TWI266964B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1266964 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及元件製造方法 【先前技術】

微影裝置係-將-所需圖案應用到―基板之—目標部分 上的機器。微影裝置可用於，例如，積體電路（ic)的製 造。在此情形中，圖案化構件，例如光罩，可用來產生對 應於積體電路中-個別層之-電路圖案，而且可將此圖案 成像到一基板（如一矽晶圓）上之—目標部分（如包含一或多 個晶粒之部分）上，該基板具有一層輻射敏感材料（光阻卜 一般而言，單一基板將包含經連續曝光的相鄰目標部分之 一網路。已知的微影裝置包括所謂㈣進器，其中係藉由 將一完整的圖案一次曝光到該目標部分上來照射每一目標 部分；以及所謂的掃描器，其中係藉由在一給定方向 (「掃描」方向）上經由該投影光束來掃描該圖案而同時以 與牝方向平行或反平行的方式同步掃描該基板來照射每一 目標部分。 已經有人&出將該微影投影裝置中的基板浸泡在一折射 率相對較高的液體（例如水）中，以便填充介於該投影系統 之最終元件與該基板之間的空間。由於曝光輻射於該液體 中將具有較短的波長，故此觀點可實現較小特徵之成像。 (液體的該效應亦可視為提高該系統的有效NA，並亦提高 聚焦深度） 而’將該基板或基板與基板台沈入一液體池中（例 101548.doc 1266964 如，參見US 4,509,852，該案全部内容係以引用的方式併 入本文）意謂著必須於掃描曝光期間加速大量的液體。如 此便需要額外或功率更強的馬達，而該液體中的擾動可能 會造成不需要且無法預期的效應。 針對液體供應系統而提出的多個解決方式之一係利用一 液體侷限系統僅於該基板的局部化區域上及該投影系統之 最終70件與該基板（該基板的表面積通常大於該投影系統 之最終元件）之間提供液體。於WO 99/49504中便揭示一種 此配置之方式，本文以引用的方式將其全部併入。如圖6 及7所示，液體係藉由至少一個入口 IN供應至基板上，較 佳的係沿該基板相對於該最終元件之移動方向，並在穿過 投影系統之下後再藉由至少一個出口 OUT而移除。亦即， 冨於X方向在該元件的下方掃描該基板時，液體便會在該 元件的+X側處供應，並且於—X側處流逝。圖6示意性顯示 該配置，其中液體係經由入口 IN供應，並且藉由出口 out(其係連接至一低壓力源）在該元件的另一側上流逝。 在圖6之說明中，係沿著該基板相對於該最終元件之移動 方向來供應該液體，不過實際情況亦非必需如此。定位於 該最終元件周圍的入口及出口可有各種方向及數量，圖7 顯示一範例，其中在該最終元件周圍以規則圖案提供任一 側上的四組一入口及一出口。 有人提出的另一解決方式係，為該液體供應系統提供一 密封部件，該密封部件沿著該投影系統之最終元件與該基 板口之間空間的至少一部分邊界延伸。雖然該密封部件在 101548.doc 1266964 、，向（光轴之方向）上可能有一定的相對移動，但在該xy 平面中其實貝上係相對於投影系統而固定。在該密封部件 與該基板表面之間形成一密封體。該密封體較佳的係一無 接觸密封體（例如-氣體密封體），fG3252955 4號歐洲專 利申請案中揭示此-系統’該案之全部内容係以引用的方 式併入於此。 ，明顯’該浸泡微影投影裝置中存在的液體會引起在傳 統微影裝置中不存在的困難。例如，用以測量一支樓該基 籲板的基板台位置之感測器（例如，干涉計if)可能受到因浸 泡液體而存在的濕氣之影響。此外，上面說明的針對該液 體，應系統之所有解決方式在包含全部浸泡液體方面並非 • 句兀美無缺，而可能出現一定的液體滲出或溢出。 【發明内容】 本發明之-目的係減少與一微影投影裝置中浸泡液體之 存在相關的問題。 