JP5547553B2

JP5547553B2 - 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法

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Publication number: JP5547553B2
Application number: JP2010120378A
Authority: JP
Inventors: 純八島
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2010-05-26
Filing date: 2010-05-26
Publication date: 2014-07-16
Anticipated expiration: 2030-05-26
Also published as: TWI436172B; TW201216007A; US20110291029A1; JP2011249509A; US9188853B2

Description

本発明はレジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法に関する。

従来から、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料に描画する描画部を有する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２０１０−７３９１８号公報）の段落〔００１３〕、段落〔００２１〕、段落〔００２４〕、段落〔００２５〕、段落〔００３３〕等に記載されたものがある。特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、ショット生成システム（ショットデータ生成部）によって、荷電粒子ビームを照射するためのショットデータが、描画データから生成される（特許文献１の段落〔００３３〕〜段落〔００３８〕参照）。

また、従来から、並列演算ユニット（ＰＰＵ：ＰａｒａｌｌｅｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）を有する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献２（特開２００８−２１８７６７号公報）の段落〔００２２〕および段落〔００２８〕などに記載されたものがある。更に、従来から、描画制御ユニット（ＷＣＵ：ＷｒｉｔｉｎｇＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ）を有する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献３（特開２００８−７１９２９号公報）の段落〔００２１〕などに記載されたものがある。

特開２０１０−７３９１８号公報特開２００８−２１８７６７号公報特開２００８−７１９２９号公報

特許文献１，２，３に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、あるブロック枠に対応する例えばＡｒｅａプロセスなどのようなプロセスと、他のブロック枠に対応する例えばＡｒｅａプロセスなどのようなプロセスとが、並列演算ユニット（ＰＰＵ）の複数の演算部（ＣＰＵ）によって並列に実行される。更に、並列演算ユニット（ＰＰＵ）のメモリの使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）が同時に使用される。

ところで、荷電粒子ビーム描画装置に入力される描画データの多様化などに伴い、ブロック枠に対応するプロセスの実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。そのような場合であっても、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）のみが同時に使用される。すなわち、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合に、使用可能な数よりも少ない数の演算部（ＣＰＵ）が同時に使用される。そのため、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合に、スループットを十分に向上させることができない。

一方、荷電粒子ビーム描画装置に入力される描画データの多様化、描画データに含まれている図形の微細化などに伴い、ブロック枠に対応するプロセスの実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合もある。そのような場合であっても、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）が同時に使用される。つまり、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合に、並列演算ユニット（ＰＰＵ）のメモリの使用率が限界値を超えてしまうおそれがある。従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、並列演算ユニット（ＰＰＵ）のメモリの使用率が限界値を超えると、処理速度、アクセス速度が並列演算ユニット（ＰＰＵ）のメモリより遅い記憶装置が用いられて並列演算ユニット（ＰＰＵ）による処理が実行される。そのため、スループットが大幅に低下してしまうおそれがある。

上述した問題点に鑑み、本発明は、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
詳細には、本発明は、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べて小さい場合、および、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べて大きい場合におけるスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
更に詳細には、本発明は、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時におけるスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成して出力するショット生成システムと、
ショットデータを生成または出力するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている複数の処理部と、
複数の処理部を管理するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットと、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と、
複数の処理部内にそれぞれ設けられており、処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリと、
各処理部内に配置され、処理部内の演算部およびメモリに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に次のプロセスの起動を拒否する処理部内のデーモンとを具備し、
前記複数の処理部のうち第１の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎にブロック枠単位のデータを生成する第１のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第２の処理部では、前記ブロック枠単位のデータを入力して、ブロック枠毎に前記ブロック枠単位のデータをデータ変換する第２のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第１の処理部内のデーモンは、前記第１の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第１の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第２の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第２のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
ショット生成システム内に設けられている処理部によって、荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成または出力するプロセスを実行し、
ショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットによって、複数の処理部を管理するプロセスを実行し、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と各処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリとに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを、複数の処理部内にそれぞれ設けられているデーモンによって判断し、
当該処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、当該処理部内のデーモンによって、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、
当該処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に、当該処理部内のデーモンによって次のプロセスの起動を拒否し、
前記複数の処理部のうち第１の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎にブロック枠単位のデータを生成する第１のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第２の処理部では、前記ブロック枠単位のデータを入力して、ブロック枠毎に前記ブロック枠単位のデータをデータ変換する第２のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第１の処理部内のデーモンは、前記第１の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第１の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第２の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第２のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法が提供される。

