CN100343749C

CN100343749C - 薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底及其制造方法

Info

Publication number: CN100343749C
Application number: CNB2005100070429A
Authority: CN
Inventors: 黄俊儒
Original assignee: Quanta Display Inc
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2007-10-17
Anticipated expiration: 2025-01-27
Also published as: CN1632685A

Abstract

一种TFT-LCD的阵列基底及其制造方法。依序形成透明导体层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层以及牺牲层于基底上。利用第一道光罩，形成具有不同厚度的光阻图案于部分牺牲层上。以光阻图案为罩幕，经由一系列蚀刻程序而定义出包含栅极的栅极线、位于栅极正上方的信道层、位于栅极线端部的栅极垫、像素电极以及源极垫。形成绝缘间隙壁于栅极与栅极线的侧壁上。利用第二道光罩，形成源极线、源/漏极，源极线端部连接源极垫，源极连接源极线与信道层，漏极连接信道层与像素电极。根据本发明，仅需两道光罩就能形成阵列基底。

Description

薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器制作过程，具体地，涉及一种使用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基底(array substrate)及其制造方法。

背景技术

液晶显示器包含有一上基底与一下基底，以及夹于上下基底之间的一液晶层。一般来说，上基底具有一彩色滤光片(color filter)以及一共同电极(common electrode)。而下基底具有横向延伸的栅极线(gate lines)、纵向延伸的源极线(source lines，或称数据线)、位于栅极线与源极线交叉处附近的当作是开关组件的薄膜晶体管(TFT)，以及由栅极线和源极线所定义的区域中的像素电极。每一薄膜晶体管具有一栅极、一源极与一漏极。栅极从栅极线延伸出来，而源极从源极线延伸出来。漏极通常是借助于一接触孔(contact hole)而电性连接像素电极。液晶显示器还包括垫部分(pad portions)。垫部分包含有多个栅极垫以及多个源极垫(或数据垫)，其中栅极垫用来提供信号电压至栅极线，而源极垫用来提供数据电压至源极线。这些栅极垫以及多个源极垫最好是位于非显示区。

为了要制作阵列基底，必须在下基底上重复进行例如是沉积、微影蚀刻等等许多制程。然而在现有的阵列基底制程中，通常会使用4～6道的光罩，因此有制造成本高以及制程复杂的缺点。

在美国专利第6338989号中，Ahn等人提出了一种TFT-LCD的阵列基底的制造方法。该方法使用了四道光罩。第一道与第二道光罩是用来形成栅极线、栅极垫、数据线以及数据垫。第三道光罩是用来形成源极、漏极、像素电极以及使信道区露出。第四道光罩是用来图案化覆盖栅极线与栅极垫之绝缘层以及连接栅极垫的接触孔。然而，该方法没有教导本案的TFT-LCD的阵列基底结构及其制造方法。

在美国专利第6567150号中，Kim提出了一种TFT-LCD的阵列基底的制造方法。该方法使用了六道光罩。然而，该方法也没有教导本案的TFT-LCD之阵列基底结构及其制造方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种仅需两道光罩就能形成TFT-LCD的阵列基底的方法，而能降低成本与简化制程。

