TW573314B - Patterning method - Google Patents

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Description

573314 A7 B7 五、發明説明（i ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於一種基底圖型化之方法。尤其是，本 發明之方法係有關於將基底圖型化而在基底上面設置諸如 薄膜電晶體（TFT)及/或電光裝置之電子裝置。 光蝕刻術目前被廣泛使用在電子裝置之大量生產並達 成非常高之解析度與圖像重合。在光蝕刻術中，在一基底 上設有一旋轉塗覆之光抗蝕層並以具有一直線校準器或步 進器之藍光或紫外線加以曝晒，該直線對準器或步進器使 主體上之圖型對準基底，對主體包含一光罩或網線。然後 將所曝晒之光抗鈾劑發展成在基底上設置光抗蝕劑之圖型 。通常這接著以一種蝕刻或沈積程序使一目標性材料形成 圖型。以曝晒光線之波長與直線對準器或步進器之光加以 決定由光蝕刻術所達成之解析度。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 目前，不只小型積體電路，而且非常大型之主動矩陣 式顯示器皆使用這光蝕刻技術。例如，主動矩陣式之液晶 顯示（L C D )面板之薄膜電晶體（T F T )陣列需要比 5 0 c m2大之基底。因T F T之通道長度理想上應小於 2 Ο μ m，故尤其需要高解析度與圖像重合加以生產 T F T陣列之L C D面板。然而，已經發現這種大型基底 易於彎曲，難以提供充份正確之解析度與圖像重合。而且 ，必須實施光蝕刻程序數次，製成一完整裝置且這更難以 重複具有充份準確性之圖像重合。然而，製造商經常使用 一具有充份高解析度及精確圖像重合機構之單一直線對準 器，不只供通道之形成而且供其它之圖型化步驟用。這種 直線對準系統昂貴。而且，使用這種直線對準器之製程亦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐1 -4 - 573314 A7 B7 五、發明説明（2 ) 昂貴，故提高了LCD面板之製造成本。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了降低使用光蝕刻術所需之成本。已提議各種非光 蝕刻法之圖型化程序。例如，已發現微接觸印刷及微鑄塑 技術可使用圖型化特性尺寸小至1 # m。這些技術使用彈 性橡膠戳印加以印刷，俾能在戳印與基底之間提供良好接 觸。然而，由於其彈性，戳印變成扭曲，使主戳印難以對 準基底上之圖型。因此，這些技術尤其與那些供L C D面 板使用之大型基底，在正確圖像重合上具有困難之顯著缺 點。 個人列印現在廣泛使用噴墨列印技術。這達成接近照 相等級之非常高的印刷品質。噴墨印刷亦已證明爲製造電 子裝置之一'種有HU途技術，S亥電子裝置如供液晶顯不器及 全彩電致顯示器用之濾色器。爲完成這種電致顯示器，使 用一種噴墨印刷技術，沈積不同之共軛聚合體，在顯示器 中提供三種顏色（藍、綠，及紅）。 經濟部智葸財產局Μ工消費合作社印製 噴墨技術先前已被認爲相較之下是低解析度之圖型化 技術且因此先前已被認爲噴墨印刷不適於生產T F T。這 是因爲要達成夠高之汲電極，有機聚合體TFT需要通道 長度小於2 0 // m。要使用噴墨技術生產這種T F T必須 將源極、汲極與閘極電極印刷在基底上。源極與汲極電極 間之間隙必需非常小，因這間隙界定T F T中之通道。因 聚合體半導體之載子移動性低，爲達成實際之特性，如以 上所示，這間隙應小於2 0 // m。 然而，由於印刷程序中之波動，目前單是由噴墨印刷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇>< 297公釐） -5- 573314 A7 _ B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在固態基底上所達成之解析度不夠高到足以將之間具有一 適當小間隙（通道長度）之源極與汲極電極圖型化。尤其 是，油墨液滴飛噴方向不永遠完全垂直於噴出噴墨之噴墨 印刷頭之噴嘴板平面，造成圖型化之錯誤。而且，噴出液 滴散佈在它所噴出基底之表面上。液滴散佈量分別爲固態 基底與液態液滴之表面能量與介面能量之函數。然而，在 固態表面之表面能量與介面能量中具有波動。這造成沈積 在基底上分別液滴之大小變動。因此，兩沈積液滴間之間 隙寬度，且因此所印刷T F T之通道長度係可變動的，在 最差狀況，於源極與汲極電極間形成短路。 儘管如此，先前已經以噴墨沈積法加以製造所有聚合 體T F T。在這種製造中，源極、汲極與閘極電極係由導 電聚合體，PEDOT (來自拜耳（Bayer )拜特隆（ Baytron ) ： POL Y-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE )所形成 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 ，並使用噴墨技術加以沈積。爲得到令人滿意之通道寬度 ，可結合噴墨印刷與預先圖型化之濕潤特性。這使用親水 性與疏水性基底區之圖型，允許控制基底上墨液之流動。 如第8 ( b )圖中所示，以光蝕刻術，微接觸印刷，微鑄 塑印刷或感光濕潤度之圖型化可在一玻璃基底1 〇 〇上首 先形成一非濕潤的或疏水性的聚醯亞胺（P I )擋水條 1 0 2。這擋水條1〇2，如第8 ( a )圖中所示，界定 TFT之通道106，擋水條102寬度爲通道106之 長度L。對於P E D〇T溶液，基底1 〇 〇之剩下區域爲 親水性的或濕潤的。然後使用一噴墨印刷頭，將 本纸張尺度適用中i國家標準（CNS)A4規格（2i〇x297公釐）" -6- 573314 A7 ____B7 五、發明説明（4 ) P E D〇T之水溶液沈積在玻璃基底上，可形成源極與汲 極電極。P E D〇丁溶液在p I擋水條上展現出約7 〇。 之相當高的角度，並在玻璃區上展現出小於2 〇。之小接 觸角。因此，當沿擋水條1 〇 2沈積P E D〇T溶液之液 滴1 0 4時，液滴散佈在全基底1 〇 〇卻爲擋水條1 〇 2 所擋退。因此限制基底1 〇 〇上之溶液1 〇 4散佈在整條 擋水條1 0 2，而代以沿擋水條1 〇 2之側邊加以對準。 使用這自我直線對準機構，能達成通道長度L小於2 0 // m並小如5 // m之源極1 〇 8與汲極1 1 0電極。 實際上，先前已經使用光蝕刻術加以形成P I擋水條 。然而，使用蝕刻術需要許多步驟，包含應用鉛字，塗覆 抗蝕劑，對準光罩，曝晒，烘烤，顯像，鈾刻及剝離。因 此使用蝕刻術顯著增加處理成本並超過噴墨印刷之益處。 也可使用微接觸印刷及具有例如由P D M S (聚二甲基矽 氧烷）製成之彈性戳印（鑄模）的微鑄塑印刷供預先之圖 型化，但以上討論之彈性戳印的扭曲與變形會變壞圖像重 合之正確性。作爲一替代方法，最近發展之感光濕潤度圖 型化方法因預期涉及比蝕刻術較少之步驟數，故顯得有前 途。然而，這方法尙未被適當建立。尤其是，這方法技術 之現時狀態中，在實際應用上光源波長太短且方法之敏感 度太低。 因此，無適當技術可以有效成本方式，一致提供夠小 之通道長度。 根據本發明第一觀點，提供一基底之圖型化方法，該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -J— I tj . 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 573314
