TW554544B - Semiconductor device and its manufacture method - Google Patents

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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554544 A7 _____B7 五、發明説明（） 發明背景 發明領域 本發明係關於半導體裝置及其製造方法，尤其係關於 具有光電轉換元件之半導體裝置及其製造方法。 相關技術背景 一種習知的影像攝取模組係具有一半導體晶片及一基 板’其中該半導體晶片係具有光線接收元件，而該基板則 係具有可將光線會聚在光線接收元件上之透鏡。該半導體 晶片及基板係安裝在一間隙壁之兩側，以彼此隔開一段距 離。光線係可以聚合在每一光線接收元件之光線接收平面 上，俾使一真實影像可以形成。 圖18A、18B及18C係切開之立體透視圖，其中顯示一 種習知的影像攝取模組的製造方法。圖1 8 A係顯示一基板 9 1 7，其係具有用以將光線聚合在一光線接收元件之透鏡， 圖18B則係顯示一間隙壁901，而圖18C係顯示一具有光線 接收元件1 00之半導體晶片503。依照習知的影像攝取模組 製造方法，基板917及半導體晶片503係結合在間隙壁901 之兩側面上，以形成一影像攝取模組。若複數之影像攝取 模組的每一影像攝取模組皆係由此方法所製成，則將需要 採用相當多的製程步驟，包括針對半導體晶片503與·基板 JM7之對準處理。 圖19A、19B及19C係槪要截面視圖，其中顯示另一習 知的影像攝取模組製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------^------1T------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 A7 ____B7五、發明説明（会 圖19A係一半導體晶圓910之槪要截面視圖，其中該 半導體晶圓係具有複數半導體晶片，該晶圓由於在半導體 裝置製程中所形成之鈍化薄膜等等而具有些許的翹曲。在 一 8英吋晶圓中，此一翹曲在最高與最低位置之間係會具 有大約0.2毫米的高度差。具有翹曲之晶圓係會呈現捲筒 狀、鞍狀、碗狀等等。 如圖19B所示，半導體晶圓910之翹曲係可以利用一 模座950來將晶圓910之底面吸住而消除之。 接下來，如圖19C所示，半導體晶圓910及一基板917 係經由一間隙壁901而結合在一起。 之後，便將半導體晶圓910之吸力解除.，以將該半導 體晶圓910及透鏡基板917由模座9 50上移開。此半導體晶 圓及透鏡之組件係沿著每一半導體晶片及透鏡來加以切 開，以構成一影像攝取模組。一種可將具有半導體晶片之 半導體晶圓9 1 0與基板9 1 7以一單一對準程序而結合在一 起之方法，係適用於製造大量的影像攝取模組。 (第一個技術問題） 在半導體晶圓910經由間隙壁901而結合至具有複數 個用以將光線發散在光線接收元件上之透鏡的透鏡基板9 17 之後，便可以藉由沿著介於半導體晶片之間之每一刻線來 切割該基板，而形成每一影像攝取模組。在切割期間，其 係會經由一切割刀片而施加一力量於基板917。此一力量係 會改變一透鏡之表面形狀，進而改變其反射性，而使得聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉八4規格（21〇X：197公釐） 554544 A7 B7 五、發明説明（i 焦性能變差。 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，本發明之一目的係要有效地製造一種諸如影像 攝取模組之半導體裝置，其在切割期間係不會改變透鏡之 .表面形狀。 (第二個技術問題） 就圖19A至19C所示之製造方法，在半導體晶圓910 之吸力解除之後，該半導體晶圓910係會傾向於回復其原 始的翹曲狀態。若透鏡基板917係結合至該半導體晶圓910 其凸曲的那一面，則半導體晶圓910與透鏡基板917便有 可能會在半導體晶圓910之周緣區域發生剝離的情況$ 相反地，若透鏡基板917係結合至該半導體晶圓910 其凹曲的那一面，則半導體晶圓91 0與透鏡基板9 17便有 可能會在半導體晶圓910的中央部位發生剝離的情況。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若半導體晶圓910與透鏡基板917在最糟的情況下發 生剝離，或者若在半導體晶圓910與透鏡基板917之間的 黏膠層被拉長，則在半導體晶圓9 10與透鏡基板9 1 7之間 的距離便會改變，而使得光線無法被正確地聚合在光線接 收元件上，進而在某些狀況下無法適當地攝取影像。 因此，本發明之另一目的係要製造一種諸如影像攝取 模組之半導體裝置，其可以藉由解決諸如半導體晶圓910 之半導體基板的翹曲而實現可靠的影像攝取。 發明摘要 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公f ) 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 A7 _ B7五、發明説明（\ 依照本發明之一樣態，其係提供一種半導體裝置，其 係藉由切割一藉由一間隙壁而結合在一起之第一基板及第 二基板而形成，其中：在切割之後，該間隙壁係配置在第一 基板之一端部；該第二基板係一種具有一個或多個光線接收 元件之半導體晶圓；且該第一基板係具有一光學元件或一光 學元件組，其係用以將光線會聚在該一個或多個光線接收 元件上。 依照本發明之另一樣態，其係提供一種半導體裝置的 製造方法，其包含：一結合步驟，其係將—第一基板與一第 二基板藉由一間隙壁而結合在一起；以及一切割步驟，其係 將第一及第二基板加以切割，其中該切割第一基板之步驟 中，其係在該間隙壁配置在第一基板下方的位置處來切割 該第一基板。 依照本發明又一樣態，其係提供一種半導體裝置之製 造方法，其包含：一固定步驟，其係在可消除翹曲的條件下 來將半導體基板固定在一基座上；一結合步驟，其係將一相 對基板結合至該半導體基板，且其尺寸係依照該半導體基 板之翹曲來加以調整；以及一切割步驟，其係切割該相對基 板。 圖式之簡單說明 圖1A係槪要俯視圖，其中顯示依照本發明第一實施例 之半導體裝置的結構。 圖1B係沿著圖1A所示之剖面線1B-1B所取之截面視 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T _線| 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X1297公f ) 554544 A7 —____B7 __
