WO2010023907A1 - 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 Download PDF

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mold
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resin package
methyl
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隆幸 眞田
勝美 乗富
智也 又吉
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三井化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a mold release film for producing a semiconductor resin package, and a method for producing a semiconductor resin package using the same.
  • a semiconductor chip is usually used as a semiconductor resin package sealed with a sealing material.
  • the semiconductor resin package is generally obtained by transfer molding, in which a semiconductor chip is loaded into a cavity of a mold and the cavity is filled with a sealant containing an epoxy resin as a main component.
  • the following points have been problems in the conventional transfer molding. 1) Since the sealing material may contaminate the inner surface of the mold, the mold needs to be cleaned and the working efficiency is reduced. 2) The mold life is short because the inner surface of the mold is damaged. 3) Burrs are likely to occur in the molded semiconductor resin package.
  • a method (also referred to as "film assist molding") is known in which a mold release sheet such as a polytetrafluoroethylene (PTFE) -based sheet is disposed in a mold and molded.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • a PTFE-based sheet is easily wrinkled in a mold, there is a problem that it is difficult to obtain a semiconductor resin package having a desired shape in this method.
  • a PTFE-based sheet generates fluorine-based gas at the time of incineration, there is also a problem that disposal is not easy.
  • release sheets for semiconductor molds include a layer (A layer) responsible for mold release from a molded product and a layer (B layer) responsible for heat resistance to heating during molding, and the peel force from the molded product is specified
  • a layer responsible for mold release from a molded product
  • B layer responsible for heat resistance to heating during molding
  • the release sheet adjusted to the range of is proposed (for example, patent document 1).
  • the document specifically discloses a release sheet having a three-layer structure “poly 4-methyl-1-pentene / adhesive layer / PET”.
  • a five-layer structure consisting of A layer (surface layer), B layer (adhesive layer), C layer (base layer), B 'layer (adhesive layer) and A' layer (surface layer) It is a film which A layer (surface layer) and A 'layer (surface layer) have, and a film which contains 4-methyl- 1-pentene type polymer resin is proposed (for example, patent documents 2). The document discloses that this film is suitable as a release film in the production of multilayer printed circuit boards.
  • the release sheet described in Patent Document 1 has a laminate structure that is asymmetric with respect to the center layer, and therefore, warpage easily occurs. Therefore, when the mold release sheet described in Patent Document 1 is used as a mold release sheet and the mold release sheet is introduced into the mold and vacuum-sucked, longitudinal wrinkles are induced or the inner surface of the mold cavity is It has been difficult to cause the release sheet to be adsorbed stably, for example, due to non-adherence.
  • the longitudinal wrinkles are wrinkles generated along the longitudinal direction of the release sheet in the plane of the release sheet.
  • the release sheet can not be stably vacuum-adsorbed on the inner surface of the mold because warping, wrinkles, etc. occur.
  • wrinkles and the like of the release sheet may be transferred to the semiconductor resin package which is a molded product, and a semiconductor resin package having a desired shape may not be obtained.
  • the present invention aims to provide a release film which is excellent in releasability with a semiconductor resin package and hardly causes warpage, wrinkles and the like; and a method of obtaining a semiconductor resin package with good dimensional accuracy using the same. I assume.
  • the first of the present invention relates to a release film shown below.
  • a pair of outermost layers A including one or more base layers C and the base layer C and containing 4-methyl-1-pentene polymer as a main component, the base layers C, and The mold release film for semiconductor resin package manufacture which has a pair of contact bonding layer B to which it bonds with outermost layer A.
  • the base material layer C contains a polyamide resin, and in the adhesive layer B, 4-methyl-1-pentene polymer is modified with unsaturated carboxylic acid and / or acid anhydride of unsaturated carboxylic acid
  • the mold release film according to [1] comprising a modified 4-methyl-1-pentene polymer.
  • the mold release film according to any one of [1] to [6], wherein the laminated structure of the release film is symmetrical with respect to the base layer C.
  • the release film includes a step of disposing a semiconductor chip in the mold, a step of disposing the release film between the semiconductor chip and the inner surface of the mold, and sealing in the mold Material is used to produce a sealed semiconductor chip, and the step of peeling the sealed semiconductor chip from the release film, used in a manufacturing process of a semiconductor resin package, [1] The mold release film as described in any of [7].
  • the second of the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor resin package using a release film described below.
  • a step of disposing a semiconductor chip in a mold a step of disposing the release film according to any one of [1] to [7] between the semiconductor chip and the inner surface of the mold; the mold
  • a method of manufacturing a semiconductor resin package comprising the steps of: obtaining a sealed semiconductor chip by injecting a sealing material therein; and peeling the sealed semiconductor chip from the release film.
  • a mold release film which is excellent in mold releasability with a semiconductor resin package and which hardly causes warpage or longitudinal wrinkles.
  • the mold release film (mold release film) for semiconductor resin package production of the present invention holds a base material layer C and a base material layer C, and 4-methyl-1 A pair of outermost layers A containing a pentene polymer as a main component, and a pair of adhesive layers B disposed between the base layer C and the outermost layer A;
  • the release film of the present invention is disposed on the inner surface of a molding die when the semiconductor chip is resin-sealed inside the molding die.
  • the resin-sealed semiconductor chip semiconductor resin package
  • the pair of outermost layers A is the outermost layer disposed on both sides of the release film.
  • One outermost layer A is in contact with the semiconductor resin package (molded product); the other outermost layer A is in contact with the inside of the mold. Therefore, the outermost layer A is required to be excellent in heat resistance and releasability.
  • the outermost layer A contains a 4-methyl-1-pentene polymer as a main component.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer has a high melting point of 220 to 240 ° C. and not only does not melt at the mold temperature in the manufacturing process of the semiconductor resin package, but it is excellent in releasability because of low surface energy.
  • the symbol “to” includes the range of its both ends, and the same applies to the following.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer is a 4-methyl-1-pentene homopolymer (4-methyl-1-pentene homopolymer) or 4-methyl-1-pentene and 4-methyl-1-pentene. Copolymer with other monomers other than -1-pentene (4-methyl-1-pentene copolymer).
  • Examples of other monomers in the 4-methyl-1-pentene copolymer include ⁇ -olefins of 2 to 20 carbon atoms.
  • Examples of ⁇ -olefins having 2 to 20 carbon atoms include ethylene, propylene, 1-butene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 1-decene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-heptadecene , 1-octadecene, and 1-eikosen and the like. These ⁇ -olefins may be used alone or in combination of two or more.
  • ⁇ -olefins having 2 to 20 carbon atoms ⁇ -olefins having 7 to 20 carbon atoms are preferable, ⁇ -olefins having 8 to 20 carbon atoms are more preferable, and ⁇ -olefins having 10 to 20 carbon atoms are preferable. Is more preferred.
  • the content of the repeating unit derived from 4-methyl-1-pentene in the 4-methyl-1-pentene copolymer is preferably 93% by mass or more, more preferably 93 to 99% by mass, and still more preferably 95 to 98% by mass .
  • Such 4-methyl-1-pentene copolymer has good rigidity derived from 4-methyl-1-pentene and good formability derived from ⁇ -olefin.
  • the melt flow rate (MFR) of the 4-methyl-1-pentene polymer measured at a temperature of 260 ° C. under a load of 5.0 kg according to ASTM D1238 is 0.5 to 250 g / 10 min. Preferably, it is 1.0 to 150 g / 1.
  • MFR of the 4-methyl-1-pentene polymer is in the above range, the moldability and mechanical properties are excellent.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer can be produced by any method. For example, it can be obtained by polymerizing 4-methyl-1-pentene in the presence of a known catalyst such as a Ziegler-Natta catalyst or a metallocene catalyst.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer used in the present invention may be one produced as described above; it may be a commercially available product.
  • Commercially available examples of 4-methyl-1-pentene polymers include TPX manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., and the like.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer preferably has crystallinity. Specifically, the 4-methyl-1-pentene polymer preferably has an isotactic structure or a syndiotactic structure; in particular, it preferably has an isotactic structure.
  • the molecular weight of the 4-methyl-1-pentene polymer is not particularly limited as long as the formability and mechanical properties are satisfied.
  • the outermost layer A may contain another resin other than the 4-methyl-1-pentene polymer as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the outermost layer A may contain an additive as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the additives include known additives usually blended in polyolefins such as heat stabilizers, weather stabilizers, rust inhibitors, copper damage stabilizers, antistatic agents and the like.
  • the additive amount of the additive is preferably 0.0001 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the 4-methyl-1-pentene copolymer resin.
  • the base layer C is an intermediate layer of the release film and has a function as a film base. For this reason, it is preferable that the base material layer C is excellent in heat resistance and mechanical characteristics. In particular, it is preferable that the resin which is the main component of the base layer C be superior to the 4-methyl-1-pentene-based polymer which is the main component of the outermost layer A at high temperature strength and creep resistance.
  • the high temperature here means the mold temperature at the time of manufacturing a semiconductor resin package.
  • Such resins include polycarbonate resins, polyester resins and polyamide resins. Among them, polyamide resins are preferable, and aliphatic polyamide resins are more preferable. These polyamide resins have higher adhesion to the modified 4-methyl-1-pentene polymer contained in the adhesive layer B described later than polyester resins such as polyethylene terephthalate resin, and therefore, the outermost layer A and the group A Delamination with the material layer C can be effectively suppressed.
  • Aliphatic polyamide resin is a resin obtained by ring-opening polymerization of lactam; polycondensation reaction of aliphatic diamine component and aliphatic dicarboxylic acid component; or polycondensation of aliphatic aminocarboxylic acid.
  • Examples of aliphatic polyamides obtained by ring-opening polymerization of lactams include polyamide 6, polyamide 11, polyamide 12 and polyamide 612.
  • Examples of the aliphatic polyamide obtained by the polycondensation of the aliphatic diamine component and the aliphatic dicarboxylic acid component include polyamide 66, polyamide 610, polyamide 46, polyamide MXD6, polyamide 6T, polyamide 6I and polyamide 9T.
  • polyamide 6 or polyamide 66 is preferable; polyamide 66 is more preferable.
  • These polyamides (especially polyamide 66) have high melting points and high elastic modulus, and are excellent not only in heat resistance and mechanical properties but also in adhesion to an adhesive layer B described later.
  • the release film having the base material layer C containing these polyamides is not only difficult to produce wrinkles in the mold, but also hard to produce pinhole-like tears. If the sealing material leaks through a pinhole-like break, a part of the sealing material component adheres and deposits on the inner wall of the mold cavity, which is not preferable because the mold is contaminated in a short time.
