JP2002289575A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents
基板処理方法及びその装置Info
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- JP2002289575A JP2002289575A JP2001092375A JP2001092375A JP2002289575A JP 2002289575 A JP2002289575 A JP 2002289575A JP 2001092375 A JP2001092375 A JP 2001092375A JP 2001092375 A JP2001092375 A JP 2001092375A JP 2002289575 A JP2002289575 A JP 2002289575A
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- processing liquid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トレンチ等に溶剤が入り込みやすくなるよう
に親水化した上で溶剤による置換を行なうことにより、
ウォーターマークや乾燥シミのような汚染を防止でき
る。 【解決手段】 基板を処理液で処理した後、付着してい
る処理液を溶剤で置換してから乾燥を行う基板処理方法
において、基板に付着している処理液を溶剤で置換する
ステップＳ７の前に、その基板に対して親水化処理を施
す（ステップＳ４）。基板を親水性に改質でき、溶剤が
トレンチなどの奥にも容易に入り込み置換が完全に行わ
れる。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生じ
ることを防止できる。
に親水化した上で溶剤による置換を行なうことにより、
ウォーターマークや乾燥シミのような汚染を防止でき
る。 【解決手段】 基板を処理液で処理した後、付着してい
る処理液を溶剤で置換してから乾燥を行う基板処理方法
において、基板に付着している処理液を溶剤で置換する
ステップＳ７の前に、その基板に対して親水化処理を施
す（ステップＳ４）。基板を親水性に改質でき、溶剤が
トレンチなどの奥にも容易に入り込み置換が完全に行わ
れる。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生じ
ることを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称す
る）に所定の処理を施す基板処理方法及びその装置に係
り、特に、基板を処理液で処理した後、その基板に付着
している処理液を溶剤で置換してから乾燥処理を施す技
術に関する。
液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称す
る）に所定の処理を施す基板処理方法及びその装置に係
り、特に、基板を処理液で処理した後、その基板に付着
している処理液を溶剤で置換してから乾燥処理を施す技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス製造工程における
乾燥方法には、基板を高速回転することにより生じる遠
心力を利用して純水を振り切るスピンドライヤや、ＩＰ
Ａ(イソプロピルアルコール)の蒸気を基板に供給するＩ
ＰＡベーパドライヤが利用されてきた。しかしながら、
半導体デバイスの高集積化（微細化）に伴ってパーティ
クルの抑制、ウォーターマークの排除などの高度な要求
が示されている。
乾燥方法には、基板を高速回転することにより生じる遠
心力を利用して純水を振り切るスピンドライヤや、ＩＰ
Ａ(イソプロピルアルコール)の蒸気を基板に供給するＩ
ＰＡベーパドライヤが利用されてきた。しかしながら、
半導体デバイスの高集積化（微細化）に伴ってパーティ
クルの抑制、ウォーターマークの排除などの高度な要求
が示されている。
【０００３】そのため、処理槽に純水を供給した状態で
ＩＰＡの蒸気を供給しつつ、処理槽内にあるリフタを使
って基板を保持したまま引き上げ、基板に付着している
純水をその表面に凝縮したＩＰＡによって置換し、処理
槽内を減圧することによって最終的にＩＰＡを揮発させ
て乾燥するといった方法が採用されている。
ＩＰＡの蒸気を供給しつつ、処理槽内にあるリフタを使
って基板を保持したまま引き上げ、基板に付着している
純水をその表面に凝縮したＩＰＡによって置換し、処理
槽内を減圧することによって最終的にＩＰＡを揮発させ
て乾燥するといった方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体デバイスの高集積化は、単に配
線の微細化にとどまらず、キャパシタなどの容量の拡大
や素子分離のために、深い溝（トレンチ）や深い孔（コ
ンタクトホール）を基板表面に作り出されている。その
ため深いトレンチや深いコンタクトホールに入り込んだ
純水を従来の方法ではうまく置換・乾燥させることがで
きないという問題がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体デバイスの高集積化は、単に配
線の微細化にとどまらず、キャパシタなどの容量の拡大
や素子分離のために、深い溝（トレンチ）や深い孔（コ
ンタクトホール）を基板表面に作り出されている。その
ため深いトレンチや深いコンタクトホールに入り込んだ
純水を従来の方法ではうまく置換・乾燥させることがで
きないという問題がある。
【０００５】このようにトレンチなどに入り込んだ純水
をうまく乾燥させなければ、ウォーターマークや乾燥シ
ミのような汚染が生じ、半導体デバイスの電気的特性が
悪影響を受けて歩留まりの低下という事態を招く。
をうまく乾燥させなければ、ウォーターマークや乾燥シ
ミのような汚染が生じ、半導体デバイスの電気的特性が
悪影響を受けて歩留まりの低下という事態を招く。
