JP5586183B2 - 荷電粒子ビーム描画方法および装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画方法および装置 Download PDF

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Description

本発明は、描画データに含まれている図形に対応するパターンが荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画方法および装置に関する。
従来から、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、各セルに１個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−２１８７６７号公報）の段落〔００２４〕、段落〔００４２〕、段落〔００４３〕等に記載されたものがある。
従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料上の描画領域全体に対応する描画データが、荷電粒子ビーム描画装置に入力されると、入力バッファ（記憶装置）に転送され、格納される（特許文献１の段落〔００２５〕等参照）。
更に、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料上の描画領域を分割することによって複数の短冊状のストライプ枠（フレーム領域）が形成され、そのストライプ枠（フレーム領域）を更に分割することによって複数のブロック枠が形成されている（特許文献１の段落〔００２４〕等参照）。
また、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料上の描画領域全体に対応する描画データの一部であるブロック枠（小領域）に対応するデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）によって、入力バッファ（記憶装置）から読み出され（特許文献１の段落〔００２４〕、段落〔００２５〕、特許文献２（特開２００９−６４８６２号公報）の段落〔００２６〕、特許文献３（特開２００８−８５２４８号公報）の段落〔００５４〕等参照）、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）に一時的に格納される（特許文献１の段落〔００２８〕等参照）。
更に、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠（小領域）に対応するデータ（ブロック枠単位のデータ）が、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）から、コンバータモジュールを構成する複数のコンバータ（ＰＰＵ）のうちのいずれかに転送される（特許文献１の段落〔００２８〕等参照）。
また、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のコンバータ（ＰＰＵ）に転送された一のブロック枠（小領域）に対応するデータが、一のコンバータ（ＰＰＵ）によって描画装置内部フォーマットデータ（ショットデータを生成するための中間データ）に変換処理される（特許文献１の段落〔００２８〕等参照）。更に、他のコンバータ（ＰＰＵ）に転送された他のブロック枠（小領域）に対応するデータが、一のコンバータ（ＰＰＵ）による変換処理に並列して、他のコンバータ（ＰＰＵ）によって描画装置内部フォーマットデータ（ショットデータを生成するための中間データ）に変換処理される（特許文献１の段落〔００２８〕等参照）。
特開２００８−２１８７６７号公報 特開２００９−６４８６２号公報 特開２００８−８５２４８号公報 特開２００８−２１８８５７号公報
ところで、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のブロック枠（小領域）に対応するデータの一部である一のブロック枠（小領域）とそれに隣接する他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）に格納されると共に、他のブロック枠（小領域）に対応するデータの一部でもある一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）に格納される（特許文献１の段落〔００２５〕等参照）。
すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）に重複して格納される（特許文献１の段落〔００２５〕等参照）。
そのため、従来の荷電粒子ビーム描画方法では、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）が圧迫されてしまい、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）の容量を増大させる必要性が生じてしまう。
また、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のブロック枠（小領域）に対応するデータの一部である一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）から、一のコンバータのメモリに転送されると共に、他のブロック枠（小領域）に対応するデータの一部である一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）から、他のコンバータのメモリに転送される（特許文献１の段落〔００２５〕、段落〔００２８〕等参照）。
つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）から２回転送される（特許文献１の段落〔００２５〕、段落〔００２８〕等参照）。
そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）からのデータの転送時間が長くなってしまう。
更に、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、入力データ分割モジュール（ローカライザー、ディストリビュータ）の出力バッファ（記憶装置）から２回転送された一のブロック枠（小領域）と他のブロック枠（小領域）とに跨るセルのデータが、一のコンバータ（ＰＰＵ）のメモリおよび他のコンバータ（ＰＰＵ）のメモリのそれぞれに格納される（特許文献１の段落〔００２５〕、段落〔００２８〕等参照）。
そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、一のコンバータ（ＰＰＵ）および他のコンバータ（ＰＰＵ）を含む全体のメモリが圧迫されてしまい、一のコンバータ（ＰＰＵ）および他のコンバータ（ＰＰＵ）を含む全体の総メモリ容量を増大させる必要性が生じてしまう。
ちなみに、特許文献４（特開２００８−２１８８５７号公報）に記載された従来の荷電粒子ビーム描画装置では、複数のブロック枠をまとめた小領域群に対応するデータ（小領域群単位のデータ）が、入力バッファ（記憶装置）から読み出され、ローカライズ処理される（特許文献４の段落〔００２６〕等参照）。
ところが、特許文献４（特開２００８−２１８８５７号公報）に記載された従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠に対応するデータ（ブロック枠単位のデータ）よりもデータ長が長い小領域群単位のデータが、複数のコンバータによって並列して描画装置内部フォーマットデータに変換される。
つまり、特許文献４（特開２００８−２１８８５７号公報）に記載された従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠に対応するデータ（ブロック枠単位のデータ）がコンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換される場合よりも、コンバータによる１回の変換処理に要する時間が長くなってしまう。
そのため、特許文献４（特開２００８−２１８８５７号公報）に記載された従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠に対応するデータ（ブロック枠単位のデータ）がコンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換される場合よりも、一のコンバータによる変換処理が終了してからすべてのコンバータによる変換処理が終了するまでの一のコンバータのアイドルタイム（待ち時間）が長くなってしまう。
上述した問題点に鑑み、本発明は、出力バッファおよびメモリの容量を削減すると共に、データの転送時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。
詳細には、本発明は、出力バッファおよびメモリの容量を削減すると共に、データの転送時間を短縮し、かつ、コンバータのアイドルタイムを短縮することができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データ中のセルに含まれている図形に対応するパターンを、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部と、
試料上の描画領域全体に対応する描画データが入力されて格納される入力バッファと、
試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割する分割部と、
ストライプ枠内の複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成する仮想ブロック枠構成部と、
試料上の描画領域全体に対応する描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータが、入力バッファから読み出されて格納される入力データ分割モジュールの出力バッファと、
前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第１コンバータと、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第２コンバータと、前記第１コンバータと前記第２コンバータとの共有メモリと、を有するコンバータモジュールと、
仮想ブロック枠に対応するデータを、入力データ分割モジュールの出力バッファから、第１ブロック枠に対応する第１コンバータと第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの共有メモリに転送する転送部と、
を具備し、
前記第１コンバータは、共有メモリに転送された仮想ブロック枠に対応するデータのうち、第１ブロック枠と第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、第１ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第１コンバータと、
前記第２コンバータは、共有メモリに転送された仮想ブロック枠に対応するデータのうち、第１ブロック枠と第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、第１コンバータによる変換処理に並列して描画装置内部フォーマットデータに変換処理することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
好ましくは、ストライプ枠内のすべてのブロック枠がいずれかの仮想ブロック枠に含まれるように、仮想ブロック枠構成部によって、ストライプ枠内に複数の仮想ブロック枠が構成される。
本発明の別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、
各セルに１個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
