TW526455B - Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method - Google Patents

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526455 A7 B7 五 、發明説明l 1 發明範圍 本發明係有關一種電流驅動電路，其係具有驅動有機電 致發光（Electro Luminescence) ( EL)元件等，藉由電流控制 亮度的發光元件等，及在各像素上具有該電流驅動電路所 驅動之發光元件的顯示裝置、像素電路及發光元件驅動方 法。亦即是有關一種電流驅動電路，其係藉由設置在各像 素内之絕緣閘極型場效應電晶體等的主動元件控制供應發 光元件之電流量，及採用其之動態矩陣（Active Matrix)型 圖像顯示裝置。 發明背景 一般的動態矩陣型圖像顯示裝置係將許多像素排列成矩 陣狀，並針對所賦予的亮度資訊，藉由控制各個像素的光 度來顯示圖像。當採用液晶作為電光學物質時，是針對寫 入各像素之電壓改變像素的穿透率。而採用有機電致發光 (EL)材料作為電光學物質之動態矩陣型圖像顯示裝置，其 基本的操作與採用液晶時相同。但是有機電致發光與液晶 顯示器不同的是，各像素上具有發光元件，亦即所謂的發 光型，其優點為，圖像辨識性高於液晶顯示器、不需要背 光（Back Light)、反應速度快等。各個發光元件的亮度由 電流量控制。亦即，電流驅動型或電流控制型的發光元件 與液晶顯示器等有很大的差異。 有機EL顯示器與液晶顯示器同樣的可以採用單純的矩陣 方式及動態矩陣方式作為其驅動方式。前者雖然結構簡 單，但是不容易構成大型且高度精密的顯示器，因此，紛 -4-

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本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 2 裝

紛進行動態矩陣方式的開發。動態矩陣方式是藉由設置在 像素内部之主動元件（通常是絕緣閘極型場效應電晶體之 中的一種薄膜電晶體，以下，有時稱TFT)來控制流入設置 在各像素之發光元件的電流。此種動態矩陣方式的有機EL 顯示器，如特開平8- 234683號公報所公開的，其一個像素 部分的等效電路，如圖1所示。像素由發光元件OLED、第 一個薄膜電晶體TFT1、第二個薄膜電晶體TFT2及保持電容 C所形成。發光元件為有機電致發光（EL)元件。由於有機 EL元件通常具有整流性，因此也稱之為OLED(有機發光二 極管），在圖中採用二極管的符號來顯示發光元件OLED。 但是，發光元件不限於OLED，也可以藉由流入元件之電 流量來控制亮度者。此外，發光元件也不限於要求整流性 者。圖例中，以TFT2的源極做為參考電位（接地電位），發 光元件OLED的正極（陽極）連接Vdd (電源電位），另外，負 極（陰極）則連接TFT2的汲極。此外，TFT1的閘極連接掃描 線scan ’源極連接資料線data，沒極則連接保持電容C及 TFT2的閘極。 為使像素工作，首先，掃描線scan在選擇狀態，資料線 data上外加顯示亮度資訊的資料電位Vw時，TFT1導電，保 持電容C充電或放電，TFT2的閘極電位與資料電位Vw — 致。掃描線scan在非選擇狀態時，TFT1關閉，TFT2雖自電 力資料線data切離，但是TFT2的閘極電位則藉由保持電容 C保持穩定。經由TFT2流入發光元件OLED的電流，為TFT2 之閘極/源極間電壓Vgs所相應的值，發光元件OLED以通 _-5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（3 ) 過TFT2供應之電流量所相應的亮度持續發光。 若在TFT2的汲極/源極間流動的電流為Ids時，此即為流 入OLED的驅動電流。TFT2在飽和區域内工作時，Ids由以 下的公式來表示：

Ids= [1 · Cox · W/L/2 (Vgs-Vth)2 =/z · Cox · W/L/2 ( Vw-Vth)22 …（1) 裝 其中，Cox為約單位面積的閘極電容，並由以下的公式 得出：

Cox= £ 0 · ε r/d ··· (2) 公式（1)與公式（2)中，Vth為TFT2的閥值，#為載子 (Carrier)的移動程度，W為頻率寬度，L為頻率長度，ε 0 為真空的電容率，ε r為閘極絕緣膜的相對電容率，d為閘 極絕緣膜的厚度。

依據公式（1)，可以藉由寫入像素的電位Vw來控制Ids， 進而可以控制發光元件OLED的亮度。此處，使TFT2在飽 和區域内工作的理由如下：亦即，在飽和區域内，Ids僅由 Vgs來控制，不倚賴汲極/源極間電壓Vds，因此即使因 OLED的特性偏差而改變Vds時，指定流量的驅動電流Ids仍 可以流入OLED内。 如上所述，在圖1中所示的像素電路結構中，當以Vw進 行寫入時，在繼續改寫之前，在一個掃描週期（Cycle)( — 幀（Frame))之間，OLED以一定的亮度持續發光。許多的此 種像素，如圖2所示的排列成矩陣狀時，可以構成動態矩 陣型顯示裝置。如圖2所示，過去的顯示裝置是在指定的 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 4 掃描週期（如依據NTSC規格的幀週期）中，將用於選擇像素 25的掃描線scanl迄至scanN與賦予用於驅動像素25之亮度 資訊（資料電位Vw)的資料線data排設成矩陣狀。掃描線 scan 1迄至scanN連接掃描線驅動電路2 1，而資料線data則連 接資料線驅動電路22。藉由掃描線驅動電路21依序選擇掃 描線scanl迄至scanN，同時可以藉由資料線驅動電路22從 資料線data反覆以Vw寫入，來顯示需要的圖像。相對於單 純矩陣型的顯示裝置，各像素内的發光元件僅在被選擇的 瞬間發光，圖2所示的動態矩陣行顯示裝置，由於即使在 寫入完成後，各像素25的發光元件也持續發光，因此與單 純矩陣行相比，可以降低發光元件之驅動電流的電位，對 於大型高度精密顯示器特別有利。 圖3以模型顯示圖2所示之像素25的剖面結構。不過為求 圖式簡明，僅顯示OLED及TFT2。OLED由透明電極10、有 機EL層11及金屬電極12依序重疊構成。透明電極10與各像 素分離，j是供OLED正極的功能，可以由ITO等的透明導電 膜所構成。金屬電極12在像素間共接，提供OLED負極的 功能。亦即，金屬電極12共接指定之電源電位Vdd。有機 EL層11可以採用空穴輸送層與電子輸送層重疊的複合膜。 例如，在提供正極（空穴注入電極）功能的透明電極10上蒸 鍵Diamyne作為空穴輸送層，並於其上蒸鍵Alq3作為電子 輸送層，再於其上形成提供負極（電子注入電極）功能的金 屬電極 12 膜。其中的 Alq3 為 8-hydroxy quinoline aluminum。具有此種叠層結構的OLED只是其中的一個範 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（c ) 5 例。在具有此種結構之OLED的正極與負極之間外加正向 電壓（約10V)時，電子及空穴等載子開始注入，可看出發 光。OLED的工作是藉由從空穴輸送層注入之空穴及從電 子輸送層注入之電子所形成的激子（激發性電子（Exciton)) 來發光。 而TFT2則是由在玻璃等構成之基板1上所形成的閘極2、 重疊在其上面的閘極絕緣膜3及以該閘極絕緣膜3為介面， 重疊在閘極2上方的半導體薄膜4所構成。該半導體薄膜4 可以採用多結晶矽薄膜。TFT2具有形成供應OLED電流通 道的源極S、通道Ch及汲極D。通道Ch位於閘極2的正上 方。此種底部閘極結構的TFT2由層間絕緣膜5覆蓋，並在 其上形成源極6及汲極7。再於其上，以另外的層間絕緣膜 9為介面，形成前述的OLED膜。在圖3的範例中，由於 TFT2的汲極連接OLED的正極，因此是使用P通道薄膜電晶 體作為TFT2。 動態矩陣型有機EL顯示器中的主動元件，通常是採用在 基板上所形成的TFT (Thin Film Transistor，薄膜電晶體）， 其理由如下：有機EL顯示器在性質上屬於直視型，其規格 較大，由於受到成本及製造設備的限制，不允許採用單結 晶係基板來形成主動元件。另外，由於是從發光元件取出 光，因此通常是使用透明導電膜的ITO( Indium Tin Oxide) 作為有機EL層的正極（陽極），但是ITO通常是在有機EL層 無法承受的高溫下成膜，因此需要在形成有機EL層之前形 成ITO。而其製造步驟概略如下： _-8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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526455 A7 B7 五 發明説明（ 6 再度參照圖3，首先在玻璃基板1上依序堆積形成閘極2、 問極 '乡巴緣膜3及由非晶形碎（Amorphous silicon，非晶質硬） 所構成的半導體薄膜4，來形成TFT2。有時也可藉由雷射 退火等的熱處理將非晶形矽多矽（多結晶矽）化。此時，通 ^可以構成載子移動程度及電流驅動能力要比非晶形矽大 的TFT2。其次，形成發光元件〇LED正極的ITO透明電極 10。繼續堆積有機EL層，形成發光元件〇LED。最後，以 至屬材料（如銘）形成發光元件負極的金屬電極12。

% 由於此時是從基板1的内側（底層）取出光，因此基板1上 需要使用透明的材料（通常為玻璃）。基於這樣的理由，通 常動態矩陣型有機EL顯示器採用較大型的玻璃基板i，而 主動元件則採用比較容易在其上形成的TFT。最近也嘗試 從基板1的表面（表層）取出光。此種剖面結構如圖4所示。 與圖3不同的是，發光元件〇LED是依序重疊金屬電極12a、 有機EL層11及透明電極l〇a所構成，TFT2則採用N頻率電晶 體。 此時，基板1雖然不需要使用玻璃等的透明材料，但是仍 然是利用TFT作為在大型基板上形成的電晶體。不過形成 TFT所使用的非晶形矽及多結晶矽的結晶性與傳導機件的 控制性比單結晶矽差，因此所形成之TFT的特性偏差大。 尤其是在較大型的玻璃基板上形成多結晶矽TFT時，為了 避免玻璃基板的熱變形等問題，雖然通常採用如上述的雷 射退火法，但是在大片玻璃基板上很難均勻的照射雷射 能，以致多結晶矽的結晶化狀態難免會在基板内的部分區 • 9 - ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 7 域產生偏差。 因而，即使疋在同一塊基板上所形成的π丁，有些像素 的vth(閥值）往往會偏差數gmV，甚至偏差1V以上。此 時，對不同的像素，即使寫入相同的信號電位Vw ,因部分 像素產生Vth的偏差，按照前述的公式（丨），則流入〇LED的 龟况Ids會造成各像素較大的偏差，以致與所望的值相差甚 遠，因而無法在顯示器上產生高畫質。除了 vth之外，載 子移動程度#等公式（丨）中之各參數的偏差也是同樣的。 此外’上述各參數的偏差除了如上述之各像素間的偏差之 外，難免也會因各個製造批號及各個製品而有某種程度的 變動。此時對於應該流入OLED的所望電流Ids，究竟應該 如何設定資料線電位Vw，雖然各製品是需要針對公式（^ 中的各參數值來作決定，但是此種作法不但在顯示器的量 產作業中不切實際，而且也很難解決TFT因環境溫度的特 性變動，甚至因長時間使用，而使TFT特性隨時間改變的 問題。 發明概述 本發明的目的，在提供一種電流驅動電路，其係不受像 素内部主動元件的特性偏差影響，可以穩定且正確的供應 像素之發光元件所需電流，及採用該電流驅動電路可以顯 示高品質圖像的顯示裝置、像素電路及發光元件的驅動方 法。 為達成上述目的，係採用以下的裝置。亦即，本發明之 顯不裝置係由以下各部分所構成：掃描線驅動電路，其係 本紙狀度適用中g @家標準(CNS) M規格(21QX撕公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（。 ) 8 依序選擇掃描線；資料線驅動電路，其係產生信號電流， 該信號電流具有針對亮度資訊之電流位準，並包含逐次供 應資料線的電流源；及許多像素，其係排列在各掃描線及 各資料線之交叉部上，同時接受驅動電流的供電，包含發 光之電流驅動型的發光元件。該顯示裝置的特徵如下：該 像素係由以下各部分所形成：取入接收部，其係在選擇該 掃描線時，從該資料線取入接收信號電流；保持轉換部， 其係將取入信號電流的電流位準暫時轉換成電壓位準；及 驅動部，其係使驅動電流流入該發光元件内，該驅動電流 具有針對所保持之電壓位準的電流位準。具體而言，前述 的轉換部包含具有閘極、源極、汲極及通道的轉換用絕緣 閘極型場效應電晶體以及連接前述閘極的電容，前述轉換 用絕緣閘極型場效應電晶體，將藉由前述接收部所取入的 信號電流流入前述通道内，並在前述閘極内產生轉換之電 壓位準，前述電容則保持前述閘極内產生之電壓位準。另 外，前鸠轉換部包含***前述轉換用絕緣閘極型場效應電 晶體之汲極與閘極之間的開關用絕緣閘極型場效應電晶 體。前述的開關用絕緣閘極型場效應電晶體，在信號電流 的電流位準轉換成電壓位準時導電，前述轉換用絕緣閘極 型場效應電晶體的沒極與閘極實施電連接，在閘極上產生 以源極為基準的電壓位準，另外，前述開關用絕緣閘極型 場效應電晶體則在電壓位準保持在前述電容内時被阻斷， 前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體的閘極及與其連接的 前述電容自汲極切離。 _-11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 526455 A7 B7 五 、發明説明（Q )

裝 一種實施例為，前述的驅動部包含具有閘極、汲極、源 極及通道的驅動用絕緣閘極型場效應電晶體。該驅動用絕 緣閘極型場效應電晶體將保持在前述電容内之電壓位準放 在閘極上，具有與其對應之電流位準的驅動電流經由通道 流入前述發光元件内。前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶 體的閘極與前述驅動用絕緣閘極型場效應電晶體的閘極直 接連接’構成電流鏡電路’信號電流的電流位準與驅動電 流的電流位準形成比例的關係。前述驅動用絕緣閘極型場 效應電晶體在像素内對應之轉換用絕緣閘極型場效應電晶 體的附近形成，具有與前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶 體相等的閥電壓。前述驅動用絕緣閘極型場效應電晶體在 飽和區域内工作，外加在其閘極上之電壓位準與閥電壓之 差所相應的驅動電流流入前述發光元件。