依據本發明之一方面，提供-種微影裝置，其包括： -一照明系統，其用以提供一輻射投影光束； 支樓結構，其用以支撐圖案化構件，該圖案化構件係 用於賦予該投影光束一圖案化剖面； -一基板台，其用以固持一基板； 才又〜系統其係用以將該圖案化的光束投射至該基板 < 一目標部分上； ’夜體供應系、统，其用於以一浸泡液體來至少部分填充 介於該投影系統與定位於該基板台上的一物件之間的一 101548.doc 1266964 空間； 其特徵在於進一步包含用於從該物件、該基板台或從該 物件與該基板台二者主動移除液體之一主動乾燥站。 以此方式，主動移除浸泡液體（其較佳的係並不對該基 板進行實質上的加熱而得以完成）確保浸泡液體與該基板 上的光阻（若該基板係該物件）接觸之時間盡可能短。此點 之所以重要係因為該浸泡液體能與該光阻反應而使得該基 板上影像之品質可能依據該光阻與浸泡液體接觸之時間量 • 而變化。此外，若該主動乾燥站從感測器移除液體，則會 增強該等感測器之性能。從物件及該基板台移除液體會減 小浸泡液體蒸汽對裝置中的大氣造成之污染。此舉令該裝 _ 置中可能存在的任何光學感測器之性能增強。該主動移除 係發生於從該投影系統下移動及/或從該液體供應系統移 除該物件及/或基板台後，即在將浸泡液體供應給該物件 及/或停止基板台後。 較佳的係，該基板台將該物件傳輸至該主動乾燥站，並 ^ 在從該物件主動移除浸泡液體期間藉由該主動乾燥站來支 撐該物件。此舉確保在從該投影系統下（或從該液體供應 系統）移除後便盡可能快地發生浸泡液體之主動移除，從 而縮短浸泡液體曝露於該裝置的大氣及其曝露於該基板上 的光阻之時間量；不必在乾燥該基板前從該基板台移除該 基板。 主動乾燥站可能係定位於該投影系統與一基板後曝光處 理模組之間，以便能在該曝光位置與該後曝光處理模組之 101548.doc 1266964 . 間發生浸泡液體之移除，或者在黏著基板台的感測器情況 下能恰好在使用該等感測器進行測量之前發生浸泡液體之 移除。此係該主動乾燥站處於該投影裝置内及/或係該投 影裝置而非該後曝光處理模組的部分時之情形。 •較佳的係，該乾燥站包含用以在該物件之一表面或該基 板台上產生一氣流之氣流構件。較佳的係，該氣流構件每 为鐘旎產生至少50公升的氣流。此點確保該微影裝置内的 濕度保持較低並能有助於讓該裝置在（例如）溫度波動情況 鲁下保持穩定。該主動乾燥站可包含用以將氣體提供到該基 板之一表面上的至少一氣體入口及/或用以從該物件表面 移除氣體及/或液體之至少一氣體出口。在一氣體入口之 . 情況下，至少一氣體入口可能包含一氣刀或一具有至少十 個入口之氣體淋浴帛。已發現該些解決方案在從該物件表 面或該基板台移除浸泡液體時皆特別有效。 該主動乾燥站可能包含用以旋轉該物件之一旋轉器。該 旋轉器利用離心力從該等物件移除浸泡液體。此解決方式 擊尤其適合於該物件係該基板之情況，在此情況下讓該基板 圍繞其中心而在其主要平面内旋轉。 另解决方式可自行獨立使用或附加於上面論述的任一 其他措=而使用，其包含用以向該物件之一表面提供一液 ^之π /包液體溶解液供應構件，該浸泡液體係溶解於其 提供=該液體中。以此方式可將該浸泡液體溶解於該浸泡 液體/合解液中。該浸泡液體溶解液本身係選擇成便於從該 土板移除可（例如）藉由選擇具有該物件表面（其促進乾 101548.doc 1266964 燥）的潤濕特性之一液體來實現此選擇。 a t，可將該浸 泡液體溶解液選擇成比該浸泡液體之揮發性更強，以便其 能容易地從該物件表面蒸發掉。該浸泡液體溶解液較佳= 係一酮或一醇。 依據本發明之另一方面，提供一種元件製造方法，該方 法包含： / -提供受一基板台支撐之一基板； _藉使用一照明系統來提供一輻射投影光束； •使用圖案化構件來賦予該投影光束一圖案化剖面，· -在一投影系統與該基板台上之一物件之間提供一浸泡液 體； -藉使用该投影系統，將圖案化的輻射光束投射到該物件 之一目標部分上； 其特徵在於從該物件、該基板台或從該物件與該基板台 二者主動移除液體。 儘官在本文中可能特別提到將微影裝置用於積體電路之 製造，但應瞭解本文所說明的微影裝置可能還有其他應 用，例如，製造整合的光學系統、磁域記憶體之導引及偵 測圖案、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術 者將明白，在此類替代性應用之背景下，本文中使用的術 語、「晶圓」或「晶粒」皆可分別視為與更一般的術語 「基板」或「目標部分」同義。