【０００６】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、トレンチ等に溶剤が入り込みやすく
なるように親水化した上で溶剤による置換を行なうこと
により、ウォーターマークや乾燥シミのような汚染を防
止することができる基板処理方法及びその装置を提供す
ることを目的とする。
れたものであって、トレンチ等に溶剤が入り込みやすく
なるように親水化した上で溶剤による置換を行なうこと
により、ウォーターマークや乾燥シミのような汚染を防
止することができる基板処理方法及びその装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板を処理液で処理した
後、基板に溶剤を供給して基板に付着している処理液を
溶剤で置換してから乾燥を行なう基板処理方法におい
て、基板に付着している処理液を溶剤で置換する前に、
その基板に対して親水化処理を施すことを特徴とするも
のである。
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板を処理液で処理した
後、基板に溶剤を供給して基板に付着している処理液を
溶剤で置換してから乾燥を行なう基板処理方法におい
て、基板に付着している処理液を溶剤で置換する前に、
その基板に対して親水化処理を施すことを特徴とするも
のである。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板処理方法において、溶剤の供給は、基板の
全体が処理液中から気中に露出した状態で開始されるこ
とを特徴とするものである。
に記載の基板処理方法において、溶剤の供給は、基板の
全体が処理液中から気中に露出した状態で開始されるこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または２に記載の基板処理方法において、前記親水化処
理は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammonia-Hydrogen
Peroxide Mixture)液のうち少なくとも一つを含む親水
化液を供給するで施されることを特徴とするものであ
る。
または２に記載の基板処理方法において、前記親水化処
理は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammonia-Hydrogen
Peroxide Mixture)液のうち少なくとも一つを含む親水
化液を供給するで施されることを特徴とするものであ
る。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、基板を処
理液で処理した後、基板に溶剤を供給して基板に付着し
ている処理液を溶剤で置換して乾燥を行う基板処理装置
において、基板を収容する処理槽と、前記処理槽に処理
液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽に親水化液
を供給する親水化液供給手段と、基板を含む空間を溶剤
雰囲気にする溶剤雰囲気形成手段とを備え、基板を前記
処理槽内に収容し、前記処理液供給手段から処理液を供
給して所定の処理を施し、前記親水化液供給手段から親
水化液を供給した後に、前記溶剤雰囲気形成手段で溶剤
雰囲気を形成して処理液を溶剤で置換することを特徴と
するものである。
理液で処理した後、基板に溶剤を供給して基板に付着し
ている処理液を溶剤で置換して乾燥を行う基板処理装置
において、基板を収容する処理槽と、前記処理槽に処理
液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽に親水化液
を供給する親水化液供給手段と、基板を含む空間を溶剤
雰囲気にする溶剤雰囲気形成手段とを備え、基板を前記
処理槽内に収容し、前記処理液供給手段から処理液を供
給して所定の処理を施し、前記親水化液供給手段から親
水化液を供給した後に、前記溶剤雰囲気形成手段で溶剤
雰囲気を形成して処理液を溶剤で置換することを特徴と
するものである。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の基板処理装置において、前記親水化液供給手段
から親水化液を供給して親水化処理を施した後、処理槽
内の基板の全体を処理液中から気中に露出させて前記溶
剤雰囲気形成手段で溶剤雰囲気を形成することを特徴と
するものである。
に記載の基板処理装置において、前記親水化液供給手段
から親水化液を供給して親水化処理を施した後、処理槽
内の基板の全体を処理液中から気中に露出させて前記溶
剤雰囲気形成手段で溶剤雰囲気を形成することを特徴と
するものである。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
または５に記載の基板処理装置において、前記親水化液
は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammonia-Hydrogen Pe
roxide Mixture)液のうち少なくとも一つを含むもので
あることを特徴とするものである。
または５に記載の基板処理装置において、前記親水化液
は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammonia-Hydrogen Pe
roxide Mixture)液のうち少なくとも一つを含むもので
あることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、基板に付着し
ている処理液を溶剤で置換する前に、基板に対して親水
化処理を施す。これによって基板が疎水性とされていて
も親水性に改質できるので、溶剤がトレンチなどの奥に
も容易に入り込んで置換が行われる。なお、処理液と
は、フッ化水素酸を含んだエッチング液や、エッチング
処理などの後に洗浄のために使われる純水などのことを
いう。
