JP2013205678A - プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行う。
【解決手段】各ショットにおいて、移動ステージの目標位置を決定し（ステップ３０７）、移動ステージの位置の検出結果に基づき、移動ステージを目標位置へ移動して（ステップ３１０）、基板１の位置決めを行う。２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板１の位置決め後に検出した移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し（ステップ３１１）、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正する（ステップ３０９）。
【選択図】図１６

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に、移動ステージにより基板をＸＹ方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。

近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、１枚の基板から１枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。その場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、移動ステージにより基板をＸＹ方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。

プロキシミティ露光装置において、パターンの焼付けを精度良く行うためには、露光時の基板の位置決めを精度良く行わなければならない。基板の位置決めを行う移動ステージは、Ｘ方向へ移動するＸステージと、Ｙ方向へ移動するＹステージと、θ方向へ回転するθステージとを備え、基板を支持するチャックを搭載して、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する。特許文献１には、基板を位置決めする際に、レーザー測長系を用いて移動ステージのＸＹ方向の位置を検出する技術が開示されている。レーザー測長系は、レーザー光を発生するレーザー光源と、チャックに取り付けられた反射手段（バーミラー）と、レーザー光源からのレーザー光と反射手段（バーミラー）により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを備えている。

特開２００５−３３１５４２号公報

表示用パネル基板等の製造において、露光精度の管理には、基板上の基準点を原点とした位置座標でパターンの位置の精度を管理する絶対位置精度管理と、パターンの間隔を一定にするトータルピッチ精度管理とがある。一般に、絶対位置精度管理では、パターンの位置ずれ量の許容値が数百μｍ程度であるのに対し、トータルピッチ精度管理では、パターンの間隔の相違の許容値が数μｍ程度であり、厳格な精度管理が必要となる。

従来、プロキシミティ露光装置では、基板上の基準点を原点とした位置座標を用いて、基板の位置決めを行っていた。しかしながら、移動ステージにより基板をＸＹ方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、各ショットにおける基板の位置決め誤差により、基板全体としてパターンの間隔が変動し、ショット数が多くなる程、各ショットにおける基板の位置決め誤差が蓄積されて、トータルピッチ精度が低下するという問題があった。

本発明の課題は、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行うことである。また、本発明の課題は、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、トータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行い、高品質な表示用パネル基板を製造することである。

本発明のプロキシミティ露光装置は、マスクを保持するマスクホルダと、基板を支持するチャックと、チャックを搭載して移動する移動ステージとを備え、移動ステージによりチャックを移動して基板のＸＹ方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置において、レーザー光を発生するレーザー光源、移動ステージに取り付けられた複数の反射手段、及びレーザー光源からのレーザー光と各反射手段により反射されたレーザー光との干渉を複数箇所で測定する複数のレーザー干渉計を有するレーザー測長系と、レーザー測長系の各レーザー干渉計の測定結果から、移動ステージの位置を検出する第１の検出手段と、移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、各ショットにおいて、移動ステージの目標位置を決定し、第１の検出手段による移動ステージの位置の検出結果に基づき、ステージ駆動回路を制御し、移動ステージを目標位置へ移動させて、基板の位置決めを行う制御手段とを備え、制御手段が、２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板の位置決め後に第１の検出手段により検出された移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正するものである。

また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法は、マスクを保持するマスクホルダと、基板を支持するチャックと、チャックを搭載して移動する移動ステージとを備え、移動ステージによりチャックを移動して基板のＸＹ方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法であって、移動ステージにレーザー測長系の複数の反射手段を取り付け、レーザー測長系の複数のレーザー干渉計により、レーザー光源からのレーザー光と各反射手段により反射されたレーザー光との干渉を複数箇所で測定し、各レーザー干渉計の測定結果から、移動ステージの位置を検出し、各ショットにおいて、移動ステージの目標位置を決定し、移動ステージの位置の検出結果に基づき、移動ステージを目標位置へ移動して、基板の位置決めを行い、２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板の位置決め後に検出した移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正するものである。