  • the melting point of the aliphatic polyamide measured by the DSC method is preferably 190 ° C. or higher. It is because heat resistance is inadequate and the base film C contains the aliphatic polyamide which has melting
  • the base layer C may be a multilayer, or may be a three-layer as shown by "C / C '/ C". In that case, it is preferable that at least one of the base material layer C and the base material layer C ′ contain the polyamide 66.
  • the base layer C may further contain another resin other than the above-described polyamide resin and the like.
  • Preferred examples of other resins are heat-resistant elastomers that are superior in creep resistance to tensile stress and compressive stress at high temperature than 4-methyl-1-pentene polymer that is the main component of the outermost layer A; or stress It is a heat resistant elastomer which is hard to relax and is excellent in elastic recovery.
  • thermoplastic polyamide-based elastomers examples include thermoplastic polyamide-based elastomers, thermoplastic polyester-based elastomers and the like, in consideration of adhesion to the adhesive layer B.
  • the melting point of these thermoplastic elastomers measured by the DSC method is preferably 190 ° C. or higher. Even if the melting point of the thermoplastic elastomer is less than 190 ° C., it can be chemically crosslinked using a crosslinking agent or a crosslinking aid, or physically crosslinked by ultraviolet light, electron beam, gamma ray, etc. Creep resistance and elastic recovery at high temperatures may be improved.
  • thermoplastic polyamide-based elastomers include block copolymers in which polyamide is a hard segment and polyester or polyether is a soft segment.
  • polyamides constituting the hard segment include polyamide 6, polyamide 66, polyamide 610, polyamide 612, polyamide 11, and the like.
  • polyethers constituting the soft segment include polyethylene glycol (PEG), polypropylene glycol (PPG), polytetramethylene glycol (PTMG) and the like.
  • thermoplastic polyester-based elastomer a crystalline polymer segment consisting of a crystalline aromatic polyester unit is made a hard segment, and an amorphous polymer segment consisting of a polyether unit or an aliphatic polyester unit is made a soft segment Block copolymers are included.
  • the crystalline polymer composed of the crystalline aromatic polyester unit constituting the hard segment include polybutylene terephthalate (PBT), polybutylene naphthalate (PBN) and the like.
  • PBT polybutylene terephthalate
  • PBN polybutylene naphthalate
  • amorphous polymer consisting of polyether units constituting the soft segment include polytetramethylene ether glycol (PTMG) and the like.
  • amorphous polymers consisting of aliphatic polyester units constituting the soft segment include aliphatic polyesters such as polycaprolactone (PCL).
  • PCL polycaprolactone
  • specific examples of the thermoplastic polyester-based elastomer include block copolymers of polybutylene terephthalate (PBT) and polytetramethylene ether glycol (PTMG); block copolymers of polybutylene terephthalate (PBT) and polycaprolactone (PCL) Included are block copolymers of polybutylene naphthalate (PBN) and aliphatic polyester, and the like.
  • the base layer C may contain known additives as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the additive include a heat stabilizer including a copper compound system for the purpose of improving heat aging resistance; lubricants such as calcium stearate and aluminum stearate; It contains known additives which are usually blended into polyamide resins.
  • the adhesive layer B is disposed between the base layer C and each of the pair of outermost layers A, and has a function of adhering them. By arranging the adhesive layer B, it is possible to suppress the delamination between the base layer C and the outermost layer A at a portion where stress concentration is likely to be generated in the mold release film in the mold at the time of mold clamping or injection molding. .
  • the location where stress concentration is likely to occur is, for example, the peripheral portion of the cavity of the mold (the boundary between the cavity surface and the parting surface of the mold).
  • the adhesive layer B preferably contains a material compatible with both the outermost layer A and the base layer C.
  • the adhesive layer B is a 4-methyl-1-pentene polymer, which is the main component of the outermost layer A, modified to be compatible with the base layer C; specifically, modified to have a polar group It is preferable to include the above-described 4-methyl-1-pentene polymer.
  • the base layer C preferably contains a polyamide resin, and the polyamide resin is compatible with polar groups.
  • the 4-methyl-1-pentene polymer modified to have a polar group can be obtained by any method. Among them, it is preferable to modify the 4-methyl-1-pentene polymer with an unsaturated carboxylic acid and / or its acid anhydride (hereinafter also referred to as “unsaturated carboxylic acid etc.”).
  • graft polymerization of 4-methyl-1-pentene polymer and unsaturated carboxylic acid etc can be carried out by a known method, for example, 4-methyl-1-pentene polymer and unsaturated carboxylic acid or the like. , And may be melt-kneaded in the presence of a peroxide or the like.
  • the intrinsic viscosity [ ⁇ ] of the 4-methyl-1-pentene polymer before modification is preferably 0.5 to 25 dl / g, and more preferably 0.5 to 5 dl / g Is more preferred.
  • unsaturated carboxylic acid and the like examples include unsaturated compounds having 3 to 20 carbon atoms and having a carboxyl group and an unsaturated group; and unsaturated compounds having 3 to 20 carbon atoms and having a carboxylic acid anhydride group and an unsaturated group. Is included.
  • unsaturated groups include vinyl, vinylene and unsaturated cyclic hydrocarbon groups.
  • unsaturated carboxylic acid and the like include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid; maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, allyl succinic acid, mesaconic acid, glutaconic acid, nadic acid TM Unsaturated dicarboxylic acids such as methyl nadic acid, tetrahydrophthalic acid and methyl hexahydrophthalic acid; and maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, allylsuccinic anhydride, allyl succinic anhydride, glutaconic anhydride, nadic anhydride TM, methyl nadic anhydride Included are unsaturated dicarboxylic acid anhydrides such as acid, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride and the like. You may use these individually or in combination of 2 or more types.
  • the grafting ratio of the modified 4-methyl-1-pentene polymer (hereinafter also referred to as “modified 4-methyl-1-pentene polymer”) is preferably 20% by mass or less, preferably 0.1 to The content is more preferably 5% by mass, further preferably 0.5 to 2% by mass.
  • modified 4-methyl-1-pentene polymer having a graft ratio in the above range has good adhesion to both the outermost layer A and the base layer C.
  • the modified 4-methyl-1-pentene polymer preferably has substantially no crosslinked structure.
  • the absence of the crosslinked structure can be confirmed by dissolving the modified 4-methyl-1-pentene polymer in an organic solvent such as p-xylene, for example, and the absence of a gel-like substance.
  • the intrinsic viscosity [ ⁇ ] of the modified 4-methyl-1-pentene polymer measured in decahydronaphthalene at 135 ° C. is preferably 0.2 to 10 dl / g, and more preferably 0.5 to 5 dl / g. It is more preferable that it is g.
  • the adhesive layer B may have only the modified 4-methyl-1-pentene polymer as a main component, but preferably a mixture of the modified 4-methyl-1-pentene polymer and another ⁇ -olefin polymer Main component
  • the modified 4-methyl-1-pentene polymer is preferably contained in an amount of 20 to 40% by mass in the mixture.
  • the ⁇ -olefin polymer is preferably an ⁇ -olefin polymer having 2 to 20 carbon atoms.
  • ⁇ -olefin polymers having 2 to 20 carbon atoms include polymers such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-tetradecene, 1-octadecene and the like Be Among these, 1-butene polymers are preferable.
  • the 1-butene polymer is a homopolymer of 1-butene or a copolymer of 1-butene and an ⁇ -olefin having 2 to 20 carbon atoms other than 1-butene.
  • Examples of the ⁇ -olefin having 2 to 20 carbon atoms other than 1-butene include ethylene, propylene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-tetradecene, 1-octadecene and the like; Ethylene or propylene.
  • the 1-butene polymer preferably contains 60% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more of repeating units derived from 1-butene. Such a 1-butene polymer is because it is excellent in the mixing property (or compatibility) with the modified 4-methyl-1-pentene polymer.
  • the melt flow rate (MFR) of the 1-butene polymer measured at a temperature of 190 ° C. under a load of 2.16 kg according to ASTM D 1238 is preferably 0.01 to 100 g / 10 min. More preferably, it is 1 to 50 g / 10 min.
  • the 1-butene polymer having an MFR in the above range is excellent in the miscibility (or compatibility) with the modified 4-methyl-1-pentene polymer, and can improve the adhesion of the adhesive layer B.
  • the adhesive layer B may also contain the above-described additive in addition to the main component.
  • the release film of the present invention is disposed between the base material layer C, the pair of outermost layers A sandwiching the base material layer C, and each of the base material layer C and the pair of outermost layers A And a pair of adhesive layers B. That is, the release film of the present invention preferably has a laminated structure symmetrical to the central layer. This is because a film having a symmetrical laminated structure is difficult to be deformed (warped etc.) due to a thermal expansion difference, moisture absorption or the like when it is loaded into a mold and heated.
  • the release film may include other layers other than the base material layer C, the outermost layer A, and the adhesive layer B, as needed, as long as it has a laminated structure symmetrical to the central layer.
  • the base layer C may be a single layer; or may be a multilayer of two or more layers.
  • a plurality of base layers may be directly laminated; another layer (for example, an adhesive layer) may be disposed between the base layer and the base layer.
  • a / B / C / B / A A / B / C / C / C '/ C / B / A
  • FIG. 1 is a schematic view showing a preferred configuration example of the release film of the present invention.
  • the release film 10 includes a base material layer 12, a pair of outermost layers 14 sandwiching the base material layer 12, and a pair of the release film 10 disposed between the base material layer 12 and the outermost layer 14. And an adhesive layer 13.
  • the base layer 12 is the base layer C; the outermost layer 14 is the outermost layer A; and the adhesive layer 13 is the adhesive layer B.
  • the thickness of a pair of layers (layers made of the same material) disposed at symmetrical positions with respect to the central layer such as a pair of outermost layers A, a pair of adhesive layers B, etc. It is preferable because the amount of deformation due to the thermal expansion coefficient and the like can be mutually canceled to suppress the warpage.
  • the total thickness of the release film is preferably 15 to 100 ⁇ m.
  • the thickness of each layer may be adjusted so that the total thickness of the release film is in the above range.
  • the outermost layer A is preferably 1 to 30 ⁇ m
  • the adhesive layer B is preferably 1 to 20 ⁇ m
  • the base layer C is preferably 20 to 40 ⁇ m.
  • the release film of the present invention has the base layer C having a high elastic modulus and a high melting point; on the other hand, the outermost layer A and the base are selected to suppress the delamination between the outermost layer A and the base layer C. There is an adhesive layer B between layers C.