本发明的另一目的在于提出一种TFT-LCD的阵列基底。

为达上述目的，本发明提供一种TFT-LCD的阵列基底的制造方法，其步骤包括：依序形成一透明导体层、一第一金属层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二绝缘层以及一牺牲层于一基底上；形成一光阻图案于部分该牺牲层上，该光阻图案包括包含一第一光阻层与一第二光阻层，该第二光阻层厚于该第一光阻层，其中该第一光阻层与该第二光阻层位于该牺牲层上的不同区域内；以该光阻图案为罩幕，至少去除部分该牺牲层、该第二绝缘层以及该半导体层而形成一第一开口与一第二开口；去除该第一光阻层；以该第二光阻层为罩幕，去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层之一剩余牺牲层，以及去除部分该第二绝缘层与该半导体层，并且使所述第一与第二开口底部露出该基底；去除该第二光阻层；以该剩余牺牲层为罩幕，去除部分该第二绝缘层与残余的该第一绝缘层；去除该余牺牲层与曝露的该第一金属层，因而定义出包含一栅极的一栅极线、位于该栅极正上方的一信道层、位于该栅极线端部的一栅极垫、一像素电极以及一源极垫，其中该第一开口位于该栅极线中并且靠近该栅极；形成一绝缘间隙壁于该栅极线、栅极与该半导体层的侧壁上：全面形成一第二金属层于该基底上方；以及图案化该第二金属层而形成一源极线、一源极与一漏极，其中该源极线交叉于该栅极线，该源极线的端部连接该源极垫，该源极从该源极线延伸出来而连接部份该信道层，该漏极连接部份该信道层与该像素电极。

根据上述的方法，本发明也提供一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底结构，包括：一基底，具有包含一栅极区的一栅极线区、连接该栅极线区端部的一栅极垫区、与该栅极线区相交叉之一源极线区、连接该源极线区端部之一源极垫区以及位于该栅极线区与该源极线区之间的一像素区；一透明导体层，形成于位在该栅极垫区、该栅极区、该栅极线区、像素区以及该源极垫区的该基底上；一第一金属层，形成于位在该栅极区与该栅极线区的该透明导体层上；一第一绝缘层，形成于该第一金属层上；一半导体层，形成于该第一绝缘层上；一绝缘间隙壁，形成在该栅极线、栅极与该半导体层的侧壁上；一第二绝缘层，形成于部分该半导体层上；以及一第二金属层，形成于位在该源极线区的该基底上方、位在该栅极区的部分该半导体层上以及位在该像素区的部分该透明导体层上。其中，位在该源极线区的该第二金属层当作是一源极线，位在该栅极区的部分该半导体层上的该第二金属层当作是一源极与一漏极，该源极连接该源极线，而该漏极连接位在该像素区的该透明导体层。

根据本发明的阵列基底的制造方法，就能够以两道光罩完成本发明的阵列基底结构，因而能够降低制造成本与简化制程。

为让本发明的目的、特征和优点能够明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图标，做详细说明如下：

附图说明

图1显示了本发明薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的部分平面图：

图2是沿着图1的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示进行一系列的沉积；

图3是沿着图1的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示进行使用第一道光罩的微影程序而得到具有不同厚度的光阻图案；

图4是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示以该光阻图案为罩幕而进行蚀刻程序；

图5是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示以去除部分光阻图案；

图6是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示进行牺牲层的侧壁蚀刻制程；

图7是沿着第1图的X-Y断线之制程剖面示意图，其显示形成露出基底的开口；

图8是沿着第1图的X-Y′断线的制程剖面示意图，其显示以去除部分第二绝缘层以及光阻层；

图9是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示定义出栅极线、栅极、栅极垫、像素电极以及源极垫；

图10是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示形成绝缘间隙壁于栅极线与栅极的侧壁上；

图11是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示进行使用第二道光罩的微影程序；

图12是沿着第1图的X-Y断线的制程剖面示意图，其显示定义出源极线、源极以及漏极；

图13A～13C显示了本发明部分蚀刻步骤的一变化例的制造流程；

图14A～14C示了本发明部分蚀刻步骤的另一变化例的制造流程；以及

图15A～15C显示了本发明部分蚀刻步骤的另一变化例的制造流程。

符号说明

100～本发明TFT-LCD的阵列基底；200～基底；210～透明导体层；220～第一金属层；230～第一绝缘层；240～半导体层；250～第二绝缘层；260～牺牲层；270～光阻图案；272～第一光阻层；274、274′～第二光阻层；310～第一道光罩；312～半透明区域；314～不透明区域；316～透明区域；320～微影制程(曝光)；410～第一开口；420～第二开口；260′～剩余的牺牲层；610～空隙；910～栅极线(区)；912～栅极(区)；914～信道层；916～栅极垫(区)：918～像素电极(区)；920～源极垫(区)；1010～绝缘间隙壁；1110～经掺杂的半导体层；1120～第二金属层；1130～护层；1140～第二道光罩；1142～不透明区域：1144～透明区域；1150～微影制程(曝光)；1160～光阻图案；1210～源极线(区)；1220～源极；1230～漏极。

