CN102903658A - 基板处理装置、基板保持装置及基板保持方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供基板处理装置、基板保持装置及基板保持方法,尤其涉及即使是弯曲的基板也能够以简单的结构可靠地保持的技术。对基板实施描画处理的描画装置(1)具有:保持板(11),形成有与基板(W)的背面相向的保持面(111);真空吸引口(12),形成在保持面(111)上,通过真空吸引来将基板(W)吸引在保持面(111)上;多个伯努利吸引口(13),形成在保持面(111)上,通过伯努利吸引来将基板(W)吸引在保持面(111)上。在保持面(111)上规定有配置成与该保持面(111)的中心同心的圆形区域(M1)和配置成与圆形区域同心的圆环状区域(M2),并且在圆形区域和圆环状区域分别配置有伯努利吸引口。
Description
技术领域
本发明涉及保持半导体基板、印刷基板、滤色用基板、液晶显示装置和等离子显示装置的平板显示器用玻璃基板、光盘用基板、太阳能电池用面板等各种基板(下面,简称为“基板”)的技术。
背景技术
在对基板实施各种处理(例如,向形成在基板上的感光材料照射光,将各种涂敷液涂敷在基板上等)的各种基板处理装置(例如,参照专利文献1),或者用于移送基板的基板搬运装置等中需要保持基板的技术。
关于该技术,例如在专利文献2、3中,公开了使用真空吸嘴来吸附保持基板的下表面侧的结构。另外,例如在专利文献4至7中公开了如下的结构:使用应用了伯努利(Bernouilli)原理的伯努利嘴(通过从形成在保持面上的孔喷出气体来利用伯努利效应吸附基板的嘴)来吸附保持基板。另外,例如在专利文献8中公开了一边利用伯努利嘴来抬起基板一边利用真空吸嘴进行固定以不使基板移动的结构。另外,例如在专利文献9中公开了并用伯努利嘴和真空吸嘴来吸附保持基板的结构。
专利文献1:日本特开平5-150175号公报
专利文献2:日本特开2008-270626号公报
专利文献3:日本特开2005-19637号公报
专利文献4:日本特开2009-28863号公报
专利文献5:日本特开2005-142462号公报
专利文献6:日本特开2002-64130号公报
专利文献7:日本特开2010-52051号公报
专利文献8:日本特开2004-193195号公报
专利文献9:日本特开2006-80289号公报
例如,在通过向形成在基板上的感光材料照射光来在基板上形成电路等的图案的描画装置等中,若在处理过程中基板相对于保持面发生错位则会降低描画精度。因此,需要可靠地对载置在保持面上的基板进行保持,以免发生错位。
但是,基板在载置在保持面上的状态下,并不一定是平坦形状。例如,利用在保持面上载置了基板的搬运装置的手部来支撑基板的中央附近的情况下,载置在保持面上的基板可能会弯曲成凸形状。另外,在该搬运装置的手部支撑基板的外缘的情况下,载置在保持面上的基板可能会弯曲成凹形状。近年来,随着基板的薄型化,基板非常容易弯曲,因而在载置在保持面上的状态下,基板弯曲的可能性非常高。
如在上述各专利文献2至9公开的结构那样,通过在基板和保持面之间形成负压来将基板吸附保持在保持面上的方式中,要可靠地保持弯曲的基板则非常难。这是因为,在载置在保持面上的基板发生了弯曲的情况下,在基板的背面的一部分与保持面之间产生间隙,该间隙会破坏负压。若在保持面和基板的背面之间不能形成足够的吸引压(suction force),则会产生吸附不良,从而基板相对于保持面发生错位的可能性会变高。另一方面,若要不发生这样的吸附不良而可靠地吸附保持基板,则需要对基板施加非常大的吸引力,因此需要设置例如大型真空泵及大规模的配管***等,从而不可避免装置的大型化和成本上升等。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而作出的,其目的在于提供即使是弯曲的基板也能够以简单的结构可靠地保持的技术。
第一技术方案是一种用于对基板实施规定的处理的基板处理装置,该基板处理装置具有:保持板,形成有与基板的背面相向的保持面,一个以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通过真空吸引来将所述基板吸引在所述保持面上,多个伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通过伯努利吸引来将所述基板吸引在所述保持面上;在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
第二技术方案的基板处理装置,在第一技术方案所涉及的基板处理装置中,还具有:堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第三技术方案的基板处理装置,在第一技术方案或第二技术方案所涉及的基板处理装置中,在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口;配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
第四技术方案的基板处理装置,在第一技术方案所涉及的基板处理装置中,具有多个所述真空吸引口;在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口;该基板处理装置具有:堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域中;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第五技术方案的基板处理装置,在第四技术方案所涉及的基板处理装置中,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
第六技术方案的基板处理装置,在第一技术方案至第五技术方案中的任一技术方案所涉及的基板处理装置中,具有用于对所述保持面上的压力进行检测的压力传感器,在所述保持面上一载置基板,就开始利用所述真空吸引口来进行吸引;如果在从开始利用所述真空吸引口来进行吸引起经过了所规定的时间而所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始利用所述伯努利吸引口来进行吸引。
第七技术方案的的基板处理装置,在第六技术方案所涉及的基板处理装置中,在开始利用所述伯努利吸引口进行吸引之后所述保持面上的吸引压变为小于规定值的压力时,停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
第八技术方案的基板处理装置,在第一技术方案至第七技术方案中任一技术方案所涉及的基板处理装置中,具有:凹部,形成在所述保持板的背面侧,该凹部在深度方向上的底面处与所述伯努利吸引口相连通,伯努利吸引单元,配置在所述凹部的内部;所述伯努利吸引单元具有:主体部,形成有圆柱状的凹入空间,喷嘴,向所述圆柱状的凹入空间喷出气体,从而在所述圆柱状的凹入空间形成旋流;在所述主体部与所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之间形成有间隙,并且所述主体部以固定的方式被支撑在所述凹部内。
第九技术方案的基板处理装置,在第八技术方案所涉及的基板处理装置中,所述伯努利吸引口的直径尺寸小于所述圆柱状的凹入空间的直径尺寸。
第十技术方案是一种用于保持基板的基板保持装置,具有:保持板,形成有与基板的背面相向的保持面,一个以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通过真空吸引来将所述基板吸引在所述保持面上,多个伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通过伯努利吸引来将所述基板吸引在所述保持面上;在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
第十一技术方案的基板保持装置,在第十技术方案所涉及的基板保持装置中,具有:堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第十二技术方案的基板保持装置,在第十技术方案或第十一技术方案所涉及的基板保持装置中,在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口,配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
第十三技术方案的基板保持装置,在第十技术方案所涉及的基板保持装置中,具有多个所述真空吸引口,在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自的区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口,该基板保持装置具有:堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域中;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第十四技术方案的基板保持装置,在第十三技术方案所涉及的基板保持装置中,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
第十五技术方案的基板保持装置,在第十技术方案至第十四技术方案中任一技术方案所涉及的基板保持装置中,具有用于对所述保持面上的压力进行检测的压力传感器,在所述保持面上一载置基板,就开始利用所述真空吸引口进行吸引;如果在从开始利用所述真空吸引口来进行吸引起经过了所规定的时间而所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始利用所述伯努利吸引口来进行吸引。
第十六技术方案的基板保持装置,在第十五技术方案所涉及的基板保持装置中,在开始利用所述伯努利吸引口进行吸引之后所述保持面上的吸引压变为小于规定值的压力时,停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
第十七技术方案的基板保持装置,在第十技术方案至第十六技术方案中的任一技术方案所涉及的基板保持装置中,具有:凹部,形成在所述保持板的背面侧,该凹部在深度方向上的底面处与所述伯努利吸引口相连通,伯努利吸引单元,配置在所述凹部的内部;所述伯努利吸引单元具有:主体部,形成有圆柱状的凹入空间,喷嘴,向所述圆柱状的凹入空间喷出气体,从而在所述圆柱状的凹入空间形成旋流;在所述主体部与所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之间形成有间隙,并且所述主体部以固定的方式被支撑在所述凹部内。
第十八技术方案的基板保持装置,在第十七技术方案所涉及的基板保持装置中,所述伯努利吸引口的直径尺寸小于所述圆柱状的凹入空间的直径尺寸。
第十九技术方案是一种保持基板的基板保持方法,包括:a工序,在使基板的背面与形成在保持板上的保持面相向的状态下,将所述基板载置在所述保持面上,b工序,通过真空吸引,在形成在所述保持面上的一个以上的真空吸引口形成吸引压,c工序,通过伯努利吸引,在形成在所述保持面上的多个伯努利吸引口中的至少一个伯努利吸引口形成吸引压;在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
第二十技术方案的基板保持方法,在第十九技术方案所涉及的基板保持方法中,具有:堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第二十一技术方案的基板保持方法,在第十九技术方案或第二十技术方案所涉及的基板保持方法中,在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口;配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
第二十二技术方案的基板保持方法,在第十九技术方案所涉及的基板保持方法中,具有多个所述真空吸引口,在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自的区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口,具有:堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第二十三技术方案的基板保持方法,在第二十二技术方案所涉及的基板保持方法中,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
第二十四技术方案的基板保持方法,在第十九技术方案至第二十三技术方案中的任一技术方案所涉及的基板保持方法中,在所述保持面上一载置基板,就开始进行所述b工序,如果在从开始进行所述b工序起经过了所规定的时间而在所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始进行所述c工序。
第二十五技术方案的基板保持方法,在第二十四技术方案所涉及的基板保持方法中,在开始进行所述c工序之后所述保持面上的吸引压变为低于规定值的压力时,停止所述伯努利吸引。
根据第一技术方案、第十技术方案、第十九技术方案,由于伯努利吸引口分别配置在保持面上规定的圆形区域和圆环状区域中,因而无论基板弯曲为凸形状、凹形状中的任意形状,都能够通过利用伯努利吸引口进行吸引来使基板的弯曲平坦化。因此,即使是弯曲的基板也能够以简单的结构来可靠地吸附保持该基板。
根据第二技术方案、第十一技术方案、第二十技术方案,基板在与堤部的顶部和突起部的顶部相抵接的状态下被吸附保持。根据该结构,由于基板在其背面与保持面距离堤部的高度的状态下吸附保持在保持面上,因而不担心在基板的背面形成真空吸引口的吸引痕迹。
根据第三技术方案、第十二技术方案、第二十一技术方案,沿着保持面的圆环状区域的周向排列有多个伯努利吸引口。根据该结构,即使在基板弯曲为凹形状的情况下,也能够借助来自配置在圆环状区域的各伯努利吸引口的吸引压,使基板的弯曲平坦化,从而能够可靠地吸附保持基板。
