JP2001228635A - 電子部品用処理液の製造装置及び製造方法 - Google Patents
電子部品用処理液の製造装置及び製造方法Info
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- JP2001228635A JP2001228635A JP2000037587A JP2000037587A JP2001228635A JP 2001228635 A JP2001228635 A JP 2001228635A JP 2000037587 A JP2000037587 A JP 2000037587A JP 2000037587 A JP2000037587 A JP 2000037587A JP 2001228635 A JP2001228635 A JP 2001228635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物である金属成分の濃度が極めて低く、
よって半導体等の製造プロセスに最適に使用し得る高純
度の電子部品用処理液を得ることができる電子部品用処
理液の製造装置及び電子部品用処理液の製造方法を提供
する。 【解決手段】 混合槽内に二以上の薬品を投入し混合す
る工程を含む電子部品用処理液の製造装置であって、少
なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交換樹脂又
はキレート樹脂が充填されたイオン交換樹脂又はキレー
ト樹脂処理塔が含まれている電子部品用処理液の製造装
置。
よって半導体等の製造プロセスに最適に使用し得る高純
度の電子部品用処理液を得ることができる電子部品用処
理液の製造装置及び電子部品用処理液の製造方法を提供
する。 【解決手段】 混合槽内に二以上の薬品を投入し混合す
る工程を含む電子部品用処理液の製造装置であって、少
なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交換樹脂又
はキレート樹脂が充填されたイオン交換樹脂又はキレー
ト樹脂処理塔が含まれている電子部品用処理液の製造装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用処理液
の製造装置及び電子部品用処理液の製造方法に関するも
のである。更に詳しくは、本発明は、不純物である金属
成分の濃度が極めて低く、よって半導体等の製造プロセ
スに最適に使用し得る高純度の電子部品用処理液を得る
ことができる電子部品用処理液の製造装置及び電子部品
用処理液の製造方法に関するものである。
の製造装置及び電子部品用処理液の製造方法に関するも
のである。更に詳しくは、本発明は、不純物である金属
成分の濃度が極めて低く、よって半導体等の製造プロセ
スに最適に使用し得る高純度の電子部品用処理液を得る
ことができる電子部品用処理液の製造装置及び電子部品
用処理液の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体等の製造プロセスにおいて、基板
洗浄、レジスト残渣除去等の用途に各種の電子部品用処
理液が用いられる。ここで用いられる電子部品用処理液
は、その目的とする汚染物質の除去性能の高さ等ととも
にその洗浄液自身が高度に清浄で純粋であることが要求
される。特にアルカリ性の処理液ではその液中に鉄イオ
ンやアルミニウムイオンや銅イオンといった金属不純物
が存在すると、ウェハ上に付着するため、得られる半導
体の信頼性を著しく低下させることになるので液中の金
属不純物は少ないほうが望ましいことが知られている。
もちろん酸性又は中性の洗浄液においても金属不純物が
少ないにこしたことはない。一方で半導体の信頼性に対
する要求水準の高度化とともに、不純物がより低い水準
に制御された高純度の電子部品用処理液が必要とされて
おり、電子部品用処理液の種類にもよるが、少なくとも
金属含有量が１０重量ｐｐｂ未満更には１重量ｐｐｂ未
満であることが要求されている。
洗浄、レジスト残渣除去等の用途に各種の電子部品用処
理液が用いられる。ここで用いられる電子部品用処理液
は、その目的とする汚染物質の除去性能の高さ等ととも
にその洗浄液自身が高度に清浄で純粋であることが要求
される。特にアルカリ性の処理液ではその液中に鉄イオ
ンやアルミニウムイオンや銅イオンといった金属不純物
が存在すると、ウェハ上に付着するため、得られる半導
体の信頼性を著しく低下させることになるので液中の金
属不純物は少ないほうが望ましいことが知られている。
もちろん酸性又は中性の洗浄液においても金属不純物が
少ないにこしたことはない。一方で半導体の信頼性に対
する要求水準の高度化とともに、不純物がより低い水準
に制御された高純度の電子部品用処理液が必要とされて
おり、電子部品用処理液の種類にもよるが、少なくとも
金属含有量が１０重量ｐｐｂ未満更には１重量ｐｐｂ未
満であることが要求されている。
【０００３】ところで、従来は電子部品用処理液とし
て、高純度な過酸化水素水、アンモニア水、水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液等が使用されてきたが、銅
配線等の新技術の進展や微細化の進展により上記の薬液
に各種金属腐食防止剤や界面活性剤や洗浄促進成分等の
添加剤が混合されて用いられるようになってきた。しか
しながらこれらの添加剤は電子部品製造用として製造さ
れたものではないので、金属不純物が高濃度に含まれて
いるのが一般的である。すなわち過酸化水素水やアンモ
ニア水や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液が高純
度であっても、最終製品としては、添加剤が加えられる
ことによって金属不純物濃度が高くなってしまい、上記
の高度な要求水準に照らすとき、必ずしも満足し得るも
のとは言い難いものであった。
て、高純度な過酸化水素水、アンモニア水、水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液等が使用されてきたが、銅
配線等の新技術の進展や微細化の進展により上記の薬液
に各種金属腐食防止剤や界面活性剤や洗浄促進成分等の
添加剤が混合されて用いられるようになってきた。しか
