TWI464774B - Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method - Google Patents

Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method Download PDF

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TWI464774B
TWI464774B TW100133829A TW100133829A TWI464774B TW I464774 B TWI464774 B TW I464774B TW 100133829 A TW100133829 A TW 100133829A TW 100133829 A TW100133829 A TW 100133829A TW I464774 B TWI464774 B TW I464774B
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Makoto Hiramoto
Jun Yashima
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Description

荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
本發明係關於一種荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法，例如係關於進行抗蝕劑過熱修正之裝置及方法。
擔負半導體裝置之微細化之進展之微影技術，於半導體製造製程之中亦為生成唯一圖案之極其重要的製程。近年來，隨著LSI的高積體化，對於半導體裝置之電路線寬的要求，係逐年微細化。為於該等半導體裝置形成所期望之電路圖案，需要高精度之原畫圖案(亦稱為倍縮光罩或光罩)。此處，電子線(電子束)描繪技術，本質上具有優越之解像性，且用於高精度之原畫圖案之生產。
圖7係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。
可變成形型電子線(EB：Electron beam)描繪裝置以如下之方式動作。於第1孔隙410，形成有用於使電子線330成形之矩形例如長方形之開口411。又，於第2孔隙420形成有可變成形開口421，其係用於使通過第1孔隙410之開口411之電子線330成形成所期望之矩形形狀。自荷電粒子射源430照射，並通過第1孔隙410之開口411之電子線330，係藉由偏轉器而偏轉，通過第2孔隙420之可變成形開口421之一部分，照射至搭載於在特定的一方向(例如，設為X方向)上連續移動之載物台上之試料340。即，可通過第1孔隙410之開口411與第2孔隙420之可變成形開口421兩方 之矩形形狀，係被描繪於搭載於在X方向上連續移動之載物台上之試料340之描繪區域。將使通過第1孔隙410之開口411與第2孔隙420之可變成形開口421兩方，並製作任意形狀之方式稱為可變成形方式(VSB方式)。
隨著光微影技術之進展、及EUV(極紫外線)所造成之短波長化，光罩描繪所需之電子束之發射數加速增加。另一方面，為確保微細化所需之線寬精度，藉由使抗蝕劑低感度化，並提高照射量，來降低射雜訊及圖案之邊緣粗糙度。如此，由於發射數與照射量無限制地持續增加，描繪時間亦無限制地增加。因此，研討藉由提高電流密度來謀求縮短描繪時間。
然而，若欲將增加後之照射能量，以更高密度之電子束於短時間內照射，則具有產生基板溫度過熱、抗蝕劑感度變化，且線寬精度惡化，即所謂的抗蝕劑過熱之現象之問題。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-505462號公報
如上所述，在發射數與照射量無限制地持續增加之狀況中，雖藉由提高電流密度來謀求縮短描繪時間，但因此具有產生抗蝕劑過熱、感度變化，且線寬精度惡化，即所謂抗蝕劑過熱之現象之問題。
因此，本發明之目的在於提供一種可克服如此之問題，並實現抑制因抗蝕劑過熱所造成之圖案的尺寸變動之描繪之裝置及方法。
本發明之一態樣之荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：總電荷量計算部，其係針對藉由偏轉荷電粒子束之複數段之偏轉器而分別偏轉之大小不同之偏轉區域之中的各最小偏轉區域，計算照射於該最小偏轉區域內之荷電粒子束之總電荷量；代表溫度計算部，其係針對各最小偏轉區域，基於來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱，計算該最小偏轉區域之代表溫度；照射量調變部，其係對各最小偏轉區域輸入照射於該最小偏轉區域之照射量，並利用該最小偏轉區域之代表溫度，來調變照射於該最小偏轉區域之照射量；及描繪部，其係具有複數段之偏轉器，利用複數段之偏轉器，以調變後之照射量於該最小偏轉區域內描繪圖案。
