JPH10154671A - 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH10154671A JPH10154671A JP31438796A JP31438796A JPH10154671A JP H10154671 A JPH10154671 A JP H10154671A JP 31438796 A JP31438796 A JP 31438796A JP 31438796 A JP31438796 A JP 31438796A JP H10154671 A JPH10154671 A JP H10154671A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの反りを十分矯正できるとともに、ウ
エハと支持基板との間の気泡の発生を十分抑制する。 【解決手段】 作業空間を真空排気した状態でワックス
3を溶融させて、ウエハ1と支持基板2の間に気泡が混
入するのを防止し、続いてウエハ1と支持基板とをプレ
スしつつそれぞれ上部,下部定盤8,9に吸着させて反
りを補正する。
エハと支持基板との間の気泡の発生を十分抑制する。 【解決手段】 作業空間を真空排気した状態でワックス
3を溶融させて、ウエハ1と支持基板2の間に気泡が混
入するのを防止し、続いてウエハ1と支持基板とをプレ
スしつつそれぞれ上部,下部定盤8,9に吸着させて反
りを補正する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造装置、
及び半導体装置の製造方法に関し、特にウエハを支持基
板に高精度に貼り付ける貼付け装置、及び貼付け方法に
関するものである。
及び半導体装置の製造方法に関し、特にウエハを支持基
板に高精度に貼り付ける貼付け装置、及び貼付け方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハの薄膜化において
は、ウエハ研磨時等の加工時の機械的強度を得るため、
ガラス板等の支持基板にワックス等の接着物を用いて、
両者を加圧することによりウエハを貼り付ける工程が行
なわれる。このような処理工程では、接着物(ウエハ)
と支持基板との界面に気泡が発生することを防ぐため、
通常は作業空間を真空排気をしながら支持基板にウエハ
を貼り付けるようにしている。図4は以上のような従来
のウエハ貼付工程を示す図であり、図4(a) に示すよう
に、表面にワックス3を塗布したウエハ1を下部定盤
(ヒータ)50の上に載置し、この上に支持基板2を配
置する。そして作業空間を真空排気する。次いで図4
(b) に示すように、上部定盤(ヒータ)40を下部定盤
50側に移動させ、支持基板2,ウエハ1を押圧して密
着させる。これによりウエハ1と支持基板2とは溶融し
たワックス3により貼り合わされ、後に図4(c) に示す
ように、上部定盤(ヒータ)40の位置を元の位置に復
元して、支持基板2に貼り付けられたウエハ1を取り出
す。
は、ウエハ研磨時等の加工時の機械的強度を得るため、
ガラス板等の支持基板にワックス等の接着物を用いて、
両者を加圧することによりウエハを貼り付ける工程が行
なわれる。このような処理工程では、接着物(ウエハ)
と支持基板との界面に気泡が発生することを防ぐため、
通常は作業空間を真空排気をしながら支持基板にウエハ
を貼り付けるようにしている。図4は以上のような従来
のウエハ貼付工程を示す図であり、図4(a) に示すよう
に、表面にワックス3を塗布したウエハ1を下部定盤
(ヒータ)50の上に載置し、この上に支持基板2を配
置する。そして作業空間を真空排気する。次いで図4
(b) に示すように、上部定盤(ヒータ)40を下部定盤
50側に移動させ、支持基板2,ウエハ1を押圧して密
着させる。これによりウエハ1と支持基板2とは溶融し
たワックス3により貼り合わされ、後に図4(c) に示す
ように、上部定盤(ヒータ)40の位置を元の位置に復
元して、支持基板2に貼り付けられたウエハ1を取り出
す。
【0003】しかしながら、この方法では、ウエハ及び
支持基板の反りのために、貼付け時の接着物の厚み精度
が低下し、ひいては研磨工程等における加工精度が低下
するという問題があった。またウエハの反りを矯正する
ために、あらかじめウエハを定盤に真空吸着して固定し
た状態で大気中にて貼り付ける方法では、接着物(ウエ
ハ)と支持基板との界面の気泡の発生を抑えることがで
きなかった。
支持基板の反りのために、貼付け時の接着物の厚み精度
が低下し、ひいては研磨工程等における加工精度が低下
するという問題があった。またウエハの反りを矯正する
ために、あらかじめウエハを定盤に真空吸着して固定し
た状態で大気中にて貼り付ける方法では、接着物(ウエ