線 其他實施例為，前述驅動部與前述轉換部之間，區分時 段共用前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體。前述驅動部 在完成傻號電流的轉換後，自前述接收部切離前述轉換用 絕緣閘極型場效應電晶體，作為驅動用，所保持的電壓位 準於外加在前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體之閘極的 狀態下，經過通道，使驅動電流流入前述發光元件内。前 述驅動部具有控制裝置，可以在不驅動時，阻斷不需要的 電流經由前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體流入前述發 光元件内。前述控制裝置控制具有整流作用之雙端子型發 光元件端子間的電壓，阻斷不需要的電流。或是，前述的 控制裝置，由***在前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7

入則迟發光元件之間的控制用絕緣閘極型場效應電晶體來 構成，前述控制用絕緣閘極型場效應電晶體在發光元件不 驅動時處於非導電狀態’前述轉換用絕緣問極型場效應電 :體：前述發光元件切離，發光元件驅動時，則切換：導 電狀態二另外，前述控制裝置控制不驅動時阻斷驅動電 流，使前述發光元件置於不發光狀態的時間，及驅動時流 入驅動電流’使前述發光㈣置於發光狀態的時間比例， :以控制各像素的亮度。有時前述的驅動部為了穩定通過 則述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體，流入前述發光元件 j驅動電流的電流位準，還具有電位固定裝置，來固定以 前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體的源極為基準的汲極 電位。 本發明的發展形態為，前述接收部、前述轉換部及前述 驅動部由組合了數個絕緣閘極型場效應電晶體的電流電路 所構成，一個或兩個以上的絕緣閘極型場效應電晶體具有 雙控制極(Double Gate)結構來控制電流電路中的電流漏泄 (Leak)。且前述驅動部包含具有閘極、汲極及源極的絕緣 閘極型場效應電晶體，針對外加在閘極上的電壓位準，使 通過汲極與源極間的驅動電流流入前述發光元件内，前述 發光元件為雙端子型，具有正極與負極，其中的負極連接 汲極。或是，前述驅動部包含具有閘極、汲極及源極的絕 緣閘極型場效應電晶體，針對外加在閘極上的電壓位準， 使通過汲極與源極間的驅動電流流入前述發光元件内，前 述發光元件為雙端子型，具有正極與負極，其中的正極連

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線

526455 A7 B7 五、發明説明（μ ) 11

裝

線 接源極。此外，包含調整裝置，其係藉由前述轉換部，下 方調整所保持之電壓位準，來供應前述驅動部，縮減各像 素亮度的黑色位準。此時，前述的驅動部包含具有閘極、 沒極及源極的絕緣閘極型場效應電晶體，前述調整裝置提 高前述絕緣閘極型場效應電晶體閘極與源極間的電壓，下 方調整外加在閘極上的電壓位準。或是，前述的驅動部包 含具有閘極、汲極及源極的絕緣閘極型場效應電晶體，前 述轉換部連接前述薄膜電晶體的閘極，且具有保持前述電 壓位準的電容，前述調整裝置由連接前述電容的追加電容 所構成，下方調整應該外加在保持在前述電容中之前述絕 緣閘極型場效應電晶體閘極上的電壓位準。或是，前述的 驅動部包含具有閘極、汲極及源極的絕緣閘極型場效應電 晶體，前述轉換部的一端連接前述絕緣閘極型場效應電晶 體的閘極，且具有保持前述電壓位準的電容，前述調整裝 置在將前述轉換部所轉換之前述電壓位準保持在前述電容 内時，調整前述電容另一端的電位，下方調整應該外加在 前述絕緣閘極型場效應電晶體閘極上的電壓位準。此外， 前述發光元件採用如有機電致發光的元件。 本發明的像素電路具有以下的特徵：第一，寫入像素的 亮度資訊是藉由針對亮度大小之信號電流流入資料線來執 行，該電流流入像素内部的轉換用絕緣閘極型場效應電晶 體的源極、汲極之間，因而產生針對該電流位準之閘極與 源極間的電壓。第二，上述所產生的閘極、源極間電壓， 或閘極電位，在像素内部形成，或是藉由寄生性存在之電 __-14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（_ ) 12 容的作用來保持，寫入完成後，也在指定的期間大致保持 其位準。第三，流入OLED的電流，由與其串聯的前述轉 換用絕緣閘極型場效應電晶體本身，或是另外設置在像素 内部之前述轉換用絕緣閘極型場效應電晶體與閘極共接之 驅動用絕緣閘極型場效應電晶體來控制，OLED驅動時， 閘極、源極間電壓與第一個特徵所產生之轉換用絕緣閘極 型場效應電晶體的閘極、源極間電壓概等。第四，寫入 時，藉由以第一條掃描線所控制之取入用絕緣閘極型場效 應電晶體使資料線及像素内部導電，藉由以第二條掃描線 控制之開關用絕緣閘極型場效應電晶體，在前述轉換用絕 緣閘極型場效應電晶體的閘極、汲極間形成短路。综合以 上所述，過去的亮度資訊是以電壓值的形式賦予，而本發 明之顯示裝置的顯著特徵則是以電流值的形式賦予，亦即 為電流寫入型。 本發明的目的，如前所述，是避免TFT的特性偏差，使 所需要的電流正確的流入OLED内，依據上述第一個或第 四個特徵來達到本目的的理由說明如下··此外，以下分別 以T FT 1代表轉換用絕緣閘極型場效應電晶體，以TFT2代 表驅動用絕緣閘極型場效應電晶體，以T FT3代表取入用絕 緣閘極型場效應電晶體，以TFT4代表開關用絕緣閘極型場 效應電晶體。但是，本發明並不限於TFT(薄膜電晶體），可 以廣泛採用形成在單結晶矽基板及SOI基板上之單結晶矽 電晶體等的絕緣閘極型場效應電晶體作為主動元件。另 夕卜，寫入亮度資訊時，流入TFT 1的信號電流以I w表示， __-15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（13 ) 結果在TFT1上產生之閘極、源極間電壓以Vgs表示。寫入 時，由於是在TFT 1的閘極、汲極間形成短路，因此TFT 1是 在飽和區域内工作。所以，Iw的公式如下：

Iw= β 1 · Coxl · Wl/Ll/2 (Vgs-Vthl)2 ··· (3) 上述公式中各參數的定義參照前述公式（1)。流入OLED 的電流為Idrv時，Idrv藉由與OLED串聯之TFT2來控制電流 位準。本發明中的閘極、源極間電壓與公式（3)的Vgs — 致，因此，若假定T FT2在飽和區域内工作，則以下的公式 成立：

Idrv= //2 · Cox2 · W2/L2/2 ( Vgs-Vth2)2 …（4) 上述公式中各參數的定義參照前述公式（1)。使絕緣閘 極場效應型薄膜電晶體在飽和區域内工作的條件為，以 Vds作為汲極、源極間電壓，通常如以下公式所示： |Vds|>|Vgs-Vth| …（5) 由於此處的TFT1及TFT2鄰近小像素内部而形成，因此， // 1 = # 2，Coxl = Cox2，Vthl = Vth2。如此則可以從公式（3) 及公式（4)導出以下公式：

Idrv/Iw=(W2/L2)/(Wl/Ll)…（6) 此處需要注意的是，公式（3)及公式（4)中之/z、Cox、 Vth的值本身，雖然一般都會在各像素、各製品或是各製 造批號中有偏差，但是因為公式（6)中沒有包含這些參 數，因此Idrv/ Iw的值並不受這些偏差的影響。例如，若設 計成 W1 = W2，L1 = L2，Idrv/ 1 w = 1，則 Iw 與 Idrv 的值相 等。亦即避免TFT的特性偏差，流入OLED内的驅動電流 _-16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明) 14

Idrv與正確的信號電流Iw相同，因此可以正確的控制OLED 的發光亮度。上述僅是一個範例，也可以如以下舉出實施 例來說明，藉由設定Wl、W2、LI、L2來自由決定Iw與 Idrv的比，或是以同一個TFT同時兼TFT1及TFT2的功能。 因此，依據本發明除了可以避免TFT的特性偏差，使正 確的電流流入OLED内，也有助於依據公式（6)，使Iw與 Idirv構成單純的比例關係。亦即，圖1的過去範例中，如公 式（1)所示，Vw與Idrv會受到TFT的特性影響，屬於非線 型，驅動端的電壓控制非常複雜。此外公式（1)中所示的 TFT的特性中，已知載子移動程度#是隨溫度而改變。因 此，過去的範例依據公式（1)，Idrv乃至OLED的發光亮度 會改變，但是依據本發明則沒有這樣的顧慮，可以穩定的 提供OLED公式（6)所得出的Idrv值。 公式（4)中是假定TFT2在飽和區域内工作，但是本發明 的TFT2即使在線型區域内工作也有效。亦即，TFT2在線型 區域内工作時，Idrw如以下公式所示：

Idrv=//2 · Cox2 · W2/L2* {(Vgs-Vth2) Vds2-Vds22/2} ··· (7) 其中Vds2為TFT2的汲極、源極間電壓。此處的TFT1及 TFT2鄰接配置，若Vthl = Vth2=Vth成立時，則可以從公 式（3)及公式（7)中刪除Vgs、Vth，而得以下的公式：

Idrv=/z2 · Cox2 · W2/L2* {(2Iw · LI///1 · Coxl · Wl)1/2Vds2-Vds22/2}…（8) 此時Iw與Idrv的關係，雖然不是如公式（6)中的單純比例 關係，但是因公式（8 )中不含Vth，因此，可知不致因Vth _-17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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526455 A7 B7 五、發明説明（π ) 15 的偏差（畫面内的偏差及各製造批號的偏差）而影響Iw與Idrv 的關係。亦即，避免Vth的偏差，藉由寫入指定的Iw，可 以得到所需要的Idrv。只是，當/z及Cox在畫面内偏差時， 依據這些值，即使將特定的Iw賦予資料線，由公式（8)所 決定的Idrv值仍會有偏差，因此，TFT2宜如前述在飽和區 域内工作。 此外，TFT3及TFT4是藉由不同的掃描線來控制，完成寫 入時，宜在TFT3之前，先將TFT4置於關閉狀態。本發明有 關之像素電路中的TFT3及TFT4不需要採用同一個導電型， TFT3及TFT4屬於同一個或是不同的導電型時，各個閘極宜 分別由不同的掃描線控制，在完成寫入後，於TFT3之前， 先將TFT4置於關閉狀態。 此夕卜，TFT3及TFT4分別由不同的掃描線控制時，於完成 寫入後，藉由操作掃描線使TFT4置於開啟狀態，可以掃描 線為單位熄滅像素。這是因為TFT1的閘極、汲極與TFT2的 閘極相連，TFT2的閘極電壓成為TFT1的臨界值（與TFT2的 臨界值概等），TFT 1、TFT2同時置於關閉狀態。 如此，藉由改變熄滅信號的定時（Timing)，可以輕易改 變顯示裝置的亮度。區分第二條掃描線，分別加以控制各 種R. G. B顏色時，也便於調整顏色的平衡。 此外，希望得到相同的時間平均亮度時，可以藉由減少 發光期間的比例（d uty)，增大發光元件0 LED的驅動電 流。 圖式概述 ___-18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 526455 A7 ---— B7 ___ 五、發明説明（~τ--—' 16 ) 圖1為顯示習知像素電路的電路圖。 圖2為顯示習知顯示裝置結構的方塊圖。 圖3為顯示習知顯示裝置結構的剖面圖。 圖4為顯示習知顯示裝置之其他結構的剖面圖。 圖5為顯示本發明之像素電路實施例的電路圖。 圖6為顯示圖5之實施例中各信號波型的波形圖。 圖7為顯示使用圖5實施例之像素電路的顯示裝置結構方 塊圖。 圖8為顯示圖5實施例之類似例的電路圖。 圖9為顯示本發明之像素電路其他實施例的電路圖。 圖10為顯示圖9實施例中各信號波形的波形圖。 圖11為顯示圖9實施例之類似例的電路圖。 圖12為顯示圖9實施例之類似例的電路圖。 圖13為顯示圖9實施例之類似例的電路圖。 圖14為顯示圖9實施例之類似例的電路圖。 圖1 5為顯示本發明之像素電路其他實施例的電路圖。 圖16為顯示圖15實施例之類似例的電路圖。 圖17為顯示圖1 5實施例之類似例的電路圖。 圖1 8為顯示本發明之像素電路其他實施例的電路圖。 圖19為顯示圖1 8實施例之類似例的電路圖。 圖20為圖19電路以掃描線為單位熄減像素時的說明圖。 圖2 1為顯示圖19實施例之類似例的電路圖。 圖22為顯示圖19實施例之類似例的電路圖。 圖23顯示流經圖22之電路及過去電路之轉換用電晶體的 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（17 ) 電流特性。 圖24顯示圖19實施例之類似例的電路圖。 圖25顯示圖23之電路及過去電路的資料線電位。 圖26為顯示本發明之像素電路其他實施例的電路圖。 圖27為顯示本發明之像素電路其他實施例的電路圖。 較佳之具體實施例 以下，參照附圖說明本發明的實施例。 圖5為本發明的像素電路範例。該電路係由以下各部分所 構成：流動信號電流的轉換用電晶體T FT1 ;驅動用電晶體 TFT2，其係控制流入由有機E L元件等構成之發光元件的 驅動電流；取入用電晶體TFT3，其係藉由第一條掃描線 scanA的控制，連接或阻斷像素電路與資料線data ;開關用 電晶體T FT4，其係藉由第二條掃描線scanB的控制，在寫 入期間使TFT1的閘極、汲極間形成短路；電容C，其係用 於在完成寫入後仍然保持TFT1的閘極、源極間電壓；及發 光元件OLED。圖5中，TFT3由PMOS構成，其他的電晶體 則由NMOS構成，不過這僅是一種範例，並非必須如此。 電容C的一個端子連接TFT1的閘極，另一個端子則連接 GND (接地電位），不過不限於GND，也可以連接任何的固 定電位。OLED的正極（陽極）連接正的電原電位Vdd。 基本上，本發明之顯示裝置係由以下各部分所構成：掃 描線驅動電路，其係依序選擇掃描線scanA及scanB ;資料 線驅動電路，其係包含逐次供應資料線data的電流源CS， 並產生具有依據亮度資訊之電流電位的信號電流Iw ;及許

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線 __-20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明) 18

