JP5547553B2 - 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 - Google Patents
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Description
詳細には、本発明は、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べて小さい場合、および、実際の処理負荷が予め見積もられた処理負荷に比べて大きい場合におけるスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
更に詳細には、本発明は、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時におけるスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成して出力するショット生成システムと、
ショットデータを生成または出力するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている複数の処理部と、
複数の処理部を管理するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットと、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と、
複数の処理部内にそれぞれ設けられており、処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリと、
各処理部内に配置され、処理部内の演算部およびメモリに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に次のプロセスの起動を拒否する処理部内のデーモンとを具備し、
前記複数の処理部のうち第1の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎にブロック枠単位のデータを生成する第1のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第2の処理部では、前記ブロック枠単位のデータを入力して、ブロック枠毎に前記ブロック枠単位のデータをデータ変換する第2のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第1の処理部内のデーモンは、前記第1の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第1の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第2の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第2のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
ショット生成システム内に設けられている処理部によって、荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成または出力するプロセスを実行し、
ショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットによって、複数の処理部を管理するプロセスを実行し、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と各処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリとに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを、複数の処理部内にそれぞれ設けられているデーモンによって判断し、
当該処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、当該処理部内のデーモンによって、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、
当該処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に、当該処理部内のデーモンによって次のプロセスの起動を拒否し、
前記複数の処理部のうち第1の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎にブロック枠単位のデータを生成する第1のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第2の処理部では、前記ブロック枠単位のデータを入力して、ブロック枠毎に前記ブロック枠単位のデータをデータ変換する第2のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第1の処理部内のデーモンは、前記第1の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第1の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第2の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第2のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法が提供される。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム10a1bとして例えば電子ビームが用いられるが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、荷電粒子ビーム10a1bとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、荷電粒子銃10a1aと、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bを偏向する偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bによる描画が行われる試料Mを載置する可動ステージ10a2aとが、描画部10aに設けられている。詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する描画室10a2に、試料Mが載置された可動ステージ10a2aが配置されている。この可動ステージ10a2aは、例えば、X方向(図1および図5の左右方向)およびY方向(図5の上下方向)に移動可能に構成されている。更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、描画部10aの一部を構成する光学鏡筒10a1に、荷電粒子銃10a1aと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、レンズ10a1g,10a1h,10a1i,10a1j,10a1kと、第1成形アパーチャ10a1lと、第2成形アパーチャ10a1mとが配置されている。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、ショット生成システム10b1gによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1hに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fが制御され、その結果、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bが試料Mの描画領域DA(図5参照)内の所望の位置に照射される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショット生成システム10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b2を介してブランキング偏向器10a1cを制御することにより、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bが、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3参照)を透過せしめられて試料Mに照射されるか、あるいは、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’以外の部分によって遮られて試料Mに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ブランキング偏向器10a1cを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム10a1bの照射時間を制御することができる。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショット生成システム10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b3を介してビーム寸法可変偏向器10a1dを制御することにより、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3参照)を透過せしめられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの大きさ、形状などを調整することができる。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショット生成システム10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b4を介して偏向器10a1eを制御することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、偏向器10a1eによって偏向される。また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショット生成システム10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b5を介して偏向器10a1fを制御することにより、偏向器10a1eによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bが、偏向器10a1fによって更に偏向される。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、偏向器10a1eおよび偏向器10a1fによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mの描画領域DA(図5参照)に照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射位置を調整することができる。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショット生成システム10b1gにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部10b1iによってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aの移動が制御される。
図4は図1および図2に示す描画データDの一部の一例を概略的に示した図である。図4に示す例では、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10に適用される描画データDが、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層CPの要素の一部であるチップCP1が、フレーム階層FRの要素の一部である3個のフレームFR1,FR2,FR3に対応している。また、例えば、フレーム階層FRの要素の一部であるフレームFR1が、ブロック階層BLの要素の一部である18個のブロックBL00,…,BL52に対応している。更に、例えば、ブロック階層BLの要素の一部であるブロックBL00が、セル階層CLの要素の一部である複数のセルCLA,CLB,CLC,CLD,…に対応している。また、例えば、セル階層CLの要素の一部であるセルCLAが、図形階層FGの要素の一部である多数の図形FG1,FG2,FG3,…に対応している。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1、図2および図4に示すように、描画データDに含まれている図形階層FG(図4参照)の多数の図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)が、荷電粒子ビーム10a1b(図1参照)によって試料M(図1および図5参照)の描画領域DA(図5参照)に描画される。
詳細には、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR1内にパターンPA1,PA2,PA3,…が描画される時、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の右側から図5の左側に移動するように、ステージ制御部10b1i(図2参照)によってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR2内にパターン(図示せず)が描画される前に、可動ステージ10a2aが図5の上側から図5の下側に移動するように可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR2内にパターン(図示せず)が描画される時、可動ステージ10a2aが図5の左側から図5の右側に移動するように可動ステージ10a2aが制御される。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2および図6に示すように、例えば、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)に対応する描画データDがショット生成システム10b1gに入力されると、WSM(Write Sequence Manager)プロセスPR8(図6参照)からの要求に基づき、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)が仮想分割され、ストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,…,STRn(図5参照)が決定される。次いで、DPMプロセス(分散処理管理プロセス)PR9(図6参照)によって、複数のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,…,STRn(図5および図7参照)が仮想分割され、複数のブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)が決定される。詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、各ブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)内に位置する図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するための荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)のショット数が予測され、ブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)毎の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)のショット数が概略等しくなるように、各ブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)のサイズが決定される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図6に示すように、DistributorプロセスPR1(図6参照)によって作成された各ブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)に対応するブロック枠単位のデータが、ConverterプロセスPR2(図6参照)用に出力される。更に、DistributorプロセスPR4(図6参照)によって作成された各ブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)に対応するブロック枠単位のデータが、AreaプロセスPR5(図6参照)用に出力される。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図6に示すように、AreaプロセスPR5(図6参照)によって、描画データD(図6参照)に含まれている複数の図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)が近接効果補正用の面積密度マップ(図示せず)内に位置するように、複数の例えば1μm□のメッシュを有する近接効果補正用の面積密度マップ(図示せず)が作成される(近接効果補正用の面積密度マップの詳細については、例えば特開2003−318077号公報の図10(a)、図10(c)および段落〔0095〕参照)。詳細には、AreaプロセスPR5(図6参照)では、近接効果補正用の面積密度マップ(図示せず)を作成する処理が、例えばブロック枠単位で並列に実行される。また、AreaプロセスPR5(図6参照)の起動、終了などを行う管理処理が、DPMプロセスPR9(図6参照)によって実行される。更に、そのDPMプロセスPR9(図6参照)を管理する処理がWSMプロセスPR8(図6参照)によって実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図6に示すように、ConverterプロセスPR2(図6参照)による処理の結果と、ProxプロセスPR6(図6参照)による処理の結果とに基づき、ShotプロセスPR3(図6参照)によって、荷電粒子ビーム10a1b(図1参照)を照射するためのショットデータが生成される。詳細には、ShotプロセスPR3(図6参照)では、ショットデータを生成する処理が、例えばブロック枠単位で並列に実行される。また、ShotプロセスPR3(図6参照)の起動、終了などを行う管理処理が、DPMプロセスPR9(図6参照)によって実行される。更に、そのDPMプロセスPR9(図6参照)を管理する処理がWSMプロセスPR8(図6参照)によって実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図6に示すように、ShotプロセスPR3(図6参照)により生成されたショットデータが、OutputプロセスPR7(図6参照)によって偏向制御部10b1h(図2および図6参照)に出力される。また、OutputプロセスPR7(図6参照)の起動、終了などを行う管理処理が、DPMプロセスPR9(図6参照)によって実行される。更に、そのDPMプロセスPR9(図6参照)を管理する処理がWSMプロセスPR8(図6参照)によって実行される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3,…によって実行されるプロセスの管理、および、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3,…などによって使用されるメモリ10b1g1dの管理などが、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のデーモン(sgsd)10b1g1aによって実行される。更に、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3,…の使用率、および、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のメモリ10b1g1dの使用率などが、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のシステム(OS)10b1g1bによって管理される。また、デーモン(sgsd)10b1g1aがシステム(OS)10b1g1bによって管理される。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…によって実行されるプロセスの管理、および、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…などによって使用されるメモリ10b1g3dの管理などが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって実行される。また、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率、および、処理部(PPU)10b1g3のメモリ10b1g3dの使用率などが、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理される。更に、デーモン(sgsd)10b1g3aがシステム(OS)10b1g3bによって管理される。
具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、描画開始指示を受けたWSMプロセスPR8(図6参照)によって、描画制御ユニット(WCU)10b1g1(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g1a(図8参照)に対してWSC(Write Sequence Creator)プロセス(図示せず)の起動要求がかけられ、例えば演算部(CPU)10b1g1c1(図8参照)が用いられて、WSCプロセスが起動される。次いで、WSCプロセスによって、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)が仮想分割され、ストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,…,STRn(図5参照)が決定される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、WSMプロセスPR8(図6参照)から描画制御ユニット(WCU)10b1g1(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g1a(図8参照)への要求に基づき、描画制御ユニット(WCU)10b1g1(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g1a(図8参照)によって、例えば演算部(CPU)10b1g1c2(図8参照)が用いられ、DPMプロセスPR9(図6参照)が起動される。詳細には、DPMプロセスPR9(図6参照)によって、複数のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,…,STRn(図5および図7参照)が仮想分割され、複数のブロック枠DPB01,DPB02,…,DPB15,DPB16,…(図7参照)が決定される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、DPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(DDU)10b1g2(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g2a(図8参照)への要求に基づき、処理部(DDU)10b1g2(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g2a(図8参照)によって、例えば演算部(CPU)10b1g2c1(図8参照)が用いられてDistributorプロセスPR1(図6参照)が起動されると共に、例えば演算部(CPU)10b1g2c2(図8参照)が用いられてDistributorプロセスPR4(図6参照)が起動される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、DPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g3a(図8参照)への要求に基づき、処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g3a(図8参照)によって、例えば演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3(図8参照)が用いられて、例えばブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)が起動される。詳細には、例えば、演算部(CPU)10b1g3c1(図8参照)におけるブロック枠DPB01(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)と、演算部(CPU)10b1g3c2(図8参照)におけるブロック枠DPB02(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)と、演算部(CPU)10b1g3c3(図8参照)におけるブロック枠DPB03(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)とが並列に実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、DPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g3a(図8参照)への要求に基づき、処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g3a(図8参照)によって、例えば演算部(CPU)10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6(図8参照)が用いられて、例えばブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)が起動される。詳細には、例えば、演算部(CPU)10b1g3c4(図8参照)におけるブロック枠DPB01(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)と、演算部(CPU)10b1g3c5(図8参照)におけるブロック枠DPB02(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)と、演算部(CPU)10b1g3c6(図8参照)におけるブロック枠DPB03(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)とが並列に実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、DPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(SDTS)10b1g4(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g4a(図8参照)への要求に基づき、処理部(SDTS)10b1g4(図8参照)のデーモン(sgsd)10b1g4a(図8参照)によって、例えば演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2(図8参照)が用いられ、OutputプロセスPR7(図6参照)が起動される。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ブロック枠DPB01(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB02(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、AreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)および/またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中に、処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のメモリ10b1g3d(図8参照)の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
例えば、ブロック枠DPB04(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)が追加起動される場合には、演算部(CPU)10b1g3c7におけるブロック枠DPB04(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)が、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3におけるブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)と並列に実行される。
例えば、ブロック枠DPB04(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)が追加起動される場合には、演算部(CPU)10b1g3c7におけるブロック枠DPB04(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)が、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3におけるブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するProxプロセスPR6(図6参照)と並列に実行される。
例えば、ブロック枠DPB04(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)が追加起動される場合には、演算部(CPU)10b1g3c8におけるブロック枠DPB04(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)が、演算部(CPU)10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6におけるブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)と並列に実行される。
例えば、ブロック枠DPB04(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)が追加起動される場合には、演算部(CPU)10b1g3c8におけるブロック枠DPB04(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)が、演算部(CPU)10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6におけるブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)と並列に実行される。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の実行中に、処理部(DDU)10b1g2(図8参照)のメモリ10b1g2d(図8参照)の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、OutputプロセスPR7(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、OutputプロセスPR7(図6参照)の実行中に、処理部(SDTS)10b1g4(図8参照)のメモリ10b1g4d(図8参照)の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部10b1g2,10b1g3,10b1g4内の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,…,10b1g3c1,10b1g3c2,…,10b1g4c1,10b1g4c2,…およびメモリ10b1g2d,10b1g3d,10b1g4dに余裕があるにもかかわらず、次のConverterプロセスPR2,ShotプロセスPR3,DistributorプロセスPR4,AreaプロセスPR5および/またはProxプロセスPR6が追加起動されない場合よりも、スループットを向上させることができる。
上述したように、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ブロック枠DPB01(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB02(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、AreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)および/またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中に、処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のメモリ10b1g3d(図8参照)の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11に示すように、例えば、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがなくなった段階で、演算部(CPU)10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6が用いられ、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)が起動される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11に示すように、例えば、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがなくなった段階で、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3が用いられ、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が起動される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11に示すように、例えば、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するShotプロセスPR3(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがなくなった段階で、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3が用いられ、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が起動される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の他方の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…およびメモリ10b1g2dが不足するおそれがなくなった段階で、演算部(CPU)10b1g2c1または演算部(CPU)10b1g2c2が用いられ、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の一方が起動される。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12に示すように、例えば、WSMプロセスPR8(図6参照)の実行中における処理負荷、DPMプロセスPR9(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、WSMプロセスPR8(図6参照)および/またはDPMプロセスPR9(図6参照)の実行中に、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のメモリ10b1g1dの使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
ところで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12に示すように、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のメモリ10b1g1dが、WSMプロセスPR8(図6参照)およびDPMプロセスPR9(図6参照)を実行する演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3の他に、例えばデータベース(図示せず)などのような他のものによっても使用される。この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12に示すように、例えば、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c1によって実行されているWSMプロセスPR8(図6参照)から描画制御ユニット(WCU)10b1g1のデーモン(sgsd)10b1g1aに、演算部(CPU)10b1g1c2およびメモリ10b1g1dを用いるDPMプロセスPR9(図6参照)の起動要求があった場合であっても、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のシステム(OS)10b1g1bによって管理されている演算部(CPU)10b1g1c1,10b1g1c2,10b1g1c3,…の使用率およびメモリ10b1g1dの使用率に基づき、メモリ10b1g1dが不足するおそれがあるとデーモン(sgsd)10b1g1aによって判断された場合には、演算部(CPU)10b1g1c2およびメモリ10b1g1dを用いるDPMプロセスPR9(図6参照)の起動要求が、デーモン(sgsd)10b1g1aによって拒否され、WSMプロセスPR8(図6参照)からのDPMプロセスPR9(図6参照)の起動要求が拒否された旨(起動エラーになった旨)が、描画制御ユニット(WCU)10b1g1のデーモン(sgsd)10b1g1aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c1によって実行されているWSMプロセスPR8(図6参照)に報告される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、描画制御ユニット10b1g1内のメモリ10b1g1dが不足するおそれがあるにもかかわらず、次のDPMプロセスPR9が起動され、それに伴って、DPMプロセスPR9の処理速度が大幅に低下してしまう場合よりも、スループットを向上させることができる。
上述したように、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ブロック枠DPB01(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB02(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における処理負荷などが予め見積もられ、AreaプロセスPR5(図6参照)、ProxプロセスPR6(図6参照)、ConverterプロセスPR2(図6参照)および/またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中に、処理部(PPU)10b1g3(図8参照)のメモリ10b1g3d(図8参照)の使用率が所定値を超えないように、予め設定された数の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,…(図8参照)が同時に使用されるようになっている。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図13に示すように、例えば、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)の実行が一時停止される場合には、ブロック枠DPB01,DPB02(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するAreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)の実行が再開される。
更に、描画データD(図6参照)の多様化、描画データD(図6参照)に含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)の微細化などに伴い、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中における実際の処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図14に示すように、例えば、演算部(CPU)10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6およびメモリ10b1g3dが用いられるブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行中に、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理されている演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率およびメモリ10b1g3dの使用率に基づき、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがあるとデーモン(sgsd)10b1g3aによって判断された場合には、デーモン(sgsd)10b1g3aによって、優先順位が高い(つまり、描画順序の上流側(図5および図7のストライプ枠STR1内の左側)に位置する)ブロック枠DPB01,DPB02(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行が継続され、優先順位が低い(つまり、描画順序の下流側(図5および図7のストライプ枠STR1内の右側)に位置する)ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行が一時停止または中止される。具体的には、図14に示すように、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン(sgsd)10b1g3aから演算部(CPU)10b1g3c6に送られると共に、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行を一時停止または中止した旨が、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に報告される。
一方、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図14に示すように、例えば、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠DPB01,DPB02(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠DPB03(図7参照)に対応するConverterプロセスPR2(図6参照)またはShotプロセスPR3(図6参照)が起動される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するDistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の実行が一時停止される場合には、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するDistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…およびメモリ10b1g2dが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するDistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)の実行が再開される。
更に、描画データD(図6参照)の多様化、描画データD(図6参照)に含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)の微細化などに伴い、OutputプロセスPR7(図6参照)の実行中における処理負荷が、予め見積もられた処理負荷に比べてかなり大きい場合がある。この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…およびメモリ10b1g4dが用いられるOutputプロセスPR7(図6参照)の実行中に、処理部(SDTS)10b1g4のシステム(OS)10b1g4bによって管理されている演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…の使用率およびメモリ10b1g4dの使用率に基づき、演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…およびメモリ10b1g4dが不足するおそれがあるとデーモン(sgsd)10b1g4aによって判断された場合には、デーモン(sgsd)10b1g4aによって、優先順位が高い(つまり、描画順序の上流側に位置する)ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の実行が継続され、優先順位が低い(つまり、描画順序の下流側に位置する)ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の実行が一時停止または中止される。具体的には、図8に示すように、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の実行を一時停止または中止するための指示が、デーモン(sgsd)10b1g4aから演算部(CPU)10b1g4c3,…に送られると共に、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の実行を一時停止または中止した旨が、処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に報告される。
一方、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の実行が中止される場合には、途中まで実行されたブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の処理結果が破棄される。更に、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)の処理が進行し、演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…およびメモリ10b1g4dが不足するおそれがなくなった段階で、ブロック枠DPB04,DPB05,DPB06(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)が実行される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部10b1g2,10b1g3,10b1g4内の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,…,10b1g3c1,10b1g3c2,…,10b1g4c1,10b1g4c2,…およびメモリ10b1g2d,10b1g3d,10b1g4dが不足するおそれがあるにもかかわらず、DistributorプロセスPR1,ConverterプロセスPR2,ShotプロセスPR3,DistributorプロセスPR4,AreaプロセスPR5,ProxプロセスPR6および/またはOutputプロセスPR7が継続して実行され、それに伴って、DistributorプロセスPR1,ConverterプロセスPR2,ShotプロセスPR3,DistributorプロセスPR4,AreaプロセスPR5,ProxプロセスPR6および/またはOutputプロセスPR7の処理速度が大幅に低下してしまう場合よりも、スループットを向上させることができる。
図15は図8に示す処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからの異常報告の一例を示した図である。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図15に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率およびメモリ10b1g3dの使用率が、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理されている。また、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。更に、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…、メモリ10b1g3d、通信などが正常であるか否かが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…、メモリ10b1g3d、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、ConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)および/またはProxプロセスPR6(図6参照)が起動され、ConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)および/またはProxプロセスPR6(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aに、演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2を用いて、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するDistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)を起動する要求があった時に、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…、メモリ10b1g2d、通信などが正常であるか否かが、処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aによって判断される。更に、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…、メモリ10b1g2d、通信などのいずれかに異常がある場合には、処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…、メモリ10b1g2d、通信などのいずれかに異常がある旨が報告される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c1,10b1g2c2,10b1g2c3,…、メモリ10b1g2d、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)が起動され、DistributorプロセスPR1,PR4(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図8に示すように、例えば、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aに、演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2を用いて、ブロック枠DPB01,DPB02,DPB03(図7参照)に対応するOutputプロセスPR7(図6参照)を起動する要求があった時に、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…、メモリ10b1g4d、通信などが正常であるか否かが、処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aによって判断される。更に、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…、メモリ10b1g4d、通信などのいずれかに異常がある場合には、処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…、メモリ10b1g4d、通信などのいずれかに異常がある旨が報告される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c1,10b1g4c2,10b1g4c3,…、メモリ10b1g4d、通信などのいずれかに異常がある旨が処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、OutputプロセスPR7(図6参照)が起動され、OutputプロセスPR7(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図16に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率およびメモリ10b1g3dの使用率が、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理されている。また、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。更に、図15に示すように、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…、メモリ10b1g3d、通信などが正常であるか否かが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図16に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2に異常が発生し、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって強制終了せしめられた場合には、そのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6の異常終了が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって検知され、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6が異常終了した旨が報告される。詳細には、異常終了したそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6の情報(ノード、プロセス名、pid(プロセス識別子)、coreファイル名など)が、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が異常終了した旨が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c2により実行されているDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)が異常終了した旨が処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c2により実行されているOutputプロセスPR7(図6参照)が異常終了した旨が処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのOutputプロセスPR7(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで異常が認識されない場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図17に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率およびメモリ10b1g3dの使用率が、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理されている。また、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。更に、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…、メモリ10b1g3d、通信などが正常であるか否かが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図17に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによる強制終了(図16参照)の対象にならない程度の異常が、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)に発生した場合に、そのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6に異常があると処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aが判断した理由を含む異常報告が、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に報告される。次いで、そのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6に異常があるとDPMプロセスPR9(図6参照)によっても判断された場合に、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)から、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6に終了指示が送られ、その終了指示に基づいてそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6が終了せしめられる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)に異常がある旨が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c2により実行されているDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)に異常がある旨が処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c2により実行されているOutputプロセスPR7(図6参照)に異常がある旨が処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのOutputプロセスPR7(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図18に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…の使用率およびメモリ10b1g3dの使用率が、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによって管理されている。また、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。更に、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c1,10b1g3c2,10b1g3c3,10b1g3c4,10b1g3c5,10b1g3c6,10b1g3c7,10b1g3c8,…、メモリ10b1g3d、通信などが正常であるか否かが、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって管理されている。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図18に示すように、例えば、処理部(PPU)10b1g3のシステム(OS)10b1g3bによる強制終了(図16参照)の対象にならない程度の異常が、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)に発生した場合に、そのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6に異常があると処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aが判断した理由を含む異常報告が、処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aから、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)に報告される。次いで、そのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6に異常があるとDPMプロセスPR9(図6参照)によっても判断された場合であって、DPMプロセスPR9(図6参照)からそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6への終了指示(図17参照)に基づいてそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6を終了させることができない場合に、描画制御ユニット(WCU)10b1g1の演算部(CPU)10b1g1c2によって実行されているDPMプロセスPR9(図6参照)から処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aに終了指示が送られ、その終了指示に基づき処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによってそのプロセスPR2,PR3,PR5,PR6が強制終了せしめられる。詳細には、詳細なエラー情報(coreファイル等)が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aによって収集される。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(PPU)10b1g3の演算部(CPU)10b1g3c2により実行されているConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)に異常がある旨が処理部(PPU)10b1g3のデーモン(sgsd)10b1g3aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのConverterプロセスPR2(図6参照)、ShotプロセスPR3(図6参照)、AreaプロセスPR5(図6参照)またはProxプロセスPR6(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(DDU)10b1g2の演算部(CPU)10b1g2c2により実行されているDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)に異常がある旨が処理部(DDU)10b1g2のデーモン(sgsd)10b1g2aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのDistributorプロセスPR1(図6参照)またはDistributorプロセスPR4(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、処理部(SDTS)10b1g4の演算部(CPU)10b1g4c2により実行されているOutputプロセスPR7(図6参照)に異常がある旨が処理部(SDTS)10b1g4のデーモン(sgsd)10b1g4aからDPMプロセスPR9(図6参照)に報告されることなく、そのOutputプロセスPR7(図6参照)が例えばタイムアウトエラーになるまで実行し続けられる場合よりも、異常を早期に認識することができると共に、異常の内容を詳細に把握することができる。
第4の実施形態では、上述した第1から第3の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。
10a 描画部
10a1b 荷電粒子ビーム
10b1g ショット生成システム
10b1g1 描画制御ユニット(WCU)
10b1g2,10b1g3 処理部(DDU,PPU)
10b1g4 処理部(SDTS)
10b1g3a デーモン(sgsd)
10b1g3c1,10b1g3c2 演算部(CPU)
10b1g3c3,10b1g3c4 演算部(CPU)
10b1g3c5,10b1g3c6 演算部(CPU)
10b1g3c7,10b1g3c8 演算部(CPU)
10b1g3d メモリ
M 試料
D 描画データ
DA 描画領域
Claims (5)
- レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成して出力するショット生成システムと、
ショットデータを生成または出力するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている複数の処理部と、
複数の処理部を管理するプロセスを実行するためにショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットと、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と、
複数の処理部内にそれぞれ設けられており、処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリと、
各処理部内に配置され、当該処理部内の演算部およびメモリに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に次のプロセスの起動を拒否する処理部内のデーモンとを具備し、
前記複数の処理部のうち第1の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎に第1のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第2の処理部では、ブロック枠毎に第2のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第1の処理部内のデーモンは、第1のプロセスの実行中に前記第1の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第1の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第2の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第2のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 描画制御ユニット内に設けられているメモリと、
描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがあるか否かを判断し、描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動要求があった場合に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動を拒否する描画制御ユニット内のデーモンとを更に具備することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
ショット生成システム内に設けられている処理部によって、荷電粒子ビームを照射するためのショットデータを描画データに基づいて生成または出力するプロセスを実行し、
ショット生成システム内に設けられている描画制御ユニットによって、複数の処理部を管理するプロセスを実行し、
複数の処理部内にそれぞれ設けられている複数の演算部と各処理部内の複数の演算部によって使用されるメモリとに余裕があるか否か、および、処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがあるか否かを、複数の処理部内にそれぞれ設けられているデーモンによって判断し、
当該処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、当該処理部内のデーモンによって、余っている演算部およびメモリを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニットに報告すると共に、描画制御ユニットからの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、
当該処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニットからの次のプロセスの起動要求があった場合に、当該処理部内のデーモンによって次のプロセスの起動を拒否し、
前記複数の処理部のうち第1の処理部では、前記描画領域が仮想分割されたブロック枠毎に第1のプロセスが複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記複数の処理部のうち第2の処理部では、ブロック枠毎に第2のプロセスが前記複数のブロック枠に対して並列に実行され、
前記第1の処理部内のデーモンは、前記第1の処理部内の演算部およびメモリに余裕がある時に、前記第1の処理部内の余っている演算部および前記メモリを用いて、前記第2の処理部で実行されるはずの次のブロック枠に対する前記第2のプロセスを先行して追加起動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 - 描画制御ユニット内に設けられているメモリが不足するおそれがあるか否かを、描画制御ユニット内のデーモンによって判断し、
描画制御ユニット内のメモリが不足するおそれがある時に描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動要求があった場合に、描画制御ユニット内のデーモンによって、描画制御ユニット内のメモリを用いる次のプロセスの起動を拒否することを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 - 処理部内の演算部およびメモリを用いてショットデータを生成または出力する複数のプロセスが実行されている時に処理部内の演算部およびメモリが不足するおそれが生じた場合に、処理部内のデーモンによって、複数のプロセスのうち、優先順位が低いプロセスの実行を一時停止または中止することを特徴とする請求項3又は4に記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
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