TWI460815B - 基板處理裝置、基板保持裝置及基板保持方法 - Google Patents

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Minoru Mizubata
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Description

基板處理裝置、基板保持裝置及基板保持方法
本發明係關於一種保持半導體基板、印刷基板、彩色濾光片用基板、包含於液晶顯示裝置或電漿顯示裝置之平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板、太陽電池用面板等各種基板(以下，僅稱作「基板」)之技術。
於對基板進行各種處理(例如，對形成於基板上之感光材料之光之照射、對基板之各種塗佈液之塗佈等)之各種基板處理裝置(例如，參照專利文獻1)、或進行基板之移送之基板搬送裝置等中，必需保持基板之技術。
關於該技術，例如於專利文獻2、3中揭示有使用真空吸附噴嘴吸附保持基板之下表面側之構成。又，例如於專利文獻4~7中揭示有使用利用伯努利原理之伯努利噴嘴(藉由自形成於保持面之孔噴出氣體而利用伯努利效果吸附基板之噴嘴)吸附保持基板之構成。又，例如於專利文獻8中揭示有使用伯努利噴嘴頂起基板並且以不使基板移動之方式藉由真空吸附噴嘴而固定之構成。又，例如於專利文獻9中揭示有將伯努利噴嘴與真空吸附噴嘴併用來吸附保持基板之構成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-150175號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-270626號公報
[專利文獻3]日本專利特開2005-19637號公報
[專利文獻4]日本專利特開2009-28863號公報
[專利文獻5]日本專利特開2005-142462號公報
[專利文獻6]日本專利特開2002-64130號公報
[專利文獻7]日本專利特開2010-52051號公報
[專利文獻8]日本專利特開2004-193195號公報
[專利文獻9]日本專利特開2006-80289號公報
例如，於對形成於基板上之感光材料進行光之照射從而於基板上形成電路等圖案之描繪裝置等中，若於處理中基板相對於保持面發生位置偏移，則描繪精度變差。因此，必需以不發生位置偏移之方式確實地保持載置於保持面上之基板。
然而，於載置於保持面上之狀態下，基板未必為平坦形狀。例如，於保持面上載置有基板之搬送裝置之機械手支持基板之中央附近之情形時，載置於保持面上之基板可能會翹曲成凸形狀。又，於該搬送裝置之機械手支持基板之外緣之情形時，載置於保持面上之基板可能會翹曲成凹形狀。於基板之薄型化不斷發展的近年中，因基板非常容易翹曲，故基板於載置於保持面上之狀態下發生翹曲之可能性非常高。
如由上述各專利文獻2~9所揭示之構成般，於藉由在基板與保持面之間形成負壓而將基板吸附保持於保持面之態 樣中，很難確實地保持翹曲之基板。此係由於當載置於保持面上之基板發生翹曲之情形時，於基板之背面之一部分與保持面之間產生間隙，負壓自該間隙逸出。若於保持面與基板之背面之間不形成充分之抽吸壓，則吸附不良，因而基板相對於保持面發生位置偏移之可能性變高。另一方面，若欲不使此種吸附不良產生而確實地進行吸附保持，則必需使非常大之抽吸力作用於基板，為此，必需設置例如大型之真空泵或大規模之配管系統等，因而裝置之大型化、成本增加等不可避免。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種即便為翹曲之基板亦能夠以簡單之構成確實地保持之技術。
第1態樣係一種對基板實施特定處理之基板處理裝置；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面；1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口。
第2態樣係如第1態樣之基板處理裝置，其包括：堤部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及複數個突起部， 其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第3態樣係如第1或第2態樣之基板處理裝置，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口，且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
第4態樣係如第1態樣之基板處理裝置，其包括複數個上述真空抽吸口；且藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而於所規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且該基板處理裝置包括：堤部，其以分別包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第5態樣係如第4態樣之基板處理裝置，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
第6態樣係如第1至第5中之任一態樣之基板處理裝置，其包括檢測上述保持面上之壓力之壓力感測器；若將基板載置於上述保持面則開始自上述真空抽吸口之抽吸，即便於開始自上述真空抽吸口之抽吸後經過所設定之時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不成為低壓側之情形時開始自上述伯努利抽吸口之抽吸。
第7態樣係如第6態樣之基板處理裝置，其中若於開始自 上述伯努利抽吸口之抽吸後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自上述伯努利抽吸口之抽吸。
第8態樣係如第1至第7中之任一態樣之基板處理裝置，其包括：凹部，其形成於上述保持板之背面側且於深度方向之底面與上述伯努利抽吸口連通；及伯努利抽吸單元，其配置於上述凹部之內部；且上述伯努利抽吸單元包括：本體部，其形成有圓柱狀之凹空間；及噴出噴嘴，其將氣體噴出至上述圓柱狀之凹空間且於上述圓柱狀之凹空間形成回旋流；且上述本體部於上述凹部之深度方向之底面及上述凹部之壁面之間形成間隙，並且固定地支持於上述凹部內。
第9態樣係如第8態樣之基板處理裝置，其中上述伯努利抽吸口之直徑尺寸形成為小於上述圓柱狀之凹空間之直徑尺寸。
第10態樣係保持基板之基板保持裝置；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面；1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口。
第11態樣係如第10態樣之基板保持裝置，其包括：堤 部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第12態樣係如第10或第11態樣之基板保持裝置，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口，且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
第13態樣係如第10態樣之基板保持裝置，其包括複數個上述真空抽吸口；且藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而於所規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且該基板處理裝置包括：堤部，其以分別包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第14態樣係如第13態樣之基板保持裝置，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
第15態樣係如第10至第14中之任一態樣之基板保持裝置，其包括檢測上述保持面上之壓力之壓力感測器；若將基板載置於上述保持面則開始自上述真空抽吸口之抽吸，即便於開始自上述真空抽吸口之抽吸後經過所設定之時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不成為低壓側之情形時開始自上述伯努利抽吸口之抽吸。
第16態樣係如第15態樣之基板保持裝置，其中若於開始自上述伯努利抽吸口之抽吸後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自上述伯努利抽吸口之抽吸。
第17態樣係如第10至第16中之任一態樣之基板保持裝置，其包括：凹部，其形成於上述保持板之背面側且於深度方向之底面與上述伯努利抽吸口連通；及伯努利抽吸單元，其配置於上述凹部之內部；且上述伯努利抽吸單元包括：本體部，其形成有圓柱狀之凹空間；及噴出噴嘴，其將氣體噴出至上述圓柱狀之凹空間且於上述圓柱狀之凹空間形成回旋流；且上述本體部於上述凹部之深度方向之底面及上述凹部之壁面之間形成間隙，並且固定地支持於上述凹部內。
第18態樣係如第17態樣之基板保持裝置，其中上述伯努利抽吸口之直徑尺寸形成為小於上述圓柱狀之凹空間之直徑尺寸。
第19態樣係保持基板之基板保持方法；且其包括如下步驟：a)於使基板之背面與形成於保持板之保持面對向之狀態下，將上述基板載置於上述保持面上；b)於形成於上述保持面之1個以上之真空抽吸口，藉由真空抽吸而形成抽吸壓；c)於形成於上述保持面之複數個伯努利抽吸口之至少一個，藉由伯努利抽吸而形成抽吸壓；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口。
第20態樣係如第19態樣之基板保持方法，其中包括：堤部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第21態樣係如第19或第20態樣之基板保持方法，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口，且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
第22態樣係如第19態樣之基板保持方法，其中包括複數個上述真空抽吸口；且藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而於所規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且該基板處理方法包括：堤部，其以分別包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