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線 多像素，其係包含配置在各掃描線sc an A、scanB及各資料 線data交叉部上，同時接受驅動電流的供應而發光之電流 驅動型發光元件OLED。其特徵為，圖5所示的該像素係由 以下各部分所形成··取入接收部，其係選擇該掃描線 scanA時，自該資料線data取入接收信號電流Iw ;保持轉換 部，其係將取入之信號電流Iw的電流位準暫時轉換成電壓 位準來保持；及驅動部，其係使具有針對所保持電壓位準 之電流位準的驅動電流流入該發光元件OLED内。具體而 言，前述的轉換部包含具有閘極、源極、汲極及通道的轉 換用薄膜電晶體TFT1以及連接前述閘極的電容。轉換用薄 膜電晶體TFT1，將藉由前述接收部所取入的信號電流Iw 流入前述通道内，並在前述閘極内產生轉換之電壓位準， 電容C則保持前述閘極内產生之電壓位準。另外，前述轉 換部包含***轉換用薄膜電晶體T F T 1之汲極與閘極之間 的開關用薄膜電晶體TFT4。開關用薄膜電晶體TFT4，在信 號電流Iw的電流位準轉換成電壓位準時導電，轉換用薄膜 電晶體TFT1的汲極與閘極實施電連接，在TFT1的閘極上 產生以源極為基準的電壓位準，另外，開關用薄膜電晶體 TFT4則在電壓位準保持在電容C内時被阻斷，轉換用薄膜 電晶體TFT1的閘極及與其連接的電容C自TFT1的汲極切 離。 此外，前述的驅動部包含具有閘極、汲極、源極及通道 的驅動用薄膜電晶體TFT2。驅動用薄膜電晶體TFT2將保 持在電容C内之電壓位準放在閘極上，具有與其對應之電 _ -21 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五 、發明説明（ 流位準的驅動電流經由通道流入發光元件OLED内。轉換 用薄膜電晶體TFT1的閘極與驅動用薄膜電晶體TFT2的閘 極直接連接，構成電流鏡電路’信號電流I w的電流位準與 驅動電流的電流位準形成比例的關係。驅動用薄膜電晶體 TF丁2在像素内對應之轉換用薄膜電晶體ΊΤΤ1的附近形 成，具有與轉換用薄膜電晶體TFT 1相等的閥電壓。驅動用 薄膜電晶體T FT2在飽和區域内工作，外加在其閘極上之電 壓位準與閥電壓之差所相應的驅動電流流入前述發光元件 OLED 〇 本像素電路的驅動方法如下，驅動波形如圖6所示。首 先，在窝入時，使第一條掃描線scanA及第二條掃描線 scanB在選擇狀態。圖5例中的第一條掃描線scanA為低位 準，第二條掃描線scanB為高位準。兩條掃描線在被選擇狀 態下，藉由將電流源CS連接在資料線data上，針對亮度資 訊的信號電流Iw流入TFT1内。電流源CS為針對亮度資訊來 控制的可變電流源。此時，TFT1的閘極、汲極間是藉由 TFT4構成電流短路，因而公式（5)成立，TFT1在飽和區域 内工作。因此，該閘極、源極間產生以公式（3)所得到的 電壓Vgs。其次，使第一條掃描線scanA及第二條掃描線 scanB在非選擇狀態。詳述如下，首先使第二條掃描線 scanB在低位準，使TFT4在關閉狀態。藉此，以電容C保持 Vgs。其次，藉由使第一條掃描線scanB在高低位準及在關 閉狀態，來阻斷像素電路與資料線data間電流，爾後可以 經由資料線data寫入其他的像素。此處，電流源CS以信號 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（2Q ) 電流之電流位準輸出資料，雖然須在第二條掃描線scanB在 非選擇狀態時有效，但是之後，任何的位準（例如下一個像 素的寫入資料）均可。TFT2與TFT1的閘極與源極共接，且 均在小的像素内部鄰接形成，因此，TFT2若在飽和區域内 工作時，流入TFT2的電流如公式（4)的值，亦即為流入發 光元件OLED之驅動電流Idrv。使TFT2在飽和區域内工作 時，即使考慮到發光元件OLED上的電壓降低，且為使公 式（5)成立，宜賦予Vdd足夠的正電位。 依據上述的驅動，流入發光元件OLED的電流Idrv，可由 前述的公式（6):

Idrv= ( W2/L2)/( W1/L1) · Iw 算出，成為避免TFT的特性偏差，正確的與Iw成比例的 值。有關比例常數的（W2/L2)/( W1/L1)，可以在考慮各項 因素後決定出適當的值。例如，應該流入一個像素之發光 元件OLED的電流值較小，如為1 OnA時，實際上很難正確 的提供如此小的電流值作為信號電流Iw。此時，若設計為 (W2/L2)/( W1/L1) = 1/ 100，公式（6)的 Iw則為 1 //A，方便 電流寫入工作。 上述範例雖然是假定TFT2在飽和區域内工作，不過本發 明在前述的線型區域内工作也有效。亦即，TFT2在線型區 域内工作時，流入發光元件OLED的電流Idrv可由前述的公 式（8):

Idrv=/z2 · Cox2 · W2/L2* {(2IwLl/,al · Coxl · Wl)1/2Vds2-

Vds22/2} _-23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2i〇 x 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（21 )

裝 算出。上述公式中的Vds2是由發光元件OLED的電流一電 壓特性及流入發光元件OLED的電流Idrv來決定。若指定 Vdd的電位及發光元件OLED的特性，則僅是Idrv的函數。 此時，Iw與Idrv的關係不是如公式（6)之單純的比例關係， 若指定Iw時，滿足公式（8)的Idrv成為流入OLED的驅動電 流。由於在公式（8)中沒有含Vth，因此可知不會因Vth的偏 差（畫面内各像素的偏差及各製造批號的偏差）而影響Iw與 Idrv的關係。亦即，避免Vth的偏差，藉由寫入指定的Iw， 可以得到所需要的Idrv。如此，當TFT2在線型區域内工作 時，TFT2的汲極、源極間電壓比在飽和區域内小，可以減 少耗電。

線 圖7為將圖5的像素電路排列成矩陣狀所構成的顯示裝置 範例。其工作說明如下：首先，垂直啟動脈衝（Start Pulse) ( VSP)與包含移位暫存器（Shift Register)的掃描線驅 動電路A2 1相同，輸入到包含移位暫存器的掃描線驅動電 路B23中。掃描線驅動電路A21、掃描線驅動電路B23接收 ¥8卩後，與垂直時鐘（(：1(^1〇(¥(：反八，乂(：1^)同步，分別依 序選擇第一條掃描線scanAl〜scanAN及第二條掃描線 scanB 1〜scanBN。對應各資料線data，將電流源CS設置在資 料線驅動電路22内，以針對亮度資訊的電流位準來驅動資 料線。電流源CS由圖式的電壓/電流轉換電路所形成，釺 對表示亮度資訊的電壓來輸出信號電流。信號電流流入所 選擇之掃描線上的像素，並以掃描線為單位執行電流寫 入。各像素以針對該電流位準的強度開始發光。但是， __-24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（22 ) VCKA對VCKB，藉由延遲電路24僅作微小的延遲。藉此， 如圖6所示，第二條掃描線scanB在第一條掃描線scanA之前 變成非選擇。

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線 圖8為圖5之像素電路的類似例。該電路是將圖5中的 TFT2，由串聯TFT2a及TFT2b之兩個電晶體的雙控制極所構 成，另外圖5中的TFT4，則是由串聯TFT4a及TFT4b之兩個 電晶體的雙控制極所構成。由於TFT2a及TFT2b與TFT4a及 TFT4b分別共接閘極，因此基本上與單一的電晶體工作相 同，結果圖8的像素電路的工作也與圖5的像素電路相同。 然而，單一的電晶體，尤其是TFT，有時會因某種瑕疵， 使關閉時的漏電流變大。因此希望抑制漏電流時，宜採用 串聯數個電晶體的冗長結構。如此，即使任何一個電晶體 上有漏泄，若其他電晶體的漏泄小，仍然可以抑制整體的 漏泄。若採取如圖8之TFT2a及TFT2b的結構，因漏電流較 小，具有顯示亮度零（電流零）之較佳黑色位準的優點。此 夕卜，若择取如TFT4a及TFT4b的結構，則具有可以穩定保持 寫入電容C内之亮度資訊的優點。有關這方面，同樣的也 可以採用串聯三個以上的電晶體來構成。在以上的其他實 施例中，前述接收部、前述轉換部及前述驅動部構成組合 了數個薄膜電晶體TFT的電流電路，一個或兩個以上的薄 膜電晶體（TFT)具有雙控制極的結構，用於控制電流電路中 的電流漏泄。 圖9為本發明之像素電路的其他實施例。該電路的特徵為 流入信號電流Iw的電晶體TFT1本身，控制流入發光元件 _ -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（_ ) 23 OLED的電流Idrv。前述圖5中所示的像素電路，其TFT1及 TFT2的特性（Vth及/z等）彼此僅有些微差異時，正確的說， 公式（6)不成立，Iw與Idrv正確的說有可能沒有比例的關 係，但是圖9的像素電路中，基本上不會產生這些問題。 圖9的像素電路係由以下各部分所構成·· TFT 1 ;電晶體 TFT3，其係藉由第一條掃描線scanA的控制，連接或阻斷 像素電路與資料線data ;電晶體TFT4，其係藉由第二條掃 描線scanB的控制，在寫入期間使TFT1的閘極、汲極短 路；電容C，其係在寫入TFT1的閘極、源極間電壓完成後 仍然保持；及發光元件OLED，其係由有機EL元件所構 成。保持電容C的其中一個端子連接TFT1的閘極，另一個 端子則連接GND(接地電位），不過不限於GND，也可以是 任何的固定電位。發光元件OLED的正極（陽極）連接以掃描 線為單位所配設的正極線A。TFT3由PMOS構成，其他的電 晶體則由NMOS構成，不過這只是其中一個範例，並非必 須如此。 如上所述的本實施例，像素電路的驅動部與轉換部之 間，區分時段共用轉換用薄膜電晶體TFT1。亦即，驅動部 在信號電流Iw完成轉換後，從接收部切離轉換用薄膜電晶 體TFT1，作為驅動用，並在所保持的電壓位準於外加在轉 換用薄膜電晶體TFT1之閘極的狀態下，經過通道，使驅動 電流流入發光元件OLED内。此外，驅動部還具有控制裝 置，可以在不驅動時，阻斷不需要的電流經由轉換用薄膜 電晶體TFT1流入發光元件OLED内。本實施例的控制裝置 ___-26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五 、發明説明（ 藉由正極線A，控制具有整流作用之雙端子型發光元件 OLED端子間的電壓，阻斷不需要的電流。 本電路的驅動方法如下，驅動波形如圖10所示。首先， 在寫入時，使第一條掃描線scanA及第二條掃描線scanB在 選擇狀態。圖10例中的第一條掃描線scanA為低位準，第二 條掃描線scanB為高位準。在此處將電流值Iw的電流源CS 連接在資料線data上，為了防止Iw經由發光元件OLED流 入，先使發光元件OLED的正極線A在低位準（例如GND或 是負電位），使發光元件OLED再關閉狀態。藉此，信號電 流Iw流入TFT1内。此時，由於TFT1的閘極、汲極間是藉由 TFT4構成電流短路，因而公式（5)成立，TFT1在飽和區域 内工作。因此，該閘極、源極間產生以公式（3)所得到的 電壓Vgs。其次，使第一條掃描線scanA及第二條掃描線 scanB在非選擇狀態。詳述如下，首先使第二條掃描線 scanB在低位準，使TFT4在關閉狀態。藉此，以電容C保持 TFT1所4生的Vgs。其次，藉由使第一條掃描線scanB在高 低位準及TFT3在關閉狀態，來阻斷像素電路與資料線data 間電流，爾後可以經由資料線data寫入其他的像素。此 處，電流源CS以信號電流Iw供應資料，雖然須在第二條掃 描線scanB在非選擇狀態時有效，但是之後，可以取任意值 (例如下一個像素的寫入資料）。繼續使正極現在高位準。 由於TFT 1的Vgs是由電容C來保持，因此，TFT1是在飽和 區域内工作，流入TFT 1的電流與公式（3)的Iw —致，亦 即，成為流入發光元件OLED的驅動電流Idrv。換言之，信 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（％ ) 號電流Iw與發光元件〇LED的驅動電流Idrv—致。欲使TFT1 在飽和區域内工作，除了考慮降低發光元件〇LED的電壓 之外，宜提供正極線A足夠的正電位，使公式（5)成立。依 據上述的驅動，流入發光元件〇LED的電流Idirv可避免TFT 的特性偏差，確實與I〜一致。 圖11為圖9所示之像素電路的類似例。圖丨i中沒有圖9所 示的正極線，除了發光元件〇LED的正極連接固定正電位 Vdd之外’並在TFT1的汲極與發光元件OLED的負極（陰極） 之間***p通道電晶體（Channel Transistor) TFT5。TFT5的 閘極是以掃描線為單位所配設的驅動線drv來控制。*** TFT5的目的，是使資料寫入時，驅動線drv在高位準， TFT5在關閉狀態，防止信號電流iw經由發光元件0LED流 入。寫入完成後，再度使drv在低位準，TFT5在開啟狀 態，使驅動電流Idrv流入發光元件OLED内。其他的工作與 圖9的電路相同。 本實施例包含與發光元件OLED串聯的TFT5，可以針對 提供TFT5的控制信號阻斷電流流入發光元件〇LED内。控 制信號經由與掃描線scan平行設置的驅動線drv提供包含在 同一條掃描線上各像素之TFT5的閘極。本實施例在發光元 件OLED及TFT1之間***丁FT5，藉由TFT5之閘極電位的控 制，可以開啟或關閉（ON/ OFF)流入發光元件OLED内的電 流。依據本實施例，各像素是藉由發光控制信號使TFT5在 開啟的時段發光。若開啟時間為r ，一幀（Frame)的時間 為T時，像素發光的時間比例，亦即工作（Duty)，概為r -28 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 26 / T。發光元件的時間平均亮度是與該工作成比例的變化。 因此，藉由控制TFT5，改變開啟時間r ，可以簡便、廣範 圍的調整EL顯示器的畫面亮度。 如上所述之本實施例的控制裝置，是由***轉換用薄膜 電晶體TFT1及發光元件OLED之間的控制用薄膜電晶體 TFT5所構成。控制用薄膜電晶體TFT5在發光元件OLED於 不驅動時處於非導電狀態，與轉換用薄膜電晶體TFT1及發 光元件OLED切離，而在驅動時則切換成導電狀態。另 外，本控制裝置控制，在不驅動時阻斷驅動電流，使發光 元件OLED處於不發光狀態之關閉時間，與驅動時流入驅 動電流，使發光元件OLED處於發光狀態之開啟時間的比 例，可以控制各像素的亮度。依據本實施例，顯示裝置在 各像素内寫入以掃描線為單位的亮度資訊後，在重新寫入 下一個掃描線週期（幀）的亮度資訊之前，可以掃描線為單 位同時熄滅各像素内的發光元件。藉此，可以調整寫入亮 度資訊钱發光元件亮起至熄滅之間的時間。亦即，可以調 整一個掃描週期中之發光時間的比例（工作）。發光時間（工 作）的調整相當於等效提供各發光元件之驅動電流的調整。 因此，藉由調整工作，可以簡便且隨意的調整顯示亮度。 另外，更重要的是，藉由適切的設定工作，可以增大等效 的驅動電流。例如，若工作為1/ 10，即使驅動電流增大10 倍，仍然可以得到相同的亮度。若驅動電流增大10倍時， 由於所對應的信號電流也增大10倍，因此也可以不處理微 弱的電流位準。 ___·29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 27 圖12為圖9所示之像素電路的類似例。圖12中，是在 丁FT1的汲極與發光元件OLED的負極之間***TFT0，丁FT0 的閘極、汲極之間連接TFT7，該閘極藉由第二條掃描線 scanB來控制。TFT7的源極與GND電位之間連接輔助電容 C 2。該電路的驅動方法基本上與圖9的像素電路相同’說 明如下。另外，其驅動波形則與圖10相同。首先在寫入 時，使以掃描線為單位所配設的正極線A在低位準（例如 GND或負電位），電流未流入OLED的狀態下，使第一條掃 描線scanA及第二條掃描線scanB在選擇狀態時，信號電流 Iw流入TFT1及TFT6。由於這兩個TFT的閘極、源極之間分 別以TFT4及TFT7形成短路，因此在飽和區域内工作。其 次，使第一條掃描線scanA及第二條掃描線scanB在非選擇 狀態。藉此，事先產生於TFT1及TFT6内的Vgs分別保持在 電容C及輔助電容C2内。其次藉由使第一條掃描線scanA處 於關閉狀態，來阻斷像素電路與資料線data之間的電流， 之後，可以經由資料線data寫入其他的像素内。繼續使正 極線A在高位準。由於TFT1的Vgs是保持在電容C内，因此 若TFT1在飽和區域内工作，則流入TFT1的電流則與公式（3) 的Iw —致，此即流入發光元件OLED的電流Idrv。換言之， 信號電流Iw與發光元件OLED的驅動電流Idrv—致。 以下說明TFT6的作用。在圖9的像素電路中，如前所 述，信號電流Iw與發光元件OLED的驅動電流均由TFT 1來 決定，因此，從公式（3)及公式（4)中可知Iw = Idrv。但 是，流入TFT 1的電流Ids是飽和區域内從公式（1)所得到的 __ -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 28 值，亦即，Ids不受汲極、源極間電壓Vds的影響。然而， 實際上的電.晶體，即使Vgs固定，有時Vds愈大，則Ids也愈 大。這是因為Vds變大，汲極附近的夾斷（Pinch Off)點移 動至源極端，有效的通道長度縮短，造成所謂的短通道效 果，以及沒極的電位影響到通道電位，而改變通道的導電 率，而造成所謂的Back Gate效果等。此時，流入電晶體的 電流Ids如以下公式所示：

