TW200921303A - System for continuously using resist stripper liquid based on nanofiltration - Google Patents

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Masanao Sumita
Hideo Hayashi
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Toagosei Co Ltd
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Description

200921303 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在半導體、液晶、印刷配 零件的製造過程所進行的光阻剝離步驟’其 理含有光阻成分的光阻剝離液一邊進行光阻· 【先前技術】 半導體、液晶、印刷配線基板等電子 驟,係包含Si晶圓、玻璃表面層合有半導 等上,形成光阻或只稱爲光阻之感光性包覆 光罩而照射光等之照射步驟,以及經過使用 要的光阻溶解之顯像步驟後,剝離殘存的光 驟,於上述剝離步驟中,爲了剝離光阻膜, 剝離液。 近年,伴隨電子零件的細微化,一般係 可溶於顯像液之稱爲正型者,作爲光阻,其 型容易對應細微的圖型形狀。所以,作爲其 使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP )、二甲基5 或如胺類爲限之有機溶劑。使用如此的光阻 設置於基板上之光阻膜從基板剝離,移至光I 對於溶解光阻膜之機制有幾種說法,有 光阻膜完全分離成低分子量成分而溶解的情 離液膨脹的光阻膜變成小片,分散於剝離液 以後這些統稱爲光阻朝剝離液之溶解,移至 線基板等電子 係關於一邊處 剝離之系統。 零件的製造步 體薄膜之基板 膜,通過圖型 顯像液而使不 阻膜之剝離步 一般使用光阻 以感光的部分 原因在於比負 剝離液,一般 5 楓(DMSO) 剝離液時,使 狙剝離液中。 藉由剝離液使 況、被光阻剝 中的情況等, 剝離液中之光 -4- 200921303 阻稱爲光阻成分。 已知剝離液中的光阻成分濃度,通常即使0.1〜5質 量%程度的少量’會使新的光阻膜之剝離速度顯著下降。 因此,一般進行一定量的光阻剝離後,藉由進行剝離液的 全部或一部分溶液的交換,以保持剝離速度在一定的範圍 內。但是,於該方法,因每次交換剝離液時,產生多量的 廢液或需要使用多量的新液,新液的購入、廢液的處理花 費巨額費用,對環境也有不良影響的問題。 剝離液中,使用單乙醇胺等的有機胺之稱爲胺系剝離 液爲代表之鹼性剝離液,因溶解的光阻成分與胺形成鹽, 對光阻成分的溶解量,光阻剝離速度的下降有較小的傾 向,因胺的臭氣、胺在化學上不安定,有剝離液本身的分 解快的問題。因此,最近不含胺等的鹼性成分之稱爲非胺 系剝離劑受到注意。但是,非胺系剝離劑,因溶解於剝離 液之光阻成分而使光阻剝離速度的下降的傾向顯著,爲了 維持剝離速度,有溶液的交換費用特別大的問題。 對於以上的問題,嘗試藉由處理含有光阻成分的光阻 剝離液再利用,使廢液的量減少。例如專利文獻1中,揭 露藉由劃分分子量100〜1 5 00之奈米過濾膜,可過濾減少 以含有烷醇胺的剝離液剝離光阻後之溶解於廢液中的光阻 成分。作爲具有如此的劃分分子量之奈米過濾膜,普通爲 專利文獻1的具體例所列之以有機物質爲主成分之膜,作 爲有機系的膜之缺點例如,因耐壓性低,難以加壓使過濾 速度提高,因剝離液的成分而膨脹、容易劣化、耐熱性低 -5- 200921303 等。最初有機系奈米過濾膜係用於人工透析、上層水的 '淨 化等之超過濾的派生物,即使於水系中具有充分強度'安 定性,對有機溶劑仍有容易引起劣化等的問題。 於專利文獻1的段落號碼[0018],揭露上述奈米過濾 膜中,劃分分子量超過1 500的膜,無法除去溶解於剝離 液中的光阻。而且,於專利文獻2的段落號碼[〇〇12] ’揭 露具有約 0.04〜2μιη的平均細孔尺寸之如氧化鋁、氧化 锆、碳化矽、氮化矽、碳等的陶瓷過濾器,以及具有約 0.01〜Ιμπι的平均細孔尺寸之如莫特金屬(Mottmetal)的 金屬過濾器,又如由氟聚合物所製作的耐溶劑性聚合物膜 等,作爲耐溶劑性過濾器,但如劃分分子量低於1 500的 可捕捉細微分子程度之具有小的細孔且具有充分的流出速 度者,尙未實用化。 [專利文獻1]特開2003 - 1 673 5 8號公報 [專利文獻2]特開平05 -2 5 3 40 8號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 對於藉由剝離液之正型光阻的剝離,剝離液中光阻成 分濃度上升時,因對新的光阻膜之剝離速度有影響,進行 光阻剝離者必需頻繁地交換剝離液。