JP2567725B2 - 浮動型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
浮動型磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はハードディスク型の記録媒体に対して用いら
れる浮動型磁気ヘッドの製造方法に関し、特に高密度記
録に対応した強磁性金属薄膜をギャップ近傍部に配した
所謂MIG（メタル・イン・ギャップ）型の浮動型磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
れる浮動型磁気ヘッドの製造方法に関し、特に高密度記
録に対応した強磁性金属薄膜をギャップ近傍部に配した
所謂MIG（メタル・イン・ギャップ）型の浮動型磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 近年、ハードディスクドライブ装置においても、小型
化の要求が著しく記録媒体への高密度記録が重要な問題
になっている。このため、従来の酸化物の塗布型の磁気
ディスクに代わって抗磁力（Hc）の高い金属薄膜型の磁
気ディスクが記録媒体として開発されている。この様な
金属薄膜型の磁気ディスクに対応する磁気ヘッドとして
は、例えば特開昭62−295207号公報（G11B5/23）等に開
示されているように従来のモノリシック型やコンポジッ
ト型の浮動型磁気ヘッドのギャップ衝き合わせ面にセン
ダストやアモルファス磁性合金等の高飽和磁束密度材料
をスパッタリングによって成膜したMIG型（メタル・イ
ン・ギャップ型）の浮動型磁気ヘッドが提案されてい
る。
化の要求が著しく記録媒体への高密度記録が重要な問題
になっている。このため、従来の酸化物の塗布型の磁気
ディスクに代わって抗磁力（Hc）の高い金属薄膜型の磁
気ディスクが記録媒体として開発されている。この様な
金属薄膜型の磁気ディスクに対応する磁気ヘッドとして
は、例えば特開昭62−295207号公報（G11B5/23）等に開
示されているように従来のモノリシック型やコンポジッ
ト型の浮動型磁気ヘッドのギャップ衝き合わせ面にセン
ダストやアモルファス磁性合金等の高飽和磁束密度材料
をスパッタリングによって成膜したMIG型（メタル・イ
ン・ギャップ型）の浮動型磁気ヘッドが提案されてい
る。
このようなMIG型の浮動型磁気ヘッドとしては、第14
図に示すようにフェライト等の酸化物磁性材料よりなる
一対のコア半体（1a）（1b）のうち、巻線溝を有さない
Ｉ型のコア半体（1a）のギャップ衝き合わせ面上にセン
ダスト等の強磁性金属薄膜（２）をスパッタリング等に
より被着したヘッドコア（３）が開発されている。尚、
ｇはギャップである。しかし乍ら、記録媒体の抗磁力
（Hc）が1200Oe、特に1500Oe程度の大きさになると、こ
の様なＩ型のコア半体（1a）のみに強磁性金属薄膜
（２）を形成した構造のヘッドコア（３）では、記録能
力、オーバーライト特性が不十分である。このため、第
15図に示すようにＩ型、Ｃ型両方のコア半体（1a）（1
b）のギャップ衝き合わせ面上に強磁性金属薄膜（２）
（２）を形成したヘッドコア（４）が提案されている。
図に示すようにフェライト等の酸化物磁性材料よりなる
一対のコア半体（1a）（1b）のうち、巻線溝を有さない
Ｉ型のコア半体（1a）のギャップ衝き合わせ面上にセン
ダスト等の強磁性金属薄膜（２）をスパッタリング等に
より被着したヘッドコア（３）が開発されている。尚、
ｇはギャップである。しかし乍ら、記録媒体の抗磁力
（Hc）が1200Oe、特に1500Oe程度の大きさになると、こ
の様なＩ型のコア半体（1a）のみに強磁性金属薄膜
（２）を形成した構造のヘッドコア（３）では、記録能
力、オーバーライト特性が不十分である。このため、第
15図に示すようにＩ型、Ｃ型両方のコア半体（1a）（1
b）のギャップ衝き合わせ面上に強磁性金属薄膜（２）
（２）を形成したヘッドコア（４）が提案されている。
次に、第15図に示すような構造のヘッドコアを用いた
浮動型磁気ヘッドの製造方法について説明する。
浮動型磁気ヘッドの製造方法について説明する。
先ず、第16図（ａ）（ｂ）に示すようにMn−Znフェラ
イトよりなる第１、第２基板（5a）（5b）の上面及び下
面に鏡面研磨を施した後、Ｉ型のコア半体となる第１基
板（5a）のギャップ衝き合わせ面である上面に強磁性金
属薄膜、SiO2膜等のギャップスペーサ及び接合用のガラ
ス膜より構成される第１の薄膜（6a）をスパッタリング
等により被着形成し、Ｃ型のコア半体となる第２基板
