TWI342036B - Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine - Google Patents

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine Download PDF

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TWI342036B
TWI342036B TW093109873A TW93109873A TWI342036B TW I342036 B TWI342036 B TW I342036B TW 093109873 A TW093109873 A TW 093109873A TW 93109873 A TW93109873 A TW 93109873A TW I342036 B TWI342036 B TW I342036B
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Michael Bisk Binnard
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Description

玫、發明，說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案係要求2003年4月11曰已提出申請之 美國臨時申請案第60/462,499號「用於浸沒式微影術之置 放塾」的優先權，其内容係為了所有目的而在此合併作為 參考。 ’ 【先前技術】 微影系統係被普遍使用以於半導體製程期間將一影像 從光罩處傳送至一半導體晶圓上。一種典型的微影系統 係包含一個光學組件、一個用於保持住界定出一圖樣之光 罩的光罩平台、一個用於定位一半導體晶圓之晶圓平台組 件、以及—個用以精確地監視光罩及晶圓之位置的量測系 統。在操作期間，一個藉由光罩所界定的影像係藉由光學 組件而被投射在晶圓上。被投射的影像係典型地為在晶圓 上之一或多個晶粒的尺寸。在曝光之後，晶圓平台組件係 會使晶圓移動，並且另一次曝光係會施行。此一程序係被 重複施行，直到在晶圓上的所有晶粒（dice)均被曝光為止 。晶圓接著係被移去，並且一個新的晶圓係被更換在其適 切位置中。 浸沒式微影系統係利用一浸沒流體層，其在晶圓之曝 光期間係會完全地充滿在一個介於光學組件與晶圓之間的 間隙中。浸沒流體的光學性質以及光學組件係容許較目前 所可能施行者為小的特徵尺寸能夠使用標準光學微影術而 被投射。舉例而言，浸沒式微影術目前係被認為是包含6 1342036 5微米、4 5微米及更小之下一代的半導體技術。因此， 浸沒式微影術係代表了 一種顯著的技術突破，其在可預見 的將來將可能會使得光學微影之連續使用成為可能。 在一晶圓係被曝光之後，其係會被移開，並且以一個 新的晶圓來加以更換。如同目前在浸沒式系統中可為吾人 所預期者，浸沒流體將會從間隙處被移開，並接著在晶圓 被更換後被再次充滿。更特別的是，當一晶圓將被進行更 換之時，對於間隙之流體供應係會被關閉，流體係會從間 隙處移開（亦即，藉由真空），舊的晶圓係被移開，一個 新的晶圓係被對準並被置放在光學組件下，並接著間隙係 被重新充滿以新的浸沒流體。一但所有的上述步驟係被完 成之時’新的晶圓之曝光係可以被開始施行。 在上述浸沒式微影術中的晶圓更換係因許多理由而為 有問題者。間隙之重複充滿及排放係可能會導致浸沒流體 的變化，並且可能會導致泡泡形成在浸沒流體内。泡泡以 及非穩定流體係可能會干擾在光罩上的影像之投影在晶圓 上’從而降低了良率。整體程序亦涉及許多步驟，並且係 為耗時者，而此係會降低機器的整體產量。 種在曰曰圓平台移動離開投影透鏡時，例如是在晶圓 父換期間，用於維持浸沒流體於鄰近投影透鏡之間隙中的 設備及方法係因此為吾人所需求者。 【發明内容】 之 一種在浸沒式微影機中維持 間隙中的録:肖和$法係被揭示 浸沒流體於鄰近投影透鏡 。該裝置和方法係包含一 ^42036 個被構型以將一影像投射在一工件上的光學組件，以及一 固包a —工件桌台的平台組件，該工件桌台係被構型以支 =件為鄰近於光學組件…個環境系統係被提供以供應 =浸沒流體以及使浸沒流體從間隙處移開。在工件的曝光 元成之後，一個交換系統係將工件移離並更換以一第二工 件。-浸沒流體系統係被提供’肖以在工件桌台移離投影 透鏡之時將浸沒流體維持於間隙中。因此，間隙在第一工 件被-第二工件所更換之時係不會被重新充滿浸沒流體。 【實施方式】 第一圖係為具有本發明特點之微影機工〇的示意說明 圖。微影機1 0係包含-個框架工2、一個照明系統工4 (照射設備）、-個光學組件x 6、—個光罩平台植件工 8: 一個工件平台組件2〇、一個量測系統”、一個控 /糸統2 4、以及一個流體環境系統2 6。微影機丄〇之 邊部件的設計係可以被改變以符合微_ i ο 在-個實施例之中’該微影们0係被使用以將一積 的圖樣（圓中未顯示）從-光罩2 8處傳送至一半 :晶圓3 〇 (以虛線所說明）上。微影機1 0係裝設至 他支承結構。川疋地面、-基座、或是地板或其 在本發明的不同實施例之中，該微影機"係可以被 使用作為-掃描類型的微影系統，其 圓3 〇為同時移動的方^ Z 0 ^ 30 的方式而使圖樣從光罩2 8處被曝光至 晶圓3 0 土。在一掃描類型的微影機中，光罩2 8係藉由 光罩平台組件18而被移動成垂直於光學組件16之光學 轴線’而晶圓3 0係藉由晶圓平台組件2 0而被移動成垂 直於光學组件1 6之光學轴線。光罩2 8以及晶圓3 0的 掃描係發生在光罩2 8及晶圓3 0被同時移動之時。 亦或是，微影機1 〇係可以為一步驟及重複（step-arid-repeat) 類 型的微 影系統 ，其係 對光罩 2 8 施 行曝光 而在此時光罩2 8及晶圓3 0為靜止者。