本發明所欲解決之課 題’在於可實現即使不交換剝離液而持續長時間進行剝 離’使光阻剝離所使用的剝離液中之光阻成分的濃度在一 定的濃度範圍內之系統。 -6- 200921303 [解決課題之手段] 本發明人發現藉由剝離液進行正型光阻的剝離時’溶 解於剝離液中之光阻成分’藉由特定的陶瓷過濾器進行錯 流過濾而可減少。然後’含有在剝離步驟所發生的光阻成 分之剝離液,藉由過濾步驟處理’使溶解的光阻成分濃度 被濃縮之濃縮剝離液適當地排出系統外,於光阻成分被除 去的處理剝離液中,適當添加剝離液的新液之剝離液,再 於剝離步驟使用,因而完成光阻剝離系統。 [發明的效果] 藉由將本發明應用於液晶基板、半導體等的光阻剝 離,不發生多量的新液之使用、多量的廢液,經長時間可 一邊保持溶解於剝離液中的光阻成分濃度在一定的範圍 內,一邊進行光阻剝離。藉此,以低價減少環境的負擔, 可實現保持安定品質的光阻剝離。 【實施方式】 於本發明可利用之全部量爲1 0 0質量%的情況下含有 8 0質量%以上的有機化合物之光阻剝離液,稱爲含有胺或 鹼之胺系的類型或不含胺、鹼而以pH檢測顯示9以下之 稱爲非胺系者中的任一種,可含有小於2 0質量%的水。作 爲胺系’可使用含有烷醇胺的一般有機系剝離液的任一 種。作爲烷醇胺的具體例,例如單乙醇胺、單異丙醇胺、 -7- 200921303 2- ( 2-胺基乙氧基)乙醇、N-甲基乙醇胺等,特別理想爲 單乙醇胺。可單獨使用1種或複數種的胺混合物或混合其 他有機溶劑、水等使用,也可添加安定劑、腐飩防止劑 等。所謂有機溶劑,係指常溫下爲液體具有溶解其他物質 的能力之有機化合物的總稱。 作爲非胺系剝離液,可使用如碳酸酯、二甲基亞颯、 院基啦略院酮、二院基碾、院基乙醯胺、環丁楓、垸基丁 內酯之非揮發性的極性溶劑。此處,所謂非揮發性,係指 25°C下蒸氣壓爲0.67kPa以下,所謂極性溶劑係指SP値爲 8以上。這些之中,較理想者爲由N-甲基-2-吡咯烷酮、 N -乙基-2-吡咯烷酮 '二甲基亞颯所成群1中的〗種單獨 使用的情況,或由N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷 酮、二甲基亞碾、Ν,Ν-二甲基甲醯胺、Ν,Ν-二甲基乙醯 胺、γ-丁內酯、環丁颯、碳酸乙烯酯或碳酸丙烯酯所成群 2中同時選擇複數的化合物的情況,作爲該混合剝離液, 特別理想爲含有20質量%以上的Ν-甲基-2-吡咯烷酮或Ν-乙基-2 -吡咯烷酮之混合剝離液。此外,Ν -甲基-2 -吡咯烷 酮與Ν-乙基-2-吡咯烷酮皆爲環狀醯胺,不是胺類。 作爲這些非胺系剝離液,可使用與水、烷醇、烷醇醚 所成群3中的至少1種混合者較理想,於該情況下,群3 的化合物之混合比例爲4 0質量%以下較理想,而關於水’ 以未達全部的2 0質量%較理想。 剝離液的ρ Η係根據JI S - Κ 8 0 0 1「試藥測試方法通 則」之5 · 5 ’採用剝離液1 〇 g,添加不含二氧化碳的水’ -8- 200921303 成爲100毫升,***玻璃電極而進行測定者。而且,混合 液分離成2層的情況下,將玻璃電極***水層部而測定 pH。胺系剝離液的pH比9大。而於非胺系剝離液,pH必 需在9以下,因pH太小者會對金屬腐蝕,較理想爲4以 上9以下,再者較理想爲5以上8.5以下。 本發明所使用之可藉由光阻剝離液可剝離之光阻,因 稱爲正型光阻,在基板上形成膜狀後,在曝光步驟感光的 部分接觸顯像液時,變成可溶種類的物質。沒有感光的光 阻膜,顯像後殘留於基板上,在顯像後的電子零件製造步 驟,作爲保護基板表面的作用後,藉由剝離步驟使其從基 板上剝離。作爲正型光阻,例如可藉由使鹼可溶性樹脂與 由聚羥基二苯基酮的二疊氮基萘醌磺酸酯所成的感光劑溶 解於有機溶劑而製造。作爲鹼可溶性樹脂,例如含有苯酚 漆用酚醛樹脂及/或甲酚漆用酚醛樹脂之酚醛樹脂、聚乙 烯基苯酚等,作爲感光劑,例如1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸 化合物、1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸化合物與聚羥基芳香族 化合物所得之酯類等。作爲有機溶劑,例如乙酸丁酯、乳 酸乙酯等酯類、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸 酯等的二醇醚乙酸酯類、甲苯、二甲苯等芳香族烴、甲基 乙基酮、環己酮等酮類等。該正型光阻係以旋轉塗佈機、 滾輪塗佈機等塗佈成適當厚度,進行一般稱爲預烤之事前 加熱後,以曝光•顯像步驟而圖型化。