第23態樣係如第22態樣之基板保持方法，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
第24態樣係如第19至第23中之任一態樣之基板保持方法，其中若將基板載置於上述保持面則開始上述b)步驟，即便於開始上述b)步驟後經過所設定之時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不成為低壓側之情形時，開始上述c) 步驟。
第25態樣係如第24態樣之基板保持方法，其中若於開始上述c)步驟後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止上述伯努利抽吸。
根據第1、第10、第19態樣，因伯努利抽吸口分別配置於規定於保持面之圓形區域及圓環狀區域，故無論基板翹曲成凸形狀、凹形狀中之何者，均可藉由自伯努利抽吸口之抽吸而使其翹曲平坦化。因此，即便為翹曲之基板亦能夠以簡單之構成確實地將該基板吸附保持。
根據第2、第11、第20態樣，基板係在與堤部之頂部及突起部之頂部抵接之狀態下被吸附保持。根據該構成，基板係於其背面與保持面相隔相當於堤部之高度之距離之狀態下吸附保持於保持面，故無於基板之背面留下真空抽吸口之抽吸痕跡之虞。
根據第3、第12、第21態樣，複數個伯努利抽吸口沿著保持面之圓環狀區域之圓周方向而排列。根據該構成，即便於基板翹曲成凹形狀之情形時，亦可藉由自配置於圓環狀區域之各伯努利抽吸口之抽吸壓而使其翹曲平坦化，從而確實地吸附保持基板。
根據第4、第13、第22態樣，於規定於保持面內之複數個部分區域(複數個弧狀區域及圓形區域)分別配置有真空抽吸口及伯努利抽吸口，並且形成包圍該各部分區域之堤部。根據該構成，因於各部分區域與基板之背面之間形成 密閉空間，且利用該部分區域單位可獨立地吸附保持基板之背面，故可簡潔且有效地使基板之翹曲平坦化，從而確實地吸附保持基板。又，根據該構成，基板係於其背面與保持面相隔相當於堤部之高度之距離之狀態下吸附保持於保持面，故無於基板之背面留下真空抽吸口之抽吸痕跡之虞。
根據第5、第14、第23態樣，將複數個弧狀區域之各自之面積設為彼此相等。根據該構成，因形成於各弧狀區域與基板之背面之間之密閉空間之體積相等，故可於各弧狀區域使同等之抽吸力作用於基板。
根據第6、第15、第24態樣，即便進行自真空抽吸口之抽吸亦於保持面上之抽吸壓較特定值不成為低壓側之情形時開始自伯努利抽吸口之抽吸。根據該構成，於例如載置於保持面上之基板最初為無翹曲之平坦之形狀之情形時，因不進行自伯努利抽吸口之抽吸，故無用之空氣之消耗得到抑制。
根據第7、第16、第25態樣，若於開始自伯努利抽吸口之抽吸後保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自伯努利抽吸口之抽吸。即，若藉由自伯努利抽吸口之抽吸而使基板之翹曲平坦化且適當地吸附保持基板，則此後僅藉由自真空抽吸口之抽吸而吸附保持基板。根據該構成，因將自伯努利抽吸口之抽吸抑制為必要最小限度，故無用之空氣之消耗得到抑制。
根據第8、第17態樣，因伯努利抽吸單元所包括之本體 部於形成於保持板之凹部之深度方向之底面及壁面之間形成間隙並且固定地支持於凹部內，故自圓柱狀之凹空間內溢出之氣體沿著本體部之周圍之間隙流動且排出至保持板之背面側。根據該構成，即便為伯努利抽吸口由基板之背面堵塞之狀態，亦可持續維持伯努利抽吸口之抽吸壓。
根據第9、第18態樣，伯努利抽吸口之直徑尺寸形成為小於凹部空間之直徑尺寸。根據該構成，因基板之背面之抽吸壓所作用之區域變小，故無因進行自伯努利抽吸口之抽吸而使基板之平面度變差之虞。
以下，一面參照隨附之圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明具體化之一例，並不限定本發明之技術性範圍。
<<第1實施形態>> <1.裝置構成>
一面參照圖1、圖2一面對第1實施形態之描繪裝置1之構成進行說明。圖1係模式性地表示描繪裝置1之構成之側視圖。圖2係模式性地表示描繪裝置1之構成之平面圖。
描繪裝置1係對形成有抗蝕劑等感光材料之層的基板W之上表面照射光，並將圖案進行曝光之裝置。再者，基板W亦可為半導體基板、印刷基板、彩色濾光片用基板、包含於液晶顯示裝置或電漿顯示裝置之平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板、太陽電池用面板等各種基板中之任一者。圖中表示圓形之半導體基板。
描繪裝置1係為於藉由在由本體框架101構成之骨架之頂部面及周圍面安裝覆蓋面板(省略圖示)而形成之本體內部、及作為本體框架101之外側之本體外部配置各種構成要素之構成。
描繪裝置1之本體內部區分為處理區域102及交付區域103。於處理區域102，主要配置有基板保持部10、平台驅動機構20、測量部30、2個光學單元40、40及攝像單元50。於交付區域103，配置有對於處理區域102進行基板W之搬入搬出之搬送裝置60及預對準部70。
於描繪裝置1之本體外部，配置有對攝像單元50供給照明光之照明單元80。又，於描繪裝置1之本體外部且與交付區域103鄰接之位置，配置有用以載置晶匣C之晶匣載置部104。配置於交付區域103之搬送裝置60係將收容於載置於晶匣載置部104之晶匣C之未處理之基板W取出而搬入至處理區域102，並且自處理區域102搬出處理後之基板W而收容於晶匣C。對晶匣載置部104之晶匣C之交付係藉由外部搬送裝置(省略圖示)而進行。
又，於描繪裝置1中配置有與描繪裝置1所包括之各部電性連接且控制該等各部之動作之控制部90。
以下，對描繪裝置1所包括之各部之構成進行說明。
<1-1.基板保持部10>
基板保持部10係將基板W吸附保持為水平姿勢之裝置。除圖1、圖2以外，一面參照圖3~圖6一面對基板保持部10之構成進行說明。圖3係基板保持部10之平面圖。圖4係將 基板保持部10於真空抽吸口12之形成位置切斷之部分剖面圖。圖5係將基板保持部10於伯努利抽吸口13之形成位置切斷之部分剖面圖。圖6係模式性地表示基板保持部10所包括之配管系統之圖。
基板保持部10具有平板狀之外形，且其包括於其上表面形成有與基板W之背面對向之保持面111之保持板11。保持面111之平面度以成為相對於光學單元40中之焦點深度充分地小之值(例如約2 μm以下)之方式形成。又，保持面111形成為至少覆蓋基板W之曝光區域之尺寸。然而，於該實施形態中，基板W為圓形狀，保持面111亦於俯視時形成為圓形狀。
<抽吸口12、13、13、...、13>
於保持面111，形成有複數個抽吸口12、13、13、...、13。複數個抽吸口12、13、13、...、13中的一個抽吸口12為藉由真空抽吸而將基板W抽吸於保持面111之抽吸口(以下稱作「真空抽吸口」)12，剩下的各抽吸口13為藉由伯努利抽吸而將基板W抽吸於保持面111之抽吸口(以下稱作「伯努利抽吸口」)13。伯努利抽吸口13形成為複數個(圖示之例中為7個)。
此處，對複數個伯努利抽吸口13、13、...、13之佈局進行說明。於保持面111規定有與保持面111之中心(幾何學中心)同心地配置之圓形區域M1、及與圓形區域M1同心地配置之圓環狀區域M2，且伯努利抽吸口13分別於圓形區域M1及圓環狀區域M2至少各配置1個。然而，較佳為於圓環 狀區域M2配置複數個伯努利抽吸口13、...、13。又，於在圓環狀區域M2配置複數個伯努利抽吸口13、...、13之情形時，該複數個伯努利抽吸口13、...、13較佳為沿圓環狀區域M2之圓周方向而排列。
於該實施形態中，於圓形區域M1，在其中心配置有1個伯努利抽吸口13。又，於圓環狀區域M2，6個伯努利抽吸口13沿著圓環狀區域M2之圓周方向等間隔地排列。
其次，對真空抽吸口12具體地進行說明。真空抽吸口12係經由配管121而與抽吸氣體之氣體抽吸部(例如真空泵)122連接。又，於配管121之中途介插有開閉閥(例如電磁閥)123。若運轉氣體抽吸部122並開放開閉閥123，則經由配管121而於真空抽吸口12形成負壓(抽吸壓)。
其次，對伯努利抽吸口13具體地進行說明。於保持板11之背面側且與複數個伯努利抽吸口13之各者對應之各位置，形成凹部112。凹部112係於保持板11之背面側形成開口，且於深度方向之底面與所對應之伯努利抽吸口13連通。
於凹部112之內部，配置有伯努利抽吸單元130之本體部131。然而，凹部112設為較本體部131大一圈之尺寸，本體部131之端面133及側面係於凹部112之深度方向之底面及壁面之間形成微小之間隙(例如數百μm左右之間隙)Q，並且固定地支持於凹部112內。
本體部131中之、與凹部112之深度方向之底面對向之側之端面133係平坦地形成，且於該端面133中形成有圓柱狀 之凹空間(圓柱狀凹空間)132。然而，本體部131係圓柱狀凹空間132之中心部以如與伯努利抽吸口13對向之姿勢配置於凹部112內。此處，伯努利抽吸口13之直徑尺寸d13形成為小於圓柱狀凹空間132之直徑尺寸d132。
伯努利抽吸單元130進而包括沿著圓柱狀凹空間132之內周壁形成開口之一對噴出噴嘴134、134。各噴出噴嘴134係經由配管135而與供給壓縮空氣等氣體之氣體供給部(例如壓縮機)136連接。又，於配管135之中途介插有開閉閥(例如電磁閥)137及濾光片(省略圖示)。若運轉氣體供給部136並且開放開閉閥137，則經由配管135而自各噴出噴嘴134噴出壓縮氣體。自一對噴出噴嘴134、134沿著圓柱狀凹空間132之內周壁噴出之氣體係以沿著圓柱狀凹空間132之內周壁之方式流動，且成為較強之回旋流地自圓柱狀凹空間132之開放端流出。此時，於回旋流之中心部(即，圓柱狀凹空間132之中心部)按照伯努利之定理產生負壓，藉此，於伯努利抽吸口13形成負壓(抽吸壓)。再者，自圓柱狀凹空間132溢出之氣體係沿著形成於本體部131與凹部112之間之間隙Q流動並排出至保持板11之背面側。
<堤部14、突起部15、環狀突起部16>
於保持面111，沿著其外緣豎立設置有堤部14。又，於由堤部14包圍之保持面111內遍及其整個區域無遺漏地豎立設置有複數個突起部15(圖4、圖5)。進而，沿著各伯努利抽吸口13之外緣及下述各銷孔18之外緣豎立設置有環狀之突起部(環狀突起部)16。然而，於圖3中，省略突起部15 之圖示。
