℃下將聚甲基戊烯樹脂「TPX MX004」(三菱工程塑料公司製)熔融擠出。並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而製造出TPX薄膜。施行電暈處理以使依照ISO8296：1987(JIS K6768：1999)之濕潤張力成為40mN/m 以上。
PET薄膜(1-1)：厚度25μm。使用「Tetoron G2 25 μm」(帝人杜邦薄膜公司製)。兩面為平坦且兩面之Ra為0.2。
PET薄膜(1-2)：厚度50μm。使用「Tetoron G2 50μm」(帝人杜邦公司製)。兩面為平坦且兩面之Ra為0.2。
聚醯胺薄膜(1-1)：厚度25μm。使用「Diamiron C-Z」(三菱樹脂公司製)。兩面為平坦且兩面之Ra為0.1。
ETFE(捏合有碳黑3質量份)薄膜(1-1)：厚度50μm。 兩面具有凹凸且兩面之Ra為1.5。ETFE(捏合有碳黑3質量份)薄膜(1-1)係以下述程序製造。
相對於ETFE(1)顆粒100質量份加入碳黑「DENKA BL ACK粒狀」(電氣化學工業公司製)3質量份，以320℃之雙軸擠出機加以捏合而製出複合物顆粒。以320℃之擠出機將該顆粒熔融擠出而製出ETFE(捏合有碳黑3質量份)薄膜。
<其他材料>
BONDEIP(BONDEIP、商標名)-PA100：BONDEIP(商標名)PA100主劑、BONDEIP(商標名)PA100硬化劑(Konishi公司製)。
導電性高分子A：聚吡咯分散液「CORERON YE」(化研產業公司製)。
接著組成物1：作為主劑之聚酯多元醇「CRISVON NT-258」(DIC公司製)、及作為硬化劑之六亞甲基二異氰酸 酯「Coronate2096」(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製)。
Pelestat(商標名)NC6321：具有聚環氧乙烷鏈之樹脂。
[脫模膜之製造方法] (乾式積層)
乾式積層在所有例中均是藉由凹版塗佈來塗敷各種塗佈液於基材(對應第2熱可塑性樹脂層之薄膜)，並在基材寬度：1,000mm、搬送速度：20m/分、乾燥溫度：80~100℃、層合輥溫度：25℃、壓力：3.5MPa之條件下進行。
[評估方法] (180℃下之剝離強度)
針對各例中所製造之脫模膜中將2片薄膜(第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層)使用接著劑進行乾式積層而成之薄膜構成的脫模膜，依照JIS K6854-2：1999以下述方法進行180度剝離試驗，測出2片熱可塑性樹脂薄膜間在180℃下的剝離強度(N/cm)。
(a)將所製作之脫模膜切取25mm寬×15cm長，製成評估試樣。
(b)在已加熱到180℃之恒溫槽內，使用抗拉試驗機(Orientec公司製RTC-1310A)，以下側的抓取具抓取評估試樣之第2熱可塑性樹脂層，並以上側的抓取具抓取第1熱可塑性樹脂層，在100mm/分之速度下使上側的抓取具往上方移動，測出在180度之角度下的剝離強度。
(c)求出力(N)-抓取移動距離曲線中，抓取移動距離 30mm至100mm之剝離力(N/cm)的平均值。
(d)求出從相同脫模膜所製作之5條評估試樣的剝離力之平均值。令其值為脫模膜在180℃下之剝離強度。
(抗靜電層之表面電阻值)
各例中，於第2熱可塑性樹脂層形成有抗靜電層後，未積層第1熱可塑性樹脂層即依照IEC60093測出表面電阻值。針對未形成抗靜電層之例7則是直接測定脫模膜之表面電阻值。測定環境為23℃50%RH。
(彈性係數)
以下述程序測出與第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層之各層相對應之薄膜在25℃下之貯藏彈性係數E’(25)及在180℃下之貯藏彈性係數E’(180)。
使用動黏彈性測定裝置Solid L-1(東洋精機公司製)，依ISO 6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出貯藏彈性係數E’。令頻率為10Hz、靜力為0.98N且動態位移為0.035%，在2℃/分之速度下使溫度從20℃開始上升並在25℃及180℃下測定E’後，令所測得之E’分別為在25℃下之貯藏彈性係數E’(25)及在180℃下之貯藏彈性係數E’(180)。
(菸灰附著試驗)
於金屬製基板上載置一厚度1cm、10cm×10cm之正方形且中央開有8cm×8cm正方形孔的海綿，於其孔之中央部分放置1g的香菸灰，於海綿上載置脫模膜使第1熱可塑性樹脂層側朝向下側，在溫度23~26℃、濕度50±5%RH之條件下放置1分鐘。然後以目視確認有無菸灰附著於脫模膜。 以下述基準評估其結果。菸灰附著愈少表示脫模膜愈不容易起靜電。
○(良好)：毫無菸灰附著。
×(不良)：有菸灰附著。
(180℃追隨試驗)
圖17中所示之本裝置具備：於中央具有一11mm×11mm正方形孔的不鏽鋼製框材(厚度3mm)90、於內部具有可收納框材90之空間S的夾具92、配置於夾具92上的砝碼94及配置於夾具92下的熱板96。
夾具92具備上部構件92A及下部構件92B。於上部構件92A與下部構件92B之間夾取評估對象的脫模膜30並載置砝碼94，成為固定脫模膜30並形成氣密之空間S的狀態。此時，框材90係在孔中收納有不鏽鋼製銷件(10.5mm×10.5mm)98及不鏽鋼製網狀物(10.5mm×10.5mm)80之狀態下，被收納在夾具92內之上部構件92A側，與脫模膜30相接。
於上部構件92A之頂面形成有排氣口84，且於排氣口84之空間S側的開口面配置有不鏽鋼製網狀物(10.5mm×10.5mm)82。又，於與砝碼94之與排氣口84相對應之位置形成有貫通孔86，使配管L1透過貫通孔86與排氣口84相連接。於配管L1連接有真空泵(省略圖示)，藉由真空泵之驅動可將夾具92內之空間S減壓。於下部構件92B連接有配管L2，經由配管L2可對夾具92內之空間S供給壓縮空氣。
在該裝置中，於框材90之孔內面與網狀物80及 銷件98的各外緣間具有些許的間隙，網狀物80及銷件98可在框材90之孔中沿上下方向移動。又，經由前述間隙以真空泵將脫模膜30與銷件98間之空氣予以真空抽吸，可將框材90之下面與脫模膜30間之空間減壓。
藉由將框材90之下面與脫模膜30間之空間減壓並因應需求從配管L2將壓縮空氣供給至空間S內，可使脫模膜30延展而密著於框材90之孔的內周面及銷件98之下面。
在此裝置中，藉由改變放入框材90之孔中的銷件98之厚度，可改變追隨深度、即框材90之下面(脫模膜30接觸之面)與銷件98之下面(脫模膜30側之面)間的距離。
在試驗中，首先，銷件98係使用追隨深度為 0.8mm者，使脫模膜30密著於框材90並固定於夾具92。此時，脫模膜30係配置成使第2熱可塑性樹脂層側之表面朝向上側(框材90側)。接著，以熱板96將夾具92整體加熱至180℃後，驅動真空泵將銷件98與脫模膜30間之空氣抽空。再從配管L2將壓縮空氣(0.5MPa)供給至空間S內，使脫模膜30追隨框材90與銷件98。將此狀態維持3分鐘並確定真空泵之真空度後，以目視確認脫模膜30是否有追隨至角部(由框材90之孔的內周面與銷件98之下面所形成的角)。然後停止真空泵之驅動及壓縮空氣之供給，迅速取出脫模膜30。針對已取出之脫模膜30以目視確認是否有層間剝離，並以下述基準評估其結果。
○(良好)：脫模膜完全追隨模具且未見層間剝離。
△(可)：脫模膜雖有追隨模具但脫模膜之層間有剝 離。
×(不良)：脫模膜無法完整地追隨模具。
(旋度試驗)
以下述程序測定脫模膜之旋度。
在25℃下，將10cm×10cm之正方形脫模膜靜置於平坦的金屬板上30秒鐘，測出前述脫模膜從金屬板浮起之部分的最大高度(cm)後，令該值為旋度。以下述基準評估其結果。
○(良好)：旋度低於1cm。
×(不良)：旋度在1cm以上。
(模具污垢)
於180℃環境下之轉注成形的下模具裝設非模塑基板，使脫模膜真空吸附於上模具後將上下模具閉合，並使用半導體成形用環氧樹脂在7MPa、180秒下進行轉注成形。以上述條件進行重複成形射注並重複1,000次。以目視檢視此時的模具污垢並以下述基準評估其結果。
○(良好)：未見模具污垢。
×(不良)：有模具污垢。
[例1]
使用ETFE薄膜(1-1)作為第1熱可塑性樹脂層，並使用ETFE薄膜(1-1)作為第2熱可塑性樹脂層。
將BONDEIP(商標名)PA100主劑/BONDEIP(商標名)PA100硬化劑/異丙醇/水以1/1/2/1.5之質量比加以混合而製得抗靜電層形成用組成物1。
將抗靜電層形成用組成物1以0.3g/m2之塗敷量塗敷於第2熱可塑性樹脂層之單面(為平滑之面)並使其乾燥而形成抗靜電層。接著於該抗靜電層之表面以0.5g/m2之塗敷量塗敷接著組成物1並使其乾燥而形成接著層，該接著組成物1係將CRISVON NT-258/Coronate2096/乙酸乙酯以18/1/80之質量比混合而得。以具有凹凸之側成為脫模膜外側的方式將第1熱可塑性樹脂層積層於接著層，並在施加於第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層之張力均為8N之條件下進行乾式積層，藉此製造出與第1實施形態之脫模膜1為同樣構成的脫模膜。
