JP2016126860A - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2016126860A
JP2016126860A JP2014265276A JP2014265276A JP2016126860A JP 2016126860 A JP2016126860 A JP 2016126860A JP 2014265276 A JP2014265276 A JP 2014265276A JP 2014265276 A JP2014265276 A JP 2014265276A JP 2016126860 A JP2016126860 A JP 2016126860A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic layer
pixel
pixels
electrode
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014265276A
Other languages
English (en)
Inventor
昭綱 高木
Akizuna Takagi
昭綱 高木
耕一 永澤
Koichi Nagasawa
耕一 永澤
大智 今林
Hirotomo Imabayashi
大智 今林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2014265276A priority Critical patent/JP2016126860A/ja
Priority to PCT/JP2015/082070 priority patent/WO2016103970A1/ja
Publication of JP2016126860A publication Critical patent/JP2016126860A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80522Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】リーク電流の発生を抑制して表示画質を向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、発光素子は、基板側から順に、画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成されたものである。【選択図】図2

Description

本開示は、有機電界発光装置などの表示装置およびその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
近年、有機電界発光(EL:Electroluminescence)素子を用いた表示装置(有機ELディスプレイ)の開発が進んでいる。この表示装置では、例えば、画素毎に分離して形成された第1電極の上に、発光層を含む有機層と第2電極とが形成される。また、R,G,Bの各色発光層のいずれかを含む有機層が画素毎に塗り分けられる。このような有機層は、第1電極同士の間の領域に端面を有して形成される。
ところが、この有機層の端面と、その上に形成される第2電極とが接すると、第1電極同士の間あるいは第1電極と第2電極との間においてリーク電流を生じる。リーク電流の発生は、輝度低下を招き、表示画質の低下につながる。そこで、第1電極同士の間の領域において、有機層の端面が第2電極に対して露出しないように、有機層の端面をSiOからなる絶縁層に埋め込む構造が提案されている(特許文献1)。また、第1電極と第2電極とは互いに交差するように、有機層を挟んで対向配置されている。
特開2005−276667号公報
しかしながら、上記特許文献1の手法では、絶縁層(SiO)の成膜温度が高温であり、位置精度において改善の余地がある。絶縁層の成膜位置精度を向上させて、有機層端面を介した電流リークを抑制することが可能な素子構造の実現が望まれている。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、リーク電流の発生を抑制して表示画質を向上させることが可能な表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
本開示の表示装置は、基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、発光素子は、基板側から順に、画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共にこの第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成されたものである。
本開示の表示装置の製造方法は、基板上に各々が発光素子を含む複数の画素を形成する際に、基板上に、発光素子として、画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とをこの順に形成し、複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素に第1の有機層を形成した後、第2電極の形成前に、第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に第1の有機層とは異なる第2の有機層を形成する。
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
本開示の表示装置および電子機器では、隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成されている。これにより、隣接する第1電極間または第1電極と第2電極との間において、第1の有機層端面を介したリーク電流の発生が抑制される。また、第2の有機層が用いられることで、無機材料が用いられる場合に比べ、成膜温度が低くなり、成膜位置精度が向上する。
本開示の表示装置の製造方法では、隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成される。これにより、隣接する第1電極間または第1電極と第2電極との間において、第1の有機層端面を介したリーク電流の発生が抑制される。また、第2の有機層が用いられることで、無機材料が用いられる場合に比べ、成膜温度が低くなり、成膜位置精度が向上する。
本開示の表示装置、表示装置の製造方法および電子機器では、隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成される。これにより、リーク電流の発生を抑制して、表示画質を向上させることが可能となる。
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
本開示の第1の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表す図である。 図1に示した画素回路の一例を表す図である。 図1に示した表示装置の構成を表す断面図である。 図3に示した画素分離膜の開口(画素開口)と有機層の形成領域とを表す平面図である。 図3に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図5Aに続く工程を表す断面図である。 図5Bに続く工程を表す断面図である。 図5Cに続く工程を表す断面図である。 図5Dに続く工程を表す断面図である。 有機層成膜時に用いる蒸着装置の一例を表す模式図である。 図6に示した蒸着装置の比較例を表す模式図である。 図6に示した蒸着装置の効果を説明するための模式図である。 比較例1−1に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 比較例1−2に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 比較例1−3に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 比較例1−4に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図3に示した表示装置の要部構成を表す断面図である。 