試料上の描画領域全体に対応する描画データを入力バッファに格納し、
試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割し、
ストライプ枠内の複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成し、
試料上の描画領域全体に対応する描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータを、入力バッファから読み出して、入力データ分割モジュールの出力バッファに格納し、
仮想ブロック枠に対応するデータを、入力データ分割モジュールの出力バッファから、第１ブロック枠に対応する第１コンバータと第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの共有メモリに転送し、
共有メモリに転送された仮想ブロック枠に対応するデータのうち、第１ブロック枠と第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、第１ブロック枠内に位置する図形のデータを、第１コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理し、
共有メモリに転送された仮想ブロック枠に対応するデータのうち、第１ブロック枠と第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、第１コンバータによる変換処理に並列して、第２コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。
本発明によれば、出力バッファおよびメモリの容量を削減すると共に、データの転送時間を短縮することができる。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１の一例を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などの過程において生成されるデータを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などの過程において生成されるデータを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。 従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などの過程において生成されるデータを説明するための図である。
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍ上の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１に入力されると、読み込みモジュール１０ｂ１ａによって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納される。次いで、例えば、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納された試料Ｍ上の描画領域ＤＡ全体に対応する描画データＤが、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、複数の小領域単位のデータに分割されて（振り分けられて）読み出され、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。次いで、例えば、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納された小領域単位の複数のデータが、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの複数の共有メモリ１０ｂ１ｅ１２，１０ｂ１ｅ３４，１０ｂ１ｅ５６に転送される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ１によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理されると共に、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ２によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理される。更に、例えば、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２による変換処理に並列して、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ３によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理されると共に、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ４によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理される。また、例えば、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４による変換処理に並列して、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ５によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理されると共に、コンバータモジュール１０ｂ１ｅの共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送された小領域単位のデータの一部が、コンバータ１０ｂ１ｅ６によって描画装置内部フォーマットデータに変換処理される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６による並列した変換処理によって生成された複数の小領域単位の描画装置内部フォーマットデータが、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。次いで、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納された複数の小領域単位の描画装置内部フォーマットデータが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送された複数の小領域単位の描画装置内部フォーマットデータが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって並列して変換処理され、試料Ｍ上にパターンを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ、コンバータモジュール１０ｂ１ｅ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇ等が管理されている。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍ上の所望の位置に照射される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。
図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図３（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも小さい図３（Ｃ）、図３（Ｄ）および図３（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも小さい図３（Ｆ）、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）および図３（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによって可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。
図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
図４は図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。
詳細には、図４に示す例では、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，・・，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。
図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、試料Ｍ上の描画領域ＤＡが例えば６個の短冊状のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に仮想分割されている。
図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ１内をＸ軸のプラス側（図５の右側）からマイナス側（図５の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ２内をＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・（図６参照）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内に描画される。
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かってストライプ枠ＳＴＲ１の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図５の上側）からマイナス側（図５の下側）に向かって少なくともストライプ枠ＳＴＲ１の短手方向（図５の上下方向）に移動するように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図５の右側）からマイナス側（図５の左側）に向かってストライプ枠ＳＴＲ２の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
図６に示す例では、例えば、試料Ｍ（図５参照）のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図６に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。
次いで、図６に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１が描画されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータに基づき、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
次いで、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ２が描画されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１の描画と同様にパターンＰ２の描画が実行される。
次いで、図６に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ内のすべてのパターンＰ１，Ｐ２，・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ＋１内に照射されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。
次いで、図６に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１１が描画されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１，Ｐ２の描画と同様にパターンＰ１１の描画が実行される。