五、發明説明（J 圖。 圖1 C係在圖1 A中所示之半導體晶片503的俯視圖。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1D係一槪要截面視圖，其中顯示第一實施例之半導 體裝置連接至一外部電路。 圖2係一放大槪要截面視圖，其中顯示靠近在圖1C中 所示之光線接收元件822a及822b之部位。 圖3係一示意圖，其中顯示在影像攝取區域與藉由安 裝在本實施例之影像攝取模組上之合成眼透鏡所攝取之物 體影像之間的位置關係。 圖4係一示意圖，其中顯示當圖3所示之影像攝取區 域被投射時，在像素之間的位置關係。 圖5係一切開的立體視圖，其中顯示依照本發明之半 導體製造方法。 圖6係圖5所示之間隙壁901的俯視圖。 圖7係半導體晶圓910之俯視圖，其中一間隙壁901 係結合至該半導體晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖8係具有間隙壁901之半導體晶圓910的俯視圖， 其中一光學元件組917係結合至該間隙壁901 $ 圖9係具有間隙壁901之半導體晶圓910的俯視圖， 其中所有光學元件組917係皆結合至該間隙壁901。 圖1 〇係一槪要截面視圖，其中顯示在所有光學元件組 917皆已結合之後，接下來所要進行之切割程序。 圖1 1係一圖表，其中顯示一紅外線截斷濾波器之光譜 傳輸特性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2j〇X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554544 A7 __B7 五、發明説明（含 圖12A、12B、12C及12D係槪要示意圖，其中顯示依 照本發明第二實施例之半導體裝置的製造方丨去。 圖1 3係一光學元件組之槪要俯視圖。 圖14係一光學元件組之槪要俯視圖。 圖15係具有半導體晶片之半導體晶圓之槪要俯視圖。 圖1 6係圖1 5所示之半導體晶圓之槪要平面圖，其中 圖13及14所示之光學元件組係結合在半導體晶圓上^ 圖1 7係半導體晶圓之槪要平面圖，其中在整個半導體 晶圓之表面上係安裝有光學元件組。 圖18A、18B及18C係切開的立體視圖，其中顯示一習 知影像攝取模組之製造方法。 圖19A至19C係槪要截面視圖，其中顯示另一習知影 像攝取模組之製造方法。 主要元件對照表 100 光線接收元件 320a 光線接收元件陣列 320b 光線接收元件陣列 320c 光線接收元件陣列 320d 光線接收元件陣列 320e 中心 351a 物體影像 351b. 物體影像 351c 物體影像 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
554544 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 35 1 cl 360a 360b 360c 360d 361 362a 362b 362c 501 501a 501b 503 503a 503b 506 508 509 511 512 513 514 5 15 5 16 物體影像 中心 中心 中心 中心 點 白色正方形 斜線正方形 黑色正方形 透光構件 透光構件 透光構件 半導體晶片 半導體晶片 半導體晶片 遮光屏蔽層 遮光構件 黏膠構件 影像攝取模組 合成眼光學元件 電極墊 AD轉換器· 計時產生器 微透鏡 # · ---------辦本------1T------年 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家;I票準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1Ω- 554544 A7 B7 五、發明説明（备 經濟部智慧財產局員工消费合作社印紫 516a 微 透 鏡 516b 微 透 鏡 517 多 層 印 刷 電 路 板 520 連 結 線 521 紫 外 線 硬 化 樹 脂 522 間 隙 壁 522a 間 隙 壁 522b 間 隙 壁 523 切 割 刃 片 560 Μ 波 器 600 凸 透 鏡 600a 凸 透 鏡 600b 凸 透 鏡 600c 凸 透 鏡 600d 凸 透 鏡 710 半 導 體 晶 圓 810a 孔 徑 光 闌 810c 孔 徑 光 闌 810d 孔 徑 光 闌 820a 光 線 接 收 區 域 820b 光 線 接 收 區 域 820c 光 線 接 收 區 域 820d. 光 線 接 收 區 域 822 光 線 接 收元件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -11 - 554544 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明説明（ 822a 光線接收元件 822b 光線接收元件 823a 光通量 823b 光通量 901 間隙壁 902 開口 903 分隔線 909 方向扁平部 910 半導體晶圓 917 基板 950 模座 960 半導體晶圓 961 半導體晶片 962 光學元件組 963 透鏡 964 光學元件組 965 透鏡 較佳實施例之詳細說明 本發明之實施例將在以下參考附圖來加以說明。 在本發明之半導體裝置的說明中，其係舉影像攝取模 組爲例來說明。 [第一實施例] 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（21〇X 297公釐） (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -1?- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（）〇 圖1 A係槪要俯視圖，其中顯示依照本發明第一實施例 之半導體裝置的結構。圖1 B係沿著圖1 A所示之剖面線 1B-1B所取之截面視圖。圖1C係在圖1A中所示之半導體 晶片503的俯視圖。圖1 D係一槪要截面視圖，其中顯示第 一實施例之半導體裝置連接至一外部電路。 現請參照圖1A-1D，元件標號560係表示一紅外線截斷 濾波器。元件標號501係表示一透光構件，其在被切割之 後便可以構成一第一基板。元件標號506係表示一遮光屏 蔽層，其係由遮光材料所製成，且舉例來說，其係交錯式 地印刷在該透光構件501上之紅外線截斷濾波器560上。 