変形例1−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例1−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例1−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例2−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例2−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例2−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例2−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例3−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例3−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例3−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 本開示の第2の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図13に示した表示装置の画素開口と有機層の形成領域との一例を表す平面図である。 図13に示した表示装置の画素開口と有機層の形成領域との他の例を表す平面図である。 比較例2に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 変形例4−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例4−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例4−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例4−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−5に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例5−6に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−1に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−2に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−5に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−6に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 変形例6−7に係る画素開口と有機層の形成領域とを表す平面図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 テレビジョン装置の構成を表す斜視図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(隣接する第1の画素(R画素,G画素)間の領域に、第2の画素(B画素)の有機層が形成された表示装置の例)
2.変形例1−1〜1−3(画素開口形状の他の例)
3.変形例2−1〜2−4(有機層を所定のマスクを用いて成膜した場合の例)
4.変形例3−1〜3−4(有機層を他のマスクを用いて成膜した場合の例)
5.第2の実施の形態(第2電極と電気的に接続された補助電極を更に備えた表示装置の例)
6.変形例4−1〜4−4(画素開口形状の他の例)
7.変形例5−1〜5−6(有機層を所定のマスクを用いて成膜した場合の例)
8.変形例6−1〜6−7(有機層を他のマスクを用いて成膜した場合の例)
9.適用例(電子機器の例)
<第1の実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の構成を表すものである。この表示装置1は、例えば有機ELディスプレイであり、基板(第1基板11)上の表示領域110Aに、マトリクス状に配置された複数の画素PIXCを有している。各画素PIXCは、例えば発光色の異なる複数種類の有機EL素子10(10R,10G,10B)(発光素子)のいずれかを含み、R画素,G画素およびB画素のうちのいずれかのサブピクセルに相当するものである。尚、R画素,G画素およびB画素の組が1ピクセルに相当する。有機EL素子10Rは、赤色の光LR(波長620nm〜750nm)を、有機EL素子10Gは、緑色の光LG(波長495nm〜570nm)を、有機EL素子10Bは、青色の光LB(波長450nm〜495nm)を、それぞれ発生する。但し、以下では、特に発光色の区別が必要ない場合には、有機EL素子10と称して説明を行う。表示領域110Aの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路120および走査線駆動回路130と、図示しない電源回路とが設けられている。
図2は、画素PIXCの回路構成を表したものである。画素PIXCは、例えばアクティブ型の画素回路を含み、駆動用のトランジスタTr1および書き込み用のトランジスタTr2と、これらのトランジスタTr1,Tr2の間に配置されたキャパシタCsとを有する。第1の電源ライン(Vcc)と第2の電源ライン(GND)との間において、有機EL素子10のトランジスタTr1に直列に接続されている。信号線駆動回路120は、列方向に配置された複数の信号線120Aを通じてトランジスタTr2のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路130は、行方向に配置された複数の走査線130Aを通じてトランジスタTr2のゲート電極に走査信号を順次供給する。
図3は図1に示した表示装置1の断面構成を表すものである。尚、図3では、R画素,G画素,B画素に対応する領域についてのみ示している。表示装置1は、例えば後述の有機層(有機層15R,15G,15B)で発生した光が第2電極16側から取り出される、いわゆるトップエミッション方式(上面発光方式)の有機ELディスプレイである。有機EL素子10R,10G,10Bは、第1基板11と第2基板18との間に設けられている。第1基板11には、上記のトランジスタTr1,Tr2等を含む回路層(図3には図示せず)が形成されており、この回路層を覆うように平坦化膜12が形成されている。平坦化膜12上には、例えば陽極(アノード)としての第1電極13が設けられている。第1電極13は、トランジスタTr1と電気的に接続されている。
有機EL素子10は、第1基板11の側から順に、第1電極13と、発光層を含む有機層(有機層15R,15G,15B)と、例えば陰極としての第2電極16とが積層されたものである。有機層15R,15G,15Bは、画素毎に塗り分けられている(画素毎に分離して形成されている)。この有機EL素子10上には、保護膜および接着層などを含む封止層17を介して第2基板18が貼り合わされている。以下、各部の構成について説明する。
第1基板11は、例えばガラス,シリコン(Si)ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などの上に上記の回路層が形成された駆動基板である。導電性基板としては、例えば表面を酸化シリコン(SiO2)や樹脂等により絶縁化したものが用いられる。回路層に形成されるトランジスタTr1,Tr2は、例えば例えばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)により構成された薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)である。
平坦化膜12は、第1基板11の表面を平坦化し、有機EL素子10の各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化膜12の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂などの有機材料、あるいは酸化シリコン(SiO2),窒化シリコン(SiNx)または酸窒化シリコン(SiON)などの無機材料が挙げられる。
第1電極13は、平坦化膜12上に、画素毎に電気的に分離して配置されている(平坦化膜12上に間隔をおいて配置されている)。具体的には、複数の第1電極13が間隔をおいて配置され、これらの複数の第1電極13の上に、画素分離膜(隔壁)14が形成されている。画素分離膜14は、第1電極13に対向して開口を有し、この開口において第1電極13と有機層15R,15G,15Bのいずれかが接している。
第1電極13の平面形状は、例えば矩形状である。各第1電極13は、有機層15R,15G,15Bのいずれかに例えば正孔を注入する電極として機能するものである。第1電極13は、光反射性を有しており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上で望ましい。このような第1電極13の構成材料としては、例えば銀(Ag)およびアルミニウム(Al)などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第1電極13は、上述した金属の単体または合金を含む単層膜であってもよいし積層膜であってもよい。あるいは、酸化錫インジウム(ITO)等が用いられてもよい。
