JPWO2005091376A1 - 有機縦形トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- -1 Poly(ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical group C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 4
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 121
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N heptacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/491—Vertical transistors, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
有機縦形トランジスタにおいて、集積化を容易にするとともに、オン電流の上昇、及びオフ電流の低減を可能としつつ短チャネル化を図ることができる有機縦形トランジスタ及びその製造方法を提供する。基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、このソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、このソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側に接触するように積層される有機半導体活性層と、この有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極と、を有し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体活性層各々を加工する。
Description
本発明は、有機縦形トランジスタおよびその製造方法に関するものである。
近年、軽量、フレキシブルなプラスチック基板上に作製可能なトランジスタとして、有機トランジスタの研究が活発に行われている。ここで、有機トランジスタの高駆動能力実現には、リソグラフィの制約なしに短チャネル化が可能な縦形構造が望ましく、盛んに研究が行われている。
従来の単結晶シリコン（Ｓｉ）系の静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）及び非晶質Ｓｉ系の静電誘導トランジスタを有機材料に適用したトランジスタ（下記特許文献１、非特許文献１参照）が提案されており、現在では、有機ＥＬ素子との積層構造について研究が実施されている。また、縦形構造を有する電荷注入制御型有機トランジスタ（下記特許文献２、非特許文献２参照）が提案されている。電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）としては、トップ＆ボトムコンタクト型ＦＥＴ（下記特許文献３、非特許文献３参照）が提案されており、チャネル長０．５μｍのトランジスタ動作に成功している。また、エンボス形成したＶ溝に斜めにトランジスタ構造を形成する方法（下記非特許文献４参照）が示されている。更に、フォトレジスト膜厚で規定された縦形領域でのＦＥＴ作製方法（下記非特許文献５参照）が提案されている。
また、ガラス基板上に形成可能である非晶質Ｓｉによる縦形トランジスタ（下記非特許文献６参照）が報告されており、また、トランジスタの縦形化の提案、種々のデバイス構造と高駆動能力化や、ゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）、ドレイン（Ｄ）間の寄生容量低減を図り自己整合化を行った自己整合縦形トランジスタと集積化した高性能回路特性（下記非特許文献７参照）が報告されている。
さらに、下記特許文献４では、正六角形構造を有する縦形トランジスタが、下記特許文献５ではショートチャネル構造を有するトランジスタが、下記特許文献６では新しいグリッド構造を有する有機トランジスタが、また下記特許文献７ではソース／有機半導体／ドレインの縦形構造に対し、絶縁膜／ゲート電極構造を有する有機縦形トランジスタが報告されている。
ＵＳ公開２００４−０００４２１５Ａ１
特開２００３−１０１１０４号公報
特開２００３−２５８２６５号公報
特開２００４−１１１８７２号公報
ＵＳ公開２００２−０１７１１２５Ａ１
ＵＳ公開２００３−００１５６９８Ａ１
特開２００４−１５００７号公報
工藤他 Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，ｖｏｌ．３３１，５１（１９９８）
中山 健一，藤本 慎也，平本 昌宏，横山 正明，"電荷注入制御型有機トランジスター"，第４８回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集，２９ａ−ＺＧ−２（２００１）
吉田 学，植村 聖，小笹 健仁，牛島 洋史，鎌田 俊英，"ＦＥＴ特性向上のための新たな有機トランジスタ素子構造の設計"，第４９回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集，２７ａ−Ｍ−３（２００２）
Ｎ．Ｓｔｕｔｚｍａｎｎ，Ｒ．Ｈ．Ｆｒｉｅｎｄ，Ｈ．Ｓｉｒｒｉｎｇｈａｕｓ，"Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ，Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃｈａｎｎｅｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ"，Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．２９９，ｐｐ．１８８１−１８８４，（２００３）