ている処理液を溶剤で置換する前に、基板に対して親水
化処理を施す。これによって基板が疎水性とされていて
も親水性に改質できるので、溶剤がトレンチなどの奥に
も容易に入り込んで置換が行われる。なお、処理液と
は、フッ化水素酸を含んだエッチング液や、エッチング
処理などの後に洗浄のために使われる純水などのことを
いう。
【００１４】また、請求項２に記載の発明の作用は次の
通りである。例えば、乾燥前における洗浄処理がシリコ
ン酸化膜のＨＦ（フッ化水素酸）によるエッチングを伴
う場合には、条件を最適化せずに溶剤の蒸気を供給しな
がら基板を引き上げると、シリコン酸化膜に付着してい
たエッチング残渣が溶剤によって流れ落ち、処理液中を
漂ったエッチング残渣が隣接する基板に転写する相互汚
染が生じたりする問題が生じている。
通りである。例えば、乾燥前における洗浄処理がシリコ
ン酸化膜のＨＦ（フッ化水素酸）によるエッチングを伴
う場合には、条件を最適化せずに溶剤の蒸気を供給しな
がら基板を引き上げると、シリコン酸化膜に付着してい
たエッチング残渣が溶剤によって流れ落ち、処理液中を
漂ったエッチング残渣が隣接する基板に転写する相互汚
染が生じたりする問題が生じている。
【００１５】そこで、親水化された基板を溶剤で置換す
る際には、基板の全体が処理液中から気中に露出してか
ら溶剤を供給することによって、エッチング残渣が漂う
ことを防止する。
る際には、基板の全体が処理液中から気中に露出してか
ら溶剤を供給することによって、エッチング残渣が漂う
ことを防止する。
【００１６】また、請求項３に記載の発明によれば、オ
ゾン、過酸化水素、アルカリベースのＡＰＭ（あるいは
ＳＣ−１とも称される）のいずれかを含む親水化液を基
板に供給すると、基板を酸化することができるので親水
化できる。
ゾン、過酸化水素、アルカリベースのＡＰＭ（あるいは
ＳＣ−１とも称される）のいずれかを含む親水化液を基
板に供給すると、基板を酸化することができるので親水
化できる。
【００１７】また、請求項４に記載の発明によれば、処
理槽に処理液供給手段から処理液を供給して処理を施し
た後に、親水化液を供給して親水化処理を施す。これに
よって基板が疎水性とされていても親水性に改質でき
る。そして、溶剤雰囲気形成手段で溶剤雰囲気を形成し
て基板に付着している処理液を置換すると、溶剤がトレ
ンチなどの奥にも容易に入り込み置換が行われる。
理槽に処理液供給手段から処理液を供給して処理を施し
た後に、親水化液を供給して親水化処理を施す。これに
よって基板が疎水性とされていても親水性に改質でき
る。そして、溶剤雰囲気形成手段で溶剤雰囲気を形成し
て基板に付着している処理液を置換すると、溶剤がトレ
ンチなどの奥にも容易に入り込み置換が行われる。
【００１８】また、請求項５に記載の発明によれば、親
水化された基板を溶剤で置換する際には、基板の全体が
処理液中から気中に露出してから溶剤を供給することに
よって、エッチング残渣が処理液中を漂うことを防止で
きる。
水化された基板を溶剤で置換する際には、基板の全体が
処理液中から気中に露出してから溶剤を供給することに
よって、エッチング残渣が処理液中を漂うことを防止で
きる。
【００１９】また、請求項６に記載の発明は、オゾン、
過酸化水素、アルカリベースのＡＰＭ（あるいはＳＣ−
１とも称される）のいずれかを含む親水化液を基板に供
給すると、基板が酸化されて親水化される。
過酸化水素、アルカリベースのＡＰＭ（あるいはＳＣ−
１とも称される）のいずれかを含む親水化液を基板に供
給すると、基板が酸化されて親水化される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図１は本発明の一実施例に係り、
概略構成を示した縦断面図である。
一実施例を説明する。図１は本発明の一実施例に係り、
概略構成を示した縦断面図である。
【００２１】実施例に係る基板処理装置は、エッチング
などの薬液処理と純水による洗浄処理などを基板Ｗに対
して施す処理槽１が密閉チャンバ３内に配備されてい
る。この密閉チャンバ３の上部には、基板Ｗの乾燥を行
なうための乾燥処理位置４が形成されている。
などの薬液処理と純水による洗浄処理などを基板Ｗに対
して施す処理槽１が密閉チャンバ３内に配備されてい
る。この密閉チャンバ３の上部には、基板Ｗの乾燥を行
なうための乾燥処理位置４が形成されている。
【００２２】処理槽１の下部には、薬液、純水、あるい
はそれらを含んだ処理液を供給する一対の処理液注入管
５が取り付けられている。この処理液注入管５は、一端
側が閉塞されているとともに、側面に多数の噴出孔５ａ
が並設されて、他端側から導入される液体を各噴出孔５
ａから噴出する。これらの各噴出孔５ａが処理槽１内に
望むように、処理液注入管５が処理槽１に対して取り付
けられている。
はそれらを含んだ処理液を供給する一対の処理液注入管
５が取り付けられている。この処理液注入管５は、一端
側が閉塞されているとともに、側面に多数の噴出孔５ａ
が並設されて、他端側から導入される液体を各噴出孔５
ａから噴出する。これらの各噴出孔５ａが処理槽１内に
望むように、処理液注入管５が処理槽１に対して取り付
けられている。
【００２３】処理液注入管５の他端部には、配管７を介
して処理液供給部９が接続されている。この処理液供給
部９は、純水と一種類以上の薬液とを選択的に切り換
え、処理液として供給可能に構成されている。
して処理液供給部９が接続されている。この処理液供給
部９は、純水と一種類以上の薬液とを選択的に切り換
え、処理液として供給可能に構成されている。
【００２４】本発明の処理液供給手段に相当する処理液
供給部９について具体的に説明する。この処理液供給部
９は、ミキシングバルブ１１と開閉弁１３とを配管７に
備え、さらに配管７に連通した純水供給源１５を備えて
いる。ミキシングバルブ１１には、各種の薬液を供給す
る薬液配管１７ａ〜１７ｄが連通接続されているととも
に、各配管に開閉弁１９ａ〜１９ｄが取り付けられてい
る。
供給部９について具体的に説明する。この処理液供給部