既に行われたショットにおいて、露光時の移動ステージの位置が許容値の範囲内で目標位置からずれても、これから行うショットでは、そのずれ量に基づいて移動ステージの位置の目標位置が補正されるので、既に行われたショットにおけるずれ量が打ち消されて、各ショットにおける基板の位置決め誤差が蓄積されない。従って、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下が抑制され、パターンの焼付けが精度良く行われる。また、１回目のショットでは、基板の位置決めを高精度に行う必要がなくなるので、１回目のショットにおける基板の位置決め時間が短くなり、タクトタイムが短縮される。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、基板上の精度管理点の位置を入力する入力装置を備え、制御手段が、既に行われた精度管理点を含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正するものである。また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法は、既に行われた基板上の精度管理点を含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正するものである。トータルピッチ精度管理を行う際の基板上の精度管理点の数及び位置は、基板の種類によって異なり、基板の種類に応じて適切なトータルピッチ精度管理が行われる。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、チャックに支持された基板の位置を検出する第２の検出手段と、マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出する第３の検出手段とを備え、制御手段が、第１の検出手段により検出された移動ステージの位置と、第２の検出手段により検出された基板の位置とから、チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、チャックに対する基板の位置ずれ量、及び第３の検出手段により検出されたマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定するものである。

また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法は、チャックに支持された基板の位置を検出し、移動ステージの位置と基板の位置とから、チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出し、チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定するものである。

通常、基板は、基板搬送ロボットを用いてチャックへ搬入されるが、その際、基板搬送ロボットの移動誤差により、チャックに搭載された基板の位置ずれが発生する。また、各ショットにおいて、マスクと基板とのギャップ合わせを行うとき、マスクと基板と間の空気によりマスクが上方向へ押されて変形し、変形したマスクが元に戻る際に、マスクの位置ずれが発生する。チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出し、チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定するので、チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に応じて、各ショットにおける補正前の移動ステージの目標位置が適切に決定される。

本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を用いて基板を位置決めして、基板の露光を行うものである。基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、トータルピッチ精度の低下が抑制されて、パターンの焼付けが精度良く行われるので、高品質な表示用パネル基板が製造される。

本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法によれば、２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板の位置決め後に検出した移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することにより、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行うことができる。また、１回目のショットでは、基板の位置決めを高精度に行う必要がなくなるので、１回目のショットにおける基板の位置決め時間を短くして、タクトタイムを短縮することができる。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法によれば、既に行われた基板上の精度管理点を含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することにより、基板の種類に応じて適切なトータルピッチ精度管理を行うことができる。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法によれば、チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出し、チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定することにより、チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に応じて、各ショットにおける補正前の移動ステージの目標位置を適切に決定することができる。

本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、トータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行い、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。

本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。 チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのＸ方向の一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのＹ方向の側面図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 Ｘ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 Ｙ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 マスクの位置検出用マークの一例を示す図である。 マスク位置検出用カメラの動作を説明する図である。 基板の露光精度管理点の一例を示す図である。 本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の露光処理のフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。

図１は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、複数のチャックを有するプロキシミティ露光装置の例を示している。プロキシミティ露光装置は、複数のチャック１０ａ，１０ｂ、主ステージベース１１、複数の副ステージベース１１ａ，１１ｂ、台１２、Ｘガイド１３、複数の移動ステージ、マスクホルダ２０、レーザー測長系制御装置３０、複数の第１のレーザー測長系、第２のレーザー測長系、レーザー変位計制御装置４０、レーザー変位計４２，４３、バーミラー４４、基板位置検出装置、マスク位置検出装置、主制御装置７０、入出力インタフェース回路７１，７２、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂ、及び入力装置９０を含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、露光光を照射する照射光学系、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。

なお、本実施の形態では、チャック、副ステージベース、移動ステージ、第１のレーザー測長系及びステージ駆動回路がそれぞれ２つ設けられているが、これらをそれぞれ１つ又は３つ以上設けてもよい。また、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。

図１において、基板１の露光を行う露光位置の上空に、マスク２を保持するマスクホルダ２０が設置されている。マスクホルダ２０には、露光光が通過する開口２０ａが設けられており、開口２０ａの下方には、マスク２が装着されている。マスクホルダ２０の下面の開口２０ａの周囲には、吸着溝が設けられており、マスクホルダ２０は、吸着溝により、マスク２の周辺部を真空吸着して保持している。マスクホルダ２０に保持されたマスク２の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される。

マスクホルダ２０の下方には、主ステージベース１１が配置されている。主ステージベース１１の左右には、主ステージベース１１のＸ方向に隣接して副ステージベース１１ａ，１１ｂが配置されている。主ステージベース１１のＹ方向には、台１２が取り付けられている。チャック１０ａは、後述する移動ステージによって、副ステージベース１１ａ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。また、チャック１０ｂは、後述する移動ステージによって、副ステージベース１１ｂ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。