又，描繪部之特徵係具有：可移動之載物台，其載置成為描繪對象之基板；作為複數段的偏轉器：第1偏轉器，其係以追循載物台之移動之方式，將荷電粒子束依序偏轉至將基板之描繪區域以網狀假想分割而成之複數之第1小區域之基準位置； 第2偏轉器，其係將荷電粒子束自各第1小區域之基準位置，依序偏轉至將各第1小區域以網狀假想分割而成之複數之第2小區域之基準位置；及第3偏轉器，其係將荷電粒子束自各第2小區域之基準位置，偏轉至照射至該第2小區域內之射束之發射位置；且利用第2小區域作為最小偏轉區域。
又，進而具備溫度上升量計算部，其係針對各最小偏轉區域，計算因來自於較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱而產生之溫度上升量；且代表溫度計算部，最好藉由累加因來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他複數之最小偏轉區域之傳熱而產生之各溫度上升量，來求出該最小偏轉區域之代表溫度。
又，溫度上升量以與於描繪其他之最小偏轉區域之後，描繪該最小偏轉區域為止之經過時間相關的方式來計算。
本發明之一態樣之荷電粒子束描繪方法，其特徵係具備：針對藉由偏轉荷電粒子束之複數段之偏轉器而分別偏轉之大小不同之偏轉區域之中的各最小偏轉區域，計算照射於該最小偏轉區域內之荷電粒子束之總電荷量之步驟；針對各最小偏轉區域，基於來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱，計算該最小偏轉區域之代表溫度之步驟；對各最小偏轉區域輸入照射於該最小偏轉區域之照射量，並利用該最小偏轉區域之代表溫度，來調變照射於該 最小偏轉區域之照射量之步驟；及利用複數段之偏轉器，以調變後之照射量於該最小偏轉區域內描繪圖案之步驟。
根據本發明之一態樣，可抑制因抗蝕劑過熱所造成之圖案之尺寸變動。藉此，可以精度更高之尺寸來描繪圖案。
以下，在實施形態中，作為荷電粒子束之一例，說明關於使用電子束之構成。但，荷電粒子束並非限於電子束，使用離子束等荷電粒子之射束亦可。又，作為荷電粒子束裝置之一例，說明關於可變成形型描繪裝置。
實施形態1.
圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。在圖1中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100為荷電粒子束描繪裝置之一例。特別是可變成形型(VSB式)之描繪裝置之一例。描繪部150具備電子鏡筒102與描繪室103。於電子鏡筒102內配置有電子槍201、照明透鏡202、遮蔽偏轉器(遮蔽裝置)212、遮蔽孔隙214、第1成形孔隙203、投影透鏡204、偏轉器205、第2成形孔隙206、物鏡207、主偏轉器208、副偏轉器209、及副副偏轉器216。於描繪室103內配置至少在XY方向上可移動之XY載物台105。於XY載物台105上配置成為塗布有抗蝕劑之描繪對象之試料101(基板)。試料101包含用於製造半導體裝置之曝光用光罩及矽晶圓等。光罩包含空白光罩。
控制部160具有控制計算機單元110、偏轉控制電路120、DAC(Digital to Analog Converter：數位類比轉換器)放大器單元130、132、134、136(偏轉放大器)、及磁碟裝置等記憶裝置140。控制計算機單元110、偏轉控制電路120、及磁碟裝置等記憶裝置140係經由未圖示之匯流排相互連接。於偏轉控制電路120連接有DAC放大器單元130、132、134、136。DAC放大器單元130連接於遮蔽偏轉器212。DAC放大器單元132連接於副偏轉器209。DAC放大器單元134連接於主偏轉器208。DAC放大器單元136連接於副副偏轉器216。
又，於控制計算機單元110內配置發射分割部50、次子域(USF：此處使用意為第3偏轉之Tertiary Deflection之簡稱而設為「TD」。以下同)分配部52、子域(SF)分配部54、TD順序設定部56、TD總電荷量計算部58、TD熱擴散計算部60、TD代表溫度計算部62、照射量圖製作部64、照射量調變部66、照射時間計算部68、描繪處理部70、及記憶體72。發射分割部50、次子域(TD)分配部52、子域(SF)分配部54、TD順序設定部56、TD總電荷量計算部58、TD熱擴散計算部60、及TD代表溫度計算部62、照射量圖製作部64、照射量調變部66、照射時間計算部68、描繪處理部70之各功能，可以程式之類的軟體來構成。或，亦可以電子電路等硬體來構成。或，亦可以該等之組合來構成。控制計算機單元110內所需之輸入資料或運算後之結果，將隨時儲存於記憶體72。
自外部輸入描繪資料，並存放於記憶裝置140。
此處，圖1中記載有說明實施形態1所需之構成。對於描繪裝置100而言，通常可具備必要之其他之構成。
圖2係用以說明實施形態1之各區域之概念圖。在圖2中，將試料101之描繪區域10，以主偏轉器208可偏轉之幅度，朝向例如y方向以短條狀假想分割成複數之條帶區域20。又，將各條帶區域20以副偏轉器209可偏轉之大小，以網狀假想分割成複數之子域(SF)30(第1小區域)。且，將各SF30以副副偏轉器216可偏轉之大小，以網狀假想分割成複數之次子域(TD)40(第2小區域)。且，於各TD40之各發射位置42描繪發射圖形。各SF內之TD分割數，根據TD之熱擴散計算，最好為不限制描繪動作速率之程度之數。例如，最好為縱橫10個以下。要更適宜的話，最好為縱橫5個以下。