（5b）のギャップ衝き合わせ面である上面に強磁性金属
薄膜及びSiO2膜等のギャップスペーサより構成される第
２の薄膜（6b）をスパッタリング等によって被着形成す
る。
イトよりなる第１、第２基板（5a）（5b）の上面及び下
面に鏡面研磨を施した後、Ｉ型のコア半体となる第１基
板（5a）のギャップ衝き合わせ面である上面に強磁性金
属薄膜、SiO2膜等のギャップスペーサ及び接合用のガラ
ス膜より構成される第１の薄膜（6a）をスパッタリング
等により被着形成し、Ｃ型のコア半体となる第２基板
（5b）のギャップ衝き合わせ面である上面に強磁性金属
薄膜及びSiO2膜等のギャップスペーサより構成される第
２の薄膜（6b）をスパッタリング等によって被着形成す
る。
次に、第17図（ａ）（ｂ）に示すように前記第１、第
２基板（5a）（5b）の上面に被着している第１、第２の
薄膜（6a）（6b）をイオンミリング等によりパターン化
した後、第２基板（5b）の点線（７）の部分に巻線溝、
点線（８）の部分にガラス棒挿入溝、点線（９）の部分
に予備加工溝を夫々形成する。尚、第18図（ａ）は溝加
工前の状態を示す図、第18図（ｂ）は溝加工後の状態を
示す図であり、（10）は巻線溝、（11）はガラス棒挿入
溝である。
２基板（5a）（5b）の上面に被着している第１、第２の
薄膜（6a）（6b）をイオンミリング等によりパターン化
した後、第２基板（5b）の点線（７）の部分に巻線溝、
点線（８）の部分にガラス棒挿入溝、点線（９）の部分
に予備加工溝を夫々形成する。尚、第18図（ａ）は溝加
工前の状態を示す図、第18図（ｂ）は溝加工後の状態を
示す図であり、（10）は巻線溝、（11）はガラス棒挿入
溝である。
次に、第19図に示すように前記第１、第２基板（5a）
（5b）の第１、第２の薄膜（6a）（6b）同士を衝き合わ
せ、ガラス棒挿入溝部（11）に配置したガラス棒（図示
せず）を溶融流動させて予備加工溝部（13）等に（12）
で示すように充填することにより、前記第１、第２基板
（5a）（5b）をギャップ接合してブロック（14）を形成
する。
（5b）の第１、第２の薄膜（6a）（6b）同士を衝き合わ
せ、ガラス棒挿入溝部（11）に配置したガラス棒（図示
せず）を溶融流動させて予備加工溝部（13）等に（12）
で示すように充填することにより、前記第１、第２基板
（5a）（5b）をギャップ接合してブロック（14）を形成
する。
次に、前記ブロック（14）を破線Ａ−Ａ′に沿って切
断して第20図に示すコアブロック（15）を形成し、該コ
アブロック（15）を斜線（16）の部分で切断することに
より第21図に示すヘッドコア（４）を複数個形成する。
断して第20図に示すコアブロック（15）を形成し、該コ
アブロック（15）を斜線（16）の部分で切断することに
より第21図に示すヘッドコア（４）を複数個形成する。
次に、前記ヘッドコア（４）の上部に媒体対向突部
（17）の幅、即ちトラック幅Twを規定する溝（18）を加
工して第22図に示すヘッドコア（４）を形成した後、第
23図に示すように該ヘッドコア（４）を非磁性のスライ
ダー（19）のスリット（20）にガラス（21）により装着
固定し、その後前記スライダー（19）に外形加工を施す
ことにより浮動型磁気ヘッドが完成する。
（17）の幅、即ちトラック幅Twを規定する溝（18）を加
工して第22図に示すヘッドコア（４）を形成した後、第
23図に示すように該ヘッドコア（４）を非磁性のスライ
ダー（19）のスリット（20）にガラス（21）により装着
固定し、その後前記スライダー（19）に外形加工を施す
ことにより浮動型磁気ヘッドが完成する。
しかし乍ら、上記従来の製造方法では、第17図及び第
18図に示す巻線溝加工工程において、高速で回転するダ
イヤモンド砥石によって被着強度の弱い第２の薄膜（6
b）を直接切断するため、該薄膜（6b）が完全に剥離し
たり第24図に示すように浮き上がるため、製造歩留りが
低下したり、更には疑似ギャップの発生の原因となって
いた。
18図に示す巻線溝加工工程において、高速で回転するダ
イヤモンド砥石によって被着強度の弱い第２の薄膜（6
b）を直接切断するため、該薄膜（6b）が完全に剥離し
たり第24図に示すように浮き上がるため、製造歩留りが
低下したり、更には疑似ギャップの発生の原因となって
いた。
また、上述の磁気ヘッドの製造方法では、第19図に示
すギャップ接合をガラス棒を完全に溶融し、その溶融し
たガラス（12）を予備加工溝（13）等に流し込むことに
より行っているため、この工程での履歴温度がガラスの
軟化点よりも150℃以上高くなり、このような高温では