元件標號512係表示一合成眼光學元件，其係具有一合成 眼透鏡，且該合成透鏡係由紅外線截斷濾波器5 60、遮光屏 蔽層506、以及凸透鏡600a及600c及圖上未顯示之凹透鏡 600b與600d。在此一實施例中，雖然合成眼光學元件係具 有由四個凸透鏡所構成之合成眼透鏡，然而該透鏡之數量 並未以此爲限，其亦可以視需要來加以調整。舉例來說， 其亦可以採用僅具有一透鏡之光學元件。元件標號8 1 0a、 810b、810c及8 10d係表示貫穿該遮光屏蔽層506之孔徑光 闌。最好，透鏡600a、600b、600c及600d之光學中心軸係 配置成與孔徑光闌810a、810b、810c及810d同軸。亦可省 略該紅外線截斷濾波器560。在此例中，其便可以形成一較 薄的影像攝取模組。元件標號503係表示一半導體晶片， 其在被切割之後係可作爲一第二基板，該半導體晶片係具 有像素（未顯示），該像素係具有以二維方式配置之光線接收 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 ---------扯衣------II------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ _五、發明説明（ 元件。元件標號522係表示一間隙壁，其係用以決定該合 成眼光學元件512與半導體晶片503之間的距離。元件標 號5 09係表示一黏膠構件，其係經由間隙壁522而將合成 眼光學元件512與半導體晶片503黏合在一起。元件標號 5 1 3係表示一電極墊或外部端子，其係可將一由光線接收元 件（諸如MOS型影像攝取元件或一 CCD影像攝取元件或一 發光元件）所供應之信號輸出至外部。元件標號508係表示 一遮光構件，其係形成在由合成眼光學元件5 1 2、間隙壁 522及半導體晶片503所包圍之空間中，其中該遮光構件係 可以避免在四個凸透鏡之間產生光學串音（optical crosstalk)。元件標號516係表示一微透鏡，其係用以增加 每一光線接收元件之光線轉換效率。元件標號820a、 820b、820c及820d係表示光線接收區域，其中光線接收元 件係以二維方式配置在半導體晶片503上。元件標號514 係表示一 AD轉換器，其係用以將每一光線接收元件所輸出 之信號轉換成數位信號。元件標號5 1 5係表示一計時產生 器’其係針對每一光線接收元件之光電轉換操作來產生一 計時信號。間隙壁522係可以由任意構件所製成，其可以 決定在半導體晶片503與合成眼光學元件512之間的距 離。舉例來說，其可以採用具有預定長度之構件，或者係 可以使用與突粒相混合之黏膠。 元件標號5 17係表示一多層印刷電路板，其係可以作 » 爲一外部電路基板。元件標號520係表示一連結線，其係 用以電氣連接該電極墊5 13與一位在多層印刷電路板5 17 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ ~" -14- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝. 訂 |線- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明（）2 上之電極墊（圖上未顯示）。元件標號521係表示熱固性或紫 外線硬化樹脂52 1，其係用以密封電極墊51 3與連結線520 之周緣部位。在此實施例中，環氧樹脂係用以作爲該熱固 性或紫外線硬化樹脂。取代藉由使用連結線520所形成之 電氣連接，亦可以使用一 TAB薄膜來達成電氣連接。該紫 外線硬化樹脂5 21係塗佈在影像攝取模組之整個外部周緣 表面積上，以使該影像攝取模組可以穩定地安裝在該多層 印刷電路板上。元件標號822a及822b係表示光線接收元 件。 本發明之影像攝取模組的特徵係在於，該間隙壁522 係配置在合成眼光學元件5 1 2之周緣側邊上。換言之，作 爲第一基板之透光構件501在被切割之前，係經由間隙壁 522而結合至在被切割成半導體晶片503之前作爲第二基板 之半導體晶圓，且在結合之後，便將該間隙壁522位在透 光構件50 1下方的部位加以切割，以形成每一影像攝取模 組。 藉此，間隙壁522便可以配置在透光構件501之周緣 側邊上。 以下將針對本實施例之影像攝取模組的製造方法來詳 加以說明。如圖-11所示，該紅外線截斷濾波器560係可使 80%或以上之具有範圍由350nm至630nm之波長的電磁波 (諸如紫外線）穿透，但幾乎無法使波長爲250nm或更短以及 8 5 0nm或更長之電磁波穿透。 紅外線截斷濾波器560係藉由蒸氣沉積或類似方法而 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙悵尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15- 554544 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（）3 形成在透光構件501之整個表面上，且該遮光屏蔽層506 係形成在此一紅外線截斷濾波器560上。該遮光屏蔽層506 係配置成不會沿著一紫外線入射方向而重疊在黏膠構件509 上，因此，紫外線硬化環氧樹脂便可以充份地硬化，以形 成黏膠構件509。該遮光屏蔽層506係具有一島狀的外形。 在本發明中，黏膠構件509係不僅侷限於紫外線硬化環氧 樹脂，因此，該遮光屏蔽層5 06以及黏膠構件509亦可以 沿著紫外線入射方向而彼此重疊。在本說明書中，該紫外 線入射方向係由一箭頭X所表示。 半導體晶片503以及間隙壁522係藉由彼此相對移動 而結合在一起，因爲所結合之結構係可以藉由一電線而以 黏合等方式來電氣地連接該電極墊5 1 3及外部電路。半導 體晶片503與間隙壁522亦能以非彼此位移之方式來結 合。在此例中，該合成眼光學元件5 1 2之配置方式最好不 是藉由將其由間隙壁522上移開來達成。 以下將參考圖1B及1C來詳細說明該半導體晶片50 3。 如圖1 B所示，由樹脂、玻璃、矽等類似元件所製成之間隙 壁522最好係插置在合成眼光學元件512與半導體晶片503 之間，以將其以一預定之距離來加以固定。當形成一絕緣 物上矽（SIO)基板時，間隙壁522及半導體晶片503亦可以 藉由使用一結合方法而結合在一起。最好係採用內含鋁或 銦之黏性金屬來將其結合在一起。 