次いで、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１２が描画されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ１１の描画と同様にパターンＰ１２の描画が実行される。
図７は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図６参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図７に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図６参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）が、パターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）にデータ上で分割され、ショットデータが生成される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」などと呼ばれている。
詳細には、図７に示す例では、例えば、まず最初に、図７（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍ上に描画される。
更に詳細には、図７に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ（図６参照）に位置決めするための制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）による主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）が描画されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。
次いで、例えば、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）による副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが開始されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、偏向制御部１０ｂ１ｈによる副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。
次いで、例えば、パターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、ショットデータに基づいて制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｂが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図７（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃが試料Ｍ上に描画される。
次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｄが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図７（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｅが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図７（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｆが試料Ｍ上に描画される。
次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｇが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図７（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｈが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図７（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｉが試料Ｍ上に描画される。
その結果、図７に示す例では、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。
図７に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍ上にパターンＰ１を描画することができず、試料Ｍ上にパターンＰ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の５回のショットとにショット分割されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰ１ｉ（図７（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の９回のショットによってパターンＰ１（図７（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰ１をＸ方向（図７の左右方向）３列×Ｙ方向（図７の上下方向）３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の１回のショットによって描画される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７（Ａ）〜図７（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）によって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ３（図５および図６参照）内に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かってストライプ枠ＳＴＲ３の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
図８は図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１の一例を示した図である。図９〜図１５は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。図１６および図１７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理などの過程において生成されるデータを説明するための図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）、ショットデータ生成部１０ｂ１ｈ（図２参照）などにおいて並列してデータの変換処理を実行するために、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）のそれぞれが、例えば複数のブロック枠に仮想分割されている。
図８に示す例では、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ１（図８（Ａ）参照）が６個のブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に仮想分割されている。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、出力バッファおよびメモリの容量を削減すると共にデータの転送時間を短縮するために、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）内の複数のブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，・・（図８（Ａ）参照）のうち、互いに隣接する例えば２個のブロック枠をまとめることによって、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１，ＶＤＰＢ１２，ＶＤＰＢ１３，・・（図８（Ａ）参照）が構成されている。
図８に示す例では、互いに隣接する２個のブロック枠ＤＰＢ１１とブロック枠ＤＰＢ１２とをまとめることによって１個の仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）が構成され、互いに隣接する２個のブロック枠ＤＰＢ１３とブロック枠ＤＰＢ１４とをまとめることによって１個の仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）が構成され、互いに隣接する２個のブロック枠ＤＰＢ１５とブロック枠ＤＰＢ１６とをまとめることによって１個の仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）が構成されている。
更に、図８に示す例では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨る位置にセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０１内に例えば２個の図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０１ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。また、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）内にセルＣＬ０２（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０２内に例えば２個の図形ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。更に、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）内にセルＣＬ０３（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０３内に例えば２個の図形ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。
また、図８に示す例では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）内にセルＣＬ０４（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０４内に例えば２個の図形ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。更に、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）とに跨る位置にセルＣＬ０５（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０５内に例えば２個の図形ＦＧ０５ａ，ＦＧ０５ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。また、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）とに跨る位置にセルＣＬ０６（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０６内に例えば２個の図形ＦＧ０６ａ，ＦＧ０６ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。
