JP5534896B2 - 帯電防止性半導体加工用粘着テープ - Google Patents
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Description
該粘着テープを用いた工程では、セパレーターの剥離時・バックグラインド時・ダイシング時・電気絶縁性の高い超純水による切削粉の洗浄時・ピックアップ時などの、剥離・摩擦・接触などによって静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などの発生が懸念される。さらに近年、ウエハの薄膜化に伴い回路は高集積化し、静電気による回路破壊の危険性は高まり、帯電防止粘着テープに対する需要はより高まっている。静電気障害を改善するため、イオナイザーなどの静電気除去装置が導入されているが、十分な帯電防止効果を得られていないのが実情であり、該粘着テープ自体を帯電防止化することが望まれている。帯電防止処理した粘着テープとしては、基材フィルムへ帯電防止剤を添加混合した粘着テープ、粘着剤層へ帯電防止剤を添加混合した粘着テープ、基材フィルムと粘着剤層との間に帯電防止中間層を導入した粘着テープが使用されている。
(1)基材フィルムと光硬化型の粘着剤層から構成される粘着テープであって、前記基材フィルムの少なくとも片面に導電性高分子を含有する帯電防止層、前記帯電防止層上にベースポリマーの分子内に光硬化性不飽和炭素結合を含有する粘着剤層を有し、紫外線硬化前後の前記粘着剤層側の表面抵抗率が1×106〜5×1012Ω/□であり、前記粘着剤層の厚みが30〜250μmであり、前記帯電防止層の厚みが0.01〜0.7μmであり、前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化後の90度引き剥がし粘着力(JIS
Z 0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が、0.15〜0.25N/25mmであることを特徴とする帯電防止性半導体加工用粘着テープ。
(2)前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化後の90度引き剥がし粘着力(JIS
Z 0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が、紫外線硬化前の90度引き剥がし粘着力の4〜15%の粘着力であることを特徴とする(1)に記載の帯電防止性半導体加工用粘着テープ。
(3)前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化前の90度引き剥がし粘着力(JIS
Z 0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が1.4N/25mmを超えることを特徴とする(1)または(2)に記載の帯電防止性半導体加工用粘着テープ。
カルボキシル基含有不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。
ここでいう紫外線硬化は高圧水銀灯によって硬化され、200mJ/cm2照射量で硬化されるのが好ましいが、それに限定されるものではない。
前記水溶性導電性高分子の水100gに対する溶解度は20〜30gであることが好ましい。水分散性導電性高分子とは、ポリチオフェン系樹脂が微粒子状で水中に分散しているものであり、水分散液は液粘度が小さく薄膜塗工が容易であるばかりか、塗布層の均一性に優れている。ここで高分子の微粒子のサイズとしては1μm以下のものが帯電防止層5の均一性という点から好ましい。
水溶性ポリチオフェン系ポリマーの市販品の例としては、コニソル(インスコンテック株式会社製)などがあげられる。
バインダー成分としては、例えば、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレングリコール、ペンタエリスリトールなどがあげられる。特にポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、バインダー成分として、アクリル系オリゴマー(又はポリマー)やアクリルウレタン系オリゴマー(又はポリマー)などの不飽和二重結合を有する樹脂を用いてもよい。
なお、基材フィルム7は、可視光透過性であるものが好ましく、特に後述の粘着剤層として紫外線硬化型の材料を使用する場合には、紫外線透過性であるものが好ましい。
基材フィルム7の厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは10〜500μmであり、より好ましくは40〜500μm、特に好ましくは70〜250μmである。