預烤的條件,較理 想爲80°C以上未達140°C之溫度下加熱2分鐘以上30分鐘 以下的範圍。 -9- 200921303 除此之外一般已知的全部正型光阻,可實施本發明。 關於本發明的重要構成之過濾器,係由陶瓷成形體所 構成之陶瓷多孔體,可使上述剝離液通過者皆可使用。過 濾器的平均細孔徑小、劃分分子量太小者,其阻止率高’ 因含有光阻成分的剝離液變得難以通過過濾器,而無法得 到充分的過濾速度。而且,過瀘器的平均細孔徑大、劃分 分子量太大者,因阻止率變低,通過過濾器的過濾液,亦 即處理剝離液中的光阻成分濃度變高,無法使處理剝離液 中的光阻成分濃度充分下降。於本發明,由數1式所定義 之平均細孔徑D爲3nm以上5nm以下,特別是4nm以上 5 nm以下,劃分分子量爲1500至4000,特別是2000至 4000者,從所謂阻止率與過濾速度的平衡之觀點特別良 好,於胺系剝離液,平均細孔徑D爲2nm以上4nm以 下,劃分分子量爲1000至2000者特別理想。於胺系剝離 液,因光阻成分的分子量變得更小,較理想的平均細孔徑 也比非胺系者小。
<數1 > 平均細孔徑D = 4V/A 假設細孔爲圓筒形時,全部細孔的體積(V = tiD2L/4 ) 除以全部細孔的表面積(A= kDL )之値(D = 4V/A )定義 爲平均細孔徑。此處,V爲全部細孔的體積之合計値,L 爲平均細孔深度,任一者都可以水銀壓入式細孔分佈形進 行測定。 -10- 200921303 劃分分子量係使用已知分子量的聚乙二醇,定義「以 該膜可阻止90%以上之聚乙二醇(水溶液)之最小分子 量」以達爾頓(Dalton )表示者。 上述過濾器的材質’可爲氧化鋁、氧化銷、氧化鈦、 富鋁紅柱石(mullite )、堇青石(cordierite )、碳化矽、 氧化矽等一般的陶瓷’可使用此等陶瓷的任一種,其中加 工容易、機械強度、化學安定性佳的較理想者爲α_氧化 鋁、氧化锆、氧化鈦等。此等陶瓷可單獨或混合,也可塗 佈於不同種類的骨架的表面,於該用途,更加理想者爲(X-氧化鋁的骨架塗佈氧化鈦者。於該情況,只要最表面包覆 氧化鈦,無關其塗層厚度,同樣可得較理想者。 上述過濾器的形狀,可使用平板型、管型、螺旋型等 的任一種較理想。而且,爲了提高耐壓性,過濾器可與其 他材質的支撐件接觸。以過濾器進行過濾時,特別是過濾 器的劃分分子量小的情況等,賦予壓差,可使過濾速度變 大。於本發明,施以0.1 MPa以上3MPa以下的壓差進行 過濾較理想,又較理想爲 0.2 Μ P a以上 2 Μ P a以下。而 且’該所謂「壓差」係指挾夾過濾器的過濾面之過濾前的 液體(於本發明爲含有光阻成分的剝離液)側的壓力與過 濾後的液體(於本發明爲處理剝離液)側的壓力之差。 使用過濾器過濾的方法雖有許多種,於本發明爲係爲 錯流過濾(cross flow filtering )。於錯流過濾,與過濾 器面平行的方向上,因流過含有光阻成分的剝離液,具有 所謂可防止析出•堆積過濾器上無法被過濾之光阻成分成 -11 - 200921303 爲厚餅之長處。由該原理,可流過過濾器上之 過濾器面平行的方向上期望維持一定以上的流 流速,隨加於剝離液之壓力、剝離液的組成、 化,於本發明的系統,與過濾器面平行之方向 流速沒有 0.1 m/s以上時,容易引起孔堵塞 時,因能量的損失變大,上限爲20m/s,又較 m/s至10 m/s之間。而且,含有光阻成分的剝 濾器流出的速度,亦即過濾液流出速度爲3 L/h 理想。更理想爲6L/h . m2以上,更加理想爲1 上。[單位爲1小時通過每過濾器的過濾面積 體量。]過濾液流出速度大者較理想的理由爲 面積之過濾器可處理更多量的液體,較爲經濟 根據本發明,藉由上述的錯流過濾,可得 止率在70%以上之過濾液(處理剝離液)。阻 2的式定義。亦即例如在第一步驟(光阻剝離 解2質量%的光阻成分,來到第二步驟之剝離 分濃度,在通過過濾器後,變成光阻成分濃度 以下的處理剝離液,因此其殘渣側的剝離液的 度變高而成爲濃縮剝離液。 <數2 > 阻止率=[(過濾前剝離液的光 -透過過濾器的剝離液之光阻成分濃度)/過 的光阻成分濃度]X 1 〇 〇 (%) 剝離液,與 速。最佳的 溫度等而變 的剝離液的 *太過局速 理想爲〇.5 離液通過過 • m2以上較 1L/h · m2 以 (m2)之液 ,以較少的 〇 過瀘器之阻 止率係由數 步驟),溶 液的光阻成 0.6質量% 光阻成分濃 阻成分濃度 濾前剝離液 -12- 200921303 若不交換剝離液而重複進行剝離-再生,則剝離液全 體的光阻成分濃度變高。通過過濾器的剝離液’亦即處理 剝離液的光阻成分濃度達到2質量%時’若阻止率在70% 以上,由數2的式,過爐前含有光阻成分的光阻成分濃度 變高爲約6.7質量%以上。