更に、図８に示す例では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）内にセルＣＬ０７（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０７内に例えば２個の図形ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。また、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）とに跨る位置にセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０８内に例えば２個の図形ＦＧ０８ａ，ＦＧ０８ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。更に、例えば、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）内にセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）が配置され、セルＣＬ０８内に例えば２個の図形ＦＧ０８ａ，ＦＧ０８ｂ（図８（Ｂ）参照）が配置されている。
詳細には、図８に示す例では、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショット数と、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１ｂ，ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数と、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ，ＦＧ０５ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数と、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０５ｂ，ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数と、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０６ｂ，ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ，ＦＧ０８ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数と、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０８ｂ，ＦＧ０９ａ，ＦＧ０９ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するパターンを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数とがほぼ等しくなるように、ストライプ枠ＳＴＲ１（図８（Ａ）参照）が６個のブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６に分割されている。
例えば、図８（Ｂ）に示すようなセルＣＬ０１，ＣＬ０２，ＣＬ０３，ＣＬ０４，ＣＬ０５，ＣＬ０６，ＣＬ０７，ＣＬ０８および図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０１ｂ，ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ，ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ，ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ，ＦＧ０５ａ，ＦＧ０５ｂ，ＦＧ０６ａ，ＦＧ０６ｂ，ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ，ＦＧ０８ａ，ＦＧ０８ｂを含む描画データＤ（図１および図２参照）が第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によってデータ処理される場合、まず最初に、図９に示すように、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤが、読み込みモジュール１０ｂ１ａによって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納される。
次いで、例えば、図１０に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
図１６（Ａ）に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１には、例えば、そのヘッダと、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１内に位置するセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０１と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１内に位置するセルＣＬ０２（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０２と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１内に位置するセルＣＬ０３（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０３とが含まれている。更に、セルＣＬ０１に対応するデータＤＣＬ０１には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ａと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０２に対応するデータＤＣＬ０２には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０２内に位置する図形ＦＧ０２ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０２ａと、セルＣＬ０２内に位置する図形ＦＧ０２ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０２ｂとが含まれている。更に、セルＣＬ０３に対応するデータＤＣＬ０３には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０３内に位置する図形ＦＧ０３ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０３ａと、セルＣＬ０３内に位置する図形ＦＧ０３ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０３ｂとが含まれている。
次いで、例えば、図１１に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。また、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ１とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ２との共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送される。
図１６（Ｂ）に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２には、例えば、そのヘッダと、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２内に位置するセルＣＬ０４（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０４と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２内に位置するセルＣＬ０５（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０５と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０６（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０６とが含まれている。更に、セルＣＬ０４に対応するデータＤＣＬ０４には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０４内に位置する図形ＦＧ０４ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０４ａと、セルＣＬ０４内に位置する図形ＦＧ０４ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０４ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０５に対応するデータＤＣＬ０５には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ａと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ｂとが含まれている。更に、セルＣＬ０６に対応するデータＤＣＬ０６には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ａと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ｂとが含まれている。
次いで、例えば、図１２に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。また、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ３とブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ４との共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送される。
図１６（Ｃ）に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３には、例えば、そのヘッダと、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０６（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０６と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３内に位置するセルＣＬ０７（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０７と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３内に位置するセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０８と、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３内に位置するセルＣＬ０９（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０９とが含まれている。更に、セルＣＬ０６に対応するデータＤＣＬ０６には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ａと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０７に対応するデータＤＣＬ０７には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０７内に位置する図形ＦＧ０７ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０７ａと、セルＣＬ０７内に位置する図形ＦＧ０７ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０７ｂとが含まれている。更に、セルＣＬ０８に対応するデータＤＣＬ０８には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ａと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０９に対応するデータＤＣＬ０９には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０９内に位置する図形ＦＧ０９ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０９ａと、セルＣＬ０９内に位置する図形ＦＧ０９ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０９ｂとが含まれている。