本発明によれば、スループットを向上させることができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の構成図である。制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。ショット生成システム１０ｂ１ｇにおいて実行されるショットデータを生成するためのプロセスＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４，ＰＲ５，ＰＲ６、ショットデータを出力するためのプロセスＰＲ７、および、プロセスＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４，ＰＲ５，ＰＲ６，ＰＲ７を管理するプロセスＰＲ８，ＰＲ９を説明するための図である。ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎを仮想分割することによって形成されるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…を説明するための図である。ショット生成システム１０ｂ１ｈの構成の一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｈ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ７が用いられて次のプロセスが追加起動される一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｈ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ８が用いられて次のプロセスが追加起動される一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｈ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｈ３ａへの起動要求が拒否される一例を示した図である。描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｈ１のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｈ１ａへの起動要求が拒否される一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｈ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ３などによってＡｒｅａプロセスＰＲ５またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６が実行されている時に、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ３によるＡｒｅａプロセスＰＲ５またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６の実行が一時停止または中止される一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｈ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ６などによってＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３が実行されている時に、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｈ３ｃ６によるＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３の実行が一時停止または中止される一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の一例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料Ｍに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に目的のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するための描画部１０ａが設けられている。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１および図５の左右方向）およびＹ方向（図５の上下方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に対応する描画データＤが、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力されると、ショット生成システム１０ｂ１ｇに転送される。次いで、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇに転送された描画データＤが、ショット生成システム１０ｂ１ｇにおいてデータ処理され、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）のレジストにパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、ショット生成システム１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）内の所望の位置に照射される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのレジストにパターンＰＡ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。次いで、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍのレジストの所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰＡを試料Ｍのレジストに描画することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、偏向器１０ａ１ｅおよび偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換すると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
図４は図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤが、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ１が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ００が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤに含まれている図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１および図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）に描画される。

図５は描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡが例えばｎ個の短冊状のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎに仮想分割されている。また、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ１内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍのストライプ枠ＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ２内を図５の右側から図５の左側に向かって走査され、描画データＤに含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍのストライプ枠ＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤに含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍのストライプ枠ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ内に描画される。
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ１内にパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の右側から図５の左側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の上側から図５の下側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左側から図５の右側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図６は図２に示すショット生成システム１０ｂ１ｇにおいて実行されるショットデータを生成するためのプロセスＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４，ＰＲ５，ＰＲ６、ショットデータを出力するためのプロセスＰＲ７、および、プロセスＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４，ＰＲ５，ＰＲ６，ＰＲ７を管理するプロセスＰＲ８，ＰＲ９を説明するための図である。図７は図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎを仮想分割することによって形成されるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…を説明するための図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２および図６に示すように、例えば、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）に対応する描画データＤがショット生成システム１０ｂ１ｇに入力されると、ＷＳＭ（ＷｒｉｔｅＳｅｑｕｅｎｃｅＭａｎａｇｅｒ）プロセスＰＲ８（図６参照）からの要求に基づき、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）が仮想分割され、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ（図５参照）が決定される。次いで、ＤＰＭプロセス（分散処理管理プロセス）ＰＲ９（図６参照）によって、複数のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ（図５および図７参照）が仮想分割され、複数のブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）が決定される。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、各ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）内に位置する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）のショット数が予測され、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）毎の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）のショット数が概略等しくなるように、各ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）のサイズが決定される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）によってローカライズ処理が実行される。具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２および図６に示すように、例えば、ショット生成システム１０ｂ１ｇに入力された試料Ｍ（図５および図７参照）の描画領域ＤＡ（図５および図７参照）全体に対応する描画データＤから、各ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）に対応するブロック枠単位のデータが、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）によって作成される。詳細には、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するブロック枠単位のデータには、ブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）内に位置するセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…（図４参照）に対応するデータ、セルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…（図４参照）内に位置する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するデータなどが含められる。更に、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するブロック枠単位のデータには、ブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）内に位置するセル（図示せず）に対応するデータ、それらのセル内に位置する図形（図示せず）に対応するデータなどが含められる。また、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）によって作成された各ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）に対応するブロック枠単位のデータが、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）用に出力される。更に、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）によって作成された各ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）に対応するブロック枠単位のデータが、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）用に出力される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）によってデータの変換処理が実行される。詳細には、例えば、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）では、描画データＤ（図６参照）と同一フォーマットのデータを描画装置内部フォーマットデータ（ショットデータを生成するための中間データ）に変換する処理などが、ブロック枠単位で実行される。また、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）によって、描画データＤ（図６参照）に含まれている複数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）が近接効果補正用の面積密度マップ（図示せず）内に位置するように、複数の例えば１μｍ□のメッシュを有する近接効果補正用の面積密度マップ（図示せず）が作成される（近接効果補正用の面積密度マップの詳細については、例えば特開２００３−３１８０７７号公報の図１０（ａ）、図１０（ｃ）および段落〔００９５〕参照）。詳細には、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）では、近接効果補正用の面積密度マップ（図示せず）を作成する処理が、例えばブロック枠単位で並列に実行される。また、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）によって、例えば１μｍ□のメッシュ毎の荷電粒子ビームの近接効果補正照射量が算出される（荷電粒子ビームの近接効果補正照射量（最適照射量）の詳細については、例えば特開２００３−３１８０７７号公報の図１０（ｄ）、段落〔００４１〕、段落〔０００４４〕、段落〔００７２〕、段落〔０１０９〕等参照）。詳細には、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）では、荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を算出する処理が、例えばブロック枠単位で並列に実行される。また、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）による処理の結果と、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）による処理の結果とに基づき、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）によって、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）を照射するためのショットデータが生成される。詳細には、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）では、ショットデータを生成する処理が、例えばブロック枠単位で並列に実行される。また、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６に示すように、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）により生成されたショットデータが、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）によって偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２および図６参照）に出力される。また、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の起動、終了などを行う管理処理が、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって実行される。更に、そのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を管理する処理がＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって実行される。