根据第四技术方案、第十三技术方案、第二十二技术方案,在保持面内规定的多个部分区域(多个弧状区域及圆形区域)各自区域配置有真空吸引口和伯努利吸引口,并且形成有包围该各部分区域的堤部。根据该结构,在各部分区域和基板的背面之间形成密闭空间,由此能够以该部分区域为单位独立地吸附保持基板的背面,因而不浪费且有效地使基板的弯曲平坦化,从而能够可靠地吸附保持基板。另外,根据该结构,由于基板在其背面与保持面距离堤部的高度的状态下吸附保持在保持面上,因而不担心在基板的背面形成真空吸引口的吸引痕迹。
根据第五技术方案、第十四技术方案、第二十三技术方案,多个弧状区域各自的面积彼此相等。根据该结构,由于在各弧状区域和基板的背面之间形成的密闭空间的体积相等,因而能够在各弧状区域向基板作用相等的吸引力。
根据第六技术方案、第十五技术方案、第二十四技术方案,如果在利用真空吸引口进行吸引而保持面上的吸引压未变为低于规定值的低压,则开始利用伯努利吸引口进行吸引。根据该结构,例如在载置在保持面上的基板最初是未弯曲的平坦形状的情况下,不从伯努利吸引口进行吸引,因而能够抑制消耗多余的空气。
根据第七技术方案、第十六技术方案、第二十五技术方案,在开始从伯努利吸引口进行吸引之后保持面上的吸引压变为小于规定值的低压时,停止从伯努利吸引口的吸引。即,若通过从伯努利吸引口进行吸引使基板的弯曲平坦化而能够恰当地吸附保持基板,则在这以后仅通过利用真空吸引口进行吸引来吸附保持基板。根据该结构,由于将利用伯努利吸引口的吸引抑制在需要的最小限度,因而能够抑制消耗多余的空气。
根据第八技术方案、第十七技术方案,在伯努利吸引单元所具备的主体部与形成在保持板上的凹部的深度方向上的底面及壁面之间形成有间隙,并且主体部以固定的方式被支撑在该凹部内,因而从圆柱状的凹入空间内溢出的气体沿着主体部的周围的间隙流动而排出至保持板的背面侧。根据该结构,即使在伯努利吸引口被基板的背面堵塞的状态下,也能够持续维持伯努利吸引口的吸引压。
根据第九技术方案、第十八技术方案,伯努利吸引口的直径尺寸小于凹部空间的直径尺寸。根据该结构,由于基板背面的被作用吸引压的区域变小,因而不担心通过利用伯努利吸引口进行吸引而使基板的平面度恶化。
附图说明
图1是描画装置的侧视图。
图2是描画装置的俯视图。
图3是基板保持部的俯视图。
图4是在真空吸引口的形成位置剖开了基板保持部的局部剖视图。
图5是在伯努利吸引口的形成位置剖开了基板保持部的局部剖视图。
图6是示意性地表示基板保持部所具备的配管***的图。
图7是表示控制部的硬件结构的框图。
图8是表示由描画装置执行的对基板的处理流程的图。
图9是表示基板保持部将基板吸附保持在保持面上的处理流程的图。
图10是用于说明描画处理的图。
图11是第二实施方式所涉及的基板保持部的俯视图。
图12是示意性表示第二实施方式所涉及的基板保持部所具备的配管***的图。
图13是用于说明依次在伯努利吸引口形成负压的方式的一例的图。
图14是示意性表示变形例所涉及的基板保持部所具备的配管***的图。
图15是变形例所涉及的基板保持部的俯视图。
具体实施方式
下面,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。下面的实施方式是对本发明进行具体化的一例,并不限定本发明的技术范围。
《第一实施方式》
<1.装置结构>
参照图1、图2,对第一实施方式所涉及的描画装置1的结构进行说明。图1是示意性地表示描画装置1的结构的侧视图。图2是示意性地表示描画装置1的结构的俯视图。
描画装置1是对形成有抗蚀剂等感光材料的层的基板W的上表面照射光来曝光图案的装置。此外,基板W可以是半导体基板、印刷基板、滤色用基板、液晶显示装置和等离子显示装置所具备的平板显示器用玻璃基板、光盘用基板、太阳能电池用面板等各种基板中的任一种基板。图中示出了圆形的半导体基板。
描画装置1在主体内部和主体外部配置了各种结构要素,其中,主体内部是通过在由主体机架101构成的骨架的顶面及周围面安装盖板(省略图示)而形成的,主体外部是主体机架101的外侧。
描画装置1的主体内部划分为处理区域102和交接区域103。在处理区域102主要配置有基板保持部10、工作台驱动机构20、计测部30、两个光学单元40、40以及拍摄单元50。在交接区域103配置有搬运装置60和预调节部70,其中,搬运装置60将基板W搬出或搬入处理区域102。
描画装置1的主体外部配置有对拍摄单元50供给照明光的照明单元80。另外,在描画装置1的主体外部,在与交接区域103相邻的位置配置有用于载置装载盒(Cassette)C的装载盒载置部104。配置在交接区域103的搬运装置60,取出载置在装载盒载置部104上的装载盒C中所容置的未处理基板W将其搬入至处理区域102,并且从处理区域102搬出处理完的基板W将其容置在装载盒C中。由外部搬运装置(省略图示)向装载盒载置部104交接装载盒C。
另外,描画装置1上配置有控制部90,该控制部90与描画装置1所具备的各部分电连接,用于对各部分的动作进行控制。
下面,对描画装置1所具备的各部分的结构进行说明。
<1-1.基板保持部10>
基板保持部10是用于将基板W吸附保持成水平姿势的装置。除了图1、图2之外,还参照图3~图6,来对基板保持部10的结构进行说明。图3是基板保持部10的俯视图。图4是在在真空吸引口12的形成位置剖开了基板保持部10的局部剖视图。图5是在伯努利吸引口13的形成位置剖开了基板保持部10的局部剖视图。图6是示意性地表示基板保持部10所具备的配管***的图。
基板保持部10具有保持板11,该保持板11具有平板状的外形,并且该保持板11的上表面形成有与基板W的背面相向的保持面111。保持面111的平面度形成为相对于光学单元40的焦点深度非常小的值(例如大约2μm以下)。另外,保持面111形成至少能够覆盖基板W的曝光区域的尺寸。其中,在本实施方式中,基板W为圆形状,且俯视时,保持面111也为圆形状。
<吸引口12、13、13、…、13>
保持面111上形成有多个吸引口12、13、13、…、13。多个吸引口12、13、13、…、13中的一个吸引口12是通过真空吸引来将基板W吸引在保持面111上的吸引口(下面,称之为“真空吸引口”)12,其余的各吸引口13是通过伯努利吸引(即,利用伯努利效应来进行吸引)来将基板W吸引在保持面111上的吸引口(下面,称之为“伯努利吸引口”)13。伯努利吸引口13形成有多个(在图示的例子中是7个)。
在这里,对多个伯努利吸引口13、13、…、13的布局进行说明。在保持面111上规定有圆形区域M1和圆环状区域M2,其中,圆形区域M1配置成与保持面111的中心(几何学中心)同心,圆环状区域M2配置成与圆形区域M1同心,并且,伯努利吸引口13在圆形区域M1和圆环状区域M2至少分别配置一个。其中,优选在圆环状区域M2配置多个伯努利吸引口13、…、13。另外,在圆环状区域M2配置有多个伯努利吸引口13、…、13的情况下,优选上述的多个伯努利吸引口13、…、13沿着圆环状区域M2的周向排列。
在本实施方式中,在圆形区域M1的中心配置有一个伯努利吸引口13。另外,在圆环状区域M2,6个伯努利吸引口13沿着圆环状区域M2的周向以等间隔排列。
接着,对真空吸引口12进行具体的说明。真空吸引口12经由配管121与用于吸引气体的气体吸引部(例如真空泵)122相连接。另外,在配管121的非末端位置配置有开闭阀(例如电磁阀)123。当气体吸引部122运转并开闭阀123打开时,经由配管121在真空吸引口12形成负压(吸引压)。
接着,对伯努利吸引口13进行具体的说明。在保持板11的背面侧,在分别与多个伯努利吸引口13相对应的各位置上形成有凹部112。凹部112朝向保持板11的背面侧开口,在深度方向上的底面与相对应的伯努利吸引口13相连通。
在凹部112的内部配置有伯努利吸引单元130的主体部131。其中,凹部112的尺寸比主体部131的尺寸大一圈,因此,主体部131的端面133及侧面与凹部112的深度方向上的底面及壁面之间形成有微小的间隙(例如,几百μm左右的间隙)Q,并且主体部131以固定的方式支撑在凹部112内。
主体部131的位于与凹部112的深度方向上的底面相向的一侧的端面133为平坦的形状,并且,在该端面133上形成有圆柱状的凹入空间(圆柱状凹入空间)132。其中,主体部131以使圆柱状凹入空间132的中心部与伯努利吸引口13相向的姿势配置在凹部112内。在这里,伯努利吸引口13的直径尺寸d13小于圆柱状凹入空间132的直径尺寸d132。
伯努利吸引单元130还具有沿圆柱状凹入空间132的内周壁而开口的一对喷嘴134、134。各喷嘴134经由配管135与用于供给压缩空气等气体的气体供给部(例如压缩机)136相连接。另外,在配管135的非端部位置配置有开闭阀(例如电磁阀)137和过滤器(省略图示)。当气体供给部136运转并开闭阀137打开时,经由配管135从各喷嘴134喷出压缩气体。从一对喷嘴134、134沿圆柱状凹入空间132的内周壁喷出的气体,以沿着圆柱状凹入空间132的内周壁的方式流动,由此形成强的旋流(swirl flow)而从圆柱状凹入空间132的开放端流出。此时,基于伯努利定理,在旋流的中心部(即,圆柱状凹入空间132的中心部)形成负压,由此,在伯努利吸引口13形成负压(吸引压)。此外,从圆柱状凹入空间132溢出的气体沿着形成在主体部131和凹部112之间的间隙Q流动而排出到保持板11的背面侧。
<堤部14、突起部15、环状突起部16>
在保持面111上沿着其外缘立起设置有堤部14。另外,在被堤部14包围的保持面111内,在整个区域上立起设置有多个突起部15(图4、图5)。并且,沿着各伯努利吸引口13的外缘及后述的各销孔18的外缘立起设置有环状的突起部(环状突起部)16。其中,在图3中,省略了突起部15的图示。
堤部14的顶部、各突起部15的顶部和各环状突起部16的顶部均形成在同一平面内,并且配置有这些顶部的平面的平面度为相对于光学单元40的焦点深度非常小的值(例如2μm左右)。当在保持面111上载置平坦的基板W时,该基板W的背面与堤部14的顶部的整个区域、所有的突起部15的顶部以及所有的环状突起部16的顶部相抵接,由此在堤部14、被堤部14包围的保持面111内的区域与基板W的背面之间形成密闭空间。在该状态下,若在保持面111上形成开口的真空吸引口12形成负压,则该密闭空间被减压,由此基板W(具体而言,至少基板W的包括曝光区域的部分)在其背面与保持面111距离堤部14的高度的位置上,以平坦的状态吸附保持在保持面111上。
<压力传感器17>
在保持面111上配置有压力传感器17。压力传感器17对保持面111上的压力进行检测。
<销孔18>
基板保持部10具有多个升降销181,多个升降销181用于使基板W相对于保持面111升降。另外,在保持面111上形成有能够穿过各升降销181的销孔18。各升降销181与升降销驱动机构(省略图示)相连接,并且这些升降销181设置为经由各销孔18相对于保持面111同步出没。在搬运装置60和保持面111之间交接基板W时,各升降销181在其前端从保持面111突出的上方位置(突出位置)和前端位于保持面111以下的下方位置(待避位置)之间往复移动。
<吸附控制部19>
基板保持部10还具有用于对基板保持部10所具备的各部分进行控制的吸附控制部19。通过在后面具体说明的控制部90中,例如CPU91按照程序P进行规定的运算处理来构成吸附控制部19,或者,通过专用的逻辑电路等以硬件的方式构成吸附控制部19(图7)。
吸附控制部19与压力传感器17电连接,能够获取来自压力传感器17的检测信号。另外,吸附控制部19分别与开闭阀123及开闭阀137电连接,基于从压力传感器17得到的检测信号等,来独立地对各开闭阀123、137进行开闭控制。即,吸附控制部19基于从压力传感器17得到的检测信号等,控制形成在保持面111上的多个吸引口(真空吸引12及多个伯努利吸引口13、13、…、13)各自的吸引压的形成。在后面,对该控制方式进行具体的说明。
<1-2.工作台驱动机构20>
再次参照图1及图2。工作台驱动机构20是使基板保持部10相对于基台105移动的机构,使基板保持部10在主扫描方向(Y轴方向)、副扫描方向(X轴方向)以及旋转方向(围绕Z轴的旋转方向(θ轴方向))上移动。具体而言,工作台驱动机构20具有使基板保持部10旋转的旋转机构21(图1)。工作台驱动机构20还具有:支撑板22,其经由旋转机构21支撑基板保持部10;副扫描机构23,其使支撑板22在副扫描方向上移动。工作台驱动机构20还具有:基座板24,其经由副扫描机构23支撑支撑板22;主扫描机构25,其使基座板24在主扫描方向上移动。
如图1所示,旋转机构21使基板保持部10以穿过基板保持部10的上表面(保持面111)的中心且垂直于保持面111的旋转轴A为中心旋转。旋转机构21例如包括:旋转轴部211,其上端固定在保持面111的背面侧,并沿铅垂轴延伸;驱动部(例如旋转马达)212,其设在旋转轴部211的下端,用于使旋转轴部211旋转。在该结构中,通过驱动部212使旋转轴部211旋转,基板保持部10在水平面内以旋转轴A为中心旋转。
副扫描机构23具有线性马达231,该线性马达231由安装在支撑板22的下表面上的移动件和铺设在基座板24的上表面上的固定件。另外,在基座板24上铺设有沿着副扫描方向延伸的一对引导构件232,在各引导构件232和支撑板22之间设有球轴承233,球轴承233能够一边在引导构件232上滑动,一边沿该引导构件232移动。即,支撑板22经由该球轴承233被支撑在一对引导构件232上。在该结构中,当使线性马达231动作时,支撑板22在被引导构件232引导的状态下沿着副扫描方向顺畅地移动。
主扫描机构25具有线性马达251,该线性马达251由安装在基座板24的下表面上的移动件和铺设在描画装置1的基台105上的固定件构成。另外,在基台105上铺设有沿着主扫描方向延伸的一对引导构件252,在各引导构件252和基座板24之间设有空气轴承253。从公用设备始终向空气轴承253供给空气,基座板24通过空气轴承253以非接触方式,被引导构件252支撑而浮起。在该结构中,当使线性马达251动作时,基座板24在被引导构件252引导的状态下沿着主扫描方向无摩擦而顺畅地移动。