基板（5a）（5b）と第１、第２の薄膜（6a）（6b）との
界面で反応が進行し疑似ギャップが大きくなるという問
題が生じる。
すギャップ接合をガラス棒を完全に溶融し、その溶融し
たガラス（12）を予備加工溝（13）等に流し込むことに
より行っているため、この工程での履歴温度がガラスの
軟化点よりも150℃以上高くなり、このような高温では
基板（5a）（5b）と第１、第２の薄膜（6a）（6b）との
界面で反応が進行し疑似ギャップが大きくなるという問
題が生じる。
（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであ
り、巻線溝加工による薄膜の剥離、浮き上がりを防止
し、更にはギャップ接合時の加熱による疑似ギャップの
増大を抑えた浮動型磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
り、巻線溝加工による薄膜の剥離、浮き上がりを防止
し、更にはギャップ接合時の加熱による疑似ギャップの
増大を抑えた浮動型磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明による浮動型磁気ヘッドの製造方法は、強磁性
酸化物材料よりなる第１、第２コア半体のギャップ衝き
合わせ面上に夫々強磁性金属薄膜を形成し、前記第１、
第２コア半体の強磁性金属薄膜同士をギャップスペーサ
を介して衝き合わせてギャップ接合をしてヘッドコアを
形成し、該ヘッドコアを非磁性材料よりなるスライダー
に固定してなる浮動型磁気ヘッドの製造方法において、 前記第１コア半体となる第１の強磁性酸化物基板と前
記第２コア半体となる第２の強磁性酸化物基板とを用意
し、前記第２の強磁性酸化物基板のギャップ衝き合わせ
面となる上面側に予備加工溝と斜面部を有するギャップ
下端規制溝とを形成し、該予備加工溝内及びギャップ下
端規制溝内に第１のガラスを充填する第１の工程と、 前記第２の強磁性酸化物基板の上面側にエッチング加
工を施すことにより、前記予備加工溝内及びギャップ下
端規制溝内に充填した第１のガラスの上部を除去して第
２の強磁性酸化物基板の上面と第１のガラスの上面との
間に段差を形成する第２の工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板の上面側全域に夫
々強磁性金属薄膜を含む第１、第２の薄膜を被着形成す
る第３の工程と、 前記第２の薄膜のうち前記第１のガラス上及び前記第
２の強磁性酸化物基板の巻線溝形成予定部分上に被着し
ている部分を除去した後、前記巻線溝形成予定部分に巻
線溝を形成する一方、前記第１の薄膜のうち前記第２の
薄膜の除去部に対向することになる部分を除去する第４
の工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板上の第１、第２の
薄膜同士を衝き合わせてギャップ接合した後、スライス
等の外形加工を施してヘッドコアを形成する第５の工程
とを有することを特徴とする。
酸化物材料よりなる第１、第２コア半体のギャップ衝き
合わせ面上に夫々強磁性金属薄膜を形成し、前記第１、
第２コア半体の強磁性金属薄膜同士をギャップスペーサ
を介して衝き合わせてギャップ接合をしてヘッドコアを
形成し、該ヘッドコアを非磁性材料よりなるスライダー
に固定してなる浮動型磁気ヘッドの製造方法において、 前記第１コア半体となる第１の強磁性酸化物基板と前
記第２コア半体となる第２の強磁性酸化物基板とを用意
し、前記第２の強磁性酸化物基板のギャップ衝き合わせ
面となる上面側に予備加工溝と斜面部を有するギャップ
下端規制溝とを形成し、該予備加工溝内及びギャップ下
端規制溝内に第１のガラスを充填する第１の工程と、 前記第２の強磁性酸化物基板の上面側にエッチング加
工を施すことにより、前記予備加工溝内及びギャップ下
端規制溝内に充填した第１のガラスの上部を除去して第
２の強磁性酸化物基板の上面と第１のガラスの上面との
間に段差を形成する第２の工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板の上面側全域に夫
々強磁性金属薄膜を含む第１、第２の薄膜を被着形成す
る第３の工程と、 前記第２の薄膜のうち前記第１のガラス上及び前記第
２の強磁性酸化物基板の巻線溝形成予定部分上に被着し
ている部分を除去した後、前記巻線溝形成予定部分に巻
線溝を形成する一方、前記第１の薄膜のうち前記第２の
薄膜の除去部に対向することになる部分を除去する第４
の工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板上の第１、第２の