Ｒ．Ｐａｒａｓｈｋｏｖ，Ｅ．Ｂｅｃｋｅｒ，Ｓ．Ｈａｒｔｍａｎｎ，Ｇ．Ｇｉｎｅｖ，Ｄ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，Ｈ．Ｋｒａｕｔｗａｌｄ，Ｔ．Ｄｏｂｂｅｒｔｉｎ，Ｄ．Ｍｅｔｚｄｏｒｆ，Ｆ．Ｂｒｕｎｅｔｔｉ，Ｃ．Ｓｃｈｉｌｄｋｎｅｃｈｔ，Ａ．Ｋａｍｍｏｕｎ，Ｍ．Ｂｒａｎｄｅｓ，Ｔ．Ｒｉｅｄｌ，Ｈ．−Ｈ．Ｊｏｈａｎｎｅｓ，ａｎｄ Ｗ．Ｋｏｗａｌｓｋｙ，"Ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃｈａｎｎｅｌ ａｌｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．８２，Ｎｏ．２５，ｐｐ．４５７９−４５８０，（２００３）
内田他 ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ ＥＤＬ−５（１９８４）１０５
Ｈ．Ｏｋａｄａ，Ｙ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｋ．Ａｒａｉ，Ｓ．Ｏｄａ ａｎｄ Ｍ．Ｍａｔｓｕｍｕｒａ，"Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｔｙｐｅ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉｌｉｃｏｎ ＭＯＳＦＥＴ ＩＣ’ｓ"，ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．７，ｐｐ．９１９，（１９８８）
守屋他 平成１５年秋季第６４回応用物理学会学術講演会 １ｐ−ＹＬ−７（２００３）
門倉 貞夫，"対向ターゲット式スパッタとは？"，ＮＦＴＳとＦＴＳ技術比較，２００３．４．８，ＦＴＳ Ｃｏｒｐ．
近松他 第６４回応用物理学会学術講演会 １ｐ−ＹＬ−８（２００３）
上記に示したように、従来より種々の縦形トランジスタの作製法が提案されているが、有機トランジスタの実用化、回路試作を考えるならば、活性層のパターニングによる集積化が必須の課題である。また、有機トランジスタにより駆動するデバイス、例えば大面積液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス素子を考えた場合、大きな駆動電流を得るためには、短チャネル化が必要不可欠となる。反面、短チャネルトランジスタを実現しようとすると、トランジスタの微細化に伴いオフ電流の増加が懸念される。例えば、蓄積動作モードのトランジスタ動作においては、低電流域ではオーミック電流、高電流域では空間電荷制限電流が流れる。そのため、ゲート電極／ゲート絶縁膜構造から離れ、ゲート電界により空乏化できないソース−ドレイン間の半導体層断面積が増大すると、大きなオフ電流の増大を招き、トランジスタとして使用できない。
さて、有機トランジスタにより縦形構造を実現する際の条件として、（１）ＦＥＴ動作すること、（２）ゲート電極パターンにより、ゲート絶縁膜／有機半導体層をパターニングすること、（３）低寄生容量化のため、ソース、ドレインが絶縁物を介して縦方向に形成されること、（４）ソース／絶縁膜／ドレイン構造の両側に、チャネルとなる有機半導体／ゲート絶縁膜／ゲート電極を囲むように形成することで、一対のソース・ドレイン領域に対し、チャネル幅を二倍とする構造を取ること、（５）ソース−ドレイン間の絶縁膜が、価電子帯近傍に局在準位を多く含む膜であり、バックゲート効果が抑制可能なこと、（６）縦形構造が４５°から７５°の斜め構造であること、（７）ソース／絶縁膜／ドレイン縦構造形成後、良好な有機層形成のための界面活性剤処理を行うこと、（８）ソース／絶縁膜／ドレイン縦構造を平滑加工が可能な三層構造レジストを使用し加工すること、（９）ゲート絶縁膜としてアルミナを使用すること、等の条件が必要ないしは望ましい。しかしながら、（１）〜（４）のすべての条件を基本として、（５）〜（９）の種々の組合せを持つ有機縦形トランジスタ構造は、これまで報告が無かった。
本発明は、上記状況に鑑みて、集積化を容易にするとともに、オン電流の上昇、及びオフ電流の低減を可能としつつ短チャネル化を図ることができる有機縦形トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕有機縦形トランジスタにおいて、基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、このソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、このソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側に接触するように積層される有機半導体活性層と、この有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極と、を有し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体活性層各々を加工する、ことを特徴とする。
〔１〕有機縦形トランジスタにおいて、基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、このソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、このソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側に接触するように積層される有機半導体活性層と、この有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極と、を有し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体活性層各々を加工する、ことを特徴とする。
〔２〕上記〔１〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極として、有機導電性高分子膜を用いることを特徴とする。