しながらこれらの添加剤は電子部品製造用として製造さ
れたものではないので、金属不純物が高濃度に含まれて
いるのが一般的である。すなわち過酸化水素水やアンモ
ニア水や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液が高純
度であっても、最終製品としては、添加剤が加えられる
ことによって金属不純物濃度が高くなってしまい、上記
の高度な要求水準に照らすとき、必ずしも満足し得るも
のとは言い難いものであった。
【０００４】金属不純物を除去する手段としてイオン交
換樹脂又はキレート樹脂処理が知られているが、アンモ
ニア水や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のよう
なＯＨイオン濃度が高い溶液や塩酸などのＨイオン濃度
が高い溶液ではイオン交換樹脂又はキレート樹脂で処理
しても金属濃度があまり下がらないという問題点があっ
た。また混合してから樹脂塔に通液するということは処
理量が多くなるので樹脂塔を大きくしなければならない
という経済的な問題点があった。
換樹脂又はキレート樹脂処理が知られているが、アンモ
ニア水や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のよう
なＯＨイオン濃度が高い溶液や塩酸などのＨイオン濃度
が高い溶液ではイオン交換樹脂又はキレート樹脂で処理
しても金属濃度があまり下がらないという問題点があっ
た。また混合してから樹脂塔に通液するということは処
理量が多くなるので樹脂塔を大きくしなければならない
という経済的な問題点があった。
【０００５】不純物を除去する手段として、イオン交換
法以外に、蒸留法、再結晶法、抽出法等もあるが、装置
が大型になったり、工程が複雑化する等、経済的に不利
であるという問題点があった。
法以外に、蒸留法、再結晶法、抽出法等もあるが、装置
が大型になったり、工程が複雑化する等、経済的に不利
であるという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる現状において本
発明が解決しようとする課題は、不純物である金属成分
の濃度が低く、よって半導体等の製造プロセスに最適に
使用し得る高純度の電子部品用処理液を得ることができ
る電子部品用処理液の製造装置及び電子部品用処理液の
製造方法を提供する点にある。
発明が解決しようとする課題は、不純物である金属成分
の濃度が低く、よって半導体等の製造プロセスに最適に
使用し得る高純度の電子部品用処理液を得ることができ
る電子部品用処理液の製造装置及び電子部品用処理液の
製造方法を提供する点にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を重
ねた結果、電子部品用処理液の成分のうち不純物を含有
する成分のみをイオン交換樹脂処理又はキレート樹脂処
理した後、混合槽内に投入することで、上記の課題を解
決し、高純度な電子部品用処理液を製造できるという事
実を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明のうち一の発明は、混合槽内に二以上の薬品を投入
し混合する工程を含む電子部品用処理液の製造装置であ
って、少なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交
換樹脂又はキレート樹脂が充填された処理塔が含まれて
いる電子部品用処理液の製造装置に係るものである。ま
た、本発明のうち第二の発明は、上記の製造装置を用い
る電子部品用処理液の製造方法に係るものである。
ねた結果、電子部品用処理液の成分のうち不純物を含有
する成分のみをイオン交換樹脂処理又はキレート樹脂処
理した後、混合槽内に投入することで、上記の課題を解
決し、高純度な電子部品用処理液を製造できるという事
実を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明のうち一の発明は、混合槽内に二以上の薬品を投入
し混合する工程を含む電子部品用処理液の製造装置であ
って、少なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交
換樹脂又はキレート樹脂が充填された処理塔が含まれて
いる電子部品用処理液の製造装置に係るものである。ま
た、本発明のうち第二の発明は、上記の製造装置を用い
る電子部品用処理液の製造方法に係るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の対象とし得る電子部品用
処理液は、半導体又は液晶製造プロセスにおいて洗浄処
理、エッチング処理、レジスト剥離処理等に使用される
薬品をいい、アンモニア水、過酸化水素水、塩酸、硝
酸、リン酸、フッ酸、フッ化アンモニウム等の無機薬
品、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノール
アミン、トリエタノールアミン、１−アミノ２−プロパ
ノール等の有機アミン類、しゅう酸、酢酸、ぎ酸等の有
機酸類、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノ
ール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、ペンタ
ノール、エチレングリコール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
オキサン等のエーテル類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
等のグリコールモノエーテル類、ジメチルスルホキシド
等のスルホキシド類、スルホラン等のスルホラン類、ジ
メチルイミダゾリジノン、４、５−ジヒドロキシ−２−
イミダゾリジノン、４、５−ジヒドロキシ−１、３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン等の環状尿素化合物、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等
のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類、酢酸