在步驟及重複的 牙i序中’晶圓3 〇在一個別區域的曝光期間係為處在一個 相對於光罩2 8及光學組件1 6的恆定位置中。隨後，介 於連續曝光步驟之間，晶圓3 〇係被連續地移動而晶圓平 台組件2 0為垂直於光學組件2 6的光學軸線，以使得晶 圓3 0的下一個區域能夠被帶入相對於光學組件1 6及光 罩2 8的適切位置中以施行曝光。在此程序之後，在光罩 2 8上的影像係被相繼地曝光在晶圓3 〇的諸區域上，並 接著晶圓3 0的下一個區域係被帶入相對於光學組件丄6 及光罩2 8的適切位置中c 然而’在本文中所提供之微影機1 0的使用並非被必 要地限制在用於半導體製造的微影術。舉例而言，微影機 1 0係可以被使用作為一種將一液晶顯示裝置工件圖樣曝 光在一矩形玻璃板件上的LCD微影系統，或是一種用於製 k肩膜磁頭的微影系統。據此，「工件」_辭係大體上被 使用在本文中以拍、 扣出可以使用微影術而被施予圖樣的任何 裝置’例如是但非限於晶圓3戈LCD基板。 1342036 設備框架1 2係支承著微影機1 〇的諸部件。在第— 圖中所說明的設備框架1 2係將光罩平台組件i 8、工件 平台組件2 0、光學組件1 6、以及照明系統1 4支承於 裝設用基座32上方。 照明系統1 4係包含一照明來源3 4以及一個照明光 學組件3 6。照明來源3 4係發出光能量之一光束（照射 irradiation)。照明光學組件3 6係引導來自照明來源3 4之光能量光束至光學組件1 6。光束係選擇性地照亮光 罩2 8之不同部分，並使晶圓3 0曝光。在第一圖中，照 明來源3 4係被說明為被支承在光罩平台組件1 8上方。 然而典型的情況是，照明來源3 4係被固定至設備植架1 2的一側邊，並且來自照明來源3 4的能量光束係經由照 明光學組件3 6而被引導至光罩平台組件1 8上方。 照明來源3 4係可以為一 g-line源（436nm) 、i- 1 ine源（365nm) 、KrF準分子雷射（248nm) 、ArF準分子 雷射（193nm)或是F2雷射（157nm)。抑或，照明來源3 4係可以產生帶電X光。 光學組件1 6係將通過光罩2 8的光線投影以及/或 者聚焦至晶圓3 0。取決於微影機1 〇的設計而定，光學 組件1 6係可以放大或縮小被照射在光罩2 8上的影像。 光學組件1 6並不需要被限制為一縮小系統。其亦可以為 單倍或更高倍的放大系統。 同樣地，經由利用波長為200nm或更小之真空紫外線 照、射（VUV )來對工件進行曝光，反射折射類型的光學系統 10 1342036 係可為吾人所考慮。反射折射類型之光學系統的示例係包 含為公開專利申請於公報上之日本專利申請第8-丨71 〇54所 揭示者及其相應案美國專利第5, 668, 672號，以及曰本專 利申請第1 0-201 95號所揭示者及其相應案美國專利第 5’ 835’ 275號。在11些示例之中，反射的光學工件係可以 為一個合併有一分光鏡及一凹面鏡的反射折射類型光學系 統。為公開專利申請於公報上之日本專利申請第8_33彻5 所揭示者及其相應案美國專利第5,689 377號，以及曰本 專利申請…號所揭示者及其相應案美國專利申請 第申請日97年6月12日）亦使用了 —個合 併有一凹面鏡等但不帶有-分光鏡之反射-折射類型光學 糸統，並且亦可以與本發 .m 不七明一起使用。若被允許，在前述 荦中'以及為公開專利中請於公報中之日本專利申請 案中所揭示者係在此合併為本案之參考。 學組件=:::;8〇:=住:罩28並使之相對於光 平台組件以係包含-個伴持有=個實施例之中，光罩 以及-個使光罩平台38及：有光罩28之光罩平台38 台移動組件4 0。 〃罩2 8移動及定位的光罩平 每-個光罩平台移動 的平台3 8、4 9认- 干4 〇、4 4係可以移動個別 大於二個自 個自由度、小於三個自由度、„戈是 一個自由度。舉例而令， 又次疋 =罩平台移動組件4 〇 —實施例之中，每一個 4 2於一個、二& q 4係可以移動個別平台3 8、 1342036 。光罩平台移動組件4 0以及工件平台移動組件4 4係可 以分別包含一或多個移動器，例如是旋轉馬達、音圈馬達 、利用L〇rentz作用力以產生驅動作用力的線性馬達、電 磁馬達、平面馬達、或是某些其他作用力移動器。 在微影系統中，當線性馬達（參見美國專利第 5,623,853號、或第5,528，118號，且其得、在此合併作為參 考）係被使用於晶圓平台組件或是光罩平台組件，線性馬 達係可以為利用空氣軸承之一空氣升力類型或是利用 Lorentz作用力或反作用力之磁性升力類型。另外，平台 係可以移動沿著-軌道，或者其係可以為不使用軌道之— 無軌道類型的平台。 +抑或，一個平台係可以藉由一平面馬達所驅動，其係 藉由一個具有二維配置磁鐵的磁鐵單元以及一個具有二維 配置線圈於相向位置中的電枢線圈單元所產生的一電磁作 用力來驅動平α。經由此__類型的驅動系、统，磁鐵單元或 是電枢線圈單it係被連接至平台基座，而另__單元則係被 裝設在平台的移動平面側邊上。 平台如上所述的移動係會產生反作用力，其係可能會 影響微影系統的效能。藉由晶圓（基板台運動所產生 的反作用力係可能會藉由一框架元件之使用而被機械性地 傳送至地板（地面），如同在美國專利第5,528，1GG號以 及已公開的日本專利申請第8-136475號之揭示内容中所描 述者I外二藉由光罩（遮罩）平台運動所產生的反作用 力係可能會藉由—框架元件之使用而被機械性地傳送至地 12 板（地面），杯n u 的曰本專利申美國專利第5,874,82〇號以及已公開 被允呼，蓋月~330224號之揭示内容中所描述者。若 =3國專利第5,528肩號以及第卿2〇號 杀以夂曰本專利φ +主货 為本案之參考 136475號中所揭示者係在此合併 里測糸統2 2传龄i目止® n r» 學組件16或某些其==8及晶圓30所相對於光 φ] ^ ^ 9 Λ r ’、 >考物的移動。經由此一資訊，控 制糸、，先2 4係可以控制亦罢 星9 β ^ 制先罩+台組件1 8以精確地定位光 Π二且可以控制工件平台組件2〇以精確地定位晶