本文所提到的基板可在曝 光之前或之後，在（例如）執跡工具（通常可將光阻層應用於 基板並顯影已曝光光阻的工具）或度量或檢驗工具中進行 101548.doc -11 1266964 處理。在可應用的情況下，本文之揭示内容可適用於此類 及其他基板處理卫具。此外，例如為了產生多層積體電 路，可對該基板進行多次處理，因而本文所用術語「基 板j亦可表示已經包含多個已處理層的基板。 本文所用術射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁 輻射，包含紫外線（uv)輻射（例如波長為365、248、193、 157或126 nm)以及通紫外線（EUV)輻射（例如波長在^至 nm之範圍内），以及粒子束，例如離子束或電子束。 # 本文所用術語「圖案化構件」應廣泛地解釋為表示可用 2賦予—投影光束—圖案化剖面以便在該基板之一目標部 分中產生-圖案之構件。應注意，賦予投影光束的圖案不 定確切地對應㈣基板之目標部分中的所需圖案。一般 而言’賦予該投影光束的圖案將對應於建立在目標部分中 之一元件内的一特定功能層，例如積體電路。 圖案化構件可為透射式或反射式。圖案化構件的範例包 :=可程式化鏡陣列及可程式化lcd面板。光罩在微 二:為人所熟知’並且包含（例如）二進制、交替式相移 及哀減式相移等光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程 =反射鏡陣列之一範例採用較小反射鏡之矩陣配置，复 母—小反射鏡可個別地傾斜以便在不同的方向反射一2 光束，·採用此方式’可以圖案化所反射的光束。在 構件的每一範例中，支撐結構可為一框架或一台， 例如’其可能按需要而係固定式或移 ： 圖案化構件係處於一所需位置Μ“ , Τ確保该 所布位置（例如’相對於投影系統）。 101548.doc -12- 1266964 本文所使用的術語「主光罩」或Γ光罩」皆可視為與更一 般的術語「圖案化構件」同義。 本文所用術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋各種類 型的投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統與反折 射光學系統，視所使用的曝光輻射而定，或視其他因素而 定，例如浸泡流體的使用或真空的使用。本文所使用的術 語「透鏡」可視為與更一般的術語「投影系統」同義。 該照明系統亦可涵蓋各種類型的光學組件，包括折射、 • 反射與反折射光學組件，用以引導、成型或控制該輻射投 影光束’並且此類組件在下文亦可統稱或單獨稱為「透 鏡」0 微影裝置可能係具有兩個（雙級）或更多基板台（及/或兩 個或更多光罩台）之一類型。在此類「多級」機器中，可 平打使用額外的工作台，或在一或更多工作台上實施預備 步驟，而將一或多個其他工作台用於曝光。 【實施方式】 圖1不意性說明依據本發明之一項特定具體實施例之一 微影裝置。該裝置包含·· -一照明系統（照明器）IL，其用以提供一輻射投 PB(例如，紫外線輻射）； 、束 第一支撐結構（例如，一光罩台）MT，其用以支撐圖 案化構件（例如’―光罩）MA並連接至第—定位構件相Z 項目PL精確定位該圖案化構件； -一基板台（例如，一晶圓台）WT，其用以固持一基板 101548.doc -13- 1266964 一塗佈有光阻的晶圓）w，並係連接至第二定位構 (例如， 件相對於項目PL精確定位該基板；以及 -一投影系統（例如，一折射投影透鏡）PL，其係用以對 藉由圖案化構件ΜA而賦予該投影光束PB之一圖案成像到 〇基板W之一目標部分c(例如包括一或多個晶粒）上。 如此處所說明，該裝置係透射型（例如，採用一透射光 罩）。替代性的，該裝置可能係反射型（例如，採用上面所 提到類型之一可程式化鏡陣列）。