ブチル、乳酸メチル等のエステル類、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類、カテコール等の芳
香族ヒドロキシ化合物やエチレンジアミン４酢酸や各種
ホスホン酸等の金属キレート剤、ベンゾトリアゾール、
チオグリセロール等の銅腐食防止剤、ポリエチレンイミ
ン等のタングステン腐食防止剤、オキシエチレン基とオ
キシプロピレン基との共重合体等のシリコン腐食防止
剤、各種界面活性剤、消泡剤、又はこれらの水溶液を２
以上混合した薬品が例示される。本発明でいう薬品には
純水、脱イオン水、蒸留水等の水は含まないが、もちろ
ん純水、脱イオン水、蒸留水等の水を使用してもよい。
処理液は、半導体又は液晶製造プロセスにおいて洗浄処
理、エッチング処理、レジスト剥離処理等に使用される
薬品をいい、アンモニア水、過酸化水素水、塩酸、硝
酸、リン酸、フッ酸、フッ化アンモニウム等の無機薬
品、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノール
アミン、トリエタノールアミン、１−アミノ２−プロパ
ノール等の有機アミン類、しゅう酸、酢酸、ぎ酸等の有
機酸類、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノ
ール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、ペンタ
ノール、エチレングリコール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
オキサン等のエーテル類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
等のグリコールモノエーテル類、ジメチルスルホキシド
等のスルホキシド類、スルホラン等のスルホラン類、ジ
メチルイミダゾリジノン、４、５−ジヒドロキシ−２−
イミダゾリジノン、４、５−ジヒドロキシ−１、３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン等の環状尿素化合物、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等
のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類、酢酸
ブチル、乳酸メチル等のエステル類、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類、カテコール等の芳
香族ヒドロキシ化合物やエチレンジアミン４酢酸や各種
ホスホン酸等の金属キレート剤、ベンゾトリアゾール、
チオグリセロール等の銅腐食防止剤、ポリエチレンイミ
ン等のタングステン腐食防止剤、オキシエチレン基とオ
キシプロピレン基との共重合体等のシリコン腐食防止
剤、各種界面活性剤、消泡剤、又はこれらの水溶液を２
以上混合した薬品が例示される。本発明でいう薬品には
純水、脱イオン水、蒸留水等の水は含まないが、もちろ
ん純水、脱イオン水、蒸留水等の水を使用してもよい。
【０００９】本発明でいうレジスト剥離剤とはフォトレ
ジスト除去の用途で使用されるものだけでなく、エッチ
ング及び/あるいはアッシング後に残留している残さ物
除去の用途で使用されるものも含む概念である。
ジスト除去の用途で使用されるものだけでなく、エッチ
ング及び/あるいはアッシング後に残留している残さ物
除去の用途で使用されるものも含む概念である。
【００１０】本発明でいう金属腐食防止剤含有アルカリ
水溶液とは溶液のｐＨが８．０以上で、アルミニウム、
銅、シリコン、タングステン等の半導体基板や液晶基板
で使用される金属の酸化、腐食、劣化、変性を防止する
成分を含有する水溶液のことである。
水溶液とは溶液のｐＨが８．０以上で、アルミニウム、
銅、シリコン、タングステン等の半導体基板や液晶基板
で使用される金属の酸化、腐食、劣化、変性を防止する
成分を含有する水溶液のことである。
【００１１】本発明の製造装置は図１に示すように、混
合槽（９）及び薬品を混合槽に投入するための投入ライ
ンの少なくとも１つの途中に設置されたイオン交換樹脂
又はキレート樹脂処理塔（５）を有する。
合槽（９）及び薬品を混合槽に投入するための投入ライ
ンの少なくとも１つの途中に設置されたイオン交換樹脂
又はキレート樹脂処理塔（５）を有する。
【００１２】本発明の製造装置として使用される混合槽
の大きさや形状に特に制限はなく、１００ｍｌ〜２０Ｌ
の小型容器や２００Ｌ程度の大きさのドラム缶や１００
Ｌ〜５０ｍ3の円筒縦型圧力タンク等が用いられる。ま
た、混合により生じる熱を除去する目的で冷却ジャケッ
トや熱交換器等の冷却装置を設置してもよい。逆に、溶
解、混合を促進したり、凍結を防止する等の目的で保温
ジャケットや熱交換器等の加熱装置を設置してもよい。
薬品の混合手段としては自然拡散によるものの他に、攪
拌羽による攪拌、窒素や空気によるバブリングやポンプ
循環による攪拌等があり、使用する薬品の性質により使
い分け又は併用すればよい。混合槽の気相部は汚染等の
品質の劣化や着火や引火等を防止するために高純度空気
や窒素等の不活性ガスでシールしてもよい。特に開口部
から直接薬品を投入する場合等は装置本体をクリーンル
ームやクリーンブース等の汚染のない環境に設置した
り、開口部に局所クリーン装置を設置したりするなどし
て汚染のないよう留意した方がよい。
の大きさや形状に特に制限はなく、１００ｍｌ〜２０Ｌ
の小型容器や２００Ｌ程度の大きさのドラム缶や１００
Ｌ〜５０ｍ3の円筒縦型圧力タンク等が用いられる。ま
た、混合により生じる熱を除去する目的で冷却ジャケッ
トや熱交換器等の冷却装置を設置してもよい。逆に、溶
解、混合を促進したり、凍結を防止する等の目的で保温
ジャケットや熱交換器等の加熱装置を設置してもよい。
薬品の混合手段としては自然拡散によるものの他に、攪
拌羽による攪拌、窒素や空気によるバブリングやポンプ
循環による攪拌等があり、使用する薬品の性質により使
い分け又は併用すればよい。混合槽の気相部は汚染等の
品質の劣化や着火や引火等を防止するために高純度空気
や窒素等の不活性ガスでシールしてもよい。特に開口部
から直接薬品を投入する場合等は装置本体をクリーンル
ームやクリーンブース等の汚染のない環境に設置した
