JP6603108B2 - 荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、レジストヒーティング補正を行う装置および方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図１８は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。

光リソグラフィ技術の進展や、ＥＵＶによる短波長化に伴い、マスク描画に必要な電子ビームのショット数は加速的に増加している。一方で、微細化に必要な線幅精度を確保するために、レジストを低感度化し、照射量を上げることでショットノイズやパターンのエッジラフネスの低減を図っている。このように、ショット数と照射量が際限なく増え続けているため、描画時間も際限なく増加していく。そのため、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。

しかしながら、増加した照射エネルギー量を、より高密度な電子ビームで短時間に照射しようとすると、基板温度が過熱してレジスト感度が変化し、線幅精度が悪化する、レジストヒーティングと呼ばれる現象が生じてしまうといった問題があった。そこで、偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出し、代表温度を用いて照射量を変調する手法（ヒーティング補正）が検討されている（特許文献１参照）。

一方で、電子ビーム描画では、電子ビームをレジストが塗布されたマスクに照射して回路パターンを描画する場合、電子ビームがレジスト層を透過してその下の層に達し、再度レジスト層に再入射する後方散乱による近接効果と呼ばれる現象が生じてしまう。これにより、描画の際、所望する寸法からずれた寸法に描画されてしまう寸法変動が生じてしまう。かかる現象を回避するために、描画装置内では、近接効果補正演算を行って、例えば、照射量を変調することでかかる寸法変動を抑制することが行われる。

特開２０１２−０６９６７５号公報

上述したレジストヒーティングに対する照射量変調は、電子ビームによる注目するショットのショット時の温度を考慮して行われる。そのため、注目するショットとは異なる周辺の位置でのショットによる後方散乱によって生じる近接効果の補正計算には、温度が考慮されていない。そのため、後方散乱に対するヒーティング効果が大きい場合、従来の計算モデルでは補正誤差が大きくなってしまうといった問題があった。そのため、後方散乱電子の露光時に対するヒーティング効果の補正を行うことが望ましい。しかしながら、従来、十分な補正手法が確立されていなかった。

そこで、本発明の一態様は、後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行うためのパラメータを取得可能な方法、或いはかかるパラメータを用いて照射量補正を行った描画が可能な装置および方法を提供する。

本発明の一態様の荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法は、
荷電粒子ビームを用いて、レジストが塗布された基板上に、複数の評価パターンを描画する工程と、
評価パターン毎に描画条件を可変にしながら、描画条件毎に、複数の評価パターンのうちの異なるいずれかの評価パターンの周辺に、当該評価パターンの描画によるレジストの温度上昇の影響が無視できる時間が経過した後、荷電粒子ビームの複数のショットを用いて、対応する描画条件に従って周辺パターンを描画する工程と、
描画条件毎に、周辺に周辺パターンが描画された評価パターンの幅寸法を測定する工程と、
描画条件毎に、複数のショットの各ショットから当該評価パターンに到達する後方散乱ドーズ量を演算する工程と、
描画条件毎に、複数のショットの各ショット時における当該ショット時よりも前のショットからの熱伝達による当該評価パターンの温度上昇量を演算する工程と、
描画条件毎の評価パターンの幅寸法と、描画条件毎の各ショット時における当該評価パターンの温度上昇量と、描画条件毎の各ショットからの評価パターンへの後方散乱ドーズ量とを用いて、評価パターンの幅寸法変動量と評価パターンの温度上昇量と評価パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関関係を定義する相関パラメータを演算し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、レジスト種毎に、相関パラメータを取得すると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画対象基板に塗布されたレジスト種の情報を抽出する工程と、
レジスト種毎の、図形パターンの設計寸法からの幅寸法変動量と図形パターンの温度上昇量と図形パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関パラメータを記憶する記憶装置から、抽出されたレジスト種に対応する相関パラメータを読み出し、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に相関パラメータを用いて当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する工程と、
幅寸法変動量を用いて、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に荷電粒子ビームの照射量の補正が必要かどうかを判定する工程と、
照射量の補正が必要と判定された場合に、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正係数を演算する工程と、
補正係数を用いて、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する工程と、
補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて、基板上に所定の描画条件下で図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、当該図形パターンのショット位置が近接効果の影響範囲内に入る荷電粒子ビームの複数のショットの各ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算する工程と、
複数のショットのショット時毎に、当該ショット時における他のショットからの熱伝達により上昇する当該図形パターンのショット位置での温度上昇量を演算する工程と、
ショット時毎の当該図形パターンのショット位置での温度上昇量と、ショット時毎の当該ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量と、相関パラメータを用いて、当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する工程と、
をさらに備え、
補正係数は、相関パラメータを用いて演算された当該図形パターンの幅寸法変動量を補正するように演算されると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画対象基板に塗布されたレジスト種の情報を抽出する抽出部と、
レジスト種毎の、図形パターンの設計寸法からの幅寸法変動量と図形パターンの温度上昇量と図形パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関パラメータを記憶する記憶装置と、
記憶装置から、抽出されたレジスト種に対応する相関パラメータを読み出し、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に相関パラメータを用いて当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する幅寸法変動量演算部と、
幅寸法変動量を用いて、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に荷電粒子ビームの照射量の補正が必要かどうかを判定する判定部と、
照射量の補正が必要と判定された場合に、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
補正係数を用いて、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正部と、
補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて、基板上に所定の描画条件下で図形パターンを描画する描画部と、
当該図形パターンのショット位置が近接効果の影響範囲内に入る荷電粒子ビームの複数のショットの各ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算する後方散乱ドーズ量演算部と、
前記複数のショットのショット時毎に、当該ショット時における他のショットからの熱伝達により上昇する当該図形パターンのショット位置での温度上昇量を演算する温度上昇量演算部と、
前記ショット時毎の当該図形パターンのショット位置での温度上昇量と、前記ショット時毎の当該ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量と、前記相関パラメータを用いて、当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する幅寸法変動量演算部と、
を備え、
前記補正係数は、前記相関パラメータを用いて演算された当該図形パターンの幅寸法変動量を補正するように演算されることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行うためのパラメータを取得できる。よって、精度の高い寸法でパターンを描画できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。 実施の形態１の比較例（１）における測定幅寸法位置での後方散乱量と温度上方の一例を示す図である。 実施の形態１の比較例（２）における測定幅寸法位置での後方散乱量と温度上方の一例を示す図である。 実施の形態１における電子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における評価手法と測定幅寸法位置での温度上方の一例を示す図である。 実施の形態１の比較例（２）における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す図である。 実施の形態１における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す図である。 実施の形態１における注目ショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算するための計算モデルの一例を示す図である。 実施の形態１における他のショットからの熱伝達に起因して生じる注目ショット位置での温度上昇量を演算するための計算モデルの一例を示す図である。 実施の形態１における相関関係のモデルの一例を示す図である。 実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。 実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。 実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。 実施の形態１におけるレジスト種依存の幅寸法の一例を示す図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における幅寸法と照射量との関係の一例を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカー）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１（基板）が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。或いは、ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された評価対象となる評価基板３００（基板）が配置される。評価基板３００には露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。マスクブランクスは、ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）等の遮光膜及びレジスト膜の順で各膜が積層されている。また、レジスト種が異なる複数の評価基板３００が用いられる。