照明器IL自一輻射源S0接收一輻射光束。該輕射源及該 微影裝置可能係分離的實體，例如，當該輻射源為同核複 合分子雷射時。在此類情況下，不認為該輻射源形成該微 影裝置的部分，並會借助於包含（例如）合適的導引鏡及/或 一光束擴展器之_光束輸送系統BD，將該輻射光束從輕 射源傳遞到照明器IL。在其他情形中，該輕射來源可為 該裝置之整合部分，例如#該輻射來源為—水銀燈時。該 輻射與該照MIL’連同需要時採用的光束輸送系統 BD，可稱為一輻射系統。 照明眺可包含用以調整該光束強度之角分佈的調整構 件AM。-般而言，至少可調整該照”之—錢 強度分佈的外及/或内徑向範圍(_般分別稱為。_内“ _ 外)。。此外’該照明器1L-般包含各種其他組件，例：一 整合益IN及-聚以⑶。該照明器提供_有條件 光束(稱為投影光束PB)，該輻射光束在其斷面中具有需要 的分佈均勻度及強度。 101548.doc -14- 1266964 該投影光束PB係入射於該光罩ΜΑ上，該光罩μα係固持 於該光罩台ΜΤ上。該投影光束ΡΒ在橫越該光罩ΜΑ後，穿 過該透鏡PL ’該透鏡PL將該光束聚焦到基板w之一目標部 分c上。借助於該第二定位構件及位置感測器iF(例如，一 干涉元件），可精確地移動該基板台WT，（例如）以便將不 同的目標部分C定位於光束PB之路徑中。同樣，可使用第 一定位構件PM及另一位置感測器（圖1中未明確說明）來相 對於該光束PB之路徑精確地定位該光罩Ma ,例如，可在 • 以機械方式從一光罩庫中擷取該光罩之後或在掃描期間進 行。一般而a，可借助於一長衝程模組（粗略定位）與一短 衝程模組（精確定位）來實現該等物件台MT與WT之移動， 該等模組形成該等定位構件之部分。然而，在步進器（與 掃描器相反）之情況下，該光罩台Μτ可能係僅連接至一短 衝程驅動器或可能係固定。可使用光罩對準標記M1、M2 及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA與基板w。 所述裝置可用於以下較佳模式中： 籲L在步進模式中，光罩台魔及基板台WT實質上係保持 固定，同時賦予投影光束之一整個圖案係一次投射至一目 枯邛刀C上（即，單一靜態曝光）。然後，令該基板台wT在 X及/或Y方向上偏移，以便能曝光一不同的目標部分C。 在步進模式中，曝光場之最大尺寸會限制單一靜態曝光中 成像的目標部分c之尺寸。 2·在掃描模式中，同步掃描該光罩台MT與該基板台 WT ’同時將賦予該投影光束之—圖案投射至—目標部分c 101548.doc -15- 1266964 上（即單一動態曝光）。該基板台1丁相對於該光罩台ΜΤ2 速度及方向係由投影系統p L的縮放率及影像反轉特徵來決 疋在掃描才莫< 中，肖冑光場之最大尺寸會限制單一動態 曝光中目標部分之寬度（在非掃描方向上），而掃描動作之 長度決定該目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另一杈式中，讓該光罩台MT基本上保持固定而固 持-可程式化的圖案化構件，並且在將賦予該投影光束之 圖木杈射至目裇部分匚上時移動或掃描該基板台WT。 在此模式中，一般採用一脈衝輻射源，並在該基板台wt 每次移動後或在掃描期間連續的輕射脈衝之間中按需要更 新該可程式化的圖案化構件。此㈣模式可容易地應用於 採用可程式化的圖案化構件（例如，上面所提到類型之一 可程式化鏡陣列）之無光罩微影術中。 還可採用上面說明的使用模式之組合及/或變更或完全 不同的使用模式。 «亥衣置八有至> 一主動乾燥站ADS。較佳的係將該主動 乾燥站ADS疋位成盡可能靠近該投影系統pL以及該液體供 應系統LSS(其係定位於該投影系統扎下卜藉由主動乾 燥’意謂著採取積極的措施從一物件移除液體，而並非僅 對該物件實行期間液體可能會蒸發或自然流盡之一般操作 且不對該物件採取任何以乾燥該物件為特定目的之措施。 該液體供應系統LSS可能係任何類型，包括向該基板局部 化區域以及整個基板所浸入的池等提供液體之一局部化區 域液體供應系統。 101548.doc -16 - 1266964 當首次從該投影系統PL下將該基板W移動離開該液體供 應系統LSS時（例如，在將該基板以一池形式從一液體供應 系統擡出時或在從該池排水時），將該基板放到該主動乾 燥站ADS。在該主動乾燥站ADS，藉由下面說明的各項措 施之一或其一組合來主動移除保留於該基板W上的ADS浸 泡液體。該主動乾燥站ADS不會影響或移除該光阻（該基 板上的輻射敏感塗層）。