〔３〕上記〔２〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜がＰｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）膜であることを特徴とする。
〔４〕上記〔２〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜がチオフェン系有機膜であることを特徴とする。
〔５〕上記〔１〕〜〔４〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記トランジスタのゲート絶縁膜がＡｌ2Ｏ3ないしはそれから化学量論組成のずれた材料であることを特徴とする。
〔６〕上記〔１〕〜〔４〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記トランジスタのゲート絶縁膜がＴａ2Ｏ5ないしはそれから化学量論組成のずれた材料であることを特徴とする。
〔７〕上記〔１〕〜〔６〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機半導体活性層がペンタセンであることを特徴とする。
〔８〕上記〔１〕〜〔６〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機半導体活性層がポリ−３−ヘキシルチオフェンであることを特徴とする。
〔９〕上記〔１〕〜〔８〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする。
〔１０〕上記〔１〕〜〔８〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜が有機絶縁性材料であることを特徴とする。
〔１１〕上記〔１〕〜〔１０〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ゲート電極として、有機導電性高分子膜を用いることを特徴とする。
〔１２〕上記〔１１〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ゲート電極としての有機導電性高分子膜がＰｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）膜であることを特徴とする。
〔１３〕上記〔１〕〜〔１２〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記基板がガラス基板であることを特徴とする。
〔１４〕上記〔１〕〜〔１２〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする。
〔１５〕上記〔１〕〜〔１４〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記縦形構造の形成角度が基板面に対し４５°から７５°であることを特徴とする。
〔１６〕上記〔１〕〜〔１５〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜形成以前にその膜質向上可能な表面処理を施すことを特徴とする。
〔１７〕上記〔１６〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記表面処理が界面活性剤処理であることを特徴とする。
〔１８〕上記〔１７〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記界面活性剤処理がヘキサメチルジシラザン処理であることを特徴とする。
〔１９〕上記〔１７〕記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記界面活性剤処理がオクタデシルトリクロロシラン処理であることを特徴とする。
〔２０〕上記〔１〕〜〔１９〕の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース電極／前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜／前記ドレイン電極の加工で、三層レジスト加工を用いることを特徴とする。
〔２１〕上記〔１〕〜〔２０〕の何れか一項記載の、有機縦形トランジスタを作製する有機縦形トランジスタの製造方法。
〔２２〕有機縦形トランジスタの製造方法において、垂直方向に積層して加工したソース・ドレイン部に有機半導体活性層／ゲート絶縁膜／ゲート電極を縦形に形成し、リソグラフィとドライエッチングを用いパターニング・加工することによって、集積可能な構造にすることを特徴とする。
基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、このソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、このソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側の側面に接触するように積層される有機半導体活性層と、この有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極とを設け、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体活性層各々を加工するようにしたことで、集積化を容易にするとともに、短チャネル化を図ることができるようにした。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明の実施例を示す有機縦形トランジスタの模式図である。
この図において、１は基板、２はその基板１上に垂直方向に積層されるソース電極、３はそのソース電極２上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜、４はそのソース・ドレイン電極間絶縁膜３上に垂直方向に積層されるドレイン電極、５は基板１上の水平方向であって、ソース電極２、ソース・ドレイン電極間絶縁膜３、ドレイン電極４の側面に接触するように積層される有機半導体活性層、６はその有機半導体活性層５に接触するように積層されるゲート絶縁膜、７はそのゲート絶縁膜６に接触するように積層されるゲート電極である。