  • the wrinkles (side wrinkles) generated on the side surface of the semiconductor resin package are considered to be generated by the following mechanism. That is, when the upper and lower molds are clamped in a state in which the mold release film is disposed in the mold, the mold release film disposed between the semiconductor chip substrate and the inner surface of the mold is crushed by the clamping pressure. A portion of the release film portion which has been crushed and becomes surplus is released in such a manner as to escape toward the inside of the mold cavity; that is, the vicinity of the substrate of the semiconductor chip on the inner surface of the mold facing the side portion of the semiconductor resin package. As a result, a dent is generated on the side surface of the semiconductor resin package that faces the portion where the surplus release film has run out.
  • the recess on the side surface of the semiconductor resin package has a wrinkled pattern in appearance.
  • Such side surface wrinkles may also occur in a package obtained by singulating a plurality of semiconductor chips at once after molding them together; for example, like QFN (Quad Flat Non-leaded package).
  • QFN Quad Flat Non-leaded package
  • the side portion in a sealed state directly constitutes the outer shape of the product, the appearance is particularly likely to be poor.
  • the concave portion which appears as wrinkles in appearance is that the mold release film surplus in the mold bites into the side surface of the semiconductor resin package immediately before mold release (mold opening). For this reason, when releasing the semiconductor resin package, the surplus release film portion may not be separated while biting into the side surface of the semiconductor resin package, and may not be peeled off.
  • the molding conditions such as reducing the clamping force.
  • reducing the total thickness of the release film to the extent that longitudinal wrinkles, burrs and tears do not occur; particularly the outermost layer A and adhesion It is preferable to reduce the total thickness of the layer B within the range that does not impair the releasability and the interlayer adhesion.
  • the total thickness of the outermost layer A and the adhesive layer B is the total thickness of the pair of outermost layers A and the pair of adhesive layers B, preferably 12 to 32 ⁇ m.
  • the thickness of each outermost layer A is preferably 4 to 10 ⁇ m, and the thickness of each adhesive layer B is preferably 2 to 6 ⁇ m.
  • the release film of the present invention preferably has a tensile modulus of 60 MPa or more at a mold temperature, and a tensile strength (strength at a point of 500% elongation) at a mold temperature of 5 MPa or more.
  • the tensile elastic modulus at 175 ° C. is 60 MPa or more to 300 MPa
  • the tensile strength (the strength at a point where the elongation is 500% with respect to the initial distance between chucks) is 5 MPa or more.
  • Tensile modulus and tensile strength can be measured according to the following method.
  • Tensile strength As a test piece, a short strip cut out of a release film with a width of 15 mm is prepared. At this time, the longitudinal direction of the strip is made parallel to the film winding direction. The test specimen is held by a tensile tester with a thermostat adjusted to the same temperature as the mold temperature so that the distance between the chucks is 50 mm. The test piece is pulled at a tensile speed of 200 mm / minute (constant), and the stress at which the elongation relative to the initial chuck distance (50 mm) is 500% (chuck distance 300 mm) without breakage is taken as the tensile strength.
  • the release film of the present invention can be produced by a known method.
  • the release film can be obtained by a method of co-extruding the resin constituting each layer; or a method of laminating a film-like body of each layer by lamination; Furthermore, if necessary, fine irregularities such as a textured surface by an embossing roll may be formed on one side or both sides of the release film.
  • Method of Manufacturing Semiconductor Resin Package In the method of manufacturing a semiconductor resin package of the present invention, a first step of arranging a mold release film between a semiconductor chip arranged in a mold and the inner surface of the mold; sealing the semiconductor chip A second step of sealing with a material; and a third step of peeling the sealed semiconductor chip from the release film.
  • the semiconductor chip is a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed.
  • a semiconductor chip is usually used by being fixed to a lead frame or a substrate called a mother board or the like.
  • the semiconductor chip used in the present invention is preferably a known semiconductor chip fixed to a lead frame or a substrate by a known method.
  • a mold is a mold for molding used to obtain a desired semiconductor resin package.
  • the shape of the mold may be a known shape, and the material of the mold may also be a known material.
  • the sealing material is a resin composition for sealing a semiconductor chip.
  • the sealing material may be a known one, but is preferably one containing a thermosetting resin such as an epoxy resin as a main component.
  • FIG. 2 is a view showing an example of a first step in the manufacturing process of the semiconductor resin package.
  • 10 is a release film
  • 24a is a film unwinding device
  • 24b is a film winding device
  • 20 is an upper mold of the mold
  • 21 is a lower mold of the mold
  • 22 is a cavity
  • 30 is a transfer molding machine.
  • a plunger, 40 is a semiconductor chip
  • 41 is a substrate
  • 42 is a wiring
  • 50 is a sealing material.
  • the release film 10 is placed between the upper mold 20 and the lower mold 21 of the open mold. At this time, a constant tension is applied to the release film 10 by the film unwinding device 24 a and the film winding device 24 b.
  • the tension applied to the release film 10 is preferably 0.2 to 2 MPa in terms of tensile stress.
  • the tension is lower than 0.2 MPa (in terms of tensile stress)
  • the release film 10 is easily slackened and wrinkles are easily generated in the width direction of the release film 10.
  • the tension applied to the mold release film 10 exceeds 2 MPa (tensile stress conversion)
  • the mold release film 10 can not be vacuum adsorbed smoothly on the inner surface of the mold, and the mold following property may be lowered. .
  • the cavity surface is a surface that constitutes the cavity 22 of the upper mold 20.
  • the parting surface is a surface in which the upper mold 20 and the lower mold 21 are in contact with each other when the upper mold 20 and the lower mold 21 are closed.
  • the molding conditions may be adjusted, for example, by reducing the mold clamping force within a range where the burrs do not cause a problem.
  • the temperature of the mold is not particularly limited as long as the thermosetting sealant can be cured.
  • the temperature of the mold is preferably 160 to 200 ° C., and more preferably 170 to 180 ° C., when the main component of the sealing material is an epoxy resin.
  • the depth from the parting surface of the mold to the deepest portion of the cavity 22 depends on the size of the semiconductor chip 40, but is about 0.2 to 2 mm, preferably 0.3 to 1 mm.
  • the release film 10 may be placed in the position shown in FIG. 2a after being preheated.
  • the sealing material 50 may also be preheated.
  • the semiconductor chip 40 fixed to the substrate 41 is disposed on the lower mold 21, but the order may be reversed.
  • FIG. 3 is a view showing an example of a second step in the manufacturing process of the semiconductor resin package. The symbols in FIG. 3 are defined in the same manner as in FIG.
  • the sealing material 50 which has a temperature equal to or higher than the softening point due to heat conduction from the mold and is liquefied is injected into the cavity 22 by raising the plunger 30.
  • the plunger 30 is held at a predetermined pressure for a predetermined time while the plunger 30 is raised, and the sealing material 50 is cured.
  • the holding pressure is preferably, for example, 1 to 12 MPa.
  • FIG. 4 is a view showing an example of a third step in the manufacturing process of the semiconductor resin package.
  • reference numeral 60 denotes a sealed semiconductor chip
  • reference numeral 61 denotes a semiconductor resin package
  • reference numeral 62 denotes a runner. Other symbols are defined as in FIG.
  • the upper die 20 and the lower die 21 are opened, and the release film 10 is released from the sealed semiconductor chip 60.
  • the release film 10 is easily released from the sealed semiconductor chip 60 because of excellent release properties.
  • the release film 10 can be easily released from the upper mold 20 of the mold.
  • the runner 62 is separated from the sealed semiconductor chip 60 to form the semiconductor resin package 61.
  • FIG. 5 is a view showing an example of a process of repositioning a new release film in the mold after the third process. The symbols in FIG. 5 are also defined in the same manner as in FIG.
  • a new release film 10 is formed by the film unwinding device 24a (the upper mold 20 and the lower mold 21 ), The new release film 10 can be repositioned.
  • the semiconductor resin package is manufactured by transfer molding
  • the semiconductor resin package can also be manufactured by compression molding, injection molding, or the like.
  • the separation disclosed in the document (“Special Issue on Forming Technology of Electronic Component Package", Forming, Volume 20, No. 5, 2008, pp. 276 to 287)
  • the release film of the present invention may be used.
  • the release film 10 of the present invention has a laminated structure symmetrical to the central layer. For this reason, it is hard to produce a deformation
  • the base material layer C (intermediate layer) of the release film 10 contains an aliphatic polyamide excellent in strength at high temperature as a main component, longitudinal wrinkles at the mold temperature are also less likely to occur.
  • the ratio of the total thickness of the outermost layer A and the adhesive layer B to the total thickness of the release film is set at a certain value or less, it is possible to suppress wrinkles (side wrinkles) generated on the side surface of the semiconductor resin package.
  • the mold release film 10 of the present invention has good mold followability and good mold release property, the resin in the mold can be stably flowed even if the sealing step is continuously performed.
  • the release film 10 of the present invention can stably maintain high releasability with respect to the sealed semiconductor chip 40. Therefore, it is possible to obtain a semiconductor resin package which has good dimensional accuracy and is less in appearance defects such as burrs and dents.
  • a copolymer of 4-methyl-1-pentene and 1-decene was produced by a conventional method.
  • the 1-decene content was 2.5% by mass.
  • This copolymer is hereinafter also referred to as "A-1".
  • Preparation of material for adhesive layer B 25 parts by mass of modified 4-methyl-1-pentene copolymer obtained in the previous step, 50 parts by mass of 4-methyl-1-pentene and dialene 168 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, carbon Copolymer of (16 and 18 ⁇ -olefins) (direne 168 content 6.5% by mass), 25 parts by mass of 1-butene copolymer, 0.10 parts by mass of Irganox 1010 as a stabilizer (Irganox 1010) (manufactured by Ciba, Ltd.) and 0.03 parts by mass of calcium stearate (manufactured by Sankyo Kaisha, Ltd.) were mixed by low-speed rotation for 3 minutes using a Henschel mixer. Next, this mixture was extruded at 280 ° C. using a twin-screw extruder to obtain a resin for adhesive layer B (hereinafter also referred to as “B-1”).
  • B-1 a resin for adhesive layer B
  • a first aliphatic polyamide resin (also referred to as “C-1”), polyamide 6 (made by Toray, trade name Amilan CM1041 LO, melting point 225 ° C.) was prepared.
  • a second aliphatic polyamide resin (also referred to as “C-2”), polyamide 66 (manufactured by Asahi Kasei Chemicals, trade name Leona 1700 S, melting point 265 ° C.) was prepared.
  • a third aliphatic polyamide resin (also referred to as “C-3”), polyamide 66 (made by DuPont, trade name: Zytel 42A, melting point 262 ° C.) was prepared.
  • Example 1 By using the T-die molding machine as a raw material and co-extrusion of the above-described materials for each layer, an unstretched release film having a width of 400 mm was produced.
