JP5477878B2 - トランスファモールド金型およびこれを用いたトランスファモールド装置 - Google Patents
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Description
このようなアンダーフィル樹脂の注入方法としては、図14に示すように、まず、樹脂供給ノズルNZが半導体チップHCの外周縁に沿ってアンダーフィル樹脂UFRを供給する。次いで、半導体チップHCと基板KBとの隙間に毛細管現象を利用してアンダーフィル樹脂UFRを充填してフィレットFTを形成する半導体装置の樹脂成形方法が例えば特許文献1により提案されている。
特許文献1においては、半導体チップの外周縁部分に接続用バンプBMPよりも小径に形成されたダミーバンプDBMPを配設し、毛細管現象を発生しやすくすることによって大型の半導体チップであっても確実にアンダーフィルを施すことが可能な半導体装置の構成が提案されている。
即ち本発明は、下型チェイスに支持された下型インサートに組み付けられたポットと、前記ポットに供給された封止用樹脂を圧送するプランジャと、前記下型インサートに組み付けられた下キャビティ駒と、を備え、前記下キャビティ駒のパーティング面にワークをセットするセット凹部が形成された下金型と、前記セット凹部とワーク側端面との間の隙間部分を跨いで下型パーティング面に配置され、前記ポットに接続する第1の貫通孔と当該第1の貫通孔からランナ溝を通じて接続する第2の貫通孔と、当該第2の貫通孔を通じて前記封止樹脂をオーバーフローさせるオーバーフローキャビティが各々形成された中間プレートと、上型チェイスブロックに弾性部材を介して吊り下げ支持され前記第2の貫通孔に対向して配置された上キャビティ駒と、該上キャビティ駒と共に支持される上インサートブロックを備える上金型と、前記上金型の前記キャビティ駒を含む上型クランプ面を覆って吸着保持されるリリースフィルムと、を具備し、前記上インサートブロックには前記上キャビティ駒を囲んでそれより下方に突出形成され前記第2の貫通孔に挿入されて前記配線基板を押圧するキャビティ壁が形成されており、前記キャビティ壁には前記第2の貫通孔の孔壁面と対向する外壁面及びキャビティの外周を形成し上方から下方に向けて拡径する内壁面が形成されており、前記キャビティ壁の互いに対向する位置に前記ランナ溝と前記キャビティとを連通するゲートと前記キャビティと前記オーバーフローキャビティとを連通するスルーゲートが各々形成されており、前記ワークとして半導体チップがフリップチップ実装された配線基板が前記下金型のセット凹部にセットされ前記中間プレートが重ね合されると共に前記ポットに封止樹脂が供給された状態で、前記上金型とで型閉じして前記リリースフィルムを介して前記半導体チップの上面を覆って前記上キャビティ駒でクランプされ、前記プランジャを作動させて溶融した封止樹脂が前記第1の貫通孔及び前記ランナ溝を通じて前記第2の貫通孔内に圧送りされ、前記半導体チップがアンダーフィルモールドされると共に前記半導体チップの周囲にフィレット部が形成されることを特徴とする。
この場合には、封止樹脂がランナ溝及びゲートを通じてキャビティ内に充填され半導体チップと配線基板の隙間をアンダーフィルしながらスルーゲートと通じてオーバーフローキャビティへオーバーフローさせるので、封止樹脂に巻き込まれやすいエアも封止樹脂と共にオーバーフローにより排出してキャビティ内の樹脂充填性を高めることができる。
この場合には、ワークある配線基板や半導体チップの厚さ寸法に多少のばらつきがあったとしても、上下金型によりワークをクランプした際に弾性部材の伸縮量が変化することでそのばらつきを吸収するため、ワークに対して適切な高さ位置にキャビティを形成することができる。
この場合には、キャビティ内に封止樹脂を圧送する際にスティフナ成形部にもアンダーフィル樹脂を充填することができ、配線基板の半導体チップ搭載面にスティフナを形成することができる。このスティフナにより半導体装置の薄型化を図る際にコアレス基板を採用しても、半導体装置をハンドリングする際に必要な剛性を持たせることができる。
これにより、ポットからランナ溝を通じて第1のスティフナ形成部、第2の貫通孔、第2のスティフナ形成部へ順次アンダーフィル樹脂を充填できるので、半導体チップの周囲に形成されるスティフナ成形部へのアンダーフィル樹脂の充填効率が向上し、効率的な半導体装置の製造が可能になる。
これにより、配線基板にフリップチップ実装された半導体チップのアンダーフィル樹脂の充填処理を確実に行うことができると共に、半導体チップの周囲にフィレット部を同時に形成することができる。
以下に、本発明の好適な実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。図1は、第1実施形態におけるトランスファモールド金型の断面図と平面図である。図2は、図1に示すトランスファモールド金型の分解断面図と、これにセットされる半導体装置の断面図である。
これにより、ポット10から圧送されてきたアンダーフィル樹脂90は、リリースフィルム80によりアンダーフィル部に誘導されるので、アンダーフィル処理を確実に行うことができる。