凸透鏡600a、600b、600c及600d係藉由一種摹製方 法、射出成型方法、壓縮模製方法等等而形成在透光構件 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格(210X297公釐） ""-16- •· I--------^------1T------^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554544 經濟‘部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（）4 501上。該凸透鏡60(h-600d係係一種球形表面之佛瑞奈 (Fresnel)凸透鏡，或者係一種圓形且軸對稱且爲非球形表面 之佛瑞奈凸透鏡，其係分別由樹脂所製成，且相較於使用 連續成像表面之一般光學系統，其所具有之成像曲面係可 以更可靠地加以校正。 凸透鏡600a- 600d係藉由樹脂而結合至透光構件501。 該樹脂之一部分在某些情況下係會流動至每一凸透鏡600a-600d之周緣區域，諸如在凸透鏡600a及600c之間的區 域。若流動之樹脂到達透光構件501之切割表面，則在切 割期間，該樹脂係會受到一沿著將樹脂由透光構件501剝 離之方向上的作用力。在此情況下，該凸透鏡600a-600d便 有可能會扭曲變形。因此，最好該流動之樹脂係不會到達 該透光構件501之切割表面。 每一孔徑光闌810a、810b、810c及810d沿著光學中心 軸方向上的位置，係可決定在光學系統之光學中心軸外側 之主要光束。因此，以控制各種像差之觀點而言，該光闌 位置係相當重要的。由於每一凸透鏡600a-600d係形成在影 像側，因此若該光闌之位置係定位在接近一近似於佛瑞奈 透鏡表面之球形表面的中心，則各種不同的光學像差便能 夠獲得適當的校正。若欲攝取一彩色影像，則必須在沿著 光學中心軸而靠近每一凸透鏡600a-600d的位置，以—種 Bayer佈局之方式來配置一綠色（G)透光濾波器、一紅色（R) 透光濾波器及一藍色（B)透光濾波器。若欲攝取一特殊的彩 色影像或一 X射線影像，則需要配置特定的彩色濾波器或 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2!〇X 297公釐) ~ -- -17- 批衣 i 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554544 A7 _B7_ 五、發明説明（）5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磷。在此實施例中，雖然圖上未顯示，然而一綠色（G)透光 濾波器、一紅色（R)透光濾波器以及一藍色（B)透光濾波器係 以Bayer佈局方式來加以配置。 微透鏡516及遮光構件5 08係形成在半導體晶片503 上。微透鏡5 1 6係將光線聚合在光線接收元件上，以攝取 一具有低亮度之物體的影像。該遮光構件508係可以避免 在穿透該凸透鏡600a之光線與穿透該凸透鏡600c之光線之 間產生光學串音。該遮光構件508係配置在相鄰之凸透鏡 之間。 若光線接收元件822a與在圖1C中所示之另一元件係 CMOS感應器，則其可以很容易將該AD轉換器514安裝在 半導體晶片503上。若AD轉換器514及黏膠構件509係彼 此疊置在半導體晶片503上時，則半導體晶片503之表面 積便可以縮減，進而降低成本。 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印贤 黏膠構件509最好係配置成與切割線隔開。在此例 中，其可以避免由於切割刃片之摩擦生熱而使黏膠構件509 熔化或破裂成小碎片或碳顆粒附著在凸透鏡600a-600d上， 而造成該影像攝取模組之品質降低。 該微透鏡係配置在光線接收區域820a、820b、820c及 820d上，使得周緣透鏡，諸如516，係可以更朝向互連該 光線接收區域之中心之直線的中心來偏移。 圖1 D係顯示作爲一外部電路板之多層印刷電路板 517，以及用以電氣連接該多層印刷電路板517與電極墊 5 1 3之結合線，以及用以密封電極墊5 1 3與連結線520之周 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'X 297公釐） -18- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_五、發明説明（）6 緣部位之熱固性或紫外線硬化樹脂521。 藉由黏膠構件509以及熱固性或紫外線硬化樹脂521 所形成之密封，係能可靠地避免微透鏡516及濾波層因爲 空氣中之灰塵、水氣進入以及鋁層之電解性腐蝕而受損。 熱固性或紫外線硬化樹脂521係塗佈在影像攝取模組 之整個外部周緣表面上，以使該影像攝取模組能夠可靠地 安裝在該多層印刷電路板5 17上。 由於電極墊513與多層印刷電路板517係藉由連結線 5 20而連接在一起，因此，便不需要採用一 IT〇薄膜或渠孔 金屬主體，藉此便可以降低成本。一 T A Β薄膜亦可以取代 該連結線520。 圖2係一放大槪要截面視圖，其中顯示靠近在圖1 c中 所示之光線接收元件822a及822b之部位。在圖2中，元件 標號516a及516b係表示形成在光線接收元件822a及822b 上之微透鏡，而元件標號823a及823b則係表示通過該孔徑 光闌810a及810b之入射光通量。微透鏡516a係相對於光 線接收兀件8 2 2 a而向上偏心，而該微透鏡5 1 6 b則係相對於 光線接收元件822b而向下偏心。 僅有光通量823a係可入射在該光線接收元件822a上， 且僅有光通量823b係可入射在該光線接收元件822b上。光 通量823a及823b係相對於光線接收元件822a及822b之光 線接收平面而向下及向上入射，並且其方向係朝向該孔徑 光闌.810a 及 810b。 藉由適當地選擇該微透鏡5 1 6a及5 1 6b之偏心量，便可 批4— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T |線| 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS)A4規格（210Χ297公釐） -19- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（）7 使僅有適當的光通量可以入射在每一光線接收元件822 上。該偏心量係可設定成使得一通過該孔徑光闌810a之物 體光束主要係由光線接收區域820a所接收，且通過該孔徑 光闌810b之物體光束主要係由光線接收區域820b所接收， 且依此類推。 現請參照圖3及圖4，以下將說明用以在本發明第一實 施例之半導體裝置之影像攝取模組的光線接收區域820a至 820d中轉換電子信號的處理機構。圖3係一示意圖，其中 顯示在影像攝取區域與藉由安裝在本實施例之影像攝取模 組上之合成眼透鏡所攝取之物體影像之間的位置關係。