JP4189141B2 - 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造、フォトマスク製造、液晶ディスプレイ製造工程等における基板処理装置及び基板処理方法に関し、特にフォトレジストが塗付され、且つ所定パターンに露光された基板を現像する現像装置及びそれを用いた現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスや液晶ディスプレイの製造工程においては、基板に対するフォトエッチング処理が繰り返し行われる。フォトエッチング処理では、基板にフォトレジストが塗付され、塗付された基板に所定のパターンが露光される。パターンが露光された基板は、現像装置により現像液で現像され、例えば露光部分のフォトレジストが除去されれる。
【０００３】
従来、この種の現像工程では、現像液中に被処理基板を浸して処理を行なうディップ法や現像液を被処理面に吹付けて処理を行なうスプレー法、被処理基板を回転させながら被処理面に現像液を供給して処理を行なうパドル法が用いられている。
【０００４】
しかし、このディップ法やスプレー法では、多量の現像液を必要とすることや廃液処理に要するコストがかかる等の問題があるため、パドル法へと変わりつつあるが、このパドル法では、被処理基板の中心とで現像液の吐出圧力や単位面積当たりに供給される薬液量に差が生じるために、現像ムラが発生する問題がある。
【０００５】
そこで、特開平７−３６１９５号公報（以下、従来の技術と称する）に示されるような、現像液をスキャンさせながら被処理面に供給して、被処理面に液盛りされた現像液により現像を行なうスキャン法が既に開発されている。
【０００６】
ところで、近年、半導体分野においては、半導体デバイスの微細化及び高密度化が進に連れ、フォトエッチング工程での微細化に対する要求が高まっている。既に、デバイスの設計ルールは、０．１３μｍにまで微細化し、制御しなければならないパターン寸法精度は、１０ｎｍ程度と極めて厳しい精度が要求されている。
【０００７】
しかしながら、上述の従来のスキャン現像では、パターンの疎密差により、形成するパターン寸法が異なってしまう問題がある。即ち、従来のスキャン現像では、現像液をスキャンさせながら基板の被処理面に供給しているが、被処理面基上に液盛りされた現像液の置換がほとんど行われないために、現像中、疎のパターン部分と密のパターン部分において、現像液とレジストとの反応生成物の量が異なり、現像液の濃度差が生じる。そのため、パターンの疎密差によりパターン寸法が異なり、高精度のパターンが得られない問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のスキャン現像では、被処理面に液盛りされた現像液の置換が、ほとんど行われないために、特に、疎密なパターンが存在する場合、現像中に現像液の濃度差が生じ、パターンの疎密差によりパターン寸法が異なり、高精度のパターンが得られない問題がある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、その目的とするところは、被処理基面上における薬液の濃度差をなくすることができ、高精度の薬液処理が可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第1の発明に係わる基板処理装置では、被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と被処理基板上の薬液を吸引するための第 1 及び第２の薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出・吸引機構と、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させる移動機構とを具備し、前記薬液吐出／吸引部は前記被処理基板と対向する平面を有する部材を有し、前記薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口は、前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から、第１の薬液吸引開口、薬液吐出開口、第２の薬液吸引開口の順に前記部材の前記平面に配置されてなることを特徴としている。
【００１２】
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の発明に係わる基板処理装置では、被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記被処理基板上の薬液を吸引するための第１及び第２の薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出・吸引機構と、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平に移動させる移動機構とを具備し、前記薬液吐出／吸引部は前記被処理基板と対向する平面を有する部材を有し、前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口は、前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から第１の薬液吐出開口、第１の薬液吸引開口、第２の薬液吐出開口、第２の薬液吸引開口、第３の薬液吐出開口の順に前記部材の前記平面に配置されてなることを特徴としている。
【００１４】
上記第１及び第２の発明の基板処理装置では、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板の被処理面との距離を測定するためのギャップ測定機構と、前記ギャップ測定機構から得られる距離を所定値に保つためのギャップ調整機構とを、更に具備してなることが好ましい。
【００１５】
前記基板処理装置では、前記基板保持機構は、真空チャックであることが好ましい。
【００１６】