於該情況,如第三步驟’於處 理剝離液側加入剝離液新液,且如第四步驟,藉由將濃縮 剝離液再度供應予第二步驟前每一定時間排出系統外或以 一定流速排出系統外,連續光阻的剝離所使用之剝離液中 的光阻成分濃度可經常地抑制在2質量%以下的濃度。光 阻成分濃度超過2質量%時,光阻剝離速度過份下降,另 一方面,爲了使光阻成分濃度接近於〇,必須加入多量的 剝離液新液。因此,處理剝離液中較理想的光阻成分濃度 爲0.01質量%以上2質量%以下,更理想爲0.05質量%以 上1.0質量%以下。 此外,上述一定時間及一定流速,係以光阻剝離液中 的光阻成分濃度在2質量%以下爲限,無特別限制,例如 一定時間可爲〇 · 1〜3 0 0小時,特別是 1〜1 〇小時,一定 流速係使存在系統之全部剝離液的量之0.1 %在1小時排 出至1 0%在1小時排出之流速,特別是全部剝離液的量之 0 · 5 %在1小時排出至5 %在1小時排出之流速。 剝離液中的光阻成分濃度,一般係根據加熱乾燥殘留 的部分進行測定’在如本發明的連續裝置必須知道即時濃 度的情況’可適當應用介電率、導電度等的電性測定、折 射率、紅外線透過率等的光學測定。藉由此等方法使所得 -13- 200921303 的剝離液中的光阻成分濃度反映系統中剝離液新液的添加 速度、濃縮剝離液的排出速度、過濾壓力、錯流流速等, 而使剝離液中的光阻成分濃度連續保持在上述較理想的範 圍,可持續進行光阻剝離。 [實施例] 以下,舉出實施例及比較例,更詳細地說明本發明, 但本發明不限於此等。此外,%係爲質量%,PPm係爲質 量ppm,份係爲質量份。 本發明的實施例,可以圖1所示的光阻剝離系統實 施。圖1係具備使用3個剝離槽所構成的第一步驟(光阻 剝離步驟)、與使用濃縮剝離液循環用槽以及陶瓷過濾器 等所構成之第二步驟(過濾步驟)之系統。將附有光阻膜 之基板供應予剝離槽1的沖洗部,接著供應予剝離槽2及 剝離槽3,共3次,受到由各剝離槽循環的剝離液之噴 灑,使光阻膜剝離。在剝離槽1〜3所使用的光阻剝離 液,被分別儲備於各剝離槽1〜3。積存於剝離槽3之剝離 液因溢流而移轉至剝離槽2,積存於剝離槽2之剝離液因 溢流而移轉至剝離槽1,積存於剝離槽1之剝離液因溢流 而移轉至濃縮剝離液循環用槽。移送至濃縮剝離液循環用 槽之剝離液,係溶解比較高濃度的光阻成分,介由第二步 驟的陶瓷過濾器而進行錯流過濾。通過陶瓷過濾器的處理 剝離液,成爲只有光阻成分對應阻止率的部分被除去之處 理剝離液,直接供應予剝離槽3。如此因持續剝離與錯流 -14- 200921303 過濾的循環,而使濃縮剝離液的光阻成分濃度變高。然 後,伴隨濃縮剝離液的排出、光阻剝離後的基板取出而排 出系統外以及蒸發等的理由,因裝置內的全部剝離液的量 之減少,藉由將未使用的剝離液新液供應予適當處理剝離 液(實際上爲剝離槽3的剝離液)之第三步驟,以及以一 定速度或頻率將光阻成分濃度高之濃縮剝離液,再度供應 予第二步驟前,排出系統外之第四步驟,而調節全部液體 量,且可使剝離液中的光阻成分濃度在2質量%以下。此 外,以下的實施例與比較例中,運轉開始時全部剝離液量 爲900公升。 <實施例1 > 使甲酚漆用酚醛樹脂1 〇〇份中加入二疊氮基萘醌25 份之正型光阻塗佈於玻璃基板上,使其乾燥’製作附有 5 μηι厚度的光阻膜之玻璃基板。於圖1的光阻剝離裝置 中,設置表1所示的組成之光阻剝離液,使用平均細孔徑 4nm、以聚乙烯醇測定之劃分分子量爲2000的氧化鋁骨架 施以氧化鈦塗層之面積1 · 2m2的管型陶瓷過濾器’作爲過 濾器。在過濾器面上之與過濾器面平行之方向的濃縮剝離 液的流速爲2m/s,過濾後的處理剝離液側的流速’不進行 控制而任其自然流出。而且,過濾器的含有光阻成分的剝 離液側,對處理剝離液側而言成爲〇· 1 MPa的加壓’設定 朝過濾步驟之泵浦流入壓力。亦即,壓差成爲0 · 1 MPa ° 然後,上述附有光阻膜之玻璃基板,接連不斷地投入光阻 -15- 200921303 剝離裝置,以液溫40 °C進行光阻剝離。此時,由圖1之含 有光阻的剝離液與圖1之處理剝離液的光阻成分濃度,根 據數2的式計算阻止率。而且,採用表1的組成之光阻剝 離液l〇g,加入不含二氧化碳的水而成爲100毫升均勻的 混合液,其pH以玻璃電極式PH計測定時爲8.0。 剝離液中的光阻成分濃度係由圖1的剝離槽1〜3的 剝離液取樣,於1 5 0 °C、以1小時進行真空乾燥,測定乾 燥殘留成分,作爲剝離液中的光阻成分濃度。 <表1>剝離液的組成 成分名 組成(質量%) N-甲基-2-吡咯烷酮 50 碳酸乙烯酯 50 <表2>實施例1的剝離槽內的光阻 成分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阳1卜率⑼) 85 86 87 87 剝離槽1濃度 0 0.07 0.36 0.48 0.57 剝離槽2濃度 0 0.05 0.05 0.12 0.21 剝離槽3濃度 0 0.0 0.0 0.10 0.18 過瀘液流出速度(L/h · m2) 16 15 11 11 11 (光阻濃度的單位爲質量%) 基於附有光阻膜的玻璃基板之處理量所計算之朝剝離 液的光阻成分之溶入速度爲1.39g/分,附著於基板而排出 系統外之剝離液的實測値爲56g/分,以及濃縮剝離液的排 出速度爲0.3 kg/分的狀態下,使系統內的剝離液的量不增 減而一邊追加剝離液新液一邊繼續剝離製程時,1 0 0分鐘 -16- 200921303 後,含有光阻成分的剝離液之光阻成分濃度有慢慢增加的 傾向,在1 〇 〇分鐘後〜3 0 0 0分鐘之間,剝離槽1〜3的全 部槽內的値,如表2所示在2 %以下。此外,於運轉〇分 鐘,因含有光阻成分的剝離液與處理剝離液的光阻成分濃 度相同爲〇,不計算阻止率。 <實施例2 > 除使用相同材質、平均細孔徑2nm、劃分分子量爲 1 〇〇〇之陶瓷過濾器作爲過濾器外,以與實施例1相同的運 轉方法,進行光阻剝離。 <表3 >實施例2的剝離槽內的光阻 成分濃度 運轉時間 〇分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 92 92 92 92 剝離槽1濃度 0 0.07 0.36 0.46 0.53 剝離槽2濃度 0 0.001 0.04 0.10 0.16 剝離槽3濃度 0 0.0 0.02 0.07 0.12 過濾液流出速度(L/h . m1 2) 6 6 3 3 3 (光阻濃度的單位爲質量%) 1 0 0分鐘後,含有光阻成分的剝離液之光阻成分濃度 有慢慢增加的傾向’在1 〇 〇分鐘後〜3 0 0 0分鐘之間,剝離 槽1〜3的全部槽內的値,如表3所示在2 %以下的範圍 2 內。與實施例1比較’因劃分分子量較小’通過過爐器之 光阻成分的絕對量變少’以錯流運轉,由數2的式之阻止 率的値變大。而且,雖在過濾器的過濾液流出速度變小’ 但阻止率的値變大,而認爲含有光阻成分的剝離液中光阻 -17- 200921303 成分濃度變得少許下降。 <實施例3 > 除使用相同材質、平均細孔徑5nm、劃分分子量爲 4 0 0 0之陶瓷過濾器作爲過濾器外,以與實施例1相同的運 轉方法,進行光阻剝離。 〈表4 >實施例3的剝離槽內的光阻成分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 71 72 72 72 剝離槽1濃度 0 1.9 1.8 1.8 1.8 剝離槽2濃度 0 1.6 1.5 1.5 1.5 剝離槽3濃度 0 1.4 1.3 1.3 1.3 過濾液流出速度(L/h · m2) 22 20 18 18 18 (光阻濃度的單位爲質量%) 1 00分鐘後,含有光阻成分的剝離液之光阻成分濃度 幾乎變成一定,在100分鐘後〜3000分鐘之間,剝離槽1 〜3的全部槽內的値,如表4所示,雖比實施例1的量 多,但在2%以下。與實施例1比較,因劃分分子量較 大,通過過濾器之光阻成分的絕對量變多,以錯流運轉, 由數2的式之阻止率的値變小。而且,雖在過濾器的過濾 液流出速度變大,但阻止率的値變小,而認爲含有光阻成 分的剝離液中光阻成分濃度變高。 <實施例4 > 除使在過濾器面上之與過濾器面平行之方向的剝離液 -18- 200921303 的流速爲8m/s’壓差爲0.4MPa外,以與富施例1相同的 運轉方法,進行光阻剝離。 <表5>實施例4的剝離槽內的光阻成分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 85 85 87 87 剝離槽1濃度 0 0.07 0.38 0.49 0.58 剝離槽2濃度 0 0.05 0.05 0.13 0.21 剝離槽3濃度 0 0.0 0.03 0.10 0.17 過濾液流出速度(L/h · m2) 18 16 13 13 13 (光阻濃度的單位爲質量%) 1 00分鐘後’含有光阻成分的剝離液之光阻成分濃度 有慢慢增加的傾向’在1 0 0分鐘後〜3 0 0 0分鐘之間,剝離 槽1〜3的全部槽內的値’如表5所示與實施例1幾乎相 同的値’在2%以下。而且,因使用與實施例1相同的過 濾器,以錯流運轉,由數2的式之阻止率的値與實施例1 幾乎相同。再者’與實施例1比較,因剝離液的流速增 加、壓差變大,過濾液流出速度變大,只要流速及壓差都 在較理想的範圍內,含有光阻成分的剝離液中光阻成分濃 度沒有大的影響。 <實施例5 > 除光阻剝離液的組成如表6所示外,以與實施例1相 同的運轉方法,進行光阻剝離。