次いで、例えば、図１３に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ５とブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ６との共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送される。
次いで、例えば、図１４に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１のうち、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０１ａ，ＤＦＧ０２ａ，ＤＦＧ０２ｂ（図１６（Ａ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ１によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂのデータＤＦＧ０１ａ’，ＤＦＧ０２ａ’，ＤＦＧ０２ｂ’（図１７（Ａ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１１に対応するデータＤＤＰＢ１１’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
また、図１４に示すように、コンバータ１０ｂ１ｅ１による変換処理に並列して、共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２のうち、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ，ＦＧ０５ａ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０４ａ，ＤＦＧ０４ｂ，ＤＦＧ０５ａ（図１６（Ｂ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ３によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ，ＦＧ０５ａのデータＤＦＧ０４ａ’，ＤＦＧ０４ｂ’，ＤＦＧ０５ａ’（図１７（Ｃ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１３に対応するデータＤＤＰＢ１３’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
更に、図１４に示すように、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ３による変換処理に並列して、共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３のうち、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０６ｂ，ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ，ＦＧ０８ａ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０６ｂ，ＤＦＧ０７ａ，ＤＦＧ０７ｂ，ＤＦＧ０８ａ（図１６（Ｃ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ５によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０６ｂ，ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ，ＦＧ０８ａのデータＤＦＧ０６ｂ’，ＤＦＧ０７ａ’，ＤＦＧ０７ｂ’，ＤＦＧ０８ａ’（図１７（Ｅ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１５に対応するデータＤＤＰＢ１５’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
また、図１５に示すように、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ５による変換処理に並列して、共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１のうち、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０１ｂ，ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０１ｂ，ＤＦＧ０３ａ，ＤＦＧ０３ｂ（図１６（Ａ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ２によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０１ｂ，ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂのデータＤＦＧ０１ｂ’，ＤＦＧ０３ａ’，ＤＦＧ０３ｂ’（図１７（Ｂ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１２に対応するデータＤＤＰＢ１２’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
更に、図１５に示すように、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ５による変換処理に並列して、共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２のうち、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０５ｂ，ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０５ｂ，ＤＦＧ０６ａ（図１６（Ｂ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ４によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０５ｂ，ＦＧ０６ａのデータＤＦＧ０５ｂ’，ＤＦＧ０６ａ’（図１７（Ｄ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１４に対応するデータＤＤＰＢ１４’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
また、図１５に示すように、コンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５による変換処理に並列して、共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送された仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３のうち、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）内に位置する図形ＦＧ０８ｂ，ＦＧ０９ａ，ＦＧ０９ｂ（図８（Ｂ）参照）のデータＤＦＧ０８ｂ，ＤＦＧ０９ａ，ＤＦＧ０９ｂ（図１６（Ｃ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ６によって変換処理され、描画装置内部フォーマットの図形ＦＧ０８ｂ，ＦＧ０９ａ，ＦＧ０９ｂのデータＤＦＧ０８ｂ’，ＤＦＧ０９ａ’，ＤＦＧ０９ｂ’（図１７（Ｆ）参照）を含む描画装置内部フォーマットのブロック枠ＤＰＢ１６に対応するデータＤＤＰＢ１６’が生成され、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。
詳細には、図８に示す例では、図形ＦＧ０１ａ，ＦＧ０１ｂ，ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ，ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ，ＦＧ０４ａ，ＦＧ０４ｂ，ＦＧ０５ａ，ＦＧ０５ｂ，ＦＧ０６ａ，ＦＧ０６ｂ，ＦＧ０７ａ，ＦＧ０７ｂ，ＦＧ０８ａ，ＦＧ０８ｂ，ＦＧ０９ａ，ＦＧ０９ｂ（図８（Ｂ）参照）のうち、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図６参照）のサイズより大きい図形が、図１４および図１５に示すコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６による変換処理中に、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図６参照）のサイズより小さい複数の図形に分割される。
次に、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による描画データＤの変換処理と比較するために、従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理について説明する。図１８〜図２４は従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などを説明するための図である。図２５は従来の荷電粒子ビーム描画装置による描画データＤの変換処理などの過程において生成されるデータを説明するための図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１８に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されると共に、図１９に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
図２５（Ａ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１１内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０１と、ブロック枠ＤＰＢ１１内に位置するセルＣＬ０２（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０２とが含まれている。更に、セルＣＬ０１に対応するデータＤＣＬ０１には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ａと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０２に対応するデータＤＣＬ０２には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０２内に位置する図形ＦＧ０２ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０２ａと、セルＣＬ０２内に位置する図形ＦＧ０２ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０２ｂとが含まれている。