９は、ミキシングバルブ１１と開閉弁１３とを配管７に
備え、さらに配管７に連通した純水供給源１５を備えて
いる。ミキシングバルブ１１には、各種の薬液を供給す
る薬液配管１７ａ〜１７ｄが連通接続されているととも
に、各配管に開閉弁１９ａ〜１９ｄが取り付けられてい
る。
【００２５】なお、本実施例においては、一例として上
記の薬液配管１７ａ〜１７ｄにフッ化水素酸（ＨＦ）、
過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、アンモニア（ＮＨ3）、オゾン
（Ｏ3）が供給される。これらのうち、過酸化水素、オ
ゾンは単独でも基板Ｗを酸化させる作用があり、アンモ
ニアは過酸化水素と純水と混合されてアルカリベースの
処理液（ＳＣ−１とも呼ばれる）とされることで基板Ｗ
を酸化させる作用を生ずる。したがって、これらは本発
明における親水化液に相当し、処理液供給部９は親水化
液供給手段に相当する。
記の薬液配管１７ａ〜１７ｄにフッ化水素酸（ＨＦ）、
過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、アンモニア（ＮＨ3）、オゾン
（Ｏ3）が供給される。これらのうち、過酸化水素、オ
ゾンは単独でも基板Ｗを酸化させる作用があり、アンモ
ニアは過酸化水素と純水と混合されてアルカリベースの
処理液（ＳＣ−１とも呼ばれる）とされることで基板Ｗ
を酸化させる作用を生ずる。したがって、これらは本発
明における親水化液に相当し、処理液供給部９は親水化
液供給手段に相当する。
【００２６】処理槽１の上部外周には、オーバーフロー
槽２１が取り付けられている。このオーバーフロー槽２
１は、処理槽１の上部から溢れた処理液（薬液、純水あ
るいはこれらの混合液からなる処理液）を受け止めて回
収するものである。その底部には、排出口２１ａが形成
されており、受け止められた処理液が、開閉弁２３が取
り付けられた配管２５を介して排液されるようになって
いる。
槽２１が取り付けられている。このオーバーフロー槽２
１は、処理槽１の上部から溢れた処理液（薬液、純水あ
るいはこれらの混合液からなる処理液）を受け止めて回
収するものである。その底部には、排出口２１ａが形成
されており、受け止められた処理液が、開閉弁２３が取
り付けられた配管２５を介して排液されるようになって
いる。
【００２７】処理槽１の底部には、排液口２７が配設さ
れている。この排液口２７は、開閉弁２９を備えた配管
３１に連通されており、開閉弁２９を開放することで処
理槽１内の処理液が排液される。
れている。この排液口２７は、開閉弁２９を備えた配管
３１に連通されており、開閉弁２９を開放することで処
理槽１内の処理液が排液される。
【００２８】密閉チャンバ３は、本体部３ａと、この本
体部３ａに対して開閉自在に構成された蓋部３ｂとを備
える。本体部３ａに対して蓋部３ｂが開放された状態で
基板Ｗの出し入れが行なわれる一方、蓋部３ｂが閉止さ
れた状態で密閉チャンバ３が密閉状態となるように構成
されている。
体部３ａに対して開閉自在に構成された蓋部３ｂとを備
える。本体部３ａに対して蓋部３ｂが開放された状態で
基板Ｗの出し入れが行なわれる一方、蓋部３ｂが閉止さ
れた状態で密閉チャンバ３が密閉状態となるように構成
されている。
【００２９】密閉チャンバ３の内部には、ＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）などの有機溶剤と、窒素ガスなど
の不活性ガスとを噴射するノズル３３が取り付けられて
いる。これらのノズル３３には、開閉弁３５を備えた配
管３７を介してＩＰＡ供給源３９が連通されているとと
もに、開閉弁４１を備えた配管４３を介して不活性ガス
供給源４５が連通されている。開閉弁３５を開放するこ
とにより、基板Ｗを含む空間が溶剤雰囲気にされるよう
になっている。
プロピルアルコール）などの有機溶剤と、窒素ガスなど
の不活性ガスとを噴射するノズル３３が取り付けられて
いる。これらのノズル３３には、開閉弁３５を備えた配
管３７を介してＩＰＡ供給源３９が連通されているとと
もに、開閉弁４１を備えた配管４３を介して不活性ガス
供給源４５が連通されている。開閉弁３５を開放するこ
とにより、基板Ｗを含む空間が溶剤雰囲気にされるよう
になっている。
【００３０】なお、上記のノズル３３、開閉弁３５，配
管３７、ＩＰＡ供給源３９が本発明における溶剤雰囲気
形成手段に相当する。
管３７、ＩＰＡ供給源３９が本発明における溶剤雰囲気
形成手段に相当する。
【００３１】さらに密閉チャンバ３の底部には、排気口
４７が配備されている。この排気口４７は、開閉弁４９
を備えた配管５１を介して真空吸引源に連通されてい
る。この排気口４７を介して密閉チャンバ３内の気体を
吸引して、密閉チャンバ３内を減圧するように構成され
ている。
４７が配備されている。この排気口４７は、開閉弁４９
を備えた配管５１を介して真空吸引源に連通されてい
る。この排気口４７を介して密閉チャンバ３内の気体を
吸引して、密閉チャンバ３内を減圧するように構成され
ている。
【００３２】密閉チャンバ３内には、複数枚の基板Ｗを
一定の間隔で整列して支持する基板支持部材５３が配備
されている。この基板支持部材５３は、基板Ｗの下縁を
当接支持するための支持部材５３ａを下部に備えてお
り、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されて
いる。
一定の間隔で整列して支持する基板支持部材５３が配備
されている。この基板支持部材５３は、基板Ｗの下縁を
当接支持するための支持部材５３ａを下部に備えてお
り、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されて
いる。
【００３３】次に、図２ないし図６を参照しながら、上
記のように構成された基板処理装置による処理動作につ
いて説明する。なお、以下の説明においては、基板Ｗに
対してエッチング・乾燥処理を施すことを例に採って説