經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 第 1 〇 U)至 1 〇 (e)| 電 晶 體 之 方 法； 第 1 1 圖表示一電光 第 1 2 圖表示包含- 它 裝 置 之 — 行動個人電腦 第 1 3 圖表示包含一 它 裝 置 之 — 行動電話的示 第 1 4 圖表示包含- 它 裝 置 之 — 數位相機的示 主 要 元 件 對 照表 1 0 0 玻璃基底 1 0 2 擋水條 1 0 6 通道 1 〇 4 液滴 1 0 4 溶液 1 〇 8 源極 1 1 0 汲極 1 基底 1 0 液滴 1 6 殘餘物 1 4 脊線 1 2 薄層 1 6 液滴 1 2 薄膜 蝕刻劑 ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -9 - 573314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 7 2 噴墨印刷頭 2〇 液滴 2 2 間隔層 4 0 液滴 4 2 沈積膜 2 2 沈積膜 5 0 流體流 52 蒸發效應 54 體積效應 6 6 對準層 16 擋水條 6 〇 源 極 6 2 汲 極 6 8 半 導 體 層 7 〇 絕 緣 層 6 4 閘 極 電 極 9 〇 相 互 連 結 2 〇 〇 顯 示 裝 置 2 0 1 像 素 2 〇 2 薄 膜 電 晶 體 2 〇 3 薄 膜 電 晶 體 2 〇 4 電 光 元 件 2 〇 5 驅 動 電 路 2 〇 6 驅 動 電 路 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .1^衣· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -10- 573314 A7 B7 五、發明説明（8 3 3 〇 〇 個 人 電 腦 〇 4 本 體 0 2 鍵 盤 0 6 顯 示 單 元 0 0 可 攜 式 電 s舌 〇 2 操 作 鍵 0 4 耳 機 〇 6 受 話 器 0 顯示 面板 0 0 數 位 靜 態 相 0 〇E L 元件 0 2 機 殻 〇 顯示 面 板 0 4 驗 光 單 元 0 8 電 路 板 1 2 視 訊 輸 出 端 1 4 輸 入 / 輸 出 3 0 電 視 監 視 器 4 〇 個 人 電 腦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局B(工消費合作社印製 本發明提供一種高解析度之圖型化技術，該技術不 光蝕刻術或類似之程序。簡言之，本發明一觀點中，預 圖型化係由一第一材料所形成，將例如爲溶解在一溶劑 之有機聚合體的第一材料以溶液液滴之形式沈積在一基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 規格（210X 297公釐） -11 - 573314 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 上。爲此目的已發現適合使用一噴墨印刷頭。沈積在基底 上之液滴會加以散佈，散佈程度係由以上討論之參數加以 決定。然而，制定出包含第一材料之溶液，使得當溶劑蒸 發且液滴乾化留下第一材料之殘餘物時，所沈積液滴之周 長針對基底保持固定。此後這將被稱爲針點接觸線沈積且 將更詳述如下。針點接觸線沈積造成第一材料之環形沈積 ，其中，液滴中之大半溶解物聚集在接觸線上並沈積在此 。因此，第一材料之乾化殘餘物包含佈置在邊緣四周之脊 線及中心區中之一薄膜。比較液滴之直徑，脊線寬度狹窄 並可控制這寬度。脊線寬度可以溶液粘度或溶液之乾化速 度加以控制。溶液粘度可以溶液中有機聚合體材料之濃度 加以改變。因此藉控制有機聚合體溶液之濃度可控制脊線 寬度。當然溶液之粘度另外依溶劑粘度而定。如以下說明 中，明顯地，一相當低之濃度及因此相當稀之溶液將提升 至一相當狹窄之脊線且針對本發明方法中之優點可使用這 種特性。使用低粘度溶劑亦可得到這種狹窄脊線。而且， 如使用一蒸發性溶劑，在溶液上提供一種可爲加熱氣流之 氣流，或對上面已沈積有液滴之基底加熱而使溶液乾化相 當快時，可達成一狹窄脊線。自然地，可使用以上技術之 任何組合加以控制溶液之乾化速度及/或粘度。 爲了移除中心區之薄膜並在基底上留下一狹窄脊線， 這沈積步驟後接著濕式或乾式蝕刻。因脊線切面形狀實質 上爲三角形，故脊線寬度可進而以蝕刻程序加以控制。然 後以液滴形式沿脊線任一邊將溶液中一第二材料加以沈積 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -12- 573314 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。爲此目的，已再次發現適合使用一噴墨印刷頭。針對第 二材料溶液，基底或下層結構係濕潤的而針對第二材料之 溶液，第一材料之脊線係非濕潤的，那就是，它檔退了第 二材料溶液。結果，第二材料溶液之各液滴沿著脊線各邊 對準它本身並沿著該各邊加以乾化形成一層第二材料。 最後，第二材料之沈積程序後可接著一移除第一材料 脊線之程序。爲完成這個，可將一溶劑滴入基底，只加以 溶解第一材料。這在基底上留下一層第二材料，形成兩部 位，其間具一狹窄間隙。該間隙以第一材料之脊線寬度加 以界定。 可應用這種程序形成一TFT通道，該通道需要在源 極與汲極間有一狹窄間隙。適當地選擇第一材料溶液濃度 ，第一材料溶液之乾化條件及蝕刻程序之條件可控制通道 長度。使用以上所提之圖型化方法可達成大小爲5 # m之 通道長度。 現在將更詳述本發明之各種觀點。第1圖表示根據本 發明一圖型化方法之流程。如第1 ( a )圖中所示，將— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一有機或無機材料之溶液以液滴1 〇之形式沈積在基底 1上。第一有機或無機材料之作用係在基底1上提供一種 預先圖型，該圖型對於稍後階段被沈積在一第二標的材料 之溶液具有特別之濕潤特性。對於第二標的材料溶液，第 一預先圖型化材料從基底1具有不同之濕潤特性。 當需要一第二材料圖型在那裡形成一小間隙時，第一 預先圖型化材料對於第二材料溶液，應比基底更具排拒性 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -13- 573314 Α7 Β7 五、發明説明（Μ 。虽需要一弟一材料圖型形成一狹窄線時，第一預先圖型 化材料對於弟一材料溶液，應比基底更濕潤。爲便於說明 起見’後續說明將主要朝向需要一第二材料圖型在那裡形 成一小間之情況。然而，這不應被看成限制本發明之範 圍。 因此，第二 可使用疏水性 材料爲P E D〇T且其溶液爲一水溶液時 材料作爲第一預先圖型 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 苯乙燒爲一典型疏水材料。然而，含非 水特性而當在一極性溶 於作爲第一預先圖型化 在第~材料與基底之間 親水性的，因此，對於 供這親水性表面，在沈 1，例如曝晒至◦ 2電漿 型化材料溶液所沈積之 (b )圖中所示，分別 能量密度）與基底1以 (介面解放能量密度） 與聚合體表示疏 材料溶液時即適 材料溶液，爲了 比，基底1應爲 濕潤表面。爲提 材料前可將基底 第一預先圖 個基底1且第1 張力（表面解放 1間之介面張力 爲第一材料選擇一非極性材料且爲第 化材料。