具体实施方式

图1显示了本发明薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底100的部分平面图，而图2～12是沿着第1图的X-Y线段的剖面示意图，用以说明本发明的制程。

请参阅图2，首先提供例如是玻璃的一绝缘基底200，然后再利用沉积法依序地沉积一透明导体层210、一第一金属层220、一第一绝缘层230、一半导体层240、一第二绝缘层250以及一牺牲层260于该基底200上。其中，该透明导体层210例如是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)层，该第一金属层220例如是Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层，该第一绝缘层230例如是Si₃N₄或SiO₂层，该半导体层240例如是非晶硅层(amorphous silicon)，该第二绝缘层250例如是Si₃N₄或SiO₂层，以及该牺牲层260例如是Al或Mo或Cr或ITO或IZO。

请参阅图3，先涂布一光阻层(未图标，在此以正型光阻为例)于该牺牲层260上。接着，经由使用一半调光罩(half-tone mask，即第一光罩)310的微影步骤320而形成包含一第一光阻层272与一第二光阻层274的一光阻图案270于部分该牺牲层260上，其中该第二光阻层274厚于该第一光阻层272。此实施例所使用的半调光罩310包含有三种具有不同透光率的区域312、314与316，例如半透明区域312对应第一光阻层272，不透明区域314系对应第二光阻层274，而其它为透明区域316。

请参阅图4，以该光阻图案270为罩幕，至少去除部分该牺牲层260、该第二绝缘层250以及该半导体层240而形成一第一开口410与一第二开口420。请参阅图1，该第一开口410的位置对应于将来要形成的栅极912附近的栅极线910中，而该第二开口420的位置对应于将来要形成的像素电极918周围。在第4图中，这些开口410、420以露出第一绝缘层230为例。

请参阅图5，经由灰化(ashing)程序去除该第一光阻层272，因而形成剩余的第二光阻层274′于部分该牺牲层260上。

请参阅图6，以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，依序进行非等向性蚀刻(例如干蚀刻)与等向性蚀刻(例如湿蚀刻)去除部分该牺牲层260，而形成宽度窄于剩余之第二光阻层274′的一剩余牺牲层260′。该步骤称为牺牲层的侧蚀刻(side etching)，使得在该剩余第二光阻层274′下侧形成底切空隙(undercut)610。当该牺牲层260例如是铝时，则上述等向性蚀刻例如是采用含硝酸溶液之湿蚀刻。值得注意的是，本发明借助于第一开口410与第二开口420的设计，使得在上述侧蚀刻制程之后，位于该第一开口410周围的该剩余牺牲层260′是不连续的。

请参阅图7，接着以该剩余之第二光阻层274′为罩幕，非等向性去除(例如干蚀刻)该第二绝缘层250与该半导体层240以及同时去除位在该等第一与第二开口410、420内该第一绝缘层230。之后，仍以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，非等向性去除(例如干蚀刻)位在第一与第二开口410、420内的该第一金属层220与该透明导体层210，而露出该基底200。

这里要特别说明的是，上述图4～7所述的蚀刻顺序仅为一范例，并非限定本发明。亦即有许多种变形例也可以采用而同样能够得到如图7所示的结构，在此举三种变形例以供应用者参考。