圖4 係一示意圖，其中顯示當圖3所示之影像攝取區域被投射 時，在像素之間的位置關係。在圖3中，元件標號320a、 3 20b、3 20c及3 20d係表示四個形成在半導體晶片503上之 光線接收元件陣列。爲了方便說明，在此係假設每一光線 接收元件陣列320a、320b、320c及320d係具有8x 6個像 素。像素之數量係可視需要來選擇，其並未以本實施例爲 限。光線接收元件陣列320a及320d係輸出G影像信號， 且光線接收元件陣列3 20b則係輸出R影像信號，而光線接 收元件陣列320c則係輸出B影像信號。在光線接收元件陣 列3 20a及320d中之像素以白色正方形表示，而在光線接收 元件陣列320b中之像素則係以斜線正方形來表示，而在光 線接收元件陣列320c中之像素則係以黑色正方形來表示。 皆在水平方向上具有一像素而在垂直方向上具有三個 像素之尺寸的分離區域’係形成在相鄰之光線接收元件陣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 列之間。因此，一連接用以輸出G影像信號之光線接收元 件陣列的直線的中心，係具有相同的垂直及水平位置。元 件標號315a、351b、351c及351d係表示物體影像。由於像 素係配置在一像素變換佈局中，因此該物體影像3 15a、 35 1b、351c 及 35 Id 之中心 360a、3 60b、360c 及 360d 係與 光線接收元件陣列320a、320b、320c及320d之中心錯開大 約四分之一像素距離，並且偏向所有光線接收元件陣列之 中心320e 〇 當光線接收元件陣列係反向地投射在與物體側相距預 定之距離的平面上時，便可以獲得如圖4所示之投影。再 者，在物體側，在光線接收元件陣列320a及320d中反向投 射之像素影像係以白色正方形表示，而反向投射在光線接 收元件陣列320b中之像素影像則係以斜影正方形表示，且 反向投射在光線接收元件陣列320c中之像素影像則係以黑 色正方形表示。 物體影像之中心360a、360b、360c及360d的反向投射 影像係會重疊在一點361上，且在光線接收元件陣列 320a、3 20b、3 20c及320d中之每一像素影像係反向投射， 而不會使各別像素之中心重疊。由於白色正方形係輸出一 G影像信號，且斜線正方形係輸出一 R信號，而黑色正方 形係輸出一 B信號，因此，物體便能以類似於具有Bayer 佈局之彩色濾波器的影像攝取裝置的方式來加以取樣。 相較於使用一單一影像攝取透鏡之影像攝取系統，針 對在半導體晶片503上之2x 2像素而配置R、G、B及G之 本紙張尺度適用中^國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 -21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554544 A7 _ B7 五、發明説明（）9 彩色濾波器的B a y e 1·佈局，假設該像素間距係固定的，則其 便可以形成一具有1除以2之平方根的尺寸。取像透鏡之 焦距因此便可以縮短1除以2之平方根，亦即，縮短1 /2。 這係相當適用於製造小k的攝影機。 在圖1 A至1 D所示之影像攝取模組的操作方式，現將 簡單說明如下。一入射在合成眼光學元件512上之物體光 束係會通過孔徑光闌8 1 Oa至8 1 Od及位在孔徑光闌下方之透 鏡600a至600d，而在半導體晶片503上形成複數個物體影 像。該影像係經由在各別光線接收元件上之微透鏡5 1 6所 聚合。 由於配置有彩色濾波器，因此R、G、B及G之四個物 體影像便可形成在各別之光線接收元件上，其會將所接收 到之光線轉換成電子信號。 以下將參考圖5至1 0來說明依照本發明之作爲一半導 體裝置之影像攝取模組的製造方法。圖5係一切開的立體 Λ視圖，其中顯示依照本發明第一實施例之半導體製造方 法。現請參照圖5，元件標號90 1係表示一包括有間隙壁 5 2 2a及5 22b之間隙壁，而元件標號503a及503b則係表示 半導體晶片，而元件標號917則係表示一光學元件組，其 中該光學元件組係具有透光構件501a及501b，而該透光構 件則係具有透鏡、遮光層以及圖上未顯示之顏色濾波器等 等。首先，具有形成有凸透鏡6〇〇L60〇d之透光構件5(na、 50 lb,之光學元件組917係結合至間隙壁901。藉由沿著一切 割線而切割在半導體晶片503a及5 03b之間的區域，一具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） " -22- ---------^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554544 A7 _B7_ 五、發明説明（ 半導體晶片503a之影像攝取模組以及具有半導體晶片503b 之影像攝取模組便可以形成。一切割區域係指形成在作爲 第一基板之透光構件501下方的空間。一切割線係可以由 光學元件組9 17中藉由蝕刻所形成之凹溝、透過微影技術 所形成之金屬遮罩、或者係藉由一摹製而形成之樹脂突伸 部所形成。若該樹脂突伸部係在形成凸透鏡6 0 0 a - 6 0 0 d的同 時，藉由摹製而形成時，則便可以縮減製程步，歐數量。 圖6係圖5所示之間隙壁901的俯視圖。間隙壁901係 藉由一分隔線903而分成間隙壁522a及522b。間隙壁901 係具有複數個開口 902，其係用以將通過凸透鏡600a至 600d之光通量導引至光線接收元件822。 圖7至1 0係一半導體晶圓之俯視圖，其中顯示依照本 實施例之半導體裝置的製造方法。圖7係半導體晶圓910 之俯視圖，其中該間隙壁901係結合至該半導體晶圓9 1 0。 圖8係具有間隙壁901之半導體晶圓910的俯視圖，其中 一光學元件組9 1 7係結合至該間隙壁90 1。圖9係具有間隙 壁901之半導體晶圓910的俯視圖，其中所有光學元件組 917係皆結合至該間隙壁901。圖10係槪要截面視圖，其中 顯示在所有光學元件組917皆已結合之後，所欲進行之切 割程序。 - 依照本發明之之半導體裝置的製造方法將詳述如下。 首先’在半導體晶圓910上係形成有二十二個半導體晶片 5〇3，.以作爲第二基板。每一半導體晶片503係具有如圖1C 所示之結構。欲形成在半導體晶圓91〇上之半導體晶片的 本ϋ張尺度適用中國國家標率（)八4規格（21〇x；297公釐） 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（h 數量，係可視需要來加以選擇。 