このように、この有機縦形トランジスタは、ソース電極２上にソース・ドレイン電極間絶縁膜３、ドレイン電極４を持つ。このソース・ドレイン電極間絶縁膜３の膜厚が、トランジスタのチャネル長となる。その後、有機半導体活性層５、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７を形成加工することで有機縦形トランジスタが完成する。
この有機縦形トランジスタの有機半導体活性層５としては、蒸着系を中心に研究されているペンタセンや、塗布型ポリマー材料であるポリ−３−ヘキシルチオフェン等、種々の有機材料が適用可能である。ゲート絶縁膜６には、有機半導体活性層５にダメージを与えない膜が望ましいが、材料系として絶縁性を有する無機、有機の様々な材料系が適用可能である。ソース電極２、ドレイン電極４、ゲート電極７についても、無機、有機を問わず種々の材料系が適用可能である。ただし、ゲート電極７については、仕事関数がトランジスタのしきい電圧に影響する点を考慮する必要がある。また、ソース電極２、ドレイン電極４、ゲート電極７については、チャネルを伝導する正孔、ないしは電子キャリアに対しオーミック注入可能である必要がある。ソース・ドレイン電極間絶縁膜３については、適切な種類の材料を選択しないと、ドレイン電圧を印加した際に有機半導体活性層５のゲート電極に対して反対側となるソース・ドレイン電極間絶縁膜３側にチャネルを生ずる、所謂バックゲート効果が問題となる。これを防ぐために、本発明においては、Ｓｉなどで半導体の価電子帯近傍に局在準位を持つ絶縁膜となるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が適している。また、この部分がもし有機半導体層であるとすると、低電流時はオーミック電流、高電流時は空間電荷制限電流の大幅なオフ電流増加を招き、実用に供さない。
次に、ソース電極２／ソース・ドレイン電極間絶縁膜３／ドレイン電極４の形状について考える。縦形ＦＥＴとしてチャネル長の短縮による性能の向上のみを考えると、実効チャネル長を短くする観点より垂直形成が望ましいが、反面、蒸着プロセスの際に側面への膜形成ができない。また、形状加工の際に金属と半導体間の接触抵抗を上昇させるフロロカーボン生成が問題となるが、その除去のためのＡｒスパッタが、完全な垂直形状の際は効果がなくなるという欠点がある。以上の観点を総合して、以下に考える。実効チャネル長の観点より、角度が４５°以下となるとチャネル長は１．５倍となり、それによる真性応答速度は、チャネル長の逆二乗に比例するため２倍となり、縦形構造の有効性を失う。これより４５°以上の傾斜角を要する。スパッタリング収率は、イオンの入射角が７０°となるときに最大となる。また、蒸着については、垂直方向に対し２５％以上の膜厚形成を想定すると７５．５°以下が望ましい。これらの観点より、７０°程度に最適値が存在する。範囲としては、４５°から７５°程度で有効性が確認できる。
実際の構造作製には、加工時に形成したマスク材料が横方向に後退する条件を、うまく最適化することでテーパー状の形状加工及び角度制御が可能となる。
有機半導体層形成では、基板の材料と性質により、薄膜形成の諸性質が変化する。例えば、有機半導体材料の代表であるペンタセンでは、基板に疎水性処理を行うことでペンタセン分子が基板より起き上がり配列し、多結晶状態の膜形成が可能となる。この際の表面処理剤としては、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等の界面活性剤が使用される。また、多結晶という性質を鑑みると、電極材料上での形成では、その結晶粒径に差を生じる。例えばＡｕ上では結晶粒径が小さくなり、実質上のコンタクト抵抗上昇を招く。
縦形構造のデバイス形成では、曲がりが数十ナノメートル以下の良好な直線性を有するパターン形成が必要となる。これを成し遂げる一つの方法としては、三層レジスト法が挙げられる。本手法は、ドライエッチングによる半導体レーザの端面加工時や、一時期サブミクロン化合物半導体ＭＥＳＦＥＴ作製の微細加工で用いられた。本手法の一例を説明する。まず、下部フォトレジスト／ＳｉＯ2／上部フォトレジスト構造を順次形成する。その後、上部フォトレジストをパターニングし、それを用いＳｉＯ2をドライエッチングする。さらに、上部フォトレジスト、ＳｉＯ2をマスクとして下部のフォトレジストを酸素プラズマにより加工する。ここで、酸素プラズマによりフォトレジストは垂直加工されるとともに、残留ラジカルの拡散長だけ横方向にサイドエッチングが進む。上部マスクが数十ナノメートルオーダーで蛇行した形であったとしても、下部レジストはサイドエッチングにより加工が進み、滑らかな形状に加工される。この様に加工したレジストをマスクとして縦形構造であるソース電極／ソース・ドレイン間絶縁膜／ドレイン電極の加工を行うことで、綺麗な直線形状を有する断面ができ、トランジスタ用有機半導体層も平坦な構造上に形成できる。ここで、記載する材料、例えばＳｉＯ2については、他の絶縁膜であるＳｉＮや、金属であるＴｉ膜など、種々の材料が選択可能で、特に上記した材料に限定されるものではない。
具体例では、ソース電極２にＣｒ膜／Ｔａ膜／Ｃｒ膜を、ソース・ドレイン電極間絶縁膜３にはＳｉＮを、ドレイン電極４にはＴａ膜／Ｃｒ膜を用いた。また、ゲート絶縁膜６にＡｌ2Ｏ3（アルミナ）を用いた。このゲート絶縁膜材料としてはＴａ2Ｏ5（タンタル酸化膜）を用いた場合についても検討を行った。アルミナを用いた場合と比較して、タンタル酸化膜を用いることで、同一ゲート絶縁膜膜厚時のゲート容量が増大し、それにより相互コンダクタンスが増大する。これより、有機縦形トランジスタの電流駆動能力の増大が図れ、トランジスタによる容量やアクティブ駆動する対象となる液晶素子、有機ＥＬ素子等の駆動時の応答時間が短くなるという長所がある。トランジスタ構造を簡便に作製するために、フォトマスクは三枚としたが、有機縦形トランジスタの基本動作は十分確認できる。ゲート電極７はＭｏ膜／Ｃｒ膜とし、パターニング時にフォトレジストの溶媒、及び現像時に水溶液が、極力その内部に染みこなまいよう工夫した。