制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプユニット１３０，１３２，１３４（偏向アンプ）、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４，１４６，１４８を有している。制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、及び記憶装置１４０，１４２，１４４，１４６，１４８は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプユニット１３０，１３２，１３４が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２は、副偏向器２０９に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３４は、主偏向器２０８に接続されている。

また、制御計算機ユニット１１０内には、描画条件設定部５０、ショットデータ生成部５２、判定部５３、照射量演算部５４、設定部５６、レジスト情報抽出部５８、後方散乱ドーズ量演算部６０、温度上昇量演算部６２、幅寸法変動量（ΔＣＤ）演算部６４、判定部６６、補正係数演算部６８、補正部７０、判定部７２、描画制御部７４、ΔＣＤ演算部７６、及び相関パラメータ演算部７８が配置される。各「〜部」は、１つの処理回路を含み、その処理回路として、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜部」に含まれる処理回路は、共通する回路（同じ回路）を用いてもよい。或いは、異なる回路（別々の回路）を用いても良い。制御計算機ユニット１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。

描画データが描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４０に格納されている。描画条件情報及びレジスト情報が描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４２に格納されている。レジスト種毎の相関パラメータの情報が記憶装置１４４に格納されている。レジスト種毎の相関パラメータの情報は、描画装置１００の外部から入力されてもよいし、描画装置１００の内部で演算されてもよい。また、評価パターンのチップＡデータとチップＢデータが描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４６に格納されている。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０（小領域）に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０の各ショット位置４２にショット図形が描画される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが形成される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３４では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器２０８に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）の基準位置に偏向される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３２に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３２では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器２０９に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）内の各ショット位置に偏向される。

描画装置１００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９といった２段偏向器が用いられる。但し、これに限るものではなく、１段偏向であっても良いし、３段偏向以上であっても良い。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。そして、主偏向器２０８（第１の偏向器）が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。また、副偏向器２０９（第２の偏向器）が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、当該ＳＦ３０内に照射されるビームのショット位置４２に電子ビーム２００を偏向する。このように、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、サイズの異なる偏向領域をもつ。そして、ＳＦ３０は、かかる複数段の偏向器の偏向領域のうち、最小偏向領域となる。

ここで、周辺ショットの近接効果の影響範囲内に注目ショット位置が存在する場合に、周辺ショットのビーム照射によって生じる後方散乱電子によって、周辺ショットのビーム照射時と実質同時に注目ショット位置が露光される。そのため、従来の近接効果補正では、かかる後方散乱電子分のドーズ量が注目ショット位置に蓄積される点を考慮する計算を行っていた。ここで、注目ショット位置に注目ショットを行う場合だけでなく、他のショットによって生じる後方散乱電子が注目ショット位置を露光する時にも、温度の影響を受けているはずである。しかしながら、従来の近接効果補正では後方散乱電子が注目ショット位置を露光する時の温度の影響については考慮していなかった。そのため、後方散乱に対するヒーティング効果が大きい場合、従来の計算モデルでは補正誤差が大きくなってしまう。そこで、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を他の原因による寸法変動量から分離して把握することが望ましい。

図３は、実施の形態１の比較例（１）における測定幅寸法位置での後方散乱量と温度上方の一例を示す図である。図３（ａ）の例では、レジストが塗布された評価基板上に、幅寸法（ＣＤ）を測定する位置の周辺に周辺パターン１４を電子ビームによる複数のショットを用いて描画した後に、ＣＤを測定する位置（測定幅寸法位置）にライン状の評価パターン１２を描画する場合を示す。図３（ａ）の例では、評価パターン１２が、例えば、複数の矩形ショット図形を１列につなげることでラインパターンを形成するように構成されている場合を示している。一方、周辺パターン１４は、周辺の領域を埋め尽くす所謂べたパターンとする場合を示している。周辺パターン１４と評価パターン１２は、１つのチップデータ内に定義され、各ショットは設定された静定時間（セトリング時間）のショット間待機時間を設けて連続して行われる場合を示している。ここでは、短いセトリング時間（ショートセトリング）のショット間待機時間に設定した場合と、長いセトリング時間（ロングセトリング）のショット間待機時間に設定した場合と、を評価する。なお、例えば、評価パターン１２を構成する矩形ショット図形群の中心ショット図形を測定ＣＤ位置とする。

かかる場合に、図３（ｂ）では、縦軸に、測定ＣＤ位置に照射（露光）されるドーズ量を示している。横軸に、評価パターン１２と周辺パターン１４を形成する複数のショット図形を描画する際の各ショットの番号をショット順に示している。図３（ｂ）に示すように、まずは周辺パターン１４から描画するので、周辺パターン１４を形成する複数のショット図形を描画する際の各ビームショット時に、周辺パターン１４のショットにより生じた後方散乱電子のうち、測定ＣＤ位置に照射されるドーズ量が示されている。そして、最後に評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する際にショットするビーム自身（前方散乱）のドーズ量が示されている。周辺パターン１４の各ショットのビーム自身（前方散乱）のドーズ量はショット間のセトリング時間が違っても変わらないので、図３（ｂ）に示すように、後方散乱電子のドーズ量（後方散乱ドーズ量）は、ショット間のセトリング時間に無関係に同じ値をとる。

一方、測定ＣＤ位置の温度の様子は異なる。先に別の位置にショットされたビームによって上昇した温度が熱伝達されることによって評価基板の測定ＣＤ位置の温度は変化する。図３（ｃ）に示すように、セトリング時間が短い場合には、先のショットから熱伝達されて上昇した温度が放熱（拡散）によって低下する前に、次のショットから熱伝達されてしまうので、評価基板の測定ＣＤ位置の温度は上昇していく。一方、セトリング時間が長い場合には、先のショットから熱伝達されて上昇した温度が放熱（拡散）によって低下した後に、次のショットから熱伝達されるので、評価基板の測定ＣＤ位置の温度の上昇は抑えられる。よって、最後に評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する時のレジスト温度が、短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とではそもそも異なってしまう。よって、レジスト温度が高い短いセトリング時間の場合の方が、評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する時のショットのドーズ量によるレジスト解像量が大きくなってしまう。よって、最終的に得られた評価パターン１２の測定ＣＤ位置で測定される幅寸法ＣＤを短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とで比較しても、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を他の原因による寸法変動量から分離することが困難である。

図４は、実施の形態１の比較例（２）における測定幅寸法位置での後方散乱量と温度上方の一例を示す図である。図４（ａ）の例では、レジストが塗布された評価基板上に、ＣＤを測定する位置（測定幅寸法位置）にライン状の評価パターン１２を描画した後に、幅寸法（ＣＤ）を測定する位置の周辺に周辺パターン１４を電子ビームによる複数のショットを用いて描画する場合を示す。図３（ａ）の例と順番を逆にした例である。ここでも、周辺パターン１４と評価パターン１２は、１つのチップデータ内に定義され、各ショットは設定された静定時間（セトリング時間）のショット間待機時間を設けて連続して行われる場合を示している。図４（ａ）の例では、図３（ａ）の例と同様、短いセトリング時間（ショートセトリング）のショット間待機時間に設定した場合と、長いセトリング時間（ロングセトリング）のショット間待機時間に設定した場合と、を評価する。例えば、評価パターン１２を構成する矩形ショット図形群の中心ショット図形を測定ＣＤ位置とする。