ハ)と支持基板との界面の気泡の発生を抑えることがで
きなかった。
【0004】そこで、このような問題点を解消するもの
として、例えば、特開平4−32229号公報に示され
るウエハ貼付装置が提案されている。図5はこのウエハ
貼付装置の構成を示す図であり、図において、1はウエ
ハであり、2は支持基板、3は上記ウエハ1と支持基板
2とを貼り付けるためのワックス、4はウエハを吸着す
るための上側真空チャック、5はその内部にヒータ6を
有し、上記支持基板2を吸着する下側真空チャック、7
は上記上側,下側真空チャックの表面に設けられた吸着
用の通気孔である。この装置を用いて、図5(a) に示す
ように、上側真空チャック4に、その表面にワックスが
塗布されたウエハを吸着固定し、下側真空チャック5に
支持基板2を吸着固定し、処理空間を真空引きしつつ、
図5(b)に示すように、上側真空チャック4を下方に移
動させてウエハ1と支持基板2とを接触させ、ヒータ6
によって加熱することによりウエハ1を支持基板2に貼
り付けるようにしている。このようにすることにより、
ウエハ1と支持基板2との間の気泡の発生を押さえつ
つ、ウエハ1をフラットな状態で支持基板2に貼り付け
ることが可能である。
として、例えば、特開平4−32229号公報に示され
るウエハ貼付装置が提案されている。図5はこのウエハ
貼付装置の構成を示す図であり、図において、1はウエ
ハであり、2は支持基板、3は上記ウエハ1と支持基板
2とを貼り付けるためのワックス、4はウエハを吸着す
るための上側真空チャック、5はその内部にヒータ6を
有し、上記支持基板2を吸着する下側真空チャック、7
は上記上側,下側真空チャックの表面に設けられた吸着
用の通気孔である。この装置を用いて、図5(a) に示す
ように、上側真空チャック4に、その表面にワックスが
塗布されたウエハを吸着固定し、下側真空チャック5に
支持基板2を吸着固定し、処理空間を真空引きしつつ、
図5(b)に示すように、上側真空チャック4を下方に移
動させてウエハ1と支持基板2とを接触させ、ヒータ6
によって加熱することによりウエハ1を支持基板2に貼
り付けるようにしている。このようにすることにより、
ウエハ1と支持基板2との間の気泡の発生を押さえつ
つ、ウエハ1をフラットな状態で支持基板2に貼り付け
ることが可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装
置、及び半導体装置の製造方法は以上のように構成され
ており、真空チャックを用いてウエハ及び支持基板を吸
着固定し、処理空間を真空引きしつつ張り合わせ処理を
行うようにしており、真空チャックによるウエハ,支持
基板の吸着は、処理空間内の圧力と真空チャックの吸引
圧力との圧力差によって行われており、ウエハの反り矯
正と、ウエハと支持基板間の気泡の抑制とはトレードオ
フの関係となり、これら両効果を高い次元で達成するこ
とは困難であった。
置、及び半導体装置の製造方法は以上のように構成され
ており、真空チャックを用いてウエハ及び支持基板を吸
着固定し、処理空間を真空引きしつつ張り合わせ処理を
行うようにしており、真空チャックによるウエハ,支持
基板の吸着は、処理空間内の圧力と真空チャックの吸引
圧力との圧力差によって行われており、ウエハの反り矯
正と、ウエハと支持基板間の気泡の抑制とはトレードオ
フの関係となり、これら両効果を高い次元で達成するこ
とは困難であった。
【0006】この発明は以上のような問題点に鑑みてな
されたもので、ウエハの反りを十分矯正できるととも
に、ウエハと支持基板との間の気泡の発生を十分抑制す
ることのできる半導体製造装置、及び半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
されたもので、ウエハの反りを十分矯正できるととも
に、ウエハと支持基板との間の気泡の発生を十分抑制す
ることのできる半導体製造装置、及び半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体装置の製造方法は、その表面に貼り付け材が塗
布されたウエハの上に支持基板を配置して、真空排気し
つつ加熱する工程と、上記ウエハを定盤に吸着させ、該
ウエハを上記支持基板に押圧密着させる工程とを備えた
ものである。
る半導体装置の製造方法は、その表面に貼り付け材が塗
布されたウエハの上に支持基板を配置して、真空排気し
つつ加熱する工程と、上記ウエハを定盤に吸着させ、該
ウエハを上記支持基板に押圧密着させる工程とを備えた
ものである。
【0008】また、この発明の請求項2に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1記載の半導体装置の製造
方法において、上記ウエハの一方の面に磁性体膜を形成