例如，聚 極性群族之化學物 劑中使用第二標的 材料用。對於第二 達成一大濕潤度對 極性溶劑，提供一 積第一預先圖型化 〇 液滴1 〇散佈在整 由液滴1 0之表面 及液滴1 0與基底 加以決定直徑。在 材料選擇溶劑之情 況中，溶液之表 )。這在液滴1 觸角，並在基底1上形成一大直徑之液滴10。這接觸角 小於3 0 ° 。 在液滴1 0中之溶劑已蒸發後，沈積在基底上第一材 面張力通常爲小（約2 之上表面與基底1之 〇 〜3 0 m J / m2 表面間形成一小接 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -14- 573314 A7 B7 五、發明説明（12) 料之殘餘物1 6的切面外形則未在預期當中。可預期之外 形非爲半圓形，如第1 ( c )與2 ( a )圖中所示，爲一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 環形，其中，大部份第一材料係沈積在邊緣而少量第一材 料則沈積在中心區。另言之，圍繞四周形成一脊線1 4並 在中心區形成一薄層1 2。將如更加詳細之討論，優先選 擇一小接觸角，取得圍繞在乾化液滴1 0四周所佈置之顯 著脊線1 4。 在只有沈積一液滴1 0於基底1處，脊線1 4實質上 爲圓形。然而，假如在基底1與諸如爲噴墨印刷頭2之液 滴1 0的分配器之間以相對位移沈積多個液滴1 0 ,則可 得到如第2 ( a )圖中所示之長圓形。 因乾化液滴1 6中心區包含一薄膜1 2，在第一預先 圖形化材料之乾化液滴1 6之整個區域中，對於第二材料 溶液之乾化液滴1 6的濕潤度，係固定的。然而，如第1 (d )圖中所示，使用一乾式或濕式蝕刻程序，然後加以 蝕刻第一預先圖型化材料之乾化液滴1 6，移除中心區之 薄膜1 2。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 應注意的是，這蝕刻程序中所選用之蝕刻劑3 0之化 學特性可顯著影響基底1與第一預先圖型化材料之乾化液 滴1 6的濕潤特性。因此，蝕刻程序中之許多變動是可能 的。然而，舉一簡例，可以如氦，氖，氬，氪，氙惰性氣 體或氮之電漿加以實施乾式蝕刻。基底1與乾化液滴1 6 之各濕潤度不爲惰性氣體電漿之蝕刻所影響。因此，對於 第二材料溶液，如果基底1起初具一濕潤表面，且第一預 本紙張尺度適用中國國家標準「CNS ) A4規格（210X 297公釐) -15- 573314 A7 B7 五、發明説明（13) 圖型化材料之乾化液滴1 6起初具一排拒表面，則在這 刻程序後保持這些特性。 如第1 ( e )與2 ( b )圖中所示，決定包含蝕刻時 ，電力密度與主動分子密度之蝕刻程序的參數，俾能完 移除乾化液滴1 6中心區之薄膜1 2，但保持基底1上 線1 4之部份鈾刻部位。因此，除提供排拒表面之狹窄 線14外，曝晒基底1之整個表面。因此，界定在基底 濕潤表面上包含狹窄非濕潤脊線1 4之對比圖型之濕潤 如以下之說明，可以第一預先圖型化材料溶液之沈積 件加以控制脊線1 4之寬度。然而，包含選取鈾刻劑 0之蝕刻選取參數亦影響脊線1 4之寬度。例如，當倉虫 時間增加時，脊線1 4寬度變窄。因此，利用沈積條件 蝕刻參數之最佳化可能一致完成比5 // m更窄之線。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 先 蝕 間 全 脊 脊 1 度 條 3 刻 與 線 1 1 溶 線 對 時 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在這蝕刻程序後，例如使用一噴墨印刷頭2，如第1 f )圖中所示，以一或更多第二液滴2 〇之形式，沿脊 1 4沈積第一標的材料溶液。第二液滴2 〇著陸在基底 並散佈在基底1上，遍及第一預先圖型化材料之脊線 4邊緣。因爲狹窄之脊線1 4排拒溶液，故將第二材料 液侷限在曝晒基底1上之濕潤區中。因此，基底丨與脊 1 4間之濕潤度對比使第二材料溶液沿著脊線丨4邊緣 準。當在脊線1 4兩邊上形成第二材料溶液之液滴2〇 ’如第1 ( g )與2 ( c )圖中所示，在他們之間形成 狹窄間隙。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 573314 A7 ____ B7 五、發明説明（14) 如第2 (c)圖中所示，在這實例中，形成長圓形之 脊線1 4且只使用脊線丨4之一部份供預先圖型化。這適 於形成具有一短通道長度T F τ之源極與汲極電極。然而 ，對那些精於本技術者而言，明顯地，可得到不同形狀之 脊線並依本發明想要之申請而定，選擇脊線1 4之其它部 位或全部供預先圖型化。 一乾化後，第二液滴2 0形成第二標的材料之間隙層 2 2。如第1 ( h )圖中所示，乾化後各具一台面形切面 外形之第二標的材料之間隔層2 2，如以下之更詳細討論 ，可適當選擇，例如，第二材料溶液之濃度而得到。如圖 中所示，在兩層膜2 2之間有一狹窄間隙，由於以上所討 論之變動，使用習知噴墨技術無法一致達成這間隙。然而 ，以本發明之方法可得到一致，狹窄之間隙。而且，不需 蝕刻技術。因此可以低成本使用本發明之方法，且本方法 適用於蝕刻圖型化特別昂貴之大基底。 而且，例如在第一預先圖型化材料溶劑中浸漬基底1 可移除脊線1 4。因第二標的材料不溶於第一材料溶劑， 故它不受這一種剝離程序之反影響。移除脊線i 4後，第 1 ( i )與2 ( d)圖表示第二標的材料之一完整圖型。 第一預先圖型化材料之乾化液滴1 6形狀與第二標的 材料層2 2之形狀受許多因素影響，如現在之說明，包含 各材料溶液性質與乾化條件因素。當將一液滴積沈在一基 底上時，如第3圖中所示，至少有三種沈積模式，各種模 式在溶劑已蒸發後，在基底上形成溶解物剩下薄膜之不同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） — β—, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -JT— I : tjl · 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 573314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明（15 ) 切面外形。第一沈積模式可稱爲退縮型沈積並表示在第3 (a )圖中。在這模式中，當首先沈積在基底上時，乾化 後溶解物之沈積膜4 2周長或直徑小於溶液液體液滴4 0 直徑，其輪廓以最外虛線表示。這意爲液滴4 0在乾化期 間已退縮。當液滴4 0之接觸角相當大（例如，大於 4 0 ° )且當溶液未使基底表面充份濕潤時則發生退縮型 沈積。由於液滴對表面之大接觸角及水在表面上之未濕潤 特性，水溶液液滴在一疏水表面上之沈積即爲一退縮型沈 積實例。因此，當將一以水爲基礎之P E D Ο T溶液沈積 在一聚苯乙烯膜上時，即觀察到這退縮型沈積。 第二模式爲供沈積本實例中第二標的材料所用之台面 型沈積並表示在第3 (b)圖中。在這模式中，亦可觀察 到乾化期間液滴2 0之小量退縮。然而，對照退縮型沈積 ，在退縮期間發生溶解物之沈積。結果，沈積膜2 2外形 爲台面型且直徑大小幾乎與溶液液滴2 0之內徑相同。當 溶液表面張力爲高（例如，大於3 0 m JT / rri )且當溶液 能使基底表面濕潤時則發生台面型沈積。因水對於親水性 表面具有高表面張力及良好濕潤特性，故當將一水溶液沈 積在一親水性表面上或一非有機基底上時可發生台面型沈 積。