  • the release film has a structure of A-1 / B-1 / C-1 / B-1 / A-1 in three types and five layers, and the thickness of each layer is 15/5/25/5/15 ⁇ m (total The thickness was 65 ⁇ m).
  • the obtained release film 10 was placed between the upper mold 20 and the lower mold 21.
  • the depth of the deepest part from the mold parting surface of the cavity 22 in the upper mold 20 and the lower mold 21 is 0.8 mm.
  • the tension applied to the release film 10 by the film unwinding device 24a and the film winding device 24b was adjusted so that the tensile stress was 1 MPa.
  • the release film 10 was vacuum-adsorbed to the parting surface of the upper mold 20.
  • the semiconductor chip 40 fixed to the substrate 41 was placed on the lower mold 21 (FIG. 2c), and clamping was performed (FIG. 2d).
  • the mold temperature at this time was 175 ° C.
  • a commercially available epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation was used as the encapsulant 50.
  • the sealing material 50 having a temperature equal to or higher than the softening point due to heat conduction from the mold was injected through the plunger 30.
  • the sealing material 50 was cured by holding the pressure at 12 MPa for 120 seconds.
  • the release film 10 was released from the sealed semiconductor chip 60 to obtain a semiconductor resin package 61.
  • the obtained semiconductor resin package 61 and the release film 10 after sealing were evaluated by the following method.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a method of measuring the depth of side creases of the semiconductor package 61. As shown in FIG. That is, a cross section perpendicular to the top surface of the semiconductor resin package 61 was cut out with a dicer. Thereby, the cross section of the semiconductor resin package 61 as shown in FIG. 6 was obtained.
  • the depth of side wrinkles is less than 100 ⁇ m ⁇ : The depth of side wrinkles is 100 ⁇ m to less than 200 ⁇ m ⁇ : The depth of side wrinkles is 200 ⁇ m to less than 300 ⁇ m ⁇ : The depth of side wrinkles is 300 ⁇ m or more If the size is large, not only appearance defects of the semiconductor resin package 61 become noticeable, but also the semiconductor resin package 61 is not smoothly peeled off from the release film 10 at the time of release, and release defects easily occur. For this reason, the smaller the depth of the side wrinkles, the better.
  • Warpage The state of warpage of the release film was evaluated according to the following criteria. ⁇ : None at all :: Slightly warped but no problem in practical use ⁇ : Warp is too large to use
  • Example 2 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of each layer was 10/5/15/5/10 ⁇ m (total thickness 45 ⁇ m). A semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 3 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of each layer was 10/5/20/5/10 ⁇ m (total thickness 50 ⁇ m). A semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 4 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 11 except that the thickness of each layer was changed to 10/3/24/3/10 ⁇ m (total thickness 50 ⁇ m). A semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 5 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the material of the base layer C was changed to C-2.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 6 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 2 except that the material of the base layer C was changed to C-2.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 7 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 3 except that the material of the base layer C was changed to C-2.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 8 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 4 except that the material of the base layer C was changed to C-2.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 9 The release film 10 was formed in the same manner as in Example 1 except that the material C-1 of the base layer C was C-2 and the thickness of each layer was 6/3/32/3/6 ⁇ m (total thickness 50 ⁇ m). Got ready. A semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 10 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 3 except that the material of the base layer C was changed to C-3. A semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 11 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 4 except that the material of the base layer C was changed to C-3.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • Example 12 A release film 10 was prepared in the same manner as in Example 9 except that the material of the base layer C was changed to C-3.
  • a semiconductor resin package 61 was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film 10.
  • the release film has a structure of A-1 / C-1 / A-1 as a two-kind three-layer structure that does not include the adhesive layer B, and the thickness of each layer is 25/15/25 ⁇ m (total thickness 65 ⁇ m)
  • An unstretched release film having a width of 400 mm was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • a semiconductor resin package was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film.
  • Comparative Example 2 A release film 10 was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of each layer was 15/15/15 ⁇ m (total thickness 45 ⁇ m). A semiconductor resin package was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film.
  • the release film has a three-layer three-layer structure of A-1 / B-1 / C-2 and an asymmetric laminate structure with respect to the central layer, and the thickness of each layer is 20/5/25 ⁇ m (total thickness 50 ⁇ m)
  • An unstretched release film having a width of 400 mm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above was used.
  • a semiconductor resin package was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1 using this release film.
  • the release films of the present invention of Examples 1 to 12 not only have excellent releasability, but can suppress all of delamination, wrinkles, warpage and tear.
  • the release film of Examples 5 to 12 in which the substrate layer C contains polyamide 66 (PA 66); among them, the release films of Examples 6 to 12 in which the thicknesses of the outermost layer A and the adhesive layer B are small are the side surfaces of the semiconductor resin package. It can be seen that the wrinkles are significantly reduced. It is considered that this is because the outermost layer A and the adhesive layer B are thin because the heat resistance of the base layer C is high and the compressive yield stress is relatively low. However, if the base layer C is too thin, slight breakage may occur. It is considered that when the substrate layer C is thin, it is difficult to maintain the strength of the release film itself.