<1-3.计测部30>
计测部30是用于计测基板保持部10的位置的机构,由干涉式激光测长器构成,该干涉式激光测长器,从基板保持部10的外部向基板保持部10出射激光,并且接收该激光的反射光,根据该反射光和出射光之间的干涉来计测基板保持部10的位置(具体而言,在主扫描方向上的Y位置以及在旋转方向上的θ位置)。
计测部30例如具有:平面镜31,其安装在基板保持部10的-Y侧的侧面上,并且在-Y侧的面上具有垂直于主扫描方向的反射面;在工作台的-Y侧固定在基台105上的各部分(具体为激光源32、分光器33、第一线性干涉仪34、第一接收器35、第二线性干涉仪36及第二接收器37)。
在该计测部30中,从激光源32出射的激光被分光器33分为两部分,其中的一部分激光经由第一线性干涉仪34入射至平面镜31上的第一部位,来自平面镜31的反射光在第一线性干涉仪34中与原来的激光的一部分(将该部分作为参照光来利用)发生干涉并被第一接收器35接收。基于第一接收器35中的反射光与参照光发生干涉之后的强度变化,来确定第一线性干涉仪34和平面镜31在主扫描方向上的距离。由专门的运算电路(省略图示),基于来自该第一接收器35的输出,求出基板保持部10在主扫描方向上的位置。
另一方面,从激光源32出射而被分光器33分出的另一部分激光的一部分,在安装台38的内部从+X侧向-X侧穿过,经由第二线性干涉仪36入射至平面镜31。在这里,来自第二线性干涉仪36的激光,入射至平面镜31上的第二部位,该第二部位是在副扫描方向上与平面镜31上的第一部位距离一定距离的部位。来自平面镜31的反射光在第二线性干涉仪36中与原来的激光的一部分发生干涉并被第二接收器37接收。基于第二接收器37中的反射光与参照光发生干涉之后的强度变化,来确定第二线性干涉仪36和平面镜31在主扫描方向上的距离。基于来自第二接收器37的输出和上述的来自第一接收器35的输出,由专门的运算电路(省略图示)求出基板保持部10的旋转角度。
<1-4.光学单元40>
光学单元40是用于向保持在基板保持部10上的基板W的上表面照射光来进行曝光的机构。如上所述,描画装置1具有两个光学单元40、40。一个光学单元40对基板W的+X侧的一半的部分进行曝光,另一个光学单元40对基板W的-X侧的一半的部分进行曝光。两个光学单元40、40隔开间隔地固定设置在机架107上,该机架107以跨过基板保持部10及工作台驱动机构20的方式架设在基台105上。此外,两个光学单元40、40的间隔不是必须恒定,也可以设置能够变更光学单元40、40中的一个或两者的位置的机构,来调整两者的间隔。
两个光学单元40、40具有相同的结构。即,各光学单元40具有:配置在形成顶板的箱体的内部的激光驱动部41、激光振荡器42及照明光学***43;容置在安装于机架107的+Y侧的附设箱体的内部的头部400。头部400主要具有空间光调制部44和投影光学***45。
激光振荡器42被激光驱动部41驱动而从输出镜(省略图示)出射激光。照明光学***43将从激光振荡器42出射的光(点光束(spot beam))变换为强度分布均匀的线状的光(光束截面为线状的光即线光束(1ine beam))。从激光振荡器42出射并被照明光学***43变换为线光束的光入射至头部400,并对其实施与图案数据D(参照图7)相对应的空间调制之后照射至基板W上。
具体而言,入射至头部400的光经由反射镜46而以所规定的角度入射至空间光调制部44。空间光调制部44对该入射光进行空间调制,来将用于图案描画中的光和不用于图案描画中的光反射至互不相同的方向。其中,具体而言,对光进行空间调制指,变更光的空间分布(振幅、相位及偏振光等)。
具体而言,空间光调制部44具有通过电控制来对入射光进行空间调制的空间光调制器441。空间光调制器441配置为,其反射面的法线相对于经由反射镜46入射的入射光的光轴倾斜,基于控制部90的控制来对该入射光进行空间调制。空间光调制器441例如由衍射光栅式空间调制器(例如,GLV(Grating Light Valve:光栅光阀)(“GLV”为注册商标)等构成。衍射光栅式空间调制器是能够变更光栅的深度的衍射光栅,例如利用半导体装置制造技术来制造。
空间光调制器441是一维排列多个空间光调制元件的结构。通过接通(on)/断开(off)电压来对各空间光调制元件的动作进行控制。即,例如在断开(off)电压的状态下,空间光调制元件的表面变为平面,在该状态下向空间光调制元件入射光时,该入射光正反射,而不衍射。由此,生成正反射光(0次衍射光)。另一方面,例如在接通(on)电压的状态下,在空间光调制元件的表面上形成有多条以周期性排列的平行的沟槽。在该状态下向空间光调制元件入射光时,正反射光(0次衍射光)相互抵消而消失,而生成其他次的衍射光(±1次衍射光、±2次衍射光及更高次的衍射光),而。更准确地讲,0次衍射光的强度最小,其他次的衍射光的强度最大。空间光调制器441具有驱动电路单元,该驱动电路单元能够独立地分别对多个空间光调制元件施加电压,由此能够独立地切换各空间光调制元件的电压。
投影光学***45将通过空间光调制器441进行了空间调制的光中的不用于图案描画的不需要的光隔断,并且仅将用于进行图案描画的需要的光引导到基板W的表面,来在该表面成像。其中,在通过空间光调制器441进行了空间调制的光中包括0次衍射光和0次以外的次数的衍射光(具体而言,±1次衍射光、±2次衍射光及较微量的±3次以上的高次衍射光),其中,0次衍射光是用于进行图案描画的需要的光,而0次衍射光以外的衍射光是不用于进行图案描画的不需要的光。这些需要的光和不需要的光向彼此不相同的方向出射。即,需要的光沿着Z轴向-Z方向出射,不需要的光沿着从Z轴向±X方向略倾斜的轴向-Z方向出射。投影光学***45例如通过隔断板来隔断沿着从Z轴向±X方向略倾斜的轴出射的不需要的光,并且仅使沿Z轴出射的需要的光通过。除了该隔断板之外,投影光学***45还能够包括:构成使入射光的宽度变宽(或者变窄)的变焦部的多个透镜;将入射光变为所决定的倍率并在基板W上成像的物镜等。
在使光学单元40执行描画动作的情况下,控制部90驱动激光驱动部41来从激光振荡器42出射光。出射的光由照明光学***43变换为线光束,并经由反射镜46入射至空间光调制部44的空间光调制器441。在空间光调制器441中,沿着副扫描方向(X轴方向)排列配置有多个空间光调制元件,入射光以使其线状的光束截面沿着空间光调制元件的排列方向的方式,入射至排成一列的多个空间光调制元件。控制部90基于图案数据D来向驱动电路单元发送指示,驱动电路单元对所指示的空间光调制元件施加电压。由此,形成分别由各空间光调制元件进行了空间调制的光,该光向基板W出射。若假设空间光调制器441所具备的空间光调制元件的个数是“N个”,则从空间光调制器441出射副扫描方向的N个像素的进行了空间调制的光。由空间光调制器441进行了空间调制的光入射至投影光学***45,在这里,不需要的光被隔断,仅需要的光被引导到基板W的表面,并变为所决定的倍率来在基板W的表面成像。
如后述,光学单元40一边如上述那样持续进行照射动作,即断续地照射沿着副扫描方向排列的N个像素的已空间调制过的光的动作(即,持续地向基板W的表面反复投影脉冲光),一边沿着主扫描方向(Y轴方向)相对于基板W移动。因此,若光学单元40在主扫描方向上横穿一次基板W,则在基板W的表面上描画一条在副扫描方向具有N个像素的宽度的图案组。在下面的说明中,将一个具有N个像素的宽度的图案描画区域称之为“一个条纹的区域”。
此外,也可以在头部400中的空间光调制部44和投影光学***45之间设置光路修正部,该光路修正部用于使由空间光调制部44进行了调制的光的路径在副扫描方向上稍微偏移。此时,使光路修正部根据需要对光的路径偏移,能够沿着副扫描方向微调照射到基板W上的光的位置。例如能够由两个楔形棱镜(具备非平行的光学面而能够变更入射光的光路的棱镜)和楔形棱镜移动机构来实现光路修正部,其中,楔形棱镜移动机构使一个楔形棱镜相对于另一个楔形棱镜沿着入射光的光轴方向(Z轴方向)进行直线移动。在该结构中,对楔形棱镜移动机构进行驱动控制来对两个楔形棱镜之间的分离距离进行调整,由此能够使入射光偏移所需要的量。
<1-5.拍摄单元50>
拍摄单元50用于拍摄形成在基板W的上表面上的定位标记。拍摄单元50具有镜筒、物镜及CCD图像传感器(均省略图示),该CCD图像传感器例如由区域图像传感器(二维图像传感器)构成。另外,拍摄单元50与从照明单元80延伸出的光纤81相连接。从照明单元80出射的光通过光纤81引导至镜筒,并经由镜筒引导至基板W的上表面。并且,引导至基板W的上表面上的光的反射光经由物镜而由CCD图像传感器接收。由此,获取基板W的上表面的拍摄数据。CCD图像传感器根据来自控制部90的指示来获取拍摄数据,并且将获取的拍摄数据发送至控制部90。此外,拍摄单元50还可以具有能够自动聚焦的自动聚焦单元。
<1-6.搬运装置60>
搬运装置60具有用于支撑基板W的两个手部61、61和使手部61、61独立地移动的手部驱动机构62。由手部驱动机构62对各手部61进行驱动,由此使各手部61进退移动及升降移动,而与基板保持部10的保持面111交接基板W。
<1-7.预调节部70>
预调节部70是用于对基板W的旋转位置进行粗略修正的装置。预调节部70例如能够由以下构件构成:载置台,其能够旋转;传感器,其对形成在载置台上所载置的基板W的外周缘的一部分上的切口部(例如,缺口、定向平面等)的位置进行检测;旋转机构,其使载置台旋转。此时,预调节部70中的预调节处理,首先由传感器对载置在载置台上的基板W的切口部的位置进行检测,接着由旋转机构以使该切口部的位置处于所规定的位置的方式(例如,以使切口的方向与基板保持部10的移动方向(例如,X方向))平行的方式)使载置台旋转。
<1-8.控制部90>
控制部90与描画装置1所具备的各部分电连接,该控制部90一边执行各种运算处理,一边对描画装置1的各部分的动作进行控制。
图7是表示控制部90的硬件结构的框图。控制部90例如由CPU(CentralProcessing Unit:中央处理单元)91、ROM(Read Only Memory:只读存储器)92、RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)93、外部存储装置94等经由总线95相互连接而成的通常的计算机构成。ROM92保存基本程序等,RAM93提供CPU91进行规定处理时的工作区域。外部存储装置94由闪存器构成,或者,由硬盘装置等非易失性存储装置构成。外部存储装置94中保存有程序P,通过作为主控制部的CPU91按照该程序P中的顺序来进行运算处理,由此实现各种功能。程序P通常预先保存在外部存储装置94等存储器中来使用,但也可以以记录到CD-ROM(Compact DiskRead-Only Memory:只读光盘)或者DVD-ROM(digital versatile diskRead-Only Memory:数字多功能只读光盘)、外部闪存器等记录介质中的方式(程序产品)来提供(或者,经由网络从外部服务器下载等来提供),程序P可以以追加或替换的方式保存到外部存储装置94等存储器中。此外,也可以利用专用的逻辑电路等来以硬件的方式实现在控制部90中实现的一部分或全部的功能。
另外,在控制部90中,输入部96、显示部97、通信部98都与总线95相连接。输入部96由各种开关、触摸面板等构成,用于接受操作人员的各种输入设定指示。显示部97由液晶显示装置、指示灯等构成,在CPU91的控制下显示各种信息。通信部98具有经由LAN等来进行数据通信的功能。
在外部存储装置94中保存有记述了用于对基板W进行曝光的图案的数据(图案数据)D。图案数据D例如是对使用CAD(computer aided design计算机辅助设计)生成的CAD数据进行光栅化的数据,表示电路图案等。在对基板W进行一系列处理之前,控制部90先获取图案数据D并保存在外部存储装置94中。此外,图案数据D的获取,例如可以通过从经由网络等连接的外部终端装置接收来实现,也可以通过从记录介质读取来实现。
<2.处理基板W的流程>
接着,参照图8,说明在描画装置1中执行的对基板W的一系列处理的流程。图8是表示该处理的流程的图。在控制部90的控制下,进行在下面说明的一系列的动作。
首先,搬运装置60从载置在装载盒载置部104上的装载盒C中取出未处理基板W并搬入描画装置1(具体而言,是预调节部70)(步骤S1)。
接着,由预调节部70对基板W进行预调节处理(步骤S2)。如上所述,例如通过由传感器对载置在载置台上的基板W的切口部的位置进行检测,并以使该切口部的位置处于所规定的位置的方式使载置台旋转,由此进行预调节处理。由此,成为载置在载置台上的基板W和所规定的旋转位置大致对位的状态。
接着,搬运装置60从预调节部70搬出预调节处理完的基板W并将其载置在基板保持部10的保持面111上(步骤S3)。具体而言,如下进行该处理。首先,工作台驱动机构20将基板保持部10移动至所规定的交接位置。当基板保持部10配置在交接位置时,接着升降销驱动机构(省略图示)使一组升降销181从下方位置移动至上方位置。由此,成为一组升降销181从保持面111突出的状态。接着,搬运装置60沿保持面111***支撑有预调节处理完的基板W的手部61,再使手部61向下方移动。由此,将载置在手部61上的基板W移载在一组升降销181上。接着,当拔出手部61时,升降销驱动机构14使一组升降销181从上方位置移动至下方位置。由此,成为基板W载置在保持面111上的状态。
在保持面111上载置了基板W,接着基板保持部10吸附保持基板W(步骤S4)。参照图9,对该处理的流程进行具体的说明。图9是表示该处理的流程的图。
在保持面111上一载置基板W,吸附控制部19首先打开开闭阀123。于是,在真空吸引口12形成负压(吸引压)(步骤S41)。