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Ids= " · Cox · W/L/2 ( Vgs-Vth)2* ( 1 + 又· Vds)…（9) 因此，Ids會受到Vds的影響。此處的λ為正的常數。在 圖9的電路中，於寫入時及驅動時，若Vds不同，貝Uw與 Idrv不一致。

線 再看圖12的電路工作。觀察圖12中TFT6的工作，其汲極 電位於寫入時及驅動時，通常不同。例如，驅動時的汲極 電位較高時，TFT6的Vds也較大，對照公式（9)，在寫入時 與驅動時，即使Vgs固定，Ids在驅動時會增加。換言之， Idrv比Iw大，兩者不一致。然而，因Idrv流入TFT 1，此時 TFT1的電壓降低較大，其汲極電位（TFT6的源極店位）上 昇。以致TFT6的Vgs變小，這是使Idrv變小的作用。結果， TFT1的汲極電位（TFT6的源極電位）無法變大，若是觀察 TFT1，可知在寫入時與驅動時，Ids不會變大。亦即，Iw與 Idrv的精度相當一致。為使這個工作執行更良好，應使 TFT 1及TFT6兩者對Vds之Ids的依存性變小，因此兩個電晶 體宜在飽和區域内工作。寫入時，由於TFT 1、TFT6兩者 的閘極、汲極間構成短路，因此，不藉由寫入亮度資料， _____-31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明) 兩者必然均在飽和區域内工作。驅動時也在飽和區域内工 作，即使考慮到發光元件OLED的電壓下降，若欲使TFT6 在飽和區域内工作，宜賦予正極線A足夠的正電位。依據 該驅動，流入發光元件0 LED的電流I drv可以避免T FT的 特性偏差，比圖9的實施例更能確實的與I w —致。如上之 本實施例的驅動部，為使通過轉換用薄膜電晶體TFT1，流 入發光元件OLED之驅動電流的電流位準穩定，有TFT6、 TFT7及C2作為電位穩定裝置，該電位穩定裝置在穩定以 轉換用薄膜電晶體TFT1之源極為基準的汲極電位。 圖13為本發明之像素電路的其他實施例。該像素電路與 圖9、圖11、圖12的電路相同，其特徵為流入信號電流Iw 的電晶體TFT1本身，雖然控制流入發光元件OLED的電流 Idrv，不過圖13中的發光元件OLED則是連接TFT1的源極 端。亦即，本像素電路的驅動部包含具有閘極、汲極與源 極的薄膜電晶體TFT1，使針對外加在閘極上之電壓位準， 通過汲極與源極間的驅動電流流入發光元件OLED内。發 光元件OLED為具有正極與負極的雙端子型，正極與源極 連接。另外，圖9所示之像素電路的驅動部，則是是包含 具有閘極、汲極與源極的薄膜電晶體，使針對外加在閘極 上之電壓位準，通過汲極與源極間的驅動電流流入發光元 件内。發光元件為具有正極與負極的雙端子型，負極與汲 極連接。 本實施例的像素電路係由以下各部分所構成：TFT1 ;電 晶體TFT3，其係藉由第一條掃描線scanA的控制，連接或 _-32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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k 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 30

裝 阻斷像素電路與資料線data ;電晶體TFT4，其係藉由第二 條掃描線scanB的控制，在寫入期間使TFT 1的閘極、汲極 短路；電容C，其係用於在寫入完成後仍然保持TFT 1的閘 極電位；P通道電晶體TFT5，其係***在TFT1的汲極與電 源電位Vdd之間；及發光元件OLED。圖13之電容C的其中 一個端子連接GND，在寫入時與驅動時，概與TFT1的Vgs 保持等值。另外，TFT5的閘極則以驅動線drv來控制。插 入TFT5的目的，係使資料寫入時，驅動線drv在高位準， TFT5在關閉狀態，使所有的信號電流Iw流入TFT1内。寫入 完成後，di:v在低位準，TFT5在開啟狀態，使驅動電流Idrv 流入發光元件OLED内。因此，其驅動方法與圖11的電路 相同。 圖14為圖13所示之像素電路的類似例。圖13與圖14中之 電容C其中一個端子的連接雖有不同，圖13是連接GND， 圖14則是連接TFT1的源極，不過在寫入時與驅動時，均是 概與TFT1的Vgs保持等值，因此在功能上並無差異。

線 圖15為圖5所示之像素電路的發展例。本像素電路包含調 整裝置，其係藉由轉換部下方調整所保持的電壓位準，提 供驅動部，縮減各像素亮度的黑色位準。具體而言，驅動 部包含具有閘極、汲極與源極的薄膜電晶體TFT2，調整裝 置具有提高薄膜電晶體TFT2之閘極與源極間的電壓，下方 調整外加在閘極上之電壓位準的穩壓源E。亦即，TFT2的 源極連接比TFT1支援及電位略高的電為E，以減少黑色位 準。 ___-33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 526455 A7 B7 五、發明説明（31 ) 圖16為圖15所示之像素電路的類似例。本例的調整程序 包括薄膜電晶體TFT2之閘極與連接第二條掃描線SCanB之 追加電容C2，下方調整應該保持在電容C内的電壓位準， 外加在薄膜電晶體TFT2的閘極上。亦即，第二條掃描線 scanB切換成低位準，成為非選擇狀態時，因電容C2的作 用可以使TFT2的閘極電位降低若干。如上之本顯示裝置， 將用於選擇像素的掃描線scanA，及提供用於驅動像素之 亮度資訊的資料線data配設成矩陣狀，各像素包含以下各 部分：發光元件OLED，其係藉由所供應的電流量來改變 亮度；寫入裝置（TFT1，TFT3，C)，其係藉由掃描線scanA 控制，並從資料線data所提供的亮度資訊寫入像素内；及 驅動裝置（TFT2)，其係針對寫入之亮度資訊，控制供應發 光元件OLED的電流量，對各像素寫入亮度資訊，是掃描 線scanA在選擇狀態，藉由將針對亮度資訊的信號電流Iw 外加在資料線data上來執行，寫入各像素内的亮度資訊在 知描線scanA在非選擇狀態後仍然保持在各像素内’各像 素之發光元件OLED可以依據所保持之亮度資訊的亮度持 續亮起，並包含以寫入裝置（TFT1，TFT3，C)下方調整寫 入之亮度資訊，提供驅動裝置（TFT2)的調整裝置（C2)，可 以縮減各像素亮度的黑色位準。 圖17為圖1 5所示之像素電路的類似例。本例中的調整程 序為，將藉由TFT1所轉換的電壓位準保持在電容C内時， 調整電容C的一端電位，下方調整應該外加在TFT2之閘極 上的電壓位準。亦即，藉由控制連接在電容C之一端的源 ___-34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝

k 526455 A7 B7 五、發明説明) 32 裝 極電位控制線S，來縮減黑色位準。使電位控制線S的電位 比寫入時為低時，因電容C的作用，而使TFT2的閘極電位 降低若干。電位控制線S以掃描線為單位設置，加以控 制。電位控制線S於寫入中時，為π ΕΓ電位，於寫入完成 後，則為”L”電位。若振幅為AVs，存在於TFT2之閘極内 的電容（閘極電容，其他的寄生電容）為Cp時，TFT2的閘極 電位則僅降低△ Vg= △ Vs* C/(C+ Cp)，Vgs變小。Η及L 的電位絕對值可以任意設定。 圖1 8為本發明之像素電路的其他實施例。本例的電路將 兩個取入用薄膜電晶體TFT3及開關用薄膜電晶體TFT4作為 同一個導電型（圖18為PMOS)。因此本例中，如圖18所示， 在寫入工作時，這些閘極也可以連接共同的掃描線scan， 以共同的信號來控制。此時的顯示裝置，不需要圖7所示 之顯示裝置中的掃描線驅動電路B23。

線 圖19為圖18中所不之像素電路的類似例。本例中的電路 與圖5、圖8、圖9、圖11〜圖17所不之電路相同，由同一個 導電型P通道TFT所構成的兩個取入用薄膜電晶體TFT3及開 關用薄膜電晶體TFT4的閘極，分別連接不同的掃描線，亦 即，連接第一條掃描線scanA及第二條掃描線scanB，來分 別控制。此種分別控制的理由，是因為如圖1 8的實施例， 若以共同的信號控制TFT3及TFT4時，可能會產生以下的問 題。 對某條掃描線上的像素寫入完成時，在圖1 8的實施例 中，掃描線scan的位準上昇時，TFT3的阻抗必然會增大， ____-35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 526455 A7 B7 五、發明説明（u ) 〇〇 事實上最後變成無限大，亦即呈關閉狀態。因此在這個過 程中，資料線data的電位雖是逐次的上昇，但是在上昇到 某個程度時，驅動資料線data的電流源會失去穩流性，電 流值減少。 具體的實例如圖1 8的資料線data藉由PNP電晶體BIP 1來驅 動。當流入基極（Base)的電流為固定值lb，電晶體IBIP1的 電流放大率為/3時，若在電晶體BIP1的集電極（Collector) 與發射極（Emitter)間加入某種程度的電壓（如IV)時，電晶 體BIP1概以穩流源工作，將Iw=冷lb的大電流供應資料線 data。然而在寫入完成後，TFT3的阻抗上昇時，資料線的 電位也隨之上昇，電晶體BIP1若進入飽和區域内時，即會 失去穩流性，驅動電流比/3 lb小。此時TFT4若在開啟狀 態，這個減少的電流值則流入TFT1内，因而無法正確的寫 入所需要的電流值。 因此，TFT3及T FT4分別以不同的信號線，亦即，分別 以第一锋掃描線scanA及第二條掃描線scanB來控制，寫入 完成後，在TFT3之前，宜使TFT4處於關閉狀態。本發明 之像素電路中，TFT3及TFT4如前述的各實施例，並不需 要同一個導電型，不管TFT3及TFT4為同一個或是不同的 導電型，均宜採用各個閘極分別以scanA及s canB的掃描線 來控制，寫入完成後，在TFT3之前，使TFT4處於關閉狀態 的結構。可以說也與參照圖式來說明的前述各實施例相 同。 分別藉由掃描線scanA、scanB來控制TFT3、TFT4時，於 ___-36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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AT B7 五、發明説明) 34 寫入完成後，藉由操作第二條掃描線scanB使TFT4處於開 啟狀態，可以掃描線為單位熄滅像素。這是因為TFT 1的閘 極、汲極與TFT2的閘極連接，TFT2的閘極電壓為TFT1的 臨界值（此與TFT2的臨界值概等），因而使TFT1、TFT2同時 處於關閉狀態。第二條scanB的波形也可以如圖20(b)所 示，賦予脈衝狀的熄滅信號，也可以如圖20( c)所示的 scanB’，賦予持續的媳滅信號。 如此，藉由改變熄滅信號的定時，可以輕易改變顯示裝 置的亮度。區分第二條掃描線，分別加以控制各種R. G. B 顏色時，也便於調整顏色的平衡。 此外，希望得到相同的時間平均亮度時，可以藉由減少 發光期間的比例（duty)，增大發光元件OLED的驅動電流。 亦即，也表示處理這樣大的寫入電流，因此容易形成寫入 資料線data的驅動電路，也可以縮短寫入所需的時間。此 外，藉由將發光duty降低50%以下來提高動畫畫質。 圖19的電路與圖5、圖8、圖9、圖11〜圖18所示的電路相 同，將取入用薄膜電晶體TFT3及轉換用薄膜電晶體TFT 1構 成不同的導電型。例如，轉換用薄膜電晶體TFT 1為N通道 型時，取入用薄膜電晶體TFT3為P通道型，其理由如下： 亦即，構成驅動資料線的穩流驅動電路時，宜儘量縮小 資料線電位的變動。此因，如前所述的，若資料線電位的 變動幅度大，則資料線驅動電路容易失去穩流性，且使確 實開啟/關閉TFT3用之掃描線scanA的振幅也變大，造成耗 電的缺點。 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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線 526455 A7 B7 五、發明説明) 35 因此，宜減少自資料線經由TFT3、TFT1，至接地電位之 電路上的電壓降低幅度。因而，在圖19實施例中，是以 NMOS構成TFT1，以PMOS構成TFT3，來抑制TFT3上的電 壓降低幅度。亦即，因寫入電流Iw的值最大時，TFT3上的 電壓降低幅度最大，為了抑制資料線的振幅，宜在在寫入 電流Iw最大時減少TFT3電壓降低的幅度。圖19的實施例 中，寫入電流Iw較大時，所相應的資料線電位也上昇，而 TFT3的閘極、源極間電壓的絕對值也隨之增大，TFT3的阻 抗則促使其降低。反之，若TFT3為NMOS時，寫入電流Iw 愈大，則閘極、源極間電壓愈小，TFT3的阻抗上昇，容易 導致資料線電位的上昇。同樣的，以PMOS構成TFT1時， TFT3則宜以NMOS來構成。 此外，TFT4的導電型在實用上雖然可以採用與TFT3相同 或不同的結構，但是由於以共同的電位較容易驅動第一條 掃描線scanA及第二條掃描線scanB，因此最好採用與TFT3 相同的結構。 圖21為圖19所示之像素電路的類似例。本實施例的像素 電路，在等效電路上，雖然與圖19所示的像素電路相同， 但是不同的是，所設定之轉換用薄膜電晶體TFT1的頻率寬 度（W)與頻率長度（L)比例W/L比驅動用薄膜電晶體TFT2的 W/L更大。設定TFT1的W/L大於TFT2之W/L的理由，是 為了能夠確實的完成寫入。這一方面，採用具體的數值說 明如下： 採用具體的數值，假設最大亮度為200 [cd/m2]，每一像 ___-38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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526455 A7 B7 五、發明説明) 36 素之發光面的規格為100 [ //m] X 100 [ /zm] = 1 e-8 [m2]， 發光效率2 [cd/A]時，最大亮度時之發光元件OLED的驅動 電流則為200 X 1 e-8/2= 1 //A。欲控制在64色調時，相當於 最小色調的電流值約為1 //A/64= 16[nA]，很難正確的提供 如此小的電流值。此外，因TFT 1在高阻抗狀態下工作，受 到資料線data寄生電容等的影響，需要花費長時間使電路 狀態趨於穩定’如此即無法在指定的掃描線週期内完成寫