かかる場合に、図４（ｂ）では、縦軸に、測定ＣＤ位置に照射（露光）されるドーズ量を示している。横軸に、評価パターン１２と周辺パターン１４を形成する複数のショット図形を描画する際の各ショットの番号をショット順に示している。図４（ｂ）に示すように、まずは評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する際にショットするビーム自身（前方散乱）のドーズ量が示されている。続いて、周辺パターン１４を形成する複数のショット図形を描画する際の各ビームショット時に、周辺パターン１４のショットにより生じた後方散乱電子のうち、測定ＣＤ位置に照射されるドーズ量が示されている。周辺パターン１４の各ショットのビーム自身（前方散乱）のドーズ量はショット間のセトリング時間が違っても変わらないので、図４（ｂ）に示すように、後方散乱電子のドーズ量（後方散乱ドーズ量）は、ショット間のセトリング時間に無関係に同じ値をとる。

一方、測定ＣＤ位置の温度の様子は異なる。図４（ｃ）に示すように、周辺パターン１４を後に描画するので、図３（ｃ）に比べると、周辺パターン１４の各ショットからの熱伝達により評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する時のレジスト温度の上昇は無くなる。しかし、短いセトリング時間の場合、評価パターン１２を形成する複数のショットによって上昇したレジスト温度が放熱（拡散）によって低下する前に周辺パターン１４の描画が開始されるので、周辺パターン１４の各ショットにより生じた後方散乱電子が測定ＣＤ位置を露光する際のレジスト温度が、短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とではそもそも異なってしまう。よって、レジスト温度が高い短いセトリング時間の場合の方が、周辺パターン１４の描画開始時点での測定ＣＤ位置での後方散乱電子のドーズ量によるレジスト解像量が大きくなってしまう。

さらに、図４（ｄ）に示すように、短いセトリング時間の場合、評価パターン１２自身を形成する際に測定ＣＤ位置のショット１１よりも前にビームが照射されたショット１３からの熱伝達によりショット１１の時のレジスト温度の上昇が生じる。よって、評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する時のレジスト温度が、短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とではそもそも異なってしまう。よって、レジスト温度が高い短いセトリング時間の場合の方が、評価パターン１２を形成する測定ＣＤ位置でのショット図形を描画する時のショットのドーズ量によるレジスト解像量が大きくなってしまう。

よって、最終的に得られた評価パターン１２の測定ＣＤ位置で測定される幅寸法ＣＤを短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とで比較しても、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を他の原因による寸法変動量から分離できていない。

そこで、実施の形態１では、以下のように測定することで、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を他の原因による寸法変動量から分離する。

図５は、実施の形態１における電子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における電子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法は、描画条件設定工程（Ｓ１０２）と、評価パターン描画工程（Ｓ１０４）と、周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）と、判定工程（Ｓ１０８）と、描画条件変更工程（Ｓ１１０）と、幅寸法（ＣＤ）測定工程（Ｓ１１２）と、幅寸法変動量（ΔＣＤ）演算工程（Ｓ１１４）と、後方散乱ドーズ量演算工程（Ｓ１１６）と、温度上昇量演算工程（Ｓ１１８）と、相関パラメータ演算工程（Ｓ１２０）と、いう一連の工程を実施する。

描画条件設定工程（Ｓ１０２）として、描画条件設定部５０は、描画装置１００にチップＡとチップＢとを描画する場合の描画条件を設定する。描画条件として、例えば、複数のショット間のセトリング時間が挙げられる。チップＡでは、長いセトリング時間を設定する。例えば、８００ｎｓに設定する。チップＡでは、周囲のショットからの伝熱により上昇した温度が拡散後に注目するショットが開始されるようにショット間の待機時間となるセトリング時間を設定すればよい。次に、チップＢのパターンを形成する複数のショット間のセトリング時間を設定する。チップＢでは、短いセトリング時間から長いセトリング時間までの複数のセトリング時間を用意する。例えば、２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、３００ｎｓ、及び８００ｎｓを用意する。そして、複数のセトリング時間のうちの１つのセトリング時間を設定する。例えば、２０ｎｓに設定する。後述するように、チップＢの描画では、チップＢのパターン単位でセトリング時間を可変しながら複数回チップＢのパターンを描画する。描画条件設定部５０は、その他の描画条件を設定する。例えば、照射量（ドーズ量）、多重描画のパス数（多重度）、ショットの描画順、及び最大ショットサイズ等が挙げられる。

図６は、実施の形態１における評価手法と測定幅寸法位置での温度上方の一例を示す図である。図６（ａ）に示すように、実施の形態１では、評価パターン１２と周辺パターン１４とで異なるチップに定義する。図６（ａ）の例では、評価パターン１２をチップＡに定義して、周辺パターン１４をチップＢに定義する。図６（ａ）の例では、例えば、１つのＳＦ３０内に例えばラインパターンとなる１つの評価パターン１２を配置する。そして、かかるＳＦ３０を中心に近接効果の影響範囲１５内にある複数のＳＦ３０について全面描画する所謂べたパターンにより構成される周辺パターン１４を配置する。なお、評価パターン１２が配置されたＳＦ３０についても評価パターン１２との間に隙間を空けて、残りの領域にべたパターンを配置すると良い。隙間は、寸法測定器で評価パターン１２の幅寸法を測定可能なサイズであればよい。例えば、最大ショットサイズの数倍、例えば、５倍程度の隙間を空ければよい。そして、図６（ａ）に示すように、まずは、評価パターン１２が定義されたチップＡの描画を行う。その後、描画対象チップをチップＡからチップＢに変えて、評価パターン１２の周囲に、周辺パターン１４が定義されたチップＢの描画を行う。チップＡの描画とチップＢの描画による組み合わせをチップＢの描画条件（ここではセトリング時間）を可変にしながら複数回行う。以下、具体的に説明する。

評価パターン描画工程（Ｓ１０４）として、描画制御部７４により制御された描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて、レジストが塗布された評価基板３００上に、チップＡに定義された複数の評価パターン１２を描画する。ここでは、評価基板３００上の離散された各位置にそれぞれ評価パターン１２を描画する。例えば、数個分離れたストライプ領域２０毎にそれぞれ評価パターン１２を描画する。隣り合う評価パターン１２間の距離は、相手側の評価パターン１２の描画用のビームショットからの熱伝達により、自己の評価パターン１２を描画する位置のレジスト温度が上昇しない距離であって、相手側の評価パターン１２の描画用のビームショットの近接効果の影響範囲外になる距離であると好適である。すなわち、自己の評価パターン１２を描画する際に、相手側の評価パターン１２の描画により影響を受けない距離を保てばよい。なお、ここでは、チップＡに複数の評価パターン１２を定義し、１枚の評価基板３００に位置を変えて複数の評価パターン１２を描画する場合を示したが、これに限るものではない。各評価パターン１２を別々の評価基板３００に描画する場合であってもよい。

なお、チップＡに定義された複数の評価パターン１２を描画するには、ショットデータ生成部５２が記憶装置１４６からチップＡのチップデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、チップＡに定義された評価パターン１２を描画装置１００で描画可能な複数のショット図形に分割する。そして、ショット図形毎に、図形種、座標位置、サイズ等が定義されたショットデータを生成する。生成されたショットデータは記憶装置１４８に格納される。そして、ショットデータは、描画制御部７４の制御のもと、偏向制御回路１２０に出力され、各種の偏向データが生成され、描画制御部７４により制御された描画部１５０によって描画が実行される。