在基板W是没有弯曲的平坦的形状的情况下,堤部14的顶部的整个区域、所有的突起部15的顶部以及所有的环状突起部16的顶部分别与基板W的背面相抵接,由此在堤部14、被堤部14包围的保持面111和基板W的背面之间形成密闭空间。因此,此时在真空吸引口12形成负压时,该密闭空间的压力降低,由此基板W在其背面与保持面111距离堤部14的高度的位置上,以平坦的状态吸附保持在保持面111上。如果根据压力传感器17的输出信息确认保持面111上的吸引压为小于规定值的低压(真空压侧)(即,当压力传感器17的检测压力小于规定值(例如-60kPa))(步骤S42:“是”),则吸附控制部19判断基板W被恰当地吸附保持,从而结束吸附保持基板W的一系列处理。
另一方面,在基板W产生了弯曲而不是平坦的形状的情况下,在基板W的背面与堤部14的顶部的至少一部分之间形成间隙。因此,此时即使在真空吸引口12形成负压,会由该间隙破坏负压,由此保持面111上的压力不容易降低。在即使开始从真空吸引口12吸引起经过了一定时间而根据压力传感器17的输出信息不能确认保持面111上的吸引压为小于规定值的低压的情况下(即,压力传感器17的检测压力在规定值(例如-60kPa)以上的情况)(步骤S42:“否”),吸附控制部19判断基板W未恰当地吸附保持在保持面111上(吸附不良),由此打开开闭阀137。于是,多个伯努利吸引口13、13、…、13都形成负压(吸引压)(步骤S43)。
如上所述,伯努利吸引口13在保持面111上规定的圆形区域M1和圆环状区域M2各至少配置一个(参照图3)。在基板W弯曲为凸形状的情况下,借助配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13形成的负压,基板W的中心部附近向保持面111被强力地吸引。另一方面,在基板W弯曲为凹形状的情况下,借助配置在圆环状区域M2的伯努利吸引口13形成的负压,基板W的周缘附近向保持面111被强力地吸引。因此,无论在基板W弯曲为凸形状、凹形状中的任一形状的情况下,都能够借助伯努利吸引口13形成的负压而使基板W平坦化。
若基板W变为平坦的形状,则如上所述,基板W的背面与堤部14的顶部的整个区域、所有的突起部15的顶部以及所有的环状突起部16的顶部相抵接,由此在堤部14、被堤部14包围的保持面111和基板W的背面之间形成密闭空间。于是,通过在真空吸引口12及各伯努利吸引口13形成的负压降低该密闭空间的压力,由此基板W在其背面与保持面111距离堤部14的高度的位置上,以平坦的状态吸附保持在保持面111上。当根据压力传感器17的输出信息确认保持面111上的吸引压为小于规定值的低压时(即,压力传感器17的检测压力小于规定值(例如-60kPa)时)(步骤S44:“是”),吸附控制部19关闭开闭阀137而使各伯努利吸引口13停止吸引(步骤S45)。如上所述,由于基板W已成为平坦的形状,并且在堤部14、被堤部14包围的保持面111和基板W的背面之间形成了密闭空间,因而即使停止从各伯努利吸引口13进行吸引,也能够借助形成在真空吸引口12的负压维持基板W被恰当地吸附保持的状态。通过上面的处理,吸附控制部19结束用于吸附保持基板W的一系列处理。
再次参照图8。当成为基板W被吸附保持的状态时,接着进行精密对位的处理(精调节),以使该基板W位于适当的旋转位置(步骤S5)。具体而言,首先工作台驱动机构20使基板保持部10从交接位置移动至拍摄单元50的下方位置。当基板保持部10配置在拍摄单元50的下方时,接着,拍摄单元50拍摄基板W上的定位标记而获取该拍摄数据。接着,控制部90对由拍摄单元50获取的拍摄数据进行图像解析来检测定位标记的位置,并基于该检测位置来算出基板W相对于旋转位置的适当位置的偏移量。当计算出偏移量时,旋转机构21使基板保持部10旋转该计算出的偏移量。由此,由此使基板W对位而位于适当的旋转位置。
当基板W处于恰当的旋转位置时,接着进行图案的描画处理(步骤S6)。参照图10,对描画处理进行说明。图10是用于说明描画处理的图。
通过工作台驱动机构20一边使载置在基板保持部10上的基板W相对于光学单元40、40移动,一边从每个光学单元40、40向基板W的上表面照射进行了空间调制的光,来进行描画处理。
具体而言,工作台驱动机构20,首先使配置在拍摄单元50的下方位置的基板保持部10沿着主扫描方向(Y轴方向)向+Y方向移动,由此使基板W相对于光学单元40、40沿着主扫描方向相对移动(主扫描)。若从基板W的角度观察该动作,则各光学单元40沿着主扫描方向向-Y方向在基板W的上方横穿(箭头AR11)。在进行主扫描期间,各光学单元40将进行了根据图案数据D的空间调制而形成的光(具体而言,沿着副扫描方向的N个像素的进行了空间调制的光),持续地以断续的方式照射在基板W上(即,持续向基板W的表面反复投影脉冲光)。即,各光学单元40一边持续地以断续的方式照射沿着副扫描方向的N个像素的进行了空间调制的光,一边沿着主扫描方向在基板W的上方横穿。因此,若光学单元40沿着主扫描方向横穿一次基板W,则在基板W的表面上描画一条副扫描方向上具有N个像素的宽度的图案组。在这里,由于两个光学单元40同时横穿基板W,因而通过进行一次主扫描而描画两条图案组。
当一次主扫描结束时,工作台驱动机构20使基板保持部10沿着副扫描方向(X轴方向)向+X方向移动相当于一个条纹的宽度的距离,由此使基板W相对于光学单元40、40沿着副扫描方向相对移动(副扫描)。若从基板W的角度观察该动作,则各光学单元40沿着副扫描方向向-X方向移动一个条纹的宽度(箭头AR12)。
当副扫描结束时,再次进行主扫描。即,工作台移动机构20使基板保持部10沿着主扫描方向向-Y方向移动,来使基板W相对于光学单元40、40沿着主扫描方向相对移动。若从基板W的角度观察该动作,则各光学单元40沿着主扫描方向向+Y方向移动而横穿基板W上的特定区域(箭头AR13),该特定区域是指,通过之前的主扫描描画的一个条纹的描画区域的相邻区域。在这里,各光学单元40一边持续地向基板W以断续的方式照射进行了根据图案数据D的空间调制而形成的光,一边沿着主扫描方向在基板W的上方横穿。由此,在通过之前的主扫描描画的一个条纹的描画区域的相邻区域,再描画一个条纹的区域。这以后,同样地反复进行主扫描和副扫描,当在基板W的表面的整个区域上描画了图案时结束描画处理。
再次参照图8。当描画处理结束时,工作台驱动机构20使基板保持部10移动至交接位置。当基板保持部10配置在交接位置时,吸附控制部19关闭开闭阀123而停止从真空吸引口12进行吸引。由此,气体从真空吸引口12流入密闭空间而解除基板W的吸附状态(步骤S7)。
当解除了基板W相对于保持面111的吸附状态时,接着搬运装置60接收载置在保持面111上的处理完的基板W而从描画装置1中搬出,并将该基板W容置在载置于装载盒载置部104上的装载盒C中(步骤S8)。具体而言,如下进行搬运装置60从保持面111接收基板W的处理。首先,升降销驱动机构(省略图示)使一组升降销181从下方位置移动至上方位置。由此,基板W的下表面被一组升降销181支撑而从基板保持部10抬起,从而变为从保持面111剥下的状态。接着,搬运装置60将手部61***保持面111和基板W的下表面之间,再使手部61上升。由此,支撑在一组升降销181上的基板W移载至手部61上。接着,当拔出手部61时,升降销驱动机构14使一组升降销181从上方位置移动至下方位置。
<3.效果>
在第一实施方式中,由于伯努利吸引口13分别配置在形成于保持面111上的圆形区域M1和圆环状区域M2中,因而无论基板W弯曲成凸形状、凹形状中的任一形状,都能够通过从伯努利吸引口13进行的吸引而使基板W的弯曲平坦化。因此,即使是弯曲的基板W,也能够以简单的结构可靠地吸附保持基板W(具体而言,至少是基板W的包括曝光区域的部分)。因此,在对基板W进行一系列处理期间,能够避免发生基板W相对于保持面111错位这样的情况,从而能够恰当地对基板W进行一系列处理。即,能够保证高精度的描画处理。
另外,在第一实施方式中,基板W在与堤部14的顶部及突起部15的顶部等相抵接的状态下被吸附保持。根据该结构,由于基板W在其背面与保持面111距离堤部14的高度的位置上,以平坦的状态吸附保持在保持面111上,因而不担心在基板W的背面形成真空吸引口12的吸引痕迹。
另外,在第一实施方式中,沿着保持面111的圆环状区域M2的周向排列有多个伯努利吸引口13。根据该结构,即使在基板W弯曲成凹形状的情况下,也能够通过来自配置在圆环状区域M2的各伯努利吸引口13的吸引压而使基板W的弯曲平坦化,从而能够可靠地吸附保持基板W。
另外,在第一实施方式中,在即使从真空吸引口12进行吸引而保持面111上的吸引压未变为小于规定值的低压的情况下,开始从伯努利吸引口13进行吸引。根据该结构,例如在载置在保持面111上的基板W最初是没有弯曲的平坦的形状的情况下,不从伯努利吸引口13进行吸引,因而能够抑制消耗多余的空气。另外,也不存在基板W的背面被污染的危险。
另外,在第一实施方式中,当从伯努利吸引口13开始吸引之后保持面111上的吸引压变为小于规定值的低压时,停止从伯努利吸引口13的吸引。即,当通过从伯努利吸引口13进行的吸引使基板W的弯曲平坦化而基板W被恰当吸附保持时,之后仅通过从真空吸引口12进行吸引来吸附保持基板W。根据该结构,由于伯努利吸引口13的吸引被抑制在需要的的最小限度,因而能够抑制消耗多余的空气。另外,也降低基板W的背面被污染的危险。
另外,在第一实施方式中,在从真空吸引口12进行吸引的状态(即,借助来自真空吸引口12的吸引压,基板W的至少一部分被吸引在保持面111上的状态)下,开始从各伯努利吸引口13进行吸引。根据该结构,在开始从各伯努利吸引口13进行吸引的情况下,不易发生基板W错位等的情况。
另外,在第一实施方式中,在伯努利吸引单元130的主体部131和形成在保持板11上的凹部112之间形成有间隙Q,从圆柱状凹入空间132溢出的气体沿间隙Q流动而被排出到保持板11的背面侧。因此,即使在变为基板W的背面与形成在伯努利吸引口13的外缘的环状突起部16的顶部相抵接的状态(即,伯努利吸引口13被基板W的背面堵塞的状态)下,也能够在圆柱状凹入空间132内持续形成强的旋流。即,能够持续维持伯努利吸引口13的负压。
另外,在第一实施方式中,伯努利吸引口13的直径尺寸d13小于圆柱状凹入空间132的直径尺寸d132。根据该结构,由于基板W的背面的吸引压作用的区域变小,因而不担心由于从伯努利吸引口13进行吸引而使基板W的平面度恶化。
《第二实施方式》
对第二实施方式所涉及的描画装置进行说明。本实施方式所涉及的描画装置与第一实施方式的描画装置之间的不同点在于,将基板W吸附保持为水平姿势的基板保持部所具备的保持面的结构和将基板W吸附保持在保持面上的方式。下面,对与第一实施方式的不同点进行说明,而对相同的结构则省略说明,并且标注相同的附图标记来表示相同的结构。
<1.基板保持部10a>
参照图11、图12,对基板保持部10a的结构进行说明。图11是基板保持部10a的俯视图。图12是示意性地表示基板保持部10a所具备的配管***的图。
与第一实施方式所涉及的基板保持部10同样地,基板保持部10a具有保持板11a,该保持板11a具有平板状的外形,并且在该保持板11a的上表面形成有与基板W的背面相向的保持面111a。在本实施方式中,保持面111a的平面度也形成相对于光学单元40的焦点深度非常小的值。另外,保持面111a形成为至少能够覆盖基板W的曝光区域的尺寸。另外,在本实施方式中,基板W是圆形状,并且俯视时,保持面111a是圆形状。
<吸引口12a、…、12a、13a、…、13a>
保持面111a上形成有多个吸引口12a、…、12a、13a、…、13a。该多个吸引口12a、…、12a、13a、…、13a中的一半的吸引口12a、…、12a是通过真空吸引来将基板W吸引在保持面111a上的真空吸引口12a。另外,剩余的一半吸引口13a、…、13a是通过伯努利吸引来将基板W吸引在保持面111a上的伯努利吸引口13a。真空吸引口12a和伯努利吸引口13a个数相等(在图示的例子中是各7个)。
在这里,对多个真空吸引口12a、…、12a以及多个伯努利吸引口13a、…、13a的布局进行说明。与上述的第一实施方式同样地,在这里,在保持面111a上规定有圆形区域M1和圆环状区域M2,其中,圆形区域M1配置为与保持面111a的中心同心,圆环状区域M2配置为与圆形区域M1同心。而且,圆环状区域M2沿着其周向分割为多个(在图示的例子中是6个)弧状区域M22、M22、…、M22。即,在本实施方式所涉及的保持面111a上规定有圆形区域M1及多个弧状区域M22、M22、…、M22。下面,将圆形区域M1及各弧状区域M22统称为“部分区域Mi”。真空吸引口12a和伯努利吸引口13a在保持面111a上所规定的多个部分区域Mi中各至少配置一个(图示的例子中是各一个)。
其中,优选各弧状区域M22的面积彼此相同。另外,还优选各弧状区域M22的面积和圆形区域M1的面积彼此相同(即,各部分区域Mi的面积相同)。并且,在各部分区域Mi的面积相同的情况下,优选在各部分区域Mi各配置相同个数的真空吸引口12a和伯努利吸引口13a。
各真空吸引口12a分别与分支为真空吸引口12a的数量的分支配管121a的各分支侧端部相连接。另一方面,分支配管121a的合流侧端部与气体吸引部122相连接。另外,在分支配管121a的非端部位置(合流侧的部分)配置有开闭阀123a。在气体吸引部122运转且开闭阀123a打开时,经由分支配管121a分别在多个真空吸引口12a、…、12a形成负压(吸引压)。
各伯努利吸引口13a与配置有伯努利吸引单元130的凹部112相连通。伯努利吸引单元130的结构如上所述。各伯努利吸引单元130所具备的一对喷嘴134、134分别与分支为伯努利吸引口13a的数量的分支配管135a的各分支侧端部相连接。另一方面,分支配管135a的合流侧端部与气体供给部136相连接。另外,在分支配管135a的非端部位置(分支侧的各部分)配置有开闭阀137a。并且,在分支配管135a的非端部位置(合流侧的部分)配置有过滤器(省略图示)。当气体供给部136运转并多个开闭阀137a、…、137a中的某个打开时,经由分支配管135a向与配置有该开闭阀137a的分支部相连接的的伯努利吸引单元130供给压缩气体(具体而言,分别从该伯努利吸引单元130所具备的一对喷嘴134、134喷出压缩气体)。由此,在与配置有该伯努利吸引单元130的凹部112相连通的伯努利吸引口13a形成负压。即,在该结构中,能够独立地在多个伯努利吸引口13a、…、13a形成负压。