り、開口部に局所クリーン装置を設置したりするなどし
て汚染のないよう留意した方がよい。
【００１３】本発明で混合される薬品の定量方法として
は混合槽に計重機を設置し測定する方法、投入ラインに
設置された流量計により測定する方法、あらかじめ原料
として投入される薬品の重量を測定して分取してから投
入する方法等がある。
は混合槽に計重機を設置し測定する方法、投入ラインに
設置された流量計により測定する方法、あらかじめ原料
として投入される薬品の重量を測定して分取してから投
入する方法等がある。
【００１４】本発明の製造装置として使用される薬品の
投入ラインは薬品毎に設置してもよいし、兼用してもよ
い。粉体又は高粘度の薬品等は別の混合槽で水等の溶媒
に溶解させてから投入ラインを経て投入してもよいし、
直接混合槽に投入してもよいが、その薬品がイオン交換
又はキレート処理すべき場合は図２に示すように別の混
合槽で水等の溶媒に溶解させてからイオン交換樹脂又は
キレート樹脂処理塔にフィードするとよい。また図３に
示すようにイオン交換又はキレート処理する薬品とそう
でない薬品の投入をバルブ等の切替器を使用して切り替
えてもよい。イオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔で
処理された薬液は直接混合槽に投入してもよいし、図４
に示すように一旦、別の中継タンクや容器に受けた後に
あらためて混合槽に移送してもよい。薬品の投入又は移
送する手段としてはポンプによる手段以外に、重力差を
利用する手段、窒素又は空気の圧力で圧送する手段、槽
の開口部等から直接投入する手段等がある。薬品の投入
ラインにイオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔以外
に、ストレーナーや精密ろ過膜、限外ろ過膜、ナノフィ
ルトレーション膜、逆浸透膜等の膜を設置してもよい。
投入ラインは薬品毎に設置してもよいし、兼用してもよ
い。粉体又は高粘度の薬品等は別の混合槽で水等の溶媒
に溶解させてから投入ラインを経て投入してもよいし、
直接混合槽に投入してもよいが、その薬品がイオン交換
又はキレート処理すべき場合は図２に示すように別の混
合槽で水等の溶媒に溶解させてからイオン交換樹脂又は
キレート樹脂処理塔にフィードするとよい。また図３に
示すようにイオン交換又はキレート処理する薬品とそう
でない薬品の投入をバルブ等の切替器を使用して切り替
えてもよい。イオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔で
処理された薬液は直接混合槽に投入してもよいし、図４
に示すように一旦、別の中継タンクや容器に受けた後に
あらためて混合槽に移送してもよい。薬品の投入又は移
送する手段としてはポンプによる手段以外に、重力差を
利用する手段、窒素又は空気の圧力で圧送する手段、槽
の開口部等から直接投入する手段等がある。薬品の投入
ラインにイオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔以外
に、ストレーナーや精密ろ過膜、限外ろ過膜、ナノフィ
ルトレーション膜、逆浸透膜等の膜を設置してもよい。
【００１５】本発明で使用されるイオン交換樹脂又はキ
レート樹脂処理塔の形状には特に制限はなく、一般的な
ものを用いればよい。樹脂処理塔には薬品通液用のライ
ンだけでなく、出口に初期に樹脂塔内に満たされた溶媒
を置換パージするための分岐ラインを設けたり、水等の
溶媒による洗浄専用ラインやコンディショニング又は再
生用のラインを設けていてもよい。
レート樹脂処理塔の形状には特に制限はなく、一般的な
ものを用いればよい。樹脂処理塔には薬品通液用のライ
ンだけでなく、出口に初期に樹脂塔内に満たされた溶媒
を置換パージするための分岐ラインを設けたり、水等の
溶媒による洗浄専用ラインやコンディショニング又は再
生用のラインを設けていてもよい。
【００１６】混合槽で混合された電子部品用処理液はユ
ースポイントに直接移送されて使用されるか、容器に充
填された後ユースポイントへ運ばれて使用されるが、液
中の微粒子濃度を下げるために図５又は図６に示すよう
な装置であらかじめろ過処理を行ってから使用したり充
填したりする方が好ましい。ろ過フィルターとしては精
密ろ過膜や限外ろ過膜等がある。精密ろ過膜としては孔
径が０．０３〜１μｍのものが用いられるのが一般的で
ある。ろ過方法としては図５に示したようないわゆるワ
ンパスろ過でもよいが、図６に示すような循環ろ過を行
う方がより高純度の製品が得られる。ろ過をするための
原料タンクは図５に示したように混合槽と兼用する方式
でもよいが、図６に示すように一旦別のタンクに移送し
てからろ過処理を行う方式でもよい。
ースポイントに直接移送されて使用されるか、容器に充
填された後ユースポイントへ運ばれて使用されるが、液
中の微粒子濃度を下げるために図５又は図６に示すよう
な装置であらかじめろ過処理を行ってから使用したり充
填したりする方が好ましい。ろ過フィルターとしては精
密ろ過膜や限外ろ過膜等がある。精密ろ過膜としては孔
径が０．０３〜１μｍのものが用いられるのが一般的で
ある。ろ過方法としては図５に示したようないわゆるワ
ンパスろ過でもよいが、図６に示すような循環ろ過を行
う方がより高純度の製品が得られる。ろ過をするための
原料タンクは図５に示したように混合槽と兼用する方式
でもよいが、図６に示すように一旦別のタンクに移送し
てからろ過処理を行う方式でもよい。
【００１７】混合槽、樹脂塔、ろ過装置、配管等、本発
明で使用される製造装置の電子部品用処理液との接触面
の材質は不純物を溶出させない材料が用いられる。たと
えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼、ポリエチレン等の
ポリオレフィン系の樹脂、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ等のふっ素
樹脂、低溶出タイプの塩化ビニル樹脂、又は炭素鋼やス
テンレス鋼を該樹脂でライニング又はコーティングした
もの等があり、使用する薬品の種類によって適切なもの
が選択される。
明で使用される製造装置の電子部品用処理液との接触面
の材質は不純物を溶出させない材料が用いられる。たと
えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼、ポリエチレン等の
ポリオレフィン系の樹脂、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ等のふっ素
樹脂、低溶出タイプの塩化ビニル樹脂、又は炭素鋼やス
テンレス鋼を該樹脂でライニング又はコーティングした
もの等があり、使用する薬品の種類によって適切なもの
が選択される。
【００１８】本発明の製造装置を用いる電子部品用処理
液の製造方法を実施するに際し、装置の接液部に使用さ
れる材料は、使用に先立ち、あらかじめ洗浄を行うこと
により初期汚染を極力低減しておくことが好ましい。洗
浄方法は超純水洗浄、共液洗浄等が一般的である。洗浄
に用いられる薬液の純度としては初期においてはそれほ
ど高純度のものは必要はないが、後期においてはできる
だけ高純度の薬液を用いる方が好ましい。共液洗浄に際
して、まず低濃度の薬品で洗浄を行った後に使用濃度の
薬品で洗浄を行ってもよい。また、共液以外に、粒子汚
染防止のために中性洗剤を使用したり、有機物除去のた
めに溶剤を使用したり、金属除去のために塩酸、硫酸等
の酸を使用したりすることがあるが、こういった異種薬
品を用いる場合には洗浄液の残分が製品中に混入しない
ように、その後の洗浄を一層綿密に行う必要がある。
液の製造方法を実施するに際し、装置の接液部に使用さ
れる材料は、使用に先立ち、あらかじめ洗浄を行うこと
により初期汚染を極力低減しておくことが好ましい。洗
浄方法は超純水洗浄、共液洗浄等が一般的である。洗浄
に用いられる薬液の純度としては初期においてはそれほ
ど高純度のものは必要はないが、後期においてはできる
だけ高純度の薬液を用いる方が好ましい。共液洗浄に際
して、まず低濃度の薬品で洗浄を行った後に使用濃度の
薬品で洗浄を行ってもよい。また、共液以外に、粒子汚
染防止のために中性洗剤を使用したり、有機物除去のた
めに溶剤を使用したり、金属除去のために塩酸、硫酸等
の酸を使用したりすることがあるが、こういった異種薬
品を用いる場合には洗浄液の残分が製品中に混入しない
ように、その後の洗浄を一層綿密に行う必要がある。
【００１９】本発明で使用されるイオン交換樹脂又はキ
レート樹脂としては強酸性カチオン交換樹脂、弱酸性カ
チオン交換樹脂、強塩基性アニオン交換樹脂、弱塩基性
アニオン交換樹脂、イミノジ酢酸型キレート樹脂、ホス
ホン酸型キレート樹脂、ポリアミン型キレート樹脂等が
あげられる。カチオン交換樹脂やキレート樹脂は通常Ｎ
ａ型やＣａ型で市販されている樹脂を鉱酸でコンディシ
ョニングしてＨ型に調製して用いられるが、Ｈ型で市販
されている樹脂を使用してもよい。カチオン交換樹脂の
例としては三菱化学社製ダイヤイオンＳＫ１Ｂ、ＨＰＫ
２５、ローム＆ハース社製デュオライトＣ−２０、Ｃ−
２０Ｈ、ＣＨＰ、Ｃ−２６５、Ｃ−４３３、Ｃ−４７
６、オルガノ社製アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ、ＥＳ
Ｇ−Ｋ、ダウ社製モノスフィア６５０Ｃ等があげられ
る。キレート樹脂の例としては三菱化学社製ＣＲ−１
０、ＣＲ−１１、ＣＲ−２１、ローム＆ハース社製デュ
オライトＣ−４６７、住友化学製ＭＣ−７００等があげ
られる。アニオン交換樹脂は通常Ｃｌ型で市販されてお
り、これをＯＨ型に変換して用いるのが一般的である
が、ＯＨ型で市販されている樹脂をそのまま用いてもよ
い。アニオン交換樹脂の例としては三菱化学社製ダイヤ
イオンＳＡ−１０Ａ、ＳＡ−２０Ａ、オルガノ社製アン
バーライトＩＲＡ−４０２ＢＬ、ＥＳＧ−Ａ、ローム＆
ハース社製デュオライトＡ−１１３、Ａ−１６１、Ａ−
３６８、Ａ−３７５、ダウ社製モノスフィア５５０Ａ等
があげられる。
レート樹脂としては強酸性カチオン交換樹脂、弱酸性カ
チオン交換樹脂、強塩基性アニオン交換樹脂、弱塩基性
アニオン交換樹脂、イミノジ酢酸型キレート樹脂、ホス
ホン酸型キレート樹脂、ポリアミン型キレート樹脂等が
あげられる。カチオン交換樹脂やキレート樹脂は通常Ｎ
ａ型やＣａ型で市販されている樹脂を鉱酸でコンディシ
ョニングしてＨ型に調製して用いられるが、Ｈ型で市販
されている樹脂を使用してもよい。カチオン交換樹脂の
例としては三菱化学社製ダイヤイオンＳＫ１Ｂ、ＨＰＫ
２５、ローム＆ハース社製デュオライトＣ−２０、Ｃ−
２０Ｈ、ＣＨＰ、Ｃ−２６５、Ｃ−４３３、Ｃ−４７
６、オルガノ社製アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ、ＥＳ
Ｇ−Ｋ、ダウ社製モノスフィア６５０Ｃ等があげられ
る。キレート樹脂の例としては三菱化学社製ＣＲ−１
０、ＣＲ−１１、ＣＲ−２１、ローム＆ハース社製デュ
オライトＣ−４６７、住友化学製ＭＣ−７００等があげ
られる。アニオン交換樹脂は通常Ｃｌ型で市販されてお
り、これをＯＨ型に変換して用いるのが一般的である
が、ＯＨ型で市販されている樹脂をそのまま用いてもよ
い。アニオン交換樹脂の例としては三菱化学社製ダイヤ
イオンＳＡ−１０Ａ、ＳＡ−２０Ａ、オルガノ社製アン
バーライトＩＲＡ−４０２ＢＬ、ＥＳＧ−Ａ、ローム＆
ハース社製デュオライトＡ−１１３、Ａ−１６１、Ａ−
３６８、Ａ−３７５、ダウ社製モノスフィア５５０Ａ等
があげられる。
【００２０】本発明で使用されるイオン交換樹脂及びキ
レート樹脂はいずれかの樹脂を単独で用いてもよいが、
混床樹脂のようにカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂
とを組み合わせたりキレート樹脂とアニオン樹脂を組み
合わせる等、２種類以上の樹脂を組み合わせて使用して
もよい。またより高度に精製する目的で多段で通液を行
ってもよい。２以上の薬品についてイオン交換樹脂又は
キレート樹脂処理を行う場合、それぞれの薬品中の金属
を効率よく除去する目的で、それぞれ異なる樹脂を使用
してもよい。
レート樹脂はいずれかの樹脂を単独で用いてもよいが、
混床樹脂のようにカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂
とを組み合わせたりキレート樹脂とアニオン樹脂を組み
合わせる等、２種類以上の樹脂を組み合わせて使用して
もよい。またより高度に精製する目的で多段で通液を行
ってもよい。２以上の薬品についてイオン交換樹脂又は