更に、上記目的を達成するために、本発明の第３の発明に係わる基板処理方法では、被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して、薬液吐出開口、第１及び第２の薬液吸引開口が前記被処理面と対向する薬液吐出／吸引部の同一平面に形成され、前記薬液吐出／吸引部の前記薬液吐出開口から薬液を連続的に吐出すると共に、前記薬液吐出開口を挟むように前記平面上に配置された前記第１及び第２の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを前記第１及び第２の薬液吸引開口並びに前記薬液吐出開口の配列方向に相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理面との間で、且つ前記薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口との間の領域における間隙には、常に新鮮な薬液を供給してなることを特徴としている。
【００１８】
更にまた、上記目的を達成するために、本発明の第４の発明に係わる基板処理方法では、被処理基板に対して薬液を吐出するための第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記被処理基板上の薬液を吸引するための第１及び第２の薬液吸引開口とを、薬液吐出開口と薬液吸引開口が交互となるように前記被処理基板と対向する薬液吐出／吸引部の同一平面上に配置し、前記薬液吐出／吸引部を被処理面が略水平に保持された前記被処理基板上に配置し、前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口から薬液を前記被処理基板に対して連続的に吐出すると共に、前記第１及び第２の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口並びに前記第１及び第２の薬液吸引開口の配列方向に相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理面との間で、且つ前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口との間の領域における間隙には、常に新鮮な薬液を供給してなることを特徴としている。
【００２０】
上記第３及び第４の発明の基板処理方法では、被処理基板上の被処理面を改質した後、前記薬液処理をおこなうことが好ましい。
【００２１】
上記本発明によれば、薬液吐出開口から連続的に吐出された薬液を、隣接する薬液吸引開口から連続的に吸引することより、薬液吐出／吸引部と被処理面との間で、且つ前記薬液吐出開口と前記薬液吸引開口との領域における間隙には、新鮮な薬液が常に供給され、薬液処理が行なわれた薬液は直ちに吸引して取り除くことで、被処理面上における薬液の濃度差をなくすることができ、高精度の薬液処理が可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
以下、実施形態では、本発明を現像装置及びそれを用いた現像方法に適用した例を示す。
【００２４】
（第１の実施形態）
まず、図１乃至図４を用いて、本発明の実施形態に係わる現像装置及びそれを用いた現像方法を説明する。図１は、現像装置を模式的に示す図で、（ａ）は、移動方向前方より眺めた正面図、（ｂ）は、移動方向側面より眺めた側面図、図２は、現像装置における基板ホルダーを示す斜視図である。
【００２５】
本実施形態では、図１に示すように、現像装置１００は、被処理基板１１、例えば半導体ウエハを略水平に保持する基板保持機構１０と、前記基板保持機構１０の上方に配置された薬液吐出／吸引機構２０と、前記薬液吐出／吸引機構２０に薬液を供給及び前記薬液供給機構２０から薬液を吸引する薬液供給／吸引系３０と、前記薬液吐出／吸引機構２０に備付けられたギャップ測定機構４０と、前記薬液吐出／吸引機構２０の両端に備付けられたギャップ調整機構５０と、前記薬液吐出／吸引機構２０と前記基板保持機構１０を相対的に略水平方向に移動させるための移動機構６０とを備えている。
【００２６】
前記基板保持機構１０は、例えば、３５ｃｍ角の平面矩形の基板ホルダー１２を有し、前記基板ホルダー１２は、図２に示すように、上面に半導体ウエハ１１を収納するための凹部１３を有している。前記凹部１３は、前記半導体ウエハ１１と略同一の大きさの平面構造を有し、且つ前記半導体ウエハ１１の厚みと略同一深さを有する。
【００２７】
前記基板ホルダー１２としては、その表面と被処理基板の表面との濡れ性が、ほぼ同じになるような材質を選ぶことが好ましい。具体的には、前記被処理基板上での現像液の接触角と前記基板ホルダー上での現像液の接触角がほぼ同じになるようにする。
【００２８】
前記薬液吐出／吸引機構２０は、薬液吐出／吸引部（以下、スキャンノズルと称する）２１を備えている。
【００２９】
前記スキャンノズルの詳細な構成を、図３及び図４に示す。図３（ａ）は、スキャンノズルの上面図、（ｂ）は、下面図、（ｃ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図、図４は、（ｃ）のＢ−Ｂ’に沿う断面図である。
【００３０】
図３及び図４に示すように、前記スキャンノズル２１は、前記基板ホルダー１２に対しての移動方向と垂直な方向に長辺を有し、且つ移動方向と平行な方向に短辺を有する横断面長方形状の直柱状構造で、前記基板ホルダー１２と対向する下面は平坦面を有しており、長辺は少なくとも前記基板ホルダー１２の幅以上の長さを有している。
【００３１】
本実施形態では、前記スキャンノズル２１は、長辺の長さを約３５ｃｍ、短辺の長さを約５ｃｍに形成している。
【００３２】
前記スキャンノズル２１の下面には、前記半導体ウエハ１１に対して薬液を供給するためのスリット状の第１の薬液吐出開口２２及び前記半導体ウエハ１１に液盛りされた薬液を吸引するためのスリット状の薬液吸引開口２３を形成している。
【００３３】
本実施形態では、薬液吐出開口２２及び薬液吸引開口２３は、前記基板ホルダー１２に対しての移動方向と垂直な方向に長辺を有し、且つ移動方向と平行な方向に短辺を有する長方形状の開口である。
【００３４】