し、磁力を用いて上記磁性体膜を引き寄せることによ
り、上記定盤に上記ウエハを吸着するようにしたもので
ある。
置の製造方法は、上記請求項1記載の半導体装置の製造
方法において、上記ウエハの一方の面に磁性体膜を形成
し、磁力を用いて上記磁性体膜を引き寄せることによ
り、上記定盤に上記ウエハを吸着するようにしたもので
ある。
【0009】また、この発明の請求項3に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1記載の半導体装置の製造
方法において、静電気による吸着力を用いて上記ウエハ
を上記定盤に吸着するようにしたものである。
置の製造方法は、上記請求項1記載の半導体装置の製造
方法において、静電気による吸着力を用いて上記ウエハ
を上記定盤に吸着するようにしたものである。
【0010】また、この発明の請求項4に係る半導体製
造装置は、定盤の上に載置されたウエハに、貼り付け材
を介して支持基板を押圧密着させることにより上記ウエ
ハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置において、
上記ウエハの一方の面に磁性体膜を形成し、上記定盤の
上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設けられた電
磁石を用いて上記ウエハを上記定盤に引き寄せることに
よって吸着するウエハ吸着手段を備えたものである。
造装置は、定盤の上に載置されたウエハに、貼り付け材
を介して支持基板を押圧密着させることにより上記ウエ
ハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置において、
上記ウエハの一方の面に磁性体膜を形成し、上記定盤の
上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設けられた電
磁石を用いて上記ウエハを上記定盤に引き寄せることに
よって吸着するウエハ吸着手段を備えたものである。
【0011】また、この発明の請求項5に係る半導体製
造装置は、定盤の上に載置されたウエハに、貼り付け材
を介して支持基板を押圧密着させることにより上記ウエ
ハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置において、
上記定盤の上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設
けられた静電吸着チャックを用いて上記ウエハを上記定
盤に吸着するウエハ吸着手段を備えたものである。
造装置は、定盤の上に載置されたウエハに、貼り付け材
を介して支持基板を押圧密着させることにより上記ウエ
ハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置において、
上記定盤の上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設
けられた静電吸着チャックを用いて上記ウエハを上記定
盤に吸着するウエハ吸着手段を備えたものである。
【0012】
実施の形態1.以下、この発明の実施の形態1による半
導体製造装置であるウエハ貼付装置によるウエハ貼付方
法について説明する。図1は本実施の形態1によるウエ
ハ貼付方法による工程を示す図であり、本実施の形態1
で用いられるウエハ貼付装置の構成は図5で示した装置
とほぼ同じであるので、ここでは、その特徴である製造
方法について説明する。なお、図中、10は上部,下部
定盤に形成された真空吸着用の通気孔である。
導体製造装置であるウエハ貼付装置によるウエハ貼付方
法について説明する。図1は本実施の形態1によるウエ
ハ貼付方法による工程を示す図であり、本実施の形態1
で用いられるウエハ貼付装置の構成は図5で示した装置
とほぼ同じであるので、ここでは、その特徴である製造
方法について説明する。なお、図中、10は上部,下部
定盤に形成された真空吸着用の通気孔である。
【0013】次に製造方法について説明する。まず、図
1(a) に示すように、ヒータを内蔵した下部定盤9の上
にワックス3を塗布したウエハ1をセットし、さらにそ
の上に支持基板2を重ねて載置する。そして支持基板2
に上部定盤8を当接させ、この状態で上記上部,下部定
盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持基板2をワック
ス3の軟化点まで加熱する。なお、この過程では、上部
定盤8は支持基板2を加熱することを目的としているの
で大きな応力は支持基板2には印加されていない。
1(a) に示すように、ヒータを内蔵した下部定盤9の上
にワックス3を塗布したウエハ1をセットし、さらにそ