第一变形例的流程请参阅图13A～13C。以该光阻图案270为罩幕，去除部分该牺牲层260、该第二绝缘层250、该半导体层240以及该第一绝缘层230而形成第一开口410与第二开口420，这些开口410、420系露出该第一金属层220。然后，经由灰化程序去除该第一光阻层272，因而形成剩余的第二光阻层274′于部分该牺牲层260上。接着，以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，依序进行非等向性与等向性蚀刻去除部分该牺牲层260，而形成宽度窄于该剩余的第二光阻层274′的剩余牺牲层260′，此时也将该等第一与第二开口410、420内的该第一金属层220去除，此变形例的该牺牲层260′与该第一金属层220最好是采用相同金属材质，例如是铝。接着，以该剩余的第二光阻层274，为罩幕，非等向性去除(例如干蚀刻)该第二绝缘层250与该半导体层240以及去除位在该等第一与第二开口410、420内的该透明导体层210，而露出该基底200。如此就能够得到如第7图所示的结构。

第二变形例的流程请参阅第14A～14C图。以该光阻图案270为罩幕，去除部分该牺牲层260、该第二绝缘层250、该半导体层240、该第一绝缘层230以及该第一金属层220而形成第一开口410与第二开口420，该等开口410、420露出该透明导体层210。然后，经由灰化程序去除该第一光阻层272，因而形成剩余的第二光阻层274，于部分该牺牲层260上。接着，以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，依序进行非等向性与等向性蚀刻去除部分该牺牲层260，而形成宽度窄于该剩余之第二光阻层274′的剩余牺牲层260′，此变形例的该牺牲层260′例如是铝，而该第一金属层220最好是采用铝合金或是经过阳极处理的铝金属。接着，以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，非等向性去除(例如干蚀刻)该第二绝缘层250与该半导体层240以及去除位在该等第一与第二开口410、420内的该透明导体层210，而露出该基底200。如此就能够得到如第7图所示的结构。

第三变形例的流程请参阅图15A～15C。以该光阻图案270为罩幕，去除部分该牺牲层260、该第二绝缘层250、该半导体层240、该第一绝缘层230、该第一金属层220以及该透明导体层210而形成第一开口410与第二开口420，这些开口410、420露出该基底200。然后，经由灰化程序去除该第一光阻层272，因而形成剩余之第二光阻层274′于部分该牺牲层260上。接着，以该剩余的第二光阻层274′为罩幕，依序进行非等向性与等向性蚀刻去除部分该牺牲层260，而形成宽度窄于该剩余的第二光阻层274′的剩余牺牲层260′，此变形例的该牺牲层260′例如是铝，而该第一金属层220最好是采用铝合金或是经过阳极处理的铝金属。接着，以该剩余之第二光阻层274′为罩幕，非等向性去除(例如干蚀刻)该第二绝缘层250与该半导体层240。如此就能够得到如图7所示的结构。

再来请参阅图8，先去除该剩余的第二光阻层274′，而露出该剩余牺牲层260′。然后以该剩余牺牲层260′为罩幕，去除部分该第二绝缘层250与该第一绝缘层230。

请参阅第9图，去除该剩余牺牲层260′与曝露的该第一金属层220，因而定义出包含一栅极912的一栅极线910、位于该栅极912正上方的一信道层(channel layer)914、位于该栅极线910端部的一栅极垫916、一像素电极918以及一源极垫920，其中该第一开口410位于该栅极线910中并且靠近该栅极912。这里要注意的是，请参阅图1，本发明借助于第一开口410以及第一开口410附近的栅极线910宽度较窄的设计，使得位于第一开口410周围的栅极线910上方的半导体层240，在经上述众多蚀刻制程之后变得不连续。

请参阅图10，先全面沉积一顺应的绝缘层(未图标)覆盖于该基板200上方，然后经由非等向性蚀刻(例如干蚀刻)而形成一绝缘间隙壁1010于该栅极线910、该栅极912与半导体层240的侧壁上，其中该绝缘间隙壁1010例如是Si₃N₄或SiO₂层。

请参阅图11，依序沉积一经掺杂的半导体层1110、一第二金属层1120与一护层1130于整个基底200上方。其中该经掺杂的半导体层1110例如是掺杂n⁺型离子的硅层，该第二金属层1120例如是Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层，而该护层1130例如是Si3N4层。之后，经由使用一第二光罩1140的微影步骤1150形成一光阻图案1160。符号1142代表不透明区域，而符号1144代表透明区域。

请参阅第12图，以该光阻图案1160为罩幕，图案化该护层1130、该第二金属层1120与该经掺杂的半导体层1110而定义出由第二金属层1110所构成之一源极线(或称数据线)1210、一源极1220与一漏极1230，其中该源极线1210系交叉于该栅极线910，该源极线1210的端部电性连接该源极垫920，该源极1220从该源极线1210延伸出来而电性连接部份该信道层914，该漏极1230电性连接部份该信道层914与该像素电极918。最后，去除该光阻图案1160。如此，经由上述本发明制程，即能以两道微影制程(即两道光罩)就能得到TFT-LCD的阵列基底100。

根据上述制程，本发明也提供了一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底结构100。请参阅图1与图12，该阵列基底结构100包括：一绝缘基底200，具有包含一栅极区912的一栅极线区910、连接该栅极线区910端部的一栅极垫区916、与该栅极线区910相交叉的一源极线区1210、连接该源极线区1210端部的一源极垫区920以及位于该栅极线区910与该源极线区1210之间的一像素区918；一透明导体层210，形成于位在该栅极垫区916、该栅极区912、该栅极线区910、像素区918以及该源极垫区920的该基底200上；一第一金属层220，形成于位在该栅极区912与该栅极线区910的该透明导体层210上：一第一绝缘层230，形成于该第一金属层220上；一半导体层240，形成于该第一绝缘层230上；一绝缘间隙壁1010，至少形成于该第一金属层220的侧壁上；一第二绝缘层250，形成于部分该半导体层240上：以及一第二金属层1120，形成于位在该源极线区1210的该基底200上方、位在该栅极区912的部分该半导体层240上以及位在该像素区918的部分该透明导体层210上。其中，位在该源极线区1210的该第二金属层1120系当作是一源极线1210，位在该栅极区912的部分该半导体层240上的该第二金属层1120当作是一源极1220与一漏极1230，该源极1220电性连接该源极线1210，而该漏极1230电性连接位在该像素区918的该透明导体层210。

本发明的特征在于TFT-LCD的阵列基底的制程：以第一道光罩(即半调光罩)形成包含一第一光阻层与一第二光阻层的一光阻图案于部分该牺牲层上，该第二光阻层厚于该第一光阻层；以该光阻图案为罩幕，至少去除部分该牺牲层、该第二绝缘层以及该半导体层而形成一第一开口与一第二开口；去除该第一光阻层；以该第二光阻层为罩幕，去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层的一剩余牺牲层，以及去除部分该第二绝缘层与该半导体层，并且使该等第一与第二开口底部露出该基底；去除该第二光阻层；以该剩余牺牲层为罩幕，去除部分该第二绝缘层与该第一绝缘层：去除该余牺牲层与曝露的该第一金属层，因而定义出包含一栅极的一栅极线、位于该栅极正上方的一信道层、位于该栅极线端部的一栅极垫、一像素电极以及一源极垫，其中该第一开口位于该栅极线中并且靠近该栅极；形成一绝缘间隙壁于该栅极与该栅极线的侧壁上；全面形成一第二金属层于该基底上方；以及利用第二道光罩来图案化该第二金属层而形成一源极线、一源极与一漏极。

根据本发明，就能够以两道光罩完成本发明的阵列基底结构，因而能够降低制造成本与简化制程。

虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作许多更动与修改，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。

Claims

1、一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其步骤包括：

依序形成一透明导体层、一第一金属层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二绝缘层以及一牺牲层于一基底上；

形成一光阻图案于部分该牺牲层上，该光阻图案包含一第一光阻层与一第二光阻层，该第二光阻层厚于该第一光阻层，其中该第一光阻层与该第二光阻层位于该牺牲层上的不同区域内；

以该光阻图案为罩幕，至少去除部分该牺牲层、该第二绝缘层以及该半导体层而形成一第一开口与一第二开口；

去除该第一光阻层；

以该第二光阻层为罩幕，去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层之一剩余牺牲层，以及去除部分该第二绝缘层与该半导体层，并且使该等第一与第二开口底部露出该基底；

去除该第二光阻层；

以该剩余牺牲层为罩幕，去除部分该第二绝缘层与该第一绝缘层；

去除该余牺牲层与曝露之该第一金属层，因而定义出包含一栅极的一栅极线、位于该栅极正上方的一信道层、位于该栅极线端部的一栅极垫、一像素电极以及一源极垫，其中该第一开口位于该栅极线中并且靠近该栅极；

形成一绝缘间隙壁于该栅极线、栅极与半导体层的侧壁上；

全面形成一第二金属层于该基底上方；以及

图案化该第二金属层而形成一源极线、一源极与一漏极，其中该源极线系交叉于该栅极线，该源极线的端部系连接该源极垫，该源极从该源极线延伸出来而连接部份该信道层，该漏极连接部份该信道层与该像素电极。

2、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，包含所述第一与第二光阻层的该光阻图案经由使用一半调光罩的微影步骤所形成。

3、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二金属层经由使用一光罩的微影步骤所形成。

4、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该透明导体层是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)层。

5、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第一金属层系Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。

6、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第一绝缘层系Si₃N₄或SiO₂层。

7、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该半导体层系非晶硅层。

8、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二绝缘层系Si₃N₄或SiO₂层。

9、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该牺牲层是Al或Mo或Cr或ITO或IZO。

10、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该绝缘间隙壁是Si₃N₄或SiO₂层。

11、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二金属层是Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。

12、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，还包括形成一经掺杂的半导体层于该第二金属层下。

13、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，还包括形成一护层于该第二金属层上。

14、如权利要求13所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该护层是Si₃N₄层。

15、如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，形成该剩余牺牲层以及使所述第一与第二开口底部露出该基底的步骤包括：

以该第二光阻层为罩幕，进行侧蚀刻而去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层之该剩余牺牲层；

以该第二光阻层为罩幕，非等向性去除该等第一与第二开口内的该第一绝缘层、该第二绝缘层与该半导体层；

以该第二光阻层为罩幕，非等向性去除所述第一与第二开口内的该第一金属层与该透明导体层。

16、一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，包括：

一基底，具有包含一栅极区的一栅极线区、连接该栅极线区端部的一栅极垫区、与该栅极线区相交叉的一源极线区、连接该源极线区端部的一源极垫区以及位于该栅极线区与该源极线区之间的一像素区；

一透明导体层，形成于位在该栅极垫区、该栅极区、该栅极线区、像素区以及该源极垫区的该基底上；

一第一金属层，形成于位在该栅极区与该栅极线区的该透明导体层上；

一第一绝缘层，形成于该第一金属层上：

一半导体层，形成于该第一绝缘层上；

一绝缘间隙壁，形成在该栅极线、栅极与半导体层的侧壁上：

一第二绝缘层，形成于部分该半导体层上；以及

一第二金属层，形成于位在该源极线区的该基底上方、位在该栅极区的部分该半导体层上以及位在该像素区的部分该透明导体层上。

17、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，位在该源极线区的该第二金属层当作是一源极线，位在该栅极区的部分该半导体层上的该第二金属层当作是一源极与一漏极，该源极连接该源极线，而该漏极连接位在该像素区的该透明导体层。

18、如权利要求15所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该透明导体层是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)层。

19、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该第一金属层是Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。

20、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该第一绝缘层是Si₃N₄或SiO₂层。

21、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该半导体层是非晶硅层。

22、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该第二绝缘层是Si₃N₄或SiO₂层。

23、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该绝缘间隙壁是Si₃N₄或SiO₂层。

24、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该第二金属层是Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。

25、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，还包括一经掺杂的半导体层，形成于该第二金属层下。

26、如权利要求16所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，还包括一护层，形成于该第二金属层上。

27、如权利要求26所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底，其中，该护层是Si₃N₄层。