また、図２５（Ｂ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１２内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０１と、ブロック枠ＤＰＢ１２内に位置するセルＣＬ０３（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０３とが含まれている。更に、セルＣＬ０１に対応するデータＤＣＬ０１には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ａと、セルＣＬ０１内に位置する図形ＦＧ０１ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０１ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０３に対応するデータＤＣＬ０３には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０３内に位置する図形ＦＧ０３ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０３ａと、セルＣＬ０３内に位置する図形ＦＧ０３ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０３ｂとが含まれている。
つまり、図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１と、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２とには、ブロック枠ＤＰＢ１１とブロック枠ＤＰＢ１２とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０１が重複して含まれている。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ１とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ２との共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１９に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ１のメモリに転送されると共に、図２０に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ２のメモリに転送される。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図２０に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１３が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されると共に、図２１に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１４が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
図２５（Ｃ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１３には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１３内に位置するセルＣＬ０４（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０４と、ブロック枠ＤＰＢ１３内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０５（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０５とが含まれている。更に、セルＣＬ０４に対応するデータＤＣＬ０４には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０４内に位置する図形ＦＧ０４ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０４ａと、セルＣＬ０４内に位置する図形ＦＧ０４ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０４ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０５に対応するデータＤＣＬ０５には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ａと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ｂとが含まれている。
また、図２５（Ｄ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１４には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１４内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０５（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０５と、ブロック枠ＤＰＢ１４内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０６（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０６とが含まれている。更に、セルＣＬ０５に対応するデータＤＣＬ０５には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ａと、セルＣＬ０５内に位置する図形ＦＧ０５ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０５ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０６に対応するデータＤＣＬ０６には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ａと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ｂとが含まれている。
つまり、図２５（Ｃ）および図２５（Ｄ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１３と、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１４とには、ブロック枠ＤＰＢ１３とブロック枠ＤＰＢ１４とに跨るセルＣＬ０５（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０５が重複して含まれている。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ３とブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ４との共有メモリ１０ｂ１ｅ３４に転送されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図２１に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、ブロック枠ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１３が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ３のメモリに転送されると共に、図２２に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１４（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１４が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ４のメモリに転送される。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図２２に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからのローカライズ要求に基づき、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１５が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されると共に、図２３に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１６が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出されて出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
図２５（Ｅ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１５には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１５内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０６（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０６と、ブロック枠ＤＰＢ１５内に位置するセルＣＬ０７（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０７と、ブロック枠ＤＰＢ１５内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０８とが含まれている。更に、セルＣＬ０６に対応するデータＤＣＬ０６には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ａと、セルＣＬ０６内に位置する図形ＦＧ０６ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０６ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０７に対応するデータＤＣＬ０７には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０７内に位置する図形ＦＧ０７ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０７ａと、セルＣＬ０７内に位置する図形ＦＧ０７ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０７ｂとが含まれている。更に、セルＣＬ０８に対応するデータＤＣＬ０８には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ａと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ｂとが含まれている。