明する。また、薬液供給のための開閉弁１９ａ〜１９ｄ
は全て閉止されているものとする。
記のように構成された基板処理装置による処理動作につ
いて説明する。なお、以下の説明においては、基板Ｗに
対してエッチング・乾燥処理を施すことを例に採って説
明する。また、薬液供給のための開閉弁１９ａ〜１９ｄ
は全て閉止されているものとする。
【００３４】ステップＳ１まず、密閉チャンバ３の蓋部
３ｂを開放し、図示しない搬送機構から、乾燥処理位置
４に上昇している基板支持部材５３に対して複数枚の基
板Ｗが渡される（図３）。基板Ｗが渡されると、蓋部３
ｂが閉められて密閉チャンバ３が閉塞される（図４）。
３ｂを開放し、図示しない搬送機構から、乾燥処理位置
４に上昇している基板支持部材５３に対して複数枚の基
板Ｗが渡される（図３）。基板Ｗが渡されると、蓋部３
ｂが閉められて密閉チャンバ３が閉塞される（図４）。
【００３５】次に、開閉弁１３が開放され、処理槽１内
に処理液として純水が供給され、処理槽１内に純水が満
たされる。さらに純水の上昇液流が形成されたまま基板
保持部材５３が下降され、純水の上昇液流中に基板Ｗが
浸漬される（図４）。あるいは、複数枚の基板Ｗが基板
保持部材５３とともに処理槽１内に下降された後、開閉
弁１３を開放して純水を処理槽１内に満たすとともに、
上昇液流を形成する。
に処理液として純水が供給され、処理槽１内に純水が満
たされる。さらに純水の上昇液流が形成されたまま基板
保持部材５３が下降され、純水の上昇液流中に基板Ｗが
浸漬される（図４）。あるいは、複数枚の基板Ｗが基板
保持部材５３とともに処理槽１内に下降された後、開閉
弁１３を開放して純水を処理槽１内に満たすとともに、
上昇液流を形成する。
【００３６】なお、このとき開閉弁２３は開放された状
態であり、処理槽１の上部から周囲にあふれ出た純水
は、オーバーフロー槽２１で受け止められて回収され，
回収された処理液は配管２５を介して排液される。
態であり、処理槽１の上部から周囲にあふれ出た純水
は、オーバーフロー槽２１で受け止められて回収され，
回収された処理液は配管２５を介して排液される。
【００３７】ステップＳ２上記のように純水による上昇
液流が形成された状態で、処理液供給部９の開閉弁１９
ａを開放し、予め決められた流量でフッ化水素酸を薬液
配管１７ａに流し込む。これにより処理槽１にはフッ化
水素酸を含む純水が処理液として供給されることにな
る。この状態を所定時間だけ維持すると、処理槽１内の
純水が、フッ化水素酸を含む処理液によって置換される
ので、これをさらに所定時間だけ維持することにより、
基板Ｗに対して所定のエッチング処理が施されることに
なる。
液流が形成された状態で、処理液供給部９の開閉弁１９
ａを開放し、予め決められた流量でフッ化水素酸を薬液
配管１７ａに流し込む。これにより処理槽１にはフッ化
水素酸を含む純水が処理液として供給されることにな
る。この状態を所定時間だけ維持すると、処理槽１内の
純水が、フッ化水素酸を含む処理液によって置換される
ので、これをさらに所定時間だけ維持することにより、
基板Ｗに対して所定のエッチング処理が施されることに
なる。
【００３８】また、処理液への置換の際にも純水や処理
液などが上昇液流によって処理槽１から溢れ出るが、こ
れもオーバーフロー槽２１によって受け止められて回収
される。
液などが上昇液流によって処理槽１から溢れ出るが、こ
れもオーバーフロー槽２１によって受け止められて回収
される。
【００３９】ステップＳ３所定時間のエッチング処理が
終了すると、開閉弁１９ａを閉止して薬液配管１７ａか
らミキシングバルブ１１にフッ化水素酸が注入されるの
を停止する。これにより処理槽１には純水だけが供給さ
れることになり、一定時間後には処理槽１内が純水に置
換される。これを所定時間維持することにより、基板Ｗ
に付着した処理液を純水によって洗い流す純水洗浄処理
が終了する。
終了すると、開閉弁１９ａを閉止して薬液配管１７ａか
らミキシングバルブ１１にフッ化水素酸が注入されるの
を停止する。これにより処理槽１には純水だけが供給さ
れることになり、一定時間後には処理槽１内が純水に置
換される。これを所定時間維持することにより、基板Ｗ
に付着した処理液を純水によって洗い流す純水洗浄処理
が終了する。
【００４０】なお、処理液から純水への置換の際にも純
水や処理液などが上昇液流によって処理槽１から溢れ出
るが、これもオーバーフロー槽２１によって受け止めら
れて回収される。また、回収された純水の比抵抗値や導
電率などを測定し、これに基づき純水洗浄処理を終える
ように構成してもよい。
水や処理液などが上昇液流によって処理槽１から溢れ出
るが、これもオーバーフロー槽２１によって受け止めら
れて回収される。また、回収された純水の比抵抗値や導
電率などを測定し、これに基づき純水洗浄処理を終える
ように構成してもよい。
【００４１】ステップＳ４開閉弁１９ｂを開放して配管
１７ｂに過酸化水素を一定流量で供給する。これにより
処理槽１には過酸化水素と純水とを含む処理液が供給さ
れることになり、一定時間後には処理槽１内が前記処理
液で置換される。この処理液によって基板Ｗは酸化され
るので、先のステップＳ２におけるエッチング処理によ
って全体的にほぼ「疎水性」となっていた基板Ｗが「親
水性」にされる。
１７ｂに過酸化水素を一定流量で供給する。これにより
処理槽１には過酸化水素と純水とを含む処理液が供給さ
れることになり、一定時間後には処理槽１内が前記処理
液で置換される。この処理液によって基板Ｗは酸化され
るので、先のステップＳ２におけるエッチング処理によ
って全体的にほぼ「疎水性」となっていた基板Ｗが「親
水性」にされる。
【００４２】ステップＳ５上記の親水性処理が終了する
と、開閉弁１９ｂを閉止して過酸化水素を含んだ処理液
の処理槽１への供給を停止する。したがって、処理槽１
には純水だけが供給されることになり、上述したステッ
プＳ３と同様の純水洗浄処理が行なわれる。
と、開閉弁１９ｂを閉止して過酸化水素を含んだ処理液
