KR900004636B1 - 집적회로 패키지 - Google Patents

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제이.버나시 리처드
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허니웰 인포오메이션 시스템즈 인코오포레이티드
윌리암 더블유.홀로웨이 2세
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Abstract

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Description

집적회로 패키지
제1도는 본 발명의 한 실시예에 따른 IC 패키지의 횡단면도.
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 IC 패키지의 횡단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 패키지(package) 12 : 기판
14 : 프리폼(preform) 16 : IC 칩
18 : 비임 리이드(beam lead) 20 : 활성면(전면)
22 : 입출력(I/O)단자 24 : 활성면의 외주변
26 : 내부 리이드 접합부 28 : 외부 리이드 접합부
30 : OL 패드 32 : 기판의 상부면
34 : 칩 패드 36 : 기판의 배면(바닥면)
38 : 열싱크 패드 40 : 열통로(도관)
42 : 열싱크 44 : 땜납
본 발명은 집적회로 칩 패키지(IC chip package) 분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 칩을 냉각하기 위한 개선된 수단이 마련된 IC 칩 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, IC칩(chip) 또는 다이(dies)는 패키지당 하나의 칩으로 된 개별소자, 혹은 멀티칩 하이브리드 회로(multichip hybrid circuit)나 하이브리드 패키지(hybrid package)의 일부로서 패키지화된다. 칩의 집적도가 점차 증가함에 따라, 대규모 집적회로(LSI) 칩의 개별 패키지들은 하나의 칩을 내장한 패키지와 기판의 회로가 복잡한 전자회로의 주요 빌딩 블록(building block)이 될 수 있도록, 필요한 수효의 상호 접속부를 제공할 수 있는 기판이 요구되었다. 패키지상에 IC칩을 장착하는 것에 관계된 기술, 특히 LSI칩을 패키징하는 공정을 자동화하는 기술은 35mm 필름과 같은 플라스틱 재료의 스트립(strip)으로 적층된 가요성 비임 리이드 프레임(flexible beam frame)을 생산하는 것을 포함한다.
칩의 활성면(active face)상의 입출력(I/O)단자는 주어진 리이드 프레임의 리이드들의 내부 리이드 접합부(inner lead bonding sites)에 접합된다. 종래의 기술에서는, IC 칩과 리이드 프레임(lead frame)에서 나온 리이드의 일부 및 각 프레임이 부착되어 있는 필름 세그먼트(flim segment)를 블랭크시킴(blaking)으로써 다층 인쇄회로 보오드(multilayer printed circuit board)와 같은 기판상에 IC칩을 장착하고 있었다. 리이드들의 외부 리이드 접합부(outer lead bonding sites)는 리이드의 자유단부에서 발형상부(foot)를 형성하도록 되어 있다.
이러한 리이드의 각 발형상부의 외부 표면은 바로 발형상부가 형성된 리이드들의 외부 리이드 접합부가 되므로, 리이드들의 외부 리이드 접합부는 실질적으로 IC칩의 활성면에 평행하지만 칩의 바닥면 즉 배면과는 실질적으로 정렬되도록 변위된다.
IC칩의 배면은 금속화되어서, 칩의 리이드들의 외부리이드 접합부가 기판의 외부리이드 패드(OL pads)에 접합됨과 동시에 그 배면이 기판 표면상의 금속화 된 칩 부위에 납땜될 수 있다.
칩과 기판의 칩 패드 사이에 위치한 열경화성 플라스틱으로 캡슐화된 칩의 활성면을 지닌 기판상에 IC칩을 장착함으로써, 칩의 활성면 및 내부 리이드 접합부와 칩의 I/O단자 사이의 내부 리이드 접함물을 화학적·물리적 침식으로부터 보호할 수 있을 뿐만 아니라 내부 리이드 접합물의 기계적 감도를 향상시킬 수 있다. 열경화성 플라스틱의 열전도도는 열가소성 물질에다, 열전도성이지만 양호한 절연체인 예컨대 알루미나(Al2O3) 또는 산화베릴륨(BeO)과 같은 물질을 함유시킴으로써 현저히 개선된다. 그러나, 인쇄 회로 보오드상에 칩을 장착하는 소위 플립 칩 방식(flip chip approach)은 필연코 문제점이 발생되는데, 그 문제점중 하나는 각 IC칩의 온도를 설계된 동작 한계치내로 유지하기 위하여 칩이 생성하는 열(이 열의 총량은 특히 바이폴라형 IC의 경우 칩의 집적도가 증가함에 따라 증가하는 경향이 있음)을 방출시킨다는 점이다.