儘管將對該主動乾燥站ADS之說明與從該基板移除液體 相關，但該主動乾燥站還可用於從感測器移除浸泡液體 (其可能係定位於該基板台WT上且其性能將因液體之移除 而增強）以及從該基板台本身移除浸泡液體。其亦可用於 從其他物件移除液體。在感測器之情況下，可在測量前， 即在該基板W曝光前，有利地移除該液體。 在已將浸泡液體供應給該基板界後，幾乎不可以在處理 之丽從該基板表面移除其餘所有浸泡液體。不幸的係，浸 $液體能溶解進該基板上的光阻，正如該光阻能溶解進= 浸泡液體。因& ’借助於均句顯影該基板，需要儘快 其餘浸泡液體。此舉係在該主動乾燥站ADS進行。該主動 ，燥站ADS較佳的係定位成使得可在該基板曝錢之一預 定時間内乾燥該基板。該預定時間較佳的係少於5秒，更 佳的係少於2秒，而最佳的係少於冰。此外，不利的係， 的濕度之高致使需儘快移除保留於該基板台及感 器專上面的浸泡液體t 士士^ US方才有利。所有該些功能皆可 預先定位於該微影投影裝置中及/或作為其部分之主^乾 101548.doc -17- 1266964 燥站ADS來實行。從該等感測器移除其餘液體意謂著液體 不能干擾對隨後基板之正確的水平測量，而原先此點係一 問題。 儘官圖1並未說明，但該主動乾燥站ADS可能具有一障 板或其他適當構件以在乾燥該目標時完全封閉該目標。例 如，可能藉由該主動乾燥站ADS中之一簾幕或障板來封閉 該基板台WT之整個頂部表面，以實質上防止浸泡液體在 該裝置周圍擴展。可能使用一托盤來接住任何液滴。 儘官圖1中將該主動乾燥站ADS說明為微影裝置之部 分，但實際情況未必如此，而且該主動乾燥站ADS可能係 定位於介於該基板W曝光於該投影光束PB的位置與實行各 種處理步驟（例如，該光阻之烘烤及顯影以及蝕刻與沈積） 之一基板後曝光處理模組之間的任一處。因此，該主動乾 燥站可能在該微影投影裝置之外部。 該主動乾無站ADS能利用任何構件從該基板w移除液 體。較佳的係，實現該乾燥而不對該基板w進行實質上加 熱以免令該裝置因熱梯度之產生而失衡。下面說明該主動 乾燥站ADS從該基板W移除液體的方式之若干範例。適當 地’可同時或逐一接連地單獨或組合使用該些方法。 較佳的係’該主動乾燥站ADS係定位於該微影投影裝置 内’而該基板台將欲乾燥的基板（或其他物件）傳輸至該主 動乾燥站ADS，並在藉由該主動乾燥站ADS從該物件主動 移除浸泡液體期間支撐該基板/物件。可能有複數個主動 乾無站’例如，其中之一係用於該基板w，而其中之一係 101548.doc •18- 1266964 用於該基板台wt上之感測器。 最簡單形式之主動乾燥站ADS包含用以在該基板W之表 面產生一氣流之一氣流構件1 〇。該氣體流量越高，則越能 有效而快速地從該基板W移除浸泡液體。可獲得之氣體流 率較佳的係每分鐘至少50公升，更佳的係每分鐘至少1〇〇 公升。較佳的係，在將該氣體吹到該基板w之前過濾及/或 乾燥該氣體，以避免污染該基板W之表面，但條件係此舉 與該光阻相容（對於某些用於248 nm輻射之光阻，則此舉 並非實際情況）。 在圖2說明的具體實施例中，該氣流構件包含一入口 5〇 與一出口 60。氣體受壓係經由入口 5〇而提供，並藉由出口 60中之一受壓來移除。圖2說明之配置係一所謂的氣刀， 其中該入口 50係一喷嘴，其朝該基板w加速該氣體，以便 s亥氣體以一較高的流率與一較高的流速撞擊在該基板上。 較佳的係，該氣體喷柱在朝向該出口 60之一方向上與該基 板W成-銳角撞擊在該基板上。此—配置在從該基板^ 表面移除液體時尤為有效。該氣流構件1〇可能包含僅—單 入口 50或一單—出口 6〇，或者可能包含複數個入口及出 口 5〇、6〇。可令該基板W在固定的入口及出口 50、6〇下移 動’如箭頭15所示。該等入口及出口 5〇、6〇還可能係一連 續的溝槽以及分離的人口及出口埠。