本実施形態では、３個の薬液吐出開口２２ａ、２２ｂ、２２ｃと２個の薬液吸引開口２３ａ、２３ｂとは、前記基板ホルダー１２に対しての移動方向と平行な方向に沿って、互いに所定の間隔をおいて配置されている。ここでは、中央の開口２２ａは、第１の薬液を供給する第１の薬液吐出開口、例えば現像液を吐出させる現像液吐出開口（以下、現像液吐出開口と称する）で、その両隣の開口２３ａ、２３ｂは、薬液吸引開口で、更に、その外側で、移動方向前方に位置する開口２２ｂは、第２の薬液を供給する第２の薬液吐出開口、例えばプリウェット液吐出開口（以下、プリエット液吐出開口称する）で、前記移動方向後方に位置する開口２２ｃは、第３の薬液を供給する第３の薬液吐出開口、例えばリンス液吐出開口（以下、リンス液吐出開口と称する）である。
【００３５】
前記現像液吐出開口２２ａ吐出された現像液は、両脇の前記吸引開口２３ａ，２３ｂの吸引力により、前記現像液吐出開口２２ａから自然落下するようになっている。
【００３６】
また、ここでは、前記現像液吐出開口２２ａは、長さ３１０ｍｍ、幅１ｍｍ、前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂは、各々、長さ３１０ｍｍ、幅３ｍｍ、前記プリエット液吐出開口２２ｂ及びリンス液吐出開口２２ｃは、各々、長さ３１０ｍｍ、幅３ｍｍに形成している。
【００３７】
そして、前記現像液吐出開口２２ａと前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂの、各々の間隔ｔ1を約５ｍｍ、前記プリエット液吐出開口２２ｂと前記薬液吸引開口２３ａとの間隔ｔ2及び前記リンス液吐出開口２２ｃと前記薬液吸引開口２３ｂとの間隔ｔ３を、いずれも、約２ｍｍに形成している。
【００３８】
前記スキャンノズル２１の内部には、下方に各開口２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２３ａ及び２３ｂを有するスリットノズル２４ａ、２４ｂ、２４ｃ及び２５ａ，２５ｃが形成され、前記２４ｂ、２４ｃ及び２５ａ，２５ｃは、上部において各薬液供給配管３２及び薬液吸引配管３３を介して図示しない薬液供給系及び薬液吸引系に、各々、連結しており、前記現像液吐出開口２２ａに連結する前記スリットノズル２４ａは、現像液をスリットノズル２４ａの長手方向に均一に拡散させるための液溜め２６を介して図示しない薬液供給系に連結している。
【００３９】
前記スキャンノズル２０の側面には、前記スキャンノズル２０の下面と前記基板ホルダー１２上に載置される半導体ウエハ１１の上面との間隔を測定するためにレーザー光を用いたギャップ測定機構４０が設けられている。
【００４０】
前記移動機構６０は、スキャンステージ６１を有し、前記ギャップ調整機構５０は、前記スキャンノズル２１の両端部に設けられ、前記スキャンノズル２１と一体で前記スキャンステージ６１上を水平方向に移動可能に取付けられている。
【００４１】
そして前記ギャップ調整機構５０は、ピエゾ素子を備えており、前記ギャップ測定機構４０による測定結果に基づいて、前記スキャンノズル２１の下面と前記基板ホルダー１２上に載置される半導体ウエハ１１の上面との間隔を所定値に調整するようになっている。
【００４２】
次に、本実施形態の現像装置を用いて、現像する方法について、図５及び図６を参照して説明する。
【００４３】
図５は、被処理基板におけるスキャンノズルによる薬液の吐出、吸引状態を模式的に示す模式図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、現像処理の各ステップを模式的に示す側面図で、（ａ’）、（ｂ’）、（ｃ’）、（ｄ’）は、上面図である。
【００４４】
まず、図５に示すように、被処理基板１１の被処理面に対して、前記スキャンノズル２１を近接配置し、中央の前記現像液吐出開口２２ａから現像液を吐出し、前記プリウエット吐出開口２２ｂからプリウエット液を吐出し、前記リンス液吐出開口２２ｃからリンス液を吐出すと共に、前記被処理面上に液盛りされた薬液を前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂで吸引をおこなう。前記現像液は、前記現像液吐出開口２２ａと両側の前記薬液吸引開口２３ａ及び２３ｂ間における前記スキャンノズル２１下面と前記被処理面との間隙を通して流れ、その領域間では、常に新鮮な前記現像液が供給され、フォトレジストが溶解した前記現像液は、直ちに、吸引されて取り除かれ、前記領域間には、常に新鮮な前記現像液が液盛りされた状態になる。
【００４５】
また、前記プリウエット液は、前記被処理面上に吐出された際、一部は前記プリウエット側の前記薬液吸引開口２３ａにより前記現像薬と共に吸引されるが、大部分は、前記プリウエット吐出開口２２ｂの前方側（移動方向側）の前記スキャンノズル２１下面と前記被処理面との間隙に吐出されてプリウエット処理、即ち被処理面の改質処理がおこなわれ、この改質処理後の前記プリウエット液は、前記スキャンノズル２１の移動により、直ちに、前記薬液吸引開口２３から吸引されて取り除かれると共に現像液に置換される。一方、前記リンス液吐出開口２２ｃから吐出された前記リンス液は、一部、前記現像液と共に前記薬液吸引開口２３から吸引されるが、他の大部分は、前記リンス吐出開口２２ｃの後方側（移動方向と反対側）の前記スキャンノズル２１下面と前記被処理面との間隙に吐出される。前記スキャンノズル２１の移動に伴い、前記現像処理された領域の前記現像液は、順次、前記薬液吸引開口２３ｂにて吸引されて取り除かれると共に、前記リンス吐出開口２２ｃから吐出された前記リンス液に置換されて前記薬液吸引開口２３ｂから吸引され、残りの前記リンス液は、前記スキャンノズル２１の移動後、前記被処理面に残され、最後に、前記被処理基板１１を回転させて除去することになる。
【００４６】
次に、被処理基板の現像処理は、まず、図６（ａ）に示すように、前記スキャンノズル２１が前記被処理基板１１に対して左側の前記基板ホルダー１２上にあるときに、上述したように、前記現像液吐出開口２２ａ、前記プリウエット液吐出開口２２ｂ及び前記リンス液吐出開口２２ｃから、各々、前記現像液、前記プリウエット液及び前記リンス液を前記基板ホルダー１２上に吐出すと共に、前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂにて前記基板ホルダー１２上に吐出された薬液を吸引させた状態にする。
【００４７】