また、ポット10から圧送されてくるアンダーフィル樹脂90は、中間プレート40により、基板62の電子部品68が搭載されている部分には接触しないため、基板62の電子部品68の搭載面が汚染されることがないため好都合である。また、中間プレート40はセット凹部36の側壁と基板62との隙間を跨ぐように配設された状態で挟持(クランプ)されているので、アンダーフィル樹脂90がこの隙間部分から漏れる事態を回避することができる。
第1実施形態においては、半導体装置60のアンダーフィル部分とフィレット部66のみにアンダーフィル樹脂90による樹脂成形を行うために、他の部分を保護するための中間プレート40を用いた形態について説明した。これに対して本実施形態においては、コアレス基板のような剛性の低い基板62が用いられた半導体装置60に対して樹脂成形を行う際に好適な実施形態について説明を行う。
このようなスティフナ69の形成は、基板62がいわゆるコアレス基板と呼ばれる剛性の低い材料により形成されている場合において、半導体装置60の剛性(強度)を向上させてそのハンドリング性を大幅に向上させることができるため好都合である。また、キャビティ50に近いスティフナ形成部99Aに貯留させたアンダーフィル樹脂90でアンダーフィルされるため、ランナ14を経由してきたアンダーフィル樹脂90が直接注入される場合に比べてより高品位にアンダーフィルを行うことができる。
図11は、第3実施形態におけるトランスファモールド金型とこれを用いたトランスファモールド装置の断面図である。図11(A)は、型締めして樹脂成形を行っている状態の断面図であり、図11(B)は、型開きして樹脂成形した半導体装置を下金型のセット凹部から取り出した状態を示す断面図である。本実施形態における中間プレート40は、第2の実施形態の変形例といえる。第2実施形態においては、スティフナ形成部99を上金型20(上センターインサート25および上サイドインサート27)の型面に形成した凹凸部25A,27A,25B,27Bとキャビティ壁26の外壁面26Bと基板62とにより形成していたのに対し、本実施形態においては、上金型20の型面に形成した凸部25B,27Bを形成せずに、凸部25B,27Bの部分に替えて中間プレート40の第2の貫通孔42Bの内壁面を用いている点が第2実施形態との相違点である。このスティフナ形成部99には、ランナ溝44の小断面部分44Aとゲート16とによりポット10とキャビティ50とにそれぞれ連通している。
樹脂成形後は、スティフナ形成部99に連通するランナ溝44の小断面部分44Aにおいて半導体装置60と不要なカル12およびランナ14との分離を容易に行うことができる。また、基板62上を経由させずにアンダーフィル樹脂90をスティフナ形成部99に流入させることができるため、スティフナ69をより基板62端側に配設することができる。したがって、より小型化な半導体装置60にスティフナ69を形成することができる。すなわち、スティフナ69付きの半導体装置60を小型化することができる。なお、小断面部分44Aがスティフナ69上面の縁部に相当する部位のみならずスティフナ形成部99の側面に接続するような構成を採用することもできる。
図12は、第4実施形態におけるトランスファモールド金型とこれを用いたトランスファモールド装置の金型部分の断面図である。図12(A)は、型締めして樹脂成形を行っている状態の断面図であり、図12(B)は、型開きして樹脂成形した半導体装置を下金型のセット凹部から取り出した状態を示す断面図である。カル12およびランナ14を上金型20の型面に形成している点と、上キャビティ駒24が上チェイスブロック22に付勢部材であるばね28により吊り下げられた状態で配設されている。
図13は、第5実施形態におけるトランスファモールド金型とこれを用いたトランスファモールド装置の要部平面図とこれに対応する断面図である。本実施形態においては、半導体装置60のアンダーフィル領域とフィレット部66にアンダーフィル樹脂90を供給するポット10、カル12、ランナ14およびプランジャ18とは別に、凹溝46に電子部品68を樹脂封止して、半導体装置60の基板62にスティフナ69を形成するために必要な樹脂92を凹溝46に供給するための第2のポット100、第2のカル102、第2のランナ104、第2のゲート106および第2のプランジャ108を有している点が特徴である。
第2のランナ104は、ランナ溝44と並ぶように中間プレート40の上面に形成されたランナ溝によって中間プレート40上に構成される。第2のポット100から圧送された樹脂92は、第2のランナ104に形成された貫通孔からなるトップゲート方式の第2のゲート106を経由して凹溝46に充填されることになる。
これに対して本実施形態で示したトランスファモールド金型200およびこれを用いたトランスファモールド装置の構成のように、スティフナ69の形成材料に一般樹脂成形用の安価な樹脂92を用いることにより、半導体装置60の製造コストを低減させることができる。
第2のポット100に収容された樹脂92による樹脂成形方法は、第1のプランジャ18により第1のポット10からキャビティ50に圧送されるアンダーフィル樹脂90によるアンダーフィル領域への充填工程と並行して、第2のプランジャ108により第2のポット100からランナ14とは異なる第2のランナ104を介して圧送される一般樹脂成形用の樹脂92によるスティフナ69の樹脂成形工程を行ってもよいし、第1のポット10に収容されたアンダーフィル樹脂90による樹脂成形と第2のポット100に収容された樹脂92による樹脂成形のいずれか一方の工程を他方の工程に先行させることももちろん可能である。