裝 入0 如圖 21 所示，若 TFT1 的 W/L = 100/ 10，TFT2 的 W/L = 5/20時，貿/!^的比為40，為了得到1611八的01^0驅動電流， 應該供應資料線data之寫入電流則為16nA X 40 = 640nA，此 為實際的數值，可以確實的完成寫入。當TFT 1及TFT2由數 個電晶體所構成時，考慮到有效的W/ L，當然應該採用上 述的計算方式。

線 圖22為圖19所示之電路的發展例。本像素電路在各資料 線data與指定的電位之間連接漏泄（Leak)元件LEK1，以加 快黑色寫入的速度。 電流寫入型的像素電路中，寫入「黑色」的狀況相當於 寫入電流為零。此時，之前掃描線週期中的資料線上為 「白色」位準，亦即，寫入較大的電流，致使資料線電位 在較高位準時，以後寫入「黑色」需要花費較長的時間。 所謂寫入「黑色」，是藉由TFT1使貯存在資料線電容Cd等 内之初期電荷放電，不過.當資料線電位降低至TFT1的臨界 值附近時，TFT 1的阻抗升高，在顯示流入TFT 1之電流特性 __-39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（37 ) 的圖23中，如特性曲線①所示，在理論上永遠沒有結束 「黑色」寫入。由於實際上應該在有限的時間内執行寫 入，因此這個「黑色」位準並未完全降下，因而出現所謂 的黑浮，來降低圖像的對比。 因此圖22的電路中，在資料線data及接地電位GND之間 連接漏泄元件LEK1，具體來說是連接NMOS電晶體，提供 固定的偏置電路作為Vg。藉此，在圖22中，如特性曲線② 所示，確實完成「黑色」寫入。漏泄元件LEK1也可以使用 單純的電阻等，但是在「白色」寫入時，若資料線電位上 昇，會隨伴增加流入電阻的電流，致使流入TFT1的電流減 少或造成耗電。相反的，若使NMOS在飽和區域内工作， 則變成穩流工作，即可抑制上述的弊端。另外，漏泄元件 也可以由TFT構成，也可以與TFT處理（Process)分開，另行 以外部組件構成。 圖24為圖19所示之像素電路的發展例。本像素電路 在各資料線data及指定的電位之間連接初值設定用元件 PRC 1，藉由該元件的工作，於寫入前執行資料線的初值設 定，以加快寫入速度。 電流寫入型像素中，有時寫入灰黑時需要較長的時間。 如圖25所示，開始寫入時的資料線電位為0V。此因，在之 前的掃描線週期中寫入「黑色」時，所寫入之像素的丁FT 1 臨界值Vth低至0V左右時，或同樣的在黑色寫入時，具有 如前所述之黑浮處理用漏泄元件時所引起的。 習知之電路，因初值為0V，因此為灰黑，亦即，因寫入 _- 40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)

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526455 A7 B7 五、發明説明（。。) 38 非常小的電流值，需要花費較長的時間達到平衡電位 VBLA。雖然也可能如圖25中的特性曲線①所示，在指定的 寫入時間内未達到TFT1的臨界值，此時的TFT2也再關閉狀 態，但是沒有寫入灰色，顯示圖像變成黑潰的狀態。

裝 圖24的電路中，資料線與電源電位Vdd之間連接初值設 定（預通電（Precharge))用元件PRC1及PMOS電晶體，並在寫 入週期開始時賦予脈衝，作為閘極電位Vg。藉由外加該脈 衝，如圖25中之特性曲線②所示，資料線電位上昇至TFT 1 之臨界值Vthl以上，之後，針對寫入電流Iw與像素内部之 TFT工作的平衡所決定的平衡電位VBLA作較高速的收縮， 因此可以快速寫入正確的亮度資料。此外，預通電用元件 也可以由TFT來構成，也可以與TFT處理分開，另行以外部 組件構成。

圖26為本發明之像素電路的其他實施例。該電路與前述 各實施例的電路不同，TFT1與TFT2的導電型由P導電型 (PMOS)樽成。另外，基於前述的理由，TFT3則由與TFT1 不同導電型的N導電型（NMOS)構成，同時考慮到控制 性，TFT4也由與TFT3相同導電型的N導電型（NMOS)所構 成。 圖26的電路中，TFT1及TFT2的兩個電晶體在發光元件 OLED驅動時，雖然是以相等的閘極、源極間電壓實施工 作，但是汲極、源極間的電壓則未必相等。為了保持寫入 電流Iw與發光元件OLED之驅動電流間的正確比例，應如 前所述，使TFT2在飽和區域内工作。NMOS時，因工作耐 ___-41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 526455 A7 B7 五、發明説明（ ） 39 壓提高，通常是採用LDD( Lightly Doped Drain)結構，但 是因LDD的率聯電阻成分等，飽和區域中的汲極電流容易 影響汲極、源極間電壓，換言之，其穩流性要比PMOS 差。 因此，轉換用薄膜電晶體TFT 1及驅動用薄膜電晶體TFT2 最好由PMOS來構成。 該電路的工作，除了元件極性相反之外，基本上與圖5的 電路相同。 圖27為本發明之像素電路的其他實施例。該電路與前述 各實施例的電路不同，開關用薄膜電晶體TFT4不是連接在 轉換用薄膜電晶體TFT1的汲極與閘極之間，而是與TFT1的 汲極與閘極直接連接，該連接點與TFT2之閘極與電容C之 連接點之間則連接TFT4。 基本上，圖27的電路與圖5的電路可以執行相同的工作， 該電路中的TFT3及TFT4可以採用相同或不同的導電型，各 個閘極分別藉由第一條掃描線scanA及第二條掃描線scanB 來控制，寫入完成後，在TFT3之前，TFT4處於關閉狀態。 此外，如圖2 1的附帶說明，為了能夠在指定的掃描線週期 内確實完成寫入，宜設定TFT1的規格（W/L)大於TFT2的規 利用在產業上的可行性 如以上所述，運用本發明之電流驅動電路及採用其之顯 示裝置，可以避免主動元件（TFT等）的特性偏差，並使與資 料線輸出之信號電流Iw成正確比例（或對應）的驅動電流Idrv __-42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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526455 A7 B7 五 、發明説明（ ） 40 流入電流驅動型發光元件（有機EL元件等）内。藉由將包含 此種電流驅動電路的許多像素電路配置成矩陣狀，可以使 各像素以需要的亮度正確發光，因而可以提供一種高品質 的動態矩陣型顯示裝置。 符號說明 OLED···發光元件 TFT1···轉換用薄膜電晶體 TFT2···驅動用薄膜電晶體 TFT3···取入用薄膜電晶體 TFT4···開關用薄膜電晶體 C···保持電容 CS· · ·電流源 scanA· · ·掃描線 scanB · · _掃描線 data···資料線 21 ···掃描線驅動電路 22· ··資料線驅動電路 23···掃描線驅動電路 25···像素 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. 526455 第089114115號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(91年8月) 8 8 8 8 A B c D 々、申請專利範圍 丨補充 1 . 一種供應驅動電流至驅動對象之電流驅動電路，係由 以下各部分所構成：控制線；信號線，其係供應具有 針對資訊之電流位準的信號電流；取入接收部，其係 選擇前述控制線時，自前述信號線取入信號電流；保 持轉換部，其係將取入之信號電流的電流位準暫時轉 換成電壓位準；及驅動部，其係將所保持之電壓信號 轉換成電流信號，輸出上述驅動電流。 2. 如申請專利範圍第1項之電流驅動電路，前述之轉換部 係由以下各部分所構成：轉換用電晶體，其係具有控 制端子與第一端子及第二端子；及電容，其係連接前 述控制端子。 3. 如申請專利範圍第2項之電流驅動電路，前述轉換部包 含***在前述轉換用電晶體之第一端子與控制端子之 間的開關用電晶體；前述開關用電晶體在信號電流的 電流位準轉換成電壓位準時導電，前述轉換用電晶體 的第一端子與控制端子電連接，在控制端子上產生以 第二端子為基準的電壓位準，此外，前述開關用電晶 體於電壓位準保持在前述電容内時被阻斷，前述轉換 用電晶體的控制端子及與其連接之前述電容自第一端 子切離。 4. 如申請專利範圍第1項之電流驅動電路，前述接收部具 有控制端子、第一端子及第二端子，第一端子與前述 轉換用電晶體的第一端子連接，第二端子與前述信號 線連接，控制端子包含與前述控’制線連接之取入用絕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

   526455 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 緣控制端子型場效應電晶體；前述轉換部包含***在 前述轉換用電晶體之第一端子與控制端子之間的開關 用電晶體。 5. 如申請專利範圍弟4項之電流驅動電路’纟1j述取入用電 晶體的控制端子與開關用電晶體的控制端子分別連接不 同的控制線。 6. 如申請專利範圍第4項之電流驅動電路，前述轉換用電 晶體的導電型與前述取入用電晶體的導電型不同。 7. 如申請專利範圍第2項之電流驅動電路，前述驅動部包 含具有控制端子與第一端子及第二端子的驅動用電晶 體；前述驅動用電晶體流入驅動電流，該驅動電流具 有針對控制端子所接收之保持在前述電容内之電壓位 準的電流位準。 8. 如申請專利範圍第7項之電流驅動電路，前述轉換用電 晶體的控制端子與前述驅動用電晶體的控制端子直接 連接，構成電流鏡電路，信號電流的電流位準與驅動 電流的電流位準成比例關係。 9. 如申請專利範圍第7項之電流驅動電路，前述驅動用電 晶體在轉換用電晶體的附近形成，具有與前述轉換用 電晶體相等的閥電壓。 10. 如申請專利範圍第7項之電流驅動電路，設定前述轉換 用電晶體的電晶體規格大於前述驅動用電晶體的電晶 體規格。 11. 如申請專利範圍第9項之電流驅動電路，前述驅動用電 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）

   裝 η m 8 8 8 8 A B c D 526455 六、申請專利範圍 晶體在飽和區域内工作，並流入針對外加在其控制端 子上之電壓位準與閥電壓之差的驅動電流。 12. 如申請專利範圍第9項之電流驅動電路，前述驅動用電 晶體在線型區域内工作。 13. 如申請專利範圍第10項之電流驅動電路，前述驅動用 電晶體在線型區域内工作。 14. 如申請專利範圍第2項之電流驅動電路，前述驅動部與 前述轉換部區分時段共用前述轉換用電晶體，前述驅 動部於信號電流完成轉換後，將前述轉換用電晶體自 前述接收部切離，在將所保持之電壓位準外加在前述 轉換用電晶體控制端子上的狀態下，經過通道流入驅 動電流，作為驅動之用。 15. 如申請專利範圍第14項之電流驅動電路，前述驅動部 具有控制裝置，在不驅動時，經由前述轉換用電晶體 來阻斷不需要的電流。 16. 如申請專利範圍第1 5項之電流驅動電路，前述控制裝 置由具有控制端子與第一端子及第二端子，其第一端 子與前述轉換用電晶體連接，第二端子則連接前述驅 動對象的控制用電晶體所構成；前述控制用電晶體在 不驅動前述驅動對象時，為非導電狀態，前述轉換用 電晶體與前述驅動對象切離，在驅動前述驅動對象時 切換成導電狀態。 17. 如申請專利範圍第14項之電流驅動電路，前述驅動部 具有電位固定裝置，將以前述轉換用電晶體之第二端 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