ブチルアクリレート65質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート25質量部、アクリル酸10質量部を原料として溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次にこの共重合体に2−イソシアネートエチルメタクリレートを滴下反応させることで分子内に光硬化性不飽和炭素結合を有するアクリル系共重合体を作製した。光硬化性不飽和炭素結合量は2−イソシアネートエチルメタクリレート滴下量と溶液ラジカル重合の反応時間を適宜調整した。
厚さ100μmのポリオレフィンフィルムを基材フィルムとして用い、この基材フィルムの一方の主面上にポリエチレンジオキシチオフェンの水溶液(商品名:コニソルF−205、インスコンテック(株)製)をグラビア塗工して0.1μm厚の帯電防止層を形成させた。その後、ベースポリマーが分子内に光硬化性不飽和炭素結合を0.5meq/gの割合で含有するアクリル系共重合体と硬化剤であるポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)と光開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを表1に示す配合割合で配合し、粘着剤塗布液を調製した。コンマコーターを用いてシリコン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ25μm)に調製した粘着剤塗布液を線速2m/分で塗工し、110℃に設定した温風乾燥炉を通して、粘着剤層を形成し、帯電防止処理基材フィルムと貼り合わせて、乾燥後の塗布厚が30μmである離型フィルム付きの帯電防止性半導体加工用粘着テープ(図1に示す層構成を有するもの)を作製した。
実施例1の粘着剤層の厚みを100μmにした以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の粘着剤層の厚みを230μmにした以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層における硬化剤と光開始剤を表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層における硬化剤と光開始剤を表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の帯電防止層の厚みを0.4μmにしたこと以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の帯電防止層の厚みを0.6μmにしたこと以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の粘着剤層の厚みを10μmにした以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の粘着剤層の厚みを300μmにした以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層におけるベースポリマーとして光硬化性不飽和炭素結合を1.0meq/gの割合で含有するアクリル系共重合体を用い、硬化剤と光開始剤を表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層におけるベースポリマーとして光硬化性不飽和炭素結合を含有しないアクリル系樹脂を用い、硬化剤と光反応開始剤と紫外線硬化性不飽和炭素結合を含有する多官能のオリゴマーを表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層における硬化剤と光開始剤を表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例2の粘着剤層における硬化剤と光開始剤を表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例2と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
実施例1の帯電防止層の厚みを0.75μmにして、粘着剤層におけるベースポリマーとして光硬化性不飽和炭素結合を含有しないアクリル系樹脂を用い、硬化剤と光反応開始剤と紫外線硬化性不飽和炭素結合を含有する多官能のオリゴマーを表1に示す配合割合で配合したこと以外は実施例1と同様にして、帯電防止性半導体加工用粘着テープを作製した。
上記実施例および比較例で得られた各粘着テープについて、以下に示す各試験により、その表面抵抗率、粘着力、裏面研削時の水侵入防止性・紫外線硬化後の剥離性・帯電防止性能を評価したところ、表2と表3の結果を得た。
抵抗計を用いて500Vの電圧を印加し、印加後60秒後の電流値を読み取り、紫外線硬化前後の表面抵抗率を測定した。なお、紫外線硬化は高圧水銀灯で200mJ/cm2照射して行った。
25mm幅の粘着テープ試験片を2kg荷重のローラーでシリコンミラーウエハに貼合し、1時間放置した後にJIS Z0237に準拠して90度引き剥がし紫外線照射前の粘着力(剥離速度は50mm/min)を測定した。また、その後紫外線硬化させ、1時間放置した後、紫外線硬化後の粘着力も同様に測定した。なお、紫外線硬化は高圧水銀灯で200mJ/cm2照射して行った。