基板１は、副ステージベース１１ａ，１１ｂ上のロード／アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、チャック１０ａ，１０ｂへ搬入され、またチャック１０ａ，１０ｂから搬出される。チャック１０ａ，１０ｂへの基板１のロード及びチャック１０ａ，１０ｂからの基板１のアンロードは、チャック１０ａ，１０ｂに設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック１０ａ，１０ｂの内部に収納されており、チャック１０ａ，１０ｂの内部から上昇して、基板１をチャック１０ａ，１０ｂにロードする際、基板搬送ロボットから基板１を受け取り、基板１をチャック１０ａ，１０ｂからアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板１を受け渡す。チャック１０ａ，１０ｂは、基板１を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。

図２は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図３は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。図２において、主ステージベース１１上及び副ステージベース１１ａ，１１ｂ上には、主ステージベース１１上から副ステージベース１１ａ，１１ｂ上へＸ方向に伸びるＸガイド１３が設けられている。

図３において、チャック１０ａ，１０ｂは、それぞれ移動ステージに搭載されている。各移動ステージは、Ｘステージ１４、Ｙガイド１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、及びチャック支持台１９を含んで構成されている。Ｘステージ１４は、Ｘガイド１３に搭載され、Ｘガイド１３に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ１６は、Ｘステージ１４上に設けられたＹガイド１５に搭載され、Ｙガイド１５に沿ってＹ方向（図３の図面奥行き方向）へ移動する。θステージ１７は、Ｙステージ１６に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台１９は、θステージ１７に搭載され、チャック１０ａ，１０ｂを複数箇所で支持する。

各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動及びＹステージ１６のＹ方向への移動により、チャック１０ａは、副ステージベース１１ａ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動され、チャック１０ｂは、副ステージベース１１ｂ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。図４は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図５は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。副ステージベース１１ａ，１１ｂ上のロード／アンロード位置において、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動、Ｙステージ１６のＹ方向への移動、及びθステージ１７のθ方向への回転により、チャック１０ａ，１０ｂに搭載された基板１のプリアライメントが行われる。

主ステージベース１１上の露光位置において、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動及びＹステージ１６のＹ方向への移動により、チャック１０ａ，１０ｂに保持された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。また、図示しないＺ−チルト機構によりマスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせが行われる。そして、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動、Ｙステージ１６のＹ方向への移動、及びθステージ１７のθ方向への回転により、露光時の基板１の位置決めが行われる。

各移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられている。図１において、ステージ駆動回路８０ａは、主制御装置７０の制御により、チャック１０ａを搭載した移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７を駆動する。また、ステージ駆動回路８０ｂは、主制御装置７０の制御により、チャック１０ｂを搭載した移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７を駆動する。

なお、本実施の形態では、マスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行っているが、各移動ステージにＺ−チルト機構を設けて、チャック１０ａ，１０ｂをＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行ってもよい。

以下、本実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板の位置決め動作について説明する。本実施の形態では、２つの第１のレーザー測長系の一方により、チャック１０ａを搭載した移動ステージのＸ方向の位置を検出し、他方により、チャック１０ｂを搭載した移動ステージのＸ方向の位置を検出する。また、第２のレーザー測長系により、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置を検出する。さらに、レーザー変位計４２，４３を用いて、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する。

図１において、第１のレーザー測長系の一方は、レーザー光源３１ａ、２つのレーザー干渉計３２ａ、及び後述するバーミラー３４ａを含んで構成されている。第１のレーザー測長系の他方は、レーザー光源３１ｂ、２つのレーザー干渉計３２ｂ、及び後述するバーミラー３４ｂを含んで構成されている。また、第２のレーザー測長系は、レーザー光源３１ｂ、２つのレーザー干渉計３３、及びバーミラー３５を含んで構成されている。レーザー光源３１ａ，３１ｂは、半導体レーザーを含んで構成されている。

図６は、主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。図７は、主ステージベース上にある移動ステージのＸ方向の一部断面側面図である。図８は、主ステージベース上にある移動ステージのＹ方向の側面図である。図６〜図８は、チャック１０ａを搭載した移動ステージを示しており、チャック１０ｂを搭載した移動ステージは、チャック１０ａを搭載した移動ステージとＸ方向において左右対称な構成となっている。なお、図７ではＸガイド１３が省略され、図８ではレーザー干渉計３２ａ，３２ｂが省略されている。