画素分離膜14は、発光領域(画素開口)を定義すると共に、第1電極13を画素毎に電気的に分離するための絶縁膜である。この画素分離膜14は、例えばSiOなどのシリコン酸化物膜、あるいはポリイミドなどから構成されている。この画素分離膜14の開口部分に、有機層15R,15G,15Bが形成され、第1電極13が形成されている。
有機層15R,15G,15Bは、例えば複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層と、正孔輸送層(HTL:Hole Transport Layer)とを含むものである。但し、有機層15R,15G,15Bは、この他にも、例えば正孔注入層(HIL:Hole Injection Layer)および電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)などを含んでいてもよい。
図4は、本実施の形態の画素分離膜14の開口(開口H1a,H1b)と、有機層15R,15G,15Bの形成領域とを表したものである。尚、図4中のI−I線における矢視断面の構成が図3の構成に対応している。画素分離膜14の開口H1a,H1bの開口形状はそれぞれ矩形状である。即ち、本実施の形態では、R,G,Bの画素のそれぞれが矩形状の領域に形成され、これらのR,G,Bの画素の組がストライプ状を成している。ここでは、R画素およびG画素に対応する領域に、開口H1aが、B画素に対応する領域に開口H1bがそれぞれ形成されている。開口H1aに対向して有機層15R,15Gが形成され、開口H1bに対向して、有機層15Bが形成されている。
本実施の形態では、隣接する2画素(ここでは、R画素,G画素:第1の画素)同士の間の領域(開口H1a同士の間の領域)に、有機層15R,15G(第1の有機層)の各端面を覆って、有機層15R,15Gとは異なる有機材料からなる有機層(有機層15B1:第2の有機層)が形成されている。有機層15B1は、B画素(第2の画素)の有機層15Bの構成材料を含んでいる。ここでは、図4に示したように、平面視的に、R画素,G画素の開口H1aを除く領域の略全域にわたって有機層15B(斜線部)が形成されている。有機層15Bのうちの開口H1a同士の間の領域において延在する部分が有機層15B1に相当する。有機層15B1の端部は、テーパ形状を有することが望ましい。第2電極16の断線を抑制するためである。
第2電極16は、光透過性を有し、例えば全画素に共通して、表示領域110Aの全面にわたって形成されている。この第2電極16は、例えば仕事関数の低いリチウム(Li),カリウム(K)などのアルカリ金属、マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca)などのアルカリ土類金属、およびこれらの金属と銀あるいはアルミニウムなどとの合金や混合物等の金属材料から形成されるのが好ましい。陰極における保存安定性と電子注入性とを両立させるために、上記材料で形成した電極を、仕事関数が大きく導電性の高い銀、アルミニウム(Al)あるいは金(Au)などで更に被覆してもよい。また、第2電極18は透明電極であってもよい。この第2電極18は、例えば真空蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法などの公知の方法で形成することができる。
封止層17は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などから構成された保護膜と、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂から構成された接着層などを含むものである。
第2基板18は、有機EL素子10R,10G,10Bにおいて発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
[製造方法]
上記のような表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。図5A〜図5Eは、本実施の形態の表示装置1の製造方法を説明するための模式図である。
まず、第1基板11上に平坦化層12を形成した後、この上に、複数の第1電極13を所定の間隔をおいて形成する。第1電極13の成膜手法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等が挙げられる。
この後、図5Aに示したように、上述した材料よりなる画素分離膜14を形成する。このとき、画素分離膜14により、第1電極13の端部を覆うことで、段差による電気的不具合を緩和することができる。この画素分離膜14は、例えばSiOをCVD法などにより成膜した後、あるいはポリイミドを塗布により成膜した後に、フォトリソグラフィ法などによって開口H1a,H1bを形成する。
次に、図5Bおよび図5Cに示したように、開口H1aにおいて第1電極13を覆うように、有機層15R,15Gを順次形成する。このとき、有機層15R,15Gは、重畳することのないように、互いに分離したパターンとなるように形成される。これらの有機層15R,15Gは、例えば不連続となる部分(R画素とG画素との間の領域)をマスクして、例えば真空蒸着法により有機材料を蒸着させることで形成することができる。あるいは、インクジェット方式により、有機層15R,15Gを上記のようなパターンで形成することも可能である。また、有機層15R,15Gは、このような形成手法に限らず、エッチングを用いたパターニングによって形成されてもよい。例えば、有機層15R,15Gを、列方向に連続的に延在した状態でそれぞれ成膜し、その後、第1電極13同士の間の部分に形成された有機層15R,15Gをエッチングにより選択的に除去するようにしてもよい。エッチング手法としては、例えばレーザーエッチング、フォトリソグラフィを用いたドライエッチングまたはウェットエッチングなどが挙げられる。また、鋭利な針によって有機層15R,15Gを部分的に除去することも可能である。但し、これらのエッチング手法の中では、第1電極13の上に残す有機層15R,15Gにダメージを与えないことから、レーザーエッチングが望ましい。
ここで、図6に、上記のような有機層15R,15G,15Bを所定のパターンで成膜する際に好適な蒸着装置の構成例について模式的に示す。この蒸着装置は、例えば材料供給源120と、ヒータ121と、蒸着ベルト122と、蒸着ヒータ123と、反射板124とを備えている。蒸着ベルト122は、材料供給源120と反射板124との間を巡回的に移動可能に構成されている。反射板124には溝124aが設けられ、この溝124aを介して蒸着ベルト122の一部が、被蒸着基板(第1基板11)側に露出するように構成されている。このような構成により、材料供給源120に貯蔵された有機材料を、ヒータ121の熱によって、一旦蒸着ベルト122上に蒸着させて薄膜を形成する。この後、形成した薄膜を、反射板124の溝124a付近まで移動させる。反射板124の溝124aでは、蒸着ヒータ123によって蒸着ベルト122上の薄膜が再び加熱され、これにより、被蒸着基板に有機材料を蒸着させることができる。
このように蒸着ベルト122を介して段階的に有機材料を蒸着させることで、次のようなメリットがある。即ち、噴出孔(蒸着孔)から有機材料を噴出するような装置では、孔の目詰まりが生じることがあるが、上記のような蒸着ベルト122を用いた蒸着装置では、そのような目詰まりが生じない。また、薄膜の有機材料を、再付着あるいは固着を懸念することなく蒸着することができることから、蒸着ヒータ123による加熱温度を極限まで低く設定することができる。このため、マスクの温度を低減することが可能となる。
ここで、図7Aに、比較例として一般的な蒸着装置を用いた場合の噴出孔(蒸着孔1103)と成膜エリア(成膜エリア1102)との配置関係について、模式的に示す。このように、蒸着孔1103から有機材料を噴出するような装置では、蒸着源と被蒸着基板1101との間の距離が大きいことから、成膜エリア1102の外の領域Bにも、蒸着源および蒸着孔1103が設けられる。これに対し、図6に示した蒸着装置では、マスク温度の低減が可能なことから、蒸着源と被蒸着基板(第1基板11)との間の距離を狭くすることができるため、成膜エリア125に相応の領域に蒸着ベルト122を配置すればよい。これにより、被蒸着基板にマスクを近づけて配置することが可能となり,蒸着材料の材料効率を上げることができる。
加えて、蒸着ベルト122のレイアウトは、図示したような上下方向に沿った配置である必要は無く、自在に設定することができる。このため、被蒸着基板を縦にした状態で使用することも可能である。