キレート樹脂処理を行う場合、それぞれの薬品中の金属
を効率よく除去する目的で、それぞれ異なる樹脂を使用
してもよい。
【００２１】本発明でイオン交換樹脂又はキレート樹脂
が破過した場合はイオン交換樹脂又はキレート樹脂を再
生して使用してもよいし、新品の樹脂と交換してもよ
い。ただしキレート樹脂の種類によっては金属との結合
力が強いために、再生が不可能な場合があり、その時は
新品の樹脂と交換しなければならない。
が破過した場合はイオン交換樹脂又はキレート樹脂を再
生して使用してもよいし、新品の樹脂と交換してもよ
い。ただしキレート樹脂の種類によっては金属との結合
力が強いために、再生が不可能な場合があり、その時は
新品の樹脂と交換しなければならない。
【００２２】イオン交換樹脂又はキレート樹脂のコンデ
ィショニング又は再生は精製塔と同じ塔で行ってもよい
し、別のコンディショニング又は再生専用の樹脂塔で行
ってもよい。カチオン交換樹脂又はキレート樹脂のコン
ディショニング又は再生の方法は一般には０．５〜６規
定濃度の塩酸水溶液、硫酸水溶液等の鉱酸水溶液を通液
後、水等の溶媒で洗浄することにより行われる。アニオ
ン交換樹脂のコンディショニング又は再生の方法は一般
には０．５〜３規定濃度の水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ
の水溶液を通液後、水等の溶媒で洗浄することにより行
われる。場合によってはアルカリの水溶液を通液する前
に塩酸や硫酸等の鉱酸の水溶液により洗浄する工程を追
加してもよい。いずれの樹脂でもコンディショニング又
は再生の量は樹脂量のそれぞれ１倍〜５０倍の量が一般
的であるが、樹脂に吸着した不純物の量に応じて更に多
くしたり少なくしたりしてもよい。水等の溶媒による洗
浄は樹脂中に残存する不純物がなくなるまで行う必要が
あり、通常は樹脂量の５０倍以上行う。
ィショニング又は再生は精製塔と同じ塔で行ってもよい
し、別のコンディショニング又は再生専用の樹脂塔で行
ってもよい。カチオン交換樹脂又はキレート樹脂のコン
ディショニング又は再生の方法は一般には０．５〜６規
定濃度の塩酸水溶液、硫酸水溶液等の鉱酸水溶液を通液
後、水等の溶媒で洗浄することにより行われる。アニオ
ン交換樹脂のコンディショニング又は再生の方法は一般
には０．５〜３規定濃度の水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ
の水溶液を通液後、水等の溶媒で洗浄することにより行
われる。場合によってはアルカリの水溶液を通液する前
に塩酸や硫酸等の鉱酸の水溶液により洗浄する工程を追
加してもよい。いずれの樹脂でもコンディショニング又
は再生の量は樹脂量のそれぞれ１倍〜５０倍の量が一般
的であるが、樹脂に吸着した不純物の量に応じて更に多
くしたり少なくしたりしてもよい。水等の溶媒による洗
浄は樹脂中に残存する不純物がなくなるまで行う必要が
あり、通常は樹脂量の５０倍以上行う。
【００２３】本発明においてコンディショニング又は再
生で使用される薬液及び被処理薬品の通液温度は樹脂の
耐熱温度以下であればよいが、通常は常温以下で行うの
がよい。高濃度の鉱酸やアルカリ水溶液等を配管上で水
で希釈する場合や夏季は、温度が上昇してしまう場合が
あるので、その時は熱交換器等を使用して冷却してもよ
い。また通液速度は、通常はＳＶ（空間速度）で０．１
〜１００ｈｏｕｒ-1、好ましくは１〜１０ｈｏｕｒ-1で
あり、通液方向は上昇流で行っても下降流で行ってもよ
い。
生で使用される薬液及び被処理薬品の通液温度は樹脂の
耐熱温度以下であればよいが、通常は常温以下で行うの
がよい。高濃度の鉱酸やアルカリ水溶液等を配管上で水
で希釈する場合や夏季は、温度が上昇してしまう場合が
あるので、その時は熱交換器等を使用して冷却してもよ
い。また通液速度は、通常はＳＶ（空間速度）で０．１
〜１００ｈｏｕｒ-1、好ましくは１〜１０ｈｏｕｒ-1で
あり、通液方向は上昇流で行っても下降流で行ってもよ
い。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により説明
する。なお金属の定量はＩＣＰ発光法により行った。 実施例１ 図７に示す製造装置でレジスト剥離剤の製造を行った。
まず、ローム＆ハース製強酸性Ｈ型カチオン交換樹脂Ｃ
２０−Ｈを各５Ｌをカチオン交換樹脂塔（６）に充填
し、比抵抗１８．２ＭΩｃｍの超純水による洗浄を５０
Ｌ／ｈの速度で８時間行った。引き続きこの樹脂塔に環
状尿素化合物である４、５−ジヒドロキシ−１、３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）−２−イミダゾリジノンを１５
Ｌ／ｈの速度で下降流で通液した。最初の２時間の処理
液は廃棄した後、薬品投入ラインＡ（１）よりポリエチ
レン製の容量２０Ｌのプレ混合槽Ａ（７）３基にそれぞ
れ１５ｋｇ、１５ｋｇ、１４ｋｇ投入した（トータルで
４４ｋｇ）。次に薬品投入ラインＢ（２）より宇部興産
製高純度カテコールを各プレ混合槽Ａにそれぞれ３．５
ｋｇ、３．５ｋｇ、３ｋｇ（トータルで１０ｋｇ）を投
入し、攪拌溶解させた。これを薬品投入ラインＣ（３）
より混合槽（９）に全量投入した。薬品投入ラインＤ
（４）より、シプロ化成製ベンゾトリアゾール１ｋｇと
住友化学製Ｎ−メチル−２−ピロリドン２５ｋｇをプレ
混合槽Ｂ（８）に投入し、溶解混合した。これを薬品投
入ラインＣより混合槽に投入した。最後に薬品投入ライ
ンＣより日本触媒製モノエタノールアミン２０ｋｇを混
合槽に投入した。この混合液を０．０５μｍの孔径のろ
過フィルター（１２）で循環ろ過して微粒子を除去しつ
つ混合した後、製品容器（１５）に充填した。この時の
製品容器中の金属分の分析値は全金属１０重量ｐｐｂ以
下であった。
する。なお金属の定量はＩＣＰ発光法により行った。 実施例１ 図７に示す製造装置でレジスト剥離剤の製造を行った。
まず、ローム＆ハース製強酸性Ｈ型カチオン交換樹脂Ｃ
２０−Ｈを各５Ｌをカチオン交換樹脂塔（６）に充填
し、比抵抗１８．２ＭΩｃｍの超純水による洗浄を５０
Ｌ／ｈの速度で８時間行った。引き続きこの樹脂塔に環
状尿素化合物である４、５−ジヒドロキシ−１、３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）−２−イミダゾリジノンを１５