前記基板ホルダー１２上での各薬液の流れが整った段階で、前記スキャンノズル２１を矢印方向（紙面上の左側から右側）に向かって移動を開始し、前記被処理基板１２上を通過（図６（ｂ）、（ｂ’））後、少なくとも前記被処理基板１１の右側の前記基板ホルダー１２上まで移動させる。
【００４８】
前記スキャンノズル２１の前記リンス液吐出開口２２ｃが被処理基板１１上を通過し、前記基板ホルダー１２に入った段階で、各薬液の吐出しを停止する（図６（ｃ）、（ｃ’））。
【００４９】
上記実施形態によれば、常に、新鮮な現像液が半導体ウエハ１１表面に直接供給され、更に、現像に使用した現像液は、直ちに吸引除去されるため、半導体ウエハ１１上において、現像液の濃度差が生じることがない。従って、パターンの疎密による仕上がり寸法の変動をほとんどなくすことができる。
【００５０】
次に、上記現像装置を用いて現像した実施例について記述する。
【００５１】
（実施例１）
まず、直径３０ｃｍの円形のＳｉウエハ上に反射防止膜を形成し、更に、１９３ｎｍ光に感光する化学増幅型フォトレジスト膜を形成した。次に、前記Ｓｉウエハ表面に、露光用マスクを介し１９３ｎｍで選択的に露光を行い、前記フォトレジスト膜中に酸を発生させた。更に、前記Ｓｉウエハを１４０℃で、６０秒の加熱を行い、酸を拡散させて潜像を形成した。
【００５２】
次いで、前記Ｓｉウエハ１１を前記基板ホルダー１２の前記凹部１３に収納した。
【００５３】
そして、図６（ａ）に示すように、前記基板ホルダー１２の一端部Ａ上において、前記スキャンのズル２１を前記基板ホルダー１２上に約５０μｍの間隔をもって配置し、前記現像液吐出開口２２ａ、前記プリウエット液吐出開口２２ｂ及び前記リンス液吐出開口２２ｃから、各々、前記現像液、前記プリウエット液及び前記リンス液を前記基板ホルダー１２上に吐出すと共に、前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂにて前記基板ホルダー１２上に吐出された薬液を吸引させた状態にし、各薬液の流れを調整する。
【００５４】
次に、前記基板ホルダー１２上での各薬液の流れが整った段階で、前記スキャンノズル２１を矢印方向（紙面上の左側から右側）に向かって移動を開始し、前記Ｓｉウエハ１１に対し、前記基板ホルダー１２の一端Ａから他端Ｂに向けて、前記スキャンノズル２１を一定速度で移動させて現像を行った。移動速度は１１ｍｍ／分である。前記現像液吐出開口２２ａと前記薬液吸引開口２３ａの間隔が５ｍｍで、前記間隔は前記現像液吐出開口２２ａの両側に有り、且つ前記現像液吐出開口２２ａの幅が１ｍｍであるので、前記スキャンノズル２１と前記Ｓｉウエハ１１表面との間で、現像液が存在している領域（前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂ間）は、移動方向と平行な方向において約１１ｍｍである。即ち、Ｓｉウエハ１１のある一点に注目した時に、その場所を現像液が通過する時間は１分であり、現像時間は１分と言うことになる。
【００５５】
前記スキャンノズル２１で現像を開始した時の前記Ｓｉウエハ１１の中央の位置にあるパターンの現像の様子は次のとおりである。前記スキャンノズル２１の移動開始１３分後、前記プリウエット液吐出開口２２ｂがパターンの上空を通過した。これより、前記フォトレジスト表面に前記プリウエット液が盛られた。
【００５６】
続いて、最初の前記薬液吸引開口２３ａが、その約１０秒後に前記パターン上を通過した。この時、前記フォトレジスト表面は、前記プリウエット液から現像液へと置換された。これにより、前記フォトレジストの現像が始まった。
【００５７】
その後、約３０秒後に、前記現像液吐出開口２２ａが前記パターン上空を通過し、更に、約３０秒後に、２番目の前記薬液吸引開口２３ｂが前記パターン上空を通過した。この時、前記フォトレジスト表面は、現像液からリンス液へと置換される。最初の前記薬液吸引開口２３ａの通過から２番目の前記薬液吸引開口２３ｂの通過まで現像が行われた。
【００５８】
そして、前記スキャンノズル２１の通過後は、リンス液が前記Ｓｉウエハ１１表面に盛られた状態となる。最後に、前記Ｓｉウエハ１１を回転させ、前記リンス液を除去し、乾燥させることで、所望のレジストパターンを形成することが出来た。
【００５９】
上記実施例よれば、従来問題となっていたパターンの疎密による仕上がり寸法の変動をほとんどなくすことができた。例えば、２ｍｍ角の矩形パタンの中央に線幅１００ｎｍ長さ２０μｍのラインが５本並んだラインアンドスペースパターンのラインアンドスペースパターンの中央のラインパターン寸法と、線幅１００ｎｍ長さ２０μｍのラインが５本並んだラインアンドスペースパターンだけ配置した場合の同じ場所の寸法は、従来２０ｎｍ程度の差が生じていたものが、本実施例では、２ｎｍ以下の寸法差であった。
【００６０】
また、実際のデバイス製作に用いるパターンで、特にパターンの疎密差の激しいパターンにおいても、面内すべてのパターンで所望値に対して±３％で寸法を制御することが可能になり、最終的に得られたデバイスの特性を飛躍的に向上できた。
【００６１】
（第２の実施形態）
直径３０ｃｍの円形のＳｉウエハ上に反射防止膜を形成し、更に、１９３ｎｍ光に感光する化学増幅型レジスト膜を形成した。前記Ｓｉウエハ表面に、露光用マスクを介し１９３ｎｍで選択的に露光を行い、前記レジスト膜中に酸を発生させた。更に、前記Ｓｉウエハを１４０℃で、６０秒の加熱を行い、酸を拡散させて潜像を形成した。
【００６２】
次いで、前記Ｓｉウエハ１１を前記基板ホルダー１２の前記凹部１３に収納した。
【００６３】
そして、図６（ａ）に示すように、前記基板ホルダー１２の一端部Ａ上において、前記現像液吐出開口２２ａ、前記プリウエット液吐出開口２２ｂ及び前記リンス液吐き出開口２２ｃから、各々、前記現像液、前記プリウエット液及前記びリンス液を前記基板ホルダー１２上に吐出すと共に、前記薬液吸引開口２３ａ、２３ｂにて前記基板ホルダー１２上に吐出された薬液を吸引させた状態にし、各薬液の流れを調整する。
【００６４】
次に、前記基板ホルダー１２上での各薬液の流れが整った段階で、前記スキャンノズル２１を矢印方向（紙面上の左側から右側）に向かって移動を開始し、前記Ｓｉウエハ１１に対し、前記基板ホルダー１２の一端Ａから他端Ｂに向かって、図１に示す前記スキャンノズル２１を変形したものを一定速度で移動させて現像を行った。