実際の有機縦形トランジスタの工程手順を以下に示す。
図２は本発明の実施例を示す有機縦形トランジスタの製造工程断面図であり、図２（ｇ）は、図３に示したＡ−Ａ′線の断面図である。
（１）まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１１上にＣｒ膜１２Ａ／Ｔａ膜１２Ｂ／Ｃｒ膜１２Ｃからなるソース電極１２を形成する。そのソース電極１２の下部Ｃｒ膜１２Ａは、その後のドライエッチング時にガラス基板１１上へ加工が及ばないようにするエッチングストッパの機能を果たす。すなわち、有機縦形トランジスタ作製時に基板上に下部Ｃｒ膜１２Ａを残しておくことで、基板が平坦に保て、有機縦形トランジスタ作製を歩留まり良く行えるのみならず、有機縦形トランジスタ作製後の配線形成も容易となる。中間のＴａ膜１２Ｂは、低抵抗化のために用いた。上部のＣｒ膜１２Ｃはソースエッチング時のドライエッチング用マスクである。
（２）次に、図２（ｂ）に示すように、ソース電極１２の上部Ｃｒ膜１２Ｃを硝酸アンモニウムセリウム溶液を用いてレジスト加工した後、この上部Ｃｒ膜１２ＣをマスクとしてプラズマエッチングでＴａ膜１２Ｂをドライ加工した。なお、エッチングストッパの機能を果たした下部のＣｒ膜１２Ａはこのプロセス以降も残る。
（３）次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁膜としてのＳｉＮ膜１３を膜厚０．５μｍで形成した。この膜厚が１．０μｍの際も、同様にプロセスが可能であることを確認した。
（４）次に、図２（ｄ）に示すように、Ｔａ膜１４Ａ／Ｃｒ膜１４Ｂからなるドレイン電極１４を形成した。
（５）次に、図２（ｅ）に示すように、ドレイン電極１４の上部Ｃｒ膜１４Ｂを硝酸アンモニウムセリウム溶液を用いてレジスト加工した後、このＣｒ膜１４Ｂをマスクとして、ＣＦ4ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＴａ膜１４Ａ及びＳｉＮ膜１３を垂直加工した。この際の加工形状は、基板平面からの角度７０°のテーパ加工となった。その後、エッチング時のフロロカーボン付着物除去のため、Ａｒスパッタを行った。
（６）さらに、図２（ｆ）に示すように、有機半導体活性層としてペンタセン膜１５、ゲート絶縁膜としてＡｌ2Ｏ3膜１６、Ｍｏ膜１７Ａ／Ｃｒ膜１７Ｂからなるゲート電極１７を形成した。ここで、ソース電極１２／ソース・ドレイン電極間絶縁膜１３／ドレイン電極１４の側壁部の形状は基板１１に対して垂直に近いが、ペンタセン膜１５を蒸着により形成できることを確認した。また、ソース・ドレイン間に７０°のテーパ加工が施されるため、垂直方向から有機半導体活性層１５以降の薄膜形成を行っても、トランジスタとして十分動作することを確認した。より均一性のよい薄膜形成には、ガラス基板１１を傾斜させ回転蒸着する方法が望ましい。ただし装置の大型化を招くため、テーパ加工が有望である。ペンタセン膜１５の形成時の基板温度は、７０℃とした。また、ゲート電極１７としてＭｏ膜１７Ａ、Ｃｒ膜１７Ｂを形成したが、その後、フォトレジスト塗布、現像を行っても、パターン下への溶液の染み込みやパターン剥がれはなかった。
特に、ペンタセンは有機膜であり、密着性が良くないが、フォトレジスト塗布や現像といった溶液につける工程でも剥がれなかった。
（７）次に、図２（ｇ）に示すように、ゲート電極１７、ゲート絶縁膜１６、及び有機半導体活性層１５をドライエッチングにより加工する。これにより、下部にあったソース電極１２、ドレイン電極１４が現れた。その後、スパッタエッチングを行うことで、Ｃｒ膜１２Ａがパターニングされる。
上記のように構成したので、特に、ソース電極１２／絶縁膜１３／ドレイン電極１４の側壁部の形状は基板に対して垂直に近く、そのため、その側壁部に蒸着でペンタセン膜１５を形成できることは重要である。
図３に、本発明の実施例を示す有機縦形トランジスタのレイアウト図を示す。２１がソース電極パターン、２２がドレイン電極パターン、２３がゲート電極パターンとなる。
図２に示したプロセスの後、絶縁膜の形成、コンタクトホールの形成、配線の形成を行うことで、有機縦形トランジスタを用いた集積回路を製造できる。
上記の工程により作製した本発明の有機縦形トランジスタは、ゲート電圧が−５Ｖ時のオン電流は７μＡで、フィッティングにより求められた電界効果移動度は０．０２５ｃｍ2／Ｖｓという値が得られた。
なお、本発明の有機縦形トランジスタのソース電極又はドレイン電極には、上記非特許文献１０で述べられているように、Ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）〔ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ〕膜（上記非特許文献８）や、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｗなどの高仕事関数材料を採用することにより、より一層の高性能化を図ることができる。
また、有機半導体活性層として、Ｈｅｘａｃｅｎｅ、Ｈｅｐｔａｃｅｎｅ等を使用すれば、より一層の高移動度化を図ることができる。
また、ゲート電極については、ある程度の低抵抗化が望ましい。しかしながら有機縦形トランジスタの移動度が１ｃｍ2／Ｖｓまで向上したとしても、そのオン抵抗は高々数ｋΩ／ｍｍであることを考えると、シート抵抗として数百Ω／□程度で十分である。有機導電性高分子膜であるＰｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）〔ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ〕膜を用いてもよい。また、基板としては、単にトランジスタを支持するだけではなく、デバイスの信頼性向上のために低い透湿性、ガスバリア性等が望まれる。そこで、通常はガラス基板が良好であるが、条件を満たせば、フレキシブルであるプラスチック基板を用いてもよい。