<堤部14a>
在保持面111a上,沿着各部分区域Mi的边界立起设置有堤部14a。即,在保持面111a上设置有包围各部分区域Mi的堤部14a。另外,与第一实施方式同样地,在被堤部14a包围的各部分区域Mi内,在整个区域上立起设置有多个突起部15(参照图4、图5)。并且,沿着各伯努利吸引口13a的外缘及各销孔18的外缘立起设置有环状突起部16。其中,在图11中,省略了突起部15的图示。
与第一实施方式同样地,堤部14a的顶部、各突起部15的顶部和各环状突起部16的顶部均形成在同一平面内,并且配置有这些顶部的平面的平面度也为相对于光学单元40的焦点深度非常小的值。当在保持面111a上载置平坦的基板W时,该基板W的背面与所有的堤部14a的顶部整个区域、所有的突起部15的顶部以及所有的环状突起部16的顶部相抵接,由此在各堤部14a、被各堤部14a包围的各部分区域Mi和基板W的背面之间形成密闭空间。在该状态下,当在各部分区域Mi形成开口的真空吸引口12a形成负压时,各密闭空间被减压,由此基板W(具体而言,至少基板W的包含曝光区域的部分)在其背面与保持面111a距离堤部14a的高度的位置上,以平坦的状态吸附保持在保持面111a上。
<压力传感器17a>
在保持面111a上配置有多个压力传感器17a、17a、…、17a。压力传感器17a在保持面111a上规定的多个部分区域Mi中各配置一个,用于对该配置位置处的保持面111a上的压力进行检测。
<升降销181>
与第一实施方式所涉及的基板保持部10同样地,基板保持部10a具有多个升降销181和销孔18,其中,这些多个升降销181用于使基板W相对于保持面111a升降,该销孔18形成在保持面111a上,且能够穿过各升降销181。升降销181及销孔18的结构与第一实施方式所涉及的升降销181相同。
<吸附控制部19a>
与第一实施方式所涉及的基板保持部10同样地,基板保持部10a具有吸附控制部19a,该吸附控制部19a用于对基板保持部10a所具备的各部分进行控制。通过在控制部90中例如由CPU91按照程序P进行规定的运算处理来实现吸附控制部19a的功能,或者,通过专用的逻辑电路等来以硬件的方式实现吸附控制部19a的功能(参照图7)。
吸附控制部19a分别与多个压力传感器17a、17a、…、17a电连接,能够获取来自各压力传感器17a的检测信号。另外,吸附控制部19a分别与开闭阀123a及多个开闭阀137a、137a、…、137a电连接,基于从各压力传感器17a得到的检测信号来独立地对各开闭阀123a、137a、137a、…、137a进行开闭控制。即,吸附控制部19a基于从各压力传感器17a得到的检测信号等,来控制形成在保持面111a上的多个吸引口(多个真空吸引口12a、12a、…、12a及多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a)各自的吸引压的形成。在后面,对该控制方式进行具体的说明。
<2.吸附保持基板W的处理的流程>
对基板保持部10a将基板W吸附保持在保持面111a上的处理的流程(图8的步骤S4的处理的流程)进行说明。由于该处理与第一实施方式所涉及的步骤S4的处理的流程大体上相同,因而参照之前参照的图8进行说明。
当在保持面111a上载置基板W时,吸附控制部19a首先打开开闭阀123a。于是,在多个真空吸引口12a、12a、…12a分别形成负压(步骤S41)。
在保持面111a上规定的部分区域Mi中,在包围该部分区域Mi的堤部14a的顶部的整个区域和基板W的背面相抵接的情况下,在堤部14a、被该堤部14a包围的部分区域Mi和基板W的背面之间形成密闭空间。因此,此时,当在配置在该部分区域Mi的真空吸引口12a形成负压时,该密闭空间的压力降低。
在基板W是没有弯曲的平坦的形状的情况下,在所有的部分区域Mi(即,保持面111a的整个区域)中,保持面111a上的压力降低。若根据多个压力传感器17a、17a、…、17a各自的输出信息确认在所有的部分区域Mi保持面111a上的吸引压变为小于规定值的低压时(步骤S42:“是”),吸附控制部19a判断基板W恰当地吸附保持在保持面111a上而结束吸附保持基板W的一系列处理。
另一方面,在基板W产生了弯曲而不是平坦的形状的情况下,至少在一个部分区域Mi,在包围该部分区域Mi的堤部14a的顶部的至少一部分和基板W的背面之间产生间隙。因此,此时,即使配置在该部分区域Mi的真空吸引口12a形成负压,也会由该间隙破坏负压,由此该部分区域Mi的保持面111a上的压力不容易降低。在开始从真空吸引口12a进行吸引起经过了一定的时间而根据多个压力传感器17a、17a、…、17a各自的输出信息不能确认在所有的部分区域Mi中保持面111a上的吸引压变为小于规定值的低压的情况下(即,吸引压未变为小于规定值的低压的部分区域Mi存在一个以上的情况)(步骤S42:“否”),吸附控制部19a判断基板W未恰当地吸附保持在保持面111a上(吸附不良),由此接着打开开闭阀137a来在伯努利吸引口13a形成负压(步骤S43)。
对步骤S43的处理进行具体的说明。如上所述,基板保持部10a具有多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a,吸附控制部19a对开闭阀137a、137a、…、137a独立地进行开闭控制,而能够独立地在各伯努利吸引口13a形成负压。在这里,若对在打开了所有的开闭阀137a、137a、…、137a的情况下在各伯努利吸引口13a形成的吸引压与在仅打开一个开闭阀137a而关闭其他的开闭阀137a、…、137a的情况下在与该打开的开闭阀137a相对应的伯努利吸引口13a形成的吸引压进行比较,则后者的压力更低。即,后者的吸引力强。这是因为,在后者的情况下,从气体供给部136供给的压缩气体不会分散,能够向一个伯努利吸引单元130集中供给大量的压缩气体。
因此,吸附控制部19a例如以依次选择多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a中的一部分(优选每次选择一个)来仅在选择的一部分的伯努利吸引口13a形成负压的方式,对各开闭阀137a进行开闭控制。即,吸附控制部19a首先选择多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a中的一部分,使与被选择的伯努利吸引口13a相对应的开闭阀137a(具体而言,是安装在与特定的伯努利吸引单元130相连接的分支配管135a的分支部分上的开闭阀137a,其中,该特定的伯努利吸引单元130配置在与该伯努利吸引口13a相连通的凹部112中)形成打开状态,使其他的各开闭阀137a形成关闭状态。当在该状态下经过了所规定的时间时,吸附控制部19a接着选择其他的伯努利吸引口13a,仅使与该选择的伯努利吸引口13a相对应的开闭阀137a形成打开状态,使其他的各开闭阀137a形成关闭状态。之后也同样地依次切换开闭阀137a。由此,顺次在多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a分别形成负压。
在这里,可以任意规定在各伯努利吸引口13a形成负压的顺序(即,选择伯努利吸引口13a的顺序)。例如,如在图13中示意性地表示的,可以采用如下方式:首先,在配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成负压(n1),接着以逆时针(或者,也可以顺时针)的顺序,在配置在圆环状区域M2的多个伯努利吸引口13a分别形成负压(n2→n3→n4→…→n7),再次在配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成负压(n1)(即,n1→n2→n3→n4→…→n7→n1→n2→…)。在该结构中,例如在基板W产生了凸形状的弯曲的情况下,即使在配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a进行第一次吸引的时刻未能可靠地吸附基板W的中心附近,也在其他伯努利吸引口13a依次进行吸引的过程中基板W从容易被吸附的部分(弯曲量小的部分)起逐渐平坦化,因而配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a在第二次以后进行吸引的时刻,能够可靠地吸附基板W的中心附近。
另外,例如也可以采用以下方式:在配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a始终形成负压,另一方面,按照逆时针(或者顺时针)的顺序,在配置在圆环状区域M2的多个伯努利吸引口13a依次形成负压。
另外,例如也可以采用以下方式:优先在配置在保持面111a上的吸引压小的部分区域Mi的伯努利吸引口13a形成负压。此时,吸附控制部19a首先选择与配置在保持面111a上的多个压力传感器17a、17a、…、17a中的检测出最小的吸引压的压力传感器17a相对应的伯努利吸引口13a(即,在配置有该压力传感器17a的部分区域Mi所配置的伯努利吸引口13a),接着选择与检测出第二小的吸引压的压力传感器17a相对应的伯努利吸引口13a,之后也以同样的方式选择伯努利吸引口13a。
若吸附控制部19以上述方式对多个开闭阀137a、137a、…、137a进行开闭控制,则借助依次在各伯努利吸引口13形成的负压,逐渐使基板W平坦化。如上所述,伯努利吸引口13a在保持面111a上规定的圆形区域M1和圆环状区域M2各至少配置一个。因此,无论基板W上形成有凸形状、凹形状中的任一形状的弯曲的情况下,都能够通过依次在各伯努利吸引口13a形成的负压来使基板W平坦化。
当基板W成为平坦的形状时,如上所述,在所有的部分区域Mi(即,保持面111a的整个区域),保持面111a上的压力降低。当根据多个压力传感器17a、17a、…、17a各自的输出信息确认在所有的部分区域Mi保持面111a上的吸引压变为小于规定值的低压(步骤S44:“是”)时,吸附控制部19a关闭所有的开闭阀137a、137a、…、137a而使所有的伯努利吸引口13a、13a、…、13a停止吸引(步骤S45)。如上所述,在基板W已成为平坦的形状,在所有的部分区域Mi,在堤部14a、被堤部14a包围的部分区域Mi和基板W的背面之间形成密闭空间,因而即使各伯努利吸引口13a停止吸引,也能够通过在各真空吸引口12a形成的负压来维持基板W吸附保持在保持面111a上的状态。通过上面的处理,吸附控制部19a结束吸附保持基板W的一系列处理。
<3.效果>
在第二实施方式中,能够得到与第一实施方式同样的效果。另外,在第二实施方式中,在保持面111a上规定的多个部分区域Mi(多个弧状区域M22及圆形区域M1)分别配置真空吸引口12a和伯努利吸引口13a,并且形成包围该各部分区域Mi的堤部14a。根据该结构,在各部分区域Mi和基板W的背面之间形成密闭空间,而能够以该部分区域Mi为单位独立地吸附保持基板W的背面,因而能够不浪费而高效地使基板W的弯曲平坦化,从而能够可靠地吸附保持基板W。
特别地,只要使多个弧状区域M22各自的面积彼此相等,则形成于各弧状区域M22和基板W的背面之间的密闭空间的体积相等,因而能够在各弧状区域M22对基板W施加相等的吸引力。由此,即使在基板W上产生任一形状的弯曲,都能够可靠地使基板W平坦化来吸附保持该基板W。
《变形例》
<1.第一变形例>
在第二实施方式中,也可以采用如下结构:例如经由输入部96(图7)接受操作人员的输入,来获取表示作为处理对象的基板W的弯曲形状的信息(弯曲形状信息)(或者,利用配置在保持面111a的附近的光学传感器等来对载置在保持面111a上的基板W的弯曲形状进行计测,由此获取表示基板W的弯曲形状的信息),吸附控制部19a根据该弯曲形状信息来对各开闭阀137a进行开闭控制。
具体而言,例如,在作为处理对象的基板W弯曲为凹形状的情况下,吸附控制部19a以仅使配置在圆环状区域M2的伯努利吸引口13a形成负压的方式对各开闭阀137a进行开闭控制。于是,借助形成在该伯努利吸引口13a的负压,使基板W顺畅地平坦化。另一方面,在作为处理对象的基板W弯曲为凸形状的情况下,吸附控制部19a以仅使配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成负压的方式对各开闭阀137a进行开闭控制。于是,借助形成在该伯努利吸引口13a的负压,使基板W顺畅地平坦化。
<2.第二变形例>
在上述的各实施方式中,也可以采用能够对真空吸引口12、12a的负压(吸引压)、伯努利吸引口13、13a的负压(吸引压)进行调整的结构。
具体而言,例如在第二实施方式中,在连接多个真空吸引口12a、…、12a和气体吸引部122的分支配管121a的非端部位置(合流侧的部分),除了配置开闭阀123a之外,还可以配置流量调整阀124a(图14)。根据该结构,通过与流量调整阀124a电连接的吸附控制部19a对流量调整阀124a进行控制,能够将分支配管121a内的气体的吸引量变更为任意值。由此,能够将在多个真空吸引口12a、…、12a各自形成的负压(吸引压)变更为任意值。
另外,例如在第二实施方式中,可以在连接多个伯努利吸引单元130、…、130和气体供给部136的分支配管135a的非端部位置(分支侧的各部分),配置流量调整阀138a(图14)。根据该结构,通过与各流量调整阀138a电连接的吸附控制部19a对各流量调整阀138a进行控制,能够将要向各伯努利吸引单元130供给的压缩气体的流量变更为任意值。由此,能够将在各伯努利吸引口13a形成的负压(吸引压)独立地变更为任意值。
例如,在图14所示的结构例中,也可以采用如下结构:例如经由输入部96(图7)接受操作人员的输入,来获取表示作为处理对象的基板W的厚度信息(厚度信息)(或者,利用配置在保持面111a的附近的光学传感器等来对载置在保持面111a上的基板W的厚度进行计测,由此获取表示基板W的厚度的信息),吸附控制部19a根据该厚度信息来对形成于各吸引口12a、13a的负压的值进行调整。
