RU3078U1 - Микросхема - Google Patents

Микросхема Download PDF

Info

Publication number
RU3078U1
RU3078U1 RU95106722/20U RU95106722U RU3078U1 RU 3078 U1 RU3078 U1 RU 3078U1 RU 95106722/20 U RU95106722/20 U RU 95106722/20U RU 95106722 U RU95106722 U RU 95106722U RU 3078 U1 RU3078 U1 RU 3078U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
layer
thickness
leads
layers
Prior art date
Application number
RU95106722/20U
Other languages
English (en)
Inventor
М.П. Духновский
А.Ю. Печенин
Original Assignee
Духновский Михаил Петрович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Духновский Михаил Петрович filed Critical Духновский Михаил Петрович
Priority to RU95106722/20U priority Critical patent/RU3078U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU3078U1 publication Critical patent/RU3078U1/ru

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Микросхема, содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, выводы, соединения кристалла с выводами, отличающаяся тем, что полимерный корпус выполнен как минимум двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и во втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превышает суммарной толщины кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быть расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.

Description

МИКРОСХЕМА.
Полезная модель относится к электронной технике, к конструкции микросхем, в частности к конструкции корпусов микросхем.
Известна конструкция микросхемы jflj , содержащая кристалл транзистора с разваренными от него вывоДами-проволочками, и слой герметика на поверхности кристалла.
Данная конструкция микросхемы имеет тонкие, не жесткие, легко гнущиеся вывода-проволочки (15... 50 мкм ), что значительно усложняет последующий монтаж схемы на плату и делает эту работу трудоемкой .
Известна конструкция микросхемы (2 , содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами.
Такая микросхема не достаточно миниатюрна, объем ее корпуса в 20... 40 раз превышает объм кристалла и не может быть использована во многих миниатюрных изделиях.
Техническим результатом полезной модели является минимизация отношения объема микросхемы к объему кристалла, при жестко ориентированных выводах.
Технический результат достигается тем, что микросхема содержащая полимерный герметичный корпус и расположенный в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами, герметичный полимерный корпус выполнен как мининух двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина первого слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превывает суммарной толщины Кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быт расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
Выполнение полимерного корпуса как минимум двуслойным позволяет применить для создания второго слоя технологию нанесения жидкого полимера или лака с последушцей полимеризацией или суякой на воздухе. При этом не требуется пресс-фс рма,что дает возможность создать корпус с минимальным отношением объема кристалла к объему корпуса микросхемы, с высоким процентом выхода годных на данной операции.
Расположение кристалла и выводов в первом и втором слое позволяет жестко фиксировать вывода.
Расположение соединений кристалла с выводами во втором слое обеспечивает нахождение поверхности кристалла и поверхности выводов, на которые крепятся соединения их друг с другом, полностью в монолите второго слоя, что позволяет надежно загерметизировать зти соединения, при минимгшьном отношении объемов кристалла и корпуса микросхемы.
Толщина первого слоя не превышающая толщину кристалла исключает возможность попадания материала слоя на поверхность кристалла и тем самым позволяет создать соединение кристалла с выводами.
Толщина второго слоя, не превышающая суммарную толщину кристалла и высоту соединений кристалла с выводами максимально обеспечивает минимизацию отношения объемов кристалла и микросхемы.
.
-f
Третий и бохеё слой могут быть расположены как со стороны первого, так и слоев и могут нести дополнительные функции. Например, применение слои с побыменйой прочностью позволяет при минимуме толцины это1ч слоя и минимуме отношения объемов кристалла и микросхемы значительно увеличить прочность схемы. Слои могут быть защитой от электромагнитного излучения и пр.
Изобретение поясняется чертежом, где на Фиг.1 приведены примеры конструкций микросхемы, где первый слой полимера-1,второй слой полимера -2, кристалл -3, выводы -4, соединения кристалла с выводами 5, слой полимера с повышенной механической прочностью -6.
Пример: В данной конструкции кристалл кремния -3 толщиной 150 мкм и выводы -4 из никелиевой фольги толщиной 50 мкм, полученные химическим фрезерованием, вдавлены частично в первый слой полимера- 1 (пленку ИКС-171) и скреплены им. Для механической прочности под первым полимерным слоем находится слой-6 с повышенными механическими свойствами (полиимид толщиной ЗОмкм). Над первым слоем расположен второй слой-2 (лак ФЛ-98), который герметизирует поверхность самого кристалла, всех выводов, а также соединений-5 кристалла и выводов (алхяшниевые проволочки диаметром 30 мкм).
Такая конструкция позволяет создавать схемы с малой толщиной, определяемой практически только суммой толщины кристалла (100...200мкм) и высоты петель соединений кристалла с выводами (для разварки проволокой 30... 100 мкм ). Т.е. общая толщина схемы составит порядка 150...400 мкм. Таким образом отношение объема схемы по отношению к объему кристалла составляет 4...10 раз.
Реализация данного технического решения позволяет не только уменьшить размер микросхем, но кроме того из-за наличия достаточно жестких четко ориентированных выводов значительно уменьшить трудоемкость монтажа таких микросхем на плате.
Источники информации:
1.Поупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник, под редакцией Н.Н., Москва, Энергоиздат, 1982 г.стр. 178.
2.В.Н.Черняев Технология производства интеграьных микросхем и микропроцессоров,Москва,Радио и связь,1987г.,стр.337...340.
ЗАЯВИТЕЛЬ М.П.ДУХНОВСКИЙ

Claims (1)

  1. Микросхема, содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, выводы, соединения кристалла с выводами, отличающаяся тем, что полимерный корпус выполнен как минимум двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и во втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превышает суммарной толщины кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быть расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
RU95106722/20U 1995-04-26 1995-04-26 Микросхема RU3078U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Микросхема

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Микросхема

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU3078U1 true RU3078U1 (ru) 1996-10-16

Family

ID=48265345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Микросхема

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU3078U1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900004636B1 (ko) 집적회로 패키지
ATE167319T1 (de) Basis folie für chip karte
CN106169466A (zh) 半导体封装组件及其制造方法
KR880001180A (ko) 인쇄회로장치
MY125230A (en) Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body
KR950004467A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JPH05121644A (ja) 電子回路デバイス
RU3078U1 (ru) Микросхема
JPS56161696A (en) Board
CN106068682B (zh) 电子控制模块和其制造方法
KR950034706A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JPH01106455A (ja) 半導体集積回路装置
JPS55138241A (en) Sealing structure for semiconductor device
KR940005200A (ko) 배선기판상의 배선표면 처리방법
KR970063590A (ko) 탭 테이프를 적용한 칩 스케일 패키지
TW502413B (en) Semiconductor chip encapsulation structure with passive device
JPH02122534A (ja) 混成集積回路
JPH03190299A (ja) 混成集積回路基板
JPH01187846A (ja) 半導体装置
JPS55138240A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970053637A (ko) 칩 크기형 반도체패키지
JPS6094745A (ja) プリント配線板
JPS645895Y2 (ru)
EP0343379A3 (en) Thin film package for mixed bonding of a chip
JPS5735354A (en) Sealing method for semiconductor housing container