図８において、移動ステージのＸステージ１４がＸガイド１３に搭載されているので、主ステージベース１１及び副ステージベース１１ａ，１１ｂとＸステージ１４との間に、Ｘガイド１３の高さに応じた空間が発生している。第１のレーザー測長系のバーミラー３４ａは、この空間を利用して、Ｘステージ１４の下に取り付けられている。バーミラー３４ｂも同様である。第１のレーザー測長系の２つのレーザー干渉計３２ａは、図１に示す様に、主ステージベース１１のＸガイド１３から外れた位置に設置されている。レーザー干渉計３２ｂも同様である。

図６〜図８において、第２のレーザー測長系のバーミラー３５は、アーム３６により、ほぼチャック１０ａの高さでＹステージ１６に取り付けられている。チャック１０ｂを搭載した移動ステージについても、同様に、バーミラー３５は、ほぼチャック１０ｂの高さでＹステージ１６に取り付けられている。第２のレーザー測長系の２つのレーザー干渉計３３は、図６及び図８に示す様に、主ステージベース１１のＹ方向に取り付けられた台１２に設置されている。

図９及び図１０は、レーザー干渉計の動作を説明する図である。なお、図９は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示し、図１０は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示している。

図９及び図１０において、各レーザー干渉計３２ａは、レーザー光源３１ａからのレーザー光をバーミラー３４ａへ照射し、バーミラー３４ａにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ａからのレーザー光とバーミラー３４ａにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、２つのレーザー干渉計３２ａの測定結果から、チャック１０ａを搭載した移動ステージのＸ方向の位置を検出し、またＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０の検出結果を、入出力インタフェース回路７１を介して入力する。

図９及び図１０において、各レーザー干渉計３２ｂは、レーザー光源３１ｂからのレーザー光をバーミラー３４ｂへ照射し、バーミラー３４ｂにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ｂからのレーザー光とバーミラー３４ｂにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、２つのレーザー干渉計３２ｂの測定結果から、チャック１０ｂを搭載した移動ステージのＸ方向の位置を検出し、またＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０の検出結果を、入出力インタフェース回路７１を介して入力する。

第１のレーザー測長系のバーミラー３４ａ，３４ｂを各移動ステージのＸステージ１４の下に取り付け、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１のＸガイド１３から外れた位置に設置するので、各移動ステージは副ステージベース１１ａ，１１ｂと主ステージベース１１とを移動する際にレーザー干渉計３２ａ，３２ｂと衝突することがない。そして、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１に設置するので、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂが副ステージベース１１ａ，１１ｂの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂから主ステージベース１１上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、各第１のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのＸ方向の位置が精度良く検出される。そして、各第１のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１に設置するので、複数のレーザー干渉計３２ａ，３２ｂの測定結果から、各移動ステージのＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングが検出される。

図９及び図１０において、各レーザー干渉計３３は、レーザー光源３１ｂからのレーザー光をバーミラー３５へ照射し、バーミラー３５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ｂからのレーザー光とバーミラー３５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、２つのレーザー干渉計３３の測定結果から、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置を検出し、またＹステージ１６がＹ方向へ移動する際のヨーイングを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０の検出結果を、入出力インタフェース回路７１を介して入力する。

第２のレーザー測長系のレーザー干渉計３３を主ステージベース１１のＹ方向に取り付けられた台１２に設置するので、レーザー干渉計３３が副ステージベース１１ａ，１１ｂの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計３３から主ステージベース１１上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、第２のレーザー測長系を用いて、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置が精度良く検出される。そして、複数のレーザー干渉計３３を台１２に設置するので、複数のレーザー干渉計３３の測定結果から、各移動ステージのＹステージ１６がＹ方向へ移動する際のヨーイングが検出される。また、第２のレーザー測長系の各バーミラー３５を、ほぼ各移動ステージが搭載しているチャック１０ａ，１０ｂの高さに取り付けるので、各移動ステージのＹ方向の位置が基板１の近傍で検出される。