続いて、図5Dに示したように、有機層15Bを形成する。このとき、有機層15R,15Bが形成されていない部分に、有機層15R,15Gの端面を覆うように(端面が露出しないように)、有機層15Bを成膜する。これにより、R画素,G画素間の領域(開口H1a,H1b間の領域)には、有機層15R,15Gの端面を覆って有機層15B1が形成される。
この後、図5Eに示したように、第2電極9を形成することで、有機EL素子10R,10G,10Bを形成することができる。最後に、これらの有機EL素子10R,10G,10Bを覆って封止層17を形成し、第2基板18を貼り合わせることで、図3に示した表示装置1を完成する。
[作用,効果]
表示装置1では、図1および図2に示したように、走査線駆動回路130から各画素PIXCのトランジスタTr2のゲートに走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120からは映像信号が、トランジスタTr2を介して保持容量Csに供給され、保持される。この保持容量Csに保持された信号に応じてトランジスタTr1がオンオフ制御され、これによって、各画素PIXCの有機EL素子10(10R,10G,10B)に駆動電流Idが注入される。この駆動電流Idが、第1電極13および第2電極16を通じて、有機層15R,15G,15Bの各発光層に注入されることにより、正孔と電子とが再結合し、発光が起こる。
各有機EL素子10R,10G,10Bから発生した各色光は、第2電極16、封止層17および第2基板18等を透過し、赤色光LR,緑色光LG,青色光LBとして、第2基板18の上方へ出射する。このようにして、表示装置1では、上面発光方式による映像表示が行われる。
ここで、本実施の形態の比較例(比較例1−1)として、図8Aに、有機層(有機層105)を全画素に共通の層として形成した場合の要部構成について示す。この比較例1−1では、第1基板101上に平坦化膜102を介して複数の第1電極103が配置されている。これらの複数の第1電極103上には、開口をもつ画素分離膜104が形成され、これらの第1電極103と画素分離膜104との全面を覆って、白色発光層などを含む有機層105が形成されている。この有機層105の上に第2電極106が形成されている。このような比較例1−1の素子構造では、有機層105が全画素に共通して形成されていることから、隣接画素間において有機層105を通じて電流リーク(図中の矢印X)が生じる。
また、図8Bには、比較例1−2として、有機層を画素毎に塗り分けて形成した場合の要部構成について示す。この比較例1−2では、有機層105Rの端面e1と、有機層105Gの端面e2とが第2電極106と接している。この結果、端面e1,e2を介して第1電極103と第2電極106との間で電流リーク(図中のX1,X2)が生じる。
尚、上記のような電流リークを抑制するために、図8Cおよび図8Dに示した比較例1−3,1−4のように、画素分離膜104に、有機層105を分断するような構造を形成することが考えられる。例えば、図8Cに示したように、画素分離膜14の上面に凸部104aを形成し、この凸部104aにおいて、有機層105を分断させる。あるいは、図8Dに示したように、画素分離膜14の上面に凹部104bを形成し、この凹部104bにおいて、有機層105を分断させる。ところが、これらの比較例1−3,1−4ではいずれも、第2電極106において断切れ(図中のX3,X4)が生じる虞がある。
これに対し、本実施の形態では、図9に示したように、隣接する2つの画素(ここではR画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの各端面e1,e2を覆って、有機層15B1が形成されている(図中の領域A)。これにより、隣接する第1電極13同士の間で、有機層15R,15Gを介してリーク電流が生じることが抑制される。また、第2電極16が有機層15R,15Gの端面e1,e2と導通して、第1電極13と第2電極16との間にリーク電流が生じることも抑制される。
これにより、有機層15R,15Gのうち、発光させるべき部分(開口H1aに対向する部分)に、本来発光に利用される電流の略全てが流れるようになるので、その発光部分の輝度低下を抑制できる。また、発光部を電気容量として用いるような回路動作を行う場合においても、漏れ電流による表示品位の低下が抑制される。
以上説明したように、本実施の形態では、隣接する2以上の第1の画素(ここではR画素,G画素)同士の間の領域に、有機層15R,15Gの端面を覆うと共にこれらの有機層15R,15Gとは異なる有機層(有機層15B1)が形成されている。これにより、隣接する第1電極13間または第1電極13と第2電極16との間において、有機層15R,15Gの端面を介したリーク電流の発生を抑制することができる。また、有機層15B1が用いられることで、無機材料が用いられる場合に比べ、成膜温度を低くすることができ、成膜位置精度が向上する。よって、リーク電流の発生を抑制して、表示画質を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態では、第1の有機層(有機層15R,15G)の端面を覆う第2の有機層として、B画素の有機層15Bを利用している。つまり、有機層15B1は、有機層15Bの構成材料を含み、ここでは、有機層15Bが開口H1aを除く領域の全域にわたって形成されており、有機層15B1が有機層15Bと連続した膜(同一膜)となっている。つまり、有機層15R,15Gの端面を覆う有機層として新たな材料を用意して、別途パターン形成する必要がないため、工程数やコストが増大することもない。
尚、上記実施の形態では、隣接する2以上の第1の画素として、R画素およびG画素を例に挙げ、第2の画素としてB画素を例に挙げて説明したが、本開示の第1および第2の画素は、この組み合わせに限定されるものではない。但し、第1の画素の有機層よりも、第2の画素の有機層は、電流リーク性が低いことが望ましい。以下の変形例および実施の形態においても同様である。
次に、上記第1の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明する。以下では、上記第1の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
<変形例1−1〜1−3>
図10A〜図10Cは、上記第1の実施の形態の変形例1−1〜1−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記実施の形態では、R,G,Bの全画素が矩形状の領域に形成される場合を例示したが、各画素の形状(画素分離膜の開口形状)は、矩形状に限定されず、また画素毎に異なっていてもよい。本変形例においても、第1の画素(R画素,G画素)の開口には、有機層15R,15Gがそれぞれ形成されており、これらの第1の画素(R画素,G画素)の開口を除く領域の略全域にわたって、有機層15Bが形成されている。
例えば、図10Aに示したように、第1の画素(R画素,G画素)の開口H2aが正方形状または正方形状に近い矩形状で、第2の画素(B画素)の開口H2bが矩形状であってもよい。この例では、開口H2aが列方向に2つ並び、これらの2つの開口H2aのそれぞれに隣接して開口H2bが形成されている。
また、図10Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)との各開口H2aが正方形状または正方形状に近い矩形状であってもよい。
更に、図10Cに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)との各開口H3が円形状であってもよい。この場合、第2の画素(B画素)を囲むように、第1の画素(R画素,G画素)が、例えば多角形状または円形状の外周に沿って配置されている。
<変形例2−1〜2−4>
図11A〜図11Dは、上記第1の実施の形態の変形例2−1〜2−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記実施の形態では、有機層15B(15B1)を、第1の画素(R画素,G画素)の開口を除く略全域にわたって形成したが、有機層15B(15B1)の形成領域は、これに限定されるものではない。即ち、有機層15B(15B1)の形成領域は、第1の画素(R画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの端面を覆って形成されていれば、必ずしも有機層15R,15Gの端面の全てを覆っていなくともよい。
例えば、図11Aに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置(列方向に沿って配置)されている場合には、これらの列状の領域を除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成されていてもよい。
このような有機層15Bは、例えばシャドウマスクと呼ばれるスリット状の開口を有するマスクを用いて形成することができる。
また、本変形例においても、画素開口の形状は矩形状に限定されるものではなく、図11Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)では、正方形状の開口H2aが形成され、第2の画素(B画素)では、矩形状の開口H2bが形成されていてもよい。
更に、図11Cおよび図11Dに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)の全てが、正方形状の開口H2aを有する場合に、所定のシャドウマスクを用いることで、第1の画素(R画素,G画素)が配置された行状の領域と列状の領域とのそれぞれを除く領域に有機層15Bを形成することもできる。
<変形例3−1〜3−3>
図12A〜図12Cは、上記第1の実施の形態の変形例3−1〜3−3に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記実施の形態では、有機層15B(15B1)を、第1の画素(R画素,G画素)の開口を除く略全域にわたって形成したが、有機層15B(15B1)の形成領域は、これに限定されるものではない。即ち、有機層15B(15B1)の形成領域は、第1の画素(R画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの端面を覆って形成されていれば、必ずしも有機層15R,15Gの端面の全てを覆っていなくともよい。
例えば、図12Aに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置(列方向に沿って配置)されている場合には、これらの列状の領域を除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成されていてもよい。但し、本変形例では、上記変形例2−1(図11A)と比較して、R画素同士の間およびG画素同士の間の領域において、有機層15Bの非形成領域15BLが狭くなっている。これにより、有機層15R,15Gの端面のほとんどを有機層15Bによって覆うことができる。このような有機層15Bも、例えばシャドウマスクを用いて形成することができる。
また、本変形例においても、画素開口の形状は矩形状に限定されるものではなく、図12Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)では、正方形状の開口H2aが形成され、第2の画素(B画素)では、矩形状の開口H2bが形成されていてもよい。
更に、図12Cに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)とにおいて、円形状の開口H3が形成されていてもよい。
<第2の実施の形態>
[構成]
図13は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、上記第1の実施の形態と同様、例えば有機ELディスプレイであり、第1基板11上の表示領域110Aに、マトリクス状に配置された複数の画素PIXCを有している。また、各画素PIXCは、有機EL素子10(10R,10G,10B)(発光素子)のいずれかを含み、R画素,G画素およびB画素のうちのいずれかのサブピクセルに相当するものである。有機EL素子10R,10G,10Bは、第1基板11と第2基板18との間に設けられ、第1基板11の側から順に、第1電極13と、有機層(有機層15R,15G,15B)と、第2電極16とが積層されたものである。この有機EL素子10上には、図示しない封止層17を介して第2基板18が貼り合わされている。
本実施の形態においても、上記第1の実施の形態と同様、第1の画素(R画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの端面が、有機層15B1によって覆われている。これにより、有機層15R,15Gの端面を介したリーク電流の発生を抑制することができる。
但し、本実施の形態では、第1基板11上(平坦化膜12上)の選択的な領域に、第2電極16と電気的に接続された補助電極19が形成されている。補助電極19上には有機層15Bは形成されておらず、第2電極16と接して形成されている(カソードコンタクト部19Cを有する)。
カソードコンタクト部19C(あるいは補助電極19)の形成箇所は特に限定されないが、例えば図14Aおよび図14Bに示したように、カソードコンタクト部19Cは、行方向において隣り合う画素間の領域に配置される。尚、図14AのII−II線における矢視断面構成が、図13の要部構成に対応している。図14Aの例では、B画素同士の間の領域に、図14Bの例では、R画素同士の間の領域に、それぞれ配置されている。このように、カソードコンタクト部19Cが配置される場合には、有機層15Bは、平面視的に、第1の画素(R画素,G画素)の開口H1aとカソードコンタクト部19C(補助電極19)とを除く領域に形成される。
ここで、図15に、本実施の形態の比較例(比較例2)に係る表示装置の要部構成について示す。比較例2の表示装置では、第1基板101上に、平坦化膜102を介して、第1電極103と補助電極107とが形成されている。有機層は、画素毎に塗り分けられている(有機層105R,105Gが形成されている)。このような構成において、第1基板101の全面にわたって、共通電子輸送層(電荷ブロック層)108が形成される。この比較例2の表示装置では、有機層105R,105Gと第2電極106との間に共通電子輸送層108が介在することにより、リーク電流の発生は抑制できるものの、補助電極107と第2電極106との間にも共通電子輸送層108が介在することとなる。このため、良好なカソードコンタクトを確保することができない。
これに対し、本実施の形態では、所定のマスクを用いて有機層15Bを形成することにより、補助電極19上には有機層15bが形成されない。このため、補助電極19と第2電極16とを電気的に接続することができ、良好なカソードコンタクトを実現できる。
<変形例4−1〜4−4>
図16A〜図16Dは、上記第2の実施の形態の変形例4−1〜4−4に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記第2の実施の形態では、R,G,Bの全画素が矩形状の領域に形成される場合を例示したが、各画素の形状(画素分離膜の開口形状)は、矩形状に限定されず、また画素毎に異なっていてもよい。また、カソードコンタクト部19Cの形成位置も上述したものに限定されない。本変形例においても、第1の画素(R画素,G画素)の開口には、有機層15R,15Gがそれぞれ形成されており、これらの第1の画素(R画素,G画素)の開口と、カソードコンタクト部19Cとを除く領域の略全域にわたって、有機層15Bが形成されている。
例えば、図16Aおよび図16Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)では、正方形状の開口H2aが形成され、第2の画素(B画素)では、矩形状の開口H2bが形成されていてもよい。また、カソードコンタクト部19Cは、図16Aに示したように、列方向において隣合う開口H2b同士の間(B画素同士の間)の領域に形成されていてもよいし、図16Bに示したように、第1の画素の開口H2aに隣接した位置に形成されていてもよい。あるいは、図16Cに示したような位置に形成されていてもよい。
更に、図16Dに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)とにおいて、円形状の開口H3が形成されていてもよい。
<変形例5−1〜5−6>
図17A〜図17Fは、上記第2の実施の形態の変形例5−1〜5−6に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記第2の実施の形態では、有機層15B(15B1)を、第1の画素(R画素,G画素)の開口とカソードコンタクト部19Cとを除く略全域にわたって形成したが、有機層15B(15B1)の形成領域は、これに限定されるものではない。即ち、有機層15B(15B1)の形成領域は、第1の画素(R画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの端面を覆って形成されていればよく、有機層15R,15Gの端面の全てを覆っていなくともよい。
例えば、図17Aに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置され、カソードコンタクト部19Cが、隣合う開口H1b同士の間の領域に形成されている場合には、第1の画素(R画素,G画素)を含む列状の領域と、カソードコンタクト部19Cを含む行状の領域とを除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成される。このような有機層15Bは、例えばシャドウマスクと呼ばれるスリット状の開口を有するマスクを用いて形成することができる。