薄膜同士を衝き合わせてギャップ接合した後、スライス
等の外形加工を施してヘッドコアを形成する第５の工程
とを有することを特徴とする。
（ホ）作用 上記製造方法に依れば、第２の薄膜中の強磁性金属薄
膜はギャップ下端規制溝の斜面に沿って被着するため、
前記強磁性金属薄膜内を磁束は流れ易くなる。また、第
２の薄膜を除去した部分に巻線溝を形成するため、前記
薄膜の剥離、浮き上がりを防止する。更に、予め、予備
加工溝内及びギャップ下端規制溝内に充填しているガラ
スを溶融固化することにより比較的低温でギャップ接合
を行うことが出来る。
膜はギャップ下端規制溝の斜面に沿って被着するため、
前記強磁性金属薄膜内を磁束は流れ易くなる。また、第
２の薄膜を除去した部分に巻線溝を形成するため、前記
薄膜の剥離、浮き上がりを防止する。更に、予め、予備
加工溝内及びギャップ下端規制溝内に充填しているガラ
スを溶融固化することにより比較的低温でギャップ接合
を行うことが出来る。
（ヘ） 実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図〜第13図は本実施例の浮動型磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
先ず、第１図（ａ）（ｂ）に示すようにMn−Znフェラ
イトよりなる第１、第２基板（22a）（22b）を用意し、
該第１、第２基板（22a）（22b）の上面及び下面に鏡面
研磨を施した後、Ｃ型のコア半体となる第２基板（22
b）のギャップ衝き合わせ面である上面に予備加工溝（2
3）及び斜面（241）を有するギャップ深さ規制溝（24）
を形成し、該予備加工溝（23）及びギャップ深さ規制溝
（24）に第１のガラス（25）を充填し、更に前記第２基
板（22b）の上面を鏡面研磨する。尚、本実施例で軟化
点590℃のガラスを690℃で40分間保持することによりガ
ラスの充填を行った。
イトよりなる第１、第２基板（22a）（22b）を用意し、
該第１、第２基板（22a）（22b）の上面及び下面に鏡面
研磨を施した後、Ｃ型のコア半体となる第２基板（22
b）のギャップ衝き合わせ面である上面に予備加工溝（2
3）及び斜面（241）を有するギャップ深さ規制溝（24）
を形成し、該予備加工溝（23）及びギャップ深さ規制溝
（24）に第１のガラス（25）を充填し、更に前記第２基
板（22b）の上面を鏡面研磨する。尚、本実施例で軟化
点590℃のガラスを690℃で40分間保持することによりガ
ラスの充填を行った。
次に、前記第２基板（22b）の上面にエッチング加工
を行い、前記予備加工溝（23）主びギャップ深さ規制溝
（24）に充填したガラス（25）の上部を除去して第２図
の断面図に示すような段差を設ける。本実施例では、
濃度１％のHF（フッ酸）水溶液を用いてエッチングを行
なうことにより10μｍの段差を形成した。尚、段差
が大き過ぎると、後のギャップ接合時にギャップ下端の
隅まで十分にガラスが詰まらず、また段差が小さ過ぎ
ると後の強磁性金属薄膜のパターンを形成する際のマス
ク合わせが困難になる。
を行い、前記予備加工溝（23）主びギャップ深さ規制溝
（24）に充填したガラス（25）の上部を除去して第２図
の断面図に示すような段差を設ける。本実施例では、
濃度１％のHF（フッ酸）水溶液を用いてエッチングを行
なうことにより10μｍの段差を形成した。尚、段差
が大き過ぎると、後のギャップ接合時にギャップ下端の
隅まで十分にガラスが詰まらず、また段差が小さ過ぎ
ると後の強磁性金属薄膜のパターンを形成する際のマス
ク合わせが困難になる。
次に、第３図（ａ）（ｂ）及び断面図の第４図（ａ）
（ｂ）に示すように前記第１基板（22a）の上面全域にS
iO2等の下地層（26）とセンダスト等の強磁性金属薄膜
（27）とSiO2等のギャップスペーサ（28）とギャップ接
合用の第２のガラス（29）とからなる第１の薄膜（30
a）をスパッタリングにより被着形成し、前記第２基板
（22b）の上面全域にSiO2等の下地層（31）とセンダス
ト等の強磁性金属薄膜（32）とSiO2等のギャップスペー
サ（33）とからなる第２の薄膜（30b）をスパッタリン
グにより被着形成する。本実施例では、前記第２のガラ
ス（29）は軟化点が640℃、膜厚が500Åであり、RFマグ
ネトロン型スパッタ法により形成した。尚、前記第１、
第２の薄膜（30a）（30b）は、下地層（26）（31）の膜
厚が50Å、強磁性金属薄膜（27）（32）の膜厚が2.5μ
ｍ、ギャップスペーサ（28）（33）の膜厚が0.25μｍで