図１１は、Ｘ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図１１は、チャック１０ａを搭載した移動ステージに取り付けられたレーザー変位計を示しており、チャック１０ｂを搭載した移動ステージに取り付けられたレーザー変位計は、図１１とＸ方向において左右対称な構成となっている。バーミラー４４は、チャック１０ａ，１０ｂのＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。２つのレーザー変位計４２は、それぞれ、アーム４６により、バーミラー４４の高さでブロック４８に取り付けられている。ブロック４８は、Ｘステージ１４に取り付けられている。

図１２は、Ｙ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図１２において、バーミラー４５は、取り付け具４９により、チャック１０ａ，１０ｂの裏面に取り付けられている。レーザー変位計４３は、図７及び図１２に示す様に、アーム４７により、バーミラー４５の高さでＹステージ１６に取り付けられている。なお、図１２は、バーミラー４５及び取り付け具４９が見える様にするため、チャック１０ａ，１０ｂの一部を切り欠いた状態を示している。

図１１において、各レーザー変位計４２は、レーザー光をバーミラー４４へ照射し、バーミラー４４により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー４４が取り付けられたチャック１０ａのＸ方向の変位を測定する。また、図１２において、レーザー変位計４３は、レーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー４５が取り付けられたチャック１０ａ，１０ｂのＹ方向の変位を測定する。

図１において、レーザー変位計制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、各レーザー変位計４２，４３の測定結果から、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する。主制御装置７０は、レーザー変位計制御装置４０の検出結果を、入出力インタフェース回路７２を介して入力する。

露光時の基板１の位置決めを行う際、主制御装置７０は、レーザー変位計制御装置４０によるチャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きの検出結果に基づき、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御し、各移動ステージのθステージ１７によりチャック１０ａ，１０ｂをθ方向へ回転させて、基板１のθ方向の位置決めを行う。また、主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０による移動ステージのＸＹ方向の位置の検出結果に基づき、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御し、各移動ステージのＸステージ１４及びＹステージ１６によりチャック１０ａ，１０ｂをＸＹ方向へ移動させて、基板１のＸＹ方向の位置決めを行う。

図１において、基板位置検出装置は、画像処理回路５０、及びプリアライメント用カメラ５２を含んで構成されている。また、マスク位置検出装置は、画像処理回路５０、及びマスク位置検出用カメラ５３を含んで構成されている。図３及び図５において、副ステージベース１１ａ，１１ｂ上のロード／アンロード位置の上空には、３つのプリアライメント用カメラ５２がそれぞれ設置されている。また、主ステージベース１１上の露光位置の上空には、２つのマスク位置検出用カメラ５３が設置されている。

基板搬送ロボットにより、基板１がチャック１０ａ，１０ｂへ搬入される際、基板搬送ロボットの移動誤差により、チャック１０ａ，１０ｂに搭載された基板１の位置ずれが発生する。また、各ショットにおいて、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行うとき、マスク２と基板１と間の空気によりマスク２が上方向へ押されて変形し、変形したマスク２が元に戻る際に、マスク２の位置ずれが発生する。

図４において、副ステージベース１１ａ上のロード／アンロード位置の上空に設置された３つのプリアライメント用カメラ５２は、チャック１０ａがロード／アンロード位置にあるとき、チャック１０ａに搭載された基板１の直交する２つの縁の画像をそれぞれ取得し、画像信号を図１の画像処理回路５０へ出力する。図１において、画像処理回路５０は、３つのプリアライメント用カメラ５２から入力した画像信号を処理して、チャック１０ａに搭載された基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０が検出したチャック１０ａを搭載した移動ステージのＸＹ方向の位置と、レーザー変位計制御装置４０が検出したチャック１０ａのθ方向の傾きと、画像処理回路５０が検出した基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きとから、チャック１０ａに対する基板１の位置ずれ量を検出する。

図２において、副ステージベース１１ｂ上のロード／アンロード位置の上空に設置された２つのプリアライメント用カメラ５２は、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にあるとき、チャック１０ｂに搭載された基板１の直交する２つの縁の画像をそれぞれ取得し、画像信号を図１の画像処理回路５０へ出力する。図１において、画像処理回路５０は、３つのプリアライメント用カメラ５２から入力した画像信号を処理して、チャック１０ｂに搭載された基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０が検出したチャック１０ｂを搭載した移動ステージのＸＹ方向の位置と、レーザー変位計制御装置４０が検出したチャック１０ｂのθ方向の傾きと、画像処理回路５０が検出した基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きとから、チャック１０ｂに対する基板１の位置ずれ量を検出する。