自偏轉控制電路120對DAC放大器單元130，輸出遮蔽控制用之數位信號。且，在DAC放大器單元130，將數位信號轉換成類比信號，於增幅後將其作為偏轉電壓施加於遮蔽偏轉器212。藉由如此之偏轉電壓使電子束200偏轉，並形成各發射之射束。
自偏轉控制電路120對DAC放大器單元134輸出主偏轉控制用之數位信號。且，在DAC放大器單元134，將數位信號轉換成類比信號，於增幅後將其作為偏轉電壓施加於主偏轉器208。藉由如此之偏轉電壓使電子束200偏轉，使其偏轉至將各發射之射束以網狀假想分割而成之特定之子域 (SF)的基準位置。
自偏轉控制電路120對DAC放大器單元132輸出副偏轉控制用之數位信號。且，在DAC放大器單元132，將數位信號轉換成類比信號，於增幅後將其作為偏轉電壓施加於副偏轉器209。藉由如此之偏轉電壓使電子束200偏轉，使其偏轉至於將各發射之射束以網狀假想分割而成之特定之子域(SF)內進而以網狀假想分割而成且成為最小偏轉區域之次子域(TD)之基準位置。
自偏轉控制電路120對DAC放大器單元136輸出副副偏轉控制用之數位信號。且，在DAC放大器單元136，將數位信號轉換成類比信號，於增幅後將其作為偏轉電壓施加於副副偏轉器216。藉由上述偏轉電壓使電子束200偏轉，使其偏轉至於將各發射之射束以網狀假想分割而成之特定之子域(SF)內進而以網狀假想分割而成且成為最小偏轉區域之次子域(TD)內之各發射位置。
在描繪裝置100中，使用複數段之偏轉器，於各條帶區域20進行描繪處理。此處，作為一例，使用3段偏轉器，即主偏轉器208、副偏轉器209、及副副偏轉器216。XY載物台105一面朝向例如-x方向連續移動，一面於第1個條帶區域20朝向x方向進行描繪。然後，第1個條帶區域20之描繪結束後，同樣地，或朝向反方向進行第2個條帶區域20之描繪。之後，同樣地進行第3個以後之條帶區域20之描繪。且，主偏轉器208(第1偏轉器)以追循XY載物台105之移動之方式，使電子束200依序偏轉至SF30之基準位置 A。又，副偏轉器209(第2偏轉器)使電子束200自各SF30之基準位置A依序偏轉至TD40之基準位置B。然後，副副偏轉器216(第3偏轉器)使電子束200自各TD40之基準位置B偏轉至照射於該TD40內之射束之發射位置42。如此，主偏轉器208、副偏轉器209、及副副偏轉器216具有大小不同之偏轉區域。且，TD40成為如此之複數段之偏轉器之偏轉區域之中之最小偏轉區域。
圖3係顯示實施形態1之描繪方法之主要步驟之流程圖。在圖3中，實施形態1之描繪方法係實施發射分割步驟(S102)、照射量圖製作步驟(S104)、次子域(TD)分配步驟(S106)、子域(SF)分配步驟(S108)、TD順序設定步驟(S110)、TD內總電荷量計算步驟(S112)、TD熱擴散計算步驟(S114)、TD代表溫度計算步驟(S116)、照射量調變步驟(S118)、及描繪步驟(S120)之一系列之步驟。
作為發射分割步驟(S102)，發射分割部50自記憶裝置140輸入描繪資料，進行複述段之資料轉換處理，且將圖案圖形分割成各發射之發射圖形，並生成成為描繪裝置固有之格式之發射資料。
作為照射量圖製作步驟(S104)，照射量圖製作部64計算特定之大小之各網狀區域必要的照射量。且，就描繪區域全面或各條帶區域製作照射量圖。例如，在修正近接效應之情形時，以計算各近接效應網狀區域必要的照射量為佳。近接效應網狀區域之大小，為近接效應之影響範圍之1/10左右的大小為佳。例如，以1μm左右為佳。以並列處 理照射量圖製作步驟(S104)與發射分割步驟(S102)為佳。但，並非限於此，亦可串聯實施。於如此之情形，在順序上何者為先皆可。
作為TD分配步驟(S106)，TD分配部52將發射分割後之各發射資料，分配至配置該發射圖形之TD40。
作為SF分配步驟(S108)，SF分配部54將被分配至TD40之發射資料即TD資料，分配至配置該TD之SF30。
作為TD順序設定步驟(S110)，TD順序設定部56就各SF30設定該SF內之複數之TD的描繪順序。
作為TD內總電荷量計算步驟(S112)，TD總電荷量計算部58(總電荷量計算部)係針對成為最小偏轉區域之各TD40，計算照射於該TD40內之電子束200之總電荷量。TD內總電荷量計算步驟(S112)，並列處理SF分配步驟(S108)及TD順序設定步驟(S110)之兩步驟為佳。但，並非限於此，亦可串聯實施。於上述情形，在順序上何者為先皆可。
圖4係顯示實施形態1之SF內之TD描繪排程與各TD之總電荷量之概念圖。在圖4中，作為一例，自配置於SF內之左下之TD，向y方向依序描繪x方向第1列之TD列，且x方向第1列之描繪結束後，向y方向依序描繪x方向第2列之TD列之各TD。然後，亦同樣地向y方向依序描繪x方向第3列以後之TD列之各TD。在圖4之例中，顯示以如上之描繪排程進行描繪之情形。並且，TD總電荷量計算部58針對各TD40計算照射於該TD40內之電子束200之總電荷量。總 電荷量Q以照射於該TD內之各發射圖形之面積與照射量之積之和來計算。圖4係依描繪順序顯示有將如此之總電荷量Q除以該TD之描繪時間所得之平均電流。
圖5係顯示實施形態1之條帶區域內之SF的描繪順序之一例之概念圖。在圖5中，各條帶區域內之SF，關於將配置於各條帶區域之複數之SF匯集於y方向之各SF列，可準備2種描繪順序，即自下面的SF向y方向依序描繪之向上(UWD)之描繪順序、及自上面的SF向-y方向依序描繪之向下(DWD)之描繪順序。