Ｌ／ｈの速度で下降流で通液した。最初の２時間の処理
液は廃棄した後、薬品投入ラインＡ（１）よりポリエチ
レン製の容量２０Ｌのプレ混合槽Ａ（７）３基にそれぞ
れ１５ｋｇ、１５ｋｇ、１４ｋｇ投入した（トータルで
４４ｋｇ）。次に薬品投入ラインＢ（２）より宇部興産
製高純度カテコールを各プレ混合槽Ａにそれぞれ３．５
ｋｇ、３．５ｋｇ、３ｋｇ（トータルで１０ｋｇ）を投
入し、攪拌溶解させた。これを薬品投入ラインＣ（３）
より混合槽（９）に全量投入した。薬品投入ラインＤ
（４）より、シプロ化成製ベンゾトリアゾール１ｋｇと
住友化学製Ｎ−メチル−２−ピロリドン２５ｋｇをプレ
混合槽Ｂ（８）に投入し、溶解混合した。これを薬品投
入ラインＣより混合槽に投入した。最後に薬品投入ライ
ンＣより日本触媒製モノエタノールアミン２０ｋｇを混
合槽に投入した。この混合液を０．０５μｍの孔径のろ
過フィルター（１２）で循環ろ過して微粒子を除去しつ
つ混合した後、製品容器（１５）に充填した。この時の
製品容器中の金属分の分析値は全金属１０重量ｐｐｂ以
下であった。
【００２５】比較例１ カチオン交換樹脂塔で処理しなかったほかは実施例１と
同様にしてレジスト剥離剤の製造を行った。この時の製
品容器中の金属分の分析値はＮａが３００重量ｐｐｍ、
Ａｌが１５００重量ｐｐｂ、Ｆｅが２０重量ｐｐｂ、Ｃ
ａが１５００重量ｐｐｂ、Ｍｇが４００重量ｐｐｂであ
った。
同様にしてレジスト剥離剤の製造を行った。この時の製
品容器中の金属分の分析値はＮａが３００重量ｐｐｍ、
Ａｌが１５００重量ｐｐｂ、Ｆｅが２０重量ｐｐｂ、Ｃ
ａが１５００重量ｐｐｂ、Ｍｇが４００重量ｐｐｂであ
った。
【００２６】実施例２ 図８に示す製造装置でシリコン腐食防止アンモニア水の
製造を行った。まず、薬品投入ラインＡ（１）より比抵
抗１８．２ＭΩｃｍの超純水を４ｋｇ、薬品投入ライン
Ｂ（２）より旭電化製ＥＯ／ＰＯ系界面活性剤（商品名
アデカプルロニックＴＲ７０４）１００ｇをプレ混合
槽Ａ（７）に投入し攪拌混合した。この液をローム＆ハ
ース製強酸性Ｈ型カチオン交換樹脂ＣＨＰが１００ｍｌ
充填されたカチオン交換樹脂処理塔（６）に５００ｍｌ
／ｈの速度で下降流で通液した。最初の２時間の処理液
を廃棄した後、薬品投入ラインＣ（３）より処理液を中
継タンク（１０）に受けた。この処理液を１ｋｇ分取
し、薬品投入ラインＤ（４）より混合槽（９）に投入し
た。次に薬品投入ラインＤより比抵抗１８．２ＭΩｃｍ
の超純水８ｋｇと住友化学製ＳＸ１グレード超高純度２
９％アンモニア水１ｋｇを投入し混合した。この混合槽
を窒素加圧ライン（１６）で加圧することにより、混合
液を０．１μｍの孔径のろ過フィルター（１２）でろ過
して微粒子を除去した後、製品容器（１５）に充填し
た。この時の製品容器中の金属分の分析値は全金属１重
量ｐｐｂ以下であった。
製造を行った。まず、薬品投入ラインＡ（１）より比抵
抗１８．２ＭΩｃｍの超純水を４ｋｇ、薬品投入ライン
Ｂ（２）より旭電化製ＥＯ／ＰＯ系界面活性剤（商品名
アデカプルロニックＴＲ７０４）１００ｇをプレ混合
槽Ａ（７）に投入し攪拌混合した。この液をローム＆ハ
ース製強酸性Ｈ型カチオン交換樹脂ＣＨＰが１００ｍｌ
充填されたカチオン交換樹脂処理塔（６）に５００ｍｌ
／ｈの速度で下降流で通液した。最初の２時間の処理液
を廃棄した後、薬品投入ラインＣ（３）より処理液を中
継タンク（１０）に受けた。この処理液を１ｋｇ分取
し、薬品投入ラインＤ（４）より混合槽（９）に投入し
た。次に薬品投入ラインＤより比抵抗１８．２ＭΩｃｍ
の超純水８ｋｇと住友化学製ＳＸ１グレード超高純度２
９％アンモニア水１ｋｇを投入し混合した。この混合槽
を窒素加圧ライン（１６）で加圧することにより、混合
液を０．１μｍの孔径のろ過フィルター（１２）でろ過
して微粒子を除去した後、製品容器（１５）に充填し
た。この時の製品容器中の金属分の分析値は全金属１重
量ｐｐｂ以下であった。
【００２７】比較例２ カチオン交換樹脂塔で処理しなかったほかは実施例２と
同様にしてシリコン腐食防止アンモニア水の製造を行っ
た。この時の製品容器中の金属分の分析値はＮａが２重
量ｐｐｂ、Ｋが３重量ｐｐｂであった。
同様にしてシリコン腐食防止アンモニア水の製造を行っ
た。この時の製品容器中の金属分の分析値はＮａが２重
量ｐｐｂ、Ｋが３重量ｐｐｂであった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明により、不
純物である金属成分の濃度が極めて低く、よって半導体
等の製造プロセスに最適に使用し得る高純度の電子部品
用処理液を得ることができる電子部品用処理液の製造装
置及び電子部品用処理液の製造方法を提供することがで
きた。
純物である金属成分の濃度が極めて低く、よって半導体
等の製造プロセスに最適に使用し得る高純度の電子部品
用処理液を得ることができる電子部品用処理液の製造装
置及び電子部品用処理液の製造方法を提供することがで
きた。
【図１】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図６】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
【図８】本発明による製造装置のフローの例を示す図で
ある。
ある。
１ 薬品投入ラインＡ ２ 薬品投入ラインＢ ３ 薬品投入ラインＣ ４ 薬品投入ラインＤ ５ イオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔 ６ カチオン交換樹脂処理塔 ７ プレ混合槽Ａ ８ プレ混合槽Ｂ ９ 混合槽 10 中継タンク 11 ろ過処理用タンク 12 ろ過フィルター 13 循環ろ過ライン 14 ユースポイント又は充填装置 15 製品容器 16 窒素加圧ライン 17 ポンプ
Claims (5)
- 【請求項１】 混合槽内に二以上の薬品を投入し混合す
る工程を含む電子部品用処理液の製造装置であって、少
なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交換樹脂又
はキレート樹脂が充填されたイオン交換樹脂又はキレー
ト樹脂処理塔が含まれている電子部品用処理液の製造装
置。 - 【請求項２】 混合された薬品をろ過する手段を備えた