の上に支持基板2を重ねて載置する。そして支持基板2
に上部定盤8を当接させ、この状態で上記上部,下部定
盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持基板2をワック
ス3の軟化点まで加熱する。なお、この過程では、上部
定盤8は支持基板2を加熱することを目的としているの
で大きな応力は支持基板2には印加されていない。
【0014】次に、図1(b) に示すように、貼付け装置
内を真空排気しながら、支持基板2とワックス3が密着
するところまで上部定盤8を下方の下部定盤9に向けて
降下させ、プレスする。このとき上部,下部定盤の排気
孔10からの真空引きは行われておらず、ウエハ1,支
持基板2の反りによって排気孔10が形成された上部,
下部定盤8,9の領域とウエハ1,支持基板2との間に
は隙間が形成されている。
内を真空排気しながら、支持基板2とワックス3が密着
するところまで上部定盤8を下方の下部定盤9に向けて
降下させ、プレスする。このとき上部,下部定盤の排気
孔10からの真空引きは行われておらず、ウエハ1,支
持基板2の反りによって排気孔10が形成された上部,
下部定盤8,9の領域とウエハ1,支持基板2との間に
は隙間が形成されている。
【0015】次に装置内をリークさせつつ、上部定盤8
を下部定盤9側にさらに移動させてウエハ1と支持基板
2をプレスするとともに、上部,下部定盤8,9の排気
孔10より真空排気を行う(図1(c),(d) )。上記排気
孔10による真空排気によって、図1(b) で形成されて
いた上部,下部定盤8,9の領域とウエハ1,支持基板
2との間の隙間は減少する。また、上記上部定盤8によ
りプレスを行うことで、上部,下部定盤8,9の領域と
ウエハ1,支持基板2との間の隙間はさらに減少すると
ともに、ウエハ1と支持基板2とがワックス3によって
良好に密着される。
を下部定盤9側にさらに移動させてウエハ1と支持基板
2をプレスするとともに、上部,下部定盤8,9の排気
孔10より真空排気を行う(図1(c),(d) )。上記排気
孔10による真空排気によって、図1(b) で形成されて
いた上部,下部定盤8,9の領域とウエハ1,支持基板
2との間の隙間は減少する。また、上記上部定盤8によ
りプレスを行うことで、上部,下部定盤8,9の領域と
ウエハ1,支持基板2との間の隙間はさらに減少すると
ともに、ウエハ1と支持基板2とがワックス3によって
良好に密着される。
【0016】その後、ウエハ1と支持基板2とをプレス
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、ウエハ1、及び支持基板2の真空吸着を解
除することでウエハの貼付けを終了する(図1(e) )。
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、ウエハ1、及び支持基板2の真空吸着を解
除することでウエハの貼付けを終了する(図1(e) )。
【0017】このように本実施の形態1によれば、作業
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板とをプレスしつつそれぞれ上
部,下部定盤8,9に吸着させて反りを補正するように
したので、ウエハ1と支持基板との間に気泡が混入する
のを効果的に抑制することができるとともに、ウエハ1
の反りのない高精度な貼付処理を行うことができる。
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板とをプレスしつつそれぞれ上
部,下部定盤8,9に吸着させて反りを補正するように
したので、ウエハ1と支持基板との間に気泡が混入する
のを効果的に抑制することができるとともに、ウエハ1
の反りのない高精度な貼付処理を行うことができる。
【0018】実施の形態2.次に本発明の実施の形態2
による半導体製造装置、及び製造方法について説明す
る。図2は本実施の形態2によるウエハ貼付装置を用い
たウエハ貼付方法を説明するための工程図であり、図2
において、図1と同一符号は同一または相当部分を示
し、12は上部,下部定盤8,9に設けられた電磁石、
11はウエハ1,支持基板2の一方の表面に均一に形成
された強磁性体膜である。
による半導体製造装置、及び製造方法について説明す
る。図2は本実施の形態2によるウエハ貼付装置を用い
たウエハ貼付方法を説明するための工程図であり、図2
において、図1と同一符号は同一または相当部分を示
し、12は上部,下部定盤8,9に設けられた電磁石、
11はウエハ1,支持基板2の一方の表面に均一に形成
された強磁性体膜である。
【0019】次に製造方法について説明する。まず、支
持基板2、及びウエハ1の貼付け面の裏側に強磁性体膜