當將一以水爲基礎之P E D Ο T溶液沈積在一玻璃基 底上時，可觀察到例如台面型沈積。 最後模式爲供沈積本實例中第一預先圖型化材料所用 之環型沈積並表示在第3 ( c )圖中。由這種型式沈積所 造成之薄膜等於將咖啡潑在一固體表面上後所留下之殘餘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公慶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 573314 A7 B7 ___ 五、發明説明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物膜。如以上之討論，在環型沈積中，大半溶解物係沈積 在液滴1 0之邊緣，因此，提供圍繞在邊緣之溶解物脊線 1 4及中心區溶解物之一薄膜1 2。當接觸角相當小（例 如，小於3 0 °且最好小於2 0 ° )且當基底上溶液之濕潤 相當良好時則發生環型沈積。在這情況中，基底上液滴之 接觸線爲針點式並在乾化期間不會移動。這意爲當液滴 10乾化時，接觸角降低。這可發生在當溶液表面張力爲 低時（例如，小於3 0 m J / m2 ) ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第4圖中之圖解說明，分別以增強蒸發與體積效應 5 2及5 4，在針點液滴1 0中造成一內部流體流5 0。 分別以液滴1 0邊緣與中心區之溶劑蒸發的速度差造成增 強蒸發效應5 2。因爲溶劑分子更易從邊緣區逃脫，故在 邊緣區觀察到比中心區較高之蒸發率。在液滴1 〇內發生 內部流體流5 0，俾能補償這差異。然而，因接觸線爲針 點式且液滴體積降低，故改變液滴形狀。因此，如第3 ( c )或4圖中所示，邊緣區之體積改變小於中心區。各邊 緣與中心區體積變化差異亦造成內部流。因此，由於這兩 種效應，以環型沈積模式在基底上乾化之液滴中發生從中 心至邊緣之內部流。流體粘度對內部流有影響效果。因此 ，在低粘度流體液滴中發生一有效率（快速）之流動。當 流體（溶液）粘度小於約1 〇 C p S，得到一狹窄脊線。 低於約4 C p S之粘度特別適於形成一狹窄脊線。溶液粘 度依溶解物（固態內容）濃度，溶劑粘度，或溫度而定。 如降低溶液中溶解物（有機聚合體）之濃度，則造成較低 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -19- 573314 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（17) 濃度且因此增加~乾化液滴從中心至邊緣之內部流粘度。 使用低粘度溶劑亦導向內部流之這種增加，這造成一狹窄 之脊線（邊緣）。當使用聚合體爲溶解物時，聚合體之分 子量及溶液中聚合體之構造影響溶液之粘度。爲了得到低 粘度，最好是分子量小於約1 0 0，0 0〇。 而且，因爲內部流動速度由乾化速度所決定，故溶液 乾化速度爲一重要參數。如溶液乾化快些，則造成內部流 動速度增加且因此使脊線變窄。藉在整個溶液上提供氣流 (可加以加熱），或對溶液液滴加熱，使用一可揮發性溶 劑來增強乾化速度。當在室溫下實施程序時，要得到高乾 化速度，溶劑沸點最好低於1 6 0 °C且更好是低於約 1 2 0 °C。由於兩種有效方式：乾化速度之增強與粘度之 降低，故要得到一狹窄脊線，對溶液液滴加熱特別有效。 爲此目的，可將溶液液滴沈積在從約4 0 °C加熱至約1 5 t之基底上。 這內部液流5 0從中心攜載溶液中之溶解物至邊緣。 結果，在邊緣區有溶解物之增強沈積且在中心區形成一薄 層。液流5 0之速度影響薄膜切面外形並依固著性液滴之 接觸角，蒸發速度與粘度而定。液流5 0之速度隨接觸角 降低而增加，故預期要一小於3 0 °之接觸角加以達成寬 度狹窄之脊線1 4。增加之蒸發速度亦增加液流5 0之速 度，故高蒸發速度使脊線寬度變窄。藉控制所沈積溶液中 之有機聚合體濃度可因此控制脊線寬度。使用低沸點溶劑 ，在乾化期間提升溫度並降低圍繞液滴之溶劑蒸發壓力亦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20- 573314 A7 B7 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可增加蒸發速度且因此增加內部液流。經過基底之氣流（ 例如，乾空氣，氮或氬）有效降低這壓力，造成使脊線 1 4變窄。當基底上有一單向氣流時，這造成在邊緣區之 不對稱沈積。因氣體上游爲乾淨的，故上游之溶劑蒸氣壓 小於下游，液滴1 0之內部液流5 0爲非對稱並在上游邊 緣比下游邊緣發生較大之沈積量。這種現象亦有用於控制 脊線1 4之高度與寬度且特別是用於得到一高而窄之脊線 14。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 溶液粘度亦扮演一重要角色。如溶液粘度爲零，則在 乾化之最後階段，由於內部液流5 0之非常高速度，會將 所有溶解物攜載至邊緣。事實上，由於溶液濃度之增加， 當乾化進行時，粘度增加。這粘度之增加降低內部液流 5 0之速度且終究停下來。這種行爲決定在中心區薄膜 1 2之厚度及脊線1 4之高度與寬度。當使用低粘度之稀 溶液時，則在中心區得到一非常薄之膜1 2並在邊緣得到 狹窄脊線1 4。如以上說明，粘度不只依溶液濃度且亦依 溶解物與溶劑組合以及溶解物分子量而定。可將這些參數 達最佳化，俾能甚至在乾化已進行後得到低粘度。然而通 常，最好爲粘度小於約4 c p s之溶液且更最好仍是粘度 小於2 c p s之溶液。當使用聚合體爲丨谷解物時，以小於 約3 %或最好爲1 %之濃度，通常可達到這種粘度。 先前已說明過具惰性氣體電漿之乾式蝕刻法，但亦可 使用具有各種其它效應之其它蝕刻技術。 首先，可使用氧氣電獎加以實施乾式蝕刻法，該蝕刻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -21 - 573314 A7 B7 五、發明説明（19) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 法特別對於極性溶液具有提供表面濕潤特性之效果。另言 之，藉使用氧氣電漿之乾式蝕刻可使基底1與脊線1 4表 面轉爲親水性。這是由於表面氧化或以氫氧根族終結表面 之分子，其中之氫氧根族係由表面上之氧根分子與空氣中 水分子反應而形成。因氧氣或氫氧根族極性可在基底1與 脊線1 4表面中產生親水特性，對基底材料與第一預先圖 型化材料之許多組合，以氧氣電漿蝕刻法即失去脊線與基 底間之濕潤度對比。 第5 ( a )圖表示脊線1 4與基底1表面爲氫氧根族 (-〇Η )所終結之情況且因此不管基底或第一未鈾刻之 預先圖型化材料原先是否爲疏水，兩者因此具親水之特性 。然而，已經發現由氧氣電漿所修飾之區域維持在表面上 且消除脊線或基底之表面區可恢復原先之濕潤度對比。在 這實例中，移除第一預先圖型化材料，即脊線1 4之表面 。這可以蝕刻法加以達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如以上δ寸論，非極性聚合體適用爲第二標的材料係沈 積在以水爲基礎之溶液的P E D〇Τ處之第一預先圖型化 材料。這種非極性聚合體包含由芳香族與烷基族組成之聚 合體。例如聚苯乙烯與聚乙烯爲典型之非極性聚合體。 爲蝕刻第一預先圖型化材料之表面區，可使用用以溶 解第一材料，以其它不溶解第一材料之溶劑加以稀釋之溶 劑爲蝕刻劑。