また、スティフナ形成部99を二分割以上に分割してもよいし、狭隘部で接続してもよいし、スティフナ形成部99を分割せずにスティフナ69を成形する形態を採用してもよい。
また、以上に示した実施形態においては、配線パターンが形成された基板62に半導体チップ64をフリップチップ方式で電気的に接続した状態の半導体装置60に対してアンダーフィル処理とフィレット部66の樹脂成形処理を行う実施形態について説明してきたが、半導体装置60の基板62の下面側(半導体チップ64搭載面と反対側の面)に外部接続端子としてはんだボールを接合した状態(BGA)やピンを接合した状態(PGA)の半導体装置60に対してアンダーフィル処理やフィレット部66の樹脂形成を行うこともできる。これらの半導体装置60を用いる際には、下金型30のセット凹部36の深さ寸法を適宜調整するだけでよい。
また、具体的には説明しないが、以上に示した全ての実施形態および変形例について適宜組み合わせた実施形態を採用することももちろん可能である。
14 ランナ
16 ゲート
20 上金型
23 上インサートブロック
24 上キャビティ駒
26 キャビティ壁
26A 壁面
26B 外壁面
30 下金型
33 下インサートブロック
34 下キャビティ駒
36 セット凹部
40 中間プレート
44 ランナ溝
46 凹溝
50 キャビティ
52 フィレット部用空間
54 エア貯留用空間
60 半導体装置
62 基板
64 半導体チップ
66 フィレット部
68 電子部品
69 スティフナ
70 エア流路
80 リリースフィルム
90 アンダーフィル樹脂
92 樹脂
98 狭隘部
200 トランスファモールド金型
Claims (4)
- 下型チェイスに支持された下型インサートに組み付けられたポットと、前記ポットに供給された封止用樹脂を圧送するプランジャと、前記下型インサートに組み付けられた下キャビティ駒と、を備え、前記下キャビティ駒のパーティング面にワークをセットするセット凹部が形成された下金型と、
前記セット凹部とワーク側端面との間の隙間部分を跨いで下型パーティング面に配置され、前記ポットに接続する第1の貫通孔と当該第1の貫通孔からランナ溝を通じて接続する第2の貫通孔と、当該第2の貫通孔を通じて前記封止樹脂をオーバーフローさせるオーバーフローキャビティが各々形成された中間プレートと、
上型チェイスブロックに弾性部材を介して吊り下げ支持され前記第2の貫通孔に対向して配置された上キャビティ駒と、該上キャビティ駒と共に支持される上インサートブロックを備える上金型と、
前記上金型の前記キャビティ駒を含む上型クランプ面を覆って吸着保持されるリリースフィルムと、を具備し、
前記上インサートブロックには前記上キャビティ駒を囲んでそれより下方に突出形成され前記第2の貫通孔に挿入されて前記配線基板を押圧するキャビティ壁が形成されており、前記キャビティ壁には前記第2の貫通孔の孔壁面と対向する外壁面及びキャビティの外周を形成し上方から下方に向けて拡径する内壁面が形成されており、前記キャビティ壁の互いに対向する位置に前記ランナ溝と前記キャビティとを連通するゲートと前記キャビティと前記オーバーフローキャビティとを連通するスルーゲートが各々形成されており、
前記ワークとして半導体チップがフリップチップ実装された配線基板が前記下金型のセット凹部にセットされ前記中間プレートが重ね合されると共に前記ポットに封止樹脂が供給された状態で、前記上金型とで型閉じして前記リリースフィルムを介して前記半導体チップの上面を覆って前記上キャビティ駒でクランプされ、前記プランジャを作動させて溶融した封止樹脂が前記第1の貫通孔及び前記ランナ溝を通じて前記第2の貫通孔内に圧送りされ、前記半導体チップがアンダーフィルモールドされると共に前記半導体チップの周囲にフィレット部が形成されることを特徴とするトランスファモールド金型。 - 前記上インサートブロックの前記外壁面の外側に凹凸部によるスティフナ形成部が前記半導体チップの周囲に形成されており、前記中間プレートのランナ溝と前記スティフナ形成部とが連通し当該スティフナ形成部と前記第2の貫通孔とがゲートを介して連通している請求項1記載のトランスファモールド金型。
- 前記スティフナ形成部は、前記第2の貫通孔と前記ゲートを介して各々連通する第1のスティフナ形成部と第2のスティフナ形成部とに分割されて形成され、
前記第1のスティフナ形成部は狭隘部を介して前記ランナ溝に連通し、前記第2のスティフナ形成部は狭隘部を介して前記オーバーフローキャビティに連通している請求項2記載のトランスファモールド金型。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のトランスファモールド金型と、当該トランスファモールド金型の動作を制御する制御手段と、を具備することを特徴とするトランスファモールド装置。
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