また、図17Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置され、カソードコンタクト部19Cが、隣合う開口H1a同士の間の領域に形成されている場合には、第1の画素(R画素,G画素)を含む列状の領域を除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成される。
更に、図17Cおよび図17Dに示したように、第1の画素(R画素,G画素)では、正方形状の開口H2aが形成され、第2の画素(B画素)では、矩形状の開口H2bが形成されていてもよい。また、カソードコンタクト部19Cは、図17Cに示したように、開口H2b同士の間の領域に形成されていてもよいし、図17Dに示したように、開口H2aに隣接した位置に形成されていてもよい。
あるいは、図17Eおよび図17Fに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)の全てが、正方形状の開口H2aを有する場合に、所定のシャドウマスクを用いることで、第1の画素(R画素,G画素)が配置された行状および列状の領域と、カソードコンタクト部19Cとのそれぞれを除く領域に有機層15Bを形成することもできる。
<変形例6−1〜6−7>
図18A〜図18Gは、上記第2の実施の形態の変形例6−1〜6−7に係る画素開口と有機層の形成領域とを表したものである。上記第2の実施の形態では、有機層15B(15B1)を、第1の画素(R画素,G画素)の開口とカソードコンタクト部19Cとを除く略全域にわたって形成したが、有機層15B(15B1)の形成領域は、これに限定されるものではない。即ち、有機層15B(15B1)の形成領域は、第1の画素(R画素,G画素)間の領域において、有機層15R,15Gの端面を覆って形成されていればよく、有機層15R,15Gの端面の全てを覆っていなくともよい。
例えば、図18Aに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置され、カソードコンタクト部19Cが、開口H1b同士の間の領域に形成されている場合には、第1の画素(R画素,G画素)を含む列状の領域と、カソードコンタクト部19Cを含む行状の領域とを除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成される。但し、本変形例では、上記変形例5−1(図17A)と比較して、R画素同士の間およびG画素同士の間の領域において、有機層15Bの非形成領域15BLが狭くなっている。これにより、有機層15R,15Gの端面のほとんどを有機層15Bによって覆うことができる。このような有機層15Bも、例えば所定のシャドウマスクを用いて形成することができる。
また、図18Bに示したように、第1の画素(R画素,G画素)が行状または列状(ここでは列状)の領域にそれぞれ配置され、カソードコンタクト部19Cが、R画素同士の間の領域に形成されている場合には、第1の画素(R画素,G画素)を含む列状の領域を除く領域の略全域にわたって有機層15Bが形成される。但し、カソードコンタクト部19Cの形成されていない、G画素同士の間の領域では、有機層15Bの非形成領域15BLが狭くなっている。
更に、本変形例においても、図18Cおよび図18Dに示したように、第1の画素(R画素,G画素)では、正方形状の開口H2aが形成され、第2の画素(B画素)では、矩形状の開口H2bが形成されていてもよい。また、カソードコンタクト部19Cは、図18Cに示したように、隣合う開口H2b同士の間の領域に形成されていてもよいし、図18Dに示したように、第1の画素の開口H2aに隣接した位置に形成されていてもよい。
あるいは、図18Eおよび図18Fに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)の全てが、正方形状の開口H2aを有する場合に、所定のシャドウマスクを用いることで、第1の画素(R画素,G画素)が配置された行状および列状の領域と、カソードコンタクト部19Cとのそれぞれを除く領域に有機層15Bを形成することもできる。
加えて、図18Gに示したように、第1の画素(R画素,G画素)と第2の画素(B画素)とにおいて、円形状の開口H3が形成されていてもよい。
このように、本開示の第1の画素、第2の画素、補助電極、および第2の画素の有機層のレイアウト等は、様々なものが挙げられる。また、上述した例に限定されるものでもない。例えば、図6に示した蒸着装置や所定のシャドウマスクを用いた蒸着法、あるいは印刷技術などを用いることで、様々なレイアウトを実現することができる。
<適用例>
上記実施の形態および変形例において説明した表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するあらゆる分野の電子機器に用いることができる。特に、中型および小型の電子機器に好適に用いることができる。以下にその一例を示す。
図19Aおよび図19Bは、スマートフォン220の外観を表したものである。このスマートフォン220は、例えば、表側に表示部221および操作部222を有し、裏側にカメラ223を有しており、表示部221に上記実施の形態の表示装置1が搭載されている。
図20は、テレビジョン装置250の外観を表したものである。このテレビジョン装置250は、例えば、本体部251とスタンド252とを有している。本体部251に、上記実施の形態の表示装置1が搭載されている。
図21Aおよび図21Bは、携帯電話機290の外観を表したものである。この携帯電話機290は、例えば、上側筐体291と下側筐体292とを連結部(ヒンジ部)293で連結したものであり、ディスプレイ294,サブディスプレイ295,ピクチャーライト296およびカメラ297を有している。ディスプレイ294またはサブディスプレイ295に、上記実施の形態の表示装置1が搭載されている。
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、本開示の第1の画素としてR画素およびG画素を、第2の画素としてB画素をそれぞれ例に挙げて説明したが、第1および第2の画素の組み合わせはこれに限定されるものではない。
更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚み等は列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。また、表示装置では、上述した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上述した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
なお、本開示は以下のような構成であってもよい。
(1)
基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、
前記発光素子は、前記基板側から順に、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、
前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域において、第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成された
表示装置。
(2)
前記第2の有機層は、前記第1の画素とは異なる発光色の第2の画素に形成された有機層の構成材料を含む
上記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第2の有機層の端部は、テーパ形状を有し、
前記第2電極は、前記複数の画素の全域にわたって形成されている
上記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記複数の第1電極の上に形成されると共に、前記第1電極に対向して画素毎に開口を有する画素分離膜を備え、
前記第2の有機層は、平面視的に、複数の前記開口のうち前記第1の画素に対応する第1の開口を除く領域に形成されている
上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載の表示装置。
(5)
前記基板上の選択的な領域に形成され、前記第2電極と電気的に接続された補助電極を更に備え、
前記第2の有機層は、平面視的に、前記補助電極と前記第1の開口とを除く領域に形成されている
上記(4)に記載の表示装置。
(6)
前記複数の第1の画素は、行状または列状の領域に配置され、
前記第2の有機層は、平面視的に、前記行状または列状の領域を除く領域に形成されている
上記(4)または(5)に記載の表示装置。
(7)
前記画素分離膜の各開口形状は、正方形状、矩形状または円形状である