周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）として、描画制御部７４により制御された描画部１５０は、複数の評価パターン１２のうちの異なるいずれかの評価パターン１２の周辺に、当該評価パターン１２の描画によるレジストの温度上昇の影響が無視できる時間が経過した後、電子ビーム２００の複数のショットを用いて、対応する描画条件に従ってチップＢに定義された周辺パターン１４を描画する。ここでは、例えば、複数の評価パターン１２のうちの１つの周辺に、セトリング時間が２０ｎｓに設定されたショット間待機時間で周辺パターン１４を描画する。

判定工程（Ｓ１０８）として、判定部５３は、予定されたすべての描画条件での周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）が終了したかどうかを判定する。ここでは、例えば、周辺パターン１４の描画用に用意された複数のセトリング時間について、すべてのセトリング時間での周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）が終了したかどうかを判定する。予定されたすべての描画条件での周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）が終了した場合には、幅寸法（ＣＤ）測定工程（Ｓ１１２）に進む。予定されたすべての描画条件での周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）が終了していない場合には、描画条件変更工程（Ｓ１１０）に進む。

描画条件変更工程（Ｓ１１０）として、描画条件設定部５０は、描画装置１００に設定されたチップＢを描画する場合の描画条件を変更する。例えば、セトリング時間を２０ｎｓから５０ｎｓに変更する。そして、周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）に戻り、判定工程（Ｓ１０８）において予定されたすべての描画条件での周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）が終了したと判定されるまで、周辺パターン描画工程（Ｓ１０６）から描画条件変更工程（Ｓ１１０）までを繰り返す。その際、描画条件毎に、周辺パターン１４を周辺に描画する評価パターン１２を別の評価パターン１２に切り替える。

以上のように、実施の形態１では、評価パターン１２毎に描画条件を可変にしながら、描画条件毎に、複数の評価パターン１２のうちの異なるいずれかの評価パターン１２の周辺に、当該評価パターン１２の描画によるレジストの温度上昇の影響が無視できる時間が経過した後、電子ビーム２００の複数のショットを用いて、対応する描画条件に従ってチップＢに定義された周辺パターン１４を描画する。

なお、チップＢに定義された周辺パターン１４を描画するには、ショットデータ生成部５２が記憶装置１４６からチップＢのチップデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、チップＢに定義された周辺パターン１４を描画装置１００で描画可能な複数のショット図形に分割する。そして、ショット図形毎に、図形種、座標位置、サイズ等が定義されたショットデータを生成する。生成されたショットデータは記憶装置１４８に格納される。そして、ショットデータは、描画制御部７４の制御のもと、偏向制御回路１２０に出力され、各種の偏向データが生成され、描画制御部７４により制御された描画部１５０によって描画が実行される。なお、かかるデータ処理の時間により、周辺パターン１４の描画を開始するまでには、評価パターン１２の描画によるレジストの温度上昇の影響が無視できる時間が経過する。実施の形態１では、チップＡとチップＢとに分けることで、周辺パターン１４の描画に起因した後方散乱電子が評価パターン１２の寸法測定位置を露光する際に、評価パターン１２の描画によるレジストの温度上昇の影響を排除できる。

図６（ｂ）に示すように、チップを変えて周辺パターン１４を後に描画するので、評価パターン１２を形成する複数のショットによって上昇したレジスト温度が放熱（拡散）によって低下した後に周辺パターン１４の描画が開始されるので、周辺パターン１４の各ショットにより生じた後方散乱電子が測定ＣＤ位置を露光する際のレジスト温度に影響を与えないようにできる。よって、後方散乱電子が測定ＣＤ位置を露光する際の測定ＣＤ位置のレジスト温度を、他の要因を排除した状態で、短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とで比較できる。なお、評価パターン１２を形成する複数のショット図形を描画する際にショットするビーム自身（前方散乱）のドーズ量と、周辺パターン１４を形成する複数のショット図形を描画する際の各ビームショット時に、周辺パターン１４のショットにより生じた後方散乱電子のうち、測定ＣＤ位置に照射されるドーズ量とは、図４（ｂ）と同様になる。言い換えれば、後方散乱電子のドーズ量は、ショット間の待機時間（セトリング時間）に依存しない。よって、図４（ｂ）と同様になる。

さらに、実施の形態１では、評価パターン１２自身を形成する際に長いセトリング時間に設定された各ショットで描画されるので、図４（ｄ）に示した測定ＣＤ位置のショット１１よりも前にビームが照射されたショット１３からの熱伝達により測定ＣＤ位置のレジスト温度が上昇したとしても、放熱（拡散）により温度が下がった後に、測定ＣＤ位置のショット１１を行うことができる。よって、最終的に得られた評価パターン１２の測定ＣＤ位置で測定される幅寸法ＣＤを短いセトリング時間の場合と長いセトリング時間の場合とで比較する場合に、その寸法差を後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量として、他の原因による寸法変動量から分離して測定できる。

そして、評価パターン１２と周辺パターン１４との描画条件が異なる複数の組合せが描画された評価基板３００を描画装置１００から搬出し、評価基板３００を現像する。これにより、評価パターン１２と周辺パターン１４との描画条件が異なる複数の組合せのレジストパターンが形成される。そして、かかるレジストパターンをマスクとして、遮光膜がエッチングされ、その後、レジスト材がアッシング等により除去されることで、遮光膜による評価パターン１２と周辺パターン１４との描画条件が異なる複数の組合せのパターン群が形成される。

幅寸法（ＣＤ）測定工程（Ｓ１１２）として、図示しない寸法測定器を用いて、描画条件毎に、周辺に周辺パターン１４が描画された評価パターン１２の幅寸法ＣＤを測定する。

幅寸法変動量（ΔＣＤ）演算工程（Ｓ１１４）として、ΔＣＤ演算部７６は、描画条件毎に、評価パターン１２の幅寸法変動量（ΔＣＤ）を演算する。

図７は、実施の形態１の比較例（２）における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す図である。図７（ａ）は、図４（ａ）と同様である。すなわち、図７（ａ）の例では、評価パターン１２と周辺パターン１４とを同じチップ内に定義し、レジストが塗布された評価基板上に、ＣＤを測定する位置（測定幅寸法位置）にライン状の評価パターン１２を描画した後に、設定されたセトリング時間後を設けただけで続けて、幅寸法（ＣＤ）を測定する位置の周辺に周辺パターン１４を電子ビームによる複数のショットを用いて描画する場合を示す。かかる描画を、セトリング時間を変えて同様に行う。その結果、図７（ｂ）に示すように、セトリング時間毎に、最終的に得られた測定幅寸法位置での幅寸法ＣＤが変化する。幅寸法ＣＤが収束する例えば３００ｎｓ以上のセトリング時間での幅寸法ＣＤがヒーティング効果に起因する寸法変動量が無い場合の値として見ることができる。かかるヒーティング効果に起因する寸法変動量が無い場合の幅寸法ＣＤに対して、セトリング時間が短くなるに従い、幅寸法ＣＤが大きくなっていく。その幅寸法ＣＤの差が、各セトリング時間での幅寸法変動量（ΔＣＤ）となる。しかし、上述したように、比較例（２）の手法では、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量だけの変化ではない。よって、かかる結果から後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を求めることは困難である。