図８は図２および図６に示すショット生成システム１０ｂ１ｇの構成の一例を示した図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ（ＷｒｉｔｉｎｇＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ））１０ｂ１ｇ１と、処理部（ＤＤＵ（ＤａｔａＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＵｎｉｔ））１０ｂ１ｇ２と、処理部（ＰＰＵ（ＰａｒａｌｌｅｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ））１０ｂ１ｇ３と、処理部（ＳＤＴＳ（ＳｈｏｔＤａｔａＴｒａｎｓｆｅｒＳｅｒｖｅｒ））１０ｂ１ｇ４とが、ショット生成システム１０ｂ１ｇに設けられている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３，…によって実行されるプロセスの管理、および、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３，…などによって使用されるメモリ１０ｂ１ｇ１ｄの管理などが、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａによって実行される。更に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３，…の使用率、および、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のメモリ１０ｂ１ｇ１ｄの使用率などが、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ１ｂによって管理される。また、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａがシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ１ｂによって管理される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…によって実行されるプロセスの管理、および、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…などによって使用されるメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの管理などが、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって実行される。更に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…の使用率、および、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの使用率などが、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理される。また、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａがシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理される。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…によって実行されるプロセスの管理、および、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…などによって使用されるメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの管理などが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって実行される。また、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率、および、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率などが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理される。更に、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａがシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…によって実行されるプロセスの管理、および、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…などによって使用されるメモリ１０ｂ１ｇ４ｄの管理などが、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって実行される。更に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…の使用率、および、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のメモリ１０ｂ１ｇ４ｄの使用率などが、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって管理される。また、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａがシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって管理される。
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画開始指示を受けたＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）によって、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａ（図８参照）に対してＷＳＣ（ＷｒｉｔｅＳｅｑｕｅｎｃｅＣｒｅａｔｏｒ）プロセス（図示せず）の起動要求がかけられ、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１（図８参照）が用いられて、ＷＳＣプロセスが起動される。次いで、ＷＳＣプロセスによって、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）が仮想分割され、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ（図５参照）が決定される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）から描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａ（図８参照）への要求に基づき、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２（図８参照）が用いられ、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）が起動される。詳細には、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によって、複数のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ（図５および図７参照）が仮想分割され、複数のブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，…（図７参照）が決定される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１（図８参照）が用いられてＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）が起動されると共に、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２（図８参照）が用いられてＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が起動される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３（図８参照）が用いられて、例えばブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）が起動される。詳細には、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ３（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）とが並列に実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３（図８参照）が用いられて、例えばブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が起動される。詳細には、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ３（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）とが並列に実行される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６（図８参照）が用いられて、例えばブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）が起動される。詳細には、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ５（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ６（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）とが並列に実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６（図８参照）が用いられて、例えばブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が起動される。詳細には、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ５（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）と、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ６（図８参照）におけるブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）とが並列に実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａ（図８参照）への要求に基づき、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａ（図８参照）によって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２（図８参照）が用いられ、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が起動される。