堤部14之頂部、各突起部15之頂部及各環狀突起部16之頂部係全部形成於同一平面，且配置有該等各頂部之平面之平面度亦以相對於光學單元40中之焦點深度成為充分地小之值(例如2 μm左右)之方式形成。若將平坦之基板W載置於保持面111，則該基板W之背面與堤部14之頂部整個區域、所有的突起部15之頂部、及所有的環狀突起部16之頂部抵接，且於堤部14及由其所包圍之保持面111內之區域以及基板W之背面之間形成密閉空間。於該狀態下，若於開口於保持面111之真空抽吸口12形成負壓，則該密閉空間被減壓，基板W(具體而言，至少基板W中之包含曝光區域之部分)係於其背面與保持面111相隔相當於堤部14之高度之距離之位置，以平坦狀態吸附保持於保持面111。
<壓力感測器17>
於保持面111，配置有壓力感測器17。壓力感測器17係檢測保持面111上之壓力。
<銷孔18>
基板保持部10包括用以使基板W相對於保持面111升降之複數個頂起銷181。又，於保持面111，形成有可供各頂起銷181***之銷孔18。各頂起銷181係與頂起銷驅動機構(省略圖示)連接，且設置為可經由各銷孔18而相對於保持面111同步地出沒。各頂起銷181於在搬送裝置60與保持面111之間進行基板W之交付之情形時，於其前端自保持面111突出之上方位置(突出位置)與其前端成為保持面111以 下之下方位置(待避位置)之間進行往復移動。
<吸附控制部19>
基板保持部10進而包括控制基板保持部10所包括之各部之吸附控制部19。吸附控制部19係於下文具體地進行說明之控制部90中，藉由例如CPU(central processing unit，中央處理單元)91按照程式P進行特定運算處理、或利用專用之邏輯電路等而硬體地實現(圖7)。
吸附控制部19係與壓力感測器17電性連接，且構成為可取得來自壓力感測器17之檢測信號。又，吸附控制部19係分別與開閉閥123及開閉閥137電性連接，且基於由壓力感測器17獲得之檢測信號等，而獨立地開閉控制各開閉閥123、137。即，吸附控制部19基於由壓力感測器17獲得之檢測信號等，而控制分別形成於保持面111之複數個抽吸口(真空抽吸口12及複數個伯努利抽吸口13、13、...、13)之抽吸壓之形成。關於該控制態樣於下文具體地進行說明。
<1-2.平台驅動機構20>
再次參照圖1、圖2。平台驅動機構20係使基板保持部10相對於基台105移動之機構，且使基板保持部10於主掃描方向(Y軸方向)、副掃描方向(X軸方向)、及旋轉方向(繞Z軸之旋轉方向(θ軸方向))上移動。平台驅動機構20具體而言包括使基板保持部10旋轉之旋轉機構21(圖1)。平台驅動機構20進而包括隔著旋轉機構21而支持基板保持部10之支持板22、及使支持板22於副掃描方向上移動之副掃描機構 23。平台驅動機構20進而包括隔著副掃描機構23而支持支持板22之底板24、及使底板24於主掃描方向上移動之主掃描機構25。
旋轉機構21係如圖1所示，通過基板保持部10之上表面(保持面111)之中心，且以與保持面111垂直之旋轉軸A為中心使基板保持部10旋轉。旋轉機構21例如可設為如下構成：包含上端固著於保持面111之背面側且沿著鉛垂軸延伸之旋轉軸部211、及設置於旋轉軸部211之下端且使旋轉軸部211旋轉之驅動部(例如旋轉馬達)212。於該構成中，驅動部212藉由使旋轉軸部211旋轉，而使基板保持部10於水平面內以旋轉軸A為中心旋轉。
副掃描機構23具有包括安裝於支持板22之下表面之移動片及敷設於底板24之上表面之固定片之線性馬達231。又，於底板24，敷設有沿著副掃描方向延伸之一對導向構件232，且於各導向構件232與支持板22之間，設置有一面於導向構件232上滑動一面可沿著該導向構件232移動之滾珠軸承233。即，支持板22係隔著該滾珠軸承233而支持於一對導向構件232上。於該構成中若使線性馬達231動作，則支持板22於由導向構件232導引之狀態下沿著副掃描方向順暢地移動。
主掃描機構25具有包括安裝於底板24之下表面之移動片及敷設於描繪裝置1之基台105上之固定片之線性馬達251。又，於基台105，敷設有沿著主掃描方向延伸之一對導向構件252，且於各導向構件252與底板24之間設置有空 氣軸承253。於空氣軸承253中自實體設備一直供給空氣，底板24藉由空氣軸承253而非接觸地懸浮支持於導向構件252上。於該構成中若使線性馬達251動作，則底板24於由導向構件252導引之狀態下沿著主掃描方向無摩擦地順暢地移動。
<1-3.測量部30>
測量部30係測量基板保持部10之位置之機構，且其包括干涉式雷射測距器，其自基板保持部10外朝向基板保持部10出射雷射光並且接收其反射光，並根據該反射光與出射光之干涉測量基板保持部10之位置(具體而言，沿著主掃描方向之Y位置、及沿著旋轉方向之θ位置)。
測量部30例如可設為如下構成：安裝於基板保持部10之-Y側之側面，且其包括於-Y側之面包括與主掃描方向垂直之反射面之平面鏡31、及於平台之-Y側相對於基台105而固定之各部(具體而言，雷射光源32、分離器33、第1線性干涉儀34、第1接收器35、第2線性干涉儀36及第2接收器37)。
於該測量部30中，自雷射光源32出射之雷射光藉由分離器33而分割成2部分，一部分經由第1線性干涉儀34而入射至平面鏡31上之第1部位，且來自平面鏡31之反射光於第1線性干涉儀34中與原先的雷射光之一部分(將其用作參照光)進行干涉並由第1接收器35接收。基於第1接收器35中之反射光與參照光之干涉後之強度變化，而特定第1線性干涉儀34與平面鏡31之主掃描方向之距離。基於來自該第 1接收器35之輸出，並藉由專門之運算電路(省略圖示)而求出基板保持部10之主掃描方向之位置。
另一方面，自雷射光源32出射且由分離器33分割之另一雷射光之一部分係自+X側向-X側通過安裝台38之內部，並經由第2線性干涉儀36而入射至平面鏡31。此處，來自第2線性干涉儀36之雷射光係入射至與平面鏡31上之第1部位在副掃描方向上相隔僅固定距離之平面鏡31上之第2部位。來自平面鏡31之反射光於第2線性干涉儀36中與原先的雷射光之一部分進行干涉並由第2接收器37接收。基於第2接收器37中之、反射光與參照光之干涉後之強度變化，而特定第2線性干涉儀36與平面鏡31之主掃描方向之距離。基於來自第2接收器37之輸出與來自上述第1接收器35之輸出，並藉由專門之運算電路(省略圖示)而求出基板保持部10之旋轉角度。
<1-4.光學單元40>
光學單元40係用以對保持於基板保持部10上之基板W之上表面照射光並進行曝光之機構。如上述般，描繪裝置1包括2個光學單元40、40。一光學單元40負責基板W之+X側一半之曝光，另一光學單元40負責基板W之-X側一半之曝光。該等2個光學單元40、40係以跨過基板保持部10及平台驅動機構20之方式隔出間隔地固設於架設於基台105上之框架107。再者，2個光學單元40、40之間隔無需固定為一定，亦可設置可使光學單元40、40之一者或兩者之位置改變之機構，從而調整兩者之間隔。
2個光學單元40、40均具備相同之構成。即，各光學單元40包括配置於形成頂板之盒之內部的雷射驅動部41、雷射振盪器42及照明光學系統43、安裝於框架107之+Y側之收容於附設盒之內部之頭部400。頭部400主要包括空間光調變部44及投影光學系統45。
雷射振盪器42受到來自雷射驅動部41之驅動，並自輸出鏡(省略圖示)出射雷射光。照明光學系統43係將自雷射振盪器42出射之光(點光束)設為強度分佈均勻之線狀之光(光束剖面為線狀之光之線光束)。自雷射振盪器42出射且由照明光學系統43設為線光束之光係入射至頭部400，且於實施按照圖案資料D(參照圖7)之空間調變後照射至基板W。
入射至頭部400之光具體而言係經由鏡46而以所設定之角度入射至空間光調變部44。空間光調變部44係將該入射光進行空間調變，並使有助於圖案之描繪之必要光及無助於圖案之描繪之不要光向彼此不同之方向反射。然而，所謂使光空間調變，具體而言係指使光之空間分佈(振幅、相位、及偏光等)產生變化。
空間光調變部44具體而言係包括藉由電性控制而使入射光空間調變之空間光調變器441。空間光調變器441係其反射面之法線相對於經由鏡46而入射之入射光之光軸傾斜地配置，並基於控制部90之控制而使該入射光空間調變。空間光調變器441係利用例如繞射光柵型之空間調變器(例如，GLV(Grating Light Valve，光柵光閥)(「GLV」為註冊 商標)等而構成。繞射光柵型之空間調變器為可改變光柵之深度之繞射光柵，且利用例如半導體裝置製造技術而製造。
空間光調變器441成為將複數個空間光調變元件一維地排列之構成。各空間光調變元件之動作係以電壓之接通/斷開來控制。即，例如於電壓被接通之狀態下空間光調變元件之表面為平面，若於該狀態下使光入射至空間光調變元件，則該入射光不繞射而進行單向反射。藉此，產生單向反射光(0次繞射光)。另一方面，例如於電壓被接通之狀態下，於空間光調變元件之表面週期性地排列且形成複數條平行之槽。若於該狀態下使光入射至空間光調變元件，則單向反射光(0次繞射光)抵消並消失，產生其他次數之繞射光(±1次繞射光、±2次繞射光、及進而高次之繞射光)。更準確而言，0次繞射光之強度為最小，其他次數之繞射光之強度為最大。空間光調變器441包括對於複數個空間光調變元件之各個可獨立地施加電壓之驅動電路單元，各空間光調變元件之電壓可獨立地進行切換。
投影光學系統45係遮斷由空間光調變器441空間調變之光中之不應有助於圖案之描繪之不要光並且僅將應有助於圖案之描繪之必要光導入至基板W之表面，並使之於該表面成像。然而，由空間光調變器441空間調變之光中，包含0次繞射光及除0次以外之次數之繞射光(具體而言，±1次繞射光、±2次繞射光、及相對微量之±3次以上之高次繞射光)，且0次繞射光為應有助於圖案之描繪之必要光，除 此以外之繞射光為不應有助於圖案之描繪之不要光。該等必要光及不要光係沿著彼此不同之方向出射。即，必要光係沿著Z軸向-Z方向、不要光係自Z軸沿著於±X方向上略微傾斜之軸向-Z方向分別出射。投影光學系統45係藉由例如遮斷板而遮斷自Z軸沿著於±X方向上略微傾斜之軸前進之不要光，並且僅使沿Z軸前進之必要光通過。投影光學系統45可設為如下構成：除該遮斷板以外，進而包含構成擴展(或縮短)入射光之寬度之變焦部的複數個透鏡、使入射光作為所設定之倍率於基板W上成像之物鏡等。
於使光學單元40執行描繪動作之情形時，控制部90係驅動雷射驅動部41並使光自雷射振盪器42出射。所出射之光藉由照明光學系統43而設為線光束，並經由鏡46而入射至空間光調變部44之空間光調變器441。於空間光調變器441中，複數個空間光調變元件沿副掃描方向(X軸方向)排列地配置，入射光係以使該線狀之光束剖面沿著空間光調變元件之排列方向之方式，入射至排列成一列之複數個空間光調變元件。控制部90係基於圖案資料D而對驅動電路單元提供指示，驅動電路單元對所指示之空間光調變元件施加電壓。藉此，藉由各空間光調變元件而分別形成經空間調變之光，且向基板W出射。若將空間光調變器441所包括之空間光調變元件之個數設為「N個」，則自空間光調變器441沿副掃描方向之相當於N個像素之經空間調變之光被出射。由空間光調變器441空間調變之光係入射至投影光學系統45，此處，遮斷不要光並且僅將必要光導入至基板 W之表面，且設為所設定之倍率於基板W之表面成像。