図８は、実施の形態１における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す図である。図８（ａ）は、図６（ａ）と同様である。すなわち、評価パターン１２と周辺パターン１４とを別のチップにそれぞれ定義し、レジストが塗布された評価基板３００上に、ＣＤを測定する位置（測定幅寸法位置）にチップＡに定義されたライン状の評価パターン１２を描画した後に、幅寸法（ＣＤ）を測定する位置の周辺に、チップＢに定義された周辺パターン１４を電子ビームによる複数のショットを用いて描画する場合を示す。かかる描画を、セトリング時間を変えて同様に行う。その結果、図８（ｂ）に示すように、セトリング時間毎に、最終的に得られた測定幅寸法位置での幅寸法ＣＤが変化する。幅寸法ＣＤが収束する例えば３００ｎｓ以上のセトリング時間での幅寸法ＣＤがヒーティング効果に起因する寸法変動量が無い場合の値として見ることができる。かかるヒーティング効果に起因する寸法変動量が無い場合の幅寸法ＣＤに対して、セトリング時間が短くなるに従い、幅寸法ＣＤが大きくなっていく。その幅寸法ＣＤの差が、各セトリング時間での幅寸法変動量（ΔＣＤ）となる。図８（ｂ）に示すΔＣＤが図７（ｂ）に示すΔＣＤよりも小さくなっていることからもわかるように、図８（ｂ）に示すΔＣＤは、後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量の変化を他の要因の寸法変動量から分離して示されている。よって、かかる結果から後方散乱電子の露光に伴うヒーティング効果に起因する寸法変動量を求めることができる。

後方散乱ドーズ量演算工程（Ｓ１１６）として、後方散乱ドーズ量演算部６０は、描画条件毎に、周辺パターン１４を形成する複数のショットの各ショットから当該評価パターン１２に到達する後方散乱ドーズ量を演算する。

図９は、実施の形態１における注目ショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算するための計算モデルの一例を示す図である。図９（ａ）の例では、注目ショット位置ｉの位置（ｘｉ，ｙｉ）とは異なる周辺ショット位置ｊに電子ビームが照射された場合の入射ドーズ量（前方散乱電子）と後方散乱電子とを示している。前方散乱電子のドーズ量は矩形で示されている。後方散乱電子のドーズ量は分布関数のプロファイルで示されている。図９（ｂ）の例では、周辺ショット位置ｊの位置（ｘｊ，ｙｊ）と注目ショット位置ｉの位置（ｘｉ，ｙｉ）との位置関係の一例を示す。図９（ｂ）の例では、ビームサイズ（ａｊ×ｂｊ）のショットｊが、周辺ショット位置ｊに照射される場合に、周辺ショット位置ｊを中心とする後方散乱半径σ（近接効果の影響半径）内に、注目ショット位置ｉの座標（ｘｉ，ｙｉ）が存在する場合を示している。かかる場合に、注目ショット位置ｉに到達するｊ番目のショットによる後方散乱ドーズ量ｄｊは、ｉ番目のショットの位置（ｘｉ，ｙｉ）、ｊ番目のショットの位置（ｘｊ，ｙｊ）、ｊ番目のショットのビーム照射量Ｄｊ、後方散乱率η、後方散乱半径σ、及びｊ番目のショットのビームサイズ（ａｊ×ｂｊ）を用いて、以下の式（１）で定義できる。

温度上昇量演算工程（Ｓ１１８）として、温度上昇量演算部６２は、描画条件毎に、周辺パターン１４を形成する複数のショットの各ショット時における当該ショット時よりも前のショットからの熱伝達による当該評価パターン１２の温度上昇量を演算する。

図１０は、実施の形態１における他のショットからの熱伝達に起因して生じる注目ショット位置での温度上昇量を演算するための計算モデルの一例を示す図である。図１０では、ｊ番目のショットからｉ番目の注目ショットの位置（ｘｉ，ｙｉ）に熱伝達する場合を想定している。また、電子ビームのショットのエネルギーはすべてショットサイズの直方体に分布するものとする。かかる直方体の深さ方向サイズは、グル―ンレンジＲｇと呼ばれる、実験式から得られる電子のガラス基板（クォーツ）内の飛程（加速電圧が例えば５０ｋＶのビームの場合、２０μｍ以内となる）とする。熱伝達の媒体はガラス基板のみとし、遮光膜及びレジストは考慮しない。かかる場合に、ｊ番目のショットからの熱伝達に起因して生じるｉ番目の注目ショット位置での時刻ｔにおける温度上昇量δＴｉｊは、グル―ンレンジＲｇ、ガラス基板の密度ρ、ガラス基板の比熱Ｃｐ、加速電圧Ｖ、電流密度Ｊ、ｊ番目のショットのビーム照射開始時刻ｔ_ｊ，1、ｊ番目のショットのビーム照射終了時刻ｔ_ｊ，２、係数ｋ、ｉ番目の注目ショットのビーム照射時刻ｔｉ、注目する時刻ｔ、ｉ番目の注目ショットの位置（ｘｉ，ｙｉ）、ｊ番目のショットの左下角部の位置（ｘ_ｊ，１，ｙ_ｊ，１）、ｊ番目のショットの右上角部の位置（ｘ_ｊ，２，ｙ_ｊ，２）を用いて、以下の式（２）で定義できる。

但し、式（２）における関数Ｆは、以下の式（３）で定義される。

但し、式（２）及び式（３）における関数σ’は、以下の式（４）で定義される。

よって、時刻ｔ以前の全ショットから伝搬する注目時刻ｔにおけるｉ番目の注目ショットのショット位置での温度上昇量Ｔｉ（ｔ）は、時刻ｔ以前に照射された各ショットからの熱伝達に起因して生じるｉ番目の注目ショット位置での時刻ｔにおける温度上昇量δＴｉｊの総和となり、以下の式（５）で定義できる。

よって、周辺パターン１４を形成する複数のショットの各ショットについて、当該ショットを行う時刻ｔ以前に照射された各ショットからの熱伝達に起因して生じるｉ番目の注目ショット位置での時刻ｔにおける温度上昇量Ｔｉ（ｔ）をそれぞれ演算する。これにより、周辺パターン１４を形成する複数のショットの各ショットについて、当該ショットに起因する後方散乱電子が注目ＣＤ位置を露光する時刻における注目ＣＤ位置での温度上昇量Ｔｉ（ｔ）が得られる。

相関パラメータ演算工程（Ｓ１２０）として、相関パラメータ演算部７８は、描画条件毎の評価パターン１２の幅寸法ＣＤと、描画条件毎の周辺パターン１４の各ショット時における当該評価パターン１２の温度上昇量Ｔｉ（ｔ）と、描画条件毎の周辺パターン１４の各ショットからの評価パターン１２への後方散乱ドーズ量ｄｊとを用いて、評価パターン１２の幅寸法変動量ΔＣＤと評価パターン１２の温度上昇量Ｔｉ（ｔ）と評価パターン１２に到達する後方散乱ドーズ量ｄｊとの相関関係を定義する相関パラメータＢを演算する。