【００６５】
本実施例では、前記スキャンノズル２１における前記プリウエット（純水）走査面（前記プリウエット吐出開口２２ｂと前記現像液吐出開口２２ａの間の領域）を５ｍｍ、現像液走査面（前記現像液吐出開口２２ａと前記リンス液吐出開口２２ｃの間の領域）を５０ｍｍ、リンス液走査面（前記リンス液吐出開口２２ｃと前記スキャンノズル２１端までの距離）を１０ｍｍに、夫々、設定した。
【００６６】
また、前記スキャンノズル２１を固定した場合の各々の液の流速は500mm/secとした。これらの走査面は、前記Ｓｉウエハ表面に対して２００μｍ程度の間隙を介し対向している。
【００６７】
また、これら走査面の間には、撥水性のバリア壁が被処理基板表面に対し１００μｍ程度の間隙を介し対向するようにした。前記スキャンノズル２１の移動速度は10mm/secとした。
【００６８】
このような前記スキャンノズル２１で現像を開始したときの前記基板ホルダー１１の一端Ａから他端Ｂに向けて２０ｍｍの位置にあるパターンの現像の様子は次のとおりである。前記スキャンノズル２１の移動開始2秒後に、純水走査面がパターンの上空を通過した。これより0.5秒の間純水に表面が晒され、レジスト表面が親水性になった。
【００６９】
次いで、撥水性のバリア壁の通過に伴い前記レジスト表面に残存する水が吸着層を除き排出された。続いて現像液走査面がこのパターン上を５秒で通過した。現像時間は５秒程度であったが、現像液の流速が速いため、非常に早い現像速度を得ることができ、パターン形成することができた。
【００７０】
更に、前記パターン表面をリンス液走査面が通過し、現像液を置換し洗浄を十分に行うことができた。
【００７１】
この実施例では、被処理基板の任意の部分で、プリウエット−現像−リンスを同じ条件で行うことができ、被処理基板の面内加工（寸法）均一性を著しく向上させることができた。このときの加工精度は寸法としてすべてのパターンで所望値に対して±３％で行うことができ、最終的に得られたデバイスの特性を飛躍的に向上できた。
【００７２】
（第３の実施形態）
以下、上記実施形態の現像装置をフォトマスク基板の製造に適用した例について説明する。
【００７３】
ポジ型化学増幅レジストを５００ｎｍの厚さに塗布してあるＣｒマスクブランクスに、５０ｋｅＶの加速電圧を有した電子ビーム描画装置（東芝機械製、ＥＢＭ３０００）にて、０．１５μｍルールのラインアンドスペース系の１ＧＤＲＡＭのパターンを描画した。描画後、１１０℃で１５分間ベークを行なった。
【００７４】
次に、上記実施形態の現像装置に基板を載せ、一端Ａからそれに対向する他端Ｂにむけて前記スキャンノズルを一定速度で移動させて現像を行った。移動速度は１１ｍｍ／分である。現像液吐出開口２２ａと前記薬液吸引開口２３ａの間隔が５ｍｍで、それが前記現像液吐出開口２２ａの両側に有り、前記現像液吐出開口２２ａの幅が１ｍｍであるので、前記スキャンノズルと前記基板表面との間で現像液が存在しているのは移動方向と平行な方向において約１１ｍｍである。即ち、前記基板表面のある一点に注目した時に、その場所を前記現像液が通過する時間は、１分であり、現像時間は、１分と言うことになる。
【００７５】
次に、前記現像装置より前記基板を取り出し、レジストパターンをエッチングマスクとして反応性イオンエッチングによりＣｒ膜をエッチングした。エッチングに用いた装置はアルバック成膜製ＭＥＰＳ−６０２５である。エッチングガスには塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いた。その後、アッシング装置によりレジストを剥離し、洗浄機により洗浄した。
【００７６】
そして、形成したＣｒパターン寸法を寸法測定装置（Ｌｅｉｃａ製ＬＷＭ）により測定した。その結果、パターン寸法の平均値と目標寸法との差は５ｎｍ、Ｃｒパターン寸法の面内均一性は１０ｎｍ（3σ）であった。
【００７７】
次に、本発明の有効性を確かめる実験として、ニコン社製ＫｒＦスキャナーで出荷したマスクを用いて、ウエハ露光し、露光裕度の評価を行った。評価はデフォーカス量と露光量を変化させてウエハ上に形成したレジストパターン寸法をＳＥＭにより測定する事で行った。その結果、ウエハ上に形成したレジストパターン寸法の変動量が１０％以下になるデフォーカス裕度は０．４５μｍあり、その時の露光量裕度は１２％得る事が出来た。
【００７８】
上記実施例において、リンス液走査面もリンスの機能に応じて複数に分割してもよい。例えば、リンスにオゾン水、水素水を順次用いる場合、リンス液走査面をオゾン水走査面＋撥水壁＋水素水走査面として形成し、それぞれの処理時間に応じて走査面領域と流量を設定したノズルを用いればよい。
【００７９】
各々の流量も本実施例に示したように同じにするのではなく、個々で独立に設定しても良い。撥水壁の薬液分離性能に応じて適時変更してよい。また、流速、ノズル移動速度は必要とされるRPT（Raw process time）に応じて適時変更してよい。
【００８０】
なお、走査面間には撥水壁に限らず、隣接する液体が混合しない、あるいは混合しても各々の液体が所望の特性が得られる場合には壁材を任意に変えることができる。
【００８１】
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係わる現像装置における基板処理部の概略構成を示す一形態例である。図７において、図３〜図５と同一な部位には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８２】
本実施形態では、開口２２ｂと開口２２ｃとの間に位置する現像液吐出開口２２ａは、開口２２ｂと開口２２ｃの中点以外の位置に配置されている。本実施形態の場合、現像液吐出開口２２ａは、前記中点に対して移動方向前側に配置されている。なお、開口２２ｂ及び開口２２Ｃからは共に、リンス液が吐出される。
【００８３】
図１に示すように、基板ホルダー１３は、表面にウエハ７２が載置され、ウエハとほぼ同じ径のウエハ保持具７５と、ウエハ保持具７５及びウエハ７１の周囲を囲い、上下動する補助板７８とから構成されている。ウエハ７１の表面には感光性薄膜７２が形成されている。補助板７８の表面を感光性薄膜７２の表面と同じにして、薬液吸引開口２３から薬液を吸引する際、ウエハ面内で等しい吸引力が働くようにする。