の処理槽１への供給を停止する。したがって、処理槽１
には純水だけが供給されることになり、上述したステッ
プＳ３と同様の純水洗浄処理が行なわれる。
【００４３】ステップＳ６上記の純水洗浄処理が終了す
ると、基板保持部材５３を上昇させて基板Ｗを処理槽１
内の純水から乾燥処理位置４にまで引き上げる。なお、
このときノズル３３からのＩＰＡ供給はまだ行なわな
い。
ると、基板保持部材５３を上昇させて基板Ｗを処理槽１
内の純水から乾燥処理位置４にまで引き上げる。なお、
このときノズル３３からのＩＰＡ供給はまだ行なわな
い。
【００４４】ステップＳ７基板Ｗが乾燥処理位置４にま
で移動したら、開閉弁３５を開放してＩＰＡをノズル３
３から噴射させる（図５中に点線で示す）。これにより
基板ＷにはＩＰＡが噴霧され、基板Ｗに付着している純
水にＩＰＡが溶解して置換される。
で移動したら、開閉弁３５を開放してＩＰＡをノズル３
３から噴射させる（図５中に点線で示す）。これにより
基板ＷにはＩＰＡが噴霧され、基板Ｗに付着している純
水にＩＰＡが溶解して置換される。
【００４５】このようにして基板Ｗに付着している純水
を溶剤で置換するが、その前にステップＳ４において親
水化処理を施すことにより、基板Ｗを疎水性から親水性
に改質できるので、ＩＰＡが基板Ｗに形成されているト
レンチなどの奥にも容易に入り込みＩＰＡへの置換が行
われる。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生
じることを防止できるようになっている。
を溶剤で置換するが、その前にステップＳ４において親
水化処理を施すことにより、基板Ｗを疎水性から親水性
に改質できるので、ＩＰＡが基板Ｗに形成されているト
レンチなどの奥にも容易に入り込みＩＰＡへの置換が行
われる。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生
じることを防止できるようになっている。
【００４６】また、親水化された基板ＷをＩＰＡで置換
する際に、基板Ｗの全体が純水中から気中に露出してか
らＩＰＡを供給することにより、エッチング残渣が純水
中に流れ出ることを防止できる。したがって、純水中を
漂ったエッチング残渣が隣接する基板Ｗに転写する相互
汚染を防止することができる。
する際に、基板Ｗの全体が純水中から気中に露出してか
らＩＰＡを供給することにより、エッチング残渣が純水
中に流れ出ることを防止できる。したがって、純水中を
漂ったエッチング残渣が隣接する基板Ｗに転写する相互
汚染を防止することができる。
【００４７】なお、ＩＰＡを噴霧するタイミングは、上
記のように基板Ｗが乾燥処理位置４に移動した後でなく
ても、基板Ｗの下端が処理槽１の液面から離れた時点と
してもよい。
記のように基板Ｗが乾燥処理位置４に移動した後でなく
ても、基板Ｗの下端が処理槽１の液面から離れた時点と
してもよい。
【００４８】また、エッチング条件さえうまく整えてお
けば、処理槽１中にある複数枚の基板Ｗに対してＩＰＡ
を供給してもエッチング残渣が純水中に流れ出て相互汚
染を起こすことはない。その場合には、ＩＰＡの供給タ
イミングを上記のようにしなくても、基板Ｗを処理槽１
から乾燥処理位置４に向けて上げ始める時点としてもよ
い。
けば、処理槽１中にある複数枚の基板Ｗに対してＩＰＡ
を供給してもエッチング残渣が純水中に流れ出て相互汚
染を起こすことはない。その場合には、ＩＰＡの供給タ
イミングを上記のようにしなくても、基板Ｗを処理槽１
から乾燥処理位置４に向けて上げ始める時点としてもよ
い。
【００４９】ステップＳ８ＩＰＡによる置換が終了した
ら、まず開閉弁３５を閉止してＩＰＡの噴射を停止する
とともに、開閉弁１３を閉止して純水の処理槽１への供
給を停止する。さらに開閉弁２９を開放して処理槽１内
の純水を排液する（図６）。また、開閉弁４９を開放し
て密閉チャンバ３内を真空吸引して減圧するとともに、
開閉弁４１を開放して不活性ガスをノズル３３から密閉
チャンバ３へ供給する（図６中に点線で示す）。これに
よって基板Ｗの乾燥が促進されるので、乾燥処理が短時
間で終了する。
ら、まず開閉弁３５を閉止してＩＰＡの噴射を停止する
とともに、開閉弁１３を閉止して純水の処理槽１への供
給を停止する。さらに開閉弁２９を開放して処理槽１内
の純水を排液する（図６）。また、開閉弁４９を開放し
て密閉チャンバ３内を真空吸引して減圧するとともに、
開閉弁４１を開放して不活性ガスをノズル３３から密閉
チャンバ３へ供給する（図６中に点線で示す）。これに
よって基板Ｗの乾燥が促進されるので、乾燥処理が短時
間で終了する。
【００５０】所定時間が経過して減圧乾燥が終了する
と、開閉弁４９を閉止した後、ノズル３３からの不活性
ガスの供給をしばらく継続して密閉チャンバ３内を常圧
に戻す。そして、密閉チャンバ３の蓋部３ｂを開放し、
図示しない搬送機構によって乾燥処理位置４に位置して
いる処理済みの複数枚の基板Ｗを取り出す。上記の一連
の処理によって複数枚の基板Ｗに対するエッチング・乾
燥処理が完了する。
と、開閉弁４９を閉止した後、ノズル３３からの不活性
ガスの供給をしばらく継続して密閉チャンバ３内を常圧
に戻す。そして、密閉チャンバ３の蓋部３ｂを開放し、
図示しない搬送機構によって乾燥処理位置４に位置して
いる処理済みの複数枚の基板Ｗを取り出す。上記の一連
の処理によって複数枚の基板Ｗに対するエッチング・乾
燥処理が完了する。
【００５１】なお、本発明は次のように変形実施が可能
である。
である。
【００５２】（１）親水化液としては、「過酸化水素」
を含む処理液に代えて「オゾン」を含む処理液を用いて
もよい。また、アンモニアと過酸化水素を混合してなる
ＡＰＭ液を用いてもよく、その他の酸化作用を有する処
理液を用いてもよい。
を含む処理液に代えて「オゾン」を含む処理液を用いて
もよい。また、アンモニアと過酸化水素を混合してなる
ＡＰＭ液を用いてもよく、その他の酸化作用を有する処
理液を用いてもよい。
【００５３】（２）上述したステップＳ６における基板