図１１は、実施の形態１における相関関係のモデルの一例を示す図である。図１０において、縦軸は、評価パターン１２（注目ＣＤ位置）の幅寸法変動量ΔＣＤを示す。横軸は、注目ショット位置ｉに到達するｊ番目のショットによる後方散乱ドーズ量ｄｊとｊ番目のショット時における注目ショット位置ｉの温度Ｔｊとの積の総和Σｄｊ・Ｔｊを示す。ｊ番目のショット時における注目ショット位置ｉの温度Ｔｊは、ｊ番目のショット時刻ｔ以前の全ショットから伝搬する注目時刻ｔにおけるｉ番目の注目ショットのショット位置での温度上昇量Ｔｉ（ｔ）となる。よって、描画条件毎に、周辺パターン１４を形成する各ショットについてのｄｊ・Ｔｊの総和Σｄｊ・Ｔｊと評価パターン１２（注目ＣＤ位置）の幅寸法変動量ΔＣＤとを近似式で近似する。ここでは、例えば１次式で近似する。近似式は、以下の式（６）で定義する。

よって、相関パラメータ演算部７８は、各描画条件でのΣｄｊ・Ｔｊと幅寸法変動量ΔＣＤとを用いて、近似式で示す相関関係を定義する相関パラメータＢ（電子ビームの照射量補正用パラメータ）を演算する。演算された相関パラメータＢは、レジスト種と関連させて記憶装置１４４に出力され、格納される。なお、相関関係は、１次式に限るものではなく、２次以上の多項式を用いても良い。

上述した例では、相関パラメータＢを求めるために、セトリング時間を振ることで注目ショット位置ｉの温度Ｔｊを変更する場合を示した。しかし、これに限るものではない。

図１２は、実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。図１２（ａ）では、評価パターン１２と評価パターン１２を取り囲む周辺パターン１４の一例を示す。図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）の周辺パターン１４の内側サイズを変えることで、評価パターン１２と周辺パターン１４との距離を変えることができる。評価パターン１２と周辺パターン１４との距離を可変に変えることにより、ｄｊとＴｊの値を振ることができる。また、図１２（ｃ）に示すように、チップＢに定義される周辺パターン１４を描画する際の照射量を可変に変えることにより、ｄｊとＴｊの値を振ることができる。

図１３は、実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。図１３（ａ）では、チップＡに定義される評価パターン１２を形成する各ショットを固定されたセトリング時間で描画し、チップＢに定義される周辺パターン１４を形成する各ショットのセトリング時間を可変にすることでＴｊの値を振ることができる。

図１４は、実施の形態１における評価パターンと周辺パターンの他の一例を示す図である。上述した例では、評価パターン１２と評価パターン１２を取り囲む周辺パターン１４とによる組み合わせを用いた場合を示したが、評価パターン１２と周辺パターン１４の形状はこれに限るものではない。図１４（ａ）に示すように、評価パターン１２ａ〜１２ｅを同方向に並ぶ複数のラインパターンで構成し、図１４（ｂ）に示すように、評価パターン１２を構成するラインパターン間に、周辺パターン１４ａ〜１４ｅとして、それぞれラインパターンを配置してもよい。かかる構成にしても、ｄｊとＴｊの値を振ることができる。

図１５は、実施の形態１におけるレジスト種依存の幅寸法の一例を示す図である。図７及び図８で説明した幅寸法ＣＤとセトリング時間の関係は、レジスト種に依存する。図１５（ａ）では、レジストＡを用いて例えば２３．５μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画３パスで描画した、実施の形態１の比較例（２）における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。図１５（ｂ）では、レジストＡを用いて例えば２３．５μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画３パスで描画した、実施の形態１における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。１パスあたりのドーズ量で最大寸法変動量を割ることで規格化すると、図１５（ａ）の例では、レジストＡを用いた場合に、０．２１７ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。図１５（ｂ）の例では、レジストＡを用いた場合に、０．０５６ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。

図１５（ｃ）では、レジストＢを用いて例えば１５．１μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画２パスで描画した、実施の形態１の比較例（２）における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。図１５（ｄ）では、レジストＢを用いて例えば１５．１μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画２パスで描画した、実施の形態１における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。１パスあたりのドーズ量で最大寸法変動量を割ることで規格化すると、図１５（ｃ）の例では、レジストＢを用いた場合に、０．３９７ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。図１５（ｄ）の例では、レジストＢを用いた場合に、０．２０１ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。

図１５（ｅ）では、レジストＣを用いて例えば６．４μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画１パス（多重しない）で描画した、実施の形態１の比較例（２）における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。図１５（ｆ）では、レジストＣを用いて例えば６．４μＣ／ｃｍ^２の照射量を多重描画１パス（多重しない）で描画した、実施の形態１における評価パターンの幅寸法とセトリング時間との関係の一例を示す。１パスあたりのドーズ量で最大寸法変動量を割ることで規格化すると、図１５（ｅ）の例では、レジストＣを用いた場合に、０．７３４ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。図１５（ｆ）の例では、レジストＣを用いた場合に、０．１９５ｎｍ／（μＣ／ｃｍ^２）となる。

以上のように、幅寸法ＣＤとセトリング時間の関係は、レジスト種に依存する。よって、実施の形態１では、レジスト種毎に、相関パラメータＢを取得すると好適である。相関パラメータＢを取得する方法は、上述した通りである。

以上のように実施の形態１によれば、レジスト種毎に、後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行うための相関パラメータＢを取得できる。相関パラメータＢは、レジスト種に関連させて記憶装置１４４に格納される。

なお、上述した例では、幅寸法ＣＤを測定した後、相関パラメータＢを演算するまでの各演算工程を描画装置１００内で行う場合を示したが、これに限るものではない。描画装置１００外の演算装置で演算してもよい。かかる場合には、演算されたレジスト種毎の相関パラメータＢは、描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４４に格納されればよい。言い換えれば、記憶装置１４４には、レジスト種毎の、図形パターン（ショット図形）の設計寸法からの幅寸法変動量ΔＣＤと図形パターン（ショット図形）の温度上昇量Ｔｊと図形パターン（ショット図形）に到達する後方散乱ドーズ量ｄｊとの相関パラメータＢが記憶される。

次に、かかる相関パラメータＢを使って後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行って描画する描画方法について説明する。

図１６は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１６において、実施の形態１における描画方法は、描画条件設定工程（Ｓ２０２）と、ショットデータ生成工程（Ｓ２０４）と、照射量演算工程（Ｓ２０６）と、抽出工程（Ｓ２０８）と、設定工程（Ｓ２１０）と、後方散乱ドーズ量演算工程（Ｓ２１２）と、温度上昇量演算工程（Ｓ２１４）と、ΔＣＤ演算工程（Ｓ２１６）と、判定工程（Ｓ２１８）と、補正係数演算工程（Ｓ２２０）と、照射量補正工程（Ｓ２２２）と、判定工程（Ｓ２２４）と、描画工程（Ｓ２２６）と、いう一連の工程を実施する。

描画条件設定工程（Ｓ２０２）として、描画条件設定部５０は、記憶装置１４２から描画条件情報を読み出し、描画装置１００に記憶装置１４０に格納された描画データに定義されたチップパターン（複数の図形パターン）を描画する場合の描画条件を設定する。描画条件として、例えば、複数のショット間のセトリング時間が挙げられる。その他、例えば、照射量（ドーズ量）、多重描画のパス数（多重度）、ショットの描画順、及び最大ショットサイズ等が挙げられる。