圖6係顯示實施形態1之SF內之TD的描繪順序之一例之概念圖。在圖6中，各SF內之TD係可準備：自左下之TD向x方向依序描繪y方向第1列，且y方向第2列以後亦自左側端之TD，向x方向依序描繪之描繪順序(0)；自左下之TD向y方向依序描繪x方向第1列，且x方向第2列以後，亦自下側端之TD向y方向依序描繪之描繪順序(1)；自左上之TD向x方向依序描繪-y方向第1列，且-y方向第2列以後，亦自左側端之TD向x方向依序描繪之描繪順序(2)；自左上之TD向-y方向依序描繪x方向第1列，且x方向第2列以後，亦自上側端之TD向-y方向依序描繪之描繪順序(3)；自右下之TD向-x方向依序描繪y方向第1列，且y方向第2列以後，亦自右側端之TD向-x方向依序描繪之描繪順序(4)；自右下之TD向y方向依序描繪-x方向第1列，且-x方向第2列以後，亦自下側端之TD向y方向依序描繪之描繪順序(5)；自右上之TD向-x方向依序描繪-y方向第1列，且-y方 向第2列以後，亦自右側端之TD向-x方向依序描繪之描繪順序(6)；及自右上之TD向-y方向依序描繪-x方向第1列，且-x方向第2列以後，亦自上側端之TD向-y方向依序描繪之描繪順序(7)。
可組合圖5、6之描繪順序來設定SF及TD之描繪順序。例如，以不易產生熱擴散之順序來進行設定則更佳。
作為TD熱擴散計算步驟(S114)，TD熱擴散計算部60計算因來自較該TD更前描繪之其他TD之傳熱而產生之溫度上升量δTij。TD熱擴散計算部60為溫度上升量計算部之一例。溫度上升量δTij係顯示第i個之TDi因來自其他之第j個之TDj之傳熱而產生之溫度上升量。溫度上升量δTij係與於在時刻tj描繪其他之TD後，至於時刻ti描繪該TD為止的經過時間(ti-tj)相關。溫度上升量δTij係可使用因與於TDj之總電荷量Qj相關之TDj單獨而造成之溫度上升A(Qj)、熱擴散係數k、格倫值域(Grun Range)Rg、TDi之座標(Xi，Yi)、TDj之座標(Xj，Yj)、TDi之描繪時間ti、及TDj之描繪時間tj，以下式(1)來定義。在如此之式(1)中，作為一例，顯示有Z(深度)方向近似長方體，且近似忽視TD照射中擴散之情形。
TD熱擴散計算部60係就SF內之各TD，計算自較該TD描繪更前描繪之其他所有的TD所接收之各溫度上升量δTij。
作為TD代表溫度計算步驟(S116)，TD代表溫度計算部 62針對各TD基於來自較該TD更前描繪之其他TD之傳熱，計算該TD之代表溫度Ti。TD代表溫度計算部62為代表溫度計算部之一例。TD代表溫度計算部62藉由累加因來自較該TD更前描繪之其他複數之TD之傳熱而產生之各溫度上升量δTij，來求出該TD之代表溫度Ti。代表溫度Ti以下式(2)來定義。
照射量調變步驟(S118)與照射量調變部66，對各TD輸入照射於該TDi之照射量D，並利用該TDi之代表溫度Ti調變照射於該TDi之照射量D。調變後的照射量DTDi可以DTDi=D．f(Ti)來求出。當描繪該TDi時，一律使用調變後的照射量DTDi。
在實施形態1中，藉由分割成較SF更小之TD，而可縮小偏轉範圍，因此可使副副偏轉器216用的DAC放大器136高速化。因此，可使各TD內之描繪速度比熱擴散速度更快。藉此，可進行忽視TD照射中之熱擴散之近似。其結果，可高精度地修正抗蝕劑過熱。
作為描繪步驟(S120)，首先，照射時間計算部68計算各TD之照射時間。照射時間可藉由調變後的照射量DTDi除以電流密度來求出。且，描繪處理部70在描繪各TD時，以成為對應各TD之照射時間之方式控制偏轉控制電路120。描繪處理部70經由偏轉控制電路120等來控制描繪部150，並開始描繪處理。描繪部150利用各TD所得到之調 變後的照射量DTDi之電子束200，於試料101上描繪所期望之圖案。具體而言，以如下之方式動作。偏轉控制電路120將控制各發射之照射時間之數位信號輸出至DAC放大器單元130。其後，DAC放大器單元130將數位信號轉換成類比信號，於增幅後將其作為偏轉電壓施加於遮蔽偏轉器212。
自電子槍201(放出部)所放出之電子束200，在通過遮蔽偏轉器212內時藉由遮蔽偏轉器212，在射束為ON之狀態下，受控制通過遮蔽孔隙214；在射束為OFF之狀態下，以射束全體在遮蔽孔隙214被遮蔽之方式而偏轉。自射束OFF之狀態變成射束ON，且於其後變成射束OFF之前通過遮蔽孔隙214之電子束200，成為1次之電子束之發射。遮蔽偏轉器212控制通過之電子束200之方向，交互生成射束ON之狀態與射束OFF之狀態。例如，只要在射束ON之狀態下不施加電壓，而在射束OFF時將電壓施加至遮蔽偏轉器212即可。變成以如此之各發射之照射時間，來調整照射於試料101之電子束200之各發射的照射量。
以如上之方式藉由通過遮蔽偏轉器212與遮蔽孔隙214而生成之各發射之電子束200，藉由照明透鏡202照明具有矩形例如長方形之孔之第1成形孔隙203整體。此處，首先使電子束200成形成矩形，例如長方形。其後，通過了第1成形孔隙203之第1孔隙像之電子束200，藉由投影透鏡204投影於第2成形孔隙206上。藉由偏轉器205，可偏轉控制在如此之第2成形孔隙206上之第1孔隙像，使射束形狀與大 小改變(進行可變成形)。如此之可變成形於各發射進行，通常成形成各發射不同之射束形狀與尺寸。且，通過了第2成形孔隙206之第2孔隙像之電子束200，係藉由物鏡207對焦，並藉由主偏轉器208、副偏轉器209、及副副偏轉器216偏轉，照射於配置於連續移動之XY載物台105之試料101之所期望之位置。如上所述，藉由各偏轉器，電子束200之複數之發射向成為基板之試料101上依序偏轉。