図９は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７が用いられて次のプロセスが追加起動される一例を示した図である。図１０は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８が用いられて次のプロセスが追加起動される一例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のメモリ１０ｂ１ｇ３ｄ（図８参照）の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。

ところが、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図９に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）が追加起動される場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７におけるブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）が、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３におけるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）と並列に実行される。

更に、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図９に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が追加起動される場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ７におけるブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３におけるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）と並列に実行される。

また、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）が追加起動される場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８におけるブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）が、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６におけるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）と並列に実行される。

更に、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ８におけるブロック枠ＤＰＢ０４（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６におけるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）と並列に実行される。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２（図８参照）のメモリ１０ｂ１ｇ２ｄ（図８参照）の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。

ところが、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ３およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ３が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行中に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４（図８参照）のメモリ１０ｂ１ｇ４ｄ（図８参照）の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。

ところが、描画データＤ（図６参照）の多様化などに伴い、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり小さい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄに余裕があるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって判断された場合に、余っている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ３およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄを用いて次のＡｒｅａプロセスＰＲ５、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）を追加起動可能である旨が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求に基づき、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって、例えば演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ３が用いられ、次のＡｒｅａプロセスＰＲ５、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が追加起動される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部１０ｂ１ｇ２，１０ｂ１ｇ３，１０ｂ１ｇ４内の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，…，１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，…，１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄ，１０ｂ１ｇ３ｄ，１０ｂ１ｇ４ｄに余裕があるにもかかわらず、次のＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５および／またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６が追加起動されない場合よりも、スループットを向上させることができる。

図１１は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａへの起動要求が拒否される一例を示した図である。
上述したように、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のメモリ１０ｂ１ｇ３ｄ（図８参照）の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。

ところが、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）を起動する要求があった場合であっても、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６を用いてブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）を起動する要求が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって拒否され、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求が拒否された旨（起動エラーになった旨）が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６が用いられ、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）が起動される。

また、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）を起動する要求があった場合であっても、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３を用いてブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）を起動する要求が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって拒否され、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求が拒否された旨（起動エラーになった旨）が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３が用いられ、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が起動される。

更に、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）を起動する要求があった場合であっても、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３を用いてブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）を起動する要求が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって拒否され、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求が拒否された旨（起動エラーになった旨）が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３が用いられ、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が起動される。

また、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中における処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１または演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２を用いてＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の一方を起動する要求があった場合であっても、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって判断された場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１または演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２を用いてＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の一方を起動する要求が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって拒否され、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からの起動要求が拒否された旨（起動エラーになった旨）が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の他方の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが不足するおそれがなくなった段階で、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１または演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２が用いられ、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の一方が起動される。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部１０ｂ１ｇ２，１０ｂ１ｇ３，１０ｂ１ｇ４内の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，…，１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，…，１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄ，１０ｂ１ｇ３ｄ，１０ｂ１ｇ４ｄが不足するおそれがあるにもかかわらず、次のＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５，ＰｒｏｘプロセスＰＲ６および／またはＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７が起動され、それに伴って、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５，ＰｒｏｘプロセスＰＲ６および／またはＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７の処理速度が大幅に低下してしまう場合よりも、スループットを向上させることができる。

図１２は図８に示す描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａへの起動要求が拒否される一例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、例えば、ＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）の実行中における処理負荷、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）および／またはＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）の実行中に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のメモリ１０ｂ１ｇ１ｄの使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。
ところで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のメモリ１０ｂ１ｇ１ｄが、ＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）およびＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）を実行する演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３の他に、例えばデータベース（図示せず）などのような他のものによっても使用される。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１によって実行されているＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）から描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２およびメモリ１０ｂ１ｇ１ｄを用いるＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）の起動要求があった場合であっても、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ１ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１，１０ｂ１ｇ１ｃ２，１０ｂ１ｇ１ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ１ｄの使用率に基づき、メモリ１０ｂ１ｇ１ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａによって判断された場合には、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２およびメモリ１０ｂ１ｇ１ｄを用いるＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）の起動要求が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａによって拒否され、ＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）からのＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）の起動要求が拒否された旨（起動エラーになった旨）が、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ１ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ１によって実行されているＷＳＭプロセスＰＲ８（図６参照）に報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、描画制御ユニット１０ｂ１ｇ１内のメモリ１０ｂ１ｇ１ｄが不足するおそれがあるにもかかわらず、次のＤＰＭプロセスＰＲ９が起動され、それに伴って、ＤＰＭプロセスＰＲ９の処理速度が大幅に低下してしまう場合よりも、スループットを向上させることができる。