ショットデータ生成工程（Ｓ２０４）として、ショットデータ生成部５２は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、描画装置１００固有のショットデータを生成する。描画データに定義される各図形パターンは、そのサイズが、通常、描画装置１００でショット可能な最大ショットサイズよりも大きく、１回の電子ビーム２００のショットでは形成できない場合が多い。そのため、各図形パターンを電子ビームのショットが可能な最大ショットサイズ以下の複数のショット図形に分割する。そして、ショット図形毎に、ショットデータを生成する。ショットデータとして、当該ショット図形の図形種を示す図形コード、ショットされる座標、及びショット図形のサイズが定義される。各ショットデータは、描画制御部７４の制御のもと、ショット順に並び替えられ、記憶装置１４８に格納される。ショットデータは、例えば、ストライプ領域毎に演算される。

照射量演算工程（Ｓ２０６）として、照射量演算部５４は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、所定のサイズのメッシュ領域毎の照射量Ｄを演算する。ここでの照射量Ｄの演算手法は、従来の手法を用いればよい。照射量Ｄは、例えば、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、近接効果補正用の補正係数を用いると好適である。近接効果は、その影響半径（後方散乱半径σ）が、数μｍ〜１０μｍに及ぶため、補正演算を行なうには、かぶり用メッシュのサイズを影響半径の１／１０程度、例えば、０．５μｍ〜１μｍにすると好適である。その他、照射量は、かぶり効果補正用の照射係数やローディング補正用の補正係数等で補正すると好適である。そして、照射量演算部５４は、演算された各照射量を領域毎に定義した照射量マップを作成する。生成された照射量マップは、記憶装置１４８に記憶される。照射量マップは、例えば、ストライプ領域毎に演算される。なお、照射量マップは、各マップ値となる照射量を照射時間に変換した状態で定義すると良い。照射時間は、照射量Ｄを電流密度Ｊで割ることで定義できる。

抽出工程（Ｓ２０８）として、レジスト情報抽出部５８は、記憶装置１４２から描画対象基板となる試料１０１に塗布されたレジスト種の情報を抽出する。

設定工程（Ｓ２１０）として、設定部５６は、例えば描画順に、注目ショットを設定する。

後方散乱ドーズ量演算工程（Ｓ２１２）として、後方散乱ドーズ量演算部６０は、当該注目ショットのショット図形（図形パターン）のショット位置が近接効果の影響範囲内に入る電子ビーム２００の複数のショットの各ショットから当該注目ショットのショット図形のショット位置に到達する後方散乱ドーズ量ｄｊを演算する。後方散乱ドーズ量ｄｊの演算の手法は、上述した式（１）を用いればよい。演算に用いる各ショットの照射量は、記憶装置１４８に格納された照射量マップの該当位置の照射量を用いればよい。なお、注目ショットよりも前に照射されるショット位置でのビームショットから注目ショットの照射位置に届く後方散乱ドーズ量ｄｊは、後述する照射量補正工程（Ｓ２２２）にて補正後の照射量を用いるとなお良い。

温度上昇量演算工程（Ｓ２１４）として、温度上昇量演算部６２は、注目ショットのショット図形（図形パターン）のショット位置が近接効果の影響範囲内に入る複数のショットのショット時毎に、当該ショット時における他のショットからの熱伝達により上昇する当該注目ショットのショット図形（図形パターン）のショット位置での温度上昇量Ｔｊを演算する。ここでの「他のショット」は、注目ショットのショット位置に後方散乱電子を到達させるショットのショット時に、近接効果の影響範囲とは無関係に、既にショット済のすべてのショットが対象となる。但し、注目ショットのショット位置に熱伝達しない程度に離れた位置からのショットについては演算の対象から外しても良い。温度上昇量Ｔｊの演算の手法は、上述した式（２）〜式（５）を用いればよい。

ΔＣＤ演算工程（Ｓ２１６）として、ΔＣＤ演算部６４は、レジスト種毎の、図形パターンの幅寸法変動量ΔＣＤと図形パターンの温度上昇量Ｔｊと図形パターンに到達する後方散乱ドーズ量ｄｊとの相関パラメータＢを記憶する記憶装置１４４から、抽出されたレジスト種に対応する相関パラメータＢを読み出し、電子ビーム２００を用いて設定された描画条件（所定の描画条件）下で図形パターンを描画する場合に相関パラメータＢを用いて当該図形パターンの幅寸法変動量ΔＣＤを演算する。具体的には、ΔＣＤ演算部６４は、注目ショットのショット位置に後方散乱電子を到達させる各ショットのショット時毎の当該注目ショットのショット図形（図形パターン）のショット位置での温度上昇量Ｔｊと、注目ショットのショット位置に後方散乱電子を到達させる各ショットのショット時毎の当該ショットから当該注目ショットのショット図形（図形パターン）のショット位置に到達する後方散乱ドーズ量ｄｊと、相関パラメータＢを用いて、当該注目ショットのショット図形（図形パターン）の幅寸法変動量ΔＣＤを演算する。幅寸法変動量ΔＣＤの演算の手法は、上述した式（６）を用いればよい。

判定工程（Ｓ２１８）として、判定部５３は、幅寸法変動量ΔＣＤを用いて、電子ビーム２００を用いて設定さえた描画条件（所定の描画条件）下で注目ショットのショット図形（図形パターン）を描画する場合に、注目ショットの電子ビーム２００の照射量の補正が必要かどうかを判定する。具体的には、判定部５３は、演算された当該注目ショットのショット図形（図形パターン）の幅寸法変動量ΔＣＤが許容範囲内かどうかを判定する。演算された幅寸法変動量ΔＣＤが許容範囲内であれば、照射量の補正を行わずに判定工程（Ｓ２２４）に進む。演算された幅寸法変動量ΔＣＤが許容範囲内から外れた（大きい）場合、補正係数演算工程（Ｓ２２０）に進む。

補正係数演算工程（Ｓ２２０）として、補正係数演算部６８は、照射量の補正が必要と判定された場合に、注目ショットのショット図形（図形パターン）を描画するための電子ビームの照射量を補正する補正係数ｋを演算する。補正係数ｋは、相関パラメータＢを用いて演算された当該注目ショットのショット図形（図形パターン）の幅寸法変動量ΔＣＤを補正するように演算される。

図１７は、実施の形態１における幅寸法と照射量との関係の一例を示す図である。図１７では、縦軸に幅寸法ＣＤを示し、横軸に照射量Ｄを示す。幅寸法ＣＤと照射量Ｄとの関係は、予め実験等により求めておけばよい。なお、かかる関係は、パターン密度ρ毎に求めておくと良い。例えば、ρ≒０の場合と、ρ＝０．５（５０％）の場合と、ρ＝１（１００％）の場合とを求めておくとよい。そして、線形補間により、該当するパターン密度の場合の関係を求めればよい。そして、補正係数演算部６８は、照射量演算工程（Ｓ２０６）において演算された照射量Ｄ_０によって形成される幅寸法ＣＤ_０を幅寸法変動量ΔＣＤだけ補正する位置に対応する照射量Ｄ（＝ｋＤ_０）に補正するための補正係数ｋを演算する。