  • the release films of Comparative Examples 1 to 3 can not suppress all of delamination, wrinkles, warp and tear.
  • the release films of Comparative Examples 1 and 2 which do not have the adhesive layer B are inferior in the releasability, the delamination and the tear; it is understood that the delamination is particularly inferior.
  • the release film of Comparative Example 3 having a laminate structure asymmetric with respect to the central layer not only causes warpage but also has extremely low releasability.
  • the release film of the present invention is excellent in the releasability with the semiconductor resin package, and hardly causes warpage or wrinkles.
  • a semiconductor resin package with high dimensional accuracy can be provided. Therefore, the present invention is useful for the production of a semiconductor resin package.

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Abstract

　本発明の目的は、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りやシワ等を生じ難い離型フィルム；それを用いて、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを得る方法を提供することである。本発明の半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルムは、一層以上の基材層Ｃと、前記基材層Ｃを挟持し、４－メチル－１－ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、前記基材層Ｃと前記最外層Ａとを接着させる一対の接着層Ｂとを有する。

Description

半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法
　本発明は、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法に関する。
　半導体チップは、通常、封止材で封止された半導体樹脂パッケージとして使用される。半導体樹脂パッケージは、一般に、半導体チップを金型のキャビティ内に装填し、そのキャビティにエポキシ樹脂を主成分とする封止材を充填する、トランスファー成形により得られる。従来のトランスファー成形においては、以下の点が問題であった。
　１）封止材が金型の内面を汚染することがあるため、金型の洗浄が必要となり、作業効率が低下する。
　２）金型の内面が損傷されるため、金型寿命が短い。
　３）成形された半導体樹脂パッケージにバリが生じやすい。
　これらを改善するために、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）系のシート等の離型シートを金型内に配置して成形する方法（「フィルムアシスト成形」ともいう）が知られている。しかしながら、ＰＴＦＥ系のシートは金型内で皺を生じ易いため、この方法では所望の形状の半導体樹脂パッケージが得られ難いという問題がある。さらに、ＰＴＦＥ系のシートは、焼却時にフッ素系ガスを発生するため、廃棄が容易でないという問題もある。
　他の半導体モールド用離型シートとして、成形品からの離型を担う層（Ａ層）と成形時の加熱に対する耐熱性を担う層（Ｂ層）とを含み、成形品からの剥離力が特定の範囲に調整された離型シートが提案されている（例えば、特許文献１）。当該文献には、具体的に、３層構造「ポリ４－メチル－１－ペンテン／接着層／ＰＥＴ」を有する離型シートが開示されている。
　他の離型フィルムとして、Ａ層（表面層）、Ｂ層（接着層）、Ｃ層（基材層）、Ｂ’層（接着層）およびＡ’層（表面層）からなる５層構造を有するフィルムであって、Ａ層（表面層）およびＡ’層（表面層）が、４－メチル－１－ペンテン系重合体樹脂を含むフィルムが提案されている（例えば、特許文献２）。当該文献には、このフィルムが、多層プリント基板の製造における離型フィルムとして好適であることが開示されている。
特開２００２－１５８２４２号公報 特開２００４－８２７１７号公報
　特許文献１に記載の離型シートは、中心層に対して非対称な積層構造を有するため、反りが生じ易い。そのため、特許文献１に記載の離型シートを金型離型シートとして、離型シートを金型内に導入し、真空吸着するときに、縦シワを誘発したり、金型キャビティ内面に対して密着しなかったりするなどして、離型シートを安定的に吸着させることが困難であった。縦シワは、離型シートの面内に離型シートの長手方向に沿って発生するシワである。
　このように、反りやシワ等が生じるため、離型シートを金型内面に安定に真空吸着できないことがあった。その結果、離型シートのシワ等が、成形品である半導体樹脂パッケージに転写され、所望の形状の半導体樹脂パッケージが得られないことがあった。さらに、離型シートの反りを矯正しながら半導体樹脂パッケージを製造することも試みたが、作業性が低下するだけでなく、依然として所望の形状の半導体樹脂パッケージを安定に得ることができなかった。
　すなわち、所望の形状の半導体樹脂パッケージ（寸法精度のよい半導体樹脂パッケージ）を得るには、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れるだけでなく、反りやシワ等を生じ難い離型フィルムが望まれる。そこで本発明は、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りやシワ等を生じ難い離型フィルム；およびそれを用いて、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを得る方法を提供することを目的とする。
　本発明の第１は、以下に示す離型フィルムに関する。
　［１］　一層以上の基材層Ｃと、前記基材層Ｃを挟持し、４－メチル－１－ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、前記基材層Ｃと前記最外層Ａとを接着させる一対の接着層Ｂとを有する、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。
　［２］　前記基材層Ｃは、ポリアミド樹脂を含み、前記接着層Ｂは、４－メチル－１－ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性４－メチル－１－ペンテン系重合体を含む、［１］記載の金型離型フィルム。
　［３］　前記接着層Ｂは、４－メチル－１－ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性４－メチル－１－ペンテン系重合体を含む、［１］または［２］記載の金型離型フィルム。
　［４］　前記ポリアミド樹脂は、ポリアミド６またはポリアミド６６である、［２］または［３］記載の金型離型フィルム。
　［５］　前記基材層Ｃは一層である、［１］～［４］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
　［６］　前記一対の最外層Ａと前記一対の接着層Ｂの合計厚みは、３２μｍ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
　［７］　前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Ｃに対して対称である、［１］～［６］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
　［８］　前記離型フィルムは、前記金型内に半導体チップを配置する工程、前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記離型フィルムを配置する工程、前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、［１］～［７］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
　本発明の第２は、以下に示す離型フィルムを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法に関する。
　［９］　金型内に半導体チップを配置する工程；半導体チップと前記金型内面との間に、［１］～［７］のいずれかに記載の離型フィルムを配置する工程；前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程；および前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。
　本発明によれば、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りや縦シワを生じ難い離型フィルムを提供できる。この離型フィルムを用いて半導体樹脂パッケージを製造することにより、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを提供できる。
本発明の離型フィルムの構成例を示す模式図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第１の工程の例を示す図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第２の工程の例を示す図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第３の工程の例を示す図である。 離型フィルムを再配置する工程の例を示す図である。 実施例において、半導体樹脂パッケージの側面シワの深さの測定方法を示す図である。
　１．半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム
　本発明の半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム（離型フィルム）は、基材層Ｃと、基材層Ｃを挟持し、かつ４－メチル－１－ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、基材層Ｃと最外層Ａとの間に配置される一対の接着層Ｂと、を含む。
　本発明の離型フィルムは、成形金型の内部で半導体チップを樹脂封止するときに、成形金型の内面に配置される。本発明の離型フィルムを配置することで、樹脂封止された半導体チップ（半導体樹脂パッケージ）を、金型から容易に離型することができる。
　一対の最外層Ａは、離型フィルムの両面に配置される最外層である。一方の最外層Ａは、半導体樹脂パッケージ（成形品）に接し；他方の最外層Ａは、金型内部に接する。したがって、最外層Ａは、耐熱性と離型性に優れることが求められる。
　最外層Ａは、４－メチル－１－ペンテン系重合体を主成分として含む。４－メチル－１－ペンテン系重合体は、融点が２２０～２４０℃と高く、半導体樹脂パッケージの製造工程における金型温度で溶融しないだけでなく、表面エネルギーが低いことから離型性に優れる。本発明において、記号「～」はその両端の範囲を含むものであり、以下においても同様である。
　４－メチル－１－ペンテン系重合体とは、４－メチル－１－ペンテンの単独重合体（４－メチル－１－ペンテン単独重合体）、または４－メチル－１－ペンテンと、４－メチル－１－ペンテン以外の他のモノマーとの共重合体（４－メチル－１－ペンテン共重合体）をいう。
　４－メチル－１－ペンテン共重合体における他のモノマーの例には、炭素原子数２～２０のα－オレフィンが含まれる。炭素原子数２～２０のα－オレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１－ブテン、１－ヘキセン、１－ヘプテン、１－オクテン、１－デセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－ヘプタデセン、１－オクタデセン、および１－エイコセン等が含まれる。これらのα－オレフィンは、単独で、または２種以上を組み合せて用いてもよい。
　炭素原子数２～２０のα－オレフィンのうち、炭素原子数７～２０のα－オレフィンが好ましく、炭素原子数８～２０のα－オレフィンがより好ましく、炭素原子数１０～２０のα－オレフィンがさらに好ましい。
　４－メチル－１－ペンテン共重合体における、４－メチル－１－ペンテンに由来する繰返し単位は、９３質量％以上が好ましく、９３～９９質量％がより好ましく、９５～９８質量％がさらに好ましい。このような、４－メチル－１－ペンテン共重合体は、４－メチル－１－ペンテンに由来する良好な剛性と、α－オレフィンに由来する良好な成形性とを有する。
　４－メチル－１－ペンテン系重合体の、ＡＳＴＭ　Ｄ１２３８に準じて、荷重５．０ｋｇ、温度２６０℃で測定されるメルトフローレート（ＭＦＲ）が、０．５～２５０ｇ／１０分であることが好ましく、１．０～１５０ｇ／１であることがより好ましい。４－メチル－１－ペンテン系重合体のＭＦＲが、上記範囲にあると、成形性および機械的特性に優れる。