   526455 A8 B8 C8 D8 、申請專利祀圍 子為基準的第一端子電位加以固定，以穩定通過前述 轉換用電晶體流動之驅動電流的電流位準。 18. 如申請專利範圍第1項之電流驅動電路，前述接收部、 前述轉換部及前述驅動部構成組合數個電晶體的電流 電路，一個或兩個以上的電晶體具有雙控制極結構， 用於抑制電流電路中的電流漏泄。 19. 如申請專利範圍第1項之電流驅動電路，漏泄元件連接 在前述資料線與指定電位之間。 20. 如申請專利範圍第1項之電流驅動電路，在前述資料線 及指定電位之間連接初值設定用元件，將前述資料設 定在初值内。 21. 如申請專利範圍第7項之電流驅動電路，前述驅動用絕 緣控制端子型場效應電晶體為P通道型。 22. —種將驅動電流供應至驅動對象之電流驅動電路，係 由以下各部分所構成：至少一條控制線；信號線，其 係供應具有針對資訊之電流位準的信號電流；轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體，其第二端子連接參考 電位；取入用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係前 述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一端子連 接在前述信號線之間，控制端子連接前述控制線；驅 動用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連接在參考 電位及前述驅動對象之間；電容器，其係第一電極共 接前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 子與驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

   裝 Φ A B c D 526455 六、申請專利範圍 子，第二電極連接參考電位；及開關用絕緣控制端子 場效應電晶體，其係連接前述轉換用絕緣控制端子型 場效應電晶體的控制端子與第一端子之間，控制端子 連接前述控制線。 23. 一種將驅動電流供應至驅動對象之電流驅動電路，係 由以下各部分所構成：至少一條控制線；信號線，其 係供應具有針對資訊之電流位準的信號電流；轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體，其第二端子連接參考 電位；取入用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係前 述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一端子連 接在前述信號線之間，控制端子連接前述控制線；驅 動用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連接在參考 電位及前述驅動對象之間；電容器，其係第一電極共 接前述驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 子，第二電極連接參考電位；及開關用絕緣控制端子 場效應電晶體，其係連接前述轉換用絕緣控制端子型 場效應電晶體的控制端子、前述驅動用絕緣控制端子 型場效應電晶體的控制端子與前述電容器之第一電極 的連接點之間，控制端子連接前述控制線。 24. 如申請專利範圍第23項之電流驅動電路，前述取入用 絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端子與開關用絕 緣控制端子型場效應電晶體控制端子分別連接不同的 控制線。 25. 如申請專利範圍第23項之電流驅動電路，設定前述轉 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X.297公釐)

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   換:絕緣控制端子型場效應電晶體規格大於前述 )用絕緣控制端子型場效應電晶體的規格。 26. 其係由以下各部分所構成：掃描線; ，枓，.泉’其係提供針對亮度資訊的信號；料 含:在前述資料線及掃描線之交又部上所形成的顧于 =件’取入接收部’其係選擇前述像素的前述掃描線 寺，取入接收提供前述資料線的信號；轉換保 τ係轉換保持該取入的信號；及驅動部，其係轉換前 述所保持的信號，並提供前述顯示元件。 27. 如申請專利範圍第％項之顯示裝置，前述取入信 電流，前述轉換保持部所保持之㈣4祕，提供 述顯示元件之信號為電流。 汉？請專利範圍第26項之顯示裝置，前述轉換保持部 由具有控制端子的第一電晶體，及連接前述控 的電容器所構成。 29. 如申請土利範圍第28項之顯示裝置，前述轉換保持部 具有在前述第一個雷晶體 > 筮 ^日曰私I罘一端子與前述控制端子 之間連接的第二個電晶體。 30. 如申請專利範圍第29項之顯示裝 體在前述接收部取入提供前述資料線之信號時為導^ 狀態’在信號提供前述轉換保持部後為非導電狀態。 3L如申請專利範圍第29項之顯示裝置，前述接收部具 有’第-端子連接前述第一個電晶體的第一端子，第 二端子連接前述資料線的第三個電晶體，前述第二個 -6 本紙張尺度適用中®國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董） 526455 Λ8 Β8 C8 〇8 申請專利範圍 電晶體的控制端子與前述第三 別連接不同的掃描線。 固“體的控制端予分 3Z如申請專利範圍第26項之顯示震班 _ 與前述驅動部為同一個電晶體。 引逑轉換保持部 33.如申請專利範圍第28項之顯示裝 _ 第三個電晶體，其控制端子連：則述驅動部具有 控制端子。 則述弟一個電晶體的 31 2·如申請專利範圍第29項之顯示 第三個電晶體，其控制端子連4、’、^|述驅動部具有 控制端子，前述第一、第二及# — ^第個包晶體的 鏡電路。 系二個電晶體構成電流 1 3 4·如申請專利範圍第28項之顯示劈 、 述第一個電晶體。 則述驅動部為前 2 36.如申請專利範圍第3 5項之顯示裳 ， 晶體與前述顯示元件之間有第^ ’在料第—個電 、^ W個電晶體。 3 35·如申請專利範圍第3 5項之顯示樂 體的第一端子連接顯示元件〜 前述第—個電晶 二端子連接第四個電晶體。則处第―個電晶體的第 4 38. 如申請專利範圍第26項之顯示裝 义、 述轉換保持部由數個電晶體所構成。則述驅動部及前 5 39. 如申請專利範圍第26項之顯示裝置，前述轉換保持部 由具有控制端子的數個電晶體及連接前述各控制端子 的數個電容器所構成。 40·如申請專利範圍第33項之顯示裝置，前述第三個電晶 526455 AB c D 申請專利範圍 體的弟 的第二端子連接穩壓源 41 ·如申請專利範圍第3 4項之顯千裝蓄、 <肩不裝置，前述第二個電晶 體的控制端子連接在前述電容器上。 42. 如申請專利範圍第3 7項之顧示裝罾 a κ *貝不衮置，前述電容器的另 一端連接前述第一個電晶體的第二端子。 43. 如申請專利範圍第26項之顧示装罾 a 心•，貝不装且，前述顯示元件至 少-端的電極透明，且具有夫在前述電極間的有機物 層。 44. 如申請專利範圍第26項之顯.示裝置，漏液元件連 前述資料線與指定電位之間。 45. 如中請專利範圍第26項之顯示裝置，在選擇前述 線之前’將前述資料設定在初值内的初值設定用元件 連接在前述資料線與指定電位之間。 46. -種顯示裝置，其係由以下各部分所構成：掃描線. 資料線’其係提供針對亮度資訊的電流信號； 其係含有在前述資料線及掃描線之交又部上所形成 有機層；取入接收部，其係選擇前述像素的前述掃插 線時，取入接收提供前述資料綠的電流信號；: 持部，其係將取入的電流信號轉 TL ^ ^ X %私壓並加以你 持，及驅動邵，其係轉換前述所保持的兩 提供電流至前述顯示元件。 ％ ° ’’並47. 如：請專利範圍第46項之顯示裝置，前 電壓，將前述電壓轉換成電流，提供前述資料線。讯為 rr 則迷弟三個電晶體 -8- 本紙張尺度適用中國國參標準(CNS) A4規格（210X297公釐）

   七、申請專利範圍 48·如申請專利範圍第46項 > 游；-μ ^ 固罘6貝又顯不裝置，前述轉換保持部 由具rf空制端子的第兩日 场丁们弟I晶體，及連接前述控制端子 的電容器所構成。 49. 如申請專利範圍第48項之顯示裝置，前述轉㈣持_ 具有在前述第-個電晶體之第—端子與前述控制 之間連接的第二個電晶體。 50. 如申請專利範圍第49項之顯示裝置，前述第二個電曰 體f前述接收部取入提供前述資料線之信號時為導； 狀恐’在信號提供前述轉換保持部後為非導電狀輯。 5L如中請專利範圍第49項之顯示裝置，前述接㈣且 有’弟-端子連接前述第一個電晶體的第一端子 二端予連接前述資料線的第三個電晶體，前述第二個 電晶體的控制端子與前述第三個電晶體的控制端子分 別連接不同的掃描線。 52. 53. 如:請專利範圍第46項之顯示裝置，前述轉換保持部 與如述驅動部為同一個電晶體。 ’前述驅動部具有 述第一個電晶體的 如申請專利範圍第48項之顯示裝置 第三個電晶體，其控制端子連接前 控制端子。 54.如申請專利範圍第49項之 第三個電晶體，其控制端 控制端子，前述第一、第 鏡電路。 顯π裝置，·前述驅動部具有 子連接則逑第一個電晶體的 二及第三個電晶體構成電流 55. 如申請專利範圍第48項之顯示裝置 前述驅動部為前

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   六、申請專利範圍 述第一個電晶體。 56. 如申請專利範圍第5 5項之顯示裝$ 罝’在前述第 晶體與前述顯示元件之間有第四個+ θ & 個電 调電晶體。 57. 如申請專利範圍第55項之顯示裝罢 灰罝，前述第〜^ 體的第一端子連接顯示元件，前计〜 遠曰曰 4 弟 —Υ固兩 曰 二端子連接第四個電晶體。 ％日曰體的第 58·如申請專利範圍第46項之顯示紫容 灰夏，前述驅動部另^ 述轉換保持部由數個電晶體所構成。 η及則 59·如申請專利範圍策46項之顯示裝置，前述轉換保持部 由具有控制端子的數個電晶體及連接前述各控制端予 的數個電容器所構成。 60.如申請專利範圍第6 1項之顯示裝置，前述第三個電晶 體的第一端子連接前述顯示元件，前述第三個電晶體 的第二端子連接穩壓源。 61·如申請專利範圍第54項之顯示裝置’前述第二個電晶 體的控制端子連接在前述電容器上。 62·如申請專利範圍第57項之顯示裝置，前述電容器的另 一端連接前述第一個電晶體的第二端子。 63.如申請專利範圍第46項之顯示裝置，前述顯示元件至 少一端的電極透明，且具有夾在前述電極間的有機物 層。 64·如申請專利範圍第46項之顯示裝置，漏泄元件連接在 前述資料線與指定電位之間。 65·如申請專利範圍第46項之顯示裝置，將前述資料設定 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐） 526455 Λ8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 在初值内的初值設定用元件連接在前述資料線與指定 電位之間。 66. 一種顯示裝置，係由以下各部分所構成：掃描線驅動 電路，其係依序選擇掃描線；資料線驅動電路，其係 含有產生具有針對亮度資訊之電流位準的信號電流， 逐次提供資料線的電流源；及許多像素，其係包含配 置在各掃描線及各資料線的交叉部上，同時接收驅動 電流的供應而發光的電流驅動型發光元件；前述像素 係由以下各部分所形成：取入接收部，其係於選擇前 述掃描線時，自前述資料線取入接收信號電流；保持 轉換部，其係將取入之信號電流的電流位準暫時轉換 成電壓位準並加以保持；及驅動部，其係將具有針對 所保持之電壓位準之電流位準的驅動電流流入該發光 元件内。 67. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，其係由具有控制 端子、第二端子、第一端子及通道的轉換甩絕緣控制 端子型場效應電晶體及連接前述控制端子的電容所構 成。 68. 如申請專利範圍第67項之顯示裝置，前述轉換部包含 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第 一端子與控制端子之間的開關用絕緣控制端子型場效 應電晶體，前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 在信號電流的電流位準轉換成電壓位準時導電，前述 轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一端子與控 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 526455 AB c D 六、申請專利範圍 制端子電連接，在控制端子上產生以第二端子為基準 的電壓位準，另外，前述開關用絕緣控制端子型場效 應電晶體在電壓位準保持在前述電容内時被阻斷，並 將前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 子及與其連接之前述電容自第一端子切離。 69. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，前述接收部包含 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第 一端子與前述資料線之間的取入用絕緣控制端子型場 效應電晶體，前述轉換部包含***在前述轉換用絕緣 控制端子型場效應電晶體的第一端子與控制端子之間 的開關用絕緣控制端子型場效應電晶體。 70. 如申請專利範圍第69項之顯示裝置，前述取入用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與開關用絕緣控 制端子型場效應電晶體的控制端子分別連接不同的掃 描線。 71. 如申請專利範圍第70項之顯示裝置，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體在信號電流的電流位準轉換 成電壓位準時導電，前述轉換用絕緣控制端子型場效 應電晶體的第一端子與控制端子電連接，在控制端子 上產生以第二端子為基準的電壓位準，另外，前述開 關用絕緣控制端子型場效應電晶體在電壓位準保持在 前述電容内時被阻斷，並將前述轉換用絕緣控制端子 型場效應電晶體的控制端子及與其連接之前述電容自 第一端子切離，前述開關用絕緣控制端子型場效應電 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 8 8 8 8 A B c D 526455 六、申請專利範圍 晶體於非選擇狀態，前述取入用絕緣控制端子型場效 應電晶體於非導電之前被阻斷。 72. 如申請專利範圍第7 1項之顯示裝置，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體及前述取入用絕緣控制端子 型場效應電晶體於非導電後，經過一幀期間内的指定 時間後，使前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 導電，並以掃描線為單位熄滅。 73. 如申請專利範圍第71項之顯示裝置，連接前述開關用 絕緣控制端子型場效應電晶體的掃描線分別設置顏色 三原色的各種顏色。 74. 如申請專利範圍第69項之顯示裝置，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體的導電型與前述取入用絕緣 控制端子型場效應電晶體的導電型不同。 75. 如申請專利範圍第67項之顯示裝置，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子、第二端子及通道的驅動用 絕緣控制端子型場效應電晶體，前述驅動用絕緣控制 端子型場效應電晶體的控制端子接收保持在前述電容 内之電壓位準，並將具有對應於電壓位準之電流位準 的驅動電流經由通道流入前述發光元件内。 76. 如申請專利範圍第75項之顯示裝置，前述轉換用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與前述驅動用絕 緣控制端子型場效應電晶體的控制端子直接連接，構 成電流鏡電路，並使信號電流的電流位準與驅動電流 的電流位準成比例關係。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（‘210X297公釐）

   526455 A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 77. 如申請專利範圍第75項之顯示裝置，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體，在像素内所對應之轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體的附近形成，並具有與 前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體相等的閥電 壓。 78. 如申請專利範圍第77項之顯示裝置，設定前述轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體的電晶體規格大於前述 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的電晶體規格。 79. 如申請專利範圍第77項之顯示裝置，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體在飽和區域内工作，針對外 加在其控制端子上之電壓位準與閥電壓之差的驅動電 流流入前述發光元件内。 80. 如申請專利範圍第77項之顯示裝置，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體在線型區域内工作。 81. 如申請專利範圍第78項之顯示裝置，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體在線型區域内工作。 82. 如申請專利範圍第67項之顯示裝置，前述驅動部與前 述轉換部區分時段共用前述轉換用絕緣控制端子型場 效應電晶體，前述驅動部在信號電流轉換完成後，前 述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體自前述接收部 切離，作為驅動用，並在所保持之電壓位準外加在前 述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體之控制端子狀 態下，經過通道，使驅動電流流入前述發光元件内。 83. 如申請專利範圍第82項之顯示裝置，前述驅動部具有 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（‘210 X297公货) 526455