根據下文可知，光學單元40係如此般地一面斷續地持續照射沿副掃描方向之相當於N個像素之經空間調變之光(即，一面於基板W之表面反覆地持續投影脈衝光)，一面沿著主掃描方向(Y軸方向)相對於基板W相對地移動。因此，若光學單元40沿著主掃描方向將基板W進行1次橫斷，則於基板W之表面，沿副掃描方向描繪具有相當於N個像素之寬度之一條圖案群。亦可將該具有相當於N個像素之寬度之1條圖案描繪區域於以下說明中稱作「相當於1個條紋之區域」。
再者，於頭部400中，亦可於空間光調變部44與投影光學系統45之間進而設置使由空間光調變部44調變之光之路徑沿副掃描方向略微偏移之光路修正部。於該情形時，視需要藉由使光之路徑於光路修正部發生偏移，而可沿副掃描方向對照射至基板W之光之位置進行微調整。光路修正部可由例如2個楔形稜鏡(藉由包括非平行之光學面而可改變入射光之光路之稜鏡)、及使一楔形稜鏡相對於另一楔形稜鏡沿入射光之光軸之方向(Z軸方向)直線地移動之楔形稜鏡移動機構而實現。於該構成中，藉由驅動控制楔形稜鏡移動機構，並調整2個楔形稜鏡間之相隔距離，而可使入射光以必要之量之程度偏移。
<1-5.攝像單元50>
攝像單元50係對形成於基板W之上表面之對準標記進行攝像。攝像單元50包括鏡筒、物鏡、及例如包含面圖像傳 感器(二維圖像傳感器)之CCD(charge couple device，電荷耦合器件)圖像傳感器(均省略圖示)。又，攝像單元50係與自照明單元80延伸之光纖81連接。自照明單元80出射之光藉由光纖81而導入至鏡筒，且經由鏡筒而導入至基板W之上表面。而且，該反射光經由物鏡而由CCD圖像傳感器接收。藉此，取得基板W之上表面之攝像資料。CCD圖像傳感器一面按照來自控制部90之指示取得攝像資料，一面將所取得之攝像資料發送至控制部90。再者，攝像單元50亦可進而包括可自動調焦之自動調焦單元。
<1-6.搬送裝置60>
搬送裝置60包括用以支持基板W之2根機械手61、61及使機械手61、61獨立地移動之機械手驅動機構62。各機械手61藉由機械手驅動機構62而驅動，藉此進行進退移動及升降移動，並進行基板保持部10之保持面111對基板W之交付。
<1-7.預對準部70>
預對準部70係對基板W之旋轉位置粗略地進行修正之裝置。預對準部70例如可包括：可旋轉地構成之載置台、檢測形成於載置於載置台之基板W之外周緣之一部分之切口部(例如凹口、定向平面等)之位置之傳感器、及使載置台旋轉之旋轉機構。於該情形時，預對準部70中之預對準處理係藉由首先利用傳感器檢測載置於載置台之基板W之切口部之位置，繼而，旋轉機構以該切口部之位置成為所設定之位置之方式(例如，以切口之方向與基板保持部10之 移動方向(例如X方向))平行之方式)使載置台旋轉而進行。
<1-8.控制部90>
控制部90係與描繪裝置1所包括之各部電性連接，且執行各種運算處理並控制描繪裝置1之各部之動作。
圖7係表示控制部90之硬體構成之方塊圖。控制部90係包括例如CPU91、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)92、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)93、外部記憶裝置94等經由匯流排線95而相互連接之一般之電腦。ROM92係儲存基本程式等，RAM93係作為CPU91進行特定處理時之操作區域而提供。外部記憶裝置94包括快閃記憶體、或硬碟裝置等非揮發性之記憶裝置。於外部記憶裝置94中儲存有程式P，且以如下方式構成：藉由作為主控制部之CPU91按照記述於該程式P之順序進行運算處理，而實現各種功能。程式P係通常預先儲存於外部記憶裝置94等記憶體而使用，但亦可以記錄於CD-ROM(Compact Disk-Read Only Memory，唯獨光碟記憶體)或DVD-ROM(Digital Versatile Disc-Read Only Memory，數位化通用光碟-唯讀記憶體)、外部之快閃記憶體等記錄媒體之形態(程式產品)提供(或藉由來自經由網路之外部伺服器之下載等而提供)、追加或交換地儲存於外部記憶裝置94等記憶體。再者，於控制部90中所實現之一部分或全部之功能亦可利用專用之邏輯電路等而硬體地實現。
又，於控制部90中，輸入部96、顯示部97、通信部98均連接於匯流排線95。輸入部96包括各種開關、觸控面板 等，且由操作員接收各種輸入設定指示。顯示部97係包括液晶顯示裝置、燈等，且在CPU91之控制下，顯示各種資訊。通信部98係具有經由LAN(Local Area Network，區域網路)等之資料通信功能。
於外部記憶裝置94中，儲存有記述有應對基板W進行曝光之圖案之資料(圖案資料)D。圖案資料D係將例如利用CAD(Computer Aided Design，電腦輔助設計)所生成之CAD資料光柵化之資料，且表現電路圖案等。控制部90係於對基板W進行一系列的處理之前取得圖案資料D並儲存於外部記憶裝置94。再者，圖案資料D之取得可藉由例如經由網路等而自所連接之外部終端裝置接收而進行，亦可藉由自記錄媒體讀取而進行。
<2.對基板W進行處理之流程>
其次，一面參照圖8一面對在描繪裝置1中所執行之對基板W之一系列的處理之流程進行說明。圖8係表示該處理之流程之圖。以下所說明之一系列的動作係在控制部90之控制下進行。
首先，搬送裝置60自載置於晶匣載置部104之晶匣C取出未處理基板W並搬入至描繪裝置1(具體而言，預對準部70)(步驟S1)。
繼而，藉由預對準部70而進行對基板W之預對準處理(步驟S2)。預對準處理係如上述般，藉由例如利用傳感器檢測載置於載置台之基板W之切口部之位置，並以該切口部之位置成為所設定之位置之方式使載置台旋轉而進行。 藉此，載置於載置台之基板W於大致位置對準之狀態下被置於所設定之旋轉位置。
繼而，搬送裝置60將預對準處理後之基板W自預對準部70搬出並將其載置於基板保持部10之保持面111(步驟S3)。該處理具體而言係如下般地進行。首先，平台驅動機構20使基板保持部10移動至所設定之交付位置。將基板保持部10配置於交付位置，繼而，頂起銷驅動機構(省略圖示)使一群頂起銷181自下方位置向上方位置移動。藉此，成為一群頂起銷181自保持面111突出之狀態。繼而，搬送裝置60將支持預對準處理後之基板W之機械手61沿保持面111***，進而使機械手61向下方移動。藉此，載置於機械手61上之基板W移載於一群頂起銷181上。繼而，若拉抽機械手61，則頂起銷驅動機構14使一群頂起銷181自上方位置向上方位置移動。藉此，成為基板W載置於保持面111之狀態。
將基板W載置於保持面111，繼而，基板保持部10吸附保持基板W(步驟S4)。一面參照圖9一面對該處理之流程具體地進行說明。圖9係表示該處理之流程之圖。
若將基板W載置於保持面111，則吸附控制部19首先開放開閉閥123。於是，於真空抽吸口12形成負壓(抽吸壓)(步驟S41)。
於基板W為無翹曲之平坦之形狀之情形時，堤部14之頂部整個區域、所有的突起部15之頂部、及所有的環狀突起部16之頂部分別與基板W之背面抵接，且於堤部14及由其 包圍之保持面111、以及基板W之背面之間形成密閉空間。因此，於該情形時，若於真空抽吸口12形成負壓則該密閉空間之壓力降低，基板W係於其背面與保持面111相隔相當於堤部14之高度之距離之位置，以平坦狀態吸附保持於保持面111。若根據壓力感測器17之輸出資訊而確認到保持面111上之抽吸壓較特定值成為低壓側(真空壓側)(即，若壓力感測器17之檢測壓力小於特定值(例如-60 kPa))(步驟S42中YES)，則判斷為吸附控制部19適當地吸附保持基板W並結束吸附保持基板W之一系列的處理。
另一方面，於基板W產生翹曲而並非平坦之形狀之情形時，於基板W之背面與堤部14之頂部之至少一部分之間產生間隙。因此，於該情形時，即便於真空抽吸口12形成負壓，負壓亦自該間隙逸出，因而保持面111上之壓力不會降低。即便於開始自真空抽吸口12之抽吸後經過固定之時間，亦於無法根據壓力感測器17之輸出資訊確認到保持面111上之抽吸壓較特定值成為低壓側之情形時(即，壓力感測器17之檢測壓力為特定值(例如-60 kPa)以上之情形時)(步驟S42中NO)，判斷為吸附控制部19未將基板W適當地吸附保持於保持面111(吸附不良)，並開放開閉閥137。於是，於所有的複數個伯努利抽吸口13、13、......、13形成負壓(抽吸壓)(步驟S43)。
如上所述，伯努利抽吸口13係分別於規定於保持面111之圓形區域M1及圓環狀區域M2至少各配置1個(參照圖3)。於基板W翹曲成凸形狀之情形時，基板W之中心部附 近藉由配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13所形成之負壓而對保持面111較強地抽吸。另一方面，於基板W翹曲成凹形狀之情形時，基板W之周緣附近藉由配置於圓環狀區域M2之伯努利抽吸口13所形成之負壓而對保持面111較強地抽吸。因此，即便於基板W產生凸形狀、凹形狀中之何種翹曲之情形時，亦藉由伯努利抽吸口13所形成之負壓而使基板W平坦化。
若基板W為平坦之形狀，則如上述般，基板W之背面與堤部14之頂部整個區域、所有的突起部15之頂部、及所有的環狀突起部16之頂部抵接，且於堤部14及由其包圍之保持面111、以及基板W之背面之間形成密閉空間。於是，藉由形成於真空抽吸口12及各伯努利抽吸口13之負壓而該密閉空間之壓力降低，基板W係於其背面與保持面111相隔相當於堤部14之高度之距離之位置，以平坦狀態吸附保持於保持面111。若根據壓力感測器17之輸出資訊確認到保持面111上之抽吸壓較特定值成為低壓側(即，壓力感測器17之檢測壓力小於特定值(例如-60 kPa))(步驟S44中YES)，則吸附控制部19閉鎖開閉閥137並使自各伯努利抽吸口13之抽吸停止(步驟S45)。如上述般，因基板W已為平坦之形狀，且於堤部14及由其包圍之保持面111以及基板W之背面之間形成密閉空間，故即便停止自各伯努利抽吸口13之抽吸，基板W亦藉由形成於真空抽吸口12之負壓而維持適當地吸附保持之狀態。藉由以上，吸附控制部19結束吸附保持基板W之一系列的處理。