這種稀釋溶劑溶解第一材料慢，故可能只蝕 刻脊線1 4之表面區，因此如第5 ( b )圖中所示，移除 氫氧根族。當使用聚苯乙烯爲第一預先圖型化材料時，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 5乃314 Α7 Β7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用由酒精或碳化氫脂肪族所稀釋之芳香族及/或氯碳化 氫爲蝕刻劑。由異丙醇所稀釋之甲苯爲這種蝕刻劑之一典 型實例。 對照之下，如第5 ( b V圖中所示基底1不溶解在一 包含這種稀釋溶劑之蝕刻劑中，且因此氫氧根族維持在基 底1之表面上。因此基底，表面保持親水性。結果，在以 這種稀釋溶劑稍微蝕刻後可恢復在氧氣電漿所蝕刻基底1 上形成對照濕潤度之圖型。因此，在這處理後可達成第二 標的材料與第一預先圖型化材料之自我對準。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 然而，通常非極性材料不在親水性表面附著得非常好 。這結果爲在以稀釋溶劑之稍微蝕刻期間，包含一非極性 聚合體之第一預先圖型化材料可從親水性表面鼓起。爲增 進第一預先圖型化材料對基底1表面之粘著特性，可使用 鉛字將基底1之表面特性從親水性改變成疏水性。六甲基 二矽氯烷（Η M D S )爲適於本目的之一典型鉛字。例如 ，使用7 0至1 4 0 °C之氣態或液態Η M D S在沈積第一 材料前可預先處理基底1 。以提供疏水特性之六甲基族終 結預先處理之基底1表面。因此可得到非極性第一材料在 一預先處理基底1上之良好粘著性。 因降低第一材料溶液與基底1之接觸時，故這預先處 理之一額外有利效果爲能得到第一材料之較窄脊線1 4。 而且，利用以上討論之氧氣電漿蝕刻法可輕易移除預先處 埋基底1表面上之六甲基。因此，以氧氣電漿蝕刻法可恢 復或增進未處理過基底1之原先親水性表面特性，故以稀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -23- 573314 A7 B7 五、發明説明（21 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 釋之溶劑稍微蝕刻仍可得到基底1與脊線丄4 濕潤度之圖型。 在乾式蝕刻後用以恢復濕潤度對比之一替 使氧氣電漿所蝕刻之基底1曝晒至用以溶解第 化材料之溶劑蒸氣。溶劑蒸氣在預先圖型化材 吸收，並允許材料重定方位成更穩定，疏水之 這種重定方位，以更穩定之第一材料取代脊線 氫氧根族。結果，脊線1 4表面恢復其原始疏 底1表面維持其親水狀態。這種曝晒方法使用 因此爲一種乾式程序。因此不需在基底1內滴 耗時，骯髒且昂貴。例如當使用聚苯乙烯爲第 化材料時，可使用芳香族及/或碳氫化氯爲溶 苯或二甲苯爲一典型之芳香族碳化氫溶劑。 作爲進一步之替代方式，可使用氟化碳與 混合體的電漿蝕刻並已發現它爲達成高濕潤度 特別有效方法。當上面有一有機預先圖型化材 之無機基底1係使用氟化碳與氧之混合體的電 如第6 ( a )圖中所示，因以氟取代在裡面連 之氫原子，故將有機預先圖型化材料表面加以 化表面對於極性溶液與非極性溶液係非濕潤的 ，如第6 ( a )圖中所示，由於氧氣電漿效果 族終結無機基底之表面。因此，基底1表面特 溶液係濕潤的。 對照之下，當以氟化碳與惰性氣體（A r , 間形成對比 代性方法爲 一預先圖型 料中被加以 形態。由於 1 4表面之 水特性而基 一種氣相且 入液體，這 一預先圖型 劑蒸氣。甲 另一氣體之 對比之一種 料脊線1 4 漿蝕刻時， 結至碳原子 氟化。這氟 。另一方面 ，以氫氧根 別對於極性
N 之混 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 經濟部智慈財產局Μ工消費合作社印製 573314 A7 ____ B7 五、發明説明（22 ) 合體加以蝕刻上面有一有機預先圖型化材料之脊線1 4的 無機基底1時，即將脊線1 4表面加以氟化，而保持基底 1表面。這特別對於非極性溶液提供濕潤度之良好對比。 爲使T F 丁中之源極與汲極電極圖型化，可將例如以 水爲基礎之P E D〇T溶液的第二標的材料溶液沈積兩次 ，源極與汲極各一次。然而，第6與7 (a)圖中所示脊 線1 4之氟表面充份爲非濕潤，使得如第7 ( b )圖中所 示，可將P E D〇T溶液之液滴2 〇只沈積一次，直接沈 積在脊線1 4上。溶液爲脊線1 4所排拒並以脊線分成躺 在基底1親水性表面上之兩部位，如第7 ( c )圖中所示 ，脊線1 4之兩邊。這第二標的材料之沈積只發生在基底 1上，未在脊線1 4上方形成一第二標的材料之橋接物， 該橋接物會在兩部位之間造成短路。因此，可非常輕易， 高度可靠地加以沈積第二標的材料。 使用上述之本發明方法可製造一種T F.T。第9圖中 表示可印刷式T F T之結構，當中可使用玻璃或塑膠基底 1。使用一種塑膠基底可得到軟性裝置。根據稍後處理期 間之抗熱與抗溶，聚醯亞胺，聚乙二醇萘醛，聚硫化乙二 醇脂，聚醚酮或聚醚硫酸皆適用作爲塑膠基底，使用習知 技術加以製成裝置。當這種習知處理溫度小於1 〇 〇它時 ，可使用較不昂貴之材料，如聚對苯二曱酸乙二醇脂，聚 甲基丙烯酸或聚碳酸鹽。在基底上，在半導體中需要對準 分子或聚合體鏈之情況中可選擇形成一對準層6 6。磨擦 過之聚醯亞胺爲普通使用爲這種對準層之一典型材料。在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-25- 573314 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23 ) 平行於通道方向中以織紋品磨擦燻乾之聚醯亞胺層可得到 這種磨擦過之聚醯亞胺層。 在迫對準層6 6上，如第1 〇 ( a )圖中所示，利用 噴墨印刷頭，以擋水條1 6形式加以沈積第一預先圖型化 材料。這些預先圖型化擋水條1 6對於第二標的材料溶液 爲非濕潤的。在這實例中，使用一以水爲基礎之 P E D〇T溶液作爲第二材料溶液，故第一預先圖型化材 料爲疏水性的。 許多種類之碳化氫與氟化碳適於這種目的用。在這些 當中，對於均勻薄膜之形成，非極性聚合體爲適當材料。 聚苯乙烯爲一這種非極性聚合體且例如可使用甲苯或二甲 苯之0 · 1 - 4 %聚苯乙烯溶液爲第一預先圖型化材料溶 液。乾化之沈積擋水條1 6中心區厚度爲薄且圍繞邊緣具 一脊線。如以上之討論，切面外形依乾化條件而定。因以 快速乾化可得到狹窄及較高之脊線，如第1 〇 ( a )圖中 所示，N 2流即經過基底1上方且/或對基底1加熱。 爲了蝕刻中心區之薄膜，使用氧氣電漿加以蝕刻樣品 。因薄膜，範圍在5至2 0 // m之間，故蝕刻時間爲短。 例如，對一 2 0 n m厚之膜而言，蝕刻時間約5分，其中 ，氧氣壓爲2 . 5mba r而RF電力密度爲4000W / m2。蝕刻厚度（深度）大槪與蝕刻時間和R F電力密度 之乘積成正比。所需最小蝕刻厚度爲中心區之膜厚且進一 步之蝕刻可使脊線寬度變窄。由於薄膜在中心與脊線之大 厚度差使這進一步之蝕刻具合理之良好複製率：甚至當中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 573314 A7 __B7__ 五、發明説明（24) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 心沈積厚度小於2 0 n m時，可控制脊線厚度通常大於 3 0 0 n m。這種厚度之大對比使其可能準確控制脊線寬 度。