【００８４】
図８に各開口の拡大図を示す。現像液吐出開口２２ａと薬液吸引開口２３ａとの距離を３ｍｍ、現像液吐出開口２２ａと薬液吸引開口２３ｂとの距離を１７ｍｍとした。従って、現像液吐出開口２２ａから吐出された現像液はその両側に配置された薬液吸引開口２３ａ，２３ｂへと向かう流れを作り、その領域においてのみ現像処理が行われる。
【００８５】
スキャンノズル２１内部のスリットノズル、及び液溜め内の薬液はヒーターで温調可能な構造となっている。スキャンノズル２１下面と感光性薄膜７２との距離を約１００μｍに設定した。スキャンノズル２１にはリンス液吐出開口２２ｂ，２２ｃが具備されており、現像液７３が流れを作る領域の周辺をリンス液７４で覆うことが可能である。
【００８６】
図示されないノズルの制御系で現像液吐出流量、現像液吐出時間、吸引流量、吸引時間、リンス液吐出量、吐出時間、スキャンノズル移動速度、スキャンノズル内ヒーターの温度等を制御するものである。
【００８７】
次にウエハ上に現像液を供給する具体的方法を示す。加工しようとする下地膜上に０．４μｍ厚のレジスト等の感光性薄膜７２が形成されたウエハ７１にＫｒＦエキシマーステッパーによりクロムマスクを介して露光し、感光性薄膜７２に潜像を形成した。そのウエハ７１をウエハ保持具７５で水平に保持し、ウエハ全面に液供給可能なスキャンノズル２１を端部上方のイニシャルポジションに動かす。現像液７３は、ＡＤ−１０（多摩化学製：規定度０．２７Ｎ）を使用した。現像液吐出開口２２ａ−薬液吸引開口２３ａ間に流れる現像液の流速と、現像液吐出開口２２ａ−薬液吸引開口２３ｂ間に流れる現像液７３の流速とが等しくなるように、薬液吸引開口２３ａ及び薬液吸引開口２３ｂから吸引される薬液の量をそれぞれ調整した。露光された感光性薄膜７２の現像液７３に対する溶解速度は０．０５μｍ/ｓｅｃである。感光性薄膜の厚さが０．４μｍ厚なので約８ｓｅｃで感光性薄膜が溶解して、下地基板が露出する。
【００８８】
次に図９を用いて図７に示したスキャンノズルによる現像方法を示す。図９は、図７に示すスキャンノズルを用いた現像工程を示す平面図である。
まず、ウエハ７１をウエハ保持具７５で保持し、補助板７８を感光性薄膜７２面と同じ高さにした。スキャンノズル２１をウエハ７１主面上のイニシャルポジションに移動させた後、リンス液吐出開口２２ｂからリンス液を吐出させ、補助板７８及び感光性薄膜７２の表面がリンス液７２で満たされた状態とした。スキャンノズル２１をウエハ主面上端部からギャップ１００μｍを保ちながら速度０．５ｍｍ/ｓｅｃで走査させると同時に、現像液吐出開口２２ａから現像液の吐出、並びに薬液吸引開口２３による吸引を開始させた。現像処理開始から処理終了までの間、リンス液吐出開口２２ｂ，２２ｃは、常にリンス液を吐出している状態である。薬液吸引開口２３ａから薬液吸引開口２３ｂまでの長さが２０ｍｍであるので、実効的な現像時間はウエハ上のすべての点において４０ｓｅｃである。
【００８９】
現像反応の進行と共に、感光性薄膜が溶解し凹部が形成される。この凹部に、現像反応により生成される溶解生成物や濃度の薄くなった現像液が残留する事になる。溶解生成物及び濃度の薄い現像液は、現像反応の進行を阻害して、パターン疎密による寸法差が生じる。以下では、溶解生成物及び濃度の薄い現像液を併せて、現像阻害物と記す。
【００９０】
本実施形態においては、現像液が、現像液吐出開口２２ａから下地基板に向けて約６ｍ/ｓｅｃという非常に早い速度をもって吐出されている。従って、凹部内に残留する溶解生成物や濃度の薄くなった現像液は、現像液吐出開口２２ａから吐出された新鮮な現像液の勢いで攪拌される。攪拌により、現像阻害物が凹部外にかき出される。かき出された現像阻害物は、現像液の流れにのって、薬液吸引開口２３ａ，２３ｂから吸引されて、最終的には基板上から除去される。
【００９１】
現像阻害物の発生量は、現像反応の進行に伴って多くなるため、パターン疎密による寸法差を低減するには現像の初期段階において、現像阻害物の効率的除去、または攪拌（均一化）を施す必要がある。なお、ここで現像の初期段階というのは、現像反応開始から感光性薄膜が溶解して下地基板表面が露出する直前程度までの時間の事である。
【００９２】
一般にレジストの溶解特性等によってパターン疎密に因る寸法差を最も小さくするタイミングは異なる。現像の初期段階に、現像液の吐出による攪拌を行うと、最もパターン疎密に因る寸法差が小さくできる実験事実がある。この実験事実から、以下のように現像条件を、レジスト膜厚０．４μｍ、レジスト溶解速度０．０５μｍ/ｓｅｃ、薬液吸引開口２３ａと現像液吐出開口２２ａとの距離３ｍｍ、ノズルのスキャン速度０．５ｍｍ/ｓｅｃと設定した。
【００９３】
現像液の吐出による攪拌は基板上のあらゆる点において薬液吸引開口２３ａ通過後、６ｓｅｃ（＝３［ｍｍ］/０．５［ｍｍ/ｓｅｃ］）後に現像液吐出開口２２ａが通過する。そのため現像開始後約６ｓｅｃ後に現像阻害物の攪拌、除去が行われることになり、露光部のレジストが溶解して下地基板が露出する時間(約８ｓｅｃ)よりも早い段階で攪拌が行われる。用いられたレジストにおいてはこのタイミングで攪拌するのが望ましかった。
【００９４】
ノズルがウエハ面上を横切った後、充分リンスを行い、その後基板を乾燥させレジストパターン形成を完了した。
【００９５】
形成されたレジストパターンをＣＤ−ＳＥＭにて寸法測定行ったところ、０．１３ｍｍの孤立ライン、ラインアンドスペース、孤立スペースのそれぞれの寸法差が面内平均で約４ｎｍと従来の値（約１５ｎｍ）に比べて大幅に低減することができた。
【００９６】
本実施形態の場合、現像液吐出開口２２ａと薬液吸引開口２３ａとの距離、現像液吐出開口２２ａと薬液吸引開口２３ｂと距離をそれぞれ３ｍｍ、１７ｍｍとしたが、必ずしもその値に限定されるものではない。被処理膜の厚さや溶解速度、現像液の吐出圧やノズルと被処理基板とのギャップといった現像条件によって最適値は異なるので、それぞれにあわせて最適な長さのものを用いるのが望ましい。
【００９７】
又、現像開始（薬液吸引開口が通過して）から攪拌までのタイミングはレジストの溶解特性によって異なるため、適宜適当な時間を選択する必要がある。スキャン速度、現像液吐出量、左右の現像液吸引量を変えることにより選択する場合もありえる。
【００９８】