由於該半導體晶圓9 1 0可能會具有些許的翹曲，因此 當光學元件組9 1 7結合於其上時，便將該半導體晶圓9 10 加以吸住，以消除該半導體晶圓91〇的翹曲。 在稍後將半導體晶圓91 0之吸力解除之後，一力量便 可施加至半導體晶圓910，以回復其原來的形狀。此一力量 可以會使某些光學元件組9 1 7相互碰撞，而使得在半導體 晶圓9 1 0與光學元件組917之間的距離改變。爲了不使其 改變此一距離，最好在相鄰的半導體晶片5〇3之間形成一 定的間隙。 使該半導體晶圓具有較大表面積之趨勢係愈來愈明 顯。當光學元件組917以疊置狀態而結合至半導體晶圓910 時’在相鄰的半導體晶片503之間便會形成某些間隙，這 將有助於製造出具有良好品質的影像攝取模組。 間隙壁901係與兩半導體晶片503對齊，並且結合至 位在半導體晶片503上之黏膠構件509。一箭頭J係表示一 切割線之位置（圖7)。 由晶體所製成之半導體晶圓910係具有電氣、光學、 機械及I化學異向性。在一被向上拉起之矽錠的方向性已由 X射線繞射而精確測出之後，便可將該矽錠切開。在切開 矽錠之前，一圓柱形矽錠係具有一直立部分，稱之爲方向 扁平部909，其係用以表示該晶體之方向。 、 若半導體晶片503之半導體元件圖樣係與方向扁平部 909相對齊，則在光學元件組917與晶圓之間便可以具有精 本紙張尺度適用中國國家择準（CNS ) A4規格（210X297^| ) • · ---------装------1T------_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24- 554544 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（22 確的對齊，且該晶圓可以藉由使用一形成在光學元件組917 與方向扁平部909上之參考圖樣來建立。 若光學元件組917之尺寸係設定爲可以容置在一步階 器之有效曝露尺寸中時，則由一晶圓所製造之影像攝取模 組之數量便能變多，這以成本觀點而言係相當有利的。 在間隙壁901結合至半導體晶片503之後，光學元件 組917便可以在該間隙壁901之開口與對應之凸透鏡600相 對準的狀態下，利用熱固性或紫外線硬化環氧樹脂來將結 合至間隙壁901上。一箭頭K係表示光學元件組917之分 隔線903的位置（圖6及8)。 在環氧樹脂藉由照射紫外線而呈半硬化之後，便可加 壓該樹脂而直到形成一預定之間隙爲止。之後，該樹脂便 可以藉由熱處理而完全硬化，以將光學元件組917與半導 體晶圓910之間的間隙加以固定，使得一物體影像可以準 確地聚焦在光線接收元件陣列912上。 黏膠構件509最好係配置成與分隔線903或切割線隔 開。在此例中，其可以避免因爲切割刃片的摩擦生熱而使 環氧樹脂熔化或破碎成細小碎片或者係所產生之碳微粒附 著至凸透鏡600a至600d，而使影像攝取模組之品質變差。 、光學元件組917係以相同的方式結合至每一間隙壁 901(圖 9) 〇 使用環氧樹脂係因爲其硬化較爲溫和，且硬化收縮變 動較少，使得應力得以被釋放。在此實施例中，雖然熱固 性樹脂亦可以作爲黏膠構件，然而最好還是使用紫外線硬 ---------裝-- i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -25- 554544 A7 _____B7_ 五、發明説明（ 化環氧樹脂，因爲欲使熱固性樹脂硬化所需的熱量，係有 可能會破壞分別形成在半導體晶圓9 1 0上之微透鏡、摹製 品以及遮光屏蔽層506之印刷覆層。 當紅外線截斷濾波器560之光譜傳輸在此部位係被調 整爲傳輸紫外線時，該紅外線截斷濾波器56〇係形成在遮 光屏蔽件之周緣部位上，因此，該環氧樹脂便可以藉由紫 外線照射在半導體晶圓910正面而被硬化。 若光學元件組917係在每一半導體晶片503由半導體 晶圓9 1 0上切割下來之前便結合且固定，則半導體晶圓9 i 〇 與光學元件組917便可以相互平行，亦即，在半導體晶圓 9 1 0與光學元件組9 17之間的距離係相等的，這比該光學元 件組9 1 7在每一半導體晶片被切割之前未結合及固定的情 況還要好得多。因此，便很難發生光學影像單面不淸晰的 情況。 最後’該半導體晶圓910係沿著箭頭]所示之位置來加 以切割，且該間隙壁901與光學元件組917係沿著箭頭K 所示之位置來加以切割。就切割半導體晶圓9 i 〇的方式而 曰’其可以ί未用一種切割工作系統或一^雷射工作系統，其 係揭露在日本特許公開專利申請第11-345785號以及2000-061677 號中。 如圖10所不，若採用一切割刃片，則只是將半導體晶 圓9 1 0沿著箭頭J之方向來由半導體晶圓的底面來加以切 割，且在切割的同時，其會噴灑切割水，以冷卻該半導體 晶圓9 10。在圖1 0中，.元件標號523係表示一切割刃片。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 554544 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（$4 接下來，僅有光學元件組9 1 7與間隙壁9 (rf係由半導 體晶圓910之頂面切割下來。 詳言之，當切割刃片5 23沿著箭頭L所示之方向轉動 時，該切割刃片便會在半導體晶片503分離之前沿著此一 方向來推擠該半導體晶圓910。若結合至凸透鏡600a、 600b、600c及600d之樹脂層係位在該切割線上時，則一力 量係會沿著將樹脂層由合成眼光學元件5 1 2之玻璃基板上 r 麗之方向而作用在該樹脂層上，因此，凸透鏡600a、 600b、600c及600d之表面精確度便有可能會變差。 在本實施例中，由於樹脂並非位在該切割刃片移動之 切割線上，因此不會有過大的作用力作用在凸透鏡600a、 600b、600c及600d上，如此便可以避免上述之問題。這亦 可以避免因爲切割刃片523的摩擦生熱而使環氧樹脂熔化 或破碎成細小碎片或者係所產生之碳微粒附著至凸透鏡 600a至60 0d，而使影像攝取模組之品質變差。 藉由上述的製程，半導體晶圓910與光學元件組917 便可分離成長條片，以得到如圖1A至1D所示之影像攝取 模組。藉由上述的切割製程，其亦可以形成三角形條片或 六角形條片。 影像攝取模組5 11係連接至多層印刷電路板5 1 7，如圖 1D所示。 在上述之實施例中，該間隙壁9〇1係使用兩間隙壁， 且兩合成眼光學元件係用以作爲光學元件組9 1 7。亦可使用 三個或四個間隙壁及合成眼光學元件。爲了減少定位對準 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（ 程序之數量，該間隙壁901亦可具有相同於半導體晶圓910 之尺寸，且該開口 902與凸透鏡600係形成在對應於半導 體晶圓910上之每一半導體晶片503的位置上。 