請求項１記載の製造装置。 - 【請求項３】 電子部品用処理液がレジスト剥離剤であ
る請求項１又は２記載の製造装置。 - 【請求項４】 電子部品用処理液が金属腐食防止剤含有
アルカリ水溶液である請求項１又は２記載の製造装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のうちの一の製造装置を用
いる電子部品用処理液の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000037587A JP2001228635A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 電子部品用処理液の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000037587A JP2001228635A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 電子部品用処理液の製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001228635A true JP2001228635A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18561456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000037587A Withdrawn JP2001228635A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 電子部品用処理液の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001228635A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005517697A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ロデイア・シミ | 高純度のオルト−ジヒドロキシベンジル化合物の液体組成物の製造方法及び該組成物 |
| JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
| WO2009004988A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Toagosei Co., Ltd. | ナノろ過によるレジスト剥離液連続使用システム |
| WO2010125827A1 (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | ライオン株式会社 | 半導体用基板の洗浄方法および酸性溶液 |
| JP2016178103A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| WO2017175856A1 (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、その製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2019131629A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-04 | 日産化学株式会社 | 溶液中の金属不純物を除去する金属除去剤及び金属除去方法 |
| WO2019207995A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | オルガノ株式会社 | 液体中の金属除去方法及びアニオン交換樹脂混合ｈ型キレート樹脂 |
| JP7498530B1 (ja) | 2023-09-21 | 2024-06-12 | 室町ケミカル株式会社 | 有機溶媒の精製方法及び精製有機溶媒の製造方法、並びに有機溶媒の精製システム |
-
2000
- 2000-02-16 JP JP2000037587A patent/JP2001228635A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11480880B2 (en) | 2016-04-08 | 2022-10-25 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid, method of manufacturing treatment liquid, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device |
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| CN111801158A (zh) * | 2017-12-25 | 2020-10-20 | 日产化学株式会社 | 除去溶液中的金属杂质的金属除去剂及金属除去方法 |
| JPWO2019131629A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2020-12-24 | 日産化学株式会社 | 溶液中の金属不純物を除去する金属除去剤及び金属除去方法 |
| JP2019188300A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | オルガノ株式会社 | 液体中の金属除去方法及びアニオン交換樹脂混合ｈ型キレート樹脂 |
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| TWI827592B (zh) * | 2018-04-23 | 2024-01-01 | 日商奧璐佳瑙股份有限公司 | 液體中之金屬去除方法及陰離子交換樹脂混合h型螯合樹脂 |
| JP7498530B1 (ja) | 2023-09-21 | 2024-06-12 | 室町ケミカル株式会社 | 有機溶媒の精製方法及び精製有機溶媒の製造方法、並びに有機溶媒の精製システム |
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