又、本実施形態についてはウエハの現像に関し適用例を示したが、ウエハの現像だけに限定されるものではない。例えばウエハのウエットエッチングや半導体製造用のフォトマスク製作プロセスにおける基板上の感光性膜の現像、ウエットエッチング、洗浄、及びカラーフィルター製作プロセス、及びＤＶＤ等のディスクの加工プロセスにおける現像等においても適用可能である。
【００９９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【０１００】
例えば、上記実施形態においては、薬液吐出開口及び薬液吸引開口とを１個、配置したが、前記薬液吐出開口及び前記薬液吸引開口とを、２つ以上、交互に配置しても良い。
【０１０１】
また、上記実施形態においては、スキャンノズルにプリウエット液吐出開口及びリンス液吐出開口を一体に設けたが、前記プリウエット液及びリンス液は、前記スキャンノズルとは別個に、スプレーノズル等により半導体ウエハ上に供給するようにしても良い。
【０１０２】
更に、基板ホルダーに凹部を設けて、被処理基板を収納するようにしたが、前記基板ホルダー上面を平坦面に形成し、該平坦面に前記被処理基板を載置するようにしても良く、更には、該被処理基板の周囲に前記被処理基板と同じ厚みを有する補助板を配置しても良い。この場合、前記補助板としては、被処理基板の処理面と略同じ表面状態となるように加工を施すことが望ましい。
【０１０３】
更に、また、被処理基板は、真空チャックによって保持しても良い。
【０１０４】
更に、また、本発明は、大気中のみならず、液体中の処理も可能で、被処理基板を所望の液体中に浸した状態で実施しても良い。
【０１０５】
更に、また、本発明は、上記実施形態の現像装置及び現像方法に限定されず、フラットパネルディスプレイ製造工程や、フォトマスク製造工程等において、レジスト剥離、表面自然酸化膜除去、洗浄などあらゆるウエットプロセスに適用できる。
【０１０６】
【発明の効果】
上記から明らかな如く、本発明によれば、薬液吐出開口から連続的に吐出された薬液を、隣接する薬液吸引開口から連続的に吸引することより、薬液吐出／吸引部と被処理面との間で、且つ前記薬液吐出開口と前記薬液吸引開口との領域における間隙には、新鮮な薬液が常に供給され、薬液処理が行なわれた薬液は直ちに吸引して取り除くことで、被処理面上における薬液の濃度差をなくすることができ、高精度の薬液処理が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わる現像装置の模式的に示す模式図で、（ａ）は、移動方向から眺めた正面図、（ｂ）は、側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係わる現像装置における基板ホルダーを示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係わる現像装置におけるスキャンノズルを示す図で、（ａ）は、上方向から眺めた上面図、（ｂ）は下方向から眺めた下面図、（ｃ）は、（ａ）のＡ―Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】図３（ｃ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】本発明の実施形態の現像装置において、処理基板におけるスキャンノズルによる薬液の吐出、吸引状態を模式的に示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係わる現像装置による現像プロセスを示す図である。
【図７】第４の実施形態に係わる現像装置におけるスキャンノズルの概略構成を示す一形態例を示す図。
【図８】第４の実施形態に係わる現像装置におけるスキャンノズルを下方向から眺めた平面図。
【図９】図７に示すスキャンノズルを用いた現像工程を示す平面図。
【符号の説明】
１０…基板保持機構
１１…被処理基板（半導体ウエハ）
１２…基板ホルダー
１３…凹部
２０…薬液吐出／吸引機構
２１…薬液吐出／吸引部（スキャンノズル）
２２…薬液吐出開口
２２ａ…第１の薬液吐出開口（現像液吐出開口）
２２ｂ…第２の薬液吐出開口（プリウエット液吐出開口
２２ｃ…第３の薬液吐出開口（リンス液吐出開口）
２３、２３ａ，２３ｂ…薬液吸引開口
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２５ａ、２５ｂ…スリットノズル
２６…液溜め
３０…薬液供給／吸引系
３２…薬液供給配管
３３…薬液吸引配管
４０…ギャップ測定機構
５０…ギャップ調整機構
６０…移動機構
６１…ステージ
１００…現像装置

Claims (19)

1. 被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、
   前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と被処理基板上の薬液を吸引するための第１及び第２の薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出・吸引機構と、
   前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させる移動機構とを具備し、
   前記薬液吐出／吸引部は前記被処理基板と対向する平面を有する部材を有し、
   前記薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口は、前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から、第１の薬液吸引開口、薬液吐出開口、第２の薬液吸引開口の順に前記部材の前記平面に配置されてなることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記薬液吐出開口は、前記二つの薬液吸引開口の中点位置以外の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記薬液吐出開口は、前記二つの薬液吸引開口の中点位置より前記薬液吐出／吸引部の移動方向前側に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、
