JP6640040B2 - 伝熱板および描画装置 - Google Patents
伝熱板および描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6640040B2 JP6640040B2 JP2016124870A JP2016124870A JP6640040B2 JP 6640040 B2 JP6640040 B2 JP 6640040B2 JP 2016124870 A JP2016124870 A JP 2016124870A JP 2016124870 A JP2016124870 A JP 2016124870A JP 6640040 B2 JP6640040 B2 JP 6640040B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat transfer
- heat
- portions
- members
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 242
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 116
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
- G03F7/0022—Devices or apparatus
- G03F7/0032—Devices or apparatus characterised by heat providing or glossing means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
図1は、第1実施形態における描画装置の構成の一例を示す概念図である。描画装置100は、例えば、マルチ荷電子ビーム露光装置であり、半導体装置の製造に用いられるリソグラフィのフォトマスクを描画するために用いられる。本実施形態は、描画装置の他、露光装置、電子顕微鏡、光学顕微鏡等の電子ビームや光を処理対象に照射する装置であってもよい。従って、処理対象としての試料101は、マスクブランクスの他、半導体基板等であってもよい。
図8は、第2実施形態による材料板37a〜37dの構成の一例を示す平面図である。材料板37a〜37dは、それぞれ同一構成を有するので、図8は、それらの1つを示している。第2実施形態の材料板37a〜37dは、それぞれ、第1部材310a〜310dと、第2部材320a〜320dと、第3部材330a〜330dとを備えている点で、第1実施形態の材料板37a〜37dと同じである。しかし、第2実施形態による材料板37a〜37dは、それぞれ連結部340a〜340dをさらに備えている点で、第1実施形態の材料板37a〜37dと異なる。
図9は、伝熱板の変形例の構成を示す平面図である。第1および第2実施形態による伝熱板37において、第1伝熱部としての第1伝熱リング310および第2伝熱部としての第2伝熱リング320は、リング状であり、同心円状に配置されている。しかし、第1伝熱部および第2伝熱部は、リング状に限定されず、並列に配置されていてもよい。例えば、本変形例では、第1伝熱部410および第2伝熱部420は、方形であり、並列に配置されている。第3伝熱部430は、第1伝熱部410と第2伝熱部420との間に接続されている。
Claims (4)
- 減圧雰囲気中において光源から発生するビームを成形または制御する部材を搭載し、該部材に発生する熱を伝達する第1伝熱部と、
前記第1伝熱部の周囲に設けられる第2伝熱部と、
前記第1伝熱部を前記第2伝熱部に対して可動とし、前記第1伝熱部と前記第2伝熱部との間に接続される複数の第3伝熱部であって、前記第1および第2伝熱部の円周方向に設けられ、該第1および第2伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第3伝熱部とを備え、
前記第3伝熱部は、それぞれ、
少なくとも2つのアーム部と、
前記アーム部間を接続し、前記第1伝熱部または前記2伝熱部と2つの前記アーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記アーム部よりも細い、伝熱板。 - 前記第1から第3伝熱部は、同一材料で形成されている、請求項1に記載の伝熱板。
- 前記第1から第3伝熱部は、積層された複数の材料板からなり、
前記複数の材料板のうち前記第1伝熱部に対応する第1部材は一体に接合されており、前記第2伝熱部に対応する第2部材も一体に接合されており、
前記複数の材料板のうち前記第3伝熱部に対応する第3部材は、それぞれ分離されている、請求項1または請求項2に記載の伝熱板。 - 減圧雰囲気中において処理対象を載置可能なステージと、
前記処理対象に照射する電子ビームを成形または制御するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材を搭載し、前記電子ビームの成形または制御によって発生する熱を伝達する伝熱板とを備え、
前記伝熱板は、
前記熱を伝達する第1伝熱部と、
前記第1伝熱部の周囲に設けられた第2伝熱部と、
前記第1伝熱部を前記第2伝熱部に対して可動とし、前記第1伝熱部と前記第2伝熱部との間を接続する複数の第3伝熱部であって、前記第1および第2伝熱部の円周方向に設けられ、該第1および第2伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第3伝熱部とを備え、
前記第3伝熱部は、それぞれ、
少なくとも2つのアーム部と、
前記アーム部間を接続し、前記第1伝熱部または前記2伝熱部と2つの前記アーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記アーム部よりも細い、描画装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016124870A JP6640040B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 伝熱板および描画装置 |
US15/586,858 US10236158B2 (en) | 2016-06-23 | 2017-05-04 | Heat transfer plate and writing apparatus |
TW106118318A TWI651750B (zh) | 2016-06-23 | 2017-06-02 | 傳熱板及描繪裝置 |
KR1020170078095A KR101952699B1 (ko) | 2016-06-23 | 2017-06-20 | 전열판 및 묘화 장치 |
CN201710484203.6A CN107544214B (zh) | 2016-06-23 | 2017-06-23 | 传热板以及描绘装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016124870A JP6640040B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 伝熱板および描画装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017228702A JP2017228702A (ja) | 2017-12-28 |
JP2017228702A5 JP2017228702A5 (ja) | 2019-01-24 |
JP6640040B2 true JP6640040B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=60675106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016124870A Active JP6640040B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 伝熱板および描画装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10236158B2 (ja) |
JP (1) | JP6640040B2 (ja) |
KR (1) | KR101952699B1 (ja) |
CN (1) | CN107544214B (ja) |
TW (1) | TWI651750B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7189794B2 (ja) * | 2019-02-12 | 2022-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2022185486A (ja) * | 2021-06-02 | 2022-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイユニット |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01104349A (ja) | 1987-10-15 | 1989-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空容器内極低温ステージ |