在此實施例中，雖然該影像攝取模組係作爲半導體裝 置之一實例，然而該實施例亦可以應用至一影像形成模組 中，其中該模組係具有形成在一半導體晶圓910上之電子 發射元件以及形成在一相對基板上之發光元件（諸如磷），且 在其間插置有一間隙壁522。 如上所述，依照本發明，在切割期間，其係可以避免 一作用力施加至第一基板9 1 7上。因此，其便可以避免形 成在第一基板上之透鏡的表面形狀被改變。其亦提供一種 容易製造諸如一影像攝取模組之半導體裝置的方法，而不 會改變透鏡表面形狀，且不會使聚焦性能變差。 [第二實施例] 圖12A至1 2D係槪要視圖，其中顯示依照本發明之第 二實施例之半導體裝置的製造方法。在圖12A至1 2D中， 元件標號9 10係表示一具有翹曲之半導體基板，諸如於其 上形成有複數半導體晶片之半導體晶圓，而元件標號950 係表示一模座，其係用以將半導體晶圓910的底面吸住， 以消除g亥半導體晶圓之翹曲，而兀件標號917係表示作爲 一相對基板之光學元件組。 在圖12A至12D中，相同於前述第一實施例之元件， 係以相同的元件標號來加以標示，且其說明加以省略。如 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝- 訂 -線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -28- 554544 A7 B7 五、發明説明（ 圖12A所示，該半導體晶圓910由於在半導體裝置製程中 所形成之鈍化薄膜等等而具有些許的翹曲。在一 8英吋晶 圓中，此一翹曲在最高與最低位置之間係會具有大約0.2毫 米的高度差。具有翹曲之晶圓係會呈現捲筒狀、鞍狀、碗 狀等等。 當半導體晶圓9 10之底面的吸力解除時，爲了避免應 力的產生，其需要調整在每一光學元件組中之光學元件的 數量。換言之，若半導體晶圓910係具有翹曲，且其凸曲 及凹曲係具有大約爲半導體晶圓直徑之兩倍的低曲率時， 則在每一光學元件組中之光學元件數量必須設定爲較多， 以覆蓋具有少量光學元件組的半導體晶圓9 1 0。若半導體晶 圓910係具有翹曲，且其凸曲及凹曲曲率係大約等於半導 體晶圓之直徑，則在每一光學元件組中之光學元件數量便 必須設定爲較少，以覆蓋具有較多光學元件組之半導體晶 圓910。最好形成一大約爲10微米至500微米之間隙P， 以配合光學元件組之尺寸差異。半導體晶圓9 10之翹曲的 頻率特性係可以藉由表面形狀之頻率分析而獲得。目前存 在的一個普遍趨勢，晶圓的尺寸愈大，則凸曲或凹曲係具 有愈小的頻率。因此，當光學元件組9 1 7結合至半導體晶 圓910時，該半導體晶圓910的底面係利用模座950來加以 吸住，以藉此消除該半導體晶圓9 10的翹曲（圖1 2 B)。詳言 之，半導體晶圓910係利用圖上未顯示之吸力機構而被吸 附在模座950上，使得該半導體晶圓910之整個底部表面 會與模座相接觸。在此狀態下，複數個間隙壁901便可在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 554544 A7 B7 五、發明説明（fl 安裝位置對準的情況下而結合至半導體晶圓9 1 0。接下來， 光學元件組917便與該間隙壁相對準，並且利用黏膠而結 合於其上（圖1 2C)。在黏膠硬化之後，該吸力便可以解除。 間隙壁901係用以將半導體晶圓與光學元件組917結 合在一起。但亦可省略此一間隙壁。 光學元件組917之尺寸係相對於該半導體晶圓910之 翹曲來加以決定。若半導體晶圓910具有較大的翹曲，則 該間隙壁901與光學元件組917之尺寸便有需要設計成較 小。其理由以下。當半導體晶圓910吸附在模座950之吸 力解除之後，便會產生一作用力來回復該半導體晶圓9 1 0 之原始形狀。此一作用力係會造成黏膠產生一潛變的現 象。若在凸曲之翹曲較大的情況下，該間隙壁901與光學 元件組9 1 7仍設計成較大，則光學元件組9 1 7與半導體晶 圓9 1 0之間的距離便會由較接近半導體晶圓9 1 0中央之半 導體晶片503而變長。在此情況下，影像攝取模組之焦點 便會由像素中偏移。 相反地，若間隙壁901係設計成較大，則將更容易在 合成眼光學元件512與每一影像攝取模組之半導體晶片503 之間取得平衡，且位置對準的處理次數亦可以縮減。基於 這些觀點，若在一 8吋晶圓的例子中，一碗形翹曲在最高 與最低位置之間具有大約0.2毫米的高度差，且欲形成六百 個具有側邊長度大約爲6毫米之半導體晶片503時，則該 間隙壁901之尺寸係設定爲三個定位成平行該側邊之半導 體晶片的尺寸。圖12A至12D係顯示複數個光學元件組 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 554544 A7 B7 經濟部智惩財產局員工消費合作社印焚 五、發明説明（会8 9 1 7，然而，在半導體晶圓9 1 0上亦可以僅具有一個光學元 件組。 在複數光學元件組917之間的間隙P，係對應於半導體 基板之翹曲尺寸來加以設定，以避免在半導體晶圓910與 光學元件組917之間的距離，會在半導體晶圓910吸附在 模座950上之吸力被解除之後，因爲複數光學元件組917 彼此抵靠在一起導致黏膠的潛變現象，而造成黏膠層被拉 長或剝離而改變（圖1 2D)。由於半導體晶圓有愈來愈大的趨 勢，因此當光學元件組917結合至被吸住狀態下之半導體 晶圓9 1 0時，在相鄰半導體晶片之間所形成之間隙P係有 助於製造良好品質之影像攝取模組。亦可採用諸如圖1A所 示之光學元件以及諸如圖5所示之光學元件組517。圖5所 示之光學元件組5 17係具有兩個光學元件。由光學元件組 所切割下來之光學元件的數量，係可視需要來決定。 現請參照圖13及14，以下將說明光學元件組之其他實 例。 圖13係一光學元件組962之槪要俯視圖。在圖13 中，元件標號963係表示一透鏡。該光學元件組962係具 有十字的形狀。藉由使用此一光學元件組962，便可以製造 出五個影像攝取模組，每一模組係具有一透鏡。透鏡963 ,之間距係與在一圖上未顯示之半導體晶圓910上之半導體 晶片的間距相同，因此，每一影像攝取模組係具有結合至 半導體晶圓910的光學元件組962之透鏡。 圖14係一光學元件組964之槪要俯視圖。在圖14 ----------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -31 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裝 554544 A7 ___ B7 五、發明説明（扣 中，元件標號965係表示一透鏡。