再次參照圖8。若基板W為吸附保持之狀態，則繼而以該基板W進入精確之旋轉位置之方式進行精密地位置對準之處理(精密對準)(步驟S5)。具體而言，首先，平台驅動機構20使基板保持部10自交付位置起移動至攝像單元50之下方位置為止。將基板保持部10配置於攝像單元50之下方，繼而，攝像單元50對基板W上之對準標記進行攝像，取得該攝像資料。繼而，控制部90對由攝像單元50取得之攝像資料進行圖像解析並檢測對準標記之位置，基於該檢測位置而算出基板W之旋轉位置之自精確位置之偏移量。若算出偏移量，則旋轉機構21使基板保持部10以該算出之偏移量之程度旋轉。藉此，以基板W進入精確之旋轉位置之方式進行位置對準。
將基板W置於適當之旋轉位置，繼而，進行圖案之描繪處理(步驟S6)。一面參照圖10一面對描繪處理進行說明。圖10係用以說明描繪處理之圖。
描繪處理係藉由平台驅動機構20使載置於基板保持部10之基板W相對於光學單元40、40相對地移動，並且使經空間調變之光分別自光學單元40、40照射至基板W之上表面而進行。
具體而言，平台驅動機構20係首先藉由使配置於攝像單元50之下方位置之基板保持部10沿著主掃描方向(Y軸方向)向+Y方向移動，而使基板W相對於光學單元40、40沿著主掃描方向相對地移動(主掃描)。若自基板W觀察，則各光學單元40係於基板W上沿著主掃描方向向-Y方向進行 橫斷(箭頭AR11)。於進行主掃描期間，各光學單元40係向基板W斷續地持續照射形成按照圖案資料D之空間調變之光(具體而言，沿副掃描方向之相當於N個像素之經空間調變之光)(即，於基板W之表面反覆地持續投影脈衝光)。即，各光學單元40一面斷續地持續照射沿副掃描方向之相當於N個像素之經空間調變之光一面於基板W上沿著主掃描方向進行橫斷。因此，若光學單元40沿著主掃描方向將基板W進行1次橫斷，則於基板W之表面，沿副掃描方向描繪具有相當於N個像素之寬度之一條圖案群。此處，因2個光學單元40同時地將基板W進行橫斷，故藉由一次主掃描而描繪2條圖案群。
若1次主掃描結束，則平台驅動機構20藉由使基板保持部10沿副掃描方向(X軸方向)向+X方向以相當於1個條紋之寬度之距離之程度移動，而使基板W相對於光學單元40、40沿副掃描方向相對地移動(副掃描)。若自基板W觀察，則各光學單元40係沿副掃描方向向-X方向上以相當於1個條紋之寬度之程度移動(箭頭AR12)。
若副掃描結束，則再次進行主掃描。即，平台移動機構20藉由使基板保持部10沿著主掃描方向向-Y方向移動，而使基板W相對於光學單元40、40沿著主掃描方向相對地移動。若自基板W觀察，則各光學單元40係使基板W上之由之前的主掃描所描繪之相當於1個條紋之描繪區域之附近沿著主掃描方向向+Y方向移動而進行橫斷(箭頭AR13)。此處，各光學單元40亦一面向基板W斷續地持續照射形成 按照圖案資料D之空間調變之光一面於基板W上沿著主掃描方向進行橫斷。藉此，於由之前的主掃描所描繪之相當於1個條紋之描繪區域之附近，進而進行相當於1個條紋之區域之描繪。以後，同樣地，反覆地進行主掃描及副掃描，若於基板W之表面之整個區域描繪圖案則描繪處理結束。
再次參照圖8。若描繪處理結束，則平台驅動機構20使基板保持部10移動至交付位置為止。若將基板保持部10配置於交付位置，則吸附控制部19閉鎖開閉閥123並使自真空抽吸口12之抽吸停止。藉此，氣體自真空抽吸口12流入至密閉空間，基板W之吸附狀態解除(步驟S7)。
解除對基板W之保持面111之吸附狀態，繼而，搬送裝置60接收載置於保持面111之處理後之基板W並自描繪裝置1搬出，而收容於載置於晶匣載置部104之晶匣C(步驟S8)。搬送裝置60自保持面111接收基板W之處理具體而言係如下般地進行。首先，頂起銷驅動機構(省略圖示)使一群頂起銷181自下方位置向上方位置移動。藉此，成為基板W之下表面由一群頂起銷181支持且由基板保持部10頂起並自保持面111剝掉之狀態。繼而，搬送裝置60將機械手61***至保持面111與基板W之下表面之間，進而使機械手61上升。藉此，支持於一群頂起銷181上之基板W移載於機械手61上。繼而，若拉抽機械手61，則頂起銷驅動機構14使一群頂起銷181自上方位置向下方位置移動。
<3.效果>
於第1實施形態中，因伯努利抽吸口13分別配置於形成於保持面111之圓形區域M1及圓環狀區域M2，故無論基板W翹曲成凸形狀、凹形狀中之何者，均可藉由自伯努利抽吸口13之抽吸而使其翹曲平坦化。因此，即便為翹曲之基板W亦能夠以簡單之構成確實地吸附保持基板W(具體而言，至少基板W中之包含曝光區域之部分)。因此，於進行對基板W之一系列的處理期間，可避免基板W相對於保持面111發生位置偏移等之類的事態之產生，從而對基板W適當地進行一系列的處理。即，保證高精度之描繪處理。
又，於第1實施形態中，基板W係在與堤部14之頂部、及突起部15之頂部等抵接之狀態下被吸附保持。根據該構成，基板W係於其背面與保持面111相隔相當於堤部14之高度之距離之位置，以平坦狀態吸附保持於保持面111，故無於基板W之背面留下真空抽吸口12之抽吸痕跡之虞。
又，於第1實施形態中，沿著保持面111之圓環狀區域M2之圓周方向排列有複數個伯努利抽吸口13。根據該構成，即便於基板W翹曲成凹形狀之情形時，亦可藉由自配置於圓環狀區域M2之各伯努利抽吸口13之抽吸壓而使其翹曲平坦化，從而確實地吸附保持基板W。
又，於第1實施形態中，即便進行自真空抽吸口12之抽吸亦於保持面111上之抽吸壓較特定值不成為低壓側之情形時開始自伯努利抽吸口13之抽吸。根據該構成，於例如載置於保持面111上之基板W最初為無翹曲之平坦之形狀之情形時，因不進行自伯努利抽吸口13之抽吸，故無用之 空氣之消耗得到抑制。又，無基板W之背面被污染之危險。
又，於第1實施形態中，若於開始自伯努利抽吸口13之抽吸後保持面111上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自伯努利抽吸口13之抽吸。即，若藉由自伯努利抽吸口13之抽吸而使基板W之翹曲平坦化且適當地吸附保持基板W，則此後僅利用自真空抽吸口12之抽吸吸附保持基板W。根據該構成，因將自伯努利抽吸口13之抽吸抑制為必要最小限度，故無用之空氣之消耗得到抑制。又，基板W之背面被污染之危險亦降低。
又，於第1實施形態中，於進行自真空抽吸口12之抽吸之狀態(即，基板W之至少一部分藉由自真空抽吸口12之抽吸壓而抽吸於保持面111之狀態)下開始自各伯努利抽吸口13之抽吸。根據該構成，不易發生於開始自各伯努利抽吸口13之抽吸時基板W產生位置偏移等之類的事態。
又，於第1實施形態中，於伯努利抽吸單元130之本體部131與形成於保持板11之凹部112之間形成間隙Q，且自圓柱狀凹空間132溢出之氣體沿間隙Q流動且排出至保持板11之背面側。因此，即便為基板W之背面與形成於伯努利抽吸口13之外緣之環狀突起部16之頂部抵接之狀態(即，伯努利抽吸口13因基板W之背面而阻塞之狀態)，亦可於圓柱狀凹空間132內持續形成較強之回旋流。即，可持續維持伯努利抽吸口13之負壓。
又，於第1實施形態中，伯努利抽吸口13之直徑尺寸d13 形成為小於圓柱狀凹空間132之直徑尺寸d132。根據該構成，因基板W之背面中之抽吸壓所作用之區域變小，故無因進行自伯努利抽吸口13之抽吸而使基板W之平面度變差之虞。
<<第2實施形態>>
對第2實施形態之描繪裝置進行說明。該實施形態之描繪裝置係於水平姿勢地吸附保持基板W之基板保持部所包括之保持面之構成及使基板W吸附保持於保持面之態樣中，與第1實施形態不同。以下，對與第1實施形態不同之方面進行說明，對於相同之構成省略說明並附注相同之符號來表示。
<1.基板保持部10a>
一面參照圖11、圖12一面對基板保持部10a之構成進行說明。圖11係基板保持部10a之平面圖。圖12係模式性地表示基板保持部10a所包括之配管系統之圖。
基板保持部10a係與第1實施形態之基板保持部10相同，具有平板狀之外形，且其包括於其上表面形成與基板W之背面對向之保持面111a之保持板11a。於該實施形態中，保持面111a之平面度亦以相對於光學單元40中之焦點深度成為充分地小之值之方式形成。又，保持面111a形成為至少覆蓋基板W之曝光區域之尺寸。又，於該實施形態中，基板W亦設為圓形狀，保持面111a亦於俯視時形成為圓形狀。
<抽吸口12a、...、12a、13a、...、13a>
於保持面111a，形成有複數個抽吸口12a、...、12a、13a、...、13a。該複數個抽吸口12a、...、12a、13a、...、13a中之一半之抽吸口12a、...、12a為藉由真空抽吸而將基板W抽吸於保持面111a之真空抽吸口12a。又，剩下一半之抽吸口13a、...、13a為藉由伯努利抽吸而將基板W抽吸於保持面111a之伯努利抽吸口13a。真空抽吸口12a與伯努利抽吸口13a係各形成相同個數(圖示之例中各7個)。
此處，對複數個真空抽吸口12a、...、12a、及複數個伯努利抽吸口13a、...、13a之佈局進行說明。與上述實施形態相同，此處，亦於保持面111a，規定有與保持面111a之中心同心地配置之圓形區域M1及與圓形區域M1同心地配置之圓環狀區域M2。圓環狀區域M2係進而沿其圓周方向分割成複數個(圖示之例中6個)弧狀區域M22、M22、...、M22。即，於該實施形態之保持面111a，規定有圓形區域M1及複數個弧狀區域M22、M22、...、M22。以下，將圓形區域M1及各弧狀區域M22之各個總稱作「部分區域Mi」。真空抽吸口12a與伯努利抽吸口13a係分別於規定於保持面111a之複數個部分區域Mi至少各配置1個(圖示之例中各1個)。
然而，各弧狀區域M22較佳為設為彼此相同之面積。又，將各弧狀區域M22與圓形區域M1設為彼此相同之面積(即，各部分區域Mi設為相同之面積)亦較佳。進而，於各部分區域Mi設為相同之面積之情形時，較佳為於各部分區域Mi，將真空抽吸口12a與伯努利抽吸口13a各配置相同個 數。
各真空抽吸口12a係與以相當於真空抽吸口12a之個數之程度進行分支之分支配管121a之各分支側端部連接。另一方面，分支配管121a之合流側端部與氣體抽吸部122連接。又，於分支配管121a之中途(合流側之部分)介插有開閉閥123a。若運轉氣體抽吸部122並且開放開閉閥123a，則經由分支配管121a而分別於複數個真空抽吸口12a、...、12a形成負壓(抽吸壓)。
各伯努利抽吸口13a係與配置有伯努利抽吸單元130之凹部112連通。伯努利抽吸單元130之構成係如上述般。各伯努利抽吸單元130所包括之一對噴出噴嘴134、134係分別與以相當於伯努利抽吸口13a之個數之程度進行分支之分支配管135a之各分支側端部連接。另一方面，分支配管135a之合流側端部與氣體供給部136連接。又，於分支配管135a之中途(分支側之各部分)介插有開閉閥137a。進而，於分支配管135a之中途(合流側之部分)介插有濾光片(省略圖示)。若運轉氣體供給部136並且開放複數個開閉閥137a、...、137a中之任一個，則經由分支配管135a而將壓縮氣體供給至與介插有該開閉閥137a之分支部連接之伯努利抽吸單元130(具體而言，分別自該伯努利抽吸單元130所包括之一對噴出噴嘴134、134噴出壓縮氣體)。藉此，在與配置有該伯努利抽吸單元130之凹部112連通之伯努利抽吸口13a形成負壓。即，於該構成中，可分別於複數個伯努利抽吸口13a、...、13a獨立地形成負壓。