此时,例如在作为处理对象的基板W的厚度比基准值薄的情况下,吸附控制部19a对流量调整阀124a进行控制而使分支配管121a内的气体的吸引量小于基准值。于是,在各真空吸引口12a中形成的吸引压变为大于基准值的高压(即,各真空吸引口12a的吸引力变弱),从而能够安全地吸附保持基板W,而不会使薄的基板W破损。另一方面,在作为处理对象的基板W的厚度比基准值厚的情况下,吸附控制部19a对流量调整阀124a进行控制而使分支配管121a内的气体的吸引量大于基准值。于是,在各真空吸引口12a形成的吸引压变为小于基准值的低压(即,各真空吸引口12a的吸引力变强),从而能够可靠地吸附保持厚的基板W。
另外,在作为处理对象的基板W的厚度比基准值薄的情况下,吸附控制部19a除了对流量调整阀124a进行控制之外(或者,代替该控制),还对各流量调整阀138a进行控制而使分支配管135a内的压缩气体的流量小于基准值。于是,在各伯努利吸引口13a形成的吸引压变为大于基准值的高压,从而能够安全地吸附保持基板W,而不会使薄的基板W破损。另一方面,在作为处理对象的基板W的厚度比基准值厚的情况下,吸附控制部19a除了对流量调整阀124a进行控制之外(或者,代替该控制),还对各流量调整阀138a进行控制而使分支配管135a内的压缩气体的流量大于基准值。于是,在各伯努利吸引口13a形成的吸引压变为小于基准值的低压,从而也能够良好地吸附保持厚的基板W。
此外,在作为处理对象的基板W的厚度非常薄的情况下,可以采用如下方式:吸附控制部19a对各流量调整阀138a进行控制,使分支配管135a内的压缩气体的流量小于基准值,来使在各伯努利吸引口13a形成的吸引压变为大于基准值更的高压,并且关闭开闭阀123a而停止从真空吸引口12a进行吸引。此时,由于仅通过在各伯努利吸引口13a形成的负压来将基板W吸附保持在保持面111a上,因而即使是非常薄的基板W,也能够安全地将基板W吸附保持在保持面111a上,而不会使基板W破损。
另外,在图14所示的结构例中,也可以采用如下结构:例如经由输入部96(图7)接受操作人员的输入,来获取表示作为处理对象的基板W的弯曲量的信息(弯曲量信息)(或者,利用配置在保持面111a的附近的光学传感器等来对载置在保持面111a上的基板W的弯曲量进行计测,由此获取表示基板W的弯曲量的信息),吸附控制部19a不仅按照厚度信息(或者,代替厚度信息),还按照该弯曲量信息来对伯努利吸引口13a、真空吸引口12a的负压进行调整。
此时,例如在作为处理对象的基板W的弯曲量小于基准值的情况下,吸附控制部19a对各流量调整阀138a进行控制而使分支配管135a内的压缩气体的流量小于基准值。在弯曲量小的情况下,即使各伯努利吸引口13a的吸引力较弱(即,即使在各伯努利吸引口13a形成的负压为大于基准值的高压),也能够使基板W平坦化,因而根据该结构,能够有效地抑制空气的消耗,并且能够将基板W可靠地吸附保持在保持面111a上。另一方面,在作为处理对象的基板W的弯曲量大于基准值的情况下,吸附控制部19a对各流量调整阀138a进行控制而使分支配管135a内的压缩气体的流量大于基准值。于是,在各伯努利吸引口13a形成的负压为小于基准值的低压,从而也能够良好地吸附保持弯曲量大的基板W。
另外,在图14所示的结构例中,也可以采用如下结构:例如经由输入部96(图7)接受操作人员的输入,来获取表示作为处理对象的基板W的弯曲形状的信息(弯曲形状信息)(或者,利用配置在保持面111a的附近的光学传感器等来对载置在保持面111a上的基板W的弯曲形状进行计测,由此获取表示弯曲形状的信息),吸附控制部19a除了按照厚度信息、弯曲量信息之外(或者,代替这些各信息),还按照该弯曲形状信息来对各伯努利吸引口13a、真空吸引口12a的负压进行调整。
此时,例如在作为处理对象的基板W弯曲为凸形状的情况下,吸附控制部19a以使配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成的负压低于配置在圆环状区域M2的伯努利吸引口13a形成的负压的方式对各流量调整阀138a进行控制。于是,借助配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成的较大的吸引力,使基板W顺畅地平坦化。另一方面,在作为处理对象的基板W弯曲为凹形状的情况下,吸附控制部19a以使配置在圆环状区域M2的伯努利吸引口13a形成的负压低于配置在圆形区域M1的伯努利吸引口13a形成的负压的方式对各流量调整阀138a进行控制。于是,借助配置在圆环状区域M2的伯努利吸引口13a形成的较大的吸引力,使基板W顺畅地平坦化。
<3.第三变形例>
在上述的各实施方式中,为了提高吸引力而使伯努利吸引口13、13a的直径尺寸d13小于圆柱状凹入空间132的直径尺寸d132,但也可以使伯努利吸引口13、13a的直径尺寸与圆柱状凹入空间132的直径尺寸d132大致相同。在图15中示出了第一实施方式所涉及的伯努利吸引口13的直径尺寸与圆柱状凹入空间132的直径尺寸d132大致相同的情况下的保持面111。根据该结构,能够将形成在圆柱状凹入空间132的中心部的负压无变化地施加到保持面111、111a上。
<4.第四变形例>
在上述的各实施方式中,当确认通过从伯努利吸引口13、13a进行吸引而基板W被恰当地吸附保持在保持面111、111a上(步骤S44:“是”)时,停止从各伯努利吸引口13、13a的吸引(步骤S45),也可以在确认基板W被吸附保持在保持面111、111a上之后还继续从各伯努利吸引口13、13a进行吸引。其中,如上所述,若早期停止从各伯努利吸引口13、13a进行吸引,则能够抑制空气的消耗量,并且保持面111、111a上的基板W被污染的危险也变小,因而优选尽量早期停止从伯努利吸引口13、13a的吸引。
<5.第五变形例>
在上述的各实施方式中,圆环状区域M2的内径与圆形区域M1的外径相一致,但也可以使圆环状区域M2的内径大于圆形区域M1的外径。
另外,在上述的各实施方式中,在保持面111、111a上形成一个圆环状区域M2,但也可以进一步将圆环状区域M2分割为多个圆环状区域,沿着各圆环状区域的周向等间隔地排列多个伯努利吸引口。
<6.第六变形例>
在第二实施方式中,在判断为吸附不良的情况下,吸附控制部19a逐个地依次选择多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a(或者,一次选择多个),并以使仅选择的一部分伯努利吸引口13a形成负压的方式对各开闭阀137a进行开闭控制(例如图13参照),也可以在判断为吸附不良的情况下,吸附控制部19a使多个开闭阀137a、137a、…、137a都形成为开放状态,从而在多个伯努利吸引口13a、13a、…、13a都形成负压。此外,在该情况下,可以在合流侧的部分仅设置一个开闭阀137a,而不在分支配管135a的各分支部上分别设置各开闭阀137a。
<7.第七变形例>
在第二实施方式中,在连接多个真空吸引口12a、12a、…、12a中的各真空吸入口12a和气体吸引部122的分支配管121a上,在分支配管121a的合流侧的部分配置开闭阀123a,但也可以在分支侧的各部分分别配置开闭阀,由此吸附控制部19a独立地对各开闭阀进行开闭控制。根据该结构,能够在多个真空吸引口12a、…、12a各自独立地形成负压。在该结构中,吸附控制部19a也可以逐个地依次选择多个真空吸引口12a、12a、…、12a(或者,一次选择多个),并以使仅选择的一部分的真空吸引口12a形成负压的方式对各开闭阀进行开闭控制。
<8.其他的变形例>
在上述的各实施方式中,利用GLV来作为空间光调制器441,该GLV是作为调制单位的固定带和可动带一维配设的衍射光栅式空间光调制器,但空间光调制器441并不限定于这样的方式。例如,也可以采用反射镜那样的调制单位一维排列的空间光调制器,而不限定于GLV。另外,例如也可以利用如DMD(Digital Micromirror Device:数字微镜器件,德州仪器公司制造)那样的作为调制单位的微镜二维排列的空间光调制器。
另外,在上述的各实施方式中,示出了基板保持部10、10a安装在用于对基板W照射光来形成图案的描画装置1上的方式,但基板保持部10、10a也可以组装在描画装置1以外的各种基板处理装置或基板搬运装置等上。
Claims (25)
1.一种基板处理装置,用于对基板实施规定处理,其特征在于,
具有:
保持板,形成有与基板的背面相向的保持面,
一个以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通过真空吸引来将所述基板吸引在所述保持面上,
多个伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通过伯努利吸引来将所述基板吸引在所述保持面上;
在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
2.根据权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有:
堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,
多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
3.根据权利要求1或2记载的基板处理装置,其特征在于,
在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口,
配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
4.根据权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具有多个所述真空吸引口,
在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自的区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口;
该基板处理装置具有:
堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,
多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域中;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
5.根据权利要求4记载的基板处理装置,其特征在于,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
6.根据权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有用于对所述保持面上的压力进行检测的压力传感器,
在所述保持面上一载置基板,就开始利用所述真空吸引口来进行吸引;
如果在从开始利用所述真空吸引口来进行吸引起经过了所规定的时间而所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始利用所述伯努利吸引口来进行吸引。
7.根据权利要求6记载的基板处理装置,其特征在于,在开始利用所述伯努利吸引口进行吸引之后所述保持面上的吸引压变为小于规定值的压力时,停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
8.根据权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有:
凹部,形成在所述保持板的背面侧,该凹部在深度方向上的底面处与所述伯努利吸引口相连通,
伯努利吸引单元,配置在所述凹部的内部;
所述伯努利吸引单元具有:
主体部,形成有圆柱状的凹入空间,
喷嘴,向所述圆柱状的凹入空间喷出气体,从而在所述圆柱状的凹入空间形成旋流;
在所述主体部与所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之间形成有间隙,并且所述主体部以固定的方式被支撑在所述凹部内。
9.根据权利要求8记载的基板处理装置,其特征在于,所述伯努利吸引口的直径尺寸小于所述圆柱状的凹入空间的直径尺寸。
10.一种基板保持装置,用于保持基板,其特征在于,
具有:
保持板,形成有与基板的背面相向的保持面,
一个以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通过真空吸引来将所述基板吸引在所述保持面上,
多个伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通过伯努利吸引来将所述基板吸引在所述保持面上;
在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
11.根据权利要求10记载的基板保持装置,其特征在于,
该基板保持装置具有:
堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,
多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
12.根据权利要求10或11记载的基板保持装置,其特征在于,
在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口,
配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
13.根据权利要求10记载的基板保持装置,其特征在于,
该基板保持装置具有多个所述真空吸引口,
在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自的区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口;
该基板保持装置具有:
堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,