上記(4)〜(6)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
基板上に各々が発光素子を含む複数の画素を形成する際に、
前記基板上に、前記発光素子として、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とをこの順に形成し、
前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素に第1の有機層を形成した後、前記第2電極の形成前に、前記第1の画素同士の間の領域に、前記第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層を形成する
表示装置の製造方法。
(9)
前記第2の有機層は、前記第1の画素とは異なる発光色の第2の画素に形成された有機層の構成材料を含む
上記(8)に記載の表示装置の製造方法。
(10)
前記第2の有機層の端部は、テーパ形状を有する
上記(8)または(9)に記載の表示装置の製造方法。
(11)
前記第1電極の形成後で前記第1の有機層の形成前に、前記第1電極に対向して画素毎に開口を有する画素分離膜を形成し、
前記第2の有機層は、平面視的に、複数の前記開口のうち前記第1の画素に対応する第1の開口を除く領域に形成される
上記(8)〜(10)のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。
(12)
前記基板上の選択的な領域に、前記第2電極と電気的に接続される補助電極を形成し、
前記第2の有機層は、平面視的に、前記補助電極と前記第1の開口とを除く領域に形成される
上記(11)に記載の表示装置の製造方法。
(13)
前記複数の第1の画素は、行状または列状の領域に配置され、
前記第2の有機層は、平面視的に、前記行状または列状の領域を除く領域に配置される
上記(11)または(12)に記載の表示装置の製造方法。
(14)
前記画素分離膜の各開口形状は、正方形状、矩形状または円形状である
上記(11)〜(13)のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。
(15)
基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、
前記発光素子は、前記基板側から順に、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、
前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成された
表示装置を備えた電子機器。
1…表示装置、10,10R,10G,10B…有機EL素子、11…第1基板、12…平坦化膜、13…第1電極、14…画素分離膜、15R,15G,15B,15B1…有機層、16…第2電極、17…封止層、18…第2基板、19…補助電極、19C…カソードコンタクト部、H1a,H1b,H2a,H2b,H3…開口、PIXC…画素。

Claims (15)

  1. 基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、
    前記発光素子は、前記基板側から順に、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、
    前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域において、第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成された
    表示装置。
  2. 前記第2の有機層は、前記第1の画素とは異なる発光色の第2の画素に形成された有機層の構成材料を含む
    請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第2の有機層の端部は、テーパ形状を有し、
    前記第2電極は、前記複数の画素の全域にわたって形成されている
    請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記複数の第1電極の上に形成されると共に、前記第1電極に対向して画素毎に開口を有する画素分離膜を備え、
    前記第2の有機層は、平面視的に、複数の前記開口のうち前記第1の画素に対応する第1の開口を除く領域に形成されている
    請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記基板上の選択的な領域に形成され、前記第2電極と電気的に接続された補助電極を更に備え、
    前記第2の有機層は、平面視的に、前記補助電極と前記第1の開口とを除く領域に形成されている
    請求項4に記載の表示装置。
  6. 前記複数の第1の画素は、行状または列状の領域に配置され、
    前記第2の有機層は、平面視的に、前記行状または列状の領域を除く領域に形成されている
    請求項4に記載の表示装置。
  7. 前記画素分離膜の各開口形状は、正方形状、矩形状または円形状である
    請求項4に記載の表示装置。
  8. 基板上に各々が発光素子を含む複数の画素を形成する際に、
    前記基板上に、前記発光素子として、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とをこの順に形成し、
    前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素に第1の有機層を形成した後、前記第2電極の形成前に、前記第1の画素同士の間の領域に、前記第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層を形成する
    表示装置の製造方法。
  9. 前記第2の有機層は、前記第1の画素とは異なる発光色の第2の画素に形成された有機層の構成材料を含む
    請求項8に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記第2の有機層の端部は、テーパ形状を有する
    請求項8に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記第1電極の形成後で前記第1の有機層の形成前に、前記第1電極に対向して画素毎に開口を有する画素分離膜を形成し、
    前記第2の有機層は、平面視的に、複数の前記開口のうち前記第1の画素に対応する第1の開口を除く領域に形成される
    請求項8に記載の表示装置の製造方法。
  12. 前記基板上の選択的な領域に、前記第2電極と電気的に接続される補助電極を形成し、
    前記第2の有機層は、平面視的に、前記補助電極と前記第1の開口とを除く領域に形成される
    請求項11に記載の表示装置の製造方法。
  13. 前記複数の第1の画素は、行状または列状の領域に配置され、
    前記第2の有機層は、平面視的に、前記行状または列状の領域を除く領域に配置される
    請求項11に記載の表示装置の製造方法。
  14. 前記画素分離膜の各開口形状は、正方形状、矩形状または円形状である
    請求項11に記載の表示装置の製造方法。
  15. 基板上に、各々が発光素子を含む複数の画素を備え、
    前記発光素子は、前記基板側から順に、前記画素毎に電気的に分離して配置された第1電極と、複数種類の発光色のうちのいずれかの発光層を含む有機層と、第2電極とを有し、
    前記複数の画素のうち隣接する2以上の第1の画素同士の間の領域に、第1の有機層の端面を覆うと共に前記第1の有機層とは異なる第2の有機層が形成された
    表示装置を備えた電子機器。
JP2014265276A 2014-12-26 2014-12-26 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 Pending JP2016126860A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014265276A JP2016126860A (ja) 2014-12-26 2014-12-26 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
PCT/JP2015/082070 WO2016103970A1 (ja) 2014-12-26 2015-11-16 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014265276A JP2016126860A (ja) 2014-12-26 2014-12-26 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016126860A true JP2016126860A (ja) 2016-07-11