ある。
（ｂ）に示すように前記第１基板（22a）の上面全域にS
iO2等の下地層（26）とセンダスト等の強磁性金属薄膜
（27）とSiO2等のギャップスペーサ（28）とギャップ接
合用の第２のガラス（29）とからなる第１の薄膜（30
a）をスパッタリングにより被着形成し、前記第２基板
（22b）の上面全域にSiO2等の下地層（31）とセンダス
ト等の強磁性金属薄膜（32）とSiO2等のギャップスペー
サ（33）とからなる第２の薄膜（30b）をスパッタリン
グにより被着形成する。本実施例では、前記第２のガラ
ス（29）は軟化点が640℃、膜厚が500Åであり、RFマグ
ネトロン型スパッタ法により形成した。尚、前記第１、
第２の薄膜（30a）（30b）は、下地層（26）（31）の膜
厚が50Å、強磁性金属薄膜（27）（32）の膜厚が2.5μ
ｍ、ギャップスペーサ（28）（33）の膜厚が0.25μｍで
ある。
次に、第５図（ａ）（ｂ）に示すように第２基板（22
b）上の第２の薄膜（30b）のうちガラス充填部及び巻線
溝形成予定部上に被着している部分、及び第１基板（22
a）上の第１の薄膜（30a）のうち前述の第２基板の場合
と同様の部分をイオンミリング等により除去して前記第
１、第２の薄膜（30a）（30b）をパターン化する。第６
図は前記第２基板（22b）のイオンミリング終了後の状
態を示す断面図であり、第２の薄膜（30b）の端部より
距離ｍだけ離れた点線（34）の部分に巻線溝（35）を形
成する。第７図は前記第２基板（22b）の巻線溝（35）
形成後の状態を示す断面図であり、本実施例では巻線溝
加工のブレードが膜と接触しないように距離ｍを30μｍ
とした。
b）上の第２の薄膜（30b）のうちガラス充填部及び巻線
溝形成予定部上に被着している部分、及び第１基板（22
a）上の第１の薄膜（30a）のうち前述の第２基板の場合
と同様の部分をイオンミリング等により除去して前記第
１、第２の薄膜（30a）（30b）をパターン化する。第６
図は前記第２基板（22b）のイオンミリング終了後の状
態を示す断面図であり、第２の薄膜（30b）の端部より
距離ｍだけ離れた点線（34）の部分に巻線溝（35）を形
成する。第７図は前記第２基板（22b）の巻線溝（35）
形成後の状態を示す断面図であり、本実施例では巻線溝
加工のブレードが膜と接触しないように距離ｍを30μｍ
とした。
次に、第８図にしめすように、前記第１、第２基板
（22a）（22b）の第１、第２の薄膜（30a）（30b）同士
を衝き合わせた状態で前記第１、第２のガラス（25）
（29）を溶融固化することにより前記第１、第２基板
（22a）（22b）をギャップ接合してブロック（36）を形
成した。本実施例では、ピーク温度700℃で10分間保持
することによりギャップ接合を行った。第９図はギャッ
プ接合後のブロック（36）の状態を示す要部断面図であ
る。
（22a）（22b）の第１、第２の薄膜（30a）（30b）同士
を衝き合わせた状態で前記第１、第２のガラス（25）
（29）を溶融固化することにより前記第１、第２基板
（22a）（22b）をギャップ接合してブロック（36）を形
成した。本実施例では、ピーク温度700℃で10分間保持
することによりギャップ接合を行った。第９図はギャッ
プ接合後のブロック（36）の状態を示す要部断面図であ
る。
次に、前記ブロック（36）を破線Ｂ−Ｂ′に沿って切
断して第10図に示すコアブロック（37）を形成し、該コ
アブロック（37）を所望の寸法に外形成形した後、前記
コアブロック（37）を斜線（38）の部分で切断すること
により第11図に示すヘッドコア（39）を複数個形成す
る。
断して第10図に示すコアブロック（37）を形成し、該コ
アブロック（37）を所望の寸法に外形成形した後、前記
コアブロック（37）を斜線（38）の部分で切断すること
により第11図に示すヘッドコア（39）を複数個形成す
る。
以後は、前記ヘッドコア（39）を両面研磨した後、従
来例と同様に前記ヘッドコア（39）の上部に媒体対向突
部（40）の幅、即ちトラック幅Twを規定する溝（41）を
加工して第12図に示すヘッドコア（39）を形成し、次い
で、第13図に示すように該ヘッドコア（39）を非磁性の
スライダー（19）のスリット（20）にガラス（21）によ
り装着固定し、その後前記スライダー（19）に外形加工
を施すことにより本実施例の浮動型磁気ヘッドが完成す
る。
来例と同様に前記ヘッドコア（39）の上部に媒体対向突
部（40）の幅、即ちトラック幅Twを規定する溝（41）を
加工して第12図に示すヘッドコア（39）を形成し、次い
で、第13図に示すように該ヘッドコア（39）を非磁性の
スライダー（19）のスリット（20）にガラス（21）によ
り装着固定し、その後前記スライダー（19）に外形加工
を施すことにより本実施例の浮動型磁気ヘッドが完成す
る。
上述のような浮動型磁気ヘッドの製造方法では、第２
図〜第４図に示すようにギャップ深さ規制溝（24）に充
填した第１のガラス（25）の上部を除去して段差を設
けた後、第２の薄膜（30b）を被着形成し、その後、前
記第１のガラス（25）上に被着している第２の薄膜（30
b）を形成しているので、前記第２の薄膜（30b）はギャ
ップ深さ規制溝（24）の斜面（241）上にまで伸びてお
り、磁気ヘッド完成体において磁束が流れ易くなる。ま
た、第６図に示すように第２の薄膜（30b）をパターン
化した後、残存している第２の薄膜（30b）の端部から
距離ｍだけ離れた部分に巻線溝（35）を形成しているの
で、溝加工のブレードが前記第２の薄膜（30b）に接触
せず、該第２の薄膜（30b）の剥離、浮き上がりが防止
される。更に、本実施例の製造方法では、予め溝に充填
した第１のガラス（25）を溶融固化することにより、第
１、第２基板（22a）（22b）をギャップ接合しているの
で、従来のガラス棒溶融方式よりも溶着温度を低くする
ことが出来、第１、第２基板（22a）（22b）と第１、第
２の薄膜（30a）（30b）中の強磁性金属薄膜（27）（3
2）との界面での反応を抑え、磁気ヘッド完成体におけ
る擬似ギャップによる悪影響を抑えることが出来る。
図〜第４図に示すようにギャップ深さ規制溝（24）に充
填した第１のガラス（25）の上部を除去して段差を設
けた後、第２の薄膜（30b）を被着形成し、その後、前
記第１のガラス（25）上に被着している第２の薄膜（30
b）を形成しているので、前記第２の薄膜（30b）はギャ
ップ深さ規制溝（24）の斜面（241）上にまで伸びてお
り、磁気ヘッド完成体において磁束が流れ易くなる。ま
た、第６図に示すように第２の薄膜（30b）をパターン
化した後、残存している第２の薄膜（30b）の端部から
距離ｍだけ離れた部分に巻線溝（35）を形成しているの
で、溝加工のブレードが前記第２の薄膜（30b）に接触
せず、該第２の薄膜（30b）の剥離、浮き上がりが防止
される。更に、本実施例の製造方法では、予め溝に充填
した第１のガラス（25）を溶融固化することにより、第
１、第２基板（22a）（22b）をギャップ接合しているの
で、従来のガラス棒溶融方式よりも溶着温度を低くする
ことが出来、第１、第２基板（22a）（22b）と第１、第
２の薄膜（30a）（30b）中の強磁性金属薄膜（27）（3
2）との界面での反応を抑え、磁気ヘッド完成体におけ
る擬似ギャップによる悪影響を抑えることが出来る。
（ト）発明の効果 本発明に依れば、擬似ギャップによる悪影響を抑え、
且つ膜剥れによる歩留りの低下を防止した浮動型磁気ヘ
ッドの製造方法を提供し得る。
且つ膜剥れによる歩留りの低下を防止した浮動型磁気ヘ
ッドの製造方法を提供し得る。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図、第８図、第９図、第10図、第11図、第12図、及び
第13図は夫々浮動型磁気ヘッドの製造方法を示す図であ
る。第14図乃至第23図は従来例に係り、第14図及び第15
図は夫々コアチップの形状を示す斜視図、第16図、第17
図、第18図、第19図、第20図、第21図、第22図及び第23
図は浮動型磁気ヘッドの製造方法を示す図、第24図は膜
膜の浮き上がりを示す断面図である。 （19）……スライダー、（22a）……第１基板（第１コ
ア半体部材）、（22b）……第２基板（第２コア半体部
材）、（23）……予備加工溝、（24）……ギャップ下端
規制溝、（25）……第１のガラス、（27）（32）……強
磁性金属薄膜、（29）（33）……ギャップスペーサ、
（30a）……第１の薄膜、（30b）……第２の薄膜、…
…段差。
７図、第８図、第９図、第10図、第11図、第12図、及び
第13図は夫々浮動型磁気ヘッドの製造方法を示す図であ
る。第14図乃至第23図は従来例に係り、第14図及び第15
図は夫々コアチップの形状を示す斜視図、第16図、第17
図、第18図、第19図、第20図、第21図、第22図及び第23
図は浮動型磁気ヘッドの製造方法を示す図、第24図は膜
膜の浮き上がりを示す断面図である。 （19）……スライダー、（22a）……第１基板（第１コ
ア半体部材）、（22b）……第２基板（第２コア半体部
材）、（23）……予備加工溝、（24）……ギャップ下端
規制溝、（25）……第１のガラス、（27）（32）……強
磁性金属薄膜、（29）（33）……ギャップスペーサ、
（30a）……第１の薄膜、（30b）……第２の薄膜、…
…段差。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 清隆 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 上田 穣 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−205808（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性酸化物材料よりなる第１、第２コア
半体のギャップ衝き合わせ面上に夫々強磁性金属薄膜を
形成し、前記第１、第２コア半体の強磁性金属薄膜同士
をギャップスペーサを介して衝き合わせてギャップ接合
をしてヘッドコアを形成し、該ヘッドコアを非磁性材料
よりなるスライダーに固定してなる浮動型磁気ヘッドの
製造方法において、 前記第１コア半体となる第１の強磁性酸化物基板と前記
第２コア半体となる第２の強磁性酸化物基板とを用意
し、前記第２の強磁性酸化物基板のギャップ衝き合わせ
面となる上面側に予備加工溝と斜面部を有するギャップ
下端規制溝とを形成し、該予備加工溝内及びギャップ下
端規制溝内に第１のガラスを充填する第１の工程と、 前記第２の強磁性酸化物基板の上面側にエッチング加工
を施すことにより、前記予備加工溝内及びギャップ下端
規制溝内に充填した第１のガラスの上部を除去して第２
の強磁性酸化物基板の上面と第１のガラスの上面との間
に段差を形成する第２の工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板の上面側全域に夫々
強磁性金属薄膜を含む第１、第２の薄膜を被着形成する
第３の工程と、 前記第２の薄膜のうち前記第１のガラス上及び前記第２
の強磁性酸化物基板の巻線溝形成予定部分上に被着して
いる部分を除去した後、前記巻線溝形成予定部分に巻線
溝を形成する一方、前記第１の薄膜のうち前記第２の薄
膜の除去部に対向することになる部分を除去する第４の
工程と、 前記第１、第２の強磁性酸化物基板上の第１、第２の薄
膜同士を衝き合わせてギャップ接合した後、スライス等
の外形加工を施してヘッドコアを形成する第５の工程と
を有することを特徴とする浮動型磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231676A JP2567725B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 |
| DE69119163T DE69119163T2 (de) | 1990-08-31 | 1991-08-26 | Verfahren zur Herstellung eines schwimmenden Magnetkopfes |
| EP91114263A EP0473092B1 (en) | 1990-08-31 | 1991-08-26 | Method of manufacturing floating type magnetic head |
| US07/753,157 US5146671A (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Method of manufacturing floating type magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231676A JP2567725B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113506A JPH04113506A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2567725B2 true JP2567725B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=16927241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231676A Expired - Lifetime JP2567725B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5146671A (ja) |
| EP (1) | EP0473092B1 (ja) |
| JP (1) | JP2567725B2 (ja) |
| DE (1) | DE69119163T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828506A (en) * | 1996-08-08 | 1998-10-27 | Eastman Kodak Company | Magnetic head interface having a single narrow band of contact for longitudinal edge track record/reproduce on magnetics-on-film (MOF) |
| JP3790347B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2006-06-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP3415432B2 (ja) | 1998-03-31 | 2003-06-09 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6635941B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of semiconductor device with improved reliability |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205808A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| US4890378A (en) * | 1985-08-28 | 1990-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a magnetic head core having a magnetic film |
| JPS62246110A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 複合型磁気ヘツドとその製造方法 |
| JPS62295207A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁気デイスク用浮上型磁気ヘツド |
| US5007158A (en) * | 1988-02-09 | 1991-04-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic heads |
| JPH0778853B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1995-08-23 | 三洋電機株式会社 | 浮動型磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2231676A patent/JP2567725B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-26 EP EP91114263A patent/EP0473092B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-26 DE DE69119163T patent/DE69119163T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-30 US US07/753,157 patent/US5146671A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04113506A (ja) | 1992-04-15 |
| DE69119163T2 (de) | 1996-12-05 |
| EP0473092A3 (en) | 1992-04-01 |
| EP0473092A2 (en) | 1992-03-04 |
| DE69119163D1 (de) | 1996-06-05 |
| EP0473092B1 (en) | 1996-05-01 |
| US5146671A (en) | 1992-09-15 |
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Legal Events
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