多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域中;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
14.根据权利要求13记载的基板保持装置,其特征在于,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
15.根据权利要求10记载的基板保持装置,其特征在于,
该基板保持装置还具有用于对所述保持面上的压力进行检测的压力传感器,
在所述保持面上一载置基板,就开始利用所述真空吸引口来进行吸引;
如果在从开始利用所述真空吸引口来进行吸引起经过了所规定的时间而所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始利用所述伯努利吸引口来进行吸引。
16.根据权利要求15记载的基板保持装置,其特征在于,在开始利用所述伯努利吸引口进行吸引之后所述保持面上的吸引压变为小于规定值的压力时,停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
17.根据权利要求10记载的基板保持装置,其特征在于,
该基板保持装置还具有:
凹部,形成在所述保持板的背面侧,该凹部在深度方向上的底面处与所述伯努利吸引口相连通,
伯努利吸引单元,配置在所述凹部的内部;
所述伯努利吸引单元具有:
主体部,形成有圆柱状的凹入空间,
喷嘴,向所述圆柱状的凹入空间喷出气体,从而在所述圆柱状的凹入空间形成旋流;
在所述主体部与所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之间形成有间隙,并且所述主体部以固定的方式被支撑在所述凹部内。
18.根据权利要求17记载的基板保持装置,其特征在于,所述伯努利吸引口的直径尺寸小于所述圆柱状的凹入空间的直径尺寸。
19.一种基板保持方法,用于保持基板,其特征在于,
包括:
a工序,在使基板的背面与形成在保持板上的保持面相向的状态下,将所述基板载置在所述保持面上,
b工序,通过真空吸引,在形成在所述保持面上的一个以上的真空吸引口形成吸引压,
c工序,通过伯努利吸引,在形成在所述保持面上的多个伯努利吸引口中的至少一个伯努利吸引口形成吸引压;
在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
20.根据权利要求19记载的基板保持方法,其特征在于,
具有:
堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,
多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
21.根据权利要求19或20记载的基板保持方法,其特征在于,
在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口,
配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
22.根据权利要求19记载的基板保持方法,其特征在于,
具有多个所述真空吸引口,
在将所述圆环状区域沿着周向分割来规定的多个弧状区域及所述圆形区域各自的区域,分别配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口,
具有:
堤部,以分别包围所述多个弧状区域及所述圆形区域的方式立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的各区域;
所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
23.根据权利要求22记载的基板保持方法,其特征在于,所述多个弧状区域各自的面积彼此相等。
24.根据权利要求19记载的基板保持方法,其特征在于,在所述保持面上一载置基板,就开始进行所述b工序,如果在从开始进行所述b工序起经过了所规定的时间而在所述保持面上的吸引压未变为小于规定值的压力,则开始进行所述c工序。
25.根据权利要求24记载的基板保持方法,其特征在于,在开始进行所述c工序之后所述保持面上的吸引压变为低于规定值的压力时,停止所述伯努利吸引。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105676492A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空吸着平台及玻璃基板搬送方法 |
CN107146768A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-08 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于安放物品的装置和对准装置 |
CN107431039A (zh) * | 2015-04-04 | 2017-12-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 |
CN107655620A (zh) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 盾安传感有限公司 | 封装件以及封装传感器的方法 |
CN107851599A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-03-27 | 日本精工株式会社 | 工作台装置、定位装置、平板显示器制造装置以及精密机械 |
CN107895708A (zh) * | 2016-10-04 | 2018-04-10 | 株式会社迪思科 | 搬送垫和晶片的搬送方法 |
CN110418691A (zh) * | 2017-03-16 | 2019-11-05 | 株式会社日本制钢所 | 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 |
CN110620032A (zh) * | 2018-06-20 | 2019-12-27 | 佳能株式会社 | 基板旋转装置、基板旋转方法、光刻装置以及物品制造方法 |
CN110752169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆处理装置和上下料方法 |
CN112542418A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
WO2023279445A1 (zh) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种机台及晶圆制程设备 |
WO2023124672A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 盛美半导体设(上海)股份有限公司 | 薄片晶圆传输方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2370567B1 (es) * | 2009-11-12 | 2012-11-27 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Mesa de conformado para el curvado de espejos. |
JP5810517B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-11-11 | 富士電機株式会社 | 吸着装置および吸着方法 |
JP5934542B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-06-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、および、基板処理装置 |
JP6086777B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-03-01 | オリンパス株式会社 | 基板検査装置及び基板受け渡し方法 |
JP2014197651A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | オリンパス株式会社 | 基板検査装置及び基板受け渡し方法 |
TW201444756A (zh) * | 2013-05-31 | 2014-12-01 | Chroma Ate Inc | 兩段式太陽能晶圓水平取放系統及其取放方法 |
US9551169B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-01-24 | Globalfoundries Inc. | Apparatus for securing a computing device to a surface |
JP6348500B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-06-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合基板の製造方法 |
JPWO2015083609A1 (ja) * | 2013-12-03 | 2017-03-16 | 株式会社ハーモテック | 搬送装置 |
WO2015169616A1 (en) | 2014-05-06 | 2015-11-12 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method for loading a substrate on a substrate support location, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20160048087A1 (en) * | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Macronix International Co., Ltd. | Scanner and method for performing exposure process on wafer |
CN107533961B (zh) * | 2015-12-11 | 2020-08-21 | 新电元工业株式会社 | 碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置 |
JP6516664B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2019-05-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法 |
JP6711661B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-06-17 | キヤノン株式会社 | 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP6708455B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-06-10 | キヤノン株式会社 | 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP2017085177A (ja) * | 2017-02-10 | 2017-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および剥離システム |
US10919237B2 (en) * | 2017-05-26 | 2021-02-16 | The Boeing Company | Pick and place end effector |
US10369706B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-08-06 | The Boeing Company | End effectors carrying plies of limp material for shaping by a mandrel |
KR20200103849A (ko) * | 2018-01-23 | 2020-09-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102369694B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2022-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척 |
JP7265211B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2023-04-26 | 株式会社東京精密 | 搬送装置 |
DE102018205708A1 (de) * | 2018-04-16 | 2019-10-17 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Entformungswerkzeug und Verfahren zum Entformen eines Bauteils |
CN109244028B (zh) * | 2018-09-28 | 2022-11-18 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种晶圆平整固定方法 |
US11724465B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-08-15 | The Boeing Company | Method and systems using independently controlled pallets for fabricating composite stringers |