圓 里測系統2 2的办〜·及-Γ L 的。又计係可以改變。舉例而言，量測系
Sirr利用多個雷射干㈣、編碼器、鏡子、以及 /或者其他量測裝置。 =系統2 4係接收來自量測系統2 2的資訊，並且 =^移動W件18、2 ◦，用以精確地定位光罩2 ? β 3 ◦另外’控制系統2 4係可以控制環境系統 個虛/卩件的私作。控制系統2 4係可以包含-個或多 個處理器及電路。 門環境系統26係控制在介於光學組件16與晶圓30 間隙（在圖示中並未被顯示出來）中的環境。間隙 :二含-影像場（imaging field)。影像場係包含鄰近於 曰曰圓被曝光之範圍的區域以及光能量所行進介於光學組件 6與晶圓3〇間的區域。經由此—設計，環境系統26 糸可以控制在影像場中的環境。藉由環境系統2 6所創造 以及/或者控制在間隙中的所希求環境係可以依據晶圓3 13 以及微影機1◦之包含照明（Μ 4之剩餘部件的設計 而被加以改變。舉例而t，所希求知受控環境係可以為例 =是水的流m ’所希求知受控環境係可以為例如是 日軋體之其他類型的流體。在不同的實施例之中，所介於 曰曰圓3 〇之頂部表面與光學組件丄6之最後光學元件間之 間隙的高度係可以為從〇. 1毫米至i〇毫米。
在-個實施例之中，環境系統2 6係以一浸沒流體充 ^影像場以及㈣的義部分6以及環境系 殊2 6之諸部件的設計係可加以改變。在不同的實施例之 中，％境系統2 6係使用喷麗嘴嘴、電氣動能式海綿、多 孔材料等而將浸沒流體遞送以及/或者注入至間隙之中， 並且使用真空泵、海綿、以及類似物而將流體從間隙處移 去。％境系統2 6的設計係可加以改變。舉例而言，其係 可以在處於或接近於間隙的一或多個位置處將浸沒流體注 入。再者，浸沒流體系統係可以幫助在處於或接近於工件 3 0、間隙、以及/或者光學組件丄6之邊緣處的一或多 個位置處移去以及/或者清除浸沒流體。就不同環境系統 的額外細節言，請參照2003年4月9日所提出申請之美國 臨時專利申請案第60/462, 142號「浸沒微影流體控制系統 」、2003年4月10曰所提出申請之美國臨時專利申請案 第60/462, 1 12號「用於浸沒式微影術之真空環系統及芯環 系統」' 2003年9月3日所提出申請之美國臨時專利申請 案第60/500，312號「經由多孔材料之無噪音流體重獲」、 以及2004年2月2曰所提出申請之美國臨時專利申請案第 14 1342036 60/54U329號「用於浸沒式微影術之噴嘴設計」， 利申請案係在此合併作為本案的參考。 茶照第二圖，說明士 i 月本發明一貫施例之一微影機的 圖係被顯示出纟。微影機2〇〇係包含一光 及-平台組件2”，…件2〇2係包含一個： 台2 0 4以及-個晶圓平台2〇6。晶圓桌台2〇4係被 構型以支承一個晶圓2 0 8 (或是任何其他類型的工件） 於^學組件16之下。一個環繞著光學組件U的環^ 統26係被使用以供應浸沒流體212至介" 、 ^學組件16之最後光學料間之間隙並使浸沒流= 二去。一個包含—晶圓裝填器2ΐδ(例如是 :機械臂）及-對準工具22〇 (亦即一顯微鏡及⑽相 機）的工件交換系統2 i 6係被構型以將晶圓桌台2 〇4 上的晶圓2 0 8移去並替換以一第二晶圓。此係典型地使 用晶圓裝載器218以使晶圓2 "抬升並移離晶圓卓台 出來）係被置放在晶圓夾盤2 i 8上、使用對準工且2 2 〇以進行對準、並接著被定位在光學組件工6下方=位在 晶圓桌台2 〇 4上。 々經由此一實施例，晶圓平台204係包含-浸沒流體 容納系統2 1 4，其係被構型以於晶圓交換期間维持浸沒 流體2 1 2在鄰近於光學组件工6之最後光學部件的間隙 中ί又流體容納系統2 1 4係包含一個鄰近於晶圓桌台 204的墊子222。一個被提供在介於墊子222與晶 15 i342〇36 圓平台2 Ο 6之間的支承元件2 2 4係被使用以支承該墊 子2 2 2。晶圓桌台2 0 4係具有一個平坦的上方表面， 其係與晶圓2 0 8之一表面呈共平面。塾子2 2 2亦具有 ，個平坦的上方表面’其係與晶圓桌台204的上方表面 以及晶圓表面呈共平面。塾子2 2 2係被配置為鄰近於晶 圓桌台2 0 4而與其相距一非常小的間隙（例如是〇. j _ 1 · 0毫米），如此浸沒流體2 1 2係可移動介於晶圓桌台
2 0 4與塾子2 2 2之間而不會有洩漏。在晶圓交換期間 ’晶圓平台2 0 6係被移動在箭頭2 2 6的方向上，如此 蟄子2 2 2係被定位在光學組件1 6下來代替晶圓桌台2 0 4 ’而將流體維持在間隙中或維持流體間隙的大小。在 新的晶圓已被對準之後，晶圓平台係被移回至其初始位] ，如此墊子2 2 2在第二晶圓被定位在光學組件i 6下j 時係可以從間隙處被移去。在不同實施例之中，塾子2 ^ 2係被連續地安置成鄰近於晶圓桌台2 〇 4而於其間不窄
有間隙。曰曰曰圓桌台2 〇 4 W垂直位£以及/或者傾斜係； 以被加以調整，如此晶圓桌台表面在晶圓桌台2 〇 4被華 離光學組件1 6下方前係能夠與墊子表面呈共平面。維去 介於墊子2 2 2與光學組件χ 6間的間隙並未被限制僅方 -晶圓交換操作。墊子2 2 2係可以為夠大以於一對準杏 作或一量測操作期間將浸沒流體212維持在介於墊子2 2 2與光學組件！ 6間的空間中。在這些操作中， 抓祖2 1 2所佔據的_部份區域係可以為在晶圓桌台2〔 4的上方表面上。 16 Η
參照第三A 之另-微影；的：以及第三B圓’根據本發明另-實施例 〇 〇係包含一“面圖及俯視圖係被顯示出來。微影機3 該平台組件3 η光^且件1 6以及—個平台組件3 0 2， 圓平台3 〇 2係包含-個晶圓桌台3 0 4以及一個晶 3〇8晶圓桌台3〇4係被構型以支承-個晶圓 。一伽/其他類型的工件）力光學組件16之下 個％繞著光學组件 / m ， 6的仏糸統2 6係被使用以供