以最少之蝕刻加以移除中心區之薄膜，可得到窄如1 0至3 0 // m之脊線，而以進一步之蝕刻，可在整個基底 上輕易達到寬度3至1 5 # m之脊線。 在這階段，基底1與脊線表面爲親水性，故需以選擇 性的蝕刻或重定第一預先圖型化材料脊線之方位加以恢復 濕潤度之對比。選擇性蝕刻可使用，例如比率爲5 : 9 5 之二甲苯與異丙醇混合物。這混合物不溶解磨擦過之聚醯 亞胺對齊層6 6，但移除預先圖型化材料脊線之表面區。 在選擇性蝕刻程序後，如第1 0 ( b )圖中所示，得到預 先圖型化材料之長環型脊線1 4。 可使用各長環型脊線製造一個以上之T F T。如第 1 0 ( c )圖中之說明，沈積形成τ F T源極6 0與汲極 6 2 (見第9圖）之第二標的材料之液滴2 0，俾能沿~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁 脊線形成眾多之電晶體。使用以水爲基礎之P E D〇T溶 液作爲第二標的材料。這使磨擦過之聚醯亞胺對準層6 6 表面濕潤，但爲聚苯乙烯之預先圖型化脊線1 4所排拒。 這些特性使一狹窄間隙沿著脊線1 4形成在第二標的材料 中〇 如第1 0 ( d )圖中所示，這步驟接著以一第一材料 之溶劑加以移除脊線1 4。爲了製成第9圖中所示之結構 ，然後將一半導體層6 8與一絕緣層7 0沈積在源極6 〇 與汲極6 2電極上。已知有沈積這些層膜之數種技術，包 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^〜 -27- 573314 A7 B7 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 五、發明説明（25 ) 含蒸發，旋轉塗覆，網幕列印及噴墨印刷。最好利用噴墨 印刷頭，噴出以水爲基礎之P E D〇T溶液，然後將閘極 電極6 4與相互連結9 0沈積在絕緣層7 0上。 閘極電極6 4與通道之對準是需要的，故應對一噴墨 頭及一基底座加以定位，俾能完成這對齊校準。因噴墨印 刷爲一非接觸性印刷技術，與其它接觸性印刷技術比較， 這種定位相當容易且準確。 因此，可得到如第1 0 ( e )圖中所示之T F 丁陣列 。甚至例如這些T F T之通道爲短（小於3 0 // m )，也 可使用一種噴墨印刷技術簡單加以達成。本發明之方法不 需光蝕刻術供預先圖型化並允許以一非常低之製造成本生 產T F T陣列。本發明之方法可生產非常大；有彈性之裝 置，他們只能相當困難地使用習知光蝕刻技術加以得到的 〇 一基底之圖型化方法及/或根據本發明一薄膜電晶體 之形成成方法最好可被應用至製造一電光裝置，一半導體 裝置及其它電子裝置。另言之，在某些種類之電光裝置中 最好能使用根據本發明之方法所製造之T F T陣列。電光 裝置最好包含一液晶裝置，一有機電致裝置，一無機電致 裝置，一場放射裝置（F D E )，一電漿裝置，一電泳裝 置，及其它顯示裝置。最好可將這些裝置應用至一顯示設 備。尤其是，最好更將這種T F T陣列應用至像素電路及 /或在以上顯示裝置中所使用之一主動矩陣式基底中所形 成之驅動電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 573314 A7 B7 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 五、發明説明（26 ) 第1 1圖爲說明一主動矩陣式顯不裝置（或設備）之 方塊圖，該裝置包含如有機電致元件之電光元件作爲電光 裝置之一較佳實例。圖中之顯示裝置2 0 0表示眾多掃猫 線” g a t e ” ，眾多延伸在一方向之資料線” s i g ” ，該方向與當中掃瞄線” g a t e ”所延伸方向交叉，實 質上平行於資料線” s i g ”延伸之眾多共同電源供應線 ” c 〇 m ” ，以及位在形成於基底上方之資料線” s i g ”與掃瞄線” g a t e ”的交叉點之眾多像素2 Ο 1。 各像素20 1包含一第一 TFT 202，一第二 TFT 203，及一電光元件204，其中，經由掃瞄 線，保持經由第一 T F T 2 0 2，從資料線” s i g ” 所供應之影像訊號的保持電容” c a p ”將一掃瞄訊號供 應至TFT 202之閘極電極；在丁 FT 203中， 將由保持電容” c a p ”所保持之影像訊號供應至閘極電 極（一第二閘極電極）；當元件2 0 4係經由第二T F 丁 2 0 3以電氣方式連接至共通電源供應源” c 〇 m ”時， 如電致元件（以阻抗表示）之電光元件2 0 4內有驅動電 流從共通之電源供應線” c 〇 m ”加以流動。掃瞄源” g a t e ”係連接至一第一驅動電路2 0 5且資料線” s i g ”係連接至一第二驅動電路2 0 6。最好在基底之 上可形成第一電路2 0 5與第二電路2 0 6中至少之一電 路，而第一TFT 202與第二TFT 203係形成 在基底之上。根據本發明之方法所製造之T F T陣列最好 可被應用至第一TFT 202與第二TFT 203陣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---03 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29- 573314 A7 B7 五、發明説明（27 ) 列中至少一陣列，第一驅動電路2 0 5及第二驅動電路 2〇6 ° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此可使用本發明製造顯示器及其它裝置，該裝置包 含許多型式之設備，諸如爲例如行動電話，膝上型個人電 腦，D V D播放機，攝影機，現場設備；諸如桌上型電腦 ，C C T V或光碟專輯之可攜式顯示器；諸如車輛或飛機 儀表板之儀表；或諸如控制室設備顯示器之工業顯示器。 另言之，如以上所示，應用由根據本發明之方法所製造之 T F T陣列的電光裝置或顯示器，如以上之範圍，包含許 多型式之設備。 現在將說明使用根據本發明所製造之電光顯示裝置的 各種電子設備。 < 1 :行動電腦> 現在將說明當中應用根據以上實施例之一所製造之顯 示裝置至一行動個人電腦的一實例。 經濟部智慈財產局工消費合作社印製 第1 2圖爲一說明這個人電腦架構之等尺寸圖。在圖 中，個人電腦1 100設有一本體1 1〇4，該本體包含 一鍵盤1 102與一顯示單元1 1〇6。如上述，顯示單 元1 1 0 6係使用根據本發明所製成之一顯示面板所施行 的。 < 2 :可攜式電話> 接著，將說明當中應用顯示裝置至一可攜式電話之一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -30- 573314 經濟部智慈財產局員工消費合作社印紫 A7 B7五、發明説明（28) 顯示部的一實例。第1 3圖爲一說明可攜式電話架構之等 尺寸圖。圖中，可攜式電話1 2 0 〇設有眾多操作鍵 1 202，一耳機1 2 0 4，一受話機1206，及~顯 示面板1 0 0。如上述，這顯示面板1 〇 〇係使用一根據 本發明之顯示裝置所施行的。 < 3 :數位靜態相機> 接著，將說明使用一 ◦ E L顯不裝置作爲一搜景器之 數位靜態相機。第1 4圖爲一說明數位靜態相機架構並簡 要連接至外部裝置之等尺寸圖。 典型相機使用具感光塗料之感應底片並使感光塗料呈 化學變化而記錄物體之光學影像，但是，數位靜態相機 1 3 0 0以例如使用電荷耦合裝置（C C D )之光電轉換 從一物體之光學影像產生成像訊號。