   控制裝置，在不驅動時，阻斷經由前述轉換用絕緣控 制端子型場效應電晶體流入前述發光元件的不需要電 流0 84. 如申請專利範圍第83項之顯示裝置，前述控制裝置控 制具有整流作用之雙端子型發光元件的端子間電壓， 阻斷不需要的電流。

   85. 如申請專利範圍第83項之顯示裝置，前述控制裝置由 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體及前 述發光元件之間的控制用絕緣控制端子型場效應電晶 體=構成，W逑控制用絕緣控制端子型場效應電晶體 在前述發光元件於不驅動時為㈣電狀態，與前述轉 換用絕緣控制端子型場效應電晶體及前述發光元件切 離，在前述發光元件驅動時則切換成導電狀態。

   紙如申請專利範圍第83項之顯示裝置，#述控制裝置控 制，在不驅動時阻斷驅動電流，使前述發光元件置於 不發光狀態的時間，及驅動時流入驅動電流，使前述 發光元件置於發光狀態的時間比例，可以調整各像素 的亮度。 ” 如申專利範圍第82項之顯示裝置，前述的驅動部為 了穩定通過前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶 體’流入前述發光元件之驅動電流的電流位準，還具 有電位固定裝置，來固定以前述轉換用絕緣控制端^ 型場效應電晶體的第二端子為基準的第一端子電位。 队如申請專利範圍第66項之顯示裝置，前述接收部、前 — -15· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格T^97公釐 526455 A8 B8 C8 D8 申清專利範圍 j轉換部及前述驅動部構成組合數個絕緣控制端子型 %效應電晶體的電流電路，並具有雙控制極結構，用 万、抑制個或兩個以上之絕緣控制端子型場效應電曰 體在電流電路中的電流漏泄。 日曰 89. 如申請專利範圍第66項 員π裝置，可述驅動部包本 具有控制端子、第一渡早芬隻一、山2 L 弟 W子及罘一端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體，使針對外加在控制端子上之電尺 準，通過第一端子盥第-诖早夕鬥^ ^ ^ /、弟一袖子之間的驅動電流流入 述發光元件内，前述發光元件為具有正 端子型，負極連接第一端子。 〃負極的雙 90. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，前心 具1控制端子、第-端子及第二端予的絕緣控制端; 型場效應電晶體，針對外加在控制 U % 丁上的電厭 準，通過第-端子與第二端子之間的驅動電流^ 述發光元件内，前述發光元件為具有正極與負 端子型，正極連接第二端子。 雙 91. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，肖人 匕s下方調譽蕤 由前述轉換部所保持的電壓位準，想也& m ， 供珂述驅動部的 調整裝置，縮減各像素之亮度的黑色位準。 、 92. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，.在前述 指定電位之間連接漏泄元件。 Μ 93. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，在前 指定電位之間’連接於選擇前述掃插線之々^將％^ 料設定在初值内的初值設定用元件。 j、則述資 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公¢) 526455 A B c D 六、申請專利範圍 94. 如申請專利範圍第93項之顯示裝置，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體，前述調整裝置提高前述絕緣控制端 子型場效應電晶體之控制端子與第二端子間電壓，下方 調整外加在控制端子上的電壓位準。 95. 如申請專利範圍第93項之顯示裝置，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體；前述轉換部與前述薄膜電晶體的控 制端子連接，並具有保持前述電壓位準的電容；前述 調整裝置由連接前述電容的追加電容所構成，下方調 整應該外加在保持於前述電容之前述絕緣控制端子型 場效應電晶體之控制端子上的電壓位準。 96. 如申請專利範圍第93項之顯示裝置，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體；前述轉換部的一端與前述薄膜電晶 體的控制端子連接，並具有保持前述電壓位準的電 容；前述調整裝置調整將藉由前述轉換部所轉換之前 述電壓位準保持在前述電容時之前述電容另一端的電 位，下方調整應該外加在前述絕緣控制端子型場效應 電晶體之控制端子上的電壓位準。 97. 如申請專利範圍第66項之顯示裝置，前述發光元件採 用有機電致發光元件。 98. 如申請專利範圍第75項之顯示裝置，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體為P通道型。 -17- 本紙張尺度適用中g國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） C8

   99. :種顯示裝置，係由以下各部分所構成：掃描線驅動 廷路其係依序選擇掃描線，資料線驅動電路，其係 含有產生具有針對亮度資訊之電流位準的信號電沪，、 逐次提供資料線的電流源；及許多像素，其係包含配 =在各掃描線及各資料線的交叉部上，同時接收驅動 電流> 的供應而發光的電流驅動型發光元件；前述像素 係由以下各部分所形成：轉換用絕緣控制端子型場效 應電晶體，其第二端子連接參考電位；取入用絕緣控 制端子型場效應電晶體，其係連接在前述轉換用絕ς 控制端子型場效應電晶體的第一端子與前述資料線之 間，控制端子連接前述掃描線；驅動用絕緣控制端子 型場效應電晶體，其係連接在參考電位與前述發光元 件之間，電容器，其係第一電極共接前述轉換用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與驅動用絕緣控 制端子型場效應電晶體的控制端子，第二電極連接參 考屯位，及開關用絕緣控制端子型場效應電晶體，其 係連接在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的 控制端子與第一端子之間，控制端子連接前述掃描 線。 100· —種顯示裝置，係由以下各部分所構成：掃描線驅動 電路，其係依序選擇掃描線；資料線驅動電路，其係 5有產生具有針對党度資訊之電流位準的信號電流， 逐次楗供資料線的電流源；及許多像素，其係包含配 置在各掃描線及各資料線的交叉部上，同時接收驅動 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公慶） A B c D 526455 六、申請專利範圍 電流的供應而發光的電流驅動型發光元件；前述像素 係由以下各部分所形成··轉換用絕緣控制端子型場效 應電晶體，其第二端子連接參考電位；取入用絕緣控 制端子型場效應電晶禮，其係連接在前述轉換用絕緣 控制端子型場效應電晶體的第一端子與前述資料線之 間，控制端子連接前述掃描線；驅動用絕緣控制端子 型場效應電晶體，其係連接在參考電位與前述發光元 件之間；電容器，其係第一電極連接前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子，第二電極連接 參考電位；及開關用絕緣控制端子型場效應電晶體， 其係連接前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的 控制端子、前述驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體 的控制端子與前述電容器之第一電極的連接點之間， 控制端子連接前述掃描線。 101. 如申請專利範圍第100項之顯示裝置，前述取入用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與開關用絕緣控 制端子型場效應電晶體的控制端子分別連接不同的掃 描線。 102. 如申請專利範圍第100項之顯示裝置，設定前述轉換用 電晶體的電晶體規格大於前述驅動用電晶體的電晶體 規格。 103. 如申請專利範圍第101項之顯示裝置，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體及前述取入用絕緣控制端子 型場效應電晶體於非導電後，經過一幀期間内的指定 -19- 本紙張尺度適中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）

   526455 A B c D 、申請專利範圍 時間後，使前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 導電，並以掃描線為單位熄滅。 104. —種像素電路，其係配置在供應針對亮度資訊之電流 位準之信號電流的資料線與提供選擇脈衝之掃描線的 交叉部上，驅動藉由驅動電流而發光之電流驅動型的 發光元件，該像素電路由以下各部分所構成··取入接 收部，其係回答前述掃描線的選擇脈衝，從前述資料 線取入信號電流；保持轉換部，其係將取入之信號電 流的電流位準暫時轉換為電壓位準，並加以保持；及 驅動部，其係使具有針對所保持之電壓位準之電流位 準的驅動電流流入該發光元件内。 105. 如申請專利範圍第104項之像素電路，其係由具有控制 端子、第二端子、第一端子及通道的轉換用絕緣控制 端子型場效應電晶體及連接前述控制端子的電容所構 成。 106. 如申請專利範圍第105項之像素電路，前述轉換部包含 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第 一端子與控制端子之間的開關用絕緣控制端子型場效 應電晶體，前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 在信號電流的電流位準轉換成電壓位準時導電，前述 轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一端子與控 制端子電連接，在控制端子上產生以第二端子為基準 的電壓位準，另外，前述開關用絕緣控制端子型場效 應電晶體在電壓位準保持在前述電容内時被阻斷，並 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公资) 526455

   將前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 子及與其連接之別述電容自第一端子切離。 1〇7•如申請專利範圍第1〇4項之像素電路，前述接收部包含 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第 一端子與前述資料線之間的取入用絕緣控制端子型場 效應電晶體，前述轉換部包含***在前述轉換用絕緣 控币彳端子型場效應電晶體的第一端子與控制端子之間 的開關用絕緣控制端子型場效應電晶體。 108·如申請專利範圍第1 〇7項之像素電路，前述取入用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與開關用絕緣控 制端子型場效應電晶體的控制端子分別連接不同的掃 描線° 109·如申請專利範圍第1 〇8項之像素電路，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體在信號電流的電流位準轉換 成電壓位準時導電，前述轉換用絕緣控制端子型場效 應電0¾體的第一端子與控制端子電連接，在控制端子 上產生以第一端子為基準的電壓位準，另外，前述開 關用絕緣控制端子型場效應電晶體在電壓位準保持在 前述電容内時被阻斷’並將前述轉換用絕緣控制端子 型場效應電晶體的控制端子及與其連接之前述電容自 第一端子切離，前述開關用絕緣控制端子型場效應電 晶體於非選擇狀態，前述取入用絕緣控制端子型場效 應電晶體於非導電之前被阻斷。 110·如申請專利範圍第109項之像素電路，前述開關用絕緣 -21 - 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS) A4現格（210X297公釐） 526455 A B c D 々、申請專利範圍 控制端子型場效應電晶體及前述取入用絕緣控制端子 型場效應電晶體於非導電後，經過一幀期間内的指定 時間後，使前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 導電，並以掃描線為單位熄滅。 111. 如申請專利範圍第105項之像素電路，連接前述開關用 絕緣控制端子型場效應電晶體的掃描線分別設置顏色 三原色的各種顏色。 112. 如申請專利範圍第107項之像素電路，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體的導電型與前述取入用絕緣 控制端子型場效應電晶體的導電型不同。 113. 如申請專利範圍第105項之像素電路，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子、第二端子及通道的驅動用 絕緣控制端子型場效應電晶體，前述驅動用絕緣控制 端子型場效應電晶體的控制端子接收保持在前述電容 内之電壓位準，並將具有對應於電壓位準之電流位準 的驅動電流經由通道流入前述發光元件内。 114. 如申請專利範圍第113項之像素電路，前述轉換用絕緣 控制端子型場效應電晶體的控制端子與前述驅動用絕 緣控制端子型場效應電晶體的控制端子直接連接，構 成電流鏡電路，並使信號電流的電流位準與驅動電流 的電流位準成比例關係。 115. 如申請專利範圍第113項之像素電路，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體，在像素内所對應之轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體的附近形成，並具有與 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 526455 A8

   刖述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體相等的啦 壓。 ^ 116·如申請專利範圍第115項之像素電路，設定前述轉换 絕緣控制端子型場效應電晶體的電晶體規格大於前成 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的電晶體規格。乂 11'如申請專利範圍第115項之像素電路，前述驅動^绝 控制端子型場效應電晶體在飽和區域内工作，針對 '夕 加在其控制端子上之電壓位準與閥電壓之差的驅動2 流流入前述發光元件内。 ％ 如申請專利範圍第115項之像素電路，前述驅動用袼 控制端子型場效應電晶體在線型區域内工作。 119.如申請專利範圍第116項之像素電路，前述驅動用绝* 担制端子型場效應電晶體在線型區域内工作。 4 12〇·如申請專利範圍第121項之像素電路，前述驅動部與^ 述轉換部區分時段共用前述轉換用絕緣控制端子裂2 效應電晶體，前述驅動部在信號電流轉換完成後，2 述轉換甩絕緣控制端子型場效應電晶體自前述接收2 切離，作為驅動用，並在所保持之電壓位準外加在4 述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體之控制端子狀 態下，經過通道，使驅動電流流入前述發光元件内。 121·如申請專利範圍第120項之像素電路，前述驅動部具有 控制裝置，在不驅動時，阻斷經由前述轉換用絕緣控 制端子型場效應電晶體流入前述發光元件的不需要^ 流0 __ -23- 本紙張义度適用中碉阔冢標準(CNS) Λ4規格721.0;<297公#) 526455 A8 B8 C8 ------ - D8 、申請專利範^ — --- 122.如申請專利範圍第m項之像素電路，前述控制裝置控 制具有整流作用之雙端子型發光元件的端子間電壓， 阻斷不需要的電流。 123·如申請專利範圍第ι21項之像素電路，前述控制裝置由 ***在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體及前 述發光元件之間的控制用絕緣控制端子蜇場效應電晶 骨豆所構成，前述控制用絕緣控制端子型場效應電晶體 在如述發光元件於不驅動時為非導電狀態，與前述轉 換用絕緣控制端子型場效應電晶體及前述發光元件切 離’在前述發光元件驅動時則切換成導電狀態。 124·如申請專利範圍第12丨項之像素電路，前述控制裝置控 制’在不驅動時阻斷驅動電流，使前述發光元件置於 不發光狀悲的時間，及驅動時流入驅動電流，使前述 發光元件置於發光狀態的時間比例，可以調整各像素 的亮度。 125·如申請專利範圍第12〇項之像素電路，前述的驅動部為 了穩定通過前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶 體，流入前述發光元件之驅動電流的電流位準，還2 有電位固定裝置，來固定以前述轉換用絕緣控制端子 型場效應電晶體的第二端子為基準的第一端子電位。 126·如申請專利範圍第104項之像素電路，前述接收部、前 述轉換部及前述驅動部構成組合數個絕緣控制端子型 場效應電晶體的電流電路，並具有雙控制極結構，^ 於抑制一個或兩個以上之絕緣控制端子型場效應電晶 -24- 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公釐1 526455 /、、申请專利祀圍 月豆在電流電路中的電流漏泄。 127.如申明專利範圍第i 〇4項之像素電路，前述驅動部包本 /、有乙制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體，使針對外加在控制端子上之電壓位 準，通過第一端子與第二端子之間的驅動電流流入前 述發光元件内，前述發光元件為具有正極與負極的Z 端子型，負極連接第一端子。 128·如申清專利範圍第1〇4項之像素電路，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端 型場效應電晶體，針對外加在控制端子上的電壓位 準，通過第一端子與第二端子之間的驅動電流流入前 述發光兀件内，前述發光元件為具有正極與負極的 端子型，正極連接第二端子。 129.如申請專利範圍第1G4項之像素電路，包含下方調整藉 由前述轉換部所保持的電壓位準，提供前述驅動=^ 調整裝置，縮減各像素之亮度的黑色位準。 130·如中請專利範圍第104項之像素電|，在前述資料線血 指定電位之間連接漏泄元件。 /' 131.如申請專利範圍第1〇4項之像素電4，在前述資料線與 指定電位之間，連接將前述資料設定在初值内的初值 132·如申請專利範圍第129項 見崎，則迷驅動部包 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端 型場效應電晶體，前述調整裝置提高前述絕緣控制 526455 A B c D y、申請專利祀圍 子型場效應電晶體之控制端子與第二端子間電壓，下 方調整外加在控制端子上的電壓位準。 133. 如申請專利範圍第129項之像素電路，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體；前述轉換部與前述薄膜電晶體的控 制端子連接，並具有保持前述電壓位準的電容；前述 調整裝置由連接前述電容的追加電容所構成，下方調 整應該外加在保持於前述電容之前述絕緣控制端子型 場效應電晶體之控制端子上的電壓位準。 134. 如申請專利範圍第129項之像素電路，前述驅動部包含 具有控制端子、第一端子及第二端子的絕緣控制端子 型場效應電晶體；前述轉換部的一端與前述薄膜電晶 體的控制端子連接，並具有保持前述電壓位準的電 容；前述調整裝置調整將藉由前述轉換部所轉換之前 述電壓位準保持在前述電容時之前述電容另一端的電 位，下方調整應該外加在前述絕緣控制端子型場效應 電晶體之控制端子上的電壓位準。 135. 如申請專利範圍第104項之像素電路，前述發光元件採 用有機電致發光元件。 136. 如申請專利範圍第113項之像素電路，前述驅動用絕緣 控制端子型場效應電晶體為P通道型。 137. —種像素電路，其係配置在供應針對亮度資訊之電流 位準之信號電流的資料線與提供選擇脈衝之掃描線的 交叉部上，驅動藉由驅動電流而發光之電流驅動型的 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公Φ) 526455 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 發光元件，前述像素係由以下各部分所形成：轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體，其第二端子連接參考 電位；取入用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連 接在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一 端子與前述資料線之間，控制端子連接前述掃描線； 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連接在參 考電位與前述發光元件之間；電容器，其係第一電極 共接前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制 端子與驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端 子，第二電極連接參考電位；及開關用絕緣控制端子 型場效應電晶體，其係連接在前述轉換用絕緣控制端 子型場效應電晶體的控制端子與第一端子之間，控制 端子連接前述掃描線。 138. —種像素電路，其係配置在供應針對亮度資訊之電流 位準之信號電流的資料線與提供選擇脈衝之掃描線的 交叉部上，驅動藉由驅動電流而發光之電流驅動型的 發光元件，前述像素係由以下各部分所形成：轉換用 絕緣控制端子型場效應電晶體，其第二端子連接參考 電位；取入用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連 接在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的第一 端子與前述資料線之間，控制端子連接前述掃描線； 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體，其係連接在參 考電位與前述發光元件之間；電容器，其係第一電極 連接前述驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制 -27- 本紙張尺度適州中國國家標準(CMS) A4規格（210〉<297公费） 526455