　４－メチル－１－ペンテン系重合体は、任意の方法で製造されうる。たとえば、４－メチル－１－ペンテンをチーグラ・ナッタ触媒、メタロセン系触媒等の公知の触媒の存在下で重合させることにより得られる。本発明で用いられる４－メチル－１－ペンテン系重合体は、前述のように製造したものであってもよいし；市販品であってもよい。４－メチル－１－ペンテン系重合体の市販品の例には、三井化学株式会社製ＴＰＸ等が含まれる。
　４－メチル－１－ペンテン系重合体は、結晶性を有することが好ましい。具体的には、４－メチル－１－ペンテン系重合体は、アイソタクチック構造またはシンジオタクチック構造を有することが好ましく；中でもアイソタクチック構造を有することが好ましい。４－メチル－１－ペンテン系重合体の分子量は、成形性および機械的特性を満たす範囲であれば、特に限定されない。
　最外層Ａは、本発明の目的を損なわない範囲で、４－メチル－１－ペンテン系重合体以外の他の樹脂を含んでもよい。
　最外層Ａは、本発明の目的を損なわない範囲で、添加剤を含んでもよい。添加剤の例には、耐熱安定剤、耐候安定剤、発錆防止剤、耐銅害安定剤、帯電防止剤等の通常ポリオレフィンに配合される公知の添加剤が含まれる。添加剤の添加量は、４－メチル－１－ペンテン共重合体樹脂１００質量部に対して、０．０００１～１０質量部とすることが好ましい。
　基材層Ｃは、離型フィルムの中間層であり、フィルム基材としての機能を有する。このため、基材層Ｃは、耐熱性および機械的特性に優れることが好ましい。特に、基材層Ｃの主成分となる樹脂は、最外層Ａの主成分である４－メチル－１－ペンテン系重合体よりも、高温での強度および耐クリープ性に優れるものが好ましい。ここでの高温とは、半導体樹脂パッケージを製造する際の金型温度を意味する。
　このような樹脂の例には、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂およびポリアミド樹脂が含まれる。中でも、ポリアミド樹脂が好ましく、脂肪族ポリアミド樹脂がより好ましい。これらのポリアミド樹脂は、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂と比較して、後述の接着層Ｂに含まれる変性４－メチル－１ーペンテン系重合体との接着性が高いため、最外層Ａと基材層Ｃとの層間剥離を効果的に抑制できる。脂肪族ポリアミド樹脂とは、ラクタムの開環重合；脂肪族ジアミン成分と脂肪族ジカルボン酸成分との重縮合反応；または脂肪族アミノカルボン酸の重縮合；によって得られる樹脂である。
　ラクタムを開環重合して得られる脂肪族ポリアミドの例には、ポリアミド６、ポリアミド１１、ポリアミド１２およびポリアミド６１２等が含まれる。脂肪族ジアミン成分と脂肪族ジカルボン酸成分との重縮合で得られる脂肪族ポリアミドの例には、ポリアミド６６、ポリアミド６１０、ポリアミド４６、ポリアミドＭＸＤ６、ポリアミド６Ｔ、ポリアミド６Ｉおよびポリアミド９Ｔ等が含まれる。
　中でも、ポリアミド６またはポリアミド６６が好ましく；ポリアミド６６がより好ましい。これらのポリアミド（特にポリアミド６６）は、高融点かつ高弾性率であり、耐熱性および機械的特性に優れるだけでなく、後述する接着層Ｂとの接着性にも優れるからである。これらのポリアミドを含む基材層Ｃを有する離型フィルムは、金型内でシワを生じ難いだけでなく、ピンホール状の破れも生じ難い。ピンホール状の破れを介した封止材の漏れが著しいと、金型キャビティ内壁に封止材成分の一部が付着および堆積し、短時間で金型を汚染するため、好ましくない。
　脂肪族ポリアミドの、ＤＳＣ法により測定される融点は、１９０℃以上が好ましい。基材層Ｃが、前記下限値よりも低い融点を有する脂肪族ポリアミドを含む離型フィルムは、耐熱性が不十分であり、シワが生じ易くなるためである。
　基材層Ｃは多層であってもよく、「Ｃ／Ｃ’／Ｃ」で示されるように３層であってもよい。その場合、基材層Ｃおよび基材層Ｃ’の少なくとも一方がポリアミド６６を含むことが好ましい。
　基材層Ｃは、前述のポリアミド樹脂等以外の他の樹脂をさらに含んでもよい。他の樹脂の好ましい例は、最外層Ａの主成分である４－メチル－１－ペンテン系重合体よりも、高温での引張応力や圧縮応力に対する耐クリープ性に優れている耐熱エラストマー；または応力緩和し難く弾性回復性に優れる耐熱エラストマーである。
　このような耐熱エラストマーの例には、接着層Ｂとの接着性を考慮すると、熱可塑性ポリアミド系エラストマー、熱可塑性ポリエステル系エラストマーなどが含まれる。これらの熱可塑性エラストマーの、ＤＳＣ法により測定される融点は、１９０℃以上であることが好ましい。なお、熱可塑性エラストマーの融点が１９０℃未満であっても、架橋剤や架橋助剤を用いて化学的に架橋させたり、紫外線や電子線、ガンマ線などにより物理的に架橋させたりすることで、高温での耐クリープ性や弾性回復性を向上させてもよい。
　熱可塑性ポリアミド系エラストマーの例には、ポリアミドをハードセグメントとし、ポリエステルまたはポリエーテルをソフトセグメントとするブロック共重合体が含まれる。ハードセグメントを構成するポリアミドの例には、ポリアミド６、ポリアミド６６、ポリアミド６１０、ポリアミド６１２、ポリアミド１１などが含まれる。ソフトセグメントを構成するポリエーテルの例には、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ）などが含まれる。
　熱可塑性ポリエステル系エラストマーの例には、結晶性の芳香族ポリエステル単位からなる結晶性重合体セグメントをハードセグメントとし、ポリエーテル単位または脂肪族ポリエステル単位からなる非晶性重合体セグメントをソフトセグメントとするブロック共重合体が含まれる。ハードセグメントを構成する結晶性の芳香族ポリエステル単位からなる結晶性重合体の例には、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などが含まれる。ソフトセグメントを構成するポリエーテル単位からなる非晶性重合体の例には、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ）などが含まれる。ソフトセグメントを構成する脂肪族ポリエステル単位からなる非晶性重合体の例には、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）などの脂肪族ポリエステルが含まれる。熱可塑性ポリエステル系エラストマーの具体例には、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）とポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ）とのブロック共重合体；ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）とポリカプロラクトン（ＰＣＬ）とのブロック共重合体；ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）と脂肪族ポリエステルとのブロック共重合体などが含まれる。
　基材層Ｃは、本発明の目的を損なわない範囲で、公知の添加剤を含んでいてもよい。基材層Ｃがポリアミド樹脂を主成分として含む場合は、添加剤の例には、耐熱老化性改善を目的とした銅化合物系を含む耐熱安定剤；ステアリン酸カルシウムおよびステアリン酸アルミニウムなどの滑剤等、通常ポリアミド樹脂に配合される公知の添加剤が含まれる。
　接着層Ｂは、基材層Ｃと一対の最外層Ａのそれぞれとの間に配置され、これらを接着させる機能を有する。接着層Ｂを配置することにより、型締めや射出成形時に、金型内で離型フィルムに応力集中を生じ易い箇所での基材層Ｃと最外層Ａとの層間剥離を抑制することができる。応力集中を生じ易い箇所とは、例えば金型のキャビティの周縁部分（金型のキャビティ面とパーティング面の境界部分）などである。接着層Ｂは、最外層Ａおよび基材層Ｃの両方に対してなじみやすい材料を含むことが好ましい。
　接着層Ｂは、最外層Ａの主成分である４－メチル－１－ペンテン系重合体を、基材層Ｃとなじみやすいように変性したもの；具体的には、極性基を有するように変性された４－メチル－１－ペンテン系重合体を含むことが好ましい。基材層Ｃは、好ましくはポリアミド樹脂を含み、該ポリアミド樹脂が極性基となじみやすいためである。
　極性基を有するように変性された４－メチル－１－ペンテン系重合体は、任意の方法で得られる。中でも、４－メチル－１－ペンテン系重合体を、不飽和カルボン酸および／またはその酸無水物（以下「不飽和カルボン酸等」ともいう）で変性することが好ましい。
　具体的には、４－メチル－１－ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とを共重合させることが好ましく；４－メチル－１－ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とをグラフト重合させることがより好ましい。４－メチル－１－ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とのグラフト重合は、公知の方法で行うことができ、例えば４－メチル－１－ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とを、過酸化物等の存在下で溶融混練すればよい。
　４－メチル－１－ペンテン系重合体は、前述のものを使用できる。変性前の４－メチル－１－ペンテン系重合体の、１３５℃、デカヒドロナフタレン中で測定される極限粘度［η］は、０．５～２５ｄｌ／ｇが好ましく、０．５～５ｄｌ／ｇがより好ましい。
　不飽和カルボン酸等の例には、カルボキシル基と不飽和基を有する、炭素数３～２０の不飽和化合物；および無水カルボン酸基と不飽和基を有する、炭素数３～２０の不飽和化合物が含まれる。不飽和基の例には、ビニル基、ビニレン基、および不飽和環状炭化水素基が含まれる。
　不飽和カルボン酸等の具体的な例には、アクリル酸、メタクリル酸等の不飽和モノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、アリルコハク酸、メサコン酸、グルタコン酸、ナジック酸ＴＭ、メチルナジック酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等の不飽和ジカルボン酸；および無水マイレン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水アリルコハク酸、無水グルタコン酸、無水ナジック酸ＴＭ、無水メチルナジック酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸等の不飽和ジカルボン酸無水物などが含まれる。これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、マレイン酸、無水マレイン酸、ナジック酸ＴＭ、または無水ナジック酸ＴＭが好ましく、無水マレイン酸がより好ましい。
　変性された４－メチル－１－ペンテン系重合体（以下「変性４－メチル－１－ペンテン系重合体」ともいう）のグラフト率は、２０質量％以下であることが好ましく、０．１～５質量％であることがより好ましく、０．５～２質量％であることがさらに好ましい。グラフト率が上記範囲にある変性４－メチル－１－ペンテン系重合体は、最外層Ａおよび基材層Ｃの両方に対して良好な接着性を有する。
　変性４－メチル－１－ペンテン系重合体は、実質的に架橋構造を有しないことが好ましい。架橋構造がないことは、変性４－メチル－１－ペンテン系重合体を、例えばｐ－キシレン等の有機溶媒に溶解させて、ゲル状物が存在しないことによって確認できる。
　変性４－メチル－１－ペンテン系重合体の、１３５℃、デカヒドロナフタレン中で測定される極限粘度［η］は、０．２～１０ｄｌ／ｇであることが好ましく、０．５～５ｄｌ／ｇであることがより好ましい。
　接着層Ｂは、変性４－メチル－１－ペンテン系重合体のみを主成分としてもよいが、好ましくは変性４－メチル－１－ペンテン系重合体と他のα－オレフィン重合体との混合物を主成分とする。この場合、変性４－メチル－１－ペンテン系重合体は、混合物中、２０～４０質量％含まれることが好ましい。
　α－オレフィン重合体は、好ましくは炭素原子数２～２０のα－オレフィン重合体である。炭素原子数２～２０のα－オレフィン重合体の例には、エチレン、プロピレン、１－ブテン、１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－テトラデセン、１－オクタデセンなどの重合体が含まれる。中でも、１－ブテン系重合体が好ましい。
　１－ブテン系重合体は、１－ブテンの単独重合体、または１－ブテンと１－ブテン以外の炭素原子数２～２０のα－オレフィンとの共重合体である。１－ブテン以外の炭素原子数２～２０のα－オレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－テトラデセン、１－オクタデセンなどが含まれ；好ましくはエチレンまたはプロピレンである。
　１－ブテン系重合体は、１－ブテン由来の繰り返し単位を６０質量％以上含むことが好ましく、８０質量％以上含むことがより好ましい。このような１－ブテン系重合体は、変性４－メチル－１－ペンテン系重合体との混合性（または相溶性）に優れるためである。
　１－ブテン系重合体の、ＡＳＴＭ　Ｄ１２３８に準じて、荷重２．１６ｋｇ、温度１９０℃で測定されるメルトフローレート（ＭＦＲ）は、０．０１～１００ｇ／１０分であることが好ましく、０．１～５０ｇ／１０分であることがより好ましい。ＭＦＲが上記範囲内にある１－ブテン系重合体は、変性４－メチル－１－ペンテン系重合体との混合性（または相溶性）が良好であり、接着層Ｂの接着性を高めうる。
　接着層Ｂも、最外層Ａや基材層Ｃと同様に、主成分の他に、前述の添加剤を含んでもよい。
　本発明の離型フィルムは、前述のように、基材層Ｃと、基材層Ｃを挟持する一対の最外層Ａと、基材層Ｃと一対の最外層Ａのそれぞれとの間に配置される一対の接着層Ｂとを有する。つまり、本発明の離型フィルムは、中心層に対して対称な積層構造を有することが好ましい。対称な積層構造を有するフィルムは、金型内に装填されて加熱されたときに、熱膨張差や吸湿等による変形（反り等）しにくいためである。また離型フィルムは、中心層に対して対称な積層構造を有していれば、必要に応じて、基材層Ｃ、最外層Ａおよび接着層Ｂ以外の他の層を含んでもよい。
　基材層Ｃは、一層であってもよいし；二層以上の多層であってもよい。基材層Ｃが、多層である場合、複数の基材層が直接積層されてもよいし；基材層と基材層の間に他の層（例えば接着層）が配置されてもよい。
　離型フィルムの、具体的な積層構造の例には、以下の態様が含まれる。以下の態様において、Ａは最外層Ａであり；Ｂは接着層Ｂであり；Ｃは基材層Ｃである。Ｃ’は、基材層Ｃ（中間層）の一つであり；Ｄは基材層Ｃと基材層Ｃ’を接着する接着層である。
　Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ
　Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｃ’／Ｃ／Ｂ／Ａ
　Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ／Ｃ’／Ｄ／Ｃ／Ｂ／Ａ
　これらの中でも、基材層（中間層）が一層である「Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ」の積層構造が好ましい。製造が容易であるからである。図１は、本発明の離型フィルムの好ましい構成例を示す模式図である。図１に示されるように、離型フィルム１０は、基材層１２と、基材層１２を挟持する一対の最外層１４と、基材層１２と最外層１４の間に配置される一対の接着層１３と、を有する。基材層１２は、前記基材層Ｃであり；最外層１４は、前記最外層Ａであり；接着層１３は、前記接着層Ｂである。
　また、一対の最外層Ａ、一対の接着層Ｂ等のように、中心層に対して対称な位置に配置される一対の層（同じ材質で構成される層）の厚さを同じにすると、熱膨張率等に起因する変形量を互いに打ち消して反りを抑制できるので、好ましい。
　離型フィルムの総厚みは、１５～１００μｍであることが好ましい。各層の厚みは、離型フィルムの総厚みが前記範囲になるように調整されればよい。具体的には、最外層Ａは１～３０μｍであることが好ましく、接着層Ｂは１～２０μｍであることが好ましく、基材層Ｃは２０～４０μｍであることが好ましい。
　本発明の離型フィルムは、前述の通り、高弾性率かつ高融点の基材層Ｃを有する一方；最外層Ａと基材層Ｃとの層間剥離を抑制するため、最外層Ａと基材層Ｃの間に接着層Ｂを有している。
　ところが、離型フィルムの総厚みが大きくなる；特に最外層Ａと接着層Ｂの総厚みが大きくなると、半導体樹脂パッケージの側面にシワ（側面シワ）が生じ易く、外観不良や離型不良を生じるおそれがある。すなわち、半導体樹脂パッケージを製造する際、離型フィルムの構成材料の圧縮降伏応力が、金型キャビティ周縁の型締部分で生じる型締圧力よりも低いと、半導体樹脂パッケージの側面シワが生じ易い。特に、最外層Ａと接着層Ｂを構成する樹脂は、高温時において柔らかく、圧縮降伏応力が比較的低いことから、半導体樹脂パッケージに側面シワを生じさせ易い。
　半導体樹脂パッケージの側面に発生するシワ（側面シワ）は、以下のような機構で生じると考えられる。すなわち、金型内に離型フィルムを配置した状態で上下の金型を型締すると、半導体チップ基板と金型内面との間に配置された離型フィルムが、型締圧力により押し潰される。押し潰されて余剰となった離型フィルム部分が、金型キャビティ内側；すなわち半導体樹脂パッケージの側面部分に対向する金型内面の半導体チップの基板近傍に向けて逃げるような形ではみ出す。その結果、余剰となった離型フィルムがはみ出した部分に対向する半導体樹脂パッケージの側面に凹みが生じる。この半導体樹脂パッケージ側面の凹みは、外観上、シワ状の模様を呈する。このような側面シワは、複数個の半導体チップをまとめて同時にモールドした後、個片化して得られるパッケージでも生じ得るが、；例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ-ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）のように、（既に個片化された）個片状の半導体チップをモールドして得られるパッケージであって、封止状態での側面部分が直接製品の外形を構成する場合に、特に外観不良となり易い。また、この外観上シワとしてみえる凹み部分は、離型（型開）直前では、金型内で余剰となった離型フィルムが半導体樹脂パッケージの側面に食い込んでいる。このため、半導体樹脂パッケージを離型する際、余剰となった離型フィルム部分が、半導体樹脂パッケージの側面に食い込んだまま離れず、剥離できないことがある。
　この側面シワを防止するためには、後述するように、型締力を低減する等の成形条件の調整によって回避できることもある。しかしながら、成形条件の調整のみで側面シワを防止するのが困難な場合は、縦シワ、バリおよび破れ等を生じない範囲で、離型フィルムの総厚みを小さくすること；特に最外層Ａおよび接着層Ｂの総厚みを、離型性と層間接着性を損なわない範囲で、小さくすることが好ましい。
　最外層Ａと接着層Ｂの総厚みとは、一対の最外層Ａと一対の接着層Ｂの総厚みであり、好ましくは１２～３２μｍである。各最外層Ａの厚みは４～１０μｍであり、各接着層Ｂの厚みは２～６μｍであることが好ましい。
　本発明の離型フィルムは、金型温度における引張弾性率が６０ＭＰａ以上であって、金型温度における引張強度（伸びが５００％となる点での強度）が５ＭＰａ以上であることが好ましい。具体的には、１７５℃における引張弾性率が６０ＭＰａ以上～３００ＭＰａであり、引張強度（初期チャック間距離に対して伸びが５００％となる点での強度）が５ＭＰａ以上であることが好ましい。引張弾性率および引張強度が、上記範囲にあると、金型追従性が得られつつも、金型温度におけるシワを生じ難い。引張弾性率および引張強度は、以下の方法に準拠して測定されうる。
　i）引張強度
　試験片として、離型フィルムから幅１５ｍｍで切り出した短冊片を準備する。このとき短冊の長手方向が、フィルムの巻取方向と平行になるようにする。金型温度と同じ温度に調整した恒温槽つきの引張試験機に、チャック間距離が５０ｍｍとなるように前記試験片を把持させる。試験片を引張速度２００ｍｍ／分（一定）にて引っ張り、破断することなく初期チャック間距離（５０ｍｍ）に対する伸びが５００％（チャック間距離３００ｍｍ）となるときの応力を引張強度とする。
　ii）引張弾性率
　前記引張試験から得られた引張応力－ひずみ曲線における、初期の直線部分の傾きから、ＪＩＳ－Ｋ　７１１３　に準拠して引張弾性率を求める。
　本発明の離型フィルムは、公知の方法で製造されうる。離型フィルムは、各層を構成する樹脂を共押出する方法；または各層のフィルム状体をラミネートにより積層する方法；等により得ることができる。さらに、必要に応じて、離型フィルムの片面または両面に、例えばエンボスロールによる梨地加工面のような微細凹凸が形成されてもよい。
　２．半導体樹脂パッケージの製造方法
　本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法は、金型内に配置された半導体チップと金型内面との間に離型フィルムを配置する第１の工程；半導体チップを封止材で封止する第２の工程；および封止された半導体チップを離型フィルムから剥離する第３の工程；を含む。
　半導体チップは、半導体集積回路が形成されたチップである。半導体樹脂パッケージの製造において、半導体チップは、通常はリードフレームや、マザーボード等と称される基板に固定されて用いられる。本発明で用いられる半導体チップは、公知の半導体チップを公知の方法でリードフレームや基板に固定したものであることが好ましい。
　金型とは、所望の半導体樹脂パッケージを得るために用いられる成形用の型である。金型の形状は公知の形状であってもよく、金型の材質も、公知の材質であってもよい。
　封止材とは、半導体チップを封止するための樹脂組成物である。封止材は、公知のものであってもよいが、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とするものが好ましい。
　第１の工程では、前記半導体チップと前記金型との間に、前記離型フィルムを配置する。配置する方法は限定されない。図２は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第１の工程の例を示す図である。図２中、１０は離型フィルム、２４ａはフィルム巻き出し装置、２４ｂはフィルム巻き取り装置、２０は金型の上型、２１は金型の下型、２２はキャビティ、３０はトランスファー成形機のプランジャー、４０は半導体チップ、４１は基板、４２は配線、５０は封止材である。
　図２ａに示すとおり、開いた金型の上型２０と下型２１の間に離型フィルム１０を配置する。このとき、離型フィルム１０は、フィルム巻き出し装置２４ａおよびフィルム巻き取り装置２４ｂにより、一定の張力が掛けられる。
　離型フィルム１０に掛けられる張力は、引張応力換算で０．２～２ＭＰａであることが好ましい。張力が０．２ＭＰａ（引張応力換算）より低いと、離型フィルム１０に弛みや離型フィルム１０の幅方向にシワが生じ易くなる。一方、離型フィルム１０に掛けられる張力が２ＭＰａ（引張応力換算）を超えると、離型フィルム１０を金型内面にスムーズに真空吸着させることができず、金型追従性が低下することがある。
　次いで、上型２０のキャビティ面内に設けられた排気口（不図示）から、空気を吸引して、離型フィルム１０と上型２０との間の空気を排出する。これにより、離型フィルム１０は、上型２０のパーティング面およびキャビティ面に真空吸着される（図２ｂ）。キャビティ面とは、上型２０のキャビティ２２を構成する面である。パーティング面とは、上型２０と下型２１と閉じた際に、上型２０と下型２１とが互いに接する面である。
　次いで、基板４１に固定された半導体チップ４０を下型２１に配置し（図２ｃ）、型締めする（図２ｄ）。前述の、封止後の半導体樹脂パッケージの側面シワの発生を抑制するためには、バリが問題とならない範囲で、型締力を低減する等、成形条件を調整してもよい。
　金型の温度は、熱硬化性の封止材を硬化できる温度であれば、特に限定されない。金型の温度は、封止材の主成分がエポキシ樹脂である場合、１６０～２００℃が好ましく、１７０～１８０℃がより好ましい。金型のパーティング面からキャビティ２２の最深部までの深さは、半導体チップ４０のサイズにもよるが、０．２～２ｍｍ程度であり、好ましくは０．３～１ｍｍである。離型フィルム１０は、予熱された後に、図２ａに示す位置に配置されてもよい。封止材５０も、予熱されていてもよい。
　図２では、離型フィルム１０を配置した後、基板４１に固定された半導体チップ４０を下型２１に配置したが、この順序は逆であってもよい。
　第２の工程では、半導体チップ４０を封止材５０で封止する。図３は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第２の工程の例を示す図である。図３中、符号は、図２と同様に定義される。
　図３に示されるように、金型からの熱伝導により軟化点以上となり液状化した封止材５０を、プランジャー３０を上昇させることでキャビティ２２へ射出させる。プランジャー３０を上昇させたままの状態で、所定圧力で所定時間保持させ、封止材５０を硬化させる。このとき、後述する封止後の半導体樹脂パッケージ６１に、成形不良（表面の転写不良、反り、ヒケ、ボイド、バリ）が生じないように射出速度、保持圧力および保持時間を調整する。保持圧力は、例えば１～１２ＭＰａであることが好ましい。
　第３の工程では、離型フィルムを、封止された半導体チップから剥離する。図４は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第３の工程の例を示す図である。図４中、６０は封止された半導体チップ、６１は半導体樹脂パッケージ、６２はランナーである。その他の符号は、図２と同様に定義される。
　上型２０と下型２１を開き、離型フィルム１０を、封止された半導体チップ６０から離型する。離型フィルム１０は、離型性に優れるため、封止された半導体チップ６０から容易に剥離できる。また離型フィルム１０は、金型の上型２０からも容易に離型できる。封止された半導体チップ６０は、ランナー６２が切り離されて半導体樹脂パッケージ６１とされる。
　第３の工程の後、連続的に次の封止工程を行うために、新たな離型フィルムを金型内に再配置してもよい。新たなフィルムを再配置するとは、封止された半導体チップ６０を剥離回収した後、使用済みの離型フィルム１０に代えて、新たな離型フィルム１０を上型２０と下型２１との間に配置して、図２ａで示されるような状態にすることである。図５は、第３の工程後、新たな離型フィルムを金型内に再配置する工程の例を示す図である。図５中の符号も、図２と同様に定義される。
　たとえば、図５に示されるように、フィルム巻き取り装置２４ｂにより使用済みの離型フィルム１０を巻き取りつつ、フィルム巻き出し装置２４ａにより新たな離型フィルム１０を（上型２０と下型２１との間に）巻き出すことにより、新たな離型フィルム１０を再配置することができる。
　本実施形態では、半導体樹脂パッケージを、トランスファー成形により製造する例を説明したが、圧縮成形、射出成形などにより製造することもできる。例えば、半導体樹脂パッケージを圧縮成形により製造する場合、文献（「特集　電子部品パッケージの成形技術」、成形加工、第２０巻、第５号、２００８年、２７６～２８７頁）に開示されている離型フィルムに代えて、本発明の離型フィルムを用いるとよい。
　このように、本発明の離型フィルム１０は、中心層に対して対称の積層構造を有する。このため、離型フィルムを金型内に配置する際の、離型フィルムの反り等の変形やシワを生じ難い。また、離型フィルム１０の基材層Ｃ（中間層）が、高温での強度に優れる脂肪族ポリアミドを主成分として含むと、金型温度での縦シワも生じ難い。
　また離型フィルムの総厚みに対する、最外層Ａと接着層Ｂの合計厚みの比を一定以下とすることで、半導体樹脂パッケージの側面に発生するシワ（側面シワ）も抑制できる。
　さらに、本発明の離型フィルム１０は、金型追従性がよく、離型性もよいため、封止工程を連続的に行っても、金型内の樹脂を安定に流動させうる。また、本発明の離型フィルム１０は、封止された半導体チップ４０に対する高い離型性を安定に維持できる。したがって、寸法精度が良好で、かつバリや凹み等の外観不良の少ない半導体樹脂パッケージを得ることができる。
　（１）最外層Ａ用材料の調製
　４－メチル－１－ペンテンと１－デセンとの共重合体を、定法により製造した。１－デセン含量は２．５質量％とした。この共重合体を、以下「Ａ－１」ともいう。
　（２）接着層Ｂ用材料の調製
　変性４－メチル－１－ペンテン共重合体の製造
　４－メチル－１－ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学製、炭素数１６と１８のα－オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８の含量量は６．５質量％）を定法により準備した。
　９８．８質量部の前記共重合体、１質量部の無水マレイン酸、および有機過酸化物として０．２質量部の２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルペルオキシ）ヘキサンを、ヘンシェルミキサーにより混合した。次いで、この混合物を、温度２８０℃を用いて二軸押出機で混練した。これにより、無水マレイン酸でグラフト変性された、変性４－メチル－１－ペンテン共重合体を得た。この変性４－メチル－１－ペンテン共重合体のグラフト率は０．９質量％であった。