而且,採用剝離液1 0g, 加入不含二氧化碳的水而成爲1 00毫升均勻的混合液,其 pH以玻璃電極式PH計測定時爲1 1 .6。 -19- 200921303 <表6 >剝離液的組成 成分名 組成(質量%) N-甲基-2-吡咯烷酮 50 單乙醇胺 50 〈表7〉實施例5的剝離槽內的光阻成分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 73 74 74 74 剝離槽1濃度 0 1.8 1.7 1.7 1.7 剝離槽2濃度 0 1.4 1.3 1.3 1.3 剝離槽3濃度 0 1.3 1.2 1.2 1.2 過濾液流出速度(L/h · m2) 8 8 7 6 6 (光阻濃度的單位爲質量%) 與實施例1比較,雖然阻止率下降,阻止率仍在70% 以上,而且,與實施例1比較,含有光阻成分的剝離液中 光阻成分濃度雖高,但在2%以下的條件,可繼續進行光 阻剝離。 <實施例6 > 除使用相同材質、平均細孔徑2nm、劃分分子量爲 1 〇〇〇之陶瓷過濾器作爲過濾器外,以與實施例5相同的運 轉方法,進行光阻剝離。 -20- 200921303 <表8>實施例6的剝離槽內的光阻 成分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 76 77 78 79 剝離槽1濃度 0 1.0 1.0 1.2 1.3 剝離槽2濃度 0 0.8 0.8 1.0 1.1 剝離槽3濃度 0 0.6 0.6 0.7 1.0 過濾液流出速度(L/h · m2) 5 4 3 3 3 (光阻濃度的單位爲質量%) 與實施例5比較,因劃分分子量較小,通過過濾器之 光阻成分的絕對量變少,阻止率的値變大。而且,雖在過 濾器的過濾液流出速度變小,但阻止率的値變大,而認爲 含有光阻成分的剝離液中光阻成分濃度變得少許下降。 <實施例7 > 於實施例7,測試因溶解於剝離液之光阻成分濃度之 光阻剝離速度。表1或表6的組成之光阻剝離液,在槽中 於40°C下保溫,使實施例1所使用的附有光阻膜之玻璃基 板浸漬,以目視觀察光阻膜消失的時間作爲光阻膜的剝離 時間,由光阻膜厚而決定剝離速度。重複該測試,對剝離 液中的光阻成分濃度求出剝離速度,結果收集於表9。 <表9>實施例7之因光阻成分濃度之剝離速度 光阻成分濃度/% 0 0.5 1.0 2.5 5.0 剝離液組成 剝 離速度(μιη/分) 表1 60 60 20 <5 <5 表6 60 60 30 10 <5 -21 - 200921303 表6的胺系剝離液,比表1之非胺系剝離液,較難受 到溶解的光阻成分的影響,但濃度超過2%時,光阻剝離 速度都顯示急遽下降。 <比較例1 > 除使用相同材質、平均細孔徑1 nm、劃分分子量爲 7 0 0之陶瓷過濾器作爲過濾器外,以與實施例1相同的運 轉方法,進行光阻剝離。 <表1〇>比較例1的剝離槽內的光PJ 誠分濃虔 運轉時間 〇分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阴〖卜銮(%) 97 97 97 97 剝離槽1濃度 0 1.3 2.1 2.8 3.1 剝離槽2濃度 0 1.2 2.0 2.6 2.9 剝離槽3濃度 0 1.1 1.8 2.4 2.7 過濾液流出速度(L/h . m2) 2 1 0.5 0.5 0.4 (光阻濃度的單位爲質量%) 因劃分分子量太小,在發明的範圍外,與實施例1比 較,阻止率變大。但是,因過濾液流出速度極小,含有光 阻成分的剝離液中光阻成分濃度急遽變高,超過2 %。 <比較例2 > 除使用相同材質、平均細孔徑 1 Onm、劃分分子量爲 1 0000之陶瓷過濾器作爲過濾器外,以與實施例1相同的 運轉方法,進行光阻剝離。 -22- 200921303 <表11 >比較例2的剝離槽內的光PJ 诚分濃度 運轉時間 0分 100分 1000 分 2000 分 3000 分 阻止率(%) 45 47 47 48 剝離槽1濃度 0 2.9 2.8 2.8 2.8 剝離槽2濃度 0 2.5 2.4 2.4 2.4 剝離槽3濃度 0 2.4 2.3 2.3 2.3 過瀘液流出速度(L/h · m2) 28 27 25 25 25 (光阻濃度的單位爲質量%) 因劃分分子量太大,在發明的範圍外,與實施例1比 較,雖然過濾液流出速度變大,但阻止率變得非常小,含 有光阻成分的剝離液中光阻成分濃度變高,超過2%。 <比較例3 > 除使用劃分分子量爲2000之聚醯胺過濾器作爲過濾 器外,以與實施例1相同的運轉方法,進行光阻剝離。 但是,因係爲有機系過濾器,運轉開始後5分鐘,無 法施以濃縮剝離液管線與處理剝離液管線的壓差,而分解 奈米過濾器時,發現中空系變大膨脹而破裂,失去過濾功 能。 [產業上的利用可能性] 藉由本發明的光阻剝離液之連續使用系統,可減少半 導體、液晶、印刷配線基板等的電子零件的製造過程之剝 離液的交換頻率,可減少廢液量、剝離液新液的使用量, 可使電子零件的製造效率增加、減少製造成本。 -23- 200921303 【圖式簡單說明】 圖1係爲本發明之連續使用光阻剝離液之光阻剝離裝 置的槪念圖。 【主要元件符號說明】 1 :剝離槽1 2 :剝離槽2 3 :剝離槽3 4 :濃縮剝離液的循環用槽 5 :奈米過濾器 6 :附有光阻的基板 7 :附有光阻的基板之投入方向 8 :藉由剝離液噴灑之光阻剝離 9 :光阻剝離後基板的取出 1 〇 :濃縮剝離液 1 1 :處理剝離液 1 2 :濃縮剝離液的一部分排出 1 3 :剝離液新液的補充 -24-

Claims (1)

  1. 200921303 十、申請專利範圍 1 ·一種光阻剝離系統,其特徵爲具備 光阻剝離液的全部量爲1 〇 0質量%的情況下, 8 0質量%以上的有機化合物之光阻剝離液剝離正型 之第一步驟,以及將含有光阻成分的剝離液,以細 2〜5nm、劃分分子量爲1〇〇〇〜4000之陶瓷過濾器 流過濾(cross flow filtering)之第二步驟,其中 於第二步驟中,以阻止率7 0 %以上的條件,使 阻成分之經處理剝離液,藉由於第一步驟再使用, 第一步驟之光阻剝離液中光阻成分的濃度在2質 下。 2 .如申請專利範圍第1項之光阻剝離系統,g) 備 對第二步驟中被處理的處理剝離液,追加不含 剝離液新液後供應予第一步驟之第三步驟,以及 將第一步驟中光阻成分被濃縮之濃縮剝離液, 供應予弟—步驟g|j,每一定時間排出系統外或以一 排出系統外之第四步驟。 3 _如申請專利範圍第2項之光阻剝離系統,其 流過濾中’與過濾器面平行之方向的剝離液的流速 m/s以上4m/s以下。 4 .如申請專利範圍第1項之光阻剝離系統,其 剝離液不含胺或鹼,p Η爲4以上9以下。 5 .如申請專利範圍第4項之光阻剝離系統,其 以含有 光阻膜 孔徑爲 進行錯 除去光 而保持 量%以 進而具 光阻的 於再度 定流速 中於錯 爲0.5 中光阻 進而具 -25- 200921303
    對第二步驟中被處理的處理剝離液,追加不食_ %卩且@ 剝離液新液後供應予第一步驟之第三步驟,以及 將第一步驟中光阻成分被濃縮之濃縮剝離液,於^再度 供應予第二步驟前,每一定時間排出系統外或以—定流速 排出系統外之第四步驟。 6 .如申請專利範圍第5項之光阻剝離系統,其中於錯 流過濾中’與過濾器面平行之方向的剝離液的流速爲〇. 5 m/s以上4m/s以下。 7 ·如申請專利範圍第丨至6項中任一項之光阻剝離系 統’其中光阻成分爲於苯酚漆用酚醛樹脂及/或甲酚漆用 酉分醒樹脂中加入二疊氮基萘醌之正型光阻溶解於剝離液之 成分。 -26-
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5019393B2 (ja) * 2008-04-14 2012-09-05 東亞合成株式会社 導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法および除去装置
JP5303501B2 (ja) * 2010-03-25 2013-10-02 株式会社神鋼環境ソリューション 水処理方法及び水処理装置
JP5764899B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 凸版印刷株式会社 アルカリ剥離液の再生装置および方法
JP5985830B2 (ja) * 2011-02-28 2016-09-06 野村マイクロ・サイエンス株式会社 レジスト剥離剤及びレジスト剥離性能評価方法
JP5809444B2 (ja) * 2011-05-20 2015-11-10 パナソニック株式会社 フォトレジスト用剥離液
SG10201600487WA (en) * 2011-05-20 2016-02-26 Panasonic Ip Man Co Ltd Photoresist stripping solution, stripping solution recycling system and operating method, and method for recycling stripping solution
TWI535494B (zh) * 2011-12-23 2016-06-01 友達光電股份有限公司 光阻剝離液的供應系統及其供應方法