<堤部14a>
於保持面111a，沿著各部分區域Mi之邊界豎立設置有堤部14a。即，於保持面111a，豎立設置如包圍各部分區域Mi之堤部14a。又，與第1實施形態相同，於由堤部14a包圍之各部分區域Mi內，遍及其整個區域地無遺漏地豎立設置複數個突起部15(參照圖4、圖5)。進而，沿著各伯努利抽吸口13a之外緣及各銷孔18之外緣豎立設置環狀突起部16。然而，於圖11中省略突起部15之圖示。
與第1實施形態相同，堤部14a之頂部、各突起部15之頂部及各環狀突起部16之頂部全部形成於同一平面，且配置該等各頂部之平面之平面度亦以相對於光學單元40中之焦點深度成為充分地小之值之方式形成。若將平坦之基板W載置於保持面111a，則該基板W之背面與所有的堤部14a之頂部整個區域、所有的突起部15之頂部、及所有的環狀突起部16之頂部抵接，且於各堤部14a及由其包圍之各部分區域Mi以及基板W之背面之間形成密閉空間。於該狀態下，若於各部分區域Mi形成開口之真空抽吸口12a形成負壓，則各密閉空間減壓，基板W(具體而言，至少基板W中之包含曝光區域之部分)係於其背面與保持面111a相隔相當於堤部14a之高度之距離之位置，以平坦狀態吸附保持於保持面111a。
<壓力感測器17a>
於保持面111a，配置有複數個壓力感測器17a、17a、...、17a。壓力感測器17a係分別於規定於保持面111a 上之複數個部分區域Mi各配置1個，並檢測該配置位置中之保持面111a上之壓力。
<頂起銷181>
基板保持部10a係與第1實施形態之基板保持部10相同，包括用以使基板W相對於保持面111a升降之複數個頂起銷181、及形成於保持面111a且可供各頂起銷181***之銷孔18。頂起銷181及銷孔18之構成與第1實施形態之頂起銷181相同。
<吸附控制部19a>
基板保持部10a係與第1實施形態之基板保持部10同樣，包括控制基板保持部10a所包括之各部之吸附控制部19a。吸附控制部19a係於控制部90中藉由例如CPU91按照程式P進行特定運算處理、或利用專用之邏輯電路等而硬體地實現(參照圖7)。
吸附控制部19a係分別與複數個壓力感測器17a、17a、...、17a電性連接，且構成為可取得來自各壓力感測器17a之檢測信號。又，吸附控制部19a係分別與開閉閥123a、及複數個開閉閥137a、137a、...、137a電性連接，並基於由各壓力感測器17a獲得之檢測信號，而獨立地開閉控制各開閉閥123a、137a、137a、...、137a。即，吸附控制部19a係基於由各壓力感測器17a獲得之檢測信號等，而控制分別形成於保持面111a之複數個抽吸口(複數個真空抽吸口12a、12a、...、12a及複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a)中之抽吸壓之形成。關於該控制態樣於下文 具體地進行說明。
<2.吸附保持基板W之處理之流程>
對基板保持部10a將基板W吸附保持於保持面111a之處理之流程(圖8之步驟S4之處理之流程)進行說明。該處理因與第1實施形態之步驟S4之處理之流程大致相同，故一面參照之前所參照之圖8一面進行說明。
若將基板W載置於保持面111a，則吸附控制部19a首先開放開閉閥123a。於是，分別於複數個真空抽吸口12a、12a、...12a形成負壓(步驟S41)。
於規定於保持面111a之部分區域Mi，於包圍該部分區域Mi之堤部14a之頂部整個區域與基板W之背面抵接之情形時，於堤部14a及由其包圍之部分區域Mi以及基板W之背面之間形成密閉空間。因此，於該情形時，若於配置於該部分區域Mi之真空抽吸口12a形成負壓，則該密閉空間之壓力降低。
於基板W為無翹曲之平坦之形狀之情形時，於所有的部分區域Mi(即，保持面111a之整個區域)，保持面111a上之壓力降低。若根據複數個壓力感測器17a、17a、...、17a之各自之輸出資訊確認到於所有的部分區域Mi保持面111a上之抽吸壓較特定值成為低壓側(步驟S42中YES)，則判斷為吸附控制部19a將基板W適當地吸附保持於保持面111a並結束吸附保持基板W之一系列的處理。
另一方面，於基板W產生翹曲且並非平坦之形狀之情形時，於至少1個部分區域Mi，於包圍該部分區域Mi之堤部 14a之頂部之至少一部分與基板W之背面之間產生間隙。因此，於該情形時，即便於配置於該部分區域Mi之真空抽吸口12a形成負壓，負壓亦自該間隙逸出，且於該部分區域Mi中保持面111a上之壓力不會降低。即便於開始自真空抽吸口12a之抽吸後經過固定之時間，亦無法根據複數個壓力感測器17a、17a、...、17a之各自之輸出資訊確認到於所有的部分區域Mi中保持面111a上之抽吸壓較特定值不成為低壓側之情形時(即，抽吸壓較特定值不成為低壓側之部分區域Mi存在1個以上之情形時)(步驟S42中NO)，判斷為吸附控制部19a未將基板W適當地吸附保持於保持面111a(吸附不良)，繼而，開放開閉閥137a並於伯努利抽吸口13a形成負壓(步驟S43)。
對於步驟S43之處理具體地進行說明。如上述般，基板保持部10a包括複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a，吸附控制部19a可藉由獨立地開閉控制開閉閥137a、137a、...、137a而於各伯努利抽吸口13a獨立地形成負壓。此處，於開放所有的開閉閥137a、137a、...、137a之情形時，將形成於各伯努利抽吸口13a之抽吸壓與於僅開放1個開閉閥137a而閉鎖其他開閉閥137a、...、137a之情形時形成於與該所開放之開閉閥137a對應之伯努利抽吸口13a之抽吸壓進行比較，後者成為低壓側。即，後者之抽吸力較強。因於後者之情形時，自氣體供給部136供給之壓縮氣體不分散，而將大量之壓縮氣體集中地供給至1個伯努利抽吸單元130。
因此，吸附控制部19a(較佳為每1個)依次選擇例如複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a之一部分，且以僅於所選擇之一部分之伯努利抽吸口13a形成負壓之方式開閉控制各開閉閥137a。即，吸附控制部19a係首先選擇複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a之一部分，並將與該所選擇之伯努利抽吸口13a對應之開閉閥137a(具體而言，配置於與該伯努利抽吸口13a連通之凹部112之與伯努利抽吸單元130連接之介插於分支配管135a之分支部分之開閉閥137a)設為開放狀態，將其他各開閉閥137a設為閉鎖狀態。若於該狀態下經過所設定之時間，則吸附控制部19a繼而選擇別的伯努利抽吸口13a，且僅將與該已選擇之伯努利抽吸口13a對應之開閉閥137a設為開放狀態，將其他各開閉閥137a設為閉鎖狀態。以後亦同樣地依次切換開閉閥137a。藉此，分別於複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a依序形成負壓。
此處，於各伯努利抽吸口13a形成負壓之順序(即，選擇伯努利抽吸口13a之順序)如何規定均可。例如，如圖13所模式性地表示般，亦可採用首先於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a形成負壓(n1)，繼而，分別於配置於圓環狀區域M2之複數個伯努利抽吸口13a，按照向逆時針方向(或亦可向順時針方向)之順序形成負壓(n2→n3→n4→...→n7)，再次於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a形成負壓(n1)之態樣(即，n1→n2→n3→n4→...→n7→n1→n2→...)。於該構成中，例 如，於基板W產生凸形狀之翹曲之情形時，於進行自配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a之第1次之抽吸之時點即便無法確實地吸附基板W之中心附近，亦因於依次進行自其他伯努利抽吸口13a之抽吸中，基板W自容易吸附之部分(翹曲量較少之部分)逐漸地平坦化，故於第二次以後進行自配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a之抽吸之時點，可確實地吸附基板W之中心附近。
又，例如，於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a經常持續形成負壓，另一方面，亦可採用分別於配置於圓環狀區域M2之複數個伯努利抽吸口13a，按照向逆時針方向(或亦可向順時針方向)之順序依次形成負壓之態樣。
又，例如，亦可設為於配置於保持面111a上之抽吸壓較小之部分區域Mi之伯努利抽吸口13a優先地形成負壓之態樣。於該情形時，吸附控制部19a係首先選擇與首先檢測出配置於保持面111a上之複數個壓力感測器17a、17a、...、17a中之最小之抽吸壓之壓力感測器17a對應之伯努利抽吸口13a(即，配置於配置有該壓力感測器17a之部分區域Mi之伯努利抽吸口13a)，繼而，選擇與檢測出其次小之抽吸壓之壓力感測器17a對應之伯努利抽吸口13a，以後亦以相同之態樣選擇伯努利抽吸口13a。
若吸附控制部19以上述態樣開閉控制複數個開閉閥137a、137a、...、137a，則藉由依序形成於各伯努利抽吸口13之負壓而基板W逐漸平坦化。如上所述，伯努利抽吸口13a係分別於規定於保持面111a之圓形區域M1及圓環狀 區域M2至少各配置1個。因此，即便於基板W產生凸形狀、凹形狀中之何種翹曲之情形時，亦藉由依次形成於各伯努利抽吸口13a之負壓而使基板W平坦化。
若基板W為平坦之形狀，則如上述般，於所有的部分區域Mi(即，保持面111a之整個區域)，保持面111a上之壓力降低。若根據複數個壓力感測器17a、17a、...、17a之各自之輸出資訊確認到於所有的部分區域Mi保持面111a上之抽吸壓較特定值成為低壓側(步驟S44中YES)，則吸附控制部19a閉鎖所有的開閉閥137a、137a、...、137a並使自所有的伯努利抽吸口13a、13a、...、13a之抽吸停止(步驟S45)。如上述般，因基板W已為平坦之形狀，且於所有的部分區域Mi，於堤部14a及由其包圍之部分區域Mi、以及基板W之背面之間形成密閉空間，故即便停止自各伯努利抽吸口13a之抽吸，基板W亦藉由形成於各真空抽吸口12a之負壓而維持吸附保持於保持面111a之狀態。藉由以上，吸附控制部19a結束吸附保持基板W之一系列的處理。