如上所述，根據實施形態1，可高精度地進行抗蝕劑過熱修正。其結果，可抑制因抗蝕劑過熱所造成之圖案之尺寸變動。藉此，可以精度更高之尺寸來描繪圖案。
以上，邊參照具體例就實施形態進行了說明。但，本發明並非限定於該等具體例。
又，雖關於裝置構成及控制技術等非本發明之說明直接所需之部分等係省略記載，但可適當選擇使用必要之裝置構成或控制技術。例如，就控制描繪裝置100之控制部構成，雖省略說明，但適當選擇必要之控制部構成來使用，乃不言而喻。
另，具備本發明之要素，且本領域技術人員可適當變更設計之所有荷電粒子束描繪裝置及方法，皆包含於本發明之範圍內。
10‧‧‧描繪區域
20‧‧‧條帶區域
30‧‧‧SF
40‧‧‧TD
42‧‧‧發射位置
50‧‧‧發射分割部
52‧‧‧TD分配部
54‧‧‧SF分配部
56‧‧‧TD順序設定部
58‧‧‧TD總電荷量計算部(總電荷量計算部)
60‧‧‧TD熱擴散計算部
62‧‧‧TD代表溫度計算部
64‧‧‧照射量圖製作部
66‧‧‧照射量調變部
68‧‧‧照射時間計算部
70‧‧‧描繪處理部
72‧‧‧記憶體
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY載物台
110‧‧‧控制計算機單元
120‧‧‧偏轉控制電路
130‧‧‧DAC放大器單元
132‧‧‧DAC放大器單元
134‧‧‧DAC放大器單元
136‧‧‧DAC放大器單元
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1成形孔隙
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏轉器
206‧‧‧第2成形孔隙
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧主偏轉器
209‧‧‧副偏轉器
212‧‧‧遮蔽偏轉器
214‧‧‧遮蔽孔隙
216‧‧‧副副偏轉器
330‧‧‧電子線
340‧‧‧試料
410‧‧‧第1孔隙
411‧‧‧開口
420‧‧‧第2孔隙
421‧‧‧可變成形開口
430‧‧‧荷電粒子射源
圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。
圖2係用於說明實施形態1之各區域之概念圖。
圖3係顯示實施形態1之描繪方法之主要步驟之流程圖。
圖4係顯示實施形態1之SF內之TD描繪排程與各TD之總電荷量之概念圖。
圖5係顯示實施形態1之條帶區域內之SF的描繪順序之一例之概念圖。
圖6係顯示實施形態1之SF內之TD的描繪順序之一例之概念圖。
圖7係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。
50‧‧‧發射分割部
52‧‧‧TD分配部
54‧‧‧SF分配部
56‧‧‧TD順序設定部
58‧‧‧TD總電荷量計算部(總電荷量計算部)
60‧‧‧TD熱擴散計算部
62‧‧‧TD代表溫度計算部
64‧‧‧照射量圖製作部
66‧‧‧照射量調變部
68‧‧‧照射時間計算部
70‧‧‧描繪處理部
72‧‧‧記憶體
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY載物台
110‧‧‧控制計算機單元
120‧‧‧偏轉控制電路
130‧‧‧DAC放大器單元
132‧‧‧DAC放大器單元
134‧‧‧DAC放大器單元
136‧‧‧DAC放大器單元
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1成形孔隙
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏轉器
206‧‧‧第2成形孔隙
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧主偏轉器
209‧‧‧副偏轉器
212‧‧‧遮蔽偏轉器
214‧‧‧遮蔽孔隙
216‧‧‧副副偏轉器

Claims (5)

  1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其係包含：總電荷量計算部，其係針對藉由偏轉荷電粒子束之複數段之偏轉器而分別偏轉之大小不同之偏轉區域之中的各最小偏轉區域，計算照射於該最小偏轉區域內之荷電粒子束之總電荷量；代表溫度計算部，其係針對上述各最小偏轉區域，基於來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱，計算該最小偏轉區域之代表溫度；照射量調變部，其係對上述各最小偏轉區域輸入照射於該最小偏轉區域之照射量，並利用該最小偏轉區域之代表溫度來調變照射於該最小偏轉區域之照射量；及描繪部，其係具有上述複數段之偏轉器，利用上述複數段之偏轉器，以調變後之照射量於該最小偏轉區域內描繪圖案。