マスク２には、マスクホルダ２０に保持されたマスク２の位置を検出するための位置検出用マークが設けられている。図１３は、マスクの位置検出用マークの一例を示す図である。図１３に示した例では、位置検出用マーク２ｂが、マスク２の左右両端に１箇所ずつ設けられている。図１４は、マスク位置検出用カメラの動作を説明する図である。マスク位置検出用カメラ５３は、ＣＣＤカメラ５３ａ、レンズ５３ｂ、及び照明５３ｃを含んで構成されている。照明５３ｃ内の光源５４ｃから発生した照明光は、その一部がレンズ５３ｂ内のハーフミラー５４ｄで反射され、レンズ５３ｂ内の集光レンズ５４ｂから、マスク２へ照射される。マスク２から反射した光は、集光レンズ５４ｂで集光され、ハーフミラー５４ｄを透過して、ＣＣＤカメラ５３ａ内のＣＣＤ５４ａの受光面で受光される。ＣＣＤ５４ａは、受光面で受光した光の強度分布に応じた画像信号を出力する。

図２及び図４において、主ステージベース１１上の露光位置の上空に設置された２つのマスク位置検出用カメラ５３は、マスク２の位置検出用マーク２ｂの画像をそれぞれ取得し、画像信号を図１の画像処理回路５０へ出力する。図１において、画像処理回路５０は、２つのマスク位置検出用カメラ５３から入力した画像信号を処理して、マスクホルダに保持されたマスク２の位置を検出し、マスク２の位置ずれ量を検出する。

図１５は、基板の露光精度管理点の一例を示す図である。図１５は、基板１の表面を破線で示した６つの露光領域に分け、基板１の一面を６回のショットに分けて露光する例を示している。トータルピッチ精度管理を行う際の基板上の精度管理点の数及び位置は、基板の種類やショット数によって異なる。図１５に示した例では、精度管理点１ｂが、基板１の四隅の４箇所に設けられている。図１において、入力装置９０は、基板１上の精度管理点１ｂの位置を含むデータを、主制御装置７０へ入力する。

図１６は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の露光処理のフローチャートである。まず、基板搬送ロボットにより、基板１をチャック１０ａ又はチャック１０ｂへ搬入する（ステップ３０１）。基板位置検出装置の３つのプリアライメント用カメラ５２は、チャック１０ａ，１０ｂに搭載された基板１の直交する２つの縁の画像をそれぞれ取得する。画像処理回路５０は、３つのプリアライメント用カメラ５２から入力した画像信号を処理して、チャック１０ａ，１０ｂに搭載された基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０が検出した移動ステージのＸＹ方向の位置と、レーザー変位計制御装置４０が検出したチャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きと、画像処理回路５０が検出した基板１のＸＹ方向の位置及びθ方向の傾きとから、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量を検出する（ステップ３０２）。

主制御装置７０は、検出したチャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量に応じ、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂによりＸステージ１４、Ｙステージ１６及びθステージ１７を駆動し、ロード／アンロード位置においてチャック１０ａ，１０ｂをＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転して、基板１のプリアライメントを行う（ステップ３０３）。次に、主制御装置７０は、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂによりＸステージ１４及びＹステージ１６を駆動して、チャック１０ａ又はチャック１０ｂを露光位置へ移動し、基板１を露光位置の１回目のショットを行う位置へ移動する（ステップ３０４）。続いて、主制御装置７０は、Ｚ−チルト機構によりマスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトして、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行う（ステップ３０５）。

マスク２と基板１とのギャップ合わせが終了して変形したマスク２が元に戻った後、マスク位置検出装置の２つのマスク位置検出用カメラ５３は、マスク２の位置検出用マーク２ｂの画像をそれぞれ取得する。画像処理回路５０は、２つのマスク位置検出用カメラ５３から入力した画像信号を処理して、マスクホルダに保持されたマスク２の位置を検出し、マスク２の位置ずれ量を検出する（ステップ３０６）。

主制御装置７０は、ステップ３０２で検出したチャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量、及びステップ３０６で画像処理回路５０が検出したマスク２の位置ずれ量に基づき、そのショットにおける移動ステージの目標位置を決定する（ステップ３０７）。チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量を検出し、マスクホルダ２０に保持されたマスク２の位置ずれ量を検出し、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量、及びマスク２の位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定するので、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板の位置ずれ量、及びマスク２の位置ずれ量に応じて、各ショットにおける移動ステージの目標位置が適切に決定される。