の引き上げに代えて、処理槽１内の純水を排出して基板
Ｗを液中から気中に露出させるようにしてもよい。
の引き上げに代えて、処理槽１内の純水を排出して基板
Ｗを液中から気中に露出させるようにしてもよい。
【００５４】（３）上記実施例では溶剤としてＩＰＡを
用いているが、これに代えてその他の有機溶剤を用いる
ようにしてもよい。
用いているが、これに代えてその他の有機溶剤を用いる
ようにしてもよい。
【００５５】（４）上記の説明ではエッチング・乾燥処
理を例に採って説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えば、洗浄・乾燥処理などであっても
適用可能である。
理を例に採って説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えば、洗浄・乾燥処理などであっても
適用可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板に付着している処理液を
溶剤で置換する前に親水化処理を施すことにより、基板
が疎水性にされていても親水性に改質できるので、溶剤
がトレンチなどの奥にも容易に入り込み置換が行われ
る。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生じる
ことを防止できる。
１に記載の発明によれば、基板に付着している処理液を
溶剤で置換する前に親水化処理を施すことにより、基板
が疎水性にされていても親水性に改質できるので、溶剤
がトレンチなどの奥にも容易に入り込み置換が行われ
る。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生じる
ことを防止できる。
【００５７】また、請求項２に記載の発明によれば、親
水化された基板を溶剤で置換する際に、基板の全体が処
理液中から気中に露出してから溶剤を供給することによ
り、エッチング残渣が処理液中に流れ出ることを防止で
きる。したがって、処理液中を漂ったエッチング残渣が
隣接する基板に転写する相互汚染を防止することができ
る。
水化された基板を溶剤で置換する際に、基板の全体が処
理液中から気中に露出してから溶剤を供給することによ
り、エッチング残渣が処理液中に流れ出ることを防止で
きる。したがって、処理液中を漂ったエッチング残渣が
隣接する基板に転写する相互汚染を防止することができ
る。
【００５８】また、請求項３に記載の発明によれば、オ
ゾン、過酸化水素、ＡＰＭのいずれかを含む親水化液に
よって基板を酸化して親水化することができる。
ゾン、過酸化水素、ＡＰＭのいずれかを含む親水化液に
よって基板を酸化して親水化することができる。
【００５９】また、請求項４に記載の発明によれば、請
求項１に記載の方法発明を好適に実施することができ
る。
求項１に記載の方法発明を好適に実施することができ
る。
【００６０】また、請求項５に記載の発明によれば、請
求項２に記載の方法発明と同等の効果を奏する。
求項２に記載の方法発明と同等の効果を奏する。
【００６１】また、請求項６に記載の発明は、請求項３
に記載の方法発明と同等の効果を奏する。
に記載の方法発明と同等の効果を奏する。
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】処理の流れを示すフローチャートである。
【図３】基板収容時の説明に供する図である。
【図４】基板処理時の説明に供する図である。
【図５】ＩＰＡによる置換時の説明に供する図である。
【図６】減圧乾燥時の説明に供する図である。
Ｗ … 基板 １ … 処理槽 ３ … 密閉チャンバ ４ … 乾燥処理位置 ５ … 処理液注入管 ７ … 配管 ９ … 処理液供給部（処理液供給手段、親水化液供給
手段） １１ … ミキシングバルブ １５ … 純水供給源 ２１ … オーバーフロー槽 ３３ … ノズル ３９ … ＩＰＡ供給源 ４５ … 不活性ガス供給源
手段） １１ … ミキシングバルブ １５ … 純水供給源 ２１ … オーバーフロー槽 ３３ … ノズル ３９ … ＩＰＡ供給源 ４５ … 不活性ガス供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 眞人 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB08 BB02 BB93 BB95 CA00 CC11 CC15 CD22 5F043 DD12 DD30 FF01 5F046 HA03
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を処理液で処理した後、基板に溶剤
を供給して基板に付着している処理液を溶剤で置換して
から乾燥を行なう基板処理方法において、 基板に付着している処理液を溶剤で置換する前に、その
基板に対して親水化処理を施すことを特徴とする基板処
理方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 溶剤の供給は、基板の全体が処理液中から気中に露出し
た状態で開始されることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理方法
において、 前記親水化処理は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammon
ia-Hydrogen PeroxideMixture)液のうち少なくとも一つ
を含む親水化液を供給するで施されることを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項４】 基板を処理液で処理した後、基板に溶剤
を供給して基板に付着している処理液を溶剤で置換して
乾燥を行う基板処理装置において、 基板を収容する処理槽と、 前記処理槽に処理液を供給する処理液供給手段と、 前記処理槽に親水化液を供給する親水化液供給手段と、 基板を含む空間を溶剤雰囲気にする溶剤雰囲気形成手段