JP6054343B2 (ja) * 2012-08-07 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6045283B2 (ja) * 2012-10-11 2016-12-14 日本リファイン株式会社 レジスト剥離液の再生方法および再生装置
JP2018054969A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 住友理工株式会社 印刷版の現像方法および現像装置
JP2018053176A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日立化成株式会社 樹脂の分離方法
JP2018053175A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日立化成株式会社 溶解処理装置及び溶解処理方法
CN108054119B (zh) * 2017-12-06 2021-03-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于剥离工艺的剥离液机台及其工作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132514A (ja) * 1985-12-03 1987-06-15 Ngk Insulators Ltd クロスフロ−濾過器
JP2000005546A (ja) * 1998-06-25 2000-01-11 Sumitomo Chem Co Ltd 電子工業用薬品中の微粒子除去方法
JP3728945B2 (ja) * 1998-10-30 2005-12-21 オルガノ株式会社 フォトレジスト現像廃液からの現像液の回収再利用方法及び装置
JP2001228635A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Sumitomo Chem Co Ltd 電子部品用処理液の製造装置及び製造方法
US7410606B2 (en) * 2001-06-05 2008-08-12 Appleby Michael P Methods for manufacturing three-dimensional devices and devices created thereby
US7518136B2 (en) * 2001-12-17 2009-04-14 Tecomet, Inc. Devices, methods, and systems involving cast computed tomography collimators
US6752545B2 (en) * 2001-08-16 2004-06-22 Nagase & Co., Ltd. Alkali-based treating liquid, treating liquid adjusting method and equipment, treating liquid supplying method and equipment
JP2003167358A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Nagase & Co Ltd レジスト剥離廃液の再生装置及び再生方法
JP2004101999A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Mitsubishi Chemical Engineering Corp 現像液のリサイクル供給装置
JP4010938B2 (ja) * 2002-12-25 2007-11-21 旭有機材工業株式会社 分子量分布を制御したフェノール樹脂の製造方法
JP2006210751A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Mitsubishi Chemical Engineering Corp シンナーのリサイクル供給装置
JP4771049B2 (ja) * 2005-03-29 2011-09-14 栗田工業株式会社 硫酸リサイクル型洗浄システム
WO2006137194A1 (ja) * 2005-06-22 2006-12-28 Toagosei Co., Ltd. 基体表面上の有機被膜の除去方法および除去装置
JP5048371B2 (ja) * 2007-03-29 2012-10-17 日本碍子株式会社 セラミック多孔質膜の製造方法及びセラミックフィルタの製造方法

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