続いて、主制御装置７０は、１回目のショットか否かを判断する（ステップ３０８）。１回目のショットである場合、主制御装置７０は、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂによりＸステージ１４及びＹステージ１６を駆動して、チャック１０ａ，１０ｂをステップ３０７で決定した目標位置へ移動して、基板１の位置決めを行う（ステップ３１０）。基板１の位置決めは、レーザー測長系制御装置３０により検出した移動ステージのＸＹ方向の位置と目標位置とのずれ量が、予め定めた許容値以内となるまで行われる。

基板１の位置決めが終了した後、主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０により検出された移動ステージのＸＹ方向の位置から、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出して記憶する（ステップ３１１）。そして、主制御装置７０は、そのショットの露光を行い（ステップ３１２）、全ショットの露光が終了したか否かを判断する（ステップ３１３）。全ショットの露光が終了していない場合、主制御装置７０は、Ｚ−チルト機構によりマスク２と基板１とのギャップを広げた後、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂによりＸステージ１４及びＹステージ１６を駆動して、基板１のＸＹ方向へのステップ移動を行い（ステップ３１４）、基板１を次のショットを行う位置へ移動する。そして、ステップ３０５へ戻り、全ショットが終了するまで、ステップ３０５〜３１４を繰り返す。

ステップ３０８において、そのショットが２回目以降のショットである場合、主制御装置７０は、既に行われたショットにおいてステップ３１１で検出した露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量に基づき、ステップ３０７で決定したそのショットにおける移動ステージの目標位置を補正する（ステップ３０９）。

このとき、主制御装置７０は、入力装置９０から入力されたデータに示された精度管理点１ｂを含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、そのショットにおける目標位置を補正する。トータルピッチ精度管理を行う際の基板上の精度管理点の数及び位置は、基板の種類によって異なり、基板の種類に応じて適切なトータルピッチ精度管理が行われる。

既に行われたショットにおいて、露光時の移動ステージの位置が許容値の範囲内で目標位置からずれても、これから行うショットでは、そのずれ量に基づいて移動ステージの位置の目標位置が補正されるので、既に行われたショットにおけるずれ量が打ち消されて、各ショットにおける基板１の位置決め誤差が蓄積されない。従って、基板１の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板１の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下が抑制され、パターンの焼付けが精度良く行われる。また、１回目のショットでは、基板の位置決めを高精度に行う必要がなくなるので、１回目のショットにおける基板の位置決め時間が短くなり、タクトタイムが短縮される。

ステップ３１３において、全ショットの露光が終了した場合、主制御装置７０は、Ｚ−チルト機構によりマスク２と基板１とのギャップを広げた後、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂによりＸステージ１４及びＹステージ１６を駆動して、チャック１０ａ，１０ｂをロード／アンロード位置へ移動する（ステップ３１５）。そして、基板搬送ロボットにより、基板１をチャック１０ａ，１０ｂから搬出する（ステップ３１６）。

以上説明した本実施の形態によれば、２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板１の位置決め後に検出した移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することにより、基板１の一面を複数のショットに分けて露光する際、各ショットにおける基板１の位置決め誤差によるトータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行うことができる。また、１回目のショットでは、基板の位置決めを高精度に行う必要がなくなるので、１回目のショットにおける基板の位置決め時間を短くして、タクトタイムを短縮することができる。

さらに、既に行われた基板１上の精度管理点１ｂを含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することにより、基板の種類に応じて適切なトータルピッチ精度管理を行うことができる。

さらに、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量を検出し、マスクホルダ２に保持されたマスク２の位置ずれ量を検出し、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量、及びマスク２の位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定することにより、チャック１０ａ，１０ｂに対する基板１の位置ずれ量、及びマスク２の位置ずれ量に応じて、各ショットにおける補正前の移動ステージの目標位置を適切に決定することができる。

本発明のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を用いて基板を位置決めして、基板の露光を行うことにより、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、トータルピッチ精度の低下を抑制して、パターンの焼付けを精度良く行い、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。

例えば、図１７は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。

また、図１８は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。

図１７に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１８に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を適用することができる。