數位靜態相機 1 3〇0在機殼1 302背面設有一〇EL元件1 00, 根據從C C D之成像訊號加以顯像。因此，顯示面板 1 0 0作用爲顯示物體之搜景器。在機殼1 3 0 2前面（ 圖中背後）設有一包含光學透鏡與C C D之驗光單元 1 3 〇 4。 當攝影者決定好〇E L元件面板1 〇 〇中所顯示之物 像並釋放快門時，即傳輸來自C C D之影像訊號並將它們 儲存在一電路板1 3 0 8中之記憶體。在數位靜態相機 1 3 0 0中，在機殻1 3 0 2之一邊上設有供資料通訊用 之視訊輸出端1 3 1 2及輸入/輸出端Γ 3 1 4。如圖中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21〇>< 297公釐） ~ -31 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 573314 A7 B7 五、發明説明（29 ) 所示，如有需要，將一電視監視器1 4 3 0及一個人電腦 1 4 4 0。分別連接至視訊端1 3 1 2及輸入/輸出端 1 3 1 4。利用一假定操作將儲存在電路板1 3 0 8記憶 體中之成影訊號輸出至電視監視器1 4 3 0與個人電腦 1 4 4 0° 除第1 2圖中所示之個人電腦外之電子設備實例，第 13圖中所示之可攜式電話，及第14圖中所示之數位靜 態相機包含◦ E L元件電視機，搜景式及監視式錄影機， 汽車導航系統，呼叫器，筆記型電腦，可攜式計算器，文 書處理器，工作站，T V電話，銷售點系統（P 0 S )終 端機，及設有觸摸面板之裝置。當然，以上OEL裝置不 只可被應用在這些電子設備之顯示部而且可被應用在包含 一顯示部之其它形式設備。 而且，根據本發明所製成之顯示裝置亦適於非常薄， 軟性且量輕之大銀幕型電視。因此可能將這種大型電視貼 掛在牆上。當不用時如有需要可將這軟性電視方便地捲起 來。 只利用實例已完成前項說明並將認知到對於一精於本 技術之個人而言，只要不偏離本發明之範圍，皆可作修飾 。例如，一精於本技術之個人將認知到可個別及一起選擇 基底，預先圖型化材料，與標的材料之廣泛種類與各種組 合。此外，將認知的是可使用各種形狀，尺寸及預先圖型 化材料之圖型。例如將更認知到的是，不管使用對於第二 標的材料爲濕潤之第一預先圖型化材料之單一線，或使用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -32- 573314 A7 B7五、發明説明（30)對於第二標的材料爲非濕潤之第一預先圖型化材料之兩條 線，可設置連結在任一邊上之一第二標的材料之選取線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T .Μ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -33-

Claims (1)

  1. 573314 其中，該蝕刻爲 其中，該蝕刻.更 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 rA8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍1 Ρίί件2:第911〇4494號專利申請案 中文申請專利範圍無劃線替換本 民國92年9月22日修正 1.一種基底之圖型化方法，方法包含： 將一第一材料溶液沈.積在基底上，其中，選取第一材 料之溶液，使得在基底上乾化之第一材料外形包含一脊； 鈾刻加以移除第一材料的部份，使第一材料之脊保持 在基底上；以及 將一第二材料溶液沈積在或接鄰第一材料之脊。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，對於第二 材料溶液，第一材料之蝕刻脊的濕潤特性異於基底。 3 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中，對於第二 材料溶液，第一材料之濕潤特性異於基底。 4 _如申請專利範圍第χ項之方法 使用一種惰性氣體之乾式蝕刻。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法 包含調整第一材料與基底對於第二材料溶液之濕潤特性。. 6.如申請專利範圍第5項之方法，其中，該蝕刻包 含用以移除第一材料，因此，用以調整第〜材料與基底濕 潤特性之第一蝕刻步驟，以及一調整第一材料濕潤特性之 第二步驟。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中，第一蝕刻 步驟包含乾式蝕刻。 表紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4· ( 21()><297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
    573314 A8 B8 C8 D8 2 申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中，第一蝕刻 步驟用使用氧氣電漿。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中，在該沈積 $ ~材料溶液前，更包含增進基底對於第一材料之濕潤特 性。 1 0 ·如申請專利範.圍第6項之方法，其中，第二步 驟使用一第一材料之稀釋溶劑。 1 1 ·如申g靑專利範圍第6項之方法，其中，第二步 驟使用氣相之第一材料溶劑。 1 2 ·如申請專利範圍第i 〇項之方法，其中，第一 材料包含一非極性聚合體且溶劑包含芳香族及/或碳氫化 氯。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，溶劑 包含甲苯及/或二甲苯。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，第二 步驟亦使用酒精及/或碳氫化脂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之方法，其中，該.酒 精及/或碳氫化脂包含異丙醇。 1 6 .如申請專利範圍第5項之方法，其中，該蝕刻 包含使用氟化碳原子與另一種氣體之混合體的電漿蝕刻法 〇 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之方法，其中，該另 一種氣體包含氧氣。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項之方法，其中，該另 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2- 573314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 一種氣體包含一種惰性氣體。 1 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，選取基 底與第一材料溶液，使得沿所沈積之第~材料四周形成該 脊。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之方法，其中，四周 包含至少一大體上爲直線部位。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之方法，其中，四周 包含有兩部位大體上爲直線之長橢圓或長圓形。