図１３は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ３などによってＡｒｅａプロセスＰＲ５またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６が実行されている時に、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ３によるＡｒｅａプロセスＰＲ５またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６の実行が一時停止または中止される一例を示した図である。図１４は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ６などによってＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３が実行されている時に、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ６によるＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３の実行が一時停止または中止される一例を示した図である。
上述したように、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０１（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）、ＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）および／またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３（図８参照）のメモリ１０ｂ１ｇ３ｄ（図８参照）の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，…（図８参照）が同時に使用されるようになっている。

ところが、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１３に示すように、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが用いられるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行中に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合には、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、優先順位が高い（つまり、描画順序の上流側（図５および図７のストライプ枠ＳＴＲ１内の左側）に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行が継続され、優先順位が低い（つまり、描画順序の下流側（図５および図７のストライプ枠ＳＴＲ１内の右側）に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行が一時停止または中止される。具体的には、図１３に示すように、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ３に送られると共に、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行を一時停止または中止した旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１３に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行が一時停止される場合には、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行が再開される。

一方、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１３に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が起動される。
更に、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１４に示すように、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが用いられるブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行中に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断された場合には、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって、優先順位が高い（つまり、描画順序の上流側（図５および図７のストライプ枠ＳＴＲ１内の左側）に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行が継続され、優先順位が低い（つまり、描画順序の下流側（図５および図７のストライプ枠ＳＴＲ１内の右側）に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行が一時停止または中止される。具体的には、図１４に示すように、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ６に送られると共に、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行を一時停止または中止した旨が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１４に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行が一時停止される場合には、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行が再開される。
一方、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１４に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）またはＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）が起動される。

また、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中における処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが用いられるＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行中に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって判断された場合には、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって、優先順位が高い（つまり、描画順序の上流側に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行が継続され、優先順位が低い（つまり、描画順序の下流側に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行が一時停止または中止される。具体的には、図８に示すように、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ３，…に送られると共に、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行を一時停止または中止した旨が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行が一時停止される場合には、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行が再開される。

一方、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）が実行される。
更に、描画データＤ（図６参照）の多様化、描画データＤ（図６参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）の微細化などに伴い、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行中における処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄが用いられるＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行中に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって管理されている演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄの使用率に基づき、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄが不足するおそれがあるとデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって判断された場合には、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって、優先順位が高い（つまり、描画順序の上流側に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行が継続され、優先順位が低い（つまり、描画順序の下流側に位置する）ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行が一時停止または中止される。具体的には、図８に示すように、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ３，…に送られると共に、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行を一時停止または中止した旨が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行が一時停止される場合には、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行が再開される。
一方、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）の処理が進行し、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が実行される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部１０ｂ１ｇ２，１０ｂ１ｇ３，１０ｂ１ｇ４内の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，…，１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，…，１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，…およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄ，１０ｂ１ｇ３ｄ，１０ｂ１ｇ４ｄが不足するおそれがあるにもかかわらず、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５，ＰｒｏｘプロセスＰＲ６および／またはＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７が継続して実行され、それに伴って、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５，ＰｒｏｘプロセスＰＲ６および／またはＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７の処理速度が大幅に低下してしまう場合よりも、スループットを向上させることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、処理部１０ｂ１ｇ２，１０ｂ１ｇ３，１０ｂ１ｇ４（図８参照）のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ３ａ，１０ｂ１ｇ４ａ（図８参照）による管理機能が強化されている。
図１５は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の一例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１５に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている。また、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。更に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１５に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）および／またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）を起動する要求があった時に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって判断される。更に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などのいずれかに異常がある場合には、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）および／またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が起動され、ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）および／またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ２ｄの使用率が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって管理されている。また、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂが、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって管理されている。更に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ２ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって管理されている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）を起動する要求があった時に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ２ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって判断される。更に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ２ｄ、通信などのいずれかに異常がある場合には、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ２ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ１，１０ｂ１ｇ２ｃ２，１０ｂ１ｇ２ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ２ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）が起動され、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ４ｄの使用率が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって管理されている。また、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂが、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって管理されている。更に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ４ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって管理されている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａに、演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２を用いて、ブロック枠ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３（図７参照）に対応するＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）を起動する要求があった時に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ４ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって判断される。更に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ４ｄ、通信などのいずれかに異常がある場合には、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ４ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ１，１０ｂ１ｇ４ｃ２，１０ｂ１ｇ４ｃ３，…、メモリ１０ｂ１ｇ４ｄ、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が起動され、ＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