12をそれぞれ形成し、図2(a) に示すように、下部定
盤9の上に強磁性体膜11を下側にしてウエハ1をセッ
トし、さらにその上に支持基板2を重ねて載置する。そ
して支持基板2に上部定盤8を当接させ、この状態で上
記上部,下部定盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持
基板2をワックス3の軟化点まで加熱する。なお、この
過程では、上部定盤8は支持基板2を加熱することを目
的としているので大きな応力は支持基板2には印加され
ていない。
持基板2、及びウエハ1の貼付け面の裏側に強磁性体膜
12をそれぞれ形成し、図2(a) に示すように、下部定
盤9の上に強磁性体膜11を下側にしてウエハ1をセッ
トし、さらにその上に支持基板2を重ねて載置する。そ
して支持基板2に上部定盤8を当接させ、この状態で上
記上部,下部定盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持
基板2をワックス3の軟化点まで加熱する。なお、この
過程では、上部定盤8は支持基板2を加熱することを目
的としているので大きな応力は支持基板2には印加され
ていない。
【0020】次いで、作業空間を真空排気してウエハ1
と支持基板2との間に気泡が生じるのを抑制し、この状
態で上部定盤8を下部定盤9側にさらに移動させてウエ
ハ1と支持基板2をプレスするとともに、上部,下部定
盤8,9の電磁石12を動作させる。電磁石12を動作
させることによって、上記ウエハ1,支持基板2の一方
側の面に形成された強磁性体膜11が電磁石12の方へ
引き寄せられ、図2(a) で形成されていた上部,下部定
盤8,9の領域と、ウエハ1,支持基板2との間の隙間
は減少する。また、上記上部定盤8によりプレスを行う
ことで、上部,下部定盤8,9の領域と、ウエハ1,支
持基板2との間の隙間はさらに減少するとともに、ウエ
ハ1と支持基板2とがワックス3によって良好に密着さ
れる(図2(b) )。
と支持基板2との間に気泡が生じるのを抑制し、この状
態で上部定盤8を下部定盤9側にさらに移動させてウエ
ハ1と支持基板2をプレスするとともに、上部,下部定
盤8,9の電磁石12を動作させる。電磁石12を動作
させることによって、上記ウエハ1,支持基板2の一方
側の面に形成された強磁性体膜11が電磁石12の方へ
引き寄せられ、図2(a) で形成されていた上部,下部定
盤8,9の領域と、ウエハ1,支持基板2との間の隙間
は減少する。また、上記上部定盤8によりプレスを行う
ことで、上部,下部定盤8,9の領域と、ウエハ1,支
持基板2との間の隙間はさらに減少するとともに、ウエ
ハ1と支持基板2とがワックス3によって良好に密着さ
れる(図2(b) )。
【0021】その後、ウエハ1と支持基板2とをプレス
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、電磁石12の動作を停止して吸着を解除す
ることでウエハの貼付けを終了する。
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、電磁石12の動作を停止して吸着を解除す
ることでウエハの貼付けを終了する。
【0022】このように本実施の形態2によれば、作業
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板とをプレスしつつそれぞれ上
部,下部定盤8,9に設けられた電磁石12を動作させ
てウエハ1及び支持基板2に形成された強磁性体膜11
を電磁石12側に引き寄せることによりウエハ1のその
反りを補正するようにしたので、ウエハ1と支持基板と
の間に気泡が混入するのを効果的に抑制することができ
るとともに、ウエハ1の反りのない高精度な貼付処理を
行うことができる。さらに、本実施の形態では、電磁石
12の電磁力によってウエハ1,支持基板2をそれぞれ
上部,下部定盤8,9に吸着させるようにしているた
め、作業環境の大気圧の大きさに係わらず、上記電磁力
を調整することで十分な吸着力を得ることができる。
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板とをプレスしつつそれぞれ上
部,下部定盤8,9に設けられた電磁石12を動作させ
てウエハ1及び支持基板2に形成された強磁性体膜11
を電磁石12側に引き寄せることによりウエハ1のその
反りを補正するようにしたので、ウエハ1と支持基板と
の間に気泡が混入するのを効果的に抑制することができ
るとともに、ウエハ1の反りのない高精度な貼付処理を
行うことができる。さらに、本実施の形態では、電磁石
12の電磁力によってウエハ1,支持基板2をそれぞれ
上部,下部定盤8,9に吸着させるようにしているた