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項之方法，其中，將第 二材料沈積在或只接鄰該至少一直線部位。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項之方法，其中，將第 二材料沈積在或接鄰兩大體上爲直線之部位。 2 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，選取性 地控制第一材料溶液濃度，俾能選取性地控制在基底上所 乾化之第一材料的外形。 2 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，包含選取第一 材*料溶劑之粘度，俾能選取性地控制在基底上所乾化之.第 一材料之外形。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之方法，其中，選取 粘度爲小於約1 〇 c p S且最好爲小於4 C P S。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項之方法，包含選取溶 劑之揮發度，俾能選取性地控制在基底上所乾化之第一材 料的外形。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中，選取 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) a4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -3- 573314 A8 Βδ C8 •_ —___D8_____ 六、申請專利範圍 4 溶劑之沸點爲小於約6 0 °C且最好爲小於約1 2 0 t。 2 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，在該沈積第〜 材料溶液後且該蝕刻前，更包含使一氣流通過基底之上， 使第一材料溶液乾化。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之方法，其中，設有 氣流作爲一單向流。 3 1 ·如申請專利範圍第2 9項之方法，其中，對氣 流加以加熱。 3 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，在該沈積第^ 材料溶液後且該蝕刻前，更包含對基底加熱，使第~材半斗 溶液乾化。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項之方法，其中，對基 底加熱至從約4 0 t至約1 5 0 °C之溫度範圍。 3 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中，蝕刻後 ，脊對於第二材料溶液比基底更加濕潤，使得第二材料在 脊上乾化。 3 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，飽刻後 ，基底對於第二材料溶液比脊更加濕潤，使得第二材料大 體上只在接鄰脊之基底上加以乾化。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之方法，其中，第— 材料溶液係沈積在脊之接鄰任一邊。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項之方法，其中，第— 材料丨谷液係沈積在脊上，使得弟一'材料在脊之接鄰任〜、、息 加以乾化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    一 4· 573314 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍5 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項之方法，其中，選取 第一材料溶液，使得在基底上所乾化之第二材料外形爲台 面型。 3 9 ·如申請專利範圍第3 5項之方法，其中，第一 材料爲一非極性聚合體且第二材料溶液爲一種以水爲基礎 之PEDOT溶液。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項之方法，其中，選取 分子量小於約Γ 0 0，0 0 0之非極性聚合體。 4 1 ·如申請專利範圍第3 9項之方法，其中，第一 材料包含芳香族及/或烷基族且不包含氫氧根，二氮化合 物或任何酸性族。 4 2 .如申請專利範圍第4 1項之方法，其中，第一 材料爲聚苯乙烯或聚乙烯。 4 3 .如申請專利範圍第3 5項之方法，更包含從基 底移除脊之一項步驟。 4 4 · 一種形成一薄膜電晶體之方法，包含如申請專 利車S圍桌4 3項之方法，其中，第一材料形成之間有一間 隙之源極與汲極，該方法更包含： 在整個第二材料與基底之上沈積一半導體層； 在整個半導體層上沈積一絕緣層；以及 在整個間隙設有一閘極電極。 4 5 .如申請專利範圍第4 4項之方法，其中，基底 包含一上面有沈積第一材料之對準層。 4 6 ·如申請專利範圍第4 5項之方法，其中，對準 本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 573314 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 6 層有刷印聚醯亞胺。 4 7 .如申請專利範圍第4 4項之方法，其中使用 一噴墨印刷頭加以沈積半導體層，絕緣層與閘極電極中至 少一項° 4 8 _如申請專利範圍第4 7項之方法，其中，相對 於基底移動噴墨印刷頭，用以沈積半導體層，絕緣層與聞 極電極中之該至少一項。 4 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中，使用一 噴墨印刷頭加以沈積第一材料溶液與第二材料溶液中至少 一項。 5 0 ·如申請專利範圍第4 9項之方法，其中，相對 於基底移動噴墨印刷頭，用以沈積第一材料溶液與第二材 料溶液中之該至少一項。 5 1 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，選取包 含玻璃或塑膠之基底。 5 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，選取包 含一種柔性材料之基底。 53.—種電子裝置，包括： 基底；及 薄膜電晶體，形成於該基底上， 其中，該基底係以下述步驟圖型化； 將第一材料溶液沈積在基底上，其中，選取一材 料之溶液，使得在基底上乾化之第一材料外形包含一脊； 飽刻移除第一材料的部份，使第一材料之脊保持 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家糅準（CMS ) A4規格（210X 297公釐） -6- 573314 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍7 在基底上；以及 將第二材料溶液沈積在或接鄰第一材料之脊 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X 297公釐）
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