図１６は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１６に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている。また、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。更に、図１５に示すように、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１６に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２に異常が発生し、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって強制終了せしめられた場合には、そのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６の異常終了が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって検知され、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６が異常終了した旨が報告される。詳細には、異常終了したそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６の情報（ノード、プロセス名、ｐｉｄ（プロセス識別子）、ｃｏｒｅファイル名など）が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が異常終了した旨が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２に異常が発生し、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによって強制終了せしめられた場合には、そのプロセスＰＲ１，ＰＲ４の異常終了が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって検知され、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているそのプロセスＰＲ１，ＰＲ４が異常終了した旨が報告される。詳細には、異常終了したそのプロセスＰＲ１，ＰＲ４の情報（ノード、プロセス名、ｐｉｄ（プロセス識別子）、ｃｏｒｅファイル名など）が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が異常終了した旨が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２に異常が発生し、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによって強制終了せしめられた場合には、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７の異常終了が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって検知され、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７が異常終了した旨が報告される。詳細には、異常終了したそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７の情報（ノード、プロセス名、ｐｉｄ（プロセス識別子）、ｃｏｒｅファイル名など）が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が異常終了した旨が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

図１７は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１７に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている。また、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。更に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１７に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによる強制終了（図１６参照）の対象にならない程度の異常が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）に発生した場合に、そのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６に異常があると処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６に終了指示が送られ、その終了指示に基づいてそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６が終了せしめられる。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによる強制終了の対象にならない程度の異常が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）に発生した場合に、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４に異常があると処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているそのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４に終了指示が送られ、その終了指示に基づいてそのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４が終了せしめられる。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによる強制終了の対象にならない程度の異常が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）に発生した場合に、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７に異常があると処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７に終了指示が送られ、その終了指示に基づいてそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７が終了せしめられる。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

図１８は図８に示す処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからの異常報告の他の例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１８に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…の使用率およびメモリ１０ｂ１ｇ３ｄの使用率が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによって管理されている。また、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。更に、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２，１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４，１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６，１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８，…、メモリ１０ｂ１ｇ３ｄ、通信などが正常であるか否かが、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって管理されている。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１８に示すように、例えば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ３ｂによる強制終了（図１６参照）の対象にならない程度の異常が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）に発生した場合に、そのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６に異常があると処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合であって、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６への終了指示（図１７参照）に基づいてそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６を終了させることができない場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａに終了指示が送られ、その終了指示に基づき処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによってそのプロセスＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ６が強制終了せしめられる。詳細には、詳細なエラー情報（ｃｏｒｅファイル等）が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａによって収集される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ３ｃ２により実行されているＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ３ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２（図６参照）、ＳｈｏｔプロセスＰＲ３（図６参照）、ＡｒｅａプロセスＰＲ５（図６参照）またはＰｒｏｘプロセスＰＲ６（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ２ｂによる強制終了の対象にならない程度の異常が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）に発生した場合に、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４に異常があると処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合であって、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からそのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４への終了指示に基づいてそのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４を終了させることができない場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａに終了指示が送られ、その終了指示に基づき処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによってそのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＰＲ４が強制終了せしめられる。詳細には、詳細なエラー情報（ｃｏｒｅファイル等）が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａによって収集される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ２ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１（図６参照）またはＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図８に示すように、例えば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のシステム（ＯＳ）１０ｂ１ｇ４ｂによる強制終了の対象にならない程度の異常が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ２ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）に発生した場合に、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７に異常があると処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａが判断した理由を含む異常報告が、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａから、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告される。次いで、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７に異常があるとＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）によっても判断された場合であって、ＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）からそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７への終了指示に基づいてそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７を終了させることができない場合に、描画制御ユニット（ＷＣＵ）１０ｂ１ｇ１の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ１ｃ２によって実行されているＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）から処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａに終了指示が送られ、その終了指示に基づき処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによってそのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７が強制終了せしめられる。詳細には、詳細なエラー情報（ｃｏｒｅファイル等）が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａによって収集される。
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４の演算部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｇ４ｃ２により実行されているＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）に異常がある旨が処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４のデーモン（ｓｇｓｄ）１０ｂ１ｇ４ａからＤＰＭプロセスＰＲ９（図６参照）に報告されることなく、そのＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、処理部（ＤＤＵ）１０ｂ１ｇ２と、処理部（ＰＰＵ）１０ｂ１ｇ３と、処理部（ＳＤＴＳ）１０ｂ１ｇ４とが、ショット生成システム１０ｂ１ｇに別個に設けられているが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば１つの処理部（図示せず）をショット生成システム１０ｂ１ｇに設け、その処理部に設けられている複数の演算部（ＣＰＵ）（図示せず）によってＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ１，ＣｏｎｖｅｒｔｅｒプロセスＰＲ２，ＳｈｏｔプロセスＰＲ３，ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒプロセスＰＲ４，ＡｒｅａプロセスＰＲ５，ＰｒｏｘプロセスＰＲ６およびＯｕｔｐｕｔプロセスＰＲ７（図６参照）を実行することも可能である。
第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。