下方先:312至介於晶圓308與光學組件16之最 一于领間之間隙並使浸沒流體3 i 2從該處移去。 六因包含-晶圓裝填器3 i 8及一對準工具3 2 〇的工件 父換糸統3 1 6係被構型以將晶圓桌台3 〇 4上的晶圓3 〇 8移去並替換以_第二晶圓。此係使用晶圓裝載器3 1 8以使晶圓3 0 8移離晶圓桌台處所完成。隨後 b 圓（在圖示中並未被顯示出來）係被置放在晶圓夾盤3工 8上、使用對準工具3 2 0以進行對準、並接著被定位在
光學組件1 6下方。如同在第三B圖中所最佳地說明者， —組馬達3 2 2係被使用以使包含晶圓桌台3 〇 4及晶圓 平台3 0 6的晶圓組件3 0 2在操作期間移動於二個自由 度（X及Y )。如同上文中所提及者，馬達3 2 2係可以 為任何類型的馬達，例如是線性馬達、旋轉馬達、音圈馬 達等。 浸沒微影機3 〇 〇亦包含一浸沒流體容納系統3 2 4 ’其係被構型以於晶圓桌台3 0 4為遠離光學組件下方之 時維持浸沒流體3 1 2在光學組件1 6下的空間中。浸沒 17 1342036 流體容納系統2 1 4係包含一個墊子3 2 6、一個馬達3 2 8、以及一個控制系統3 3 0。墊子3 2 6係可以被定 位為鄰近於光學組件1 6以及晶圓桌台3 0 4。晶圓桌台 3 Q 4係具有一個平坦的上方表面，其係與晶圓3 〇 8之 一表面呈共平面。墊子3 2 6係具有一個平坦的上方表面 ’其係與晶圓桌台3 0 4的上方表面以及晶圓表面呈共平 面°塾子3 2 6係可使用馬達3 2 8而移動於X及γ方向 上’而馬達3 2 8係藉由控制系統3 3 0所控制。馬達3 2 8係如同馬達3 2 2而可以為任何類型的馬達。當晶圓 桌台304 (晶圓平台306)係遠離光學綵件16下方 之時，墊子3 2 6係被定位在光學組件1 6下方。在晶圓 父換期間，晶圓桌台3 0 4係移動遠離光學組件i 6。而 在同時，控制系統3 3 0係指示馬達3 2 8以移動墊子3 2 6於光學組件】6下方、使晶圓桌台3 〇 4回到原位。 塾子3 2 6係從而使浸沒流體3 2保持在光學組件工6 下方的間隙内。在新的晶圓係已使用對準工具3 2 〇而被 對準之後’晶圓桌台3 0 4係、被重新定位在光學組件工6 下方。在同時’控制系統33〇係指示馬達32δ以使整 子3 2 6從間隙處縮回，而防止浸沒流體3丄2的流出。 在晶圓交換操作中，控制系統330係'移動晶圓桌台3〇 =子326而於晶圓桌台3〇4及塾子326間有— 小間隙’而在同時在光學組件] . 切去入 1 b下的浸沒流體3 1 2係 移動介於晶圓桌台3 〇 4與塾子 , 十3 2 6之間。浸沒流體保 将糸，，，先3 2 4係從而在晶圓交換# 換期間將浸沒流體3 1 2維 18 1342036 平」’隙中…一實施例之中’晶圓桌台3〇4 (晶圓 :3〇6)以及塾子326係可獨立移動者。因此，晶 =台304係可自由地移動，而在同時浸沒流體312 :被保持在介於塾子326與光學组件16間的空間中。 在本發明的不同實施例之中，控制系統3 3〇係可以為— 個獨立的控制系統，或者其係可以被整合至被使用以控制 用於定位晶圓平台306及晶圓桌台304之馬達322 的控制系統中。晶圓桌台3 〇 4以及塾子3 2 6之至少一 個的垂直位置以及/或者傾斜係可以被加以調整，如此晶 圓桌台表面在晶圓桌台被移離光學組件玉6下方前係能夠 與塾子表面呈共平面。晶圓桌台3 0 4遠離光學組件" 的操作並不需要被限制於晶圓交換操作。舉例而言，一個 對準操作、一量測操作、或是其他操作係可以被施行，而 在同時維持浸沒流體3 ! 2於介於塾子3 2 6與光學組件 1 6間的空間中。 參照第四A圖以及第四B圖，一浸沒微影機的兩個載 面圖係被顯示出來。微影機4 〇 〇係包含一個光學組件丄 6以及一個平台組件4 0 2，該平台組件4 〇 包含一 個晶圓桌台4 0 4以及一個晶圓平台4 〇 6 。晶圓桌二4 0 4係被構型卩支承-個晶圓4 〇 8 (或是任何其他:型 的工件）於光學組件1 6之下。一個環繞著光學組件工6 的環境系統2 6係被使用以供應浸沒流體4 i 2至介於日 圓4 0 8與光學組件i 6之最下方光學部件間之間隙並使 浸沒流體4 i 2從該處移去…個包含—晶圓裝填器4 1 19 1342036 8及一對準工具4 2 〇的工 將晶圓桌台4 0 4上的晶圓 圓。此係使用晶圓裝栽器4 桌台4 0 4：處所完成。隨後 顯示出來）係被置放在晶圓 4 2 0以進行對準、並接著 同在第四Α圖中所說明者。 浸沒微影機4 0 〇 件父換系統4 1 6係被構变以 4 0 8移去並替換以一第二晶 1 8以使晶圓4 〇 8移離晶圓 ’第二晶圓（在圖示中並未被 夾盤4 1 8上、使用對準工具 被定位在光學組件1 6下，如
亦包含-浸沒流體容納系統4 2 4，其係被構型以於 晶圓桌台4 Q 4為遠離光學組件下方之時維持浸沒流體4 12在光學組件16下的空間中。浸沒流體容納系統42 4係包含一個墊子4 2 6、一個被提供在光學組件i 6上 的第-失甜4 2 8 '以及-個被提供在晶圓桌台4 〇 4上 的第二夾鉗4 3 0。當浸沒流體4 1 2係為介於光學組件 1 6與晶圓桌台4 〇 4 (或晶圓4 0 8 )間之時，墊子4