[例2]
將第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層變更為ETFE薄膜(1-2)，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例3]
將第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層變更為ETFE薄膜(2-1)，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例4]
將第2熱可塑性樹脂層變更為PBT薄膜(1-1)，並將乾式積層時施加於第2熱可塑性樹脂層之張力從8N變更成13N，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例5]
將第2熱可塑性樹脂層變更為聚醯胺薄膜(1-1)，並將 乾式積層時施加於第2熱可塑性樹脂層之張力從8N變更成9N，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例6]
將第1熱可塑性樹脂層變更為TPX薄膜(1-1)，並將乾式積層時施加於第1熱可塑性樹脂層之張力從8N變更成9N，除此以外以與例4同樣的方式製造出脫模膜。
[例7]
將第1熱可塑性樹脂層變更為ETFE薄膜(1-3)，並將乾式積層時施加於第1熱可塑性樹脂層之張力變更成3N，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例8]
藉由於接著組成物1添加導電性高分子A而調製出抗靜電層形成用組成物2。相對於接著成分，導電性高分子A之添加量以固體成分換算計為30質量%。使用抗靜電層形成用組成物2來替代抗靜電層形成用組成物1及接著組成物1，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例9]
將Pelestat NC6321溶解於乙酸乙酯中使其成為10質量%而獲得抗靜電層型層用組成物3。使用抗靜電層形成用組成物3來替代抗靜電層形成用組成物1，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例10]
將ETFE(捏合有碳黑3質量份)薄膜(1-1)直接作為脫模膜。
[例11]
除了未使用抗靜電層形成用組成物1以外，以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例12]
將第2熱可塑性樹脂層變更為PET薄膜(1-2)，並將乾式積層時加於第2熱可塑性樹脂層之張力從8N變更成26N，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
[例13]
將第2熱可塑性樹脂層變更為PET薄膜(1-1)，並將乾式積層時施加於第2熱可塑性樹脂層之張力從8N變更成30N，除此以外以與例1同樣的方式製造出脫模膜。
針對例1~13之脫模膜，於表1~2顯示下述結果： 乾式積層時之{(E1’×T1×W1)×F2}/{(E2’×T2×W2)×F1}之值、在180℃下之剝離強度、抗靜電層之表面電阻值、第1熱可塑性樹脂層及第2熱可塑性樹脂層的各彈性係數(在25℃下之貯藏彈性係數E’(25)及在180℃下之貯藏彈性係數E’(180))、菸灰附著試驗、180℃追隨試驗、旋度試驗及模具污垢。
[表1]
Figure 104107349-A0202-12-0064-1
[表2]
Figure 104107349-A0202-12-0065-2
如上述結果所示，例1~9之脫模膜在菸灰附著試 驗中未見菸灰附著，即不易起靜電。又，180℃追隨試驗、旋度試驗、模具污垢之評估結果亦都良好。相對於此，混入有碳黑之例10的脫模膜有觀察到模具污垢。中間層不含高分子系抗靜電劑之例11的脫模膜在菸灰附著試驗中則有菸灰附著。第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層在25℃下之貯藏彈性係數之差超過1,200MPa的例12之脫模膜，旋度很大。
第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層在25℃下之貯藏彈性係數之差超過1,200MPa且第2熱可塑性樹脂層在180℃下之彈性係數超過300MPa的例13之脫模膜，不僅模具追隨性很差，且旋度很大。
產業上之可利用性
本發明之脫模膜可廣泛使用在半導體封裝件模組等之製造上。