  2. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中上述描繪部包含：可移動之載物台，其載置成為描繪對象之基板；作為上述複數段之偏轉器的：第1偏轉器，其係以追循上述載物台之移動之方式，將荷電粒子束依序偏轉至將上述基板之描繪區域以網狀假想分割而成之複數之第1小區域之基準位置；第2偏轉器，其係將前述荷電粒子束自各第1小區域之基準位置，依序偏轉至將各第1小區域以網狀假想分割 而成之複數之第2小區域之基準位置；及第3偏轉器，其係將前述荷電粒子束自各第2小區域之基準位置，偏轉至照射於該第2小區域內之射束之發射位置；且利用上述第2小區域作為上述最小偏轉區域。
  3. 如請求項1或2之荷電粒子束描繪裝置，其係進而包含溫度上升量計算部，其係針對上述各最小偏轉區域，計算因來自於較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱而產生之溫度上升量；且上述代表溫度計算部，係藉由累加因來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他複數之最小偏轉區域之傳熱而產生之各溫度上升量，來求出該最小偏轉區域之上述代表溫度。
  4. 如請求項3之荷電粒子束描繪裝置，其中上述溫度上升量係與於描繪上述其他之最小偏轉區域後，至描繪該最小偏轉區域之經過時間相關。
  5. 一種荷電粒子束描繪方法，其係包含：針對藉由偏轉荷電粒子束之複數段之偏轉器而分別偏轉之大小不同之偏轉區域之中的各最小偏轉區域，計算照射於該最小偏轉區域內之荷電粒子束之總電荷量之步驟；針對上述各最小偏轉區域，基於來自較該最小偏轉區域更前描繪之其他最小偏轉區域之傳熱，計算該最小偏轉區域之代表溫度之步驟； 對上述各最小偏轉區域輸入照射於該最小偏轉區域之照射量，並利用該最小偏轉區域之代表溫度，來調變照射於該最小偏轉區域之照射量之步驟；及利用複數段之偏轉器，以調變後之照射量於該最小偏轉區域內描繪圖案之步驟。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5792513B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5985852B2 (ja) 2012-03-27 2016-09-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5894856B2 (ja) 2012-05-22 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9104109B2 (en) * 2012-11-02 2015-08-11 D2S, Inc. Method and system for improving critical dimension uniformity using shaped beam lithography
JP6076708B2 (ja) * 2012-11-21 2017-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量チェック方法
TWI534528B (zh) * 2013-03-27 2016-05-21 Nuflare Technology Inc Drawing an amount of the charged particle beam to obtain the modulation factor of a charged particle beam irradiation apparatus and method
TWI533096B (zh) * 2013-05-24 2016-05-11 Nuflare Technology Inc Multi - charged particle beam mapping device and multi - charged particle beam rendering method
JP6283180B2 (ja) 2013-08-08 2018-02-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6253924B2 (ja) * 2013-09-02 2017-12-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6262007B2 (ja) * 2014-02-13 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー セトリング時間の取得方法
JP6567843B2 (ja) * 2014-07-02 2019-08-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2016184605A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法