2 6係藉由第二夾鉗4 3 〇而被保持在晶圓桌台4 〇 ^上 的適切位置中。當晶圓桌台4 〇 4係遠離光學組件1 6之 時’例如是在-晶圓交換操作期Pb1 ’墊子4 2 6係從晶圓 桌台4 〇 4處脫離’並且藉由第—㈣4 2 8所保持住， 用以維持浸沒流體4 1 2於光學組件χ 6與墊子4 2 6之 :。晶圓桌台4 0 4係具有-個平坦的上方表φ，其係與 β曰圓4 〇 8之一表面呈共平面。被保持在晶圓桌台4〇4 上的塾子4 2 6亦具有一個平坦的上方表自，其：與晶圓 桌台4 〇 4的上方表面以及晶圓表面呈共平面。因此，浸 20 1342036 沒墊子4 2 6以及晶圓4 0 8係可以被移動在光學組件下 而不會有浸沒流體洩漏。在不同的實施例之中，夾鈕4 2 8及4 3 0係可以為真空夾鉗、磁式、電靜式、或機械式 者0 如同在第四Α圖中所最佳說明者，墊子4 2 6在晶圓 4 0 8的曝光期間係被定位在晶圓桌台4 〇 4上。第二央 鉗4 3 0係被使用以於晶圓曝光期間將墊子4 2 6保持在 桌台404上的適切位置中。在如同第四B圖中所說明之 晶圓交 方向上 替晶圓 桌台4 鉗4 2 流體4 在新的 反於箭 光學組 ，而在 桌台4 由地移 在 所夾住 作、一 時浸沒
換期間，晶圓桌台4 〇 4係被移動於箭頭4 3 2 < ，如此墊子4 2 6係被定位在光學組件i 6下來^ 4 0 8。當此發生之時，將墊子4 2 6保持至晶t 0 4的第二夾鉗4 3 〇係被釋放，而在同時第一」 8係將墊子4 2 6夾至光學組件i 6。因此，浸； 1 2在晶圓被交換之時係被保持在光學組件之下
晶圓已被對準之後，晶圓桌台4 Q 4係被移動在4 —3 2的方向上，如此新的晶圓係可以被定位y 件之下。在此動作之前，第一夾鉗4 2 8係被釋2 同時第二夾鉗4 3 〇係再次將墊子4 2 6夾至曰日“ 0 4。在此一實施例之中，晶圓桌台4 4係可丨 •而墊子4 2 6係被第一夾钳4 2 8所夾住。 不同的實施例之中，墊子4 2 6被第一夾鉗4 2丨 :操作並未被限制僅於-晶圓交換操作。一對準名 :測刼作、或是任何其他操作係可以被施行而在ϋ "IL體4 1 2被維持在介於光學組件丄6與被第一; 21 1342036 鉗4 2 8所夾住之墊子4 2 6之間的空間中。同樣地，央 鉗4 2 8係可以被提供在框架丄2或是其他支承元件上， 並且失鉗4 3 0係可以被提供在晶圓平台4 〇 6上。墊子 4 2 6係可以被保持在一個非為平台組件4 〇 2的可移動 元件上。 第五Α圖以及第五β圖係為根據本發明其他實施例的 兩個不同雙平台浸沒微影系統的俯視圖。就雙平台微影系 統的基本結構與操作言，參見美國專利第6, 262, 796號以 及美國專利第6, 341，00了號。若被允許，在美國專利第 6’262,796號以及美國專利第6,341，〇〇7號所揭示者係在此 合併為本案之參考。在二實施例之中，一對晶圓平台WS1 以及WS2係被顯示出來。馬達5 〇 2係被使用以移動或定 位二平台WS1及WS2於水平方向上，而馬達5 〇 4係被使 用以移動或定位二平台WS1及WS2於垂直方向上。馬達5 0 2及5 0 4係被使用以交替地定位一個平台於光學組件 1 6下’而在同時一晶圓交換及對準係被施行於另一平台 上。當位在光學組件1 6下之晶圓的曝光係完成之時，二 平台係接著會被交換，並且上述程序係被重複施行。經由 任一構型’本發明如同上文中參照第二圖至第四圖所描述 及說明所用於維持浸沒流體於光學組件1 6下之間隙中的 不同實施例係可以與任一雙平台配置一起使用。舉例而言 ’關於第二圖的實施例，第五A圖或第五B圖之每一晶圓 平台SW1及SW2係可以被修改以包含一個墊子2 2 2及一 個支承元件2 2 4。關於第三圖之實施例，一個單一墊子 22 ^342036 3 2 6 4達3 2 8、以及控制系統3 3 0係可以被使用 為鄰近於光學組β 件1 6。墊子3 2 6係可從平台sw SW2處獨立地移動。在 1及 在+台s们及別2被交換之期間，塾 子3 2 6係被移動至朵與 9 7 件1 6之下，用以將浸沒流體 ^ 、‘、力學組件1 6之下。最後，經由第四圖之實 Π〗、：可分離的單一墊子係可以被使用。在平台SW1 ’ β1 ’塾4 2 6係被使用以將浸沒流體 .准持在間隙中’如同在第四Β圖中所說明者。在另—方面 ’在曝光期間’塾子係’被央至將被施行曝光 的晶圓桌台之上。 予卞口上 b方式’僅有-個單一墊子係為吾人 所^要用於兩個平台WS1及脱。或者，如同將於下文中 所祂述者’第二平台亦可以被使用作為墊子。 平二二=“圖，一個說明施行本發明之一實施例的雙 ，σ , ’V ，的俯視圖係被顯示出來。在此一實施例之中， ^沒式微影機6 〇 〇係包含第一平台6 〇 4以及第二平台 。 兩個平台係藉由馬達6 0 2而被移動在X及γ方 :上。在此-實施例之中’平台6〇4及6〇6本身俜被 用以將浸沒流體控制在間隙中。舉例而言，如同在圖示 :所：示者，第一平台6〇4係被定位在光學組件“之 下。當工件將被進行交換的時機到來之時， 被使用以將m古也 ,咕 咬〇 U d係 平二 將帶有一第二工件的第二平台定位成鄰近於第一 W 〇 4 經由被定位為並置的兩個平台，其係大致上 :七成-個連續的表面。馬達6 ◦ 2係接著被使用以一致 土移動二平台’如此第二平台6 〇 4係被定位在光學組件 23 1342036 1 6之下，並且第一平台係不再位於光學組件1 6之下。 從而，當第一工件係被移離光學組件1 6之時，在間隙中 的浸沒流體係藉由第二平台6 〇 6而被維持，而第二平台 係與第一平台形成大致上的連續表面。在不同的實施例之 中，第二平台606亦可以為一個「墊子（pad)」平台， 其係包含有一個被使用以在一個第二工件被置放在第一平 台6 0 4之上之時、維持浸沒流體於間隙中的墊子。類似
地，在第五A圖或第五b圖中所顯示的馬達配置係可以被 使用。 麥照第六B圓至第六e圖，說明根據本發明一實施例 之工件交換的一系列圖示係被說明。第六B圖係顯示出在 曝光已被完成後在平台6〇4上之一晶圓。第六c圖係顯 示出第二平台6〇6在光學組件16下方與第一平台6〇 4相接觸（或是緊鄰）。第六〇圖係顯示出發生有一㈣ ，亦即第二平台6 〇 6係被定位在光學組件丄6之下。聋
後在第六E圖中，第-平台6 〇 4係被移離光學組件】 6:如同在第六C圖以及第六〇圖中所最佳說明者，兩相 平台6 〇 4及6 0 6係在—轉換期間提供了一個在光學紅 件1 6下方的連續表面，從而維持浸沒流體於間隙中。在 所顯示的實施例之中’第二平台6 0 6係為一個墊子平台 二然而，此一平台亦可以為-工件平台，如同在上文中已 然提及者。 =上述不同實施例之中，塾子係可以為由許多不同材 :所製成’例如是陶瓷 '金屬塑膠。根據其他實施例，這 24 1342036 些材料亦可以被塗敷以鐵弗龍（Tef 1 〇n )。墊子的尺寸亦 · 應足夠以覆蓋被浸沒流體所佔據的區域。在上述不同實施 例之中，光學组件1 6之最後光學元件的表面係為忮定地 ， 處在浸沒流體環境下，而防止一流體標記（例如是—「水 、 印（water mark)」）的形成。 半導體晶圓係可以使用上述系統而藉由大體上在第七 圖中所顯示的程序被加以製造。在步驟7 〇 ^之中，工件 的功能以及效能特徵係被加以設計。接下來，在步驟7 〇 2之中，一個具有一圖樣之遮罩（光罩）係根據先前設計 鲁 步驟而被設計，並且在一個平行的步驟7 〇 3中，一個B 圓係從一矽材料被製成。在步驟7 〇 4中，在步驟7 〇 2 中被設計之遮罩囷樣係藉由一個根據本發明而在上文中所 描述的微影系統而被曝光在來自步驟7 〇 3的晶圓上。在 步驟7 0 5之中，半導體工件係被組裝（包含切割程序、 打線程序、以及封裝程序），最後，工件接著係在步驟6 0 6中被加以檢查。 第七B圖係說明了上述步驟7〇4在製造半導體工件 鲁 之狀’兄中的—洋細流程示例。在第七B圖中，在步驟7 1 1 (氧化步驟）中’晶圓表面係被氧化。在步驟7 1 2 ( CVD步驟）中，一個絕緣薄膜係被形成在晶圓表面上。在 步驟7 1 3 (電極形成步驟）中，電極係藉由蒸鍍而被形 成在晶圓上。在步驟7 1 4 (離子植入步驟）中，離子係 被植入在晶圓中。上述步驟7 1 1 — 7 1 4係形成了在晶 圓處理程序期間用於晶圓的預處理步驟，並且每一步驟係 25 1342036 根據處理需求而被加以選擇。 在晶圓處理的每-階段，當上述欲處理步驟係已 成之時，以下的後處理步驟係被施行。在 ，首先，在步驟光阻形成步驟”，光:= 敷至-晶51。接下來，在步驟716 (曝光步驟）中，上 述曝光光間隙被使用以將一遮罩（光罩）的電路圖樣轉換 至一晶圓。接下來，在步驟7 1 7 (顯影步驟）中，已曝 光的晶圓係被顯影，並且在步驟7丄8 (蝕刻步驟”’ 除了殘餘光阻外的諸部分（已曝光之材料表面） 斜 刻而被移去。在步驟719 (光阻移除步驟）丨，㈣刻 後所仍然維持有之不需要的光阻係被移去。 多個電路圖樣係藉由這些欲處理及後處理 施行而被形成。 J置復 雖然在本文中所顯示及揭示的特定微 獲得：提供本文中先前提出的目的及優點，將為：：：句 解的疋，其僅為本發明目前較佳實施例之_描述 欲對本文中所顯示之建構及設計的細節為之限 隨附申請專利範圍中有所描述。 *非在 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第-圖係為具有本發明特點之微影機的說明圖. 面圖； 第二圖係為根據本發明—實施例之浸沒式微影機的剖 及第三B圓係為根據本發明另一實施例之 第三A圖以 26 1342036 浸沒式微影機的剖面圖及俯視圖； #々第:A圖以及第四B圓係為根據本發明另一實施例之 浸沒式微影機的剖面圖及俯視圖； 第五A圖以及第五B圖係為根據本發明其他實施例的 兩個不同雙晶圓平台的俯視圖； /、 第六A圖係為根據本發明另— 機的俯視圖； …之-雙平台微影 % 第六B圖至第六E圖係為說明根據 換的一系列圖示； 乃 < 日日S)交 =二圖係為一流程圖，其係概述了根據 化—工件的裎序；以及 乂製 程 第七B圖係為一流程圖’其係更詳細地描述了 在囷式中相似的元件符號係標示相似的部件。 (二）元件代表符號 10 微影機 12 框架 照明系統/照射設備 光學組件 光罩平台組件 工件平台組件 量測系統 控制系統 流體環境系統 工件製 2 2 4 8 0 2 2 4 2 6 27 1342036 2 8 光罩 3 0 半導體晶圓 3 2 裝設用基座 3 4 照明來源 3 6 照明光學組件 3 8 光罩平台 4 0 光罩平台移動組件 4 2 平台 4 4 工件平台移動組件 WS1 晶圓平台 WS2 晶圓平台 2 0 0 微影機 2 0 2 平台組件 2 0 4 晶圓桌台 2 0 6 晶圓平台 2 0 8 晶圓 2 1 2 浸沒流體 2 1 4 浸沒流體容納系統 2 1 6 工件交換系統 2 1 8 晶圓裝填器 2 2 0 對準工具 2 2 2 墊子 2 2 4 支承元件 3 0 0 微影機
28 Ϊ342036 3 0 2 平 台 組 件 3 0 4 晶 圓 桌 台 3 0 6 晶 圓 平 台 3 0 8 晶 圓 3 1 2 浸 沒 流 體 3 1 6 工 件 交 換 系 統 3 1 8 晶 圓 裝填 器 3 2 0 對準 工 具 3 2 2 馬 達 3 2 4 浸 沒 流 體 容 納系統 3 2 6 墊子 3 2 8 馬 達 3 3 0 控 制 系 統 4 0 0 微影 機 4 0 2 平 台 組件 4 0 4 晶 圓 桌 台 4 0 6 晶 圓 平 台 4 0 8 晶 圓 4 1 2 浸 沒 流 體
4 16 工件交換系統 4 18 晶圓裝填器 4 2 0 對準工具 4 2 4 浸沒流體容納系統 4 2 6 墊子 29 1342036 4 2 8 第 夾鉗 4 3 0 第 二 炎鉗 5 0 2 馬 達 5 0 4 馬 達 6 0 0 浸 沒 式微影機 6 0 2 馬 達 6 0 4 第 — 平台 6 0 6 第 _ _ 平台
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Claims (1)

  1. I ----- 餐年q 本 拾、申請專利範圍： 1、一種設備，其係包含： 個光學組件，其係被構型以將一影像投射至一工件 一個平台組件，其係包含一個被構型以支承該工件成 鄰近於該光學組件之工件桌台； 一個浸沒流體系統’其係被構型以於該工件桌台被移 離該光學組件時將一浸沒液體維持在一個鄰近於該光學組 件的間隙中，該浸沒流體系統具有一浸沒元件和一第一夾 鉗’其係被構型以將該浸沒元件保持成鄰近於該光學組件 ’用以將該浸沒液體維持在該光學組件和該浸沒元件之間 的間隙中。 2、 根據申請專利範圍第1項所述之設備，進—步包 含： 一個平台組件移動器，其被構型成移動該平台組件。 3、 根據申請專利範圍第1項所述之設備，其中，該 第一夾鉗係被機械地耦接至一個被附接至該光學組件的外 殼。 4、 根據申請專利範圍第1項所述之設備，其更包含 一個第二夾钳’該第二夾鉗係被構型成將從該第—失鋤釋 放的該浸沒元件保持在該工件桌台上。 5、 根據申請專利範圍第1項所述之設備，其更包含 一個第二失鋤’該第二失鉗係被構型成將從該第—失鉗釋 放的浸沒元件保持在該平台組件上。 31 6、根據申請專利範圍第 第一夾钳係被構型以於該工件 時夹住該浸沒元件，並且於該 組件之時釋放該浸沒元件。 7、 根據申請專利範圍第 第一夾鉗係被構型以於該工件 時夾住該浸沒元件，並且於該 組件之時釋放該浸沒元件。 8、 根據申請專利範圍第 之設備中’該第一夾鉗係 :真空式、電靜式、或機械式 9、根據申請專利範圍第 4項所述之設備，其中，讀 桌台係被移離該光學組件之 工件桌台係為鄰近於該光學 5項所述之設備，其中，該 桌台係被移離該光學組件之 工件桌台係為鄰近於該光學 1項至第7項中任一項所述 包含以下諸夾甜類型的一個 〇 1項所述之設備，其更包含 一個第二平台組 二工件的第二工… 包含一個被構型以支承-第 工件桌台；以及 一個控制系統，复 及該第-平h # 構型以控制該第一平台組件以 地定位在該光學組件之7以使得兩個平台組件係被交替 1 0、根據申請直 含-個工件交換L 圍第1項所述之設備，其更包 上的工件，並且以„，其係被構型以移去位在該卫件桌台 工件交換系統在交：：二工件來替代此工件…’當該 鉗炎住而靠近該光學::：件時’1玄浸沒元件係被該第-夾 中。 、‘'’以將該浸沒液體維持在該間隙 32 1342036 1根據中4專利範圍第丄◦項所述之設備，其中 二件交換系統係包含—個機械臂，用以移去工件並以 °玄第一工件來替代此工件。 2根據申明專利範圍第1項所述之設備，其更包 g —個對準工具，用以對準工件。 1 3、根據申請專利蘇圖货1 £ 寸J範固第1項所述之設備，其更包 έ 一個環境系統，豆传祐错荆 ，、係被構型以供應該浸沒液體進入該間 隙之中並使該浸沒流體從該間隙處移去。 1 4 '根據中請專利範圍第1項所述之設備，其十， 該平台組件係包含該工件卓Α 杲σ以及一個第二工件桌台，該 工件桌台以及該第二工件卓Α 汁呆U係被構型以交替地支承該工 件及-第二工件成個別地鄰近於該光學組件。 1 5、根據申請專利範圍 4祀固第1 4項所述之設備，其中 於°玄工件桌台或該第二工件卓a址教私 1干杲σ被移離該光學組件之時 ，該浸沒元件係被第一夾鉗攻 Λ住而罪近該光學組件，以將 該浸沒液體維持在該間隙中。 1 6、根據申請專利筋图笛1 号扪靶圍第1項所述之設備，其更包 含· …個光罩平台’其係被構型以保持住-個界定有-圖 樣的光罩；且其中 °玄光罩所界定的該圖樣經由今尖级ζ 玄由4先學組件而投射在該工 件上。 33 1 7、根據申請專利範圊篦1馆 n “ 乾圍第1項所述之設備，其中， 该έ又備係為一個微影機。 所述之設備，其中 —個半導體晶圓、 或 1 8、根據申請專利範圍第i項 該工件係為以下諸工件類型的一個： 是一個LCD顯示器面板。 乂據申請專利範圍第1項所述之設備，其中， 該浸沒 W由以下㈣的—個所製成但非限於此-材 料：塑膠、金屬'或是陶瓷。 2 根據中請專利範圍第1 9項所述之設備，其中 ，該浸沒元件係被塗敷以鐵氟龍。 2 1、根據巾請專利範圍第1 7項所述之設備，其I 包S個l 3 — ArF準分子雷射的照明來源，並且其中， 該浸沒液體係包含水，並且該卫件係、經由該浸沒液體而杏 曝光。 、根據申請專利範圍第1項所述之設備，其中， 該浸沒元件係包含一個塾子。
    2 3根據申請專利範圍第1項所述之設備，其中， ::沒流體系統係包含一個移動系統，其係被構型成將該 /又/又7L件移動至鄰近於該光學組件或是遠離該光學組件。 2 4、根據申請專利範圍第2 3項所述之設備，其中 ，該移動系統係包含該平台組件的一部份。 2 5、根據申請專利範圍第工項所述之設備，其中， 該浸沒it件係可附接至該平台組件，並且可從該平台組件 處脫離。 、根據申請專利範圍第i項所述之設備，其中， 該工件桌台係可從該浸沒元件處獨立地移冑，而在同時該 34 1342036 浸沒液體係被維持在介於該光學組件與該浸沒元件間的間 隙中。 2 7、根據f請專利範圍第2 5項所述之設備，其中 ’該工件交換操作係被施行，而在同時該浸沒液體係被維 持在介於該光學組件與該浸沒元件間的間隙中。 2 8、根據申請專利範圍第}項所述之設備，其中， 該浸沒兀件係具有一個使該浸沒液體流去的表面。
    二2 9 ^根據中請專利範圍第2 8項所述之設備，其中 ，3亥次’又元件之該表面係被塗敷以鐵氟龍。 3 〇 '根據申請專利範圍第2 8項所述之設備，其中 ’該浸沒…牛係為由以下諸材料的一個所製成：塑 屬、或陶瓷。 m 置製種使用中婧專利範圍第17項之設備的微裝 述：利=4項至第7項…項所 卜.I"、 《第二夾鉗包含以下諸夾钳類型的其中
    .真二式、電靜式、或機械式。 艮據申請專利範圍第32項所述之設備 ㈣一央甜包含以下諸夾钳類型中 電靜式、或機械式。 〒之.真二式、 3 4 '根據巾請專利範圍第〗 包含一非平台紐科t 之叹備，進一步 σ、·且件的可移動元件，其中 放的浸沒元件係+ 從忒第一夾鉗釋 中係固定於非平台組件的可移動元件上。 根據申請專利範圍第”項所速之設備，其中 35 1342036 在該工件的曝光期間，該淨沒开# 7么，丄丄 J a，又，又70件係被夹鉗在該工件桌台 上。 36、一種微影設備，其包含： -個光學組件’其係被構型以將一影像投射至一工件 上； 一個平台組件，其包含一 件桌台；以及 個被構型以支承該工件的工 建構成可釋放地夾住一 夾鉗，以及一建構成可
    一個浸沒流體系統，其包含一 浸沒元件而靠近該光學組件的第一 釋放地失住該浸沒元件的第二夾甜 37、根據申請專利範圍第36項所述之設備n ，該第-失钳係、建構成夾住從第二夾㈣放的浸沒元件 且該第二夾钳係建構成夾住從該第-夾鉗釋放的浸沒元々
    …3 8、根據申請專利範圍第3 了項所述之設備， ’當T工件桌台移動遠離該光學組件時，㈣一夾鉗 該浸沒凡件’以將浸沒液體維持在靠近該光學組件。 ?、根據申請專利範圍第37項所述之設備， ’在工件交換操作時，該第—夹㈣建構成夹 汉沒兀，以將浸沒液體維持在靠近該光學組件。 4 〇、根據申請專利範圍第3 7項所述之設備， 該第=㈣建構成將該浸沒元件失鉗於該平台組件」 4」、根據申請專利範圍第4〇項所述之設備， ’該次沒7"件係被該第二夾鉗炎於該卫件桌台上。 36 I342UJO 4 2、根據申請專利範圍第3 7 1隻+ d ^項所述之設備，其中 ，疏第一夾鉗和第二夾鉗分別包含_ 具空夾俯。 4 3、根據申請專利範圍第3 w & 巧所边之設備，其Φ ，攸该第一夾鉗釋放的浸沒元件 、 认 干係破忒第二夾鉗夾在一非 平台組件的可移動元件上。 非 /4、根據申請專利範圍第“項所述之設備，1中 ，“工件桌台移動遠離該光學組件時，㈣一夾甜失住 該浸沒疋件，以將浸沒液體維持在靠近該光學組件。
    45、根據申請專利範圍第36項所述之設備，其中 2執行-工件交換操作時，該[夹钳係建構成失住該 ❼又7L件’以將浸沒液體維持在靠近該光學組件。 4 6、根據申請專利範圍第3 6項所述之設備，其中 該第二夾甜係建構成將該浸沒元件㈣於該平台組件上。 4 7、根據申請專利範圍第4 6項所述之設備，其中 ，該浸沒元件係被該第二夾鉗失於該工件桌台上。 其
    4 8、根據申請專利範圍第3 6項所述之設備 ’該第-夾鉗和第二夾鉗分別包含一真空夾鉗。 49:根據中請專利範圍第36項所述之設備 ’該浸沒元件具有-表面’其散發該浸沒液體。 5 〇根據申請專利範圍第3 6項所述之設備 ，該浸沒兀件的表面係以鐵氟龍塗佈。 5 1根據申請專利範ϋ第3 6項所述之設備，； ’該浸沒元件係由以下材料其之中一製成：塑膠、金』 或是陶瓷。 37 1342036 5 2、根據申請專利範圍第3 6項所述之設備，其中 ，該工件係為以下諸工件類型的其中之-：一半導體晶圓 、或是一 LCD顯示器面板。 5 3、一種微裝置製造方法，包含： 經由申請專利範圍第3 6項中的微影設備的光學組件 將一工件曝光；以及 將已曝光的工件顯影。 5 4、一種將—浸沒流體維持在靠近一微影設備中的 光學組件的間隙中的方法，其包含 ~r 、’台組件，使得一浸沒元件係位於該光學組件 下方； 將次沒疋件從該平台組件釋放；以及 土 乐—爽鉗而將從該平台組件釋放的浸沒元件固 疋罪近e玄光學組件，以將該浸沒液體維持在該光學組件以 及該浸沒元件之間#間隙中。 5 5、根據申請專利範圍第5 4項所述之方法，進— 步包含將該平Α έ # 十σ，，且件移動返離該光學組件，同時該 體係維持在今玄央風4仙 哀先學組件以及被第一夾鉗夾住的浸沒元件夕 間的間隙中。 5 6、根據申請專利範圍第5 4項所述之方法，复由 該第一失鉗包含—真空夾鉗。 " ζΤ τη ^ 、根據申請專利範圍第5 4項所述之方法，其中 ^ ^失鉗包含以下諸夾鉗類型的其中之一：電靜式或機 38 1342036 5 8 、根據 申請專 步包 含交 換在平 台組件 在該 光學 組件以 及被第 中。 5 9 、根據 申請專 ，該 浸沒 元件的 表面係 6 0 、根據 申請專 ，該 浸沒 元件係 由以下 或是 陶瓷 〇 6 1 、根據 申請專 步包 含， 經由該 光學組 組件 上的 工件曝 光，同 固定 於該 平台組 件上。 6 2 、根據 申請專 ，該 平台 組件包 含一工 該第 二夾 钳而固 定在該 6 3 、根據 申請專 ，該 第二 夾鉗包含一真 6 4 、根據 申請專 ，該 第二 失鉗包含以下 機械 式。 6 5 、根據 申請專 ，該 第一 夾鈕包 含以下 電靜式或機娀式。 利範圍第5 4項所述 上的工件，同時該浸 一失鉗夾住的浸沒元 利範圍第5 4項所述 以鐵氟龍塗佈。 利範圍第5 4項所述 材料其之中一製成： 利範圍第5 4項所述 件以及該浸沒液體而 時該浸沒元件係藉由 利範圍第6 1項所述 件桌台’且其中該浸 工件上。 利範圍第6 1項所述 空夾鉗。 利範圍第6 1項所述 諸夾鉗類型的其中之 利範圍第6 3項所述 諸夾甜類型的其中之 之方法，進一 沒液體係維持 件之間的間隙 之方法，其中 之方法，其中 塑膠、金屬、 之方法，進— 將固定在平台 一第二夾鉗而 之方法’其中 沒元件係藉由 之方法，其中 之方法，其中 —:電靜式或 之方法，其中 一：真空式、 39 1342036 6 6、根據申請專利範圍第6 1項所述之方法，其中 ，該工件係為以下諸工件類型的其中之一：一半導體晶圓 、或是一 LCD顯示器面板。 67、一種裝置製造方法，包含： 利用申請專利範圍第6 1項的方法將一工件曝光，並 且將該曝光的光件顯影。
    拾壹、圖式： 如次頁
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