照射量補正工程（Ｓ２２２）として、補正部７０は、補正係数ｋを用いて、当該注目ショットのショット図形（図形パターン）を描画するための電子ビーム２００の照射量Ｄを補正する。補正された照射量Ｄは、記憶装置１４８に格納された照射量マップに上書きされる。なお、照射量マップのマップ値のサイズは、ショットサイズよりも大きく設定される。よって、同じマップ値内で異なる照射量が定義される場合もあり得る。よって、各マップ値にショット位置毎の照射量を属性データとして定義しておけばよい。

判定工程（Ｓ２２４）として、判定部７２は、当該ストライプ領域内のすべてのショットについて上述した設定工程（Ｓ２１０）から照射量補正工程（Ｓ２２２）までの各演算処理が終了したかどうかを判定する。終了している場合には、描画工程（Ｓ２２６）に進む。まだ、処理前のショットが残っている場合には、すべてのショットについての演算処理が完了するまで、設定工程（Ｓ２１０）に戻り、設定工程（Ｓ２１０）から判定工程（Ｓ２２４）までの各工程を繰り返す。

描画工程（Ｓ２２６）として、描画部１５０は、補正された照射量の電子ビーム２００を用いて、試料１０１（基板）上に設定された描画条件（所定の描画条件）下で各ショットのショット図形（図形パターン）を描画する。具体的には、以下のように動作する。
偏向制御回路１２０は、記憶装置１４８に格納された照射量マップから照射時間を取得する。そして、偏向制御回路１２０は、ショット毎の照射時間を制御するデジタル信号をＤＡＣアンプユニット１３０に出力する。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅した上で偏向電圧としてブランキング偏向器２１２に印加する。

電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器２１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。

以上のようにブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。

以上のように、実施の形態１によれば、後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行うためのパラメータＢを取得できる。よって、精度の高い寸法でパターンを描画できる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。

１０ 描画領域
２０ ストライプ領域
３０ ＳＦ
４２ ショット位置
５０ 描画条件設定部
５２ ショットデータ生成部
５３ 判定部
５４ 照射量演算部
５６ 設定部
５８ レジスト情報抽出部
６０ 後方散乱ドーズ量演算部
６２ 温度上昇量演算部
６４ ΔＣＤ演算部
６６ 判定部
６８ 補正係数演算部
７０ 補正部
７２ 判定部
７４ 描画制御部
７６ ΔＣＤ演算部
７８ 相関パラメータ演算部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機ユニット
１１２ メモリ
１２０ 偏向制御回路
１３０，１３２，１３４ ＤＡＣアンプユニット
１４０，１４２，１４４，１４６，１４８ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 第１の成形アパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６ 第２の成形アパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１２ ブランキング偏向器
２１４ ブランキングアパーチャ
３００ 評価基板
３３０ 電子線
３４０ 試料
４１０ 第１のアパーチャ
４１１ 開口
４２０ 第２のアパーチャ
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (4)

1. 荷電粒子ビームを用いて、レジストが塗布された基板上に、複数の評価パターンを描画する工程と、
   評価パターン毎に描画条件を可変にしながら、描画条件毎に、複数の評価パターンのうちの異なるいずれかの評価パターンの周辺に、当該評価パターンの描画によるレジストの温度上昇の影響が無視できる時間が経過した後、荷電粒子ビームの複数のショットを用いて、対応する描画条件に従って周辺パターンを描画する工程と、
   前記描画条件毎に、周辺に前記周辺パターンが描画された前記評価パターンの幅寸法を測定する工程と、
   前記描画条件毎に、前記複数のショットの各ショットから当該評価パターンに到達する後方散乱ドーズ量を演算する工程と、
   前記描画条件毎に、前記複数のショットの各ショット時における当該ショット時よりも前のショットからの熱伝達による当該評価パターンの温度上昇量を演算する工程と、
   前記描画条件毎の評価パターンの幅寸法と、前記描画条件毎の各ショット時における当該評価パターンの温度上昇量と、前記描画条件毎の各ショットからの評価パターンへの後方散乱ドーズ量とを用いて、評価パターンの幅寸法変動量と評価パターンの温度上昇量と評価パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関関係を定義する相関パラメータを演算し、出力する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法。
2. レジスト種毎に、前記相関パラメータを取得することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法。
3. 描画対象基板に塗布されたレジスト種の情報を抽出する工程と、
   レジスト種毎の、図形パターンの幅寸法変動量と図形パターンの温度上昇量と図形パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関パラメータを記憶する記憶装置から、抽出されたレジスト種に対応する相関パラメータを読み出し、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に前記相関パラメータを用いて当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する工程と、
   前記幅寸法変動量を用いて、荷電粒子ビームを用いて前記所定の描画条件下で前記図形パターンを描画する場合に荷電粒子ビームの照射量の補正が必要かどうかを判定する工程と、
   照射量の補正が必要と判定された場合に、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正係数を演算する工程と、
   前記補正係数を用いて、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する工程と、
   補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記基板上に前記所定の描画条件下で前記図形パターンを描画する工程と、
   当該図形パターンのショット位置が近接効果の影響範囲内に入る荷電粒子ビームの複数のショットの各ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算する工程と、
   前記複数のショットのショット時毎に、当該ショット時における他のショットからの熱伝達により上昇する当該図形パターンのショット位置での温度上昇量を演算する工程と、
   前記ショット時毎の当該図形パターンのショット位置での温度上昇量と、前記ショット時毎の当該ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量と、前記相関パラメータを用いて、当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する工程と、
   を備え、
   前記補正係数は、前記相関パラメータを用いて演算された当該図形パターンの幅寸法変動量を補正するように演算されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
4. 描画対象基板に塗布されたレジスト種の情報を抽出する抽出部と、
   レジスト種毎の、図形パターンの設計寸法からの幅寸法変動量と図形パターンの温度上昇量と図形パターンに到達する後方散乱ドーズ量との相関パラメータを記憶する記憶装置と、
   前記記憶装置から、抽出されたレジスト種に対応する相関パラメータを読み出し、荷電粒子ビームを用いて所定の描画条件下で図形パターンを描画する場合に前記相関パラメータを用いて当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する幅寸法変動量演算部と、
   前記幅寸法変動量を用いて、荷電粒子ビームを用いて前記所定の描画条件下で前記図形パターンを描画する場合に荷電粒子ビームの照射量の補正が必要かどうかを判定する判定部と、
   照射量の補正が必要と判定された場合に、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
   前記補正係数を用いて、当該図形パターンを描画するための荷電粒子ビームの照射量を補正する補正部と、
   補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記基板上に前記所定の描画条件下で前記図形パターンを描画する描画部と、
   当該図形パターンのショット位置が近接効果の影響範囲内に入る荷電粒子ビームの複数のショットの各ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量を演算する後方散乱ドーズ量演算部と、
   前記複数のショットのショット時毎に、当該ショット時における他のショットからの熱伝達により上昇する当該図形パターンのショット位置での温度上昇量を演算する温度上昇量演算部と、
   前記ショット時毎の当該図形パターンのショット位置での温度上昇量と、前記ショット時毎の当該ショットから当該図形パターンのショット位置に到達する後方散乱ドーズ量と、前記相関パラメータを用いて、当該図形パターンの幅寸法変動量を演算する幅寸法変動量演算部と、
   を備え、
   前記補正係数は、前記相関パラメータを用いて演算された当該図形パターンの幅寸法変動量を補正するように演算されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。