<3.效果>
於第2實施形態中，獲得與第1實施形態相同之效果。又，於第2實施形態中，分別於規定於保持面111a內之複數個部分區域Mi(複數個弧狀區域M22及圓形區域M1)配置真空抽吸口12a及伯努利抽吸口13a，並且形成包圍該各部分區域Mi之堤部14a。根據該構成，因可於各部分區域Mi與基板W之背面之間形成密閉空間，且以該部分區域Mi單位獨立地吸附保持基板W之背面，故可無徒勞地有效地使 基板W之翹曲平坦化，從而確實地吸附保持基板W。
特別是只要將複數個弧狀區域M22之各自之面積設為彼此相等，則形成於各弧狀區域M22與基板W之背面之間之密閉空間之體積相等，故於各弧狀區域M22可使同等之抽吸力作用於基板W。藉此，無論於基板W產生何種翹曲，均可確實地使其平坦化並吸附保持。
<<變形例>> <1.第1變形例>
於第2實施形態中，吸附控制部19a亦可設為如下構成：藉由例如經由輸入部96(圖7)而由操作員接收而取得(或藉由利用配置於保持面111a之附近之光學傳感器等測量載置於保持面111a之基板W之翹曲形狀而取得)表示作為處理對象之基板W之翹曲形狀之資訊(翹曲形狀資訊)，並按照該翹曲形狀資訊，開閉控制各開閉閥137a。
具體而言，例如，吸附控制部19a於作為處理對象之基板W翹曲成凹形狀之情形時，以僅於配置於圓環狀區域M2之伯努利抽吸口13a形成負壓之方式開閉控制各開閉閥137a。於是，藉由形成於該伯努利抽吸口13a之負壓而基板W平滑地平坦化。另一方面，於作為處理對象之基板W翹曲成凸形狀之情形時，吸附控制部19a以僅於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a形成負壓之方式開閉控制各開閉閥137a。於是，藉由形成於該伯努利抽吸口13a之負壓而基板W平滑地平坦化。
<2.第2變形例>
於上述各實施形態中，亦可調整真空抽吸口12、12a之負壓(抽吸壓)、伯努利抽吸口13、13a之負壓(抽吸壓)。
具體而言，例如於第2實施形態中，於將複數個真空抽吸口12a、...、12a與氣體抽吸部122連接之分支配管121a之中途(合流側之部分)，除開閉閥123a以外，亦可介插流量調整閥124a(圖14)。根據該構成，藉由與流量調整閥124a電性連接之吸附控制部19a控制流量調整閥124a，而可將分支配管121a內之氣體之抽吸量改變成任意值。藉此，可將分別形成於複數個真空抽吸口12a、...、12a之負壓(抽吸壓)改變成任意值。
又，例如於第2實施形態中，於將複數個伯努利抽吸單元130、...、130與氣體供給部136連接之分支配管135a之中途(分支側之各部分)，亦可介插流量調整閥138a(圖14)。根據該構成，藉由與各流量調整閥138a電性連接之吸附控制部19a控制各流量調整閥138a，而可將供給至各伯努利抽吸單元130之壓縮氣體之流量改變成任意值。藉此，可將形成於各伯努利抽吸口13a之負壓(抽吸壓)獨立地改變成任意值。
例如，於圖14所示之構成例中，吸附控制部19a亦可設為如下構成：藉由例如經由輸入部96(圖7)而由操作員接收而取得(或藉由利用配置於保持面111a之附近之光學傳感器等測量載置於保持面111a之基板W之厚度而取得)表示作為處理對象之基板W之厚度之資訊(厚度資訊)，並按照該厚度資訊調整形成於各抽吸口12a、13a之負壓之值。
於該情形時，例如，吸附控制部19a於作為處理對象之基板W之厚度較基準值薄之情形時，控制流量調整閥124a並使分支配管121a內之氣體之抽吸量較基準值小。於是，形成於各真空抽吸口12a之抽吸壓較基準值為高壓側(即，各真空抽吸口12a之抽吸力變弱)，且可無破損地安全地吸附保持較薄之基板W。另一方面，於作為處理對象之基板W之厚度較基準值厚之情形時，吸附控制部19a控制流量調整閥124a並使分支配管121a內之氣體之抽吸量較基準值大。於是，形成於各真空抽吸口12a之抽吸壓較基準值成為低壓側(即，各真空抽吸口12a之抽吸力變強)，且亦可確實地吸附保持較厚之基板W。
又，吸附控制部19a於作為處理對象之基板W之厚度較基準值薄之情形時，除流量調整閥124a之控制以外(或代替該控制)，控制各流量調整閥138a並使分支配管135a內之壓縮氣體之流量較基準值小。於是，形成於各伯努利抽吸口13a之抽吸壓較基準值為高壓側，且可無破損地安全地吸附保持較薄之基板W。另一方面，於作為處理對象之基板W之厚度較基準值厚之情形時，吸附控制部19a除流量調整閥124a之控制以外(或代替該控制)，控制各流量調整閥138a並使分支配管135a內之壓縮氣體之流量較基準值大。於是，形成於各伯努利抽吸口13a之抽吸壓較基準值成為低壓側，且亦可良好地吸附保持較厚之基板W。
再者，吸附控制部19a亦可於作為處理對象之基板W之厚度非常地薄之情形時，控制各流量調整閥138a並使分支 配管135a內之壓縮氣體之流量較基準值小，因而形成於各伯努利抽吸口13a之抽吸壓較基準值為高壓側，並且閉鎖開閉閥123a並停止自真空抽吸口12a之抽吸。於該情形時，僅以形成於各伯努利抽吸口13a之負壓即可將基板W吸附保持於保持面111a，故即便為非常地薄之基板W，亦可不破損地安全地將其吸附保持於保持面111a。
又，於圖14所示之構成例中，吸附控制部19a亦可設為如下構成：藉由利用例如經由輸入部96(圖7)而由操作員接收而取得(或藉由利用配置於保持面111a之附近之光學傳感器等測量載置於保持面111a之基板W之翹曲量而取得)表示作為處理對象之基板W之翹曲量之資訊(翹曲量資訊)，除厚度資訊以外(或代替厚度資訊)，按照該翹曲量資訊調整伯努利抽吸口13a、真空抽吸口12a之負壓。
於該情形時，例如，吸附控制部19a於作為處理對象之基板W之翹曲量較基準值小之情形時，控制各流量調整閥138a並使分支配管135a內之壓縮氣體之流量較基準值小。於翹曲量較小之情形時，即便各伯努利抽吸口13a之抽吸力相對較弱(即，即便形成於各伯努利抽吸口13a之負壓較基準值為高壓側)亦可使基板W平坦化，結果，根據該構成，可有效地抑制空氣之消耗量，並且將基板W確實地吸附保持於保持面111a。另一方面，於作為處理對象之基板W之翹曲量較基準值大之情形時，吸附控制部19a控制各流量調整閥138a並使分支配管135a內之壓縮氣體之流量較基準值大。於是，形成於各伯努利抽吸口13a之負壓較基 準值成為低壓側，且亦可良好地吸附保持翹曲量較大之基板W。
又，於圖14所示之構成例中，吸附控制部19a亦可設為如下構成：藉由利用例如經由輸入部96(圖7)而由操作員接收而取得(或藉由利用配置於保持面111a之附近之光學傳感器等測量載置於保持面111a之基板W之翹曲形狀而取得)表示作為處理對象之基板W之翹曲形狀之資訊(翹曲形狀資訊)，除厚度資訊、翹曲量資訊以外(或代替該等各資訊)，按照該翹曲形狀資訊調整各伯努利抽吸口13a、真空抽吸口12a之負壓。
於該情形時，例如吸附控制部19a於作為處理對象之基板W翹曲成凸形狀之情形時，以形成於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a之負壓較形成於配置於圓環狀區域M2之伯努利抽吸口13a之負壓為低壓側之方式控制各流量調整閥138a。於是，藉由形成於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a之相對較大之抽吸力而使基板W平滑地平坦化。另一方面，於作為處理對象之基板W翹曲成凹形狀之情形時，吸附控制部19a以形成於配置於圓環狀區域M2之伯努利抽吸口13a之負壓較形成於配置於圓形區域M1之伯努利抽吸口13a之負壓為低壓側之方式控制各流量調整閥138a。於是，藉由形成於配置於圓環狀區域M2之伯努利抽吸口13a之相對較大之抽吸力而使基板W平滑地平坦化。
<3.第3變形例>
於上述各實施形態中，為使抽吸力提高，而使伯努利抽吸口13、13a之直徑尺寸d13形成為較圓柱狀凹空間132之直徑尺寸d132小，但亦可使伯努利抽吸口13、13a之直徑尺寸形成為與圓柱狀凹空間132之直徑尺寸d132大致相同。圖15中表示使第1實施形態之伯努利抽吸口13之直徑尺寸形成為與圓柱狀凹空間132之直徑尺寸d132大致相同之情形時之保持面111之情況。根據該構成，可於該狀態下使形成於圓柱狀凹空間132之中心部之負壓作用於保持面111、111a上。
<4.第4變形例>
於上述各實施形態中，雖設為若確認到藉由自伯努利抽吸口13、13a之抽吸而基板W適當地吸附保持於保持面111、111a(步驟S44中YES)，則停止自各伯努利抽吸口13、13a之抽吸(步驟S45)之構成，但亦可於確認到基板W吸附保持於保持面111、111a後，繼續進行自各伯努利抽吸口13、13a之抽吸。然而，如上述般，只要於早期停止自各伯努利抽吸口13、13a之抽吸，則可抑制空氣之消耗量，並且保持面111、111a上之基板W受污染之危險亦變小，故較佳為儘可能地於早期停止自伯努利抽吸口13、13a之抽吸。
<5.第5變形例>
於上述各實施形態中，雖設為圓環狀區域M2之內徑與圓形區域M1之外徑一致之構成，但亦可為圓環狀區域M2之內徑較圓形區域M1之外徑大之構成。
又，於上述各實施形態中，雖設為於保持面111、111a上形成1個圓環狀區域M2之構成，但亦可將圓環狀區域M2進而分割成複數個圓環狀區域，且沿著各圓環狀區域之圓周方向等間隔地排列複數個伯努利抽吸口。
<6.第6變形例>
於第2實施形態中，於判斷為吸附不良之情形時，雖設為吸附控制部19a以一個一個地(或每複數個地)依次選擇複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a，且僅於所選擇之一部分之伯努利抽吸口13a形成負壓之方式開閉控制各開閉閥137a之構成(例如參照圖13)，但於判斷為吸附不良之情形時，吸附控制部19a亦可將複數個開閉閥137a、137a、...、137a之全部設為開放狀態且於複數個伯努利抽吸口13a、13a、...、13a之全部形成負壓。再者，於該情形時，亦可設為不將各開閉閥137a設置於分支配管135a之各分支部，而僅於合流側之部分設置1個之構成。
<7.第7變形例>
於第2實施形態中，雖設為於將複數個真空抽吸口12a、12a、...、12a分別與氣體抽吸部122連接之分支配管121a，於分支配管121a之合流側之部分介插開閉閥123a之構成，但亦可設為於分支側之各部分分別介插開閉閥，且吸附控制部19a獨立地開閉控制各開閉閥之構成。根據該構成，可分別於複數個真空抽吸口12a、...、12a獨立地形成負壓。於該構成中，亦可設為吸附控制部19a以一個一個地(或每複數個地)依次選擇複數個真空抽吸口12a、 12a、...、12a，且僅於所選擇之一部分之真空抽吸口12a形成負壓之方式開閉控制各開閉閥之構成。
<8.其他變形例>
於上述各實施形態中，雖使用作為一維地配設有作為調變單位之固定帶與可動帶之繞射光柵型之空間光調變器之GLV作為空間光調變器441，但並不限定於此種形態。例如，亦可為不限於GLV，而利用如鏡之調變單位經一維地排列而成之空間光調變器之形態。又，例如，亦可利用作為如DMD(Digital Micromirror Device，數位微鏡器件，Texas Instruments公司製)之調變單位之微鏡經二維排列而成之空間光調變器。
又，於上述各實施形態中，雖表示將基板保持部10、10a搭載於對基板W照射光從而於基板W上形成圖案之描繪裝置1之態樣，但基板保持部10、10a亦可組裝於除描繪裝置1以外之各種基板處理裝置、或基板搬送裝置等。
1‧‧‧描繪裝置
10‧‧‧基板保持部
10a‧‧‧基板保持部
11‧‧‧保持板
12‧‧‧真空抽吸口
12a‧‧‧真空抽吸口
13‧‧‧伯努利抽吸口
13a‧‧‧伯努利抽吸口
14‧‧‧堤部
14a‧‧‧堤部
15‧‧‧突起部
19‧‧‧吸附控制部
19a‧‧‧吸附控制部
111‧‧‧保持面
111a‧‧‧保持面
90‧‧‧控制部
M1‧‧‧圓形區域
M2‧‧‧圓環狀區域
W‧‧‧基板
圖1係描繪裝置之側視圖。
圖2係描繪裝置之平面圖。
圖3係基板保持部之平面圖。
圖4係將基板保持部於真空抽吸口之形成位置切斷之部分剖面圖。
圖5係將基板保持部於伯努利抽吸口之形成位置切斷之部分剖面圖。
圖6係模式性地表示基板保持部所包括之配管系統之 圖。
圖7係表示控制部之硬體構成之方塊圖。
圖8係表示由描繪裝置所執行之對基板之處理之流程之圖。
圖9係表示基板保持部吸附保持於基板保持面之處理之流程之圖。
圖10係用以說明描繪處理之圖。
圖11係第2實施形態之基板保持部之平面圖。
圖12係模式性地表示第2實施形態之基板保持部所包括之配管系統之圖。
圖13係用以說明依序於伯努利抽吸口形成負壓之態樣之一例之圖。
圖14係模式性地表示變形例之基板保持部所包括之配管系統之圖。
圖15係變形例之基板保持部之平面圖。
10‧‧‧基板保持部
11‧‧‧保持板
12‧‧‧真空抽吸口
13‧‧‧伯努利抽吸口
14‧‧‧堤部
16‧‧‧環狀突起部
17‧‧‧壓力感測器
18‧‧‧銷孔
111‧‧‧保持面
112‧‧‧凹部
130‧‧‧伯努利抽吸單元
131‧‧‧本體部
132‧‧‧圓柱狀凹空間
134‧‧‧噴出噴嘴
181‧‧‧頂起銷
M1‧‧‧圓形區域
M2‧‧‧圓環狀區域

Claims (23)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板實施特定處理者；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面；1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口；堤部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口；且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
  3. 一種基板處理裝置，其係對基板實施特定處理者；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面； 1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口；且其包括複數個上述真空抽吸口；且於藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且其包括：堤部，其以包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
  5. 如請求項1或3之基板處理裝置，其包括檢測上述保持面上之壓力之壓力感測器；若將基板載置於上述保持面則開始自上述真空抽吸口之抽吸； 即便於開始自上述真空抽吸口之抽吸後經過所設定之時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不成為低壓側之情形時開始自上述伯努利抽吸口之抽吸。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中若於開始自上述伯努利抽吸口之抽吸後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自上述伯努利抽吸口之抽吸。
  7. 如請求項1或3之基板處理裝置，其包括：凹部，其形成於上述保持板之背面側且於深度方向之底面與上述伯努利抽吸口連通；及伯努利抽吸單元，其配置於上述凹部之內部；且上述伯努利抽吸單元包括：本體部，其形成有圓柱狀之凹空間；及噴出噴嘴，其將氣體噴出至上述圓柱狀之凹空間且於上述圓柱狀之凹空間形成回旋流；上述本體部於上述凹部之深度方向之底面及上述凹部之壁面之間形成間隙，並且固定地支持於上述凹部內。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述伯努利抽吸口之直徑尺寸形成為小於上述圓柱狀之凹空間之直徑尺寸。
  9. 一種基板保持裝置，其係保持基板者；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面；1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且 於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口；且其包括：堤部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  10. 如請求項9之基板保持裝置，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口；且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
  11. 一種基板保持裝置，其係保持基板者；且其包括：保持板，其形成有與基板之背面對向之保持面；1個以上之真空抽吸口，其形成於上述保持面且藉由真空抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；及複數個伯努利抽吸口，其形成於上述保持面且藉由伯努利抽吸而將上述基板抽吸於上述保持面；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口；且 其包括複數個上述真空抽吸口；且於藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且其包括：堤部，其以包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  12. 如請求項11之基板保持裝置，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
  13. 如請求項9或11之基板保持裝置，其包括檢測上述保持面上之壓力之壓力感測器；若將基板載置於上述保持面則開始自上述真空抽吸口之抽吸；即便於開始自上述真空抽吸口之抽吸後經過所設定時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不成為低壓側之情形時開始自上述伯努利抽吸口之抽吸。
  14. 如請求項13之基板保持裝置，其中若於開始自上述伯努利抽吸口之抽吸後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止自上述伯努利抽吸口之抽吸。
  15. 如請求項9或11之基板保持裝置，其包括：凹部，其形成於上述保持板之背面側且於深度方向之底面與上述伯 努利抽吸口連通；及伯努利抽吸單元，其配置於上述凹部之內部；且上述伯努利抽吸單元包括：本體部，其形成有圓柱狀之凹空間；及噴出噴嘴，其將氣體噴出至上述圓柱狀之凹空間且於上述圓柱狀之凹空間形成回旋流；上述本體部於上述凹部之深度方向之底面及上述凹部之壁面之間形成間隙，並且固定地支持於上述凹部內。
  16. 如請求項15之基板保持裝置，其中上述伯努利抽吸口之直徑尺寸形成為小於上述圓柱狀之凹空間之直徑尺寸。
  17. 一種基板保持方法，其係保持基板之基板保持方法；且其包括如下步驟：a)於使基板之背面與形成於保持板之保持面對向之狀態下，將上述基板載置於上述保持面上；b)於形成於上述保持面之1個以上之真空抽吸口，藉由真空抽吸而形成抽吸壓；c)於形成於上述保持面之複數個伯努利抽吸口之至少一個，藉由伯努利抽吸而形成抽吸壓；且於上述保持面，規定有與上述保持面之中心同心地配置之圓形區域及與上述圓形區域同心地配置之圓環狀區域，且於上述圓形區域及上述圓環狀區域分別配置有上述伯努利抽吸口。
  18. 如請求項17之基板保持方法，其中包括：堤部，其沿著上述保持面之外緣而豎立設置；及 複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  19. 如請求項17或18之基板保持方法，其中於上述圓環狀區域配置有複數個上述伯努利抽吸口；且配置於上述圓環狀區域之複數個伯努利抽吸口沿著上述圓環狀區域之圓周方向而排列。
  20. 如請求項17之基板保持方法，其中包括複數個上述真空抽吸口；且於藉由將上述圓環狀區域沿著其圓周方向分割而規定之複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者分別配置上述真空抽吸口及上述伯努利抽吸口；且其包括：堤部，其以包圍上述複數個弧狀區域及上述圓形區域之各者之方式豎立設置；及複數個突起部，其豎立設置於由上述堤部包圍之上述保持面內之各區域；且上述堤部之頂部與上述複數個突起部之頂部係形成於同一平面。
  21. 如請求項20之基板保持方法，其中上述複數個弧狀區域之各自之面積彼此相等。
  22. 如請求項17之基板保持方法，其中若將基板載置於上述保持面則開始上述b)步驟，且即便於開始上述b)步驟後經過所設定之時間上述保持面上之抽吸壓較特定值亦不 成為低壓側之情形時，開始上述c)步驟。
  23. 如請求項22之基板保持方法，其中若於開始上述c)步驟後上述保持面上之抽吸壓較特定值成為低壓側，則停止上述伯努利抽吸。
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