１０荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ描画部
１０ａ１ｂ荷電粒子ビーム
１０ｂ１ｇショット生成システム
１０ｂ１ｇ１描画制御ユニット（ＷＣＵ）
１０ｂ１ｇ２，１０ｂ１ｇ３処理部（ＤＤＵ，ＰＰＵ）
１０ｂ１ｇ４処理部（ＳＤＴＳ）
１０ｂ１ｇ３ａデーモン（ｓｇｓｄ）
１０ｂ１ｇ３ｃ１，１０ｂ１ｇ３ｃ２演算部（ＣＰＵ）
１０ｂ１ｇ３ｃ３，１０ｂ１ｇ３ｃ４演算部（ＣＰＵ）
１０ｂ１ｇ３ｃ５，１０ｂ１ｇ３ｃ６演算部（ＣＰＵ）
１０ｂ１ｇ３ｃ７，１０ｂ１ｇ３ｃ８演算部（ＣＰＵ）
１０ｂ１ｇ３ｄメモリ
Ｍ試料
Ｄ描画データ
ＤＡ描画領域

Claims

レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成して出力するショット生成システムと、
ショットデータを生成または出力するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている複数の処理部と、
複数の処理部を管理するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットと、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と、
複数の処理部内にそれぞれ設けられており、処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリと、
各処理部内に配置され、当該処理部内の演算部およびメモリに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に次のプロセスの起動を拒否する処理部内のデーモンとを具備し、
前記複数の処理部のうち第１の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎に第１のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第２の処理部では、ブロック枠毎に第２のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第１の処理部内のデーモンは、第１のプロセスの実行中に前記第１の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第１の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第２の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第２のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
描画制御ユニット内に設けられているメモリと、
描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動要求があった場合に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動を拒否する描画制御ユニット内のデーモンとを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
ショット生成システム内に設けられている処理部によって、荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成または出力するプロセスを実行し、
ショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットによって、複数の処理部を管理するプロセスを実行し、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と各処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリとに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを、複数の処理部内にそれぞれ設けられているデーモンによって判断し、
当該処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、当該処理部内のデーモンによって、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、
当該処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に、当該処理部内のデーモンによって次のプロセスの起動を拒否し、
前記複数の処理部のうち第１の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎に第１のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第２の処理部では、ブロック枠毎に第２のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第１の処理部内のデーモンは、前記第１の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第１の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第２の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第２のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
描画制御ユニット内に設けられているメモリが不足するおそれがあるか否かを、描画制御ユニット内のデーモンによって判断し、
描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動要求があった場合に、描画制御ユニット内のデーモンによって、描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動を拒否することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
処理部内の演算部およびメモリを用いてショットデータを生成または出力する複数のプロセスが実行されている時に処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれが生じた場合に、処理部内のデーモンによって、複数のプロセスのうち、優先順位が低いプロセスの実行を一時停止または中止することを特徴とする請求項３又は４に記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。