また、図２５（Ｆ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１６には、例えば、そのヘッダと、ブロック枠ＤＰＢ１６内に少なくとも一部分が位置するセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０８と、ブロック枠ＤＰＢ１６内に位置するセルＣＬ０９（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０９とが含まれている。更に、セルＣＬ０８に対応するデータＤＣＬ０８には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ａと、セルＣＬ０８内に位置する図形ＦＧ０８ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０８ｂとが含まれている。また、セルＣＬ０９に対応するデータＤＣＬ０９には、例えば、そのヘッダと、セルＣＬ０９内に位置する図形ＦＧ０９ａ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０９ａと、セルＣＬ０９内に位置する図形ＦＧ０９ｂ（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＦＧ０９ｂとが含まれている。
つまり、図２５（Ｅ）および図２５（Ｆ）に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１５と、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１６とには、ブロック枠ＤＰＢ１５とブロック枠ＤＰＢ１６とに跨るセルＣＬ０８（図８（Ｂ）参照）に対応するデータＤＣＬ０８が重複して含まれている。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１３に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１３が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ５とブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ６との共有メモリ１０ｂ１ｅ５６に転送されるのに対し、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図２３に示すように、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃからの要求に基づき、ブロック枠ＤＰＢ１５（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１５が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ５のメモリに転送されると共に、図２４に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１６が、出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ６のメモリに転送される。
換言すれば、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１８に示すように、試料Ｍ（図５参照）上の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納されると共に、図１９に示すように、試料Ｍ（図５参照）上の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部であるブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１（図２５（Ａ）参照）の一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１８参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１８参照）に格納されると共に、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２（図２５（Ｂ）参照）の一部でもあるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ｂ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１９参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１９参照）に格納される。
すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１８および図１９参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１８および図１９参照）に重複して格納される。
それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とをまとめることによって仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）が構成され、図１０に示すように、試料Ｍ（図５参照）上の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤの一部である仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１が、入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出され、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１に格納される。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１（図１６（Ａ）参照）の一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図１６（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１０参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１０参照）に重複して格納されない。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）が重複して入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１８および図１９参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１８および図１９参照）に格納される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１０参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１０参照）の容量を削減することができる。
更に、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１９に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１（図２５（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ１のメモリに転送されると共に、図２０に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２（図２５（Ｂ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ２のメモリに転送される。
詳細には、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１９に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１１（図２５（Ａ）参照）の一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ１のメモリに転送されると共に、図２０に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＤＰＢ１２（図２５（Ｂ）参照）の一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ｂ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、コンバータ１０ｂ１ｅ２のメモリに転送される。
つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１９および図２０に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から２回転送される。
それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１（図１６（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ１とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ２との共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するデータＤＶＤＰＢ１１（図１６（Ａ）参照）の一部であるブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図１６（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ１とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）に対応するコンバータ１０ｂ１ｅ２との共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に転送される。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図１６（Ａ）参照）が、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から１回のみ転送される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、ブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）が入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１９および図２０参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１９および図２０参照）から２回転送される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄ（図１１参照）の出力バッファ１０ｂ１ｄ１（図１１参照）からのデータの転送時間を短縮することができる。
また、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図１９および図２０に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から２回転送されたブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ１のメモリおよびコンバータ１０ｂ１ｅ２のメモリのそれぞれに格納される。
それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、入力データ分割モジュール１０ｂ１ｄの出力バッファ１０ｂ１ｄ１から１回のみ転送されたブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図１６（Ａ）参照）が、コンバータ１０ｂ１ｅ１とコンバータ１０ｂ１ｅ２との共有メモリ１０ｂ１ｅ１２に格納される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、２回転送されたブロック枠ＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）とブロック枠ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）とに跨るセルＣＬ０１（図８（Ｂ）参照）のデータＤＣＬ０１（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）がコンバータ１０ｂ１ｅ１（図１９参照）のメモリおよびコンバータ１０ｂ１ｅ２（図２０参照）のメモリのそれぞれに格納される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、コンバータ１０ｂ１ｅ１（図１１参照）およびコンバータ１０ｂ１ｅ２（図１１参照）を含む全体の総メモリ容量を削減することができる。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば互いに隣接する２個のブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）をまとめることによって１個の仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）が構成され、図２に示すように、２個のコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２に１個の共有メモリ１０ｂ１ｅ１２が設けられているが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、互いに隣接する３個以上の任意の数のブロック枠をまとめることによって１個の仮想ブロック枠を構成することも可能である。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、１個の仮想ブロック枠を構成するためにまとめられる複数のブロック枠と同数のコンバータに対して１個の共有メモリが設けられる。図２および図８に示す例では、例えば、互いに隣接する３個のブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）をまとめることによって１個の仮想ブロック枠を構成し、互いに隣接する３個のブロック枠ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６（図８（Ａ）参照）をまとめることによって１個の仮想ブロック枠を構成することも可能である。その場合には、３個のコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３に１個の共有メモリが設けられ、３個のコンバータ１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６に１個の共有メモリが設けられる。
つまり、本発明の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）を構成するためまとめられるブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）の数と、共有メモリ１０ｂ１ｅ１２（図２参照）を共有しているコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２（図２参照）の数とが一致せしめられている。詳細には、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図２および図８に示すように、仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１（図８（Ａ）参照）を構成するためにまとめられるブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２（図８（Ａ）参照）の数が２になり、共有メモリ１０ｂ１ｅ１２（図２参照）を共有しているコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２（図２参照）の数が２になる。一方、上述した第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、１個の仮想ブロック枠（図８（Ａ）参照）を構成するためにまとめられるブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３（図８（Ａ）参照）の数が３になり、共有メモリを共有しているコンバータ１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２参照）の数が３になる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、ストライプ枠ＳＴＲ１内のすべてのブロック枠ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６がいずれかの仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１，ＶＤＰＢ１２，ＶＤＰＢ１３に含まれるように、ストライプ枠ＳＴＲ１内に複数の仮想ブロック枠ＶＤＰＢ１１，ＶＤＰＢ１２，ＶＤＰＢ１３が構成されている。
第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ 偏向器
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ２ａ 可動ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ａ 読み込みモジュール
１０ｂ１ｂ 入力バッファ
１０ｂ１ｃ 分散処理管理モジュール
１０ｂ１ｄ 入力データ分割モジュール
１０ｂ１ｄ１ 出力バッファ
１０ｂ１ｅ コンバータモジュール
１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２ コンバータ
１０ｂ１ｅ１２ 共有メモリ
１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４ コンバータ
１０ｂ１ｅ３４ 共有メモリ
１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６ コンバータ
１０ｂ１ｅ５６ 共有メモリ
１０ｂ１ｆ 出力バッファ
１０ｂ１ｇ ショットデータ生成部
１０ｂ１ｈ 偏向制御部
１０ｂ１ｉ ステージ制御部
１０ｂ２，１０ｂ３ 偏向制御回路
１０ｂ４，１０ｂ５ 偏向制御回路
１０ｂ６ ステージ制御回路
ＣＬ セル階層
ＣＬ０１，ＣＬ０２，ＣＬ０３ セル
Ｄ 描画データ
ＤＡ 描画領域
ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２ ブロック枠
ＦＧ 図形階層
ＦＧ０１ａ，ＦＧ０１ｂ 図形
ＦＧ０２ａ，ＦＧ０２ｂ 図形
ＦＧ０３ａ，ＦＧ０３ｂ 図形
ＳＴＲ１ ストライプ枠
ＶＤＰＢ１１ 仮想ブロック枠

Claims (5)

  1. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データ中のセルに含まれている図形に対応するパターンを、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部と、
    前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データが入力されて格納される入力バッファと、
    前記試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割する分割部と、
    前記ストライプ枠内の前記複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成する仮想ブロック枠構成部と、
    前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータが、前記入力バッファから読み出されて格納される入力データ分割モジュールの出力バッファと、
    前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第１コンバータと、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第２コンバータと、前記第１コンバータと前記第２コンバータとの共有メモリと、を有するコンバータモジュールと、
    前記仮想ブロック枠に対応するデータを、前記入力データ分割モジュールの前記出力バッファから、前記第１ブロック枠に対応する第１コンバータと前記第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの前記共有メモリに転送する転送部と、
    を具備し、
    前記第１コンバータは、前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理し、
    前記第２コンバータは、前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによる変換処理に並列して描画装置内部フォーマットデータに変換処理することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記仮想ブロック枠構成部が、まとめられる前記ブロック枠の数と、前記共有メモリを共有しているコンバータの数とが一致するように、前記仮想ブロック枠を構成することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、
    各セルに１個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
    前記試料上の描画領域全体に対応する描画データを入力バッファに格納し、
    前記試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割し、
    前記ストライプ枠内の前記複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成し、
    前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータを、入力バッファから読み出して、入力データ分割モジュールの出力バッファに格納し、
    前記仮想ブロック枠に対応するデータを、入力データ分割モジュールの出力バッファから、第１ブロック枠に対応する第１コンバータと第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの共有メモリに転送し、
    前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理し、
    前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによる変換処理に並列して、前記第２コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
  4. 前記仮想ブロック枠を構成するためにまとめられる前記ブロック枠の数と、前記共有メモリを共有しているコンバータの数とを一致させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
  5. 前記ストライプ枠内のすべてのブロック枠がいずれかの仮想ブロック枠に含まれるように、前記ストライプ枠内に複数の仮想ブロック枠を構成することを特徴とする請求項３又は４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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