シリコンウエハ(径:6インチ、厚み:625μm)の表面に、実施例及び比較例で得られた粘着テープを23℃で貼合し、研削機を用いて23℃の水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を該ウエハの厚みが100μmになるまで研削し、粘着テープとシリコンウエハの間に水の浸入があるかを確認した。その後、高圧水銀灯で200mJ/cm2照射し、紫外線硬化させ、シリコンウエハが破損することなく粘着テープを剥離できるかどうかと、シリコンウエハに粘着剤が残るかどうかを評価した。シリコンウエハを破損せず、粘着剤が残らずに粘着テープを剥離できるものを○とした。また、静電気や過電流によって加工時に半導体が破壊されているかどうかを確認し、帯電防止性能を評価した。
比較例1の粘着剤組成は実施例1〜3と同じで、半導体の破壊はなく、十分な帯電防止性能を示したが、粘着剤層が薄いため、裏面研削時に半導体加工用粘着テープとシリコンウエハ間に水が浸入してしまった。
比較例2の粘着剤組成は実施例1〜3と同じだが、粘着剤層が厚いため、紫外線硬化後は十分な帯電防止性能を示さず、半導体は放電破壊した。
比較例3は、紫外線硬化後は十分な帯電防止性能を示さず、半導体は放電破壊した。比較例3は実施例と同様に粘着剤のベースポリマーとして紫外線硬化性不飽和炭素結合を含有するアクリル樹脂を用いているが、不飽和炭素結合の割合が実施例のベースポリマーよりも多い。そのため、比較例2は実施例よりも紫外線硬化性が高く、粘着剤層の柔軟性は実施例よりも低い。結果、紫外線硬化による表面抵抗率の変化は大きく、紫外線硬化後に十分な帯電防止性能を得られなかった。比較例3における紫外線硬化後の粘着剤層の柔軟性が実施例よりも低いことは、比較例3が実施例よりも紫外線硬化後の粘着力が小さいことからわかる。また、比較例3の紫外線硬化性が実施例よりも高いことは、「紫外線硬化後の粘着力/紫外線硬化前の粘着力」が小さいことからわかる。
比較例4も、比較例3と同様に紫外線硬化後は十分な帯電防止性能を示さず、半導体は放電破壊した。比較例4のベースポリマーは紫外線硬化性不飽和炭素結合を有していないが、不飽和炭素結合を含有するオリゴマーを含んでいる。不飽和炭素結合を含有するオリゴマーは多官能であり、またその配合部数は多く、紫外線硬化性は実施例よりも高い。そのため、紫外線硬化後の表面抵抗率は実施例と比較例3よりも大きかった。
比較例5は、紫外線硬化後の帯電防止性能は良好であるが、紫外線硬化後の粘着力が高いため、裏面研削後に粘着テープを剥離する際にシリコンウエハが破損した。
比較例6は、紫外線硬化後の帯電防止性能は良好であり、比較例5と異なり剥離性も良好であったが、紫外線硬化前の粘着力が低いため、裏面研削時に半導体加工用粘着テープとシリコンウエハ間に水が浸入した。
比較例7は、帯電防止層が厚いため、紫外線硬化前の表面抵抗率が低く、導電性が良すぎて、過電流によって半導体は破壊した。
3………粘着剤層
5………帯電防止層
7………基材フィルム
9………剥離ライナー
Claims (3)
- 基材フィルムと光硬化型の粘着剤層から構成される粘着テープであって、前記基材フィルムの少なくとも片面に導電性高分子を含有する帯電防止層、前記帯電防止層上にベースポリマーの分子内に光硬化性不飽和炭素結合を含有する粘着剤層を有し、紫外線硬化前後の前記粘着剤層側の表面抵抗率が1×106〜5×1012Ω/□であり、
前記粘着剤層の厚みが30〜250μmであり、
前記帯電防止層の厚みが0.01〜0.7μmであり、
前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化後の90度引き剥がし粘着力(JIS Z
0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が、0.15〜0.25N/25mmであることを特徴とする帯電防止性半導体加工用粘着テープ。 - 前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化後の90度引き剥がし粘着力(JIS Z
0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が、紫外線硬化前の90度引き剥がし粘着力の4〜15%の粘着力であることを特徴とする請求項1に記載の帯電防止性半導体加工用粘着テープ。 - 前記粘着テープをシリコンミラーウエハに貼合した場合の前記粘着剤層の紫外線硬化前の90度引き剥がし粘着力(JIS Z
0237に準拠; 剥離速度は50mm/min)が1.4N/25mmを超えることを特徴とする請求項1または2に記載の帯電防止性半導体加工用粘着テープ。
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