め、作業環境の大気圧の大きさに係わらず、上記電磁力
を調整することで十分な吸着力を得ることができる。
【0023】実施の形態3.次に本発明の実施の形態3
による半導体製造装置、及び製造方法について説明す
る。図3は本実施の形態3によるウエハ貼付装置を用い
たウエハ貼付方法を説明するための工程図であり、図3
において、図1と同一符号は同一または相当部分を示
し、13は上部,下部定盤8,9に設けられた静電吸着
チャックである。
による半導体製造装置、及び製造方法について説明す
る。図3は本実施の形態3によるウエハ貼付装置を用い
たウエハ貼付方法を説明するための工程図であり、図3
において、図1と同一符号は同一または相当部分を示
し、13は上部,下部定盤8,9に設けられた静電吸着
チャックである。
【0024】次に製造方法について説明する。まず、図
3(a) に示すように、下部定盤9の上にその表面にワッ
クス3が均一に塗布されたウエハ1をセットし、さらに
その上に支持基板2を重ねて載置する。そして支持基板
2に上部定盤8を当接させ、この状態で上記上部,下部
定盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持基板2をワッ
クス3の軟化点まで加熱する。なお、この過程では、上
部定盤8は支持基板2を加熱することを目的としている
ので大きな応力は支持基板2には印加されていない。
3(a) に示すように、下部定盤9の上にその表面にワッ
クス3が均一に塗布されたウエハ1をセットし、さらに
その上に支持基板2を重ねて載置する。そして支持基板
2に上部定盤8を当接させ、この状態で上記上部,下部
定盤8,9のヒータでウエハ1、及び支持基板2をワッ
クス3の軟化点まで加熱する。なお、この過程では、上
部定盤8は支持基板2を加熱することを目的としている
ので大きな応力は支持基板2には印加されていない。
【0025】次いで、作業空間を真空排気してウエハ1
と支持基板2との間に気泡が生じるのを抑制し、続い
て、この状態で、上部定盤8を下部定盤9側にさらに移
動させてウエハ1と支持基板2をプレスするとともに、
上部,下部定盤8,9の静電吸着チャック13を動作さ
せる。静電吸着チャック13を動作させることによっ
て、図3(a) で形成されていた上部,下部定盤8,9の
領域と、ウエハ1,支持基板2との間の隙間は減少す
る。また、上記上部定盤8によりプレスを行うことで、
上部,下部定盤8,9の領域と、ウエハ1,支持基板2
との間の隙間はさらに減少するとともに、ウエハ1と支
持基板2とがワックス3によって良好に密着される(図
3(b) )。
と支持基板2との間に気泡が生じるのを抑制し、続い
て、この状態で、上部定盤8を下部定盤9側にさらに移
動させてウエハ1と支持基板2をプレスするとともに、
上部,下部定盤8,9の静電吸着チャック13を動作さ
せる。静電吸着チャック13を動作させることによっ
て、図3(a) で形成されていた上部,下部定盤8,9の
領域と、ウエハ1,支持基板2との間の隙間は減少す
る。また、上記上部定盤8によりプレスを行うことで、
上部,下部定盤8,9の領域と、ウエハ1,支持基板2
との間の隙間はさらに減少するとともに、ウエハ1と支
持基板2とがワックス3によって良好に密着される(図
3(b) )。
【0026】その後、ウエハ1と支持基板2とをプレス
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、静電吸着チャック13の動作を停止して吸
着を解除することでウエハの貼付けを終了する。
した状態で、ウエハ1を冷却してワックス3を硬化さ
せ、続いて、静電吸着チャック13の動作を停止して吸
着を解除することでウエハの貼付けを終了する。
【0027】このように本実施の形態3によれば、作業
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板2とをプレスしつつそれぞれ
上部,下部定盤8,9に設けられた静電吸着チャック1
3を動作させてウエハ1及び支持基板2に形成された強
磁性体膜11を吸着させることによりウエハ1のその反
りを補正するようにしたので、ウエハ1と支持基板2と
の間に気泡が混入するのを効果的に抑制することができ
るとともに、ウエハ1の反りのない高精度な貼付処理を
行うことができる。さらに、本実施の形態では、静電吸
着チャック13の静電気量によってウエハ1,支持基板
2をそれぞれ上部,下部定盤8,9に吸着させるように
しているため、作業環境の大気圧の大きさに係わらず、
上記静電気量を調整することで十分な吸着力を得ること
ができる。
空間を真空排気した状態でワックス3を溶融させて、ウ
エハ1と支持基板2の間に気泡が混入するのを防止し、
続いてウエハ1と支持基板2とをプレスしつつそれぞれ