JP6523767B2 (ja) 2015-04-21 2019-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2016225357A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US10032603B2 (en) 2015-09-07 2018-07-24 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method
KR102395198B1 (ko) 2015-09-22 2022-05-06 삼성전자주식회사 마스크 패턴의 보정 방법 및 이를 이용하는 레티클의 제조 방법
JP6603108B2 (ja) 2015-11-18 2019-11-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6547635B2 (ja) * 2016-01-08 2019-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6640040B2 (ja) * 2016-06-23 2020-02-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 伝熱板および描画装置
JP7095395B2 (ja) * 2018-05-15 2022-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
TW200531117A (en) * 2004-03-04 2005-09-16 Applied Materials Inc Ion implant dose control
US7612347B2 (en) * 2006-07-11 2009-11-03 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam apparatus and charged particle beam resolution measurement method
TW201003711A (en) * 2008-04-15 2010-01-16 Mapper Lithography Ip Bv Projection lens arrangement

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3244766B2 (ja) * 1991-04-30 2002-01-07 株式会社東芝 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置
JPH04364310A (ja) 1991-06-11 1992-12-16 Mitsubishi Electric Corp 引出し形機器用リフター
JPH05267139A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Fujitsu Ltd 電子ビーム描画方法
JP2910460B2 (ja) 1992-11-12 1999-06-23 日本電気株式会社 パターン露光方法
JPH10289849A (ja) 1997-04-11 1998-10-27 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画装置
US6720565B2 (en) * 1999-06-30 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Real-time prediction of and correction of proximity resist heating in raster scan particle beam lithography
JP2001185477A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Nikon Corp 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US6420717B1 (en) 2000-04-11 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for real-time correction of resist heating in lithography
US6379851B1 (en) * 2000-07-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Methods to predict and correct resist heating during lithography
JP4327434B2 (ja) * 2002-10-09 2009-09-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム装置及び電子ビーム描画方法
JP2007087987A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Jeol Ltd パターン描画方法及び装置