さらにゲート絶縁膜としてはＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5に限定されるものではなく、それらから化学量論組成のずれた材料（例えば、蒸着やスパッタといった材料形成法により組成ずれが生じるが、そうした、ＡｌＯx、ＴａＯxであってもよい。）を挙げることができる。それ以外の無機膜のみならず、絶縁性有機膜であるシアノエチルプルラン等も、ゲート絶縁膜として適用可能である。
さらに、本発明の要素技術であるゲート絶縁膜積層技術としては、上記非特許文献９に示された対向電極型スパッタ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型化学気相成長、ＥＣＲスパッタ等種々の技術が適用できる。
このように、本発明により、大電流を得ることができ、より性能の高いトランジスタ実現が期待できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明によれば、有機縦形トランジスタにおいて、垂直方向に積層して加工したソース・ドレイン部を囲むように有機半導体活性層／ゲート絶縁膜／ゲート電極を形成し、リソグラフィとドライエッチングを用いパターニング・加工することによって、集積可能な構造を有し、かつ大電流を得ることができるようにしたものである。
本発明の有機縦形トランジスタおよびその製造方法は、短チャネル化を図ることができる有機縦形トランジスタデバイスとして利用可能である。
Claims (22)
- （ａ）基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、
（ｂ）該ソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、
（ｃ）該ソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、
（ｄ）前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側に接触するように積層される有機半導体活性層と、
（ｅ）該有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、
（ｆ）該ゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極と、を有し、
（ｇ）前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体活性層各々を加工することを特徴とする有機縦形トランジスタ。 - 請求項１記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極として、有機導電性高分子膜を用いることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項２記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜がＰｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）膜であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項２記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜がチオフェン系有機膜であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜４の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記トランジスタのゲート絶縁膜がＡｌ2Ｏ3ないしはそれから化学量論組成のずれた材料であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜４の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記トランジスタのゲート絶縁膜がＴａ2Ｏ5ないしはそれから化学量論組成のずれた材料であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜６の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機半導体活性層がペンタセンであることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜６の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機半導体活性層がポリ−３−ヘキシルチオフェンであることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜８の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜８の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜が有機絶縁性材料であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１０の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ゲート電極として、有機導電性高分子膜を用いることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１１記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ゲート電極としての有機導電性高分子膜がＰｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（Ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）膜であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１２の