Family

ID=56150004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014265276A Pending JP2016126860A (ja) 2014-12-26 2014-12-26 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2016126860A (ja)
WO (1) WO2016103970A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020065859A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2021516843A (ja) * 2018-03-27 2021-07-08 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. 発光素子及びその製造方法、表示装置
US11227904B2 (en) 2017-08-29 2022-01-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting layer, electroluminescent device and display device
US11785807B2 (en) 2020-03-09 2023-10-10 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112951893B (zh) * 2021-02-26 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2007258163A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP5023689B2 (ja) * 2006-12-22 2012-09-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
WO2009038171A1 (ja) * 2007-09-21 2009-03-26 Toppan Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP5240115B2 (ja) * 2009-07-29 2013-07-17 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
WO2013038970A1 (ja) * 2011-09-12 2013-03-21 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、及び照明装置
JP6302186B2 (ja) * 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11227904B2 (en) 2017-08-29 2022-01-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting layer, electroluminescent device and display device
JP2021516843A (ja) * 2018-03-27 2021-07-08 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. 発光素子及びその製造方法、表示装置
JP7182569B2 (ja) 2018-03-27 2022-12-02 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 発光素子及びその製造方法、表示装置
US11744117B2 (en) 2018-03-27 2023-08-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same, and display device
WO2020065859A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US11785807B2 (en) 2020-03-09 2023-10-10 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016103970A1 (ja) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9941484B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102280423B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
US9236419B2 (en) Organic light emitting display device having electrodes of subpixels with different thicknesses and method of manufacturing the same
US8766282B2 (en) Organic light emitting display with luminescent layers having varying thicknesses to improve color reproducibility
US9583734B2 (en) OLED micro-cavity structure and method of making
US8242685B2 (en) Organic electroluminescence device capable of preventing light from being not emitted
US8729570B2 (en) Mask frame assembly for thin film deposition, organic light-emitting display device using the same, and method of manufacturing the organic light-emitting display device
JP2008135325A (ja) 有機el表示装置とその製造方法
WO2020233284A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
JP6159946B2 (ja) 表示装置および電子機器
WO2016103970A1 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR102517127B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101881083B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160072010A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2016213052A (ja) 青色有機el素子、有機el表示パネル及び青色有機el素子の製造方法
US8698177B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR102096887B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
US10622412B2 (en) Display panel
JP5478954B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101859479B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20110198597A1 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing organic light-emitting display device
US11950450B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same and electronic device
JP2011009093A (ja) 有機el装置及び電子機器
KR20130121452A (ko) 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR20150007811A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법