　接着層Ｂ用材料の調製
　前工程で得られた、２５質量部の変性４－メチル－１－ペンテン共重合体、５０質量部の４－メチル－１－ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学製、炭素数１６と１８のα－オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８含量６．５質量％）、２５質量部の１－ブテン共重合体、安定剤として０．１０質量部のイルガノックス１０１０（Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０）（Ｃｉｂａ（株）製）、および０．０３質量部のステアリン酸カルシウム（三共有機合成（株）製）を、ヘンシェルミキサーにより、３分間、低速回転して混合した。次いで、この混合物を、二軸押出機を用いて２８０℃で押出しすることにより、接着層Ｂ用樹脂（以下「Ｂ－１」ともいう）を得た。
　（３）基材層Ｃ用材料の準備
　第１の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ－１」ともいう）として、ポリアミド６（東レ製、商品名アミランＣＭ１０４１ＬＯ、融点２２５℃）を準備した。
　第２の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ－２」ともいう）として、ポリアミド６６（旭化成ケミカルズ製、商品名レオナ１７００Ｓ、融点２６５℃）を準備した。
　第３の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ－３」ともいう）として、ポリアミド６６（デュポン製、商品名ザイテル４２Ａ、融点２６２℃）を準備した。
　［実施例１］
　前述の各層用材料を原料として、Ｔダイ成形機を用いて共押出することにより、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを製造した。離型フィルムの構造を、Ａ－１／Ｂ－１／Ｃ－１／Ｂ－１／Ａ－１の３種５層構造とし、かつ各層の厚みを１５／５／２５／５／１５μｍ（総厚み６５μｍ）とした。
　図２に示されるように、上型２０と下型２１との間に、得られた離型フィルム１０を配置した。上型２０と下型２１におけるキャビティ２２の金型パーティング面からの最深部の深さが０．８ｍｍである。このとき、フィルム巻き出し装置２４ａおよびフィルム巻き取り装置２４ｂにより、離型フィルム１０に掛けられる張力は、引張応力が１ＭＰａとなるように調整した。
　次いで、図２ｂに示すように離型フィルム１０を、上型２０のパーティング面に真空吸着させた。次いで、基板４１に固定された半導体チップ４０を、下型２１に配置し（図２ｃ）、型締めを行った（図２ｄ）。このときの金型温度は１７５℃とした。封止材５０として、市販の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を用いた。
　図３に示されるように、プランジャー３０を介して、金型からの熱伝導により軟化点以上となり液状化した封止材５０を射出した。次いで、圧力１２ＭＰａにて１２０秒間保持し、封止材５０を硬化させた。その後、離型フィルム１０を、封止された半導体チップ６０から離型し、半導体樹脂パッケージ６１を得た。
　得られた半導体樹脂パッケージ６１、および封止後の離型フィルム１０を、以下の方法で評価した。
　ｉ）離型性
　離型フィルムの半導体樹脂パッケージからの離型性を、以下の基準で評価した。
　○：離型フィルムが、金型開放と同時に自然に剥がれる
　△：離型フィルムの一部が、半導体樹脂パッケージ６１または金型に残る
　×：離型フィルムが、封止された半導体チップまたは金型に密着する
　ii）層間剥離
　離型時の離型フィルムの半導体樹脂パッケージに対応する部分における層間剥離の発生状態を、以下の基準で評価した。
　○：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、層間剥離なし
　△：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、わずかに層間剥離あり
　×：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、顕著な層間剥離あり
　iii）上面シワ（縦シワ）
　半導体樹脂パッケージ上面のシワの状態を目視にて以下の基準で評価した。
　○：全くなし
　×：パッケージ上面にシワの転写あり
　ｉｖ）側面シワ
　半導体樹脂パッケージ６１の側面（エアベント部およびゲート部を除く）に発生したシワの状態を、以下の方法により評価した。
　図６は、半導体パッケージ６１の側面シワの深さの測定方法の例を示す断面図である。すなわち、半導体樹脂パッケージ６１の上面に対して垂直な断面をダイサーで切り出した。これにより、図６に示されるような半導体樹脂パッケージ６１の断面を得た。次いで、読み取り顕微鏡で観察することにより、得られた断面において、側面シワがないことを想定した場合の半導体樹脂パッケージの側面（仮想側面）が基板４１と交わる基準位置（線）とした。そして、半導体樹脂パッケージの側面の凹み部分の、基準位置（線）からの、基板４１面と平行方向の深さｄを測定した。このようにして測定された側面シワの深さ値から、側面シワの程度を以下のように規定した。
　◎：側面シワの深さが１００μｍ未満
　○：側面シワの深さが１００μｍ以上２００μｍ未満
　△：側面シワの深さが２００μｍ以上３００μｍ未満
　×：側面シワの深さが３００μｍ以上
　側面シワの深さが大きいと、半導体樹脂パッケージ６１の外観不良が目立ち易くなるだけでなく、離型時に、半導体樹脂パッケージ６１が離型フィルム１０からスムーズに剥がれず離型不良を生じ易い。このため、側面シワの深さは小さいほど好ましい。
　ｖ）反り
　離型フィルムの反りの状態を以下の基準で評価した。
　○：全くなし
　△：わずかに反るが実用上問題なし
　×：反りが大きく使用できない
　ｖｉ）破れ　
　使用後の離型フィルム１０のピンホールの発生状態と金型キャビティ内壁の樹脂付着状態について目視観察をもとに以下の基準で評価した。
　○：ピンホール状の破れ無し
　△：ピンホール状の破れが僅かにあるが、漏れた封止樹脂の金型への付着なし
　［実施例２］
　各層の厚みを１０／５／１５／５／１０μｍ（総厚み４５μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し、評価した。
　［実施例３］
　各層の厚みを１０／５／２０／５／１０μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し、評価した。
　［実施例４］
　各層の厚みを１０／３／２４／３／１０μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例５］
　基材層Ｃの材料をＣ－２に代えた以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例６］
　基材層Ｃの材料をＣ－２とした以外は実施例２と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例７］
　基材層Ｃの材料をＣ－２とした以外は実施例３と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例８］
　基材層Ｃの材料をＣ－２とした以外は実施例４と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例９］
　基材層Ｃの材料Ｃ－１をＣ－２とし、かつ各層の厚みを６／３／３２／３／６μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例１０］
　基材層Ｃの材料をＣ－３とした以外は実施例３と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例１１］
　基材層Ｃの材料をＣ－３とした以外は実施例４と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［実施例１２］
　基材層Ｃの材料をＣ－３とした以外は実施例９と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。
　［比較例１］
　離型フィルムの構造を、Ａ－１／Ｃ－１／Ａ－１の２種３層構造として、接着層Ｂを含まない構造とし、かつ各層の厚みは２５／１５／２５μｍ（総厚み６５μｍ）とした以外は実施例１と同様にして、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを得た。この離型フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
　［比較例２］
　各層の厚みを１５／１５／１５μｍ（総厚み４５μｍ）とした以外は、比較例１と同様にして離型フィルム１０を得た。この離型フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
　［比較例３］
　離型フィルムの構造をＡ－１／Ｂ－１／Ｃ－２の３種３層構造として、中心層に対して非対称の積層構造とし、かつ各層の厚みを２０／５／２５μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを得た。この離型フィルム用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
　これらの結果を表１にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示される通り、実施例１～１２の本発明の離型フィルムは離型性に優れるだけでなく、層間剥離、シワ、反りおよび破れの全てを抑制できることがわかる。
　基材層Ｃがポリアミド６６（ＰＡ６６）を含む実施例５～１２の離型フィルム；中でも最外層Ａと接着層Ｂの厚みが小さい実施例６～１２の離型フィルムは、半導体樹脂パッケージの側面シワが著しく低減されることがわかる。基材層Ｃの耐熱性が高く、かつ圧縮降伏応力が比較的低い最外層Ａと接着層Ｂが薄いためであると考えられる。ただし、基材層Ｃが薄すぎると、僅かな破れを生じることもある。基材層Ｃが薄いと離型フィルム自体の強度を維持しにくいためであると考えられる。
　これに対して、比較例１～３の離型フィルムは、層間剥離、シワ、反りおよび破れの全てを抑制できるものでないことがわかる。接着層Ｂを有しない比較例１および２の離型フィルムは、離型性、層間剥離、および破れの点において劣っており；中でも層間剥離が著しく劣っていることがわかる。さらに、中心層に対して非対称の積層構造を有する比較例３の離型フィルムは、反りが生じるだけでなく、離型性も著しく低いことがわかる。
　本出願は、２００８年８月２８日出願の特願２００８－２１９８１５に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
　本発明の離型フィルムは、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りやシワを生じ難い。この離型フィルムを用いて半導体樹脂パッケージを製造することにより、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを提供できる。このため、本発明は、半導体樹脂パッケージの製造に有用である。
　１０　離型フィルム
　１２　基材層Ｃ
　１３　接着層Ｂ
　１４　最外層Ａ
　２０　金型の上型
　２１　金型の下型
　２２　キャビティ
　２４ａ　フィルム巻き出し装置
　２４ｂ　フィルム巻き取り装置
　３０　プランジャー
　４０　半導体チップ
　４１　基板
　４２　配線
　５０　封止材
　６０　封止された半導体チップ
　６１　半導体パッケージ
　６２　ランナー
 

Claims (9)

  1. 　一層以上の基材層Ｃと、
    　前記基材層Ｃを挟持し、４－メチル－１－ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、
    　前記基材層Ｃと前記最外層Ａとを接着させる一対の接着層Ｂとを有する、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。
  2. 　前記基材層Ｃは、ポリアミド樹脂を含み、
    　前記接着層Ｂは、４－メチル－１－ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性４－メチル－１－ペンテン系重合体を含む、請求項１記載の金型離型フィルム。
  3. 　前記接着層Ｂは、４－メチル－１－ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性４－メチル－１－ペンテン系重合体を含む、請求項２記載の金型離型フィルム。
  4. 　前記ポリアミド樹脂は、ポリアミド６またはポリアミド６６である、請求項２記載の金型離型フィルム。
  5. 　前記基材層Ｃは一層である、請求項１記載の金型離型フィルム。
  6. 　前記一対の最外層Ａと前記一対の接着層Ｂの合計厚みは、３２μｍ以下である、請求項１記載の金型離型フィルム。
  7. 　前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Ｃに対して対称である、請求項１記載の金型離型フィルム。
  8. 　金型内に半導体チップを配置する工程、
    　前記半導体チップと前記金型内面との間に、請求項１に記載の金型離型フィルムを配置する工程、
    　前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、および
    　前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。
  9. 　前記金型内に半導体チップを配置する工程、
    　前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記金型離型フィルムを配置する工程、
    　前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、
    　前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、請求項１記載の金型離型フィルム。
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