JP4758829B2 - 荷電ビーム描画装置および描画方法 - Google Patents
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Description
このように、化学増幅レジストを用いたマスク製造では、基板であるレチクル面上の位置において描画後の経過時間差によるレジストの感度変化が生じ、出来上がりの原画パターンの寸法精度が低下し易くなる。
このような問題は、基板がレチクルである場合に限らず、例えばウェーハ等の基板上に荷電ビームで直接描画する場合にも同様に生じる。
ここで、描画フレームは主偏向器13aの偏向幅により決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールドは副偏向器13bにより決まる単位描画領域である。
本実施形態では、この描画において、上記描画装置の制御計算部31が描画時間情報として、時間マップ演算部41で設定する図2に示したような基板11のブロックAi(i=1〜n)における上述した描画時刻を、描画開始から描画終了までの描画履歴に記録していく。
また、レジストは、化学増幅レジストの場合に限定されるものではなく、その感度が経時変化する場合には本発明は同様にして適用される。
12 電子ビーム
13 偏向器
13a 主偏向器
13b 副偏向器
14 基板室
15 ステージ
16 ステージ駆動回路
17 位置回路
18 電子光学鏡筒
19 電子銃
20 描画光学系
21〜25 各種レンズ
26 ブランキング用偏向器
27 ビーム寸法可変用偏向器
28,29 ビーム成形用アパーチャ
30 描画制御系
31 制御計算部
32 磁気ディスク
33 ブランキング回路
34 ビーム成形器ドライバ
35 主偏向器ドライバ
36 副偏向器ドライバ
37 描画フレーム
38 描画ストライプ
39 加熱プレート
40 描画補正系
41 時間マップ演算部
42 CDマップ演算部
43 温度マップ演算部
44 レジスト加熱処理部
Ai(i=1〜n) ブロック
Bi(i=1〜n) ヒータブロック
Claims (6)
- 基板上のレジストにパターンを描画する荷電ビームを発生させ該荷電ビームを集束し偏向する描画光学系と、前記基板を搭載し前記荷電ビームに対して基板を移動させるステージと、該ステージがその内部に配置される基板室と、前記荷電ビームの描画および前記ステージの移動を制御する描画制御系とを有する荷電ビーム描画装置において、
前記描画制御系に記録される描画時間情報に基づいて、前記基板面上の位置における前記描画後の経過時間を演算処理する経過時間演算手段と、
前記経過時間演算手段により求めた前記経過時間をパターン寸法変化量に変換する寸法変化量演算手段と、
前記寸法変化量演算手段により求めた前記パターン寸法変化量を加熱処理温度に換算する加熱温度演算手段と、
前記加熱処理温度を前記基板面上の位置に設定して前記レジストを加熱処理する基板加熱手段と、
を備えることを特徴とする荷電ビーム描画装置。 - 前記描画時間情報は、前記荷電ビームの描画時刻および前記ステージの移動時刻の情報を含むことを特徴とする請求項1に記載の荷電ビーム描画装置。
- 前記経過時間演算手段は、描画パターンデータを分割する描画ストライプあるいは描画フレームに従って、前記基板面上の位置をブロック分割し各ブロックに前記描画後の経過時間を割り当てることを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電ビーム描画装置。
- 前記寸法変化量演算手段は、前記レジストの描画パターン寸法の経時変化特性に基づいて行うことを特徴とする請求項1,2又は3に記載の荷電ビーム描画装置。
- 前記加熱温度演算手段は、前記レジストの加熱処理における描画パターン寸法変化の温度特性に基づいて行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の荷電ビーム描画装置。
- 基板上のレジストにパターンを描画するときに荷電ビームの描画時刻および前記基板の移動時刻を記録して描画時間情報を生成する工程と、
前記描画時間情報に基づいて、前記基板面上の位置における前記描画後の経過時間を演算処理する工程と、
前記基板面上の位置における経過時間をパターン寸法変化量に変換する工程と、
前記パターン寸法変化量を加熱処理温度に換算する工程と、
前記加熱処理温度を前記基板面上の位置に設定して前記レジストを加熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
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