上部,下部定盤8,9に設けられた静電吸着チャック1
3を動作させてウエハ1及び支持基板2に形成された強
磁性体膜11を吸着させることによりウエハ1のその反
りを補正するようにしたので、ウエハ1と支持基板2と
の間に気泡が混入するのを効果的に抑制することができ
るとともに、ウエハ1の反りのない高精度な貼付処理を
行うことができる。さらに、本実施の形態では、静電吸
着チャック13の静電気量によってウエハ1,支持基板
2をそれぞれ上部,下部定盤8,9に吸着させるように
しているため、作業環境の大気圧の大きさに係わらず、
上記静電気量を調整することで十分な吸着力を得ること
ができる。
【0028】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体装置
の製造方法によれば、ウエハと支持基板とを当接させた
状態で真空排気して加熱し、次いでウエハを定盤に吸着
させながら該ウエハを上記支持基板に押圧密着させるよ
うにしたので、上記ウエハと支持基板との間に気泡が生
じにくく、また貼付後のウエハの反りを抑制することが
でき、高精度な貼付処理を行うことができるという効果
がある。
の製造方法によれば、ウエハと支持基板とを当接させた
状態で真空排気して加熱し、次いでウエハを定盤に吸着
させながら該ウエハを上記支持基板に押圧密着させるよ
うにしたので、上記ウエハと支持基板との間に気泡が生
じにくく、また貼付後のウエハの反りを抑制することが
でき、高精度な貼付処理を行うことができるという効果
がある。
【0029】また、上記ウエハを定盤に吸着するのに、
電磁力,静電気による吸着力を用いるようにしたので、
作業環境における大気圧とは関係なく、電気的にウエハ
の定盤への吸着力を制御することができ、ウエハの反り
を確実に抑制することができるという効果がある。
電磁力,静電気による吸着力を用いるようにしたので、
作業環境における大気圧とは関係なく、電気的にウエハ
の定盤への吸着力を制御することができ、ウエハの反り
を確実に抑制することができるという効果がある。
【図1】 この発明の実施の形態1によるウエハ貼付装
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
【図2】 この発明の実施の形態2によるウエハ貼付装
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
【図3】 この発明の実施の形態3によるウエハ貼付装
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
置を用いたウエハ貼り付け工程を示す図である。
【図4】 従来のウエハ貼り付け工程を示す図である。
【図5】 従来の真空吸着法を用いたウエハ貼付装置に
よるウエハ貼り付け工程を示す図である。
よるウエハ貼り付け工程を示す図である。
1 ウエハ、2 支持基板、3 ワックス、8 上部定
盤(ヒータ)、9 下部定盤(ヒータ)、10 排気
孔、11 磁性体膜、12 電磁石、13 静電吸着チ
ャック。
盤(ヒータ)、9 下部定盤(ヒータ)、10 排気
孔、11 磁性体膜、12 電磁石、13 静電吸着チ
ャック。
Claims (5)
- 【請求項1】 その表面に貼り付け材が塗布されたウエ
ハの上に支持基板を配置して、真空排気しつつ加熱する
工程と、 上記ウエハを定盤に吸着させ、該ウエハを上記支持基板
に押圧密着させる工程とを備えたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記ウエハの一方の面に磁性体膜を形成し、磁力を用い
て上記磁性体膜を引き寄せることにより、上記ウエハを
上記定盤に吸着することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 静電気による吸着力を用いて上記ウエハを上記定盤に吸
着することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 定盤の上に載置されたウエハに、貼り付
け材を介して支持基板を押圧密着させることにより上記
ウエハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置におい
て、 上記定盤の上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設
けられた電磁石を用いて、上記ウエハの一方の面に形成
された磁性体膜を引き寄せることによって上記ウエハを
上記定盤に吸着するウエハ吸着手段を備えたことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項5】 定盤の上に載置されたウエハに、貼り付