該光學元件組964係具 有長方形的形狀。藉由使用此一光學元件組964，便可以製 造出四個影像攝取模組，每一模組係具有一透鏡。透鏡965 之間距係與在一圖上未顯示之半導體晶圓9 1 0上之半導體 晶片的間距相同，因此，每一影像攝取模組係具有結合至 半導體晶圓910的光學元件組964之透鏡。 光學元件組之形狀並未侷限於十字形或長方形，其亦 可以係T字形、I字形、L字形等等。 現請參照圖1 5至1 7，依照本實施例之半導體裝置的製 造方法，現將詳細說明如下。 圖1 5係一具有半導體晶片之半導體晶圓的槪要平面 圖。在圖15中，元件標號960係表示一半導體晶圓，而元 件標號96 1則係表示一半導體晶片。 圖1 6係圖1 5所示之半導體晶圓的槪要平面圖，其中 圖13及14所示之光學元件組係結合在該半導體晶圓上。 圖1 7係半導體晶圓之槪要平面圖，在該半導體晶圓之 整個表面上係裝設有光學元件組。 正常而言，半導體晶圓960係儘可能形成有較多如圖 15所示之半導體晶片961。然而，如上述針對圖7之說 明，若光學元件組917與間隙壁901係結合至兩個半導體 晶片503，則在某些情況下係無法使用某些半導體晶片 961。這些半導體晶片961係指那些形成在半導體晶圓960 除了靠近方向扁平部以外之周緣部位上的半導體晶圓。 爲了避免此一問題，如圖1 6所示，該光學元件組係以 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ 297公釐） 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -32- 554544 A7 B7 五、發明説明（ z字形方式來加以配置，並且結合至半導體晶圓，而使得該 光學元件組965之邊角與光學元件組963之凸曲邊角相對 齊。如圖17所示，光學元件組965與96 3係配置在半導體 晶圓960上之所有半導體晶片961上。在相鄰光學元件組 963之間沿著其縱長方向上所形成之間隙Q，係根據該半導 體晶圓之翹曲所決定。在此一實施例中，爲了方便說明， 其係採用如圖13及14所示之光學元件組963及965。然 而，如圖17所示，某些光學元件組963及965係無法使用 的。爲了避免此一問題，在實際的例子中，具有形狀符合 於形成在半導體晶圓960上的那些半導體晶片961的光學 元件組，係可用以製造該影像攝取模組。 綜上所述，依照本發明，其所提供之半導體製造方法 係可·以製造很難以剝離之半導體基板及相對基板，即使該 半導體基板當其由一模座（基座）上移開而傾向於回復其原來 翹曲形狀時，兩基板仍然不會剝離。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

  1. 554544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 1 · 一種半導體裝置，其係藉由切割一藉由一間隙壁而結 合在一起之第一基板及第二基板來予以形成，其中： 在切割之後，該間隙壁被配置在第一基板之一端部； 該第二基板係一形成有一個或多個光線接收元件之半 導體晶圓；且 該第一基板具有一光學元件或一光學元件組，被設置 來將光線會聚在該一個或多個光線接收元件上。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，該第 一基板具有一合成眼光學元件，且該合成眼光學元件具有 複數個透鏡。 3.—種半導體裝置製造方法，其包含： 一結合步驟，其係將一第一基板與一第二基板藉由一 間隙壁而結合在一起；以及 一切割步驟，其係將第一及第二基板加以切割， 其中，在該切割第一基板之步驟中，其係在該間隙壁 被配置於第一基板下方的位置處切割該第一基板。 4 .如申請專利範圍第3項之半導體裝置製造方法，其 中，該第二基板被形成有一光線接收元件。 5 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置製造方法，其 中，該第一基板被形成有複數個透鏡。 6.—種半導體裝置製造方法，其包含： 一固定步驟，其係在可消除翹曲的條件下，將半導體 基板固定在一基座上； 一結合步驟，其係將一相對基板結合至該半導體基 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554544 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 板’且其尺寸係依照該半導體基板之翹曲來加以調整；以及 一切割步驟，其係切割該相對基板。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方法，其 包含一結合步驟，該步驟係用以將複數相對基板結合至該 半導體基板，且該複數相對基板之間隙係對應於半導體基 板之翹曲的尺寸。 8 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方法，其 中，將相對基板結合至該半導體基板之該步驟使用〜配置 在相對基板與半導體基板之間的間隙壁。 9 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方法，其 中，切割相對基板之該步驟係在一間隙壁被配置於該相對 基板下方的位置處切割該相對基板。 I 0 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方法， 其中，該半導體基板被形成有一個或多個光線接收元件， 且該相對基板被形成有一光學元件或一光學元件組，用以 將光線會聚在該一個或多個光線接收元件上。 II ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置之製造方 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 法，其中，該相對基板被形成有一合成眼光學元件，且該 合成眼光學元件具有複數個透鏡。 1 2 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方丨去， 其中，該半導體基板係一半導體晶圓。 1 3 ·如申請專利範圍第6項之半導體裝置製造方法， 其中，該相對基板具有長方形、十字形、T字形、I字形、 L字形或多角形之形狀。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -35-
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