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記基板がガラス基板であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１２の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１４の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記縦形構造の形成角度が基板面に対し４５°から７５°であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１５の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記有機導電性高分子膜形成以前にその膜質向上可能な表面処理を施すことを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１６記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記表面処理が界面活性剤処理であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１７記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記界面活性剤処理がヘキサメチルジシラザン処理であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１７記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記界面活性剤処理がオクタデシルトリクロロシラン処理であることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜１９の何れか一項記載の有機縦形トランジスタにおいて、前記ソース電極／前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜／前記ドレイン電極の加工で、三層レジスト加工を用いることを特徴とする有機縦形トランジスタ。
- 請求項１〜２０の何れか一項記載の、有機縦形トランジスタを作製する有機縦形トランジスタの製造方法。
- 有機縦形トランジスタの製造方法において、垂直方向に積層して加工したソース・ドレイン部に有機半導体活性層／ゲート絶縁膜／ゲート電極を縦形に形成し、リソグラフィとドライエッチングを用いパターニング・加工することによって、集積可能な構造にすることを特徴とする有機縦形トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004075571 | 2004-03-17 | ||
| JP2004075571 | 2004-03-17 | ||
| PCT/JP2005/000560 WO2005091376A1 (ja) | 2004-03-17 | 2005-01-19 | 有機縦形トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005091376A1 true JPWO2005091376A1 (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=34993981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006511130A Withdrawn JPWO2005091376A1 (ja) | 2004-03-17 | 2005-01-19 | 有機縦形トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2005091376A1 (ja) |
| TW (1) | TW200532854A (ja) |
| WO (1) | WO2005091376A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2432714A (en) * | 2005-10-06 | 2007-05-30 | Seiko Epson Corp | Thin film transistor and method for fabricating an electronic device |
| CN100466323C (zh) * | 2005-12-28 | 2009-03-04 | 中国科学院化学研究所 | 一种非平面沟道有机场效应晶体管 |
| ATE470957T1 (de) * | 2006-03-24 | 2010-06-15 | Merck Patent Gmbh | Organische halbleiterformulierung |
| US20070254402A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Robert Rotzoll | Structure and fabrication of self-aligned high-performance organic fets |
| TWI407561B (zh) | 2009-11-10 | 2013-09-01 | Univ Nat Chiao Tung | 一種壓力感測元件及其陣列 |
| KR101824124B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| IL229837A0 (en) | 2013-12-08 | 2014-03-31 | Technion Res & Dev Foundation | electronic means |
| TWI557915B (zh) * | 2014-03-05 | 2016-11-11 | 財團法人國家實驗研究院 | 垂直式電晶體元件及其製作方法 |
| EP2924754B1 (en) * | 2014-03-28 | 2021-10-20 | Novaled GmbH | Method for producing an organic transistor and organic transistor |