JP4476975B2 (ja) 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4801982B2 (ja) 2005-11-30 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画方法及び描画装置
US20100178611A1 (en) 2006-04-13 2010-07-15 Nuflare Technology, Inc. Lithography method of electron beam
US20070243487A1 (en) 2006-04-13 2007-10-18 Nuflare Technology, Inc. Forming method of resist pattern and writing method of charged particle beam
JP4758829B2 (ja) 2006-06-06 2011-08-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画装置および描画方法
JP2008071928A (ja) 2006-09-14 2008-03-27 Nuflare Technology Inc 描画パターンのリサイズ方法及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2008085120A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法
JP4987554B2 (ja) 2007-04-26 2012-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5020849B2 (ja) 2008-02-13 2012-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、パターンの寸法誤差補正装置及びパターンの寸法誤差補正方法
JP5480496B2 (ja) 2008-03-25 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5243898B2 (ja) 2008-09-19 2013-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5199896B2 (ja) 2009-01-06 2013-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法及び描画装置
JP5466416B2 (ja) 2009-03-19 2014-04-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5586183B2 (ja) 2009-07-15 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5480555B2 (ja) 2009-08-07 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5567802B2 (ja) 2009-08-19 2014-08-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置
JP5525798B2 (ja) 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5547553B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
JP5525936B2 (ja) * 2010-06-30 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5547567B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
JP5601989B2 (ja) * 2010-11-19 2014-10-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
TW200531117A (en) * 2004-03-04 2005-09-16 Applied Materials Inc Ion implant dose control
US7612347B2 (en) * 2006-07-11 2009-11-03 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam apparatus and charged particle beam resolution measurement method
TW201003711A (en) * 2008-04-15 2010-01-16 Mapper Lithography Ip Bv Projection lens arrangement

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