   前記被処理基板に対して薬液を吐出するための第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記被処理基板上の薬液を吸引するための第１及び第２の薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出・吸引機構と、
   前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平に移動させる移動機構とを具備し、
   前記薬液吐出／吸引部は前記被処理基板と対向する平面を有する部材を有し、
   前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口は、前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から第１の薬液吐出開口、第１の薬液吸引開口、第２の薬液吐出開口、第２の薬液吸引開口、第３の薬液吐出開口の順に前記部材の前記平面に配置されてなることを特徴とする基板処理装置。
5. 第２の薬液吐出開口は、前記二つの薬液吸引開口の中点位置以外の位置に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 第２の薬液吐出開口は、前記二つの薬液吸引開口の中点位置より前記薬液吐出／吸引部の移動方向前側に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板の被処理面との距離を測定するためのギャップ測定機構と、前記ギャップ測定機構から得られる距離を所定値に保つためのギャップ調整機構とを、更に具備してなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記基板保持機構は、真空チャックであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して、薬液吐出開口、第１及び第２の薬液吸引開口が前記被処理面と対向する薬液吐出／吸引部の同一平面に形成され、前記薬液吐出／吸引部の前記薬液吐出開口から薬液を連続的に吐出すると共に、前記薬液吐出開口を挟むように前記平面上に配置された前記第１及び第２の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを前記第１及び第２の薬液吸引開口並びに前記薬液吐出開口の配列方向に相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理面との間で、且つ前記薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口との間の領域における間隙には、常に新鮮な薬液を供給してなることを特徴とする基板処理方法。
10. 前記薬液吐出／吸引部の移動方向前側に配置された薬液吸引開口が通過してから該薬液吐出開口通過するまでの時間Ａと、該薬液吐出開口が通過してから前記薬液吐出／吸引部の移動方向後ろ側に配置された薬液吸引開口が通過するまでの時間Ｂとが異なることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
11. 時間Ａを時間Ｂより短く設定することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記薬液として、現像液或いはエッチング溶液を用いることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
13. 時間Ａは被処理膜が溶解し下地基板表面が露出するまでの時間よりも短いことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
14. 被処理基板上の被処理面を改質した後、前記薬液処理をおこなうことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
15. 被処理基板に対して薬液を吐出するための第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記被処理基板上の薬液を吸引するための第１及び第２の薬液吸引開口とを、薬液吐出開口と薬液吸引開口が交互となるように前記被処理基板と対向する薬液吐出／吸引部の同一平面上に配置し、前記薬液吐出／吸引部を被処理面が略水平に保持された前記被処理基板上に配置し、前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口から薬液を前記被処理基板に対して連続的に吐出すると共に、前記第１及び第２の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口並びに前記第１及び第２の薬液吸引開口の配列方向に相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理面との間で、且つ前記第１、第２及び第３の薬液吐出開口と前記第１及び第２の薬液吸引開口との間の領域における間隙には、常に新鮮な薬液を供給してなることを特徴とする基板処理方法。
16. 前記薬液吐出／吸引部の移動方向前側に配置された薬液吸引開口が通過してから該第２の薬液吐出開口通過するまでの時間Ａと、該第２の薬液吐出開口が通過してから前記薬液吐出／吸引部の移動方向後ろ側に配置された薬液吸引開口が通過するまでの時間Ｂとが異なることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 時間Ａを時間Ｂより短く設定することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記薬液として、現像液或いはエッチング溶液を用いることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
19. 時間Ａは被処理膜が溶解し下地基板表面が露出するまでの時間よりも短いことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。

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