| US9805935B2 (en) | 2015-12-31 | 2017-10-31 | International Business Machines Corporation | Bottom source/drain silicidation for vertical field-effect transistor (FET) |
| US10002962B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-06-19 | International Business Machines Corporation | Vertical FET structure |
| US9812567B1 (en) | 2016-05-05 | 2017-11-07 | International Business Machines Corporation | Precise control of vertical transistor gate length |
| US9653575B1 (en) | 2016-05-09 | 2017-05-16 | International Business Machines Corporation | Vertical transistor with a body contact for back-biasing |
| US9842931B1 (en) | 2016-06-09 | 2017-12-12 | International Business Machines Corporation | Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors |
| US9853127B1 (en) | 2016-06-22 | 2017-12-26 | International Business Machines Corporation | Silicidation of bottom source/drain sheet using pinch-off sacrificial spacer process |
| US10217863B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-02-26 | International Business Machines Corporation | Fabrication of a vertical fin field effect transistor with an asymmetric gate structure |
| US10243073B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-03-26 | International Business Machines Corporation | Vertical channel field-effect transistor (FET) process compatible long channel transistors |
| US9704990B1 (en) | 2016-09-19 | 2017-07-11 | International Business Machines Corporation | Vertical FET with strained channel |
| US10312346B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-06-04 | International Business Machines Corporation | Vertical transistor with variable gate length |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376302B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2003-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3955409B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2007-08-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
| JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
| GB2373095A (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | Patterning substrates with evaporation residues |
| JP2003249656A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Canon Inc | 有機薄膜トランジスタ素子とその製造方法 |
-
2005
- 2005-01-19 WO PCT/JP2005/000560 patent/WO2005091376A1/ja active Application Filing
- 2005-01-19 JP JP2006511130A patent/JPWO2005091376A1/ja not_active Withdrawn
- 2005-01-25 TW TW094102079A patent/TW200532854A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200532854A (en) | 2005-10-01 |
| WO2005091376A1 (ja) | 2005-09-29 |
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