け材を介して支持基板を押圧密着させることにより上記
ウエハと支持基板とを貼り付ける半導体製造装置におい
て、 上記定盤の上記ウエハを載置する面とは反対側の面に設
けられた静電吸着チャックを用いて上記ウエハを上記定
盤に吸着するウエハ吸着手段を備えたことを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31438796A JPH10154671A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31438796A JPH10154671A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10154671A true JPH10154671A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18052742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31438796A Pending JPH10154671A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10154671A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG111979A1 (en) * | 2001-12-03 | 2005-06-29 | Nitto Denko Corp | Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus using the same |
KR100499317B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2005-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
JP2013038327A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 基板搬送装置、半導体製造装置、及び基板搬送方法 |
JP2013152142A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Denso Corp | 半導体装置組み付け装置および方法 |
KR101455205B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2014-10-27 | 주식회사 다이나테크 | 교정장치 |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP31438796A patent/JPH10154671A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499317B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2005-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
SG111979A1 (en) * | 2001-12-03 | 2005-06-29 | Nitto Denko Corp | Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus using the same |
US7078262B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-07-18 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus using the same |
JP2013038327A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 基板搬送装置、半導体製造装置、及び基板搬送方法 |
JP2013152142A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Denso Corp | 半導体装置組み付け装置および方法 |
KR101455205B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2014-10-27 | 주식회사 다이나테크 | 교정장치 |
JP2015211222A (ja) * | 2014-04-29 | 2015-11-24 | 株式会社ダイナテク | 矯正装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |