TW200424724A - Thin film transistor array panel, manufacturing method thereof, and mask therefor - Google Patents

Description

200424724 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種薄膜電晶體陣列面板、其製造方法及 其光罩。 【先前技術】 液晶顯不器（LCD)是當今廣泛使用的平面顯示裝置之一 LCD包含兩個面板（已配備多個場產生電極）以及液晶（lc) 層（***在該等兩個面板之間）。]1(：：1)顯示器顯示影像的方式 為，將電壓施加該等場產生電極，以在LC層中產生電場， 所產生的電場決定Lc分子方向而調整入射光的偏光。 在各自面板上含有場產生電極的]^(：：1)之中，其中一種 LCD在一面板配置以矩陣方式排列的複數個像素電極，並 且配備-用於覆蓋另一面板之整個表面的行電極。達成 CD &像”肩不的方式為’將個別電壓施加至各自像素電極 。為了施加個別電壓，會將複數個三端子型薄膜電晶體連 值於口 1像素包極’亚且在面板上配備複數個閘極線(用於 、剧用“控制TFT的訊號）以及複數個資料線（用於將所要 施加的電壓傳輸至像素電極）。 適用於LCD的結構是一種包含 的分層式結構。”… “層及數層絕緣層 個不同導電二下間極線、資料線及像她 、/層(下文中稱為「閑極導體」、「資料導體及「 像素導體」）所剪& 、 一」 „ ，較佳方式為依序沈積該等導電#， 亚且使用絕緣層分隔。一個τ ^電層 —包極·一由該閘極 O:\91\91029.DOC4 200424724 $體所形成的閘電極；以及由該資料導體所形成的源電極 牙及包極。该源電極和該汲電極係藉由一半導體層（通常位 於其下）連接，並且會透過一絕緣層的一通孔將該汲電極連 接至該像素電極。 車乂佳方式為，閘極導體及資料導體係由含A1金屬所製成 Y例如，具有低電阻率的A1或A1合金，以便減少閘極線及 貝料線的訊旒延遲。像素電極通常係由透射型導電材料（例 如，氧化銦錫（lndium Tin 〇xide ; IT〇)及氧化銦辞（indium c 〇xlcie , ιζο))所製成，而得以在施加電壓時產生電場 及透射光線。 其間，介於含A1金屬與ITO或IZO之間的接觸會造成數項 問題，例如，侵蝕含八丨金屬及接觸電阻極大。 如上文所述，會透過絕緣體中的接觸通孔來連接一汲電 極及一像素電極。達成這項連接的彳Μ，在該絕緣體中 形成該通孔以曝露該汲電極的上層含刈金屬層之一部分， 错由毯覆敍刻去除該上層金屬；！的曝露部分以€露_接觸 特性良好的較下層，最後在其上形成該像素電極。然而， 毯覆蝕刻經常會因過度蝕刻位於該接觸通孔側壁下的該含 Α1金屬而產生底切。底切會造成在底切附近之後續形成的 像素電極有斷層或縱斷面不良。 【發明内容】 本發明提供一種薄膜電晶體陣列面板，其包括··一閘極 線，其形成在一絕緣基板上；一閘極絕緣層，其位於該閘 極線上；一半導體層，其位於該閘極絕緣層上；一資料線 O:\9I\91029.DOC4 200424724 ’其形成在該閘極絕緣層上，並且該資料線之一部分係沈 積該半導體層上；一鈍化層，其形成在該資料線上，並且 具有一第一接觸通孔以曝露該閘極線或該資料線之邊界的 至少一部分；以及一接觸輔件，其形成在該鈍化層上以及 該資料線之邊界的該曝露部分上； 較佳方式為，該閘極線、該資料線及該汲電極中至少一 項包括一由cr、MO或Mo合金製成的較下層膜以及一由… 或A1合金製成的較上層膜，以及較佳方式為，該接觸輔件 包括ITO或IZO並且接觸該較下層膜。 該薄膜電晶體陣列面板可進一步包括·· _汲電極，其與

該資料線分隔並且係形成在該閉極絕緣層及該半導體層I ;以及一像素電極，其形成在該鈍化層上並且透過一第二 接觸通孔連接至該沒電極。 q处π险，用於 阻隔光線；以及一裂縫圖案，其形成在該不透明區中並且 包括複數個裂縫’1中該等裂縫實質上是直線性，並且每 個裂缝的寬度及裂缝間距離在約08至2〇微米範圍内。 該等裂縫可具有多個凹處。 可將該光罩運用在製造薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括 -位於複數個訊號線交叉處的顯示區以及一位於該等訊號 狀末端部分配置處的周邊區。料ι縫可包括位於㈣ 不£中的多個第^一裂縫及位於兮闲、真 、 ，…… 周邊區中的多個第二裂縫 亚且忒寺弟一裂缝及該等第— 乐一衣縫的寬度和距離不同。 該等裂縫可包括位料顯示區和該周邊區中的多個第_ O:\91\91029.DOC4 200424724 裂缝及位於其餘區域中的多個第二裂缝，並且該等第一裂 縫及该等第二裂縫的寬度和距離不同。 本發明提供一種薄膜電晶體陣列面板製造方法，該方法 包括：在一絕緣基板上形成一閘極線；形成一閘極絕緣層 ，形成一半導體構件：形成一資料導電層，該資料導電層 包括一資料線及一汲電極；形成一鈍化層，該鈍化層具有 一第一接觸通孔，以曝露該汲電極的至少一部分以及位於 該汲電極邊緣附近之該閘極絕緣層的一部分；以及形成一 像素電極，該像素電極透過該接觸通孔連接至該汲電極； 其中會使用一光罩以微影法來圖案化該半導體構件與該鈍 化層之至少-$，該光罩具有複數個實質上直線性裂縫， 並且每個裂縫的寬度及裂縫間距離在約G.8至2.G微米範圍 内。 該光罩可包括一用於阻隔光線的第—以或、—配備用於 局部透射光線之多個裂縫的第二區域以及一用於完全透射 光線的第三區域。 5亥微影法可形成_ Π： U φ, ^ -欠、,、 J 正片先阻，該正片光阻包括一位於該 :貧料線上及該汲電極之—第—部分上的第一部分、一位於 之弟一 °卩刀上的弟二部分以及一位於該閘極線 之一末端部分上的第三部分。該綠之該第 小於該光阻之該第一部分 予度 八 刀的厗度，以及该光阻之該第三部 刀的厚度小於該光阻之該第二部分的厚度。 第可進一步包括一位於該資料線之-末端部分上的 ^ ’並且該光阻之該第四部分的厚度小於該光阻之 O:\91\91029.DOC4 -10- 200424724 該第一部分的厚度。 該方法可進一步舍社· /土 m /匕枯·使用該光阻執行蝕刻，以便曝露 位於3光阻之第_部分與第四部分下之該鈍化層的多個部 刀並且曝路位於该光阻之第三部分下之該問極絕緣層的 ^刀’以及去除该鈍化層之該等曝露部分及該閘極隔離 層，用於形成多個接觸通孔以曝露該閘極線及該資料線之 末端部分。 »亥等衣縫可包括相對應於該光阻之第二部分的多個第一 裂缝及相對應於該光阻之第四部分的多個第三裂缝，並且 該等第-裂缝及該等第二裂縫的寬度和距離不同。 藉由，微影法來圖案化該半導體構件與該鈍化層中至少一 項可包括：在_極絕緣層上沈積—半導體層；在該資料 導電層上沈積—絕緣層；在該絕緣層上形光阻；使用 該光阻執行蝕刻，以便曝露位於該光阻之第二部分與第四 部分下之該鈍化層的多個部分，並且曝露位於該光阻之第 三部分下之該問極絕緣層的—部分；去除該鈍化層之該等 曝露部分及該閘極隔離層’用於形成多個接觸通孔以曝露 該閘極線及該資料線之末端部分，並且曝露該半導體層之 多個部分；以及去除該半導體層的該等曝露部分，以構成 該半導體構件。 該半導體構件彳包純數個半導體部分，該等複數個半 導體部分在介於相鄰資料線之間的部分處互相分隔。 該薄膜電晶體包括一位於該閘極線交又於該資料線處的 顯示區以及一位於該閘極線和該資料線之末端部分配置處 O:\91\91029.DOC4 -11 - 200424724 的:邊區，該等裂縫包括位於該顯示區和該周邊區中的多 ，第4縫及位於其餘區域中的多個第二i缝，並且該等 第一裂縫及該等第二裂縫的寬度和距離不同。 言』極線和該資料導電層中至少-項包括-由。、-或 Μ'合金製成的較下層膜以及一由仏骑金製成的較上 層膜。 “汲電極可包括該較下層膜及該較 ------ 里且琢万法 V匕.先去除該汲電極之至少一部分的較上岸膜， 之後再形成該像素電極。 層版 該光罩可被對齊，促使該㈣縫巾至少—I縫局部重最 於錢電極之—邊界’並且該等裂縫中至少-裂縫且有— 凹處。 八 促使該等裂縫中至少兩個裂缝被配置 该光罩可被對齊 在該汲電極範圍外 【實施方式】 :見在將翏考用以呈現本發明較佳具體實施例的附圖來詳 細祝明本發明 '然而’本發明可運用許多不同形式具體化 ，並且不應視為限於本文中提出的具體實施例。 在圖式中’基於清楚明白考量而誇大層、膜及區域的厚 度。整份說明書中相似的數字代表相似的元件。應明白， 當將:層、膜、區域或基板等元件聲稱係「位於另一元件 上」時，可能為直接在另一元件上或可能有介於元件間的 中^件。反之’當將—元件聲稱係、「直接位於另—元件 上」日守，就表示沒有介於元件間的中間元件。 O:\91\91029.DOC4 -12- 200424724 現在將參考附圖來說明根據本發明一項具體實施例之 TFT陣列面板及其製造方法。 圖1顯不根據本發明一項具體實施例之適用於LCD之基 板的原理圖。 °月茶閱圖1 ’ 一較佳由玻璃所製成之基板100包括複數個

(例士 四個）裝置區至40。當製備該基板1〇〇以做為TFT 陣列面板時，每個裝置區1〇至40都包括一配備複數個像素 區的顯示區11至41以及一周邊區12至42。該顯示區丨丨至“ 配備複數個TFT、多個訊號線及以矩陣方式排列的多個像素 電極，而且該周邊區12至42配備多個元件（例如，該等訊號 線的接觸區，用於連接至外部驅動裝置）及多個靜電放電保 護電路。 較L方式為’使用稱為微影步進機⑻epper)的曝光機 (exposer)來形成LCD之元件。當使用微影步進機時，利用 數個曝光區（其邊界如圖！中的虛線所示）分割該顯示區“至 41及滅周邊區12至42，穿過相同或不同曝光光罩的光線分 別曝光:位於該曝光區上之光阻膜（圖中未顯示）的多個部 分。接著，顯示該井ρ且暖碰丄、 τ ^ . 尤1且膝以構成一光阻圖案，並且蝕刻一 位於該光阻圖案之下的爲致 卜白0層以構成一預先決定圖案。藉由重 複形成多個層圖案，而得w a山 叫传以元成一適用於LCD的TFT陣列面 板0 圖2顯示根據本發明一 j苜月舰一 & ,,

負具體貫施例之適用於LCD之TFT 陣列面板的原理佈局圖。 請參閱圖2，在圖中所干 口 τ尸坏不之線條丨所圍繞的顯示區中，配 O:\91\91029.DOC4 -13- 200424724 複數個TFT3、電連接至該等的複數個像素電極191 、含有互相交叉之多個閘極線121與多個資料線171的複數 個訊號線。在一配置於該顯示區範圍外的周邊區中，該等 閘極線121與該等資料線171的擴充部分125和179被配置成 連接至閘極驅動1(：及資料驅動1〇，用以使該等擴充部分125 和1 79接收要供應至該等閘極線丨2丨與該等資料線171的訊 號此外，在该周邊區中配備一閘極短路棒124及一資料短 路棒174(分別連接至該等閘極線121與該等資料線171)以及 短路棒連接194(連接至該閘極短路棒124及該資料短路 杯1 74)用於促使該等閘極線12 1與該等資料線1 71的電位 =等，以防止由於靜電放電造成裝置損壞。之後，藉由沿 者線條2刻劃該基板10〇，切斷該等短路棒124和174與該等 閘極線12丨和該等資料線171間的電連接。雖然圖中未顯示 但疋會在该知:路棒連接194與該等短路棒124和174之間插 入（或多個）絕緣體，並且會在該絕緣體提供用於連接該短 路棒連接194舆該等短路棒124和174的多個接觸通孔。此外 ，會在該TFT3與該像素電極191之間***一絕緣體，並且會 在忒絶緣體提供一用於連接該τρτ3與該像素電極ΐ9ι的接 觸通孔。 (弟一項具體貫施例） 將參考圖3和圖4以及圖丨和圖2來詳細說明適用於lcd之 TFT陣列面板。 將蒼考圖3和圖4以及圖丨和圖2來詳細說明適用kLCD2 TFT陣列面板。 O:\91\91029.DOC4 -14- 2004247 24 圖3顯示根據本發明一項具體實施例之圖2所示之示範性 TFT陣列面板-中，多個TFT、位於顯示區之訊號線的多個部 刀以及位於周邊區之訊號線之擴充部分的示範性佈局圖； 以及圖4顯示沿著圖3所示之IV-IV，線之TFT陣列面板的斷 面圖。 在、、、巴緣基板110上形成用於傳輸閘極訊號的複數個閘 極線121以及一實質上縱向延伸的閘極短路棒124。每個閘 極線121實質上橫向延伸，並且每個閘極線121的複數個部 分構成複數個閘電極123。每個閘極線121都包括向下突出 的複數個突出部分127、一寬度加寬以接觸另一層或外部裝 置的擴充部分125以及介於該擴充部分125與該閘極短路棒 124之間連接的延伸部分126。該等閘極線121的大部分被配 置在該顯示區上，而該等閘極線121的該等擴充部分125和 該等延伸部分126以及該閘極短路棒124則是配置在該周邊 區上。 該等閘極線121以及該閘極短路棒124都包含物理特性不 同的兩層膜，即，一較下層膜121p及一較上層膜121q。較 佳方式為，該較上層膜12lq係由含A1金屬之低電阻率金屬（ 例如’ A1或A1合金）所製成，以便減少閘極線12丨的訊號延 遲或壓降。另一方面，較佳方式為，該較下層膜121p係以 如Cr、Mo、Mo合金、Ta和Ti等材料所製成，這類材料具有 極佳的物理、化學及電接觸其他材料（例如，氧化銦錫（IT〇) 及氧化銦鋅（ΙΖΟ))等特性。較下層膜與較上層膜之較佳材料 組合是Cr和Al-Nd合金。在圖4中，該等閘電極123的較下層 O-\91\9l029.DOC 4 -15- 200424724 較上層膜分別係標示為參考數字123p和，以及該 等突出部分1-27的較下層膜和較上層膜分別係標示為夂； 數字吻和卿但是，該等閘極線121的該等擴充部分⑵ 僅包括一較下層膜。 该較上層膜121q及該較下層膜121p的橫邊為錐形，並且 該等橫邊相對於該基板110表面的傾角在約3〇至8〇度範圍 内。 在該等閘極線m及該閘極短路棒124上形成一閑極絕緣 層140,該閘極絕緣層較佳係以氮化矽（siNx)g材料所製成。 在該閘極絕緣層140上形成複數個條狀半導體151，該等 條狀半導體較佳係以氫化非結晶矽（簡稱為"a_si，，）所製成 二每個條狀半導體151實質上橫向延伸，並且具有往該等間 電極123方向之向外分支的複數個突出部分154。每個條狀 半導體151的寬度會在該等閘極線121附近加寬，以至於該 條狀半導體15 1覆蓋該等閘極線121的大幅面積。 在該條狀半導體151上形成複數個條狀歐姆接觸161及島 狀歐姆接觸165，該等歐姆接觸較佳係以矽化物或重摻雜n 4 τι#貝之η+氫化a-Si所製成。每個條狀歐姆接觸161都具有 複數個突出部分163，並且該等突出部分163及該等島狀歐 姆接觸165係以成對方式位於該等條狀半導體151的該等突 出部分154上。 该等條狀半導體1 5 1及該等歐姆接觸1 61和1 65的橫邊皆 為錐形’並且該等橫邊的傾角較佳在約3〇至8〇度範圍内。 在該等歐姆接觸161和165及該閘極絕緣層14〇上形成複 O:\91\91029.DOC4 -16- 200424724 數個貝料線171、複數個汲電極175、複數個儲存電容導體 177以及一資斜短路棒174。 用於傳輸資料電壓的該等f料線i 7 i實f上縱向延伸並 ^交又於該等閘極線121。每個資料線171都包括一寬度加 見以接觸另一層或外部裝置的擴充部分179以及介於該擴 ，部分179與該資料短路棒m之間連接的延伸部分π。該 =資料線171的大部分以及該等汲電極175和該等儲存電容 、、體77都被配置在s亥頰示區上，而該等資料線171的該等 擴充部分179和該等延伸部分176以及該資料短路棒174則 是配置在該周邊區上。 每個貧料線171都具有往該等汲電極175方向突出的複數 個分支，而構成複數個源電極173。每對源電極173與閘電 極175相對於一閘電極123而互相分隔且互相相對。一閘電 極123、一源電極173及一汲電極175連同一條狀半導體 的一突出部分154共同構成一 TFT，並且所構成的tft具有 一形成在介於該源電極1 73與該汲電極丨75間之該突出部分 154中的通道。 該等儲存電容導體177局部重疊於該等閘極線121的該等 突出部分127，並且該資料短路棒174實質上橫向延伸。 該等資料線17：1、該等汲電極175和該等儲存電容導體177 以及該資料短路棒174還包括一較下層膜171p、n5p和 Π7ρ(較佳係以Mo、Mo合金或Cr所製成）以及一位於該一較 下層膜上的較上層膜171q、175q和177q(較佳係以含A1金屬 或含Ag金屬所製成）。但是，該等資料線171的該等擴充部 O:\91\91029.DOC4 -17- 200424724 刀179僅包括一較下層膜，並且去除該等汲電極175和該等 儲存電容導體177的該等較上層膜175^和17%之多個部分 ，以曝露該等較下層膜175?和177{)的多個基底部分。 如同該等閘極線121，該等資料線171、該等汲電極175 和該等儲存電容導體177的該等較下層膜mp、17外和17邙 、^專較上層膜171q、175q和177q的橫邊皆為錐形，並 且該等橫邊的傾角約在3〇至8〇度範圍内。 該等歐姆接觸161和165僅被***在該等基底條狀半導體 1 5 1與位於其上之該等覆蓋資料線171和該等覆蓋汲電極 175之間，並且藉此減低其之間的接觸電阻。該等條狀半導 體151包括複數個曝露部分，即，未覆蓋該等資料線及 該等汲電極175之多個部分，例如，位於該等源電極173與 該等汲電極175之間的多個部分。雖然該等條狀半導體I” 之大部分位置的寬度小於該等資料線171的寬度，但是如上 文所述，Μ等條狀半導體151的寬度會在該等閘極線ΐ2ι附 近加覓，使表面輪廓平滑，藉此防止該等資料線171斷裂。 在該等資料線171、該等汲電極175、該等儲存電容導體 177、該資料短路棒174以及該等條狀半導體ΐ5ι之該等曝露 部分上形成一鈍化層18〇。該鈍化層18〇較佳係以下列材料 所製成：具有良好平坦特性的感光有機材料、介電常數小 於4.0的低介電材料（例如，藉由電漿增強型化學氣體沈積 (PECVD)所形成的a-Sl:c:〇和以i:〇:F)或如氮化矽之類的 無機材料。 該鈍化層180具有複數個接觸通孔185、187和189，用於 O:\91\91029.DOC4 -18- 2004247 24 分別曝露該等汲電極175的該等較下層膜175p、該等儲存電 容導體177的-該等較下層膜177?以及該等資料線171的該等 擴充部分179。該鈍化層180及該閘極絕緣層14〇具有的複數 個接觸通孔182，用於曝露該等閘極線121的該等擴充部分 125。該鈍化層18〇及/或該閘極絕緣層14〇具有的複數個接 觸通孔（圖中未顯示），用於曝露該閘極短路棒124與該資料 短路棒17 4的多個鄰接末端部分。 此外’圖3及圖4還描繪出，該等接觸通孔182、ι85、187 和189曝露該等較下層膜125、175p、177?和179的多邊以及 曝露該閘極絕緣層14〇與該基板11〇的一些部分。該等接觸 通孔182、185、187和189皆無底切。 在該鈍化層180上形成複數個像素電極191、複數個接觸 輔件192和199以及一短路棒連接194，較佳都是以Ιτ〇或 ΙΖΟ製成。 〆 該等像素電極191都是透過該等接觸通孔185實際上電連 接至忒等汲電極175，以及透過該等接觸通孔實際上電 連接至該等儲存電容導體177,而得以使該等像素電極191 接收來自該等汲電極175的資料電壓以及將所接收之資料 電壓傳輸至該等儲存電容導體177。 當將資料電壓供應至該等像素電極191時，該等像素電極 ^協同共同電極（圖中未顯示）或另一面板（圖中未顯 不）而產生電場，利用電場使介於其之間之液晶層（圖中未顯 示）中的液晶重新定向。 ^ 像素电極191與一共同電極構成一液晶電容器，而得以 O:\91\91029.DOC4 -19- 200424724 在關閉TFT之後儲存所施加的電壓。為了增強電壓儲存容量 i提供-稱為「儲存電容器」的額外電容器，該額外電容 器與該液晶電容器並聯連接。實作健存電容器的方式為， 使像素電極191局部重疊於所鄰接的閘極線ΐ2ι(稱為「前閘 極線」）。增加儲存電容器之電容量（即，儲存電容量）的方 j為，在該等閘極線121處提供該等突出份127以增加重 疊區域’而且在該等像素電極191下方提供該等儲存電容 導體177(連接至該等像f電極191且局部^疊於該等突出 部分127)以縮短端子間的距離。 可視需要使該等像素電極191局部重疊於該等閘極線i2i 及该專資料線1 71，藉此增加孔徑比率。 透過接觸通孔182和189，將該等接觸辅件192和199分別 連接至该等閘極線121的該等曝露之擴充部分125以及該等 資料線171的該等曝露之擴充部分179。該等接觸辅件 矛19 9不疋必要項，但疋較佳提供此類接觸辅件，以保護該 等曝露之擴充部分125和179，並且補充該等曝露之擴充部 分125和179與外部裝置的黏著性。 透過用於曝露該閘極短路棒124及該資料短路棒174的多 個接觸通孔，將該短路棒連接194連接至該閘極短路棒Η# 及該資料短路棒174。 如上文所述，曝露出該等閘極線121之該等擴充部分125 的該等較下層膜125、179、175p和177p，該等資料線171 的該等擴充部分179、該等汲電極175以及該等儲存電容導 體177(其具有電接觸ιτο和ιζο的良好特性），並且該等182 O:\91\91029.DOC4 -20- 200424724 、185、187和189曝露該等較下層膜ΐ25、η#、i77_i79 的至少一邊緣。據此’該等像素電極191及該等接觸輔件192 和199有足夠大幅接觸面積接觸到該等較下層膜η#、17^ 、125和179 ’讀供低接觸電阻。另外，由於該等接觸通 孔185、187和189沒有底切’因此該等像素電極191及該等 接觸輔们99也透過該等接觸通孔185、187和189而接觸到 該閘極絕緣層14〇 ’該等像素電極191及該等接觸輔件192 和199具有平滑輪廓。 根據本發明另一項具體實施例，該等像素電極i9i係以透 明導電聚合物所製成。對於反射型咖而纟，該等像素電 極191係以不透明反射金屬所製成。在此情況下，該等接觸 辅件192和199係以如ΠΌ或IZ〇等不同於該等像素電極i9i 材料所製成。 (第一項具體實施例方法） 現在將參考圖5A至圖12以及圖丨至圖4，詳細說明根據本 發明一項具體實施例之一種製造如圖i至圖4所示之TFT陣 列面板的方法。 圖5A、6A、7A和9A顯示根據本發明一項具體實施例之用 於製造圖1至圖4所示之TFT陣列面板過程中，在中間步驟期 間該TFT陣列面板的斷面圖；以及圖5B、6B、冗和卯分別 顯示沿著圖5A、6A、7A和9A所示之VB_VBi、VIB_VIB，、

VnB-VIIBi和ΙΧΒ_Ιχβ’線之TFT陣列面板的斷面圖。圖8顯 示在圖7B所示之步驟後之製造方法步驟期間，沿著圖7績 示之VIIB VIIB線之TFT陣列面板的斷面圖；以及圖丨丨及圖 O:\91\91029.DOC4 -21 - 200424724 12顯示在圖9B所示之步驟後之製造方法步驟期間，圖9A所 示之TFT陣列面板的斷面圖。圖1〇顯示一光罩與—沒電極之 裂縫間對齊之圖式。 在如透明玻璃等絕緣基板11〇上依次賤鑛兩層導電膜卜 較下層導電膜及-較上料„)。該較±層導電膜較佳以 含乂金屬（例#，A1_Nd合金）所製成。用於賤㈣較上層膜 的Ai-Nd標的物較佳包含2atm%(原子百分比），並且該較上 層膜的厚度為2,50〇A。 睛參閱圖5A和圖5B，依政圖安/μ # & , p , 、 u 佤人圖案化该較上層導電膜及該較 下層導電膜’以形成含有複數個閘電極123、複數個突出部 刀127以及一閘極短路棒124的複數個閘極線。 請參閱圖6A和圖6B，在相繼沈積一閘極絕緣層140、_ 本質（imrinsic)a_Si層及一非本質（_ίη 钱刻該非本質a-Sl層及該本質aSi芦以^曰之後先 发不貝a_Sl層，以在該閘極絕緣層 ⑷上構成複數個條狀非本f半導體164以及條狀本質半導 體151，料條狀半導體皆包含複數個突出部分⑸。該間 極絕緣層uo較佳以氮切所製成，厚度為約2，刪入至約 5,000A，並且沈積溫度較佳為約25代與約⑽。。之間範 内。 依次濺鍍兩層導電膜（一較下層導電膜及一較上層導電 膜）。該較下層導電膜較佳係錢q、Mq合金扣所製成电 並且厚度為約500A。較佳方式為，該較上層導電膜的厚度 為約2,500A，it用於該較上層導電膜的濺鍍標的物包括A1 或含2 atomic%Ncm A1韻，並且減鍍溫度為約i 5〇〇c。 O:\91\91029.DOC4 -22- 200424724 導圖7B，分別濕侧及乾式餘刻該較上層 成含=層導電m，或細刻該等導電膜，以形 帝六、酋m個源電極173、複數個汲電極175、複數個儲存 :?體177及一資料短路棒174的複數個資料線⑺。如果 ^父下層膜係以Mg、Mg合金所製成，則可以在相同鞋刻條 件下蝕刻該較上層及該較下層。 之後，去除該等條狀非本質半導體164(其未被該等資料 線17卜該等汲電極175、該等儲存電容導體Μ及該資料短 路棒174所覆蓋），藉此完成包含複數個突出部分1的複數 個條狀歐姆接觸161以及複數個島狀歐姆接觸165，並且曝 路口亥等條狀本質半導體151的多個部分。較佳方式為，之後 接著進行氧氣等離子處理，以便穩定化該等條狀半導體Mi 之該等曝露表面。 如圖8所示，在沈積一鈍化層18〇之後，在該鈍化層 上旋轉塗佈一光阻膜210。穿過一曝光光罩3〇〇的光線將該 光阻膜210曝光並且顯影，以使得該顯影之光阻的位置相依 型厚度係如圖9B所示。圖9B所示之光阻包括厚度遞減之複 數個第一部分至第三部分。對於位於該等資料線171之該等 擴充部分179、該等汲電極175之多個部分及和該等儲存電 谷導體177之多個部分上的區域，參考數字212標示位於多 個區域A1中的該等第一部分，而參考數字214標示位於多個 資料接觸區域ci中的該等第二部分，位於該等閘極線12ι 之该等擴充部份12 5上之多個閘極接觸區域b 1中的該等第 二部分之尽度貫貝上為令以曝露該銳化層之多個基底 O:\91\91029.DOC4 -23- 200424724 部分，故而該等第二部公去庐+办& 罘—卩刀未輮不芩考數字。位於該等閘極 線121的該等—擴充部分125上的該等部分2U之厚度可相同 於該等第三部分。另外，在該資料短路棒m之-部分上配 置該光阻的該等第二部分214，以及在該間極短路棒124之 -部分上配置該光阻的該等第三部分或該等第二部分川 。依據後續製程步驟期間的製程條件，調整該等第二部分 214對該等第一部分212的厚度比率。 該光阻之位置相依型厚度係利用數種技術獲得，例如， 藉由在該曝光光罩300上提供多個半透明區域以及透明區 域和阻播光線的不透明區域。該等半透明區域可具有一裂 縫圖案、-格子圖案、一（或多個）具有中間透明度或中間厚 度的薄膜。當使用一裂缝圖案時’較佳方式為，該等裂缝 的寬度f裂縫間之距離小於微影法使用的曝光機解析度。 另頁只例則疋使用可軟炫（refl〇wabie)的光阻。詳言之， 使用僅具有多個透明區域及多個不透明區域的正規曝光光 罩瓜成以可軟仏之光阻材料製成的光阻圖案，經過軟 製以軟4匕益来阳夕> 夕乂成 "、、光阻之多個區域，藉此形成多個薄部分。 請參考圖1〇,根據本發明之曝光光罩300具有用於形成該 光阻的該等第二部分214的複數個裂缝31〇。該等裂縫31〇 近似直線且具有多個凹處（或突出部分）。該等裂縫3 1〇實質 上互相平行延伸且往寬度方向排列。每個裂缝训的寬度在 、勺0.8至2.0被米粑圍内，這是因為寬度大於微米的裂縫 了田做-透明區域。非常容易以低成本製造具有裂縫圖案 的曝光光罩，並且具有一致的複製性。 ，、 O:\91\91029.DOC4 -24- 200424724 當對齊該曝光光罩與該基板u 的該等裂縫>10的M引士 4 才用於邊汲電極175 質上平行於， 式，係促使該等裂缝310的長度實 置在t及^極Μ的—邊緣’W裂縫310被配 在敍琶極175範圍外，1縫31() 175的-邊緣，並且該等裂的該等凹處極 汲雷H 人々 只卞^處局部重豐於該 如’… 邊緣。以類似方式對齊用於其他元件(例 儲存電容導體Μ、該等擴充部分179及該等短路 乎以和m)的該等裂縫31G。用於該顯示區中之該等㈣ 極m和該等儲存電容導體m的該等裂縫3ig之宽度及距 離，較佳不同於用於該周邊區中該等擴充部分179及該等短 路棒124和174的該等裂縫⑽之寬度及轉。雖然如上文所 述之對齊方式有利於獲得該曝光光罩的對齊邊界及該光阻 之該等2U的厚度邊界，並且有利於獲得該光阻之該等214 的-致厚度’但是有其他方式可對齊該等裂缝31岐相關元 件175 、 177和179 。 當使用適合的製程條件時，光阻212和214厚度不同實現 選擇性蝕刻基底層。因此，獲得複數個接觸通孔182、185 、187和189。可將該光阻之該等第二部分214配置在任何接 觸通孔上，並且可防止蝕刻到位於該等接觸通孔185、Μ? 和189(用於曝露該等汲電極175、該等儲存電容導體177及 該等資料線171之該等擴充部分179)上的該閘極絕緣層14〇 ’藉此防止該等接觸通孔185、187和189之底切。 基於描述之目的，位於該等區域A1上的多個部分稱為第 一部分’位於該等資料接觸區C1上的該鈍化層18〇之多個部 O:\91\91029.DOC4 -25- 200424724 分、該等汲電極175、該等儲存電 包奋V體177、该等資料 171及該閘極-絕緣層140稱為第一立 、、' 弟— π分，而位於該等閘極接 觸區B1上的該鈍化層18〇之多個邱八 钱 <夕们邵分、該閘極絕緣層工 該等閘極線121稱為第三部分。 久 形成此一結構的實例順序如下： 如圖u所示’藉由乾式蝕刻法來去除位於該等閘 區m上之該銑化層⑽的該等曝露之第三部分，乾式餘刻的 條件較佳為，該鈍化層180舆該光阻212和214之蝕刻逮率實 質上相等，而得以也去除該光阻之該等第二部分214，或〇 保留適用於㈣Μ㈣的減小厚度。雖然乾絲刻可钱 除該鈍化層180之該等第二部分及該閘極絕緣層14〇之該等 第三部分的多個頂面部分，但是較佳方式為，㈣極^緣 層140之該等第三部分的厚度小於該鈍化層18〇之該等第二 部分的厚度，而得以在後續步驟過程中不會去除該間極絕 緣層140之該等第二部分，並且因此防止底切。藉由灰化法 (ashing)去除殘留在該等資料接觸區C1上之該光阻之該等 第二部分214的殘留物，以徹底曝露該鈍化層18〇之該等第 二部分。 請參閱圖12，去除該閘極絕緣層14〇的該等第三部分及該 鈍化層1 80的该等第二部分，藉此完成該等接觸通孔丨、 185、187和189。依據該閘極絕緣層14〇與該鈍化層18〇之蝕 刻速率實質上相等的蝕刻條件下，藉由乾式蝕刻法來去除 該等部分。 接著，去除以下部分：該等閘極線121之擴充部分125之 O:\91\91029.DOC4 -26- 200424724 較上層膜125q的該等第三部分；以及該等汲電極175、儲存 電容導體177和該等資料線171之該等擴充部分179之較上 層膜175q、177q和179q的該等第二部分，藉此曝露該等基 底較下層膜 125p、175p、177p 和 179p。 最後，如圖1至圖4所示，藉由濺鍍及光蝕刻一11[〇或12〇 層，在该鈍化層1 80上形成複數個像素電極丨9丨、複數個接 觸輔件192和199以及一短路棒連接194。由於該等汲電極 175、該等儲存電容導體m及該等擴充部分125和179下方 無底切，所以該等擴充部分179及該等接觸辅件192和199 的輪廓平滑。此外，由於該等像素電極191及該等接觸輔件 192和199接觸到該等汲電極175和該等儲存電容導體的 該等較下層膜175p和177p，並且接觸到該等閘極線121和該 寺貧料線171的該等較下層膜125和179，由於接觸ιτ〇與 ΙΖΟ的接觸特性極佳，所以會減低接觸部分的接觸電阻。 在根據本發明一項具體實施例的TFT陣列面板中，該等 閘極線121及該等資料線171包含低電阻率的八丨或μ合金， 同時介於該等像素電極191與該等接觸輔件192和199之間 的接觸電阻被最小化。此外，該等接觸辅件⑼和州的平 滑輪廓增加介於該等接觸輔件192和199與外部驅動積體電 路晶片之間的接觸可靠度。 (第二項具體實施例結構） 將參考圖13至圖15來詳細說明根據本發明另一項具體實 施例之適用於LCD的TFT陣列面板。 圖 13顯示根據本發明另 一項具體實施例之適用於LCD之 O:\91\9I029.DOC4 -27- 2004247 24 示範性TFT陣列面板的佈局圖；以及圖14及圖15分別顯示沿 著圖13所示之XIV-XIV’和χγ_χν’線之TFT陣列面板的斷面 圖。 基於簡單清潔，省略了圖3所示的該等延伸部分126和176。 如圖13至圖15所示，根據本發明此項具體實施例的lcd 之TFT陣列面板的分層結構幾乎相同於圖3及圖4所示的 LCD之TFT陣列面板的分層結構。也就是說，在一基板11〇 上形成含有複數個閘電極123的複數個閘極線121，並且在 其上相繼形成一閘極絕緣層14〇、含有複數個突出部分154 的複數個條狀半導體15 1以及含有複數個突出部分丨63的複 數個條狀歐姆接觸161和複數個島狀歐姆接觸165。在該等 歐姆接觸161和165及該閘極絕緣層18〇上形成含有複數個 源迅極173和複數個汲電極丨75的複數個資料線丨7丨，並且在 其上形成一鈍化層180。在該鈍化層18〇及/或該閘極絕緣層 140上提供複數個接觸通孔182、185和189,並且在該鈍化 層180上形成複數個像素電極191和複數個接觸輔件μ〕和 199 〇 T y叫议、愁两，很艨此項 具體實施例之TFT陣列面板，會在與無突出部分之該等間極 線121的同—層上提供複數個儲存電極線i3i，該等儲存電 極線13 1與該等閘極線121分離。如同該等閘極線12卜該等 儲存電極線131包括—較下層膜叫及—較上層膜叫。將 如共同電壓等預先決定電壓供應至該等儲存電極線ΐ3ι。未 提供圖3及圖4所示之該等儲存電容導體m，而是” μ O:\91\91029.DOC4 -28- 200424724 —伸^便局部重璺於該㈣存電極線131，藉此構成 田田田予电谷器。如果藉由使閘極、線⑵與像素電極191局部重 宜所產生的儲存電容量足夠大，則可省略該等儲存電極線 1 3 1 〇 另外，該等接觸通孔182和189曝露該等閑極線i2i和該等 沒電極Π5之該等擴充部分125和179的多個部分，而不是曝 露該等擴充部分125和179的整個部分，藉此保留較上層膜 1259和1799的一些部分。 »亥等知狀半導體i 5 i的平面形狀幾乎相同於該等資料線 m和該等汲電極175,而且還幾乎相同於該等基底歐姆接 觸161和165，除了提供TFT的該等突出部分154以外。也就 是說，該等條狀半導體151包括一些曝露部分，即，未覆蓋 該等資料線171及該等汲電極175之—些部分，例如，位於 該等源電極173與該等汲電極175之間的一些部分。 (弟'一項具體實施例方法） 現在將參考圖16A至圖25B以及圖13至圖15，詳細說明根 據本發明一項具體實施例之一種製造如圖丨3至圖1 $所示之 TFT陣列面板的方法。 圖16A顯示根據本發明一項具體實施例之用於製造圖13 至圖15所示之TFT陣列面板過程中，在第一步驟期間該TFT 陣列面板的斷面圖。圖16B及圖16C分別顯示沿著圖16A所 示之XVIB-XVIB’和XVIC-XVIC’線之TFT陣列面板的斷面 圖；圖17A及圖17B分別顯示沿著圖16A所示之ΧνΙΒ-χνΐΒ， 和XVIC-XVIC線之TFT陣列面板的斷面圖，並且圖例說明 O:\91\91029.DOC4 -29- 200424724 16B及圖16C所示之步驟後的步驟；圖18A顯示在圖17A和圖 17B所示之步-驟後之步驟期間，TFT陣列面板的佈局圖；圖 18B及圖18C分別顯示沿著圖18A所示之ΧνΐΙΙΒ·ΧνΐΙΙΒ4π XVIIIC-XVIIIC’線之TFT陣列面板的斷面圖；圖19Α、20Α 和21A以及圖19B、20B和21B分別顯示沿著圖18A所示之 XVIIIB-XVIIIB，和 XVIIIC-XVIIIC’ 線之 TFT 陣列面板的斷 面圖，並且圖例說明18B及圖18C所示之步驟後的步驟；圖 22A顯示在圖21A和圖21B所示之步驟後之步驟期間，TFT 陣列面板的佈局圖；圖22B及圖22C分別顯示沿著圖22A所 示之XXIIB-XXIIB1和XXIIC-XXIIC’線之TFT陣列面板的斷 面圖；以及圖23A、24A和25A以及圖23B、24B和25B分別 顯示沿著圖 22A所示之 XXIIB-XXIIB’和 XXIIC-XXIId^i TFT陣列面板的斷面圖，並且圖例說明22B及圖22C所示之 步驟後的步驟。 請參閱圖16A至圖16C，藉由光蝕刻在一基板110上形成 含有複數個閘電極123的複數個閘極線121、複數個儲存電 極線131以及一閘極短路棒124。該等閘極線121和該等儲存 電極線131以及該閘極短路棒124都包含一較下層膜121p和 131p及一較上層膜121q和131q。 如圖17A和圖17B所示，藉由CVD相繼沈積一閘極絕緣層 140、一本質a-Si層150及一非本質a-Si層160，使層140、150 和160的厚度分別是約1，500至5,000A、約500至2,000A及約 300至600A。藉由濺鍍法沈積一導電層17〇，該導電層170 包含一較下層膜170p及一較上層膜170q，並且厚度為約 O:\91\91029.DOC4 -30- 200424724 1，500至 3,〇〇〇A， 的光阻膜310。 在為導電層170上塗

该#弟二部分未標示參考數字。 S使用適合的製程條件時，光阻312和314厚度不同實現 遥擇性餘刻基底層。因此，藉由_連串㈣步驟而獲得下 列項目·含有複數個源電極丨73、複數個汲電極丨和一資 料短路棒174的複數個資料線171 ;含有複數個突出部分163 的複數個條狀半導體1 61 ;複數個島狀歐姆接觸丨65 :以及 含有複數個突出部分154的複數個條狀半導體丨5 i。 基於描述之目的，位於該等佈線區域A2上之該導電層17〇 、該非本質a-Si層160及該本質a-Si層150的多個部分稱為第 一部分，位於該等通道區域C2上之該導電層170、該非本質 a-Si層160及該本質a-Si層150的多個部分稱為第二部分，而 位於該等其餘區域B2上之該導電層170、該非本質a-Si層 160及該本質a-Si層150的多個部分稱為第三部分。 形成此一結構的實例順序如下： (1)去除位於該等佈線區域A2上之該導電層17〇、該非本 O:\91\91029.DOC4 -31 - 2004247 24 質a-Si層160及該本質^以層ι5〇的第三部分； (2) 去除該光阻的該等第二部分314 ; (3) 去除位於該等通道區域€2上之該導電層17〇、該非本 質a-Si層160及該本質^以層15〇的第二部分；以及 (4) 去除該光阻的該等第一部分3丨2。 另一實例順序如下： (1) 去除該導電層17〇的該等第三部分； (2) 去除該光阻的該等第二部分314 ; (3) 去除该非本質^以層16〇及該本質心以層15〇的第三部 分； (4) 去除該導電層17〇的該等第二部分； (5) 去除該光阻的該等第一部分312;以及 (6) 去除该非本質a_si層16〇的該等第二部分。 下文詳細解說第一項實例。 如圖19A和圖19B所示，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻去除位 於忒等其餘區域B2上之該導電層17〇的該等曝露之第三部 分，藉此曝露該非本質a_Si層16〇的該等基底第三部分。可 藉由濕式蝕刻和乾式蝕刻中任一蝕刻法來蝕刻

一 Mo、MoW 、Ah Ta或Ta膜，同時藉由乾式㈣幾乎不㈣一 &膜。 如果該較下層膜i 70p係以Crt成’則可使用CeNH〇3蝕刻劑 進行濕式㈣。如果該較下層臈17Qp係以m“MqW製成， 則可使用CF4與HC1氣體混合物或化與％氣體混合物，並且 CF4與〇2氣體混合物劑會按類似於該導電膜之㈣速率的 韻刻速率來餘刻該光阻。 O:\91\91029.DOC4 -32- 200424724 參考數字178標示該導電層170中含有該等資料線mi 所連接之該汲電極175的多個部分。乾式_可#除該光組 3 12和3 14的多個頂面部分。 請參閱圖20A和圖細，較佳方式為藉由乾式敍刻去除位 於該等區域B2上之該非本質⑽層⑽的該等第三部分及 ::本質卿50的該等第三部分，並且去除該光阻之該等 弟一部分314 ’藉此曝露該等導體178的該等第二部分。執 2去除該光阻之”第二部分314，及執行去除位於該非本 貝心層i叫該本f以巧i 5Q的該等第三部分，可同時執 :丁 ：二開執仃。SFA HC1氣體混合物或Sf6與〇2氣體混合物 可按幾乎相同的餘刻速率來钮刻該等心層㈣和⑽及該 光阻:藉由灰化法去除殘留在該等通道區扣上之該光阻 之该等第二部分3 14的殘留物。 在此步驟中完成該等條狀半導體151，而參考數字164標 不該非本質^⑴層16〇中合右 有互相連接之該等條狀歐姆接觸 61和該等島狀歐姆接觸165的多個部分上。 導= 21Α和圖⑽所示’去除位於該等通道區域C2上之該 =，、該等條狀非本質…“的第二部分，以及該 先阻的第一部分3 12。 了使用8?6與〇2氣體混合物，葬 體m及該等條狀非本f半導體=乾式_來_該等導 質ΐ =式:刻該等導體178,乾式㈣該等條狀非本 也會乾式餘刻該等導請的橫邊，而 胃虫刻《寺條狀非本質半導體164的橫邊，所以獲得 O:\91\91029.DOC4 -33 - 2004247 24 梯級式橫向輪廓。如上文所述，氣體混合物的實例為CF4 與HC1以及Ci?4與〇2。cf4與〇2氣體混合物留下厚度均勻的 條狀本質半導體151。 如圖21B所示，去除位於該等通道區域C2上之該等條狀 本質半導體151之突出部分154的頂面部分以減少厚度，並 且蝕刻該光阻的第一部分3 12至一預先決定厚度。 在此方式中，會將每個導體178分割成所要完成的一資料 線1 71及複數個汲電極丨75，而且會將每個條狀非本質半導 體164分剎成所要完成的一條狀歐姆接觸161及複數個島狀 歐姆接觸165。 如圖22A至圖22C所示，在沈積一鈍化層18〇之後，在該 純化層180上旋轉塗佈一光阻膜。穿過一曝光光罩（圖中未 顯示）的光線將該光阻膜曝光並且«彡，錢得該顯影之光 阻的厚度會依位置而不同。圖22B和圖22c所示之光阻包括 厚度遞減之複數個第-部分至第三部分。㈣㈣㈣f 料線171之該等擴充部分179以及該等汲電極π之多個部 刀上的區域，翏考數字412標示位於多個區域A]中的爷 ::::而參考數字⑽示位於多個資料接咖^ 5亥寺弟一部分，位;i H ^ ^。 於°玄4閘極線121之該等擴充部分125上 之多個閘極接觸區域B3中的該等第三部分之厚度實 料曝露該鈍化層⑽之多個基底部分，故而未標示參考數 子。依據勉製程步驟期間的製程條件，調整該等第二部 分414對該等第—部分412的厚度比率。 、 當使用適合的製程條件時，光阻412和414厚度不同實現 O:\91\91029.DOC4 -34- 200424724 選擇性姓刻基底I。因&，獲得複數個接觸通孔182、185 、1 8 7 和 1 8 9 & 基於描述之目的，位於該等區域A3上的多個部分稱為第 P刀位於w亥等資料接觸區C3上的該鈍化層之多個部 刀口亥等；及電極175、該等儲存電容導體m及該閘極絕緣 層140稱為第：部分，而位於該等閘極接觸請上的該純化 層180之夕個部分、該閘極絕緣層14〇及該等間極線⑵稱為 第三部分。 形成此一結構的實例順序如下： 如圖23A和23B所不，藉由颠刻以去除位於該等間極接觸 區B3上的該鈍化層18G之所曝露第三部分。雖然乾絲刻可 餘除該鈍化層18G之該等第二部分及該閘極絕緣層14〇之該 等第三部分的多個頂面部分 刀但疋較佳方式為，該閘極絕 緣層140之該等第三部分的厚度小於該鈍化層⑽之該等第 一部分的厚度，而得以在德蜻牛獅、風如山 隹傻，步驟過程中不會去除該閘極 絕緣層140之該等第二部分。藉由灰化法去除殘留在該等資 料接觸區C 3上之該光阻之兮望榮 之忒4弟二部分414的殘留物，以徹 底曝露該純化層180之該等第二部分。 -請參閱講和圖細’去除該;極絕緣層“。的該等第 二部分及該純化層180的該#第：部分，藉此完成該等接觸 通孔182、185和189°依據該間極絕緣層陶該鈍化層180 之個速率實質上相等的餘刻條件下，藉由乾式㈣法來 去除該等部分。由於該閘極絕緣層⑽之該等第三部分的厚 度小於賴化層18〇之該#第二部分的厚度，所以會徹底去 O:\91\91029.DOC4 -35- 200424724 除該閘極絕緣層140之該等第三部分的厚度小於該鈍化層 180之該等第-二部分的厚度，而且該閘極絕緣層之該等 苐一部分繼續存在，而得以防止底切位於該等汲電極17 5 之下的该閘極絕緣層14 0。 如圖25A和25B所示，在去除光阻412和414之類，去除以 下部分·該等閘極線121之擴充部分125之較上層膜I25q的 该等第三部分；該等汲電極175之較上層膜175(}和179q的該 等第二部分；以及該等資料線171之該等擴充部分179，藉 此曝露該等基底較下層膜125p、175{)和1791)。 最後，如圖13至圖15所示，藉由濺鍍及光蝕刻一厚度在 約500A與約1，5〇〇Α範圍内的ΠΌ或IZ0層，以形成複數個像 素電極191、複數個接觸輔件192和199以及一短路棒連接 194。蝕刻該izo層較佳包括使用HN〇3/(NH4)2Ce(N〇3)6/H2〇 之Cr蝕刻劑進行濕式蝕刻，此類蝕刻劑不會磨損該等資料 線17 1和该寺 >及電極17 5中的A1。 這項具體實施例藉由下列方式而簡化製造過程：使用單 一光微影步驟來形成該等資料線171和該等汲電極175，而 且還形成該等基底歐姆接觸161和165以及該等條狀半導體 151 〇 (第三項具體實施例結構） 將爹考圖26和圖27來詳細說明根據本發明另一項具體實 施例之適用於LCD的TFT陣列面板。 圖26α不根據本發明另一項具體實施例之適用於之 不耗性TFT陣列面板的佈局圖；以及圖27顯示沿著圖％所示 O:\91\91029.DOC4 ' 36 - 2004247 24 之XXVII-XXVir線之TFT陣列面板的斷面圖。 如圖26和圖27所示，根據本發明此項具體實施例的乙(：1；) 之丁FT陣列面板的分層結構幾乎相同於圖3及圖4所示的 LCD之TFT陣列面板的分層結構。也就是說，在一基板11〇 上形成含有複數個閘電極123的複數個閘極線121，並且在 其上相繼形成一閘極絕緣層14〇、含有複數個突出部分丨54 的複數個條狀半導體15 1以及含有複數個突出部分1 〇的複 數個條狀歐姆接觸161和複數個島狀歐姆接觸165。在該等 歐姆接觸161和165及該閘極絕緣層18〇上形成含有複數個 源電極173和複數個汲電極175的複數個資料線171，並且在 其上形成一鈍化層180。在該鈍化層18〇及/或該閘極絕緣層 140上提供複數個接觸通孔182、185和189(用於曝露該等閘 極線121的擴充部分125和該等資料線171的擴充部分179) ，並且形成複數個像素電極191和複數個接觸辅件192和199 〇 不同於圖3及圖4所示之TFT陣列面板之處為，根據此項 具體實施例之TFT陣列面板的鈍化層18〇包括：沿著該等資 料線17丨沿著的複數個部分；以及配置在該等閘極線^ 擴充部分125附近的複數個部分。該鈍化層18〇覆蓋含有該 等源電極173的該等資料線171及該等汲電極175之多個部 刀，而且该鈍化層18〇未覆蓋該等汲電極175之其他部分及 該等儲存電容導體177。 此外，還會在該等儲存電容導體177舆該間極絕緣層⑷ 之間提供該等條狀半導體151、該等歐姆接觸161和165、複 O:\91\91029.DOC4 -37- 200424724 數個島狀半導體157以及位於其上方的複數個歐姆接觸167。 該等條狀半導體151和該等島狀半導體157的平面形狀幾 乎相同於该鈍化層1 80的平面形狀，除了位於該等汲電極 1 75之該等曝露部分、該等閘極線12丨之擴充部分1、該等 資料線171之擴充部分179及該等儲存電容導體177以外。具 體而言，該等島狀半導體157、該等島狀歐姆接觸167及該 等儲存電容導體177的平面形狀實質上相同。此外該等條狀 歐姆接觸161和該等島狀歐姆接觸165的平面形狀實質上相 同於省等資料線1 71和該等汲電極丨75的平面形狀。該等條 狀半導體151及該鈍化層180具有複數個渠溝1，用於曝露該 閘極絕緣層14〇並且環繞該等閘極線121的擴充部分125與 忒等貝料線171的擴充部分179，而得以隔離於該等半導體 15卜 該等像素電極m的大部分係直接配置在該閘極絕緣層 mo上，μ該等像素電極191的某些部分係直接配置在該 等汲電極175的該等曝露部分及該等儲存電容導體177的多 個部分上，而得以錢接至該等汲電極175及該等 導體177。 (第三項具體實施例方法） 現在將參考圖28Α至圖32以及圖26和圖27，詳細說明根據 =-項具體實施例之一種製造如圖26和圖27所示之 TFT陣列面板的方法。 圖28A、29A和嫩顯示根據本發明—項具體實施例之用 ;衣造圖26和圖27所示之TFT陣列面板過程中，在中間步驟

O:\91\91029.DOC -38- 200424724 期間該TFT陣列面板的斷面圖；以及圖28B、29B和30B分別 顯示沿著圖-28A、29A和 30A所示之 XXVIIIB-XXVIIIB’、 XXIXB-XXIXB和XXX-XXX’線之TFT陣列面板的斷面圖。 圖31及圖32顯示在圖30B所示之步驟後之製造方法步驟期 間，沿著圖30A所示之XXXB-XXXB1線之TFT陣列面板的斷 面圖。 請參閱圖28A和圖28B，較佳藉由濺渡及乾式蝕刻或濕式 #刻，在一基板110上沈積一厚度為約1，〇〇〇至3,000人的導電 層，以形成含有複數個閘電極123以及一閘極短路棒124的 複數個閘極線121。 如圖29A和圖29B所示，藉由CVD相繼沈積一閘極絕緣層 140、一本質a-Si層150及一非本質a_si層160,使層140、150 和160的厚度分別是約1，500至5,〇〇〇A、約500至1，50〇Α及約 300至600A。較佳藉由濺鍍法沈積一導電層17〇，該導電層 170包含一較下層膜170p及一較上層膜170q且厚度為約 1，500至3,000人，並且將該導電層17〇及該非本質卜以層16〇 圖案化，以形成含有複數個源電極丨73、複數個汲電極、複 數個儲存電容導體177及一資料短路棒丨74的複數個資料線 171，以及形成複數個歐姆接觸161、165和167。 如圖30A和圖30B所示，在藉由CVD氮化矽或旋轉塗佈有 機絕緣體來沈積一厚度等於或大於3,〇〇〇人的鈍化層18〇之 後，在該鈍化層1 80上旋轉塗佈一光阻膜。穿過一曝光光罩 (圖中未顯示）的光線將該光阻膜曝光並且顯影，以使得該顯 影之光阻的厚度會依位置而不同。圖3〇B所示之光阻包括厚 O:\91\91029.DOC4 -39- 200424724 峨之複數個第一部分至第三部分。針對位於該等資料 線171之該等-擴充部分179以及該等汲電極1乃 、’、 上的區域，參考數字512標示位於多 ^固刀 斤 弟 區域Α4中的該箄 “刀’多個第三區域B4中的該等第三部分之厚P 質^為零以曝露該鈍化層180之多個基底部分，故而：： 示參考數字。依據後續製程步驟期間的製程條件 : 等第二部分514對該等第一部分512的厚度比率。配置在： :顯不區且非該周邊區之多個區域上的該光阻之多個部 分（圖中未顯示，位於所要去除該本質心層150之多個部分 上）的厚度可不同於該等第二部分514的厚度，藉由變更一 曝光光罩中裂縫的寬度及裂縫間距離，就可使厚度不同。 、當使用適合的製程條件時，光阻512和514厚度不同實現 選擇性姓刻基底層。因此，獲得該純化層18〇(具有複數個 接觸通孔182和189及複數個渠溝τ)、複數個條狀半導體⑸ 以及複數個島狀半導體15 7。 土；描述之目的，位於該等區域A4上的多個部分稱為第 口P刀位於口玄等第二區域^上的該純化層⑽之多個部分 /等及包極175、该等資料線171、該本質卜以層及該 閘極絶緣層14G稱為第：部分，而位於該等第三區域B4上的 該鈍化層1 8 0之多 >[固立β八斗丄& 夕1u 口Ρ刀、该本質^以層150、該閘極絕緣層 140及該等閘極線121稱為第三部分。 形成此一結構的實例順序如下·· 如圖31所不’車父佳使用SF6與N2氣體混合物或SF6與HC1 O:\91\91029.DOC4 200424724 氣體混合物’藉由乾式蝕刻去除位於該等第三區域B4上之 邊鈍化層180及該非本質心&層15〇的該等第三部分，同時敍 刻該光阻之該等第二部分514及該等第—部分512。雖然也 會去除該閘極絕緣層14_該等第三部分，但是較佳藉由控 制該光阻之消耗量使該純化層18〇的該等第二部分未被曝 路 〇 車乂么使用N6與〇2氣體混合物或^與…氣體混合物，藉由 火化法去除殘召在该等第二區域〇4上之該光阻之該等第二 邛刀5 14，以彳放底曝露該鈍化層} 8〇之該等第二部分。 請參閱圖32，依據該閘極絕緣層14〇和該鈍化層18〇相對 於該本質a_Si層150之钱刻選擇性極佳的條#下，藉由钱刻 來去除該閘極絕緣層14〇之該等第三部分及該鈍化層18〇之 該等第二部分，以曝露該等閘極線121之該等第三部分、該 等儲存電容導體177、該等汲電極175之該等第二部分、該 等貝料線171以及該本質^以層15〇。較佳使用^:與^^氣體 混合物或SF0、HC1、〇2與&氣體混合物，藉由蝕刻來去除 该本貝a-Si層150之該等曝露第二部分，以完成該等條狀半 導體、该等島狀半導體171和177及該等渠溝τ。 去除該光阻512和514之後，接著去除以下部分··該等閘 極線121之擴充部分125之較上層膜丨25q的該等第三部分； 以及該等汲電極175、儲存電容導體177和該等資料線171 之该等擴充部分179之較上層膜n5q、177q和179q的該等第 一部分，藉此曝露該等基底較下層膜丨25p、i75p、I77p和 179p。 O:\91\91029.DOC4 -41 - 200424724 最後，如圖26和圖27所示，藉由濺鑛及光姓刻一厚度在約 400人與約500人範圍内的IT0或IZ〇層，以形成複數個^素带 極191、複數個接觸輔件192和199以及一短路棒連接194。电 (第四項具體實施例結構） 將參考圖33和圖34來詳細說明根據本發明另一項具體實 施例之適用於LCD的TFT陣列面板。 、 圖33顯示根據本發明另一項具體實施例之適用於lcd之 示範性TFT陣列面板的佈局圖；以及圖34顯示沿著圖33所示 之XXXIV-XXXIV’線之TFT陣列面板的斷面圖。 基於簡單清潔，省略了圖3所示之該等延伸部分126和 176 ° 如圖33和圖34所示，根據本發明此項具體實施例的lcd 之TFT陣列面板的分層結構幾乎相同於圖3及圖4所示的 LCD之TFT陣列面板的分層結構。也就是說，在一基板ιι〇 上形成含有複數個閘電極123和複數個突出部分127的複數 個閘極線12 1，並且在其上相繼形成一閘極絕緣層丨4〇、含 有複數個突出部分154的複數個條狀半導體151以及含有複 數個突出部分163的複數個條狀歐姆接觸161和複數個島狀 歐姆接觸165。在該等歐姆接觸161和165及該閘極絕緣層 180上形成含有複數個源電極173、複數個汲電極175和複數 個儲存電容導體177的複數個資料線171，並且在其上形成 一鈍化層180。在該鈍化層180及/或該閘極絕緣層140上提供 複數個接觸通孔182、185、187和189，並且在該鈍化層18〇 上形成複數個像素電極丨9丨和複數個接觸輔件192和丨99。 O:\91\91029.DOC4 -42- 200424724 不同於圖3及圖4所示之TFT陣列面板之處為，會在該鈍 化層1 80下方-形成複數個紅、綠、藍彩色濾光板r ' ^和b。 該等彩色濾光板R、G和B具有複數個開口 C1和C2，用以曝 露該等汲電極175和該等儲存電容導體177。該等彩色濾光 板R、G和B互相局部重疊以防止光洩漏，並且會在該等開 口 C 1和C2内配置多個接觸通孔i 85和丨87。或者，該等開口 C1和C2及該等接觸通孔185和187可具有梯級式側壁。 另外，該等接觸通孔182和189曝露該等閘極線121和該等 汲電極175之該等擴充部分125和179的多個部分，而不是曝 露該等擴充部分125和179的整個部分，藉此保留較上層膜 125q和179q的一些部分。 (概要） 如上文所述’曝露該等汲電極之邊緣並且在該等沒電極 下方保留該閘極絕緣層，以防止該等訊號底切，並且平滑 該等接觸部分的輪廊，藉此防止該等像素電極斷裂。此外 ’曝露低接觸電阻的較下層膜’以確保接觸部分的可靠度 。另外’還包含低接觸電阻的較上㈣，以提高產品品質 。而且還簡化製造方法。 "、本I月苓考其較佳具體實施例進行說明，熟知技藝 二t:知道有各種變更及替代方案，而不會脫離如隨附之 申一專利範圍提及之本發明的精神與範疇。 【圖式簡單說明】 可文中參考附圖所說明的較佳具體實施例，將 可明白本發明，其中： O:\9l\91029.DOC4 -43- 2004247 24 圖1彡、、員不根據本發明一項具體實施例之適用於Lcd之基 板的原理圖； 圖2〜、員不根據本發明一項具體實施例之適用於LCDi TFT 陣列面板的原理佈局圖； 圖3 ,、、、員不根據本發明一項具體實施例之適用於[CD之示 範性TFT陣列面板的佈局圖； 圖4顯不沿著圖3所示之IV-IV，線之TFT陣列面板的斷面 圖； ° 6Α 7Α和9Α顯示根據本發明一項具體實施例之用 於製造圖1至圖4所示之TFT陣列面板過程中，在中間步驟期 間該TFT陣列面板的斷面圖； 圖5B、6B、7B和9B分別顯示沿著圖5八、6A、7入和从所

丁之 VB VB、VIB-VIB，、VIIB-VIIB，和 IXB-IXB，線之 TFT 陣列面板的斷面圖； 圖8顯示在圖卿斤示之步驟後之製造方法步驟期間，沿著 圖7A所示之VIIB_VIIB，線之τρτ陣列面板的斷面圖； 圖10顧不一光罩與一汲電極之裂縫間對齊之圖式； 圖U及圖12顯示在圖9B所示之步驟後之製造方法步驟期 間，圖9A所示之TFT陣列面板的斷面圖； _㈣顯讀據本發明另_項具體實_之適料咖之 示範性TFT陣列面板的佈局圖； 圖14及圖15分別顯示沿著 /口考圖13所不之χΙν_χιν，和 XV-XV’線之TFT陣列面板的斷面圖； 圖16A顯示根據本發明一頊 貝具體貫施例之用於製造圖13 O:\91\91029.DOC4 -44- 200424724 至圖15所示之TFT陣列面板過程中，在第一步驟期間該TFT 陣列面板的斷面圖； 圖16B及圖16C分別顯示沿著圖16A所示之XVIB-XVIB’ 和XVIC-XVIC"線之TFT陣列面板的斷面圖； 圖17A及圖17B分別顯示沿著圖16A所示之XVIB-XVIB’ 和XVIC-XVIC’線之TFT陣列面板的斷面圖，並且圖例說明 16B及圖16C所示之步驟後的步驟； 圖18A顯示在圖17A和圖17B所示之步驟後之步驟期間， TFT陣列面板的佈局圖； 圖18B及圖16C分別顯示沿著圖18A所示之 XVIIIB-XVIIIB，和 XVIIIC-XVIIIC'線之 TFT 陣列面板的斷 面圖； 圖19八、20八和21八以及圖196、208和21：6分別顯示沿著 圖 18A所示之 XVIIIB-XVIIIB，和 XVIIIC-XVIIIC’線之 TFT 陣 列面板的斷面圖，並且圖例說明18B及圖18C所示之步驟後 的步驟， 圖2 2 A顯示在圖21A和圖21B所示之步驟後之步驟期間， TFT陣列面板的佈局圖； 圖22B及圖22C分別顯示沿著圖22A所示之ΧΧΠΒ-ΧΧΙΙΒ’ 和XXIIC-XXIIC’線之TFT陣列面板的斷面圖； 圖23A、24A和25A以及圖23B、24B和25B分別顯示沿著 圖 22A所示之 XXIIB-XXIIB’和 XXIIC-XXIIC’線之 TFT 陣列 面板的斷面圖，並且圖例說明22B及圖22C所示之步驟後的 步驟； O:\91\91029.DOC4 -45- 200424724 圖26顯示根據本發明另一項具體實施例之適用於LCD之 示範性TFT卩聿列面板的佈局圖； 圖27顯示沿著圖26所示之XXVII-XXVir線之TFT陣列面 板的斷面圖， 圖28A、29A和30A顯示根據本發明一項具體實施例之用 於製造圖26和圖27所示之TFT陣列面板過程中，在中間步驟 期間該TFT陣列面板的斷面圖； 圖28B、29B和3 0B分別顯示沿著圖28A、29A和30A所示 之 ΚΧΥΠΙΒ-ΚΧΥΠΙΒ’、XXIXB-XXIXB 和 XXX-XXX’線之 TFT陣列面板的斷面圖； 圖31及圖32顯示在圖30B所示之步驟後之製造方法步驟 期間，沿著圖30A所示之XXXB-XXXB’線TFT陣列面板的斷 面圖； 圖33顯示根據本發明另一項具體實施例之適用於LCD之 示範性TFT陣列面板的佈局圖；以及 圖34顯示沿著圖33所示之XXXIV-XXXIV*線之TFT陣列 面板的斷面圖。 【圖式代表符號說明】 110 絕緣基板 121，125，126 閘極線 123 閘電極 124 閘極短路棒 131 儲存電極線 140 閘極絕緣層 O:\91\91029.DOC4 -46- 200424724 150 本質a-Si層 151，154，15-7 半導體 160 非本質a-Si層 161，163，165，167 歐姆接觸 168 條狀非本質半導體 170 導電層 171，176，179 資料線 173 源電極 174 貧料短路棒 175 沒電極 177 儲存電容導體 178 導體 180 鈍化層 182，185，187，189 接觸孔 191 像素電極 192,199 接觸輔件 212,214,412,414,512,514 光阻 O:\91\91029.DOC4 -47-

Claims (1)

1. 200424724 拾、申請專利範圍： 1. 一種薄膜電晶體陣列面板，包括： 一閘極線，其形成在一絕緣基板上； 閘極絕緣層’其位於該閘極線上； 一半導體層，其位於該閘極絕緣層上； 一貝料線’其形成在該閘極絕緣層上，並且該資料線 之一部分係沈積該半導體層上； 一鈍化層，其形成在該資料線上，並且具有一第一接 觸通孔以曝露該閘極線或該資料線之邊界的至少一部分 ;以及 接觸辅件’其形成在該鈍化層上以及該資料線之邊 界的該曝露部分上； 2·如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該閘 極線、該資料線與該汲電極中至少一項包括一由Cr、M〇 或Mo合金製成的較下層膜以及一由八丨或八丨合金製成的較 上層膜。 3.如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，其中較低 層金属膜中局部發生底切現象 4·如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體陣列面板，其中該接 觸輔件包含ITO或IZO。 5·如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體陣列面板，進一步包 括·· 一没電極’其與該資料線分隔並且係形成在該閘極絕 緣層及該半導體層上；以及 O:\91\91029.DOC 5 200424724 6· 一像素電極，其形成在該鈍化 觸通孔連接至該汲電極。 一種曝光光罩，包括： 層上並且透過一第二接 一不透明區 '裂縫圖案 裂縫； 用於阻隔光線；以及 其形成在該不透明區中並且包括複數個 ’:中°亥等衣縫男貝上疋直線性，並且每個裂縫的寬度 及裂縫間距離在約〇.8至2〇微米範圍内。 如申請專利範圍第6項之光罩，1 /、T邊寺裂縫具有多個凹 處。 8. 9. 如申請專利範圍第6項之光罩，丨中該光罩係運用在製造 溥膜電晶體’該薄膜電晶體包括一位於複數個訊號線交 叉處的顯示區以及一位於該等訊號線之末端部分配置處 的周邊區，該等裂缝包括位於該顯示區中的多個第一裂 縫及位於該周邊區中的多個第二裂縫，並且該等第一裂 縫及該等第二裂縫的寬度和距離不同。 如申請專利範圍第6項之光罩，丨中該光罩係運用在製造 薄膜電晶體’該薄膜電晶體包括一用於顯示影像的顯示 區以及-環繞該顯示區的周邊區，該等裂縫包括位於該 顯示區和㈣邊區中的多個第—裂縫及位於其餘區財 的多個第二裂縫，並且該等第一裂縫及該等第二裂縫的 寬度和距離不同。 10· —種薄膜電晶體陣列面板製造方法，該方法包括 在一絕緣基板上形成一閘極線； O:\91\91029.DOC5 200424724 該資料導電層包括一資料線及一 形成一閘極絕緣層 形成一半導體構件 形成一資料導電層 汲電極； 形成一鈍化層， 露該汲電極的至少 該純化層具有一第一接觸通孔，以曝 一部分以及位於該汲電極邊緣附近之

   一部分；以及 形成像素電極，該像素電極透過該接觸通孔連接至 該汲電極； ”中έ使用光罩以微影法來圖案化該半導體構件與 。亥純化層之至少—項，該光罩具有複數個實質上直線性 表縫並且每個裂縫的寬度及裂縫間距離在約至厶〇微 米範圍内。 11.如申請專利範圍第Π)項之方法，其中該光罩包括一用於 阻隔光線的第-區域、—配備用於局部透射光線之多個 裂縫的第二區域以及一用於完全透射光線的第三區域。 12·如申請專利範圍第山頁之方法，其中該微影法形成一正 片光阻，該正片光阻包括一位於該資料線上及該汲電極 之一第一部分上的第一部分、一位於該汲電極之一第二 部为上的第二部分以及一位於該閘極線之一末端部分上 的第三部分，該光阻之該第二部分的厚度小於該光阻之 該第一部分的厚度，以及該光阻之該第三部分的厚度小 於該光阻之該第二部分的厚度。 13,如申請專利範圍第12項之方法，其中該光阻進一步包括 O:\91\91029.DOC 5 200424724 14. —位於該資料線之-末端部分上的第四部分，並且該光阻 之該第四部分的厚度小於該光阻之該第—部分的厚度。 如申請專利範圍第13項之方法，進一步包括·· 使用該光阻執行蝕刻，以便曝露位於該光阻之第二部 分與第四部分下之該鈍化層#多個部分，並且曝露位於 該光阻之第三部分下之該閘極絕緣層的一部分；以及 去除該鈍化層之該等曝露部分及該閘極隔離層，用於 形成多個接觸通孔以曝露該閘極線及該資料線之末端部 分。 。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該等裂縫包括相對 應於該光阻之第二部分的多個第一裂縫及相對應於該光 阻之第四部分的多個第二裂縫’並且該等第一裂縫及兮 等第二裂縫的寬度和距離不同。 16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中藉由微影法來圖案 化該半導體構件與該鈍化層中至少一項包括： 在該閘極絕緣層上沈積一半導體層； 在該資料導電層上沈積一絕緣層； 在該絕緣層上形成一光阻； 使用該光阻執行蝕刻，以便曝露位於該光阻之第二部 分與第四部分下之該鈍化層的多個部分，並且曝露位於 該光阻之第三部分下之該閘極絕緣層的一部分； 去除該鈍化層之該等曝露部分及該閘極隔離層，用於 形成多個接觸通孔以曝露該閘極線及該資料線之末端部 分，並且曝露該半導體層之多個部分；以及 O:\91\91029.DOC 5 -4- 200424724 去除該半導體層的該等曝露部分，以構成該半導體構 件。 — 1 7·如申睛專利範圍第16項之方法，其中該半導體構件包括 複數個半導體部分，該等複數個半導體部分在介於相鄰 資料線之間的部分處互相分隔。 1 8 ·如申清專利範圍第16項之方法，其中該薄臈電晶體包括 一位於該閘極線交叉於該資料線處的顯示區以及一位於 該閑極線和該資料線之末端部分配置處的周邊區，該等 裂縫包括位於該顯示區和該周邊區中的多個第一裂縫及 位於其餘區域中的多個第二裂缝，並且該等第_裂縫及 該等第二裂縫的寬度和距離不同。 19_如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該閘極線和該資料 導電層中至少一項包括一由Cr、Mo或Mo合金製成的較下 層膜以及一由A1或A1合金製成的較上層膜。 2〇·如申請專利範圍第19項之方法，其中該汲電極包括該較 下層膜及該較上層膜，並且該方法進一步包括： 先去除該汲電極之至少一部分的較上層膜，之後再形 成該像素電極。 2 1 ·如申明專利範圍第1〇項之方法，其中該光罩被對齊，促 使该等裂縫中至少—裂缝局部重疊於該汲電極之邊界。 22·如申請專利範圍第21項之方法，其中該等裂縫中至少一 裂縫具有一凹處。 23.如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該光罩被對齊，促 使該等裂縫中至少兩個裂縫被配置在該汲電極範圍夕卜。 O:\91\91029.DOC5