   端子，第二電極連接參考電位；及開關用絕緣控制端 子型場效應電晶體，其係連接前述轉換用絕緣控制端 子型場效應電晶體的控制端子、前述驅動用絕緣控制 端子型場效應電晶體的控制端子與前述電容器之第一 電極的連接點之間，控制端子連接前述掃描線。 139·如申請專利範圍第π 8項之像素電路，前述取入用絕緣 制端子型場效應電晶體的控制端子與開關用絕緣控

   制端子型場效應電晶體的控制端子分別連接不同的掃 描線。 140·如申請專利範圍第138項之像素電路，設定前述轉換用 電晶體的電晶體規格大於前述驅動用電晶體的電晶體 規格。 141·如申請專利範圍第139項之像素電路，前述開關用絕緣 控制端子型場效應電晶體及前述取入用絕緣控制端子 型場效應電晶體於非導電後，經過一幀期間内的指定 時間後，使丽述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體 導電’並以掃描線為單位熄滅。 " 142.文種發光兀件之驅動方法，其係配置在供應針對亮度 了訊之％泥位準之信號電流的資料線與提供選擇脈衝 之掃描線的交叉部上，驅動藉由驅動電流而發光之電 流驅動型的發光元件，該驅動方法由以下各部分所構 成取入接收程序，其係回答前述掃描線的選擇脈 衝，從前述資料線取入信號電流；保持轉換程序，其 係將取入之仏號電流的電流位準暫時轉換為電壓位準， _____ —_ -28- 本紙張足度適用中國國家標準(CNS) A4規格77^7^7公釐了 526455 A B c D 六、申請專利範圍 並加以保持；及驅動程序，其係使具有針對所保持之 電壓位準之電流位準的驅動電流流入該發光元件内。 143. 如申請專利範圍第142項之發光元件之驅動方法，前述 轉換程序包含採用具有控制端子、第二端子、第一端 子及通道的轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體及連 接前述控制端子的電容；前述程序中，前述轉換用絕 緣控制端子型場效應電晶體使藉由前述接收程序所取 入的信號電流流入前述通道内，在前述控制端子上產 生轉換的電壓位準，前述電容保持前述控制端子上產 生之電壓位準。 144. 如申請專利範圍第143項之發光元件之驅動方法，前述 轉換程序包含採用***在前述轉換用絕緣控制端子型 場效應電晶體的第一端子與控制端子之間的開關用絕 緣控制端子型場效應電晶體程序；前述程序中，前述 開關用絕緣控制端子型場效應電晶體在信號電流的電 流位準轉換成電壓位準時導電，前述轉換用絕緣控制 端子型場效應電晶體的第一端子與控制端子電連接， 在控制端子上產生以第二端子為基準的電壓位準，另 外，前述開關用絕緣控制端子型場效應電晶體在電壓 位準保持在前述電容内時被阻斷，並將前述轉換用絕 緣控制端子型場效應電晶體的控制端子及與其連接之 前述電容自第一端子切離。 145. 如申請專利範圍第143項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序包含採用具有控制端子、第一端子、第二端 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公货） 526455 A8 B8 C8 ______ D8 六、申請專利範圍 子及通道之驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的程 序’前述程序中，前述驅動用絕緣控制端子型場效應 電晶體接收保持在前述電容内之電壓位準，並將具有 對應於電壓位準之電流位準的驅動電流經由通道流入 前述發光元件内。 146·如申請專利範圍第145項之發光元件之驅動方法，前述 轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端子與前 述驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體的控制端子直 接連接，構成電流鏡電路，並使信號電流的電流位準 與驅動電流的電流位準成比例關係。 147. 如申請專利範圍第145項之發光元件之驅動方法，前逑 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體，在像素内所對 應之轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體的附近形 成’並具有與前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶 體相等的閥電壓。 148. 如申請專利範圍第147項之發光元件之驅動方法，前述 驅動用絕緣控制端子型場效應電晶體在飽和區域内工 作，針對外加在其控制端子上之電壓位準與閥電壓之 差的驅動電流流入前述發光元件内。 149·如申請專利範圍第143項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序與轉換程序區分時段共用前述轉換用絕緣控 制鮞子型場效應電晶體，前述驅動程序在信號電流轉 換完成後，前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體 自前述接收部切離，作為驅動用，並在所保持之電^ 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21〇, -30- 526455 A8 B8 CS D8 --—------------- 六、申請專利範圍 位準外加在前述轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體 之控制端子狀態下，經過通道，使驅動電流流入前述 發光元件内。 150.如申請專利範圍第149項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序具有控制裝置，在不驅動時，阻斷經由前述 轉換用絕緣控制端子型場效應電晶體流入前述發光元 件的不需要電流。 151·如申請專利範圍第150項之發光元件之驅動方法，前述 控制程序控制具有整流作用之雙端子型發光元件的端 子間電壓，阻斷不需要的電流。 152.如申請專利範圍第1 50項之發光元件之驅動方法，前逑 控制程序採用***在前述轉換用絕緣控制端子型場效 應電晶體及前述發光元件之間的控制用絕緣控制端子 型場效應電晶體程序，前述程序中，前述控制用絕緣 控制端子型場效應電晶體在前述發光元件於不驅動時 為非導電狀態，與前述轉換用絕緣控制端子型場效庶 電晶體及前述發光元件切離，在驅動時則切換成導電 狀態。 153·如申請專利範圍第15〇項之發光元件之驅動方法，前述 控制程序控制，在不驅動時阻斷驅動電流，使前述發 光元件置於不發光狀態的時間，及驅動時流入驅動^ 流’使前述發光元件置於發光狀態的時間比例，可Z 碉整各像素的亮度。 154.如申請專利範圍第15〇項之發光元件之驅動方法， -31 - 526455 A BCD 、申請專利範圍 的驅動程序為了穩定通過前述轉換用絕緣控制端子型 場效應電晶體，流入前述發光元件之驅動電流的電^ 位準，還具有電位固定裝置，來固定以前述轉換用絕 緣控制端子型場效應電晶體的第二端子為基準的第一 端子電位。 155. 如申請專利範圍第143項之發光元件之驅動方法，前述 接收程序、前述轉換程序及前述驅動程序在組合數個 絕緣控制端子型場效應電晶體的電流電路上執行，並 具有雙控制極結構，用於抑制一個或兩個以上之絕緣 控制端子型場效應電晶體在電流電路中的電流漏泄。 156. 如申請專利範圍第142項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序採用具有控制端子、第—端子及第二端子的 絕緣控制端子型場效應電晶體來執行，使針對外加在 控制端子上之電壓位準，通過第一端子與第二端子之 間的驅動電流流入前述發光元件内，前述發光元件為 具有正極與負極的雙端子型，負極連接第一端子。 157·如申請專利範圍第142項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序採用具有控制端子、第一端子及第二端子的 絕緣控制端子型場效應電晶體來執行，針對外加在控 制端子上的電壓位準，通過第一端子與第二端子之間 的驅動電流流入前述發光元件内，前述發光元件為具 有正極與負極的雙端子型，正極連接第二端子。 158·如申請專利範圍第142項之發光元件之驅動方法，包含 下方調整藉由前述轉換程序所保持的電壓位準，提供 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） A B c D 526455 六、申請專利範圍 前述驅動程序的調整程序，縮減各像素之亮度的黑色 位準。 159. 如申請專利範圍第158項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序採用具有控制端子、第一端子及第二端子的 絕緣控制端子型場效應電晶體，前述調整程序提高前 述絕緣控制端子型場效應電晶體之控制端子與第二端 子間電壓，下方調整外加在控制端子上的電壓位準。 160. 如申請專利範圍第158項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序採用具有控制端子、第一端子及第二端子的 絕緣控制端子型場效應電晶體；前述轉換程序與前述 薄膜電晶體的控制端子連接，並採用保持前述電壓位 準的電容；前述調整程序採用連接前述電容的追加電 容，下方調整應該外加在保持於前述電容之前述絕緣 控制端子型場效應電晶體之控制端子上的電壓位準。 161. 如申請專利範圍第158項之發光元件之驅動方法，前述 驅動程序採用具有控制端子、第一端子及第二端子的 絕緣控制端子型場效應電晶體；前述轉換程序的一端 與前述薄膜電晶體的控制端子連接，並採用保持前述 電壓位準的電容；前述調整程序調整將藉由前述轉換 程序所轉換之前述電壓位準保持在前述電容時之前述 電容另一端的電位，下方調整應該外加在前述絕緣控 制端子型場效應電晶體之控制端子上的電壓位準。 162. 如申請專利範圍第142項之發光元件之驅動方法，前述 發光元件採用有機電致發光元件。 -33- 本纸張尺度適用中國淘家標準(CNS) A4規格(210 X :297公资）

   526455 A B c D 、申請專利範圍 ⑹.-種顯示裝置，將用於選擇像素的掃描線及 驅動像夸夕古洛次^ 勒诼京 < 冗度f訊的資料線配設成矩陣狀，各 = 成：發光元件，其係藉由所供應的電 又冗度，寫入裝置，其係藉由掃描線控制， ^資料線所提供的亮度資訊寫人像素内；及驅動裝 ^光其2對前述寫入之亮度資訊供應電流量至前述 ‘狀ί下，：f入各像素的亮度資訊，於選擇掃描線 〜 猎由將針對亮度資訊之電流信號外加至資 選2來執行；窝入各像素的亮度資訊在掃描線為非 對所L姓仍然保持各像素，各像素的發光元件可以針 ^所保持〈亮度資訊的亮度持續亮^;包含下敕 164 Z田則述寫入裝置所寫入之亮度資訊，來提供前述驅 動裝置的調整裝置，縮減各像素之亮度的黑色位準。 ::像素電路，其係配置在供應亮度資訊的資料線盥 才疋供選擇脈衝之掃描線的交叉部上，針對亮度資訊〃 驅動具有能夠發光之發光元件的像素；二裝 置，其係藉由掃描線控制，且將資料線所提供的主 資訊寫入像素内；及驅動裝置，其係針對前述窝二: 亮度資訊供應電流量至前述發光元件内；寫入各像、 的=度資訊，、於選擇掃描線的狀態下，藉由將針對= 度資訊之電流信號外加至資料線上來執行；寫入儿 素的亮度資訊在掃描線為非選擇後，仍然保持各= 素的發光元件可以針對所保持之亮度資訊的 冗度持續焭起；包含下方調整藉由前述寫入裝置所寫 -34 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公货） 526455 A B c D 六、申請專利範圍 入之亮度資訊，來提供前述驅動裝置的調整裝置，縮 減各像素之亮度的黑色位準。 165. —種顯示裝置之驅動方法，將用於選擇像素的掃描線 及提供用於驅動像素之亮度資訊的資料線配設成矩陣 狀，各像素由以下各部所形成：發光元件，其係藉由 所供應的電流量來改變亮度；寫入裝置，其係藉由掃 描線控制，且將資料線所提供的亮度資訊寫入像素 内；及驅動裝置，其係針對前述寫入之亮度資訊供應 電流量至前述發光元件内；寫入各像素的亮度資訊， 於選擇掃描線的狀態下，藉由將針對亮度資訊之電流 信號外加至資料線上來執行；寫入各像素的亮度資訊 在掃描線為非選擇後，仍然保持各像素，各像素的發 光元件可以針對所保持之亮度資訊的亮度持續亮起； 包含下方調整藉由前述寫入裝置所寫入之亮度資訊， 來提供前述驅動裝置的調整裝置，縮減各像素之亮度 的黑色位準。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）