とを備え、 基板を前記処理槽内に収容し、前記処理液供給手段から
処理液を供給して所定の処理を施し、前記親水化液供給
手段から親水化液を供給した後に、前記溶剤雰囲気形成
手段で溶剤雰囲気を形成して処理液を溶剤で置換するこ
とを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
て、 前記親水化液供給手段から親水化液を供給して親水化処
理を施した後、処理槽内の基板の全体を処理液中から気
中に露出させて前記溶剤雰囲気形成手段で溶剤雰囲気を
形成することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の基板処理装置
において、 前記親水化液は、オゾン、過酸化水素、ＡＰＭ(Ammonia
-Hydrogen Peroxide Mixture)液のうち少なくとも一つ
を含むものであることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092375A JP2002289575A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092375A JP2002289575A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289575A true JP2002289575A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18946846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092375A Abandoned JP2002289575A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002289575A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| WO2010073725A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2014225673A (ja) * | 2014-06-12 | 2014-12-04 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
| US10020222B2 (en) | 2013-05-15 | 2018-07-10 | Canon, Inc. | Method for processing an inner wall surface of a micro vacancy |
| CN112259444A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种高疏水性超薄晶圆清洗方法 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092375A patent/JP2002289575A/ja not_active Abandoned
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP4669735B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-04-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8638415B2 (en) | 2004-05-18 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| US9623436B2 (en) | 2004-05-18 | 2017-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| US10761438B2 (en) | 2004-05-18 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| WO2010073725A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2010168275A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 |
| CN102264957A (zh) * | 2008-12-26 | 2011-11-30 | 三菱综合材料株式会社 | 多晶硅的清洗方法和清洗装置，以及多晶硅的制造方法 |
| US9238876B2 (en) | 2008-12-26 | 2016-01-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of washing polycrystalline silicon, apparatus for washing polycrystalline silicon, and method of producing polycrystalline silicon |
| US10020222B2 (en) | 2013-05-15 | 2018-07-10 | Canon, Inc. | Method for processing an inner wall surface of a micro vacancy |
| JP2014225673A (ja) * | 2014-06-12 | 2014-12-04 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
| CN112259444A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种高疏水性超薄晶圆清洗方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060418 |