而，在此係引用已於2014年3月7日提出申請之日本專利申請案2014-045460號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容，並納入作為本發明說明書之揭示。
1‧‧‧脫模膜
2‧‧‧第1熱可塑性樹脂層
2a‧‧‧第1熱可塑性樹脂層側之表面
3‧‧‧第2熱可塑性樹脂層
3a‧‧‧第2熱可塑性樹脂層側之表面
4‧‧‧中間層

Claims (9)

  1. 一種脫模膜，係在將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部的半導體封裝件之製造方法中，配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面；其特徵在於具備：第1熱可塑性樹脂層，係於前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；第2熱可塑性樹脂層，係於前述樹脂密封部形成時與模具相接；及中間層，係配置於第1熱可塑性樹脂層與第2熱可塑性樹脂層之間；並且，前述第1熱可塑性樹脂層與前述第2熱可塑性樹脂層在180℃下之貯藏彈性係數分別為10~40MPa，在25℃下之貯藏彈性係數之差為1,200MPa以下，且厚度分別為12~50μm；前述中間層含有一含高分子系抗靜電劑之層。
  2. 如請求項1之脫模膜，其中前述中間層具有含高分子系抗靜電劑之層及由不含高分子系抗靜電劑之接著劑所形成之接著層；或是，具有由含高分子系抗靜電劑之接著劑所形成之層。
  3. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述第1熱可塑性樹脂層及前述第2熱可塑性樹脂層均不含無機系添加劑。
  4. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述第1熱可塑性樹脂層 與前述第2熱可塑性樹脂層之間的剝離強度為0.3N/cm以上，且該剝離強度係依照JIS K6854-2在180℃下測得。
  5. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述含高分子系抗靜電劑之層的表面電阻值在1010Ω/□以下。
  6. 如請求項1或2之脫模膜，其以下述測定方法測定之旋度為1cm以下：(旋度測定方法)在20~25℃下，將10cm×10cm之正方形脫模膜靜置於平坦的金屬板上30秒鐘，測出前述脫模膜從金屬板浮起之部分的最大高度(cm)後，令該值為旋度。
  7. 一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件及樹脂密封部，該樹脂密封部係由硬化性樹脂形成且用以密封前述半導體元件；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如請求項1至6中任一項之脫模膜配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面；將安裝有半導體元件之基板配置於前述模具內，將硬化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得具有前述基板、前述半導體元件及前述樹脂密封部之密封體；及使前述密封體自前述模具脫模。
  8. 如請求項7之半導體封裝件之製造方法，其於獲得前述密封體之步驟中，前述半導體元件的一部分係與前述脫模膜直接相接。
  9. 一種如請求項2之脫模膜之製造方法，其特徵在於包含下述步驟：使用接著劑將形成第1熱可塑性樹脂層之第1薄膜與形成第2熱可塑性樹脂層之第2薄膜予以乾式積層；前述第1薄膜及前述第2薄膜中之一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E1’(MPa)、厚度T1(μm)、寬度W1(mm)及加於薄膜之張力F1(N)，與另一薄膜在乾式積層溫度t(℃)下之貯藏彈性係數E2’(MPa)、厚度T2(μm)、寬度W2(mm)及加於薄膜之張力F2(N)會滿足下式(I)：0.8≦{(E1’×T1×W1)×F2}/{(E2’×T2×W2)×F1}≦1.2．．．(I)惟，在180℃下之貯藏彈性係數E1’(180)及E2’(180)為10~40MPa，在25℃下之貯藏彈性係數之差|E1’(25)-E2’(25)|為1,200MPa以下，且T1及T2分別為12~50(μm)。
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