該等人π及出口 50、 60也許亦可移動。 該氣流構件還可以僅包含一連接至一受壓之出口 6〇。在 此情況下，將經由兮ψ 田这出口 60而吸盡該基板w頂部上的氣體 101548.doc -19· 1266964 以及浸泡流體。 圖3中說明另一項具體實施例，其中該氣流構件1〇包含 複數個入口 50而在該基板上無任何出口，然而可能需要在 其他地方提供出口以讓多餘的氣體流掉。此係所謂的淋浴 頭。較仏的係，該淋浴頭包含至少十個入口 5 〇。該淋浴頭 可能係一剖面區域，其大得足以覆蓋該基板W之整個表 面’否則在乾燥該基板w時便可能讓該基板W在該淋浴頭 10下移動。 I 該主動乾燥站之尺寸較佳的係與該基板台一樣長，以便 能一次乾燥該基板台WT上的所有物件（包括該基板與感測 器）。 再次，較佳的係在該淋浴頭60中使用經過濾的氣體。 圖5中顯示用以從該基板w移除液體之一特別有效形式 的氣刀。沿連接至一受壓之一中心通道丨10吮吸該浸泡液 體5。該通道110較佳的係一槽形式（延伸於該頁面内外）。 從該中心通道之任一側的外部通道12〇供應氣體。該些外 _ 部通道12〇亦可能係槽。因此，在該基板W之表面上有一 氣’其有助於將氣體及浸泡液體5抽吸掉而進入中心通 道110。該等外部通道可於其出口處定向為與該基板表面 成一角度而遠離垂線且朝向該中心通道110之入口。其中 形成該等通道110、120的出口及入口之氣刀底部表面之輪 廓可能會使得因讓該入口之邊緣侧手内轉（即讓該邊緣具 有一半徑）至該中心通道110以及視需要側手内轉至該外部 通道120而令從外部通道120至該中心通道11〇之氣流順 101548.doc -20- 1266964 暢。 較佳的係，該主動乾燥站ADS之定位以及該基板台WT 的路徑之選擇使得在該基板台|丁於曝光之後或之前的一 般移動期間該基板台WT在該主動乾燥站下移動（即，路徑 無需作任何偏移）。因此，使得輸出之不良效果最小化。 在該主動乾燥站ADS中可能使用之另一系統係一旋轉 器，其用於讓該基板W在該基板臀之平面内圍繞其中心點 而方疋轉。當該基板w旋轉（如圖4之說明）時，離心力作用於 _ 該基板W表面上液體，而將該液體向外甩，而可在外部收 集該浸泡液體。 較佳的係，該主動乾燥站ADS包含用以恢復從所乾燥物 - 件移除的浸泡流體之一液體擷取構件。此點在該浸泡流體 非水之情況下尤為有利。 可與前述任一項具體實施例組合使用之另一項具體實施 例係用在前述具體實施例之前或之後，其係在該基板…之 表面上使用一其中溶解有該浸泡液體之乾燥液體。若其中 /奋解有忒次泡液體之乾燥液體係一比該浸泡液體更容易從 該基板表面移除之類型，則此舉將加速該乾燥程序。此 外，藉由熔解該浸泡液體，也許可藉由小心選擇使用的乾 燥液體來減少光阻之溶解或向該光阻内的擴散。由此，^ 供一浸泡液體溶解液供應構件，其能向該基板臂之表面提 供其中溶解有該浸泡液體之乾燥液體。選擇用於此任務之 乾燥液體較佳的係具有比該浸泡液體更強之揮發性，2使 得其移除（即，蒸發）比該浸泡液體更容易。替代性的係或 101548.doc -21 - 1266964 額外的係，該液體可能係選擇成使得其與該基板w成一較 高的接觸角度，從而使其比該浸泡液體更容易在該基板w 上形成珠狀並因此能加以移除。合適的液體係酮或醇，尤 其係IPA(異丙醇）。 將會明白，已結合該基板w來說明本發明，該基板w係 在定位於該基板台WT時藉由該主動乾燥站來乾燥。實際 情況未必如此，而且其他物件（例如，該基板台WT本身或 在該基板台WT上的感测器）亦可藉由該主動乾燥站來乾 燥。對在可浸入浸泡液體（偶然地或用於照明）的基板上之 一感測器進行乾燥尤為有利。該等感測器之性能會因消除 測里期間的液體及/或消除乾燥標記而提高。此外，可能 需要在藉由該主動乾燥站ADS來乾燥該基板w之前從該基 板台WT移除該基板w，該主動乾燥站ADS如上所述可能係 定位於該微影裝置之外側。的確’即使該主動乾燥站係定 位於該微影裝置中’亦可能需要設計從該基板台移除該基 板/物件以供該主動乾燥站ADS進行乾燥。 有人提出的另一浸泡微影解決方式係’為該液體供應系 統提供-密㈣件，該密封部件沿著該投料、統之最级元 件與該基板台之間空間的至少一部分邊界延伸。雖然該密 封部件在Z方向（在該光軸之方向）上可能有—定的相對移 但於該XY平面中其實質上係相對於該投影系統而固 疋。在該密封部件與該基板表面之間形成-密封體。在一 :實施方案中’該密封體係一無接觸密封體，例 岔封體。例如，莖US 1 0/7ΓΚ 7〇各l 』如弟US 10/705,783號歐洲專利申請 101548.doc -22- 1266964 此一系統，該案之全部内容係以引用的方式併入於此。 圖8顯示採用一局部化液體供應系統之另一浸泡微影解 決方式。在該投影系統Ρ之任一側上藉由二溝槽入口以來 供應液體，並藉由配置成自該等入口職向朝外的複數個 分離出口 out來移除液體。該等入口 _〇υτ可能係配置 於一板内，該板在其中心具有一孔並經由該孔來投射該投 影光束。藉由該投影系統PL之一侧上的一溝槽入口以來供 應液體’而藉由該投影系統PL之另一側上的複數個分離的 |出口OUT來移除液體，從而在該投影系統]?]1與該基板臀之 間產生一液體薄膜流。關於使用入口 IN與出口 〇υτ的哪一 組合之選擇可取決於該基板w移動之方向（入口 ΙΝ與出口 OUT之另一組合則不起作用）。 在第03257072.3號歐洲專利申請案中，揭示一成對或雙 級浸泡微影裝置之概念，該案之全部内容係以引用的方式 併入於此。此一裝置具有二個基板台來支撐該基板。水平 測里可利用一第一位置處之一基板台來實施，其不具浸泡 _液體；而曝光則可利用第二位置處之一基板台來實施，其 中存在浸泡液體。替代性的係，該裝置可能具有僅一在該 等第一與第二位置之間移動之基板。 本發明之具體實施例可適用於任何浸泡微影裝置及任何 液體供應系統（包括其相關部分），尤其係，但並非專門應 用於上面提到的任一液體供應系統以及上面說明的液體 池。 雖然上面已說明本發明之特定具體實施例，但應明白， 101548.doc -23 · 1266964 本毛月可以除上述方式以外的其他方式來實施。該說明内 容並非希望限制本發明。 · 【圖式簡單說明】 現將僅藉由範例並I去 >考隧附示意圖而說明本發明之具體 實施例，其中對摩的I土 中 應的參考符號指示對應的零件，並且其 置； 圖1說明依據本發明之_項具體實施例之一微影裝 - 圖2說明其中採用一氣 施例； 刀之主動乾燥站之一項具體實 - 圖3說明其 項具體實施例； 才木用—氣體淋浴頭之主動乾燥構件之一 項具體實施例中使 •圖4示意性說明該主動乾燥站之一 用的一旋轉器之原理； - 圖5以斷面圖說明—氧 々々η α 虱刀之一項靶例性具體實施例； -圖6以斷面圖說明依據本發明之一液體供應構件；以及 '圖7以平面圖顯示圖6之液體供應系統。 " 圖8顯示採用一局部化^ ^ 冗夜體供應系統之另一浸泡微影 解決方式。 【主要元件符號說明】 5 浸泡液體 10 氣流構件/淋浴豆貝 50 入口 60 出口 101548.doc -24

1266964 110 120 ADS AM

Do B c C

IFILINLSM1M2MAMAMTOUP1P2PBPLPMSOWWT

T 中心通道 外部通道 主_動乾燥站 調整構件 光束輸送系統 基板W之一目標部分 聚光器 干涉計 照明系統（照明器） 入口 /整合器 液體供應系統 光罩對準標記 光罩對準標記 圖案化構件 光罩 第一支撐結構/光罩台 出口 基板對準標記 基板對準標記 輻射投影光束 投影系統 第一定位構件 輻射源 基板 基板台 101548.doc -25·

Claims (1)

1266964 十'申請專利範圍： h 一種微影裝置，其包含： -一照明系統，其用以提供一輻射投影光束； -一支撐結構，其用來支撐圖案化構件，該圖案化構件 係用來賦予該投影光束一圖案化剖面； •一基板台，其用以固持一基板； •一投影系統，其用以將該圖案化的光束投射至該基板 之一目標部份上； ' 一液體供應系統，其藉由一浸泡液體來至少部分填充 介於該投影系統與定位於該基板台上的一物件之間的一 空間；

其特徵係進一步包含用以從該物件、該基板台或從該物 件與該基板台兩者主動移除液體之一主動乾燥站。 如請求項1之裝置，其中該主動乾燥站係位於該投影系 統與一基板後曝光處理模組之間。 如請求項1或2之裝置，其中該基板台將該物件傳輸至該 主動乾燥站。 人 4·如請求項_之裝置，其中該基板台在藉由該主動乾燥 站而從該物件主動移除液體期間支撐該物件。 5. 如請求項1或2之裝置，其中該主動乾燥站包含氣流構 件，其於該物件之一表面、該基板台或該物件表面與該 基板台兩者上提供一氣流。 6. 如請求項_之裝置，其中該主動乾燥站包含至少—氣 體入口，其用以於該物件之—表面、該基板台或該物件 101548.doc 1266964 表面與該基板台兩者之上提供氣體。 7·如明求項6之裝置，其中該氣體入口形成一氣刀。 8·如睛求項7之裝置，其中該氣刀進一步包含另一氣體入 口與疋位於該等氣體入口之間的一氣體出口。 9·如明求項6之裝置，其進一步包含一氣體出口以從該物 件之該表面、該基板台或從該物件表面與該基板台兩者 移除氣體，該氣體入口實質上圍繞該氣體出口之該周 邊。 1〇·如請求項6之裝置，其中該氣體入口包含具有至少十個 入口之一氣體淋浴頭。 11 ·如凊求項1或2之裝置，其中該主動乾燥站包含一浸泡液 體溶解液供應構件，其用以將其中溶解有該浸泡液體之 一液體提供至該物件之一表面、該基板台或該物件表面 與该基板台兩者。 12·如明求項丨丨之裝置，其中該浸泡液體溶解液比該浸泡液 體之揮發性更強。 13 ·如明求項12之裝置，其中該浸泡液體溶解液係一酮或— 醇。 14. 如請求項丨或2之裝置，其中該主動乾燥站包含至少一氣 體出口’其用以從該物件之該表面、該基板台或從該物 件表面與該基板台兩者移除氣體、液體或氣體與液體兩 者。 15. 如請求項丨或2之裝置，其中該主動乾燥站包含一旋轉 器，其用以旋轉該物件、該基板台或該物件與該基板台 101548.doc 1266964 兩者。 1 6 ·如请求項1或2之裝置，其中該物件包含一基板。 1 7·如請求項1或2之裝置，其中該物件包含一感測器。 18· —種元件製造方法，其包含： -提供由一基板台支撐之一基板； -使用一照明系統來提供一輻射投影光束； -使用圖案化構件來賦予該投影光束一圖案化剖面； 在技影糸統之一最終元件與該基板台上之一物件之 間提供一浸泡液體； 使用该投影系統將該圖案化的輻射光束投射到該物件 之一目標部分上， 其特徵在於從該物件、該基板台或從該物件與該基板台 兩者主動地移除液體。 19. 20. _ 21· 22. 如請求項18之方法，其包含在該物件之一表面、該基板 台或該物件表面與該基板台兩者之上提供一氣流。 如請求項19之方法，其中該氣流形成一氣刀。 如=求項20之方法，其中該氣刀包含於兩位置提供氣體 亚從介於該等兩位置之間的一位置移除該氣體。 如請求項19之方法，其進-步包含在—位置處㈣物件 之絲面、該基板台或從該物件表面與該基板台兩者移 除氣體’該位置實質上圍繞一提供該氣體的位置 邊。 23.如請求項19之方法，其包含藉 3稭便用具有至少十個入口之 一氣體淋浴頭來提供該氣體。 101548.doc 1266964 24·如睛求項18之方法，其進一步包含將其中溶解有該浸泡 液體之一溶解液提供至該物件之一表面、該基板台或該 物件表面與該基板台兩者。 25·如明求項24之方法，其中該溶解液體比該浸泡液體之揮 發性更強。 26·如：求項24之方法，其中該溶解液體包含一酮或一醇。 △赤长貝18之方法’其包含從該物件之該表面、該基板 物件表面與該基板台兩者移除氣體、液體或氣 體與液體兩者。 28.如請求項18、19、2〇 件、該基板台或該物件 任一項之太土 朴 22、23、24、25、26或27中 員之方法，其包含旋轉該物 與該基板台兩者。 29·如請求項 18、19、20、2 任一項之方法，其 '23、24、25、26或27中 3〇.如請求項18 &件包含—該基板。 貝18 、 19 、 20 、 21 、 2 "之方法’其中該物件包含—3感=5、26或27中 101548.doc