CN112490175B (zh) * | 2020-11-28 | 2023-06-30 | 扬州思普尔科技有限公司 | 面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法 |
US11404288B1 (en) | 2021-03-23 | 2022-08-02 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device packaging warpage control |
US11791283B2 (en) | 2021-04-14 | 2023-10-17 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device packaging warpage control |
US11728285B2 (en) | 2021-08-26 | 2023-08-15 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device packaging warpage control |
CN114012624A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-08 | 昆山慧东铝业有限公司 | 一种适应于不同板材加工的定位装置及其加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041376A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 基板保持装置、基板保持方法及び露光装置 |
US20070128888A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Shigehiro Goto | Substrate heat treatment apparatus |
CN101295661A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附装置和基板搬送装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186818A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Canon Inc | X線露光装置用の基板把持装置 |
JP3088148B2 (ja) | 1991-10-14 | 2000-09-18 | 旭光学工業株式会社 | 走査式描画装置 |
JPH092682A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-07 | Mec:Kk | 板体吸着移動器 |
JP3287761B2 (ja) * | 1995-06-19 | 2002-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 真空吸着装置および加工装置 |
WO1997003456A1 (de) * | 1995-07-12 | 1997-01-30 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehör Für Die Halbleiterfertigung Gesellschaft Mbh | Träger für scheibenförmige gegenstände, insbesondere siliziumscheiben |
JPH10242255A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 真空吸着装置 |
JP2000012663A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 基板保持方法及び装置、及びそれを備えた露光装置 |
JP3859937B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2006-12-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
JP3981241B2 (ja) | 2000-06-09 | 2007-09-26 | 株式会社ハーモテック | 旋回流形成体および非接触搬送装置 |
EP1233442B1 (en) | 2001-02-20 | 2009-10-14 | Harmotec Corporation | Non-contacting conveyance equipment |
JP2004193195A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 搬送装置 |
JP2005019637A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Sharp Corp | 吸着ステージ |
JP2005074606A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Kiyoshi Takahashi | 真空ピンセット |
JP4299104B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-07-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハ搬送機構 |
JP4495552B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-07-07 | 萩原エンジニアリング株式会社 | 搬送装置 |
JP2007158075A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP4486943B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2010-06-23 | シャープ株式会社 | 被加工脆性板の切断装置および切断方法 |
JP2009028863A (ja) | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ihi Corp | 非接触搬送装置 |
KR20090121464A (ko) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 주식회사 쎄믹스 | 웨이퍼 프로버의 웨이퍼 고정장치 |
JP2010016176A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Kyocera Corp | 試料保持具 |
JP2010052051A (ja) | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | ベルヌーイチャックおよび吸引保持ハンド |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011167005A patent/JP5877005B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-14 TW TW101108719A patent/TWI460815B/zh active
- 2012-03-22 KR KR1020120029283A patent/KR101368087B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-16 CN CN201210158626.6A patent/CN102903658B/zh active Active
- 2012-05-31 US US13/484,431 patent/US8832924B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041376A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 基板保持装置、基板保持方法及び露光装置 |
US20070128888A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Shigehiro Goto | Substrate heat treatment apparatus |
CN101295661A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附装置和基板搬送装置 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107431039A (zh) * | 2015-04-04 | 2017-12-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 |
CN107431039B (zh) * | 2015-04-04 | 2021-01-12 | 东京毅力科创株式会社 | 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 |
CN107851599B (zh) * | 2015-07-30 | 2022-02-08 | 日本精工株式会社 | 工作台装置、定位装置、平板显示器制造装置以及精密机械 |
CN107851599A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-03-27 | 日本精工株式会社 | 工作台装置、定位装置、平板显示器制造装置以及精密机械 |
CN105676492B (zh) * | 2016-04-06 | 2019-02-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空吸着平台及玻璃基板搬送方法 |
CN105676492A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空吸着平台及玻璃基板搬送方法 |
CN107655620A (zh) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 盾安传感有限公司 | 封装件以及封装传感器的方法 |
CN107895708A (zh) * | 2016-10-04 | 2018-04-10 | 株式会社迪思科 | 搬送垫和晶片的搬送方法 |
CN107895708B (zh) * | 2016-10-04 | 2023-07-25 | 株式会社迪思科 | 晶片的搬送方法 |
CN110418691A (zh) * | 2017-03-16 | 2019-11-05 | 株式会社日本制钢所 | 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 |
CN110418691B (zh) * | 2017-03-16 | 2022-02-15 | 株式会社日本制钢所 | 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 |
US10950474B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-03-16 | The Japan Steel Works, Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
US11676831B2 (en) | 2017-03-16 | 2023-06-13 | Jsw Aktina System Co., Ltd | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
CN107146768A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-08 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于安放物品的装置和对准装置 |
CN110620032A (zh) * | 2018-06-20 | 2019-12-27 | 佳能株式会社 | 基板旋转装置、基板旋转方法、光刻装置以及物品制造方法 |
CN112542418A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
CN110752169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆处理装置和上下料方法 |
WO2023279445A1 (zh) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种机台及晶圆制程设备 |
WO2023124672A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 盛美半导体设(上海)股份有限公司 | 薄片晶圆传输方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101368087B1 (ko) | 2014-02-26 |
US20130025114A1 (en) | 2013-01-31 |
US8832924B2 (en) | 2014-09-16 |
TWI460815B (zh) | 2014-11-11 |
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