JP3683370B2 (ja) | 1997-01-10 | 2005-08-17 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
JP2001177024A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Ts Heatronics Co Ltd | 熱拡散用複合プレート |
US6574026B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-06-03 | Agere Systems Inc. | Magnetically-packaged optical MEMs device |
JP2002198475A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 熱伝導材および熱伝導材の製造方法 |
JP4464097B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 配線構造および露光装置 |
JP2005140999A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Nikon Corp | 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法 |
DE602005019689D1 (de) * | 2004-01-20 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
ATE424037T1 (de) * | 2005-07-20 | 2009-03-15 | Zeiss Carl Sms Gmbh | Teilchenstrahlbelichtungssystem und vorrichtung zur strahlbeeinflussung |
US7345287B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-03-18 | Applied Materials, Inc. | Cooling module for charged particle beam column elements |
JP5636238B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2014-12-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6136124B2 (ja) | 2012-06-14 | 2017-05-31 | 株式会社富士通ゼネラル | 熱交換器の製造方法および熱交換器 |
US9018022B2 (en) * | 2012-09-24 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus |
EP2765591B1 (en) * | 2013-02-08 | 2016-07-13 | FEI Company | Sample preparation stage |
NL2011401C2 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-09 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical device. |
JP6190254B2 (ja) | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2016
- 2016-06-23 JP JP2016124870A patent/JP6640040B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-04 US US15/586,858 patent/US10236158B2/en active Active
- 2017-06-02 TW TW106118318A patent/TWI651750B/zh active
- 2017-06-20 KR KR1020170078095A patent/KR101952699B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-23 CN CN201710484203.6A patent/CN107544214B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170372869A1 (en) | 2017-12-28 |
JP2017228702A (ja) | 2017-12-28 |
KR20180000688A (ko) | 2018-01-03 |
US10236158B2 (en) | 2019-03-19 |
KR101952699B1 (ko) | 2019-02-27 |
CN107544214B (zh) | 2020-06-19 |
TW201810346A (zh) | 2018-03-16 |
CN107544214A (zh) | 2018-01-05 |
TWI651750B (zh) | 2019-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8772734B2 (en) | Charged particle beam lithography apparatus and method, and article manufacturing method | |
JP6486140B2 (ja) | 搬送ハンド、リソグラフィ装置及び被搬送物を搬送する方法 | |
TWI760324B (zh) | 用於電子束檢測之設備及系統 | |
JP6640040B2 (ja) | 伝熱板および描画装置 | |
TW201133694A (en) | Support and positioning structure, semiconductor equipment system and method for positioning | |
TWI472884B (zh) | 帶電粒子射束微影系統以及目標物定位裝置 | |
JP7303342B2 (ja) | 荷電粒子源モジュール | |
US8791422B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
US20080024749A1 (en) | Low mass six degree of freedom stage for lithography tools | |
JP2020136289A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
US9293292B2 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
US11217428B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus | |
US20150044615A1 (en) | Drawing data generating method, processing apparatus, storage medium, drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2005268675A (ja) | 微細パターン形成装置および半導体デバイス製造方法 | |
TW201839793A (zh) | 帶電粒子束光學系統、曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 | |
JP4559137B2 (ja) | 真空機器の製造装置及び製造方法 | |
TWI815117B (zh) | 多荷電粒子束照射裝置及多荷電粒子束照射方法 | |
TW201802611A (zh) | 曝光裝置及曝光方法、微影方法、以及元件製造方法 | |
TWI734799B (zh) | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 | |
US20150187540A1 (en) | Drawing apparatus and method of manufacturing article | |
JP2023057607A (ja) | ウエハ支持装置、半導体製造装置 | |
JP2021085960A (ja) | ダイレクト露光装置および基板の露光方法 | |
JP2024039768A (ja) | ステージ装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法 | |
Freed et al. | Reflective electron-beam lithography performance for the 10nm logic node | |
JP2014057022A (ja) | 静電レンズユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6640040 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |