JP5547567B2 - 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 - Google Patents
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Description
この発明の補正照射量計算部では、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量のみならず、例えばローディング効果を補正する照射量、マイクロローディング効果を補正する照射量、フレア効果を補正する照射量、試料(マスク)Mの種類、レジストの種類によってパターン面積密度依存性が異なることに起因する近接効果補正よりも更にショートレンジの補正を実行するための補正照射量などを一体化した補正照射量を計算することができる。
この発明の変形例の荷電粒子ビーム描画装置では、代わりに、
補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、
パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量を計算すると共に、パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する補正照射量計算部と、
補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算前または補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算後に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、
ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、
試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを設けることも可能である。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム10a1bとして例えば電子ビームが用いられるが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、荷電粒子ビーム10a1bとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、荷電粒子銃10a1aと、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bを偏向する偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bによる描画が行われる試料Mを載置する可動ステージ10a2aとが、描画部10aに設けられている。詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する描画室10a2に、試料Mが載置された可動ステージ10a2aが配置されている。この可動ステージ10a2aは、例えば、X方向(図5の左右方向)およびX方向に直交するY方向(図5の上下方向)に移動可能に構成されている。更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、描画部10aの一部を構成する光学鏡筒10a1に、荷電粒子銃10a1aと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、レンズ10a1g,10a1h,10a1i,10a1j,10a1kと、第1成形アパーチャ10a1lと、第2成形アパーチャ10a1mとが配置されている。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ディストリビュータ10b1b1によって作成されたブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータが、ショットデータ生成部10b1gによってデータ処理される。詳細には、ショットデータ生成部10b1gでは、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)を複数の図形に分割するショット分割処理が実行される(ショット分割の詳細については、例えば特許文献5の段落0013等参照)。次いで、ショットデータ生成部10b1gでは、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を試料M(図5参照)のブロック枠DPB01a(図6参照)内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射するショットデータが生成される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、ショットデータ生成部10b1gによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1hに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fが制御され、その結果、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bが、試料Mのブロック枠DPB01a(図6参照)内の所望の位置に照射される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b2を介してブランキング偏向器10a1cを制御することにより、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bが、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3参照)を透過せしめられて試料Mに照射されるか、あるいは、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’以外の部分によって遮られて試料Mに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ブランキング偏向器10a1cを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム10a1bの照射時間を制御することができる。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b3を介してビーム寸法可変偏向器10a1dを制御することにより、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3参照)を透過せしめられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの大きさ、形状などを調整することができる。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b4を介して偏向器10a1eを制御することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、偏向器10a1eによって偏向される。また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b5を介して偏向器10a1fを制御することにより、偏向器10a1eによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bが、偏向器10a1fによって更に偏向される。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、偏向器10a1eおよび偏向器10a1fによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mの描画領域DA(図5参照)に照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射位置を調整することができる。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部10b1iによってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aの移動が制御される。
図4は図1および図2に示す描画データDの一部の一例を概略的に示した図である。図4に示す例では、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10に適用される描画データDが、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層CPの要素の一部であるチップCP1が、フレーム階層FRの要素の一部である3個のフレームFR1,FR2,FR3に対応している。また、例えば、フレーム階層FRの要素の一部であるフレームFR1が、ブロック階層BLの要素の一部である18個のブロックBL00,…,BL52に対応している。更に、例えば、ブロック階層BLの要素の一部であるブロックBL00が、セル階層CLの要素の一部である複数のセルCLA,CLB,CLC,CLD,…に対応している。また、例えば、セル階層CLの要素の一部であるセルCLAが、図形階層FGの要素の一部である多数の図形FG1,FG2,FG3,…に対応している。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1、図2および図4に示すように、描画データDに含まれている図形階層FG(図4参照)の多数の図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)が、荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)によって試料M(図1および図5参照)の描画領域DA(図5参照)に描画される。
詳細には、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR1内にパターンPA1,PA2,PA3,…が描画される時、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の右側から図5の左側に移動するように、ステージ制御部10b1i(図2参照)によってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR2内にパターン(図示せず)が描画される前に、可動ステージ10a2aが図5の左上側から図5の右下側に移動するように可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR2内にパターン(図示せず)が描画される時、可動ステージ10a2aが図5の右側から図5の左側に移動するように可動ステージ10a2aが制御される。
図6は図5に示すストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4を仮想分割することにより作成されたブロック枠DPB01a,…,DPB12aの一例を示した図である。詳細には、図5および図6に示す例では、例えば、ストライプ枠STR1が3個のブロック枠DPB01a,DPB02a,DPB03aに仮想分割され、ストライプ枠STR2が3個のブロック枠DPB04a,DPB05a,DPB06aに仮想分割され、ストライプ枠STR3が3個のブロック枠DPB07a,DPB08a,DPB09aに仮想分割され、ストライプ枠STR4が3個のブロック枠DPB10a,DPB11a,DPB12aに仮想分割されている。
図7は例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置の制御計算機10b1の詳細図である。例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に対応する描画データDが、制御計算機10b1の入力部10b1aに入力されて格納されると、近接効果補正およびかぶり補正が実行される場合に、入力部10b1aに格納されている試料Mの描画領域DA全体に対応する描画データDから、ディストリビュータ10b1b1によって、描画順序が最も早いブロック枠DPB01a(図6参照)に対応する図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)のデータが読み出され、描画データDと同一フォーマットのブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータが作成される。次いで、ディストリビュータ10b1b1によって作成されたブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータに対し、ショットデータ生成部10b1gによって(あるいは、ショットデータ生成部10b1gとは別個にショットデータ生成部10b1gの前段に設けられたショット分割部(図示せず)によって)ショット分割処理が実行される。
更に、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、入力部10b1aに格納されている試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に対応する描画データDから、ディストリビュータ10b1b2によって、少なくとも荷電粒子の後方散乱半径R1(図8(A)参照)に相当する長さだけブロック枠DPB01a(図6参照)より大きいサイズを有するブロック枠DPB01b(図8(A)参照)に対応する図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)のデータが読み出され、描画データDと同一フォーマットのブロック枠DPB01b(図8(A)参照)単位のデータが作成される。
次いで、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、ディストリビュータ10b1b2によって作成されたブロック枠DPB01b(図8(A)参照)単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部10b1c1によって、ブロック枠DPB01b内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠DPB01b(図8(A)参照)を分割することによって複数の1μm□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部10b1c1によって計算されたブロック枠DPB01b(図8(A)参照)内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部10b1d1によって、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために照射される荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量に組み込まれる近接効果補正照射量が計算される(近接効果補正照射量計算の詳細については、例えば特開2007−220728号公報の段落0064等参照)。
また、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、入力部10b1aに格納されている試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に対応する描画データDから、ディストリビュータ10b1b3によって、少なくとも荷電粒子のかぶり半径R2(図9(A)参照)に相当する長さだけブロック枠DPB01a(図6参照)より大きいサイズを有するブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に対応する図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)のデータが読み出され、描画データDと同一フォーマットのブロック枠DPB01c(図9(A)参照)単位のデータが作成される。
次いで、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、ディストリビュータ10b1b3によって作成されたブロック枠DPB01c(図9(A)参照)単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部10b1c2によって、ブロック枠DPB01c内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠DPB01c(図9(A)参照)を分割することによって複数の5μm□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部10b1c2によって計算されたブロック枠DPB01c(図9(A)参照)内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部10b1d2によって、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために照射される荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量の計算に用いられる近接効果補正照射量が計算される(かぶり補正照射量計算に用いられる近接効果補正照射量計算の詳細については、例えば特開2007−220728号公報の段落0071、段落0073等参照)。
更に、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図7に示すように、ディストリビュータ10b1b3によって作成されたブロック枠DPB01c(図9(A)参照)単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部10b1c3によって、ブロック枠DPB01c内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠DPB01c(図9(A)参照)を分割することによって複数の1mm□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、近接効果補正照射量計算部10b1d2によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部10b1c3によって計算されたブロック枠DPB01c(図9(A)参照)内のパターン面積密度分布とに基づき、かぶり補正照射量計算部10b1eによって、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために照射される荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量が計算される(かぶり補正照射量計算の詳細については、例えば特開2007−220728号公報の段落0077、段落0081等参照)。
次いで、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置10では、図7に示すように、ショットデータ生成部10b1gによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1hに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fが制御され、その結果、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bが、試料Mのブロック枠DPB01a(図6参照)内の所望の位置に照射される。
つまり、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置10では、パターン面積密度分布計算部10b1c2(図7参照)によって5μm□のメッシュサイズでブロック枠DPB01c(図9(A)参照)内のパターン面積密度分布が計算され、近接効果補正照射量計算部10b1d2(図7参照)によって、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に対応する近接効果補正照射量が計算される。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置10では、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合よりも、かぶり補正照射量の精度を向上させることができる。つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置10では、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合よりも、近接効果補正とかぶり補正との相関による誤差を縮小することができる(「かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠DPB01cに対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合」の詳細については、例えば特開2007−220728号公報の段落0032等参照)。
特に、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、かぶり補正照射量の精度を向上させるために、ブロック枠DPB01c(図9参照)に関するパターン面積密度分布計算部10b1c2(図7参照)および近接効果補正照射量計算部10b1d2(図7参照)の処理が追加されているため、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画開始前の待ち時間が長くなってしまう。
また、ブロック枠DPB01c(図9(A)参照)はブロック枠DPB01a(図6参照)よりかなり大きいため、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画開始前にブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に関するパターン面積密度分布計算部10b1c3(図7参照)およびかぶり補正照射量計算部10b1e(図7参照)の処理を終了させておく必要がある例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画開始前の待ち時間が長くなってしまう。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば4回多重描画が実行される場合、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)において、近接効果補正照射量計算部10b1d(図2参照)によって計算された近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量計算部10b1e(図2参照)によって計算されるかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、描画データD(図2参照)に含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)が、レジストが上面に塗布された試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に描画される。
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、近接効果補正およびかぶり補正が実行される場合、図2に示すように、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に対応する描画データDが、制御計算機10b1の入力部10b1aに入力されて格納されると、入力部10b1aに格納されている試料Mの描画領域DA全体に対応する描画データDから、ディストリビュータ10b1b1によって、描画順序が最も早いブロック枠DPB01a(図6参照)に対応する図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)のデータが読み出され、描画データDと同一フォーマットのブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータが作成される。次いで、ディストリビュータ10b1b1によって作成されたブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータに対し、ショットデータ生成部10b1gによってショット分割処理が実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ディストリビュータ10b1b2によって作成されたブロック枠DPB01b(図8(A)参照)単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部10b1cによって、ブロック枠DPB01b(図8(A)参照)内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠DPB01b(図8(A)参照)を分割することによって複数の例えば1μm□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部10b1cによって計算されたブロック枠DPB01b(図8(A)参照)内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部10b1dによって、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために照射される荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量に組み込まれる近接効果補正照射量が計算される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ショットデータ生成部10b1gによってショット分割処理されたブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータと、近接効果補正照射量計算部10b1dによって計算された近接効果補正照射量とが、ショットデータ生成部10b1gによってデータ処理され、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を試料M(図5参照)のブロック枠DPB01a(図6参照)内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射するショットデータが生成される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ショットデータ生成部10b1gによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1hに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)が制御され、その結果、荷電粒子銃10a1a(図1参照)からの荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)が、試料M(図5参照)のブロック枠DPB01a(図6参照)内の所望の位置に照射される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、同様に、描画データD(図2参照)に含まれている図形(図示せず)に対応するパターン(図示せず)を試料M(図5参照)のブロック枠DPB04a,…,DPB06a(図6参照)内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射するショットデータがショットデータ生成部10b1g(図2参照)によって生成され、荷電粒子銃10a1a(図1参照)からの荷電粒子ビーム10a1bが試料Mのブロック枠DPB04a,…,DPB06a内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム10a1bがストライプ枠STR2(図10(A)参照)に対して図10(A)の左側から右側に向かって走査され、2番目のストライプ描画♯02(図10(A)参照)がFWDストライプ描画によって実行される。次いで、可動ステージ10a2a(図1参照)がY方向(図5の上下方向)にステップ移動せしめられる。詳細には、可動ステージ10a2aが図5の左上側から図5の右下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、同様に、描画データD(図2参照)に含まれている図形(図示せず)に対応するパターン(図示せず)を試料M(図5参照)のブロック枠DPB10a,…,DPB12a(図6参照)内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射するショットデータがショットデータ生成部10b1g(図2参照)によって生成され、荷電粒子銃10a1a(図1参照)からの荷電粒子ビーム10a1bが試料Mのブロック枠DPB10a,…,DPB12a内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム10a1bがストライプ枠STR4(図10(A)参照)に対して図10(A)の左側から右側に向かって走査され、4番目のストライプ描画♯04(図10(A)参照)がFWDストライプ描画によって実行される。
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)が、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に対して実行される。
すなわち、上述したように、例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画を開始する前に、ブロック枠DPB01a(図6参照)よりかなり大きいブロック枠DPB01c(図9(A)参照)に関するパターン面積密度分布計算部10b1c2(図7参照)、近接効果補正照射量計算部10b1d2(図7参照)、パターン面積密度分布計算部10b1c3(図7参照)およびかぶり補正照射量計算部10b1e(図7参照)の処理を終了させておく必要があるため、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画をすぐに開始することができない。
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ディストリビュータ10b1b2によって作成された描画データDと同一フォーマットのブロック枠DPB01b,DPB02b,DPB03b,…(図8参照)単位のデータが、近接効果補正照射量計算に用いられるのみならず、かぶり補正照射量計算にも用いられる。具体的には、ディストリビュータ10b1b2によって作成されたブロック枠DPB01b,DPB02b,DPB03b,…単位のデータに基づき、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)中に、あるいは、4回多重描画のうちの1回目の描画後に、パターン面積密度分布計算部10b1cによって、かぶり補正照射量計算用のパターン面積密度分布の計算が開始される。詳細には、ブロック枠DPB01b,DPB02b,DPB03b,…(図8参照)を分割することによって複数の例えば10μm□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部10b1cによって計算されたブロック枠DPB01b,DPB02b,DPB03b,…内のパターン面積密度分布に基づき、かぶり補正照射量計算部10b1eによって、ブロック枠DPB01a,…,DPB12a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために照射される荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量が計算される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ショットデータ生成部10b1gによってショット分割処理されたブロック枠DPB01a,…,DPB12a(図6参照)単位のデータと、近接効果補正照射量計算部10b1dによって計算された近接効果補正照射量と、かぶり補正照射量計算部10b1eによって計算されたかぶり補正照射量とが、ショットデータ生成部10b1gによってデータ処理され、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を試料M(図5参照)のブロック枠DPB01a,…,DPB12a(図6参照)内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射するショットデータが生成される。
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、4回多重描画が実行される場合、1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)時に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)が照射され、2回目から4回目の描画(ストライプレイヤSTL2,STL3,STL4(図10(B)、図10(C)および図10(D)参照)の描画)時に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)が照射される。更に、1回目から4回目の描画時の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量を合計したものが、所望のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)を描画するために必要な近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量になるように、1回目から4回目のそれぞれの描画時の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)の照射量が設定される。
それに対し、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ディストリビュータ10b1b2(図2参照)によって作成されるブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータが、パターン面積密度分布計算部10b1c(図2参照)において近接効果補正用のパターン面積密度分布計算に用いられると共に、かぶり補正用のパターン面積密度分布計算に用いられる。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、ディストリビュータ10b1b2(図7参照)とディストリビュータ10b1b3(図7参照)とが別個に設けられている例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、ディストリビュータ10b1b1,10b1b2(図2参照)の全体の処理負荷を低減することができ、入力部10b1a(図2参照)からディストリビュータ10b1b1,10b1b2(図2参照)へのデータの転送時間を短縮することができる。
それに対し、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、パターン面積密度分布計算部10b1c(図2参照)および近接効果補正照射量計算部10b1d(図2参照)によって計算される近接効果補正照射量が、近接効果補正に用いられると共に、かぶり補正に用いられる。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、かぶり補正に用いられる近接効果補正照射量を計算するためのパターン面積密度分布計算部10b1c2(図7参照)および近接効果補正照射量計算部10b1d2(図7参照)が別個に設けられている例えば特開2007−220728号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる。また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、パターン面積密度分布計算部10b1c(図2参照)によって、例えば1μm□のメッシュサイズを有する近接効果補正用のパターン面積密度分布が出力されると共に、例えば10μm□のメッシュサイズを有するかぶり補正用のパターン面積密度分布が出力される。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、近接効果補正用のパターン面積密度分布を出力するパターン面積密度分布計算部と、かぶり補正用のパターン面積密度分布を出力するパターン面積密度分布計算部とが別個に設けられている場合よりも、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(B)に示すように、例えば4個のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4のうち、図10(B)の下側の端部に位置するストライプ枠STR1に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、例えば4回の多重描画のうちの2回目の描画(ストライプレイヤSTL2の描画)が実行される。詳細には、図10(B)に示すように、荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)がストライプ枠STR1内を図10(B)の右側から左側に向かって走査されるBWDストライプ描画によって、5番目のストライプ描画♯05が実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(C)に示すように、ストライプ枠STR1に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、例えば4回の多重描画のうちの3回目の描画(ストライプレイヤSTL3の描画)が実行される。詳細には、図10(C)に示すように、荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)がストライプ枠STR1内を図10(C)の左側から右側に向かって走査されるFWDストライプ描画によって、6番目のストライプ描画♯06が実行される。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(D)に示すように、ストライプ枠STR1に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、例えば4回の多重描画のうちの最後(4回目)の描画(ストライプレイヤSTL4の描画)が実行される。詳細には、図10(D)に示すように、荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)がストライプ枠STR1内を図10(D)の右側から左側に向かって走査されるBWDストライプ描画によって、7番目のストライプ描画♯07が実行される。次いで、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(B)〜図10(D)に示すように、例えば4個のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4のうち、ストライプ枠STR2に隣接するストライプSTR3に対して、同様に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、例えば4回の多重描画のうちの2回目から4回目の描画(ストライプレイヤSTL2,STL3,STL4の描画)が実行される。詳細には、11番目のストライプ描画♯11から13番目のストライプ描画♯13が実行される。次いで、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(B)〜図10(D)に示すように、例えば4個のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4のうち、ストライプ枠STR3に隣接するストライプSTR4に対して、同様に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、例えば4回の多重描画のうちの2回目から4回目の描画(ストライプレイヤSTL2,STL3,STL4の描画)が実行される。詳細には、14番目のストライプ描画♯14から16番目のストライプ描画♯16が実行される。
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(B)〜図10(D)に示すように、例えば、5番目のストライプ描画♯05がBWDストライプ描画によって実行され、6番目のストライプ描画♯06がFWDストライプ描画によって実行され、7番目のストライプ描画♯07がBWDストライプ描画によって実行される。つまり、FWDストライプ描画とBWDストライプ描画とが交互に実行される。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、FWDストライプ描画が続けて実行される場合や、BWDストライプ描画が続けて実行される場合よりも、例えば、5番目のストライプ描画♯05と6番目のストライプ描画♯06とのインターバル時および6番目のストライプ描画♯06と7番目のストライプ描画♯07とのインターバル時における可動ステージ10a2a(図1参照)のX方向(図5の左右方向)の移動量を低減することができ、スループットを向上させることができる。
この点に鑑み、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10に示すように、例えば4回の多重描画の一部を構成するFWDストライプ描画の回数(図10に示す例では2回)と、4回の多重描画の一部を構成するBWDストライプ描画の回数(図10に示す例では2回)とが、試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)内のすべてのストライプSTR1,STR2,STR3,STR4で等しくされている。そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、複数のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4の相互間のばらつきを抑制することができる。
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、多重描画のうちの最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)においてかぶり補正が実行されず、多重描画のうちの残りの描画(ストライプレイヤSTL2,STL3,STL4(図10(B)〜図10(D)参照)の描画)においてかぶり補正が実行されるが、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、多重描画のうちの最後の描画(ストライプレイヤSTL4(図10(D)参照)の描画)においてかぶり補正を実行し、多重描画のうちの残りの描画(ストライプレイヤSTL1,STL2,STL3(図10(A)〜図10(C)参照)の描画)においてかぶり補正を実行しないことも可能である。
図11は第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の制御計算機10b1の詳細図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、多重描画のうちの最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)において近接効果補正が実行されるが、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、多重描画のうちの最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)において近接効果補正が実行されない。そのため、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ブロック枠DPB01a(図6参照)より大きいサイズを有するブロック枠DPB01b(図8(A)参照)単位のデータを作成するディストリビュータ10b1b2(図2参照)が必要ない。
つまり、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ディストリビュータ10b1b1(図11参照)によって作成されるブロック枠DPB01a,…,DPB12a(図6参照)単位のデータが、ショット分割に用いられるのみならず、パターン面積密度分布計算部10b1c(図11参照)においても用いられる。そのため、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、ディストリビュータ10b1b2(図2参照)が設けられている第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10よりも、ディストリビュータ10b1b1(図11参照)の全体の処理負荷を低減することができ、入力部10b1a(図11参照)からディストリビュータ10b1b1(図11参照)へのデータの転送時間を短縮することができる。
更に、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、多重描画のうちの最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)において近接効果補正が実行されないため、最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)の開始前にパターン面積密度分布計算部10b1c(図11参照)によるパターン面積密度分布計算および近接効果補正照射量計算部10b1d(図11参照)による近接効果補正照射量計算を実行する必要がない。その結果、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、最初の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)の開始前にパターン面積密度分布計算部10b1c(図2参照)によるパターン面積密度分布計算および近接効果補正照射量計算部10b1d(図2参照)による近接効果補正照射量計算が実行される第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10よりも、ブロック枠DPB01a(図6参照)内のパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)の描画を早期に開始することができる。
第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、パターン面積密度分布計算部10b1c(図11参照)によって、例えば1μm□のメッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が出力されると共に、例えば10μm□の大きいメッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が出力されるが、第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、例えば1μm□の共通のメッシュサイズを有するパターン面積密度分布がパターン面積密度分布計算部10b1c(図11参照)によって出力され、近接効果補正照射量計算に用いられると共にかぶり補正照射量計算に用いられる。
図12は第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の制御計算機10b1の詳細図である。第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図11に示すように近接効果補正照射量計算部10b1dとかぶり補正照射量計算部10b1eとが別個に設けられているが、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、図12に示すように、パターン面積密度分布計算部10b1cによって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量を計算する補正照射量計算部10b1deが設けられている。また、パターン面積密度分布計算部10b1cでは、例えば1μm□のメッシュサイズを有し、補正照射量計算部10b1deにおける補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が計算される。
詳細には、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12に示すように、補正照射量計算部10b1deによる補正照射量計算前または補正照射量計算中に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)を照射することにより、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…(図4参照)に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…(図5参照)が、レジストが上面に塗布された試料M(図5参照)の描画領域DA(図5参照)全体に描画され、次いで、補正照射量計算部10b1deによる補正照射量計算後に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、試料Mの描画領域DA全体に描画されているパターンPA1,PA2,PA3,…上に同一形状のパターンPA1,PA2,PA3,…が重ねて描画される。
第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)時に、補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)が照射されるが、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の変形例では、代わりに、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)時に、補正照射量計算部10b1deによって計算された近接効果補正照射量のみが組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1b(図3参照)が照射される。
つまり、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の変形例では、補正照射量計算部10b1ed(図12参照)において、パターン面積密度分布計算部10b1c(図12参照)によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が計算されるのみならず、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)のために、パターン面積密度分布計算部10b1cによって計算されたパターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量が計算される。
更に、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の変形例では、補正照射量計算部10b1deによる近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部10b1deによる少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算前または補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データDに含まれている図形FG1,FG2,FG3,…に対応するパターンPA1,PA2,PA3,…が、レジストが上面に塗布された試料Mの描画領域DA全体に描画され、次いで、補正照射量計算部10b1deによる近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算後に(つまり4回多重描画のうちの2回目から4回目の描画時に)、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、試料Mの描画領域DA全体に描画されているパターンPA1,PA2,PA3,…上に同一形状のパターンPA1,PA2,PA3,…が重ねて描画される。
詳細には、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ディストリビュータ10b1b1(図12参照)によってブロック枠DPB01a(図6参照)単位のデータが作成されるが、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の変形例では、代わりに、4回多重描画のうちの1回目の描画(ストライプレイヤSTL1(図10(A)参照)の描画)時に近接効果補正を実行可能にするために、ディストリビュータ10b1b1(図12参照)によって、ブロック枠DPB01a(図6参照)より大きいブロック枠DPB01b(図8参照)単位のデータが作成される。
10a 描画部
10a1b 荷電粒子ビーム
10b1b1,10b1b2 ディストリビュータ
10b1c パターン面積密度分布計算部
10b1d 近接効果補正照射量計算部
10b1e かぶり補正照射量計算部
M 試料
D 描画データ
DA 描画領域
Claims (3)
- 第1メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第1パターン面積密度分布を計算すると共に、第1メッシュサイズとは異なる第2メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第2パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第1パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第2パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、 ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、 試料の描画領域全体に対応する描画データから第1ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、ショット分割に用いられる第1ブロック枠単位のデータを作成する第1ディストリビュータと、 試料の描画領域全体に対応する描画データから、第1ブロック枠より大きい第2ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられる第2ブロック枠単位のデータを作成する第2ディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
- 第1メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第1パターン面積密度分布を計算すると共に、第1メッシュサイズとは異なる第2メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第2パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第1パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第2パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算前または近接効果補正照射量計算中であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、 ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、 試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
- レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することによって、描画データに含まれている図形に対応するパターンを試料の描画領域に多重描画する荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、 第1ディストリビュータによって、試料の描画領域全体に対応する描画データから第1ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、ショット分割に用いられる第1ブロック枠単位のデータを作成し、 第2ディストリビュータによって、試料の描画領域全体に対応する描画データから、第1ブロック枠より大きい第2ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられる第2ブロック枠単位のデータを作成し、 ショットデータ生成部によって、ショット分割を実行すると共に、ショットデータを生成し、 パターン面積密度分布計算部によって、第1メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第1パターン面積密度分布を計算すると共に、第1メッシュサイズとは異なる第2メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第2パターン面積密度分布を計算し、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第1パターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部によって近接効果補正照射量を計算し、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第2パターン面積密度分布とに基づき、かぶり補正照射量計算部によってかぶり補正照射量を計算し、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
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