１ 基板
１ｂ 精度管理点
２ マスク
２ｂ 位置検出用マーク
１０ａ，１０ｂ チャック
１１ 主ステージベース
１１ａ，１１ｂ 副ステージベース
１２ 台
１３ Ｘガイド
１４ Ｘステージ
１５ Ｙガイド
１６ Ｙステージ
１７ θステージ
１９ チャック支持台
２０ マスクホルダ
３０ レーザー測長系制御装置
３１ａ，３１ｂ レーザー光源
３２ａ，３２ｂ，３３ レーザー干渉計
３４ａ，３４ｂ，３５ バーミラー
３６ アーム
４０ レーザー変位計制御装置
４２，４３ レーザー変位計
４４，４５ バーミラー
４６，４７ アーム
４８ ブロック
４９ 取り付け具
５０ 画像処理回路
５２ プリアライメント用カメラ
５３ マスク位置検出用カメラ
５３ａ ＣＣＤカメラ
５３ｂ レンズ
５３ｃ 照明
５４ａ ＣＣＤ
５４ｂ 集光レンズ
５４ｃ 光源
５４ｄ ハーフミラー
７０ 主制御装置
７１，７２ 入出力インタフェース回路
８０ａ，８０ｂ ステージ駆動回路
９０ 入力装置

Claims (8)

1. マスクを保持するマスクホルダと、基板を支持するチャックと、前記チャックを搭載して移動する移動ステージとを備え、前記移動ステージにより前記チャックを移動して基板のＸＹ方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置において、
   レーザー光を発生するレーザー光源、前記移動ステージに取り付けられた複数の反射手段、及び前記レーザー光源からのレーザー光と各反射手段により反射されたレーザー光との干渉を複数箇所で測定する複数のレーザー干渉計を有するレーザー測長系と、
   前記レーザー測長系の各レーザー干渉計の測定結果から、前記移動ステージの位置を検出する第１の検出手段と、
   前記移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、
   各ショットにおいて、前記移動ステージの目標位置を決定し、前記第１の検出手段による前記移動ステージの位置の検出結果に基づき、前記ステージ駆動回路を制御し、前記移動ステージを目標位置へ移動させて、基板の位置決めを行う制御手段とを備え、
   前記制御手段は、２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板の位置決め後に前記第１の検出手段により検出された前記移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の前記移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することを特徴とするプロキシミティ露光装置。
2. 基板上の精度管理点の位置を入力する入力装置を備え、
   前記制御手段は、既に行われた精度管理点を含むショットにおける、露光時の前記移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項１に記載のプロキシミティ露光装置。
3. 前記チャックに支持された基板の位置を検出する第２の検出手段と、
   前記マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出する第３の検出手段とを備え、
   前記制御手段は、前記第１の検出手段により検出された前記移動ステージの位置と、前記第２の検出手段により検出された基板の位置とから、前記チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、前記チャックに対する基板の位置ずれ量、及び前記第３の検出手段により検出されたマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける前記移動ステージの目標位置を決定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプロキシミティ露光装置。
4. マスクを保持するマスクホルダと、基板を支持するチャックと、チャックを搭載して移動する移動ステージとを備え、移動ステージによりチャックを移動して基板のＸＹ方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法であって、
   移動ステージにレーザー測長系の複数の反射手段を取り付け、レーザー測長系の複数のレーザー干渉計により、レーザー光源からのレーザー光と各反射手段により反射されたレーザー光との干渉を複数箇所で測定し、
   各レーザー干渉計の測定結果から、移動ステージの位置を検出し、
   各ショットにおいて、移動ステージの目標位置を決定し、移動ステージの位置の検出結果に基づき、移動ステージを目標位置へ移動して、基板の位置決めを行い、
   ２回目以降のショットにおいて、既に行われたショットで基板の位置決め後に検出した移動ステージの位置から、既に行われたショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を検出し、検出したずれ量に基づき、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することを特徴とするプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法。
5. 既に行われた基板上の精度管理点を含むショットにおける、露光時の移動ステージの位置の目標位置からのずれ量を累積して、これから行うショットにおける移動ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項４に記載のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法。
6. チャックに支持された基板の位置を検出し、
   移動ステージの位置と基板の位置とから、チャックに対する基板の位置ずれ量を検出し、
   マスクホルダに保持されたマスクの位置ずれ量を検出し、
   チャックに対する基板の位置ずれ量、及びマスクの位置ずれ量に基づき、各ショットにおける移動ステージの目標位置を決定することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法。
7. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
8. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を用いて基板を位置決めして、基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。

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