본 발명에 의하면, 칩을 냉각하기 위한 개선된 수단이 마련된 IC칩 패키지가 제공된다. IC칩은 활성면을 가지고 있는데 그 위에는 복수의 O/I단자가 위치한다. 복수의 가요성 비임 리이드들은 각각 내부 및 외부리이드 접합부를 가지고 있으며, 각 라이드의 내부 리이드 접합부는 칩의 활성면 상의 I/O단자에 접합된다. 칩은 기판의 상부면 위의 칩 패드상에 장착되며, 그 주위에는 복수의 OL패드(outer lead pad)가 위치한다. 기판의 배면상에는 열싱크 패드(heat sink pad)가 놓인다. 기판상에서의 열싱크 패드의 위치는 칩 패드의 위치와는 실질적으로 대향하도록 되어 있다. 칩 패드와 그것의 대향측 상의 열싱크 패드를 상호 접속하기 위하여 적어도 하나의 열통로(thermal passage)가 기판을 통해 형성된다. 그 열통로는 양호한 열전도성 물질로 체워지며 열싱크는 열싱크 패드에 접합된다. 칩패드, 열싱크 패드 및 열싱크는 모두 구리, 알루미나 등과 같은 양호한 열전도체로 이루어진다.
양호한 열전도체인 열경화성 플라스틱으로 코팅된 유리섬유 메쉬(fiber glass mesh)의 세그먼트는 프리폼(preform; 母材)를 구성하는데 그것의 크기는 실질적으로 칩 패드의 크기와 일치하며, 그 프리폼은 칩 패드상에 위치한다. IC칩은 칩 패드 및 IC칩의 활성면에 고착되며 칩에 인접한 각 리이드의 일부는 프리폼의 열경화성 플라스틱으로 캡슐화되고 칩 리이드들의 외부 리이드 접합부는 각기 OL패드에 접합된다. 리이드들의 외부 리이드 접합부를 기판의 OL 패드에 압축 접합(compression bonding)하는 것은 리이드들을 압축상태로 두어 각 리이드의 노출된 부위가 기판의 상부면으로부터의 밖으로 구부러지도록 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 보다 저렴한 가격으로 생산될 수 있도록 제조공정이 자동화될 수 있는 IC칩 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 기타 목적, 특징 및 장점은 첨부도면을 참조로 한 양호한 실시예에 대한 다음 설명으로부터 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 당업자는 본원 발명의 신규의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형 및 수정이 가해질 수 있음을 알 수 있을 것이다.
제1도는 참조하면, 패키지(10)는 기판(12), 프리폼(14) 및 IC칩 또는 다이(16)를 구비하고 있다. IC칩(16)에는 복수의 가요성 비임리이드(18)가 마련되어 있는데, 칩(16)의 리이드(18)의 수효는 게이트의 수, 칩의 복잡도 또는 집적도에 따라서 변화하는바, 예컨대 현재 생산중인 칩의 경우 칩당 20 내지 400 리이드에 이르고 있으나 칩당 리이드의 최대 수효는 점차 증가되는 경향이 있다. IC칩(16)은 전면 즉 활성면(20) 및 예컨대 금 또는 구리와 같은 양도체로 이루어진 복수의 I/O단자(terminal) 또는 범프(bump)(22)를 가지고 있다. I/O단자(22)는 통상 활성면(20)의 외부변(outer perimeter)(24)근처에 위치한다.
각 가요성 비임 리이드(18)에는 내부 리이드 접합부(26) 및 외부 리이드 접합부(28)가 마련된다. 비임리이드(18)는 구리와 같은 양도체로 이루어지는 바 필름 스트립의 세그먼트에 접합 또는 적층된 얇은 구리 박막 층으로 형성된다. IC칩(16)이 기판(16)상에 장착되기 전에, 리이드(18)는 활성면(20)상의 I/O 단자(22)에 접합되고 각 리이드(18)의 내부 리이드 접합부(26)는 통상의 열 압축 공정 또는 납땜 공정에 의해 I/O단자(22)에 접합된다. I/O단자(22)와 리이드(18)의 내부 리이드 접합부(26) 사이의 접합물(bond) 즉 기계적 전기적 접속부는 내부 리이드 접합물로 형성된다. 기판(12)은 유리 섬유가 채워진 플라스틱 재료로 된 다중 알루미나를 가진 다층 인쇄회로 보오드가 바람직하며, 그 위에는 전도성 런(run; 통로)이 사진석판술에 의해 형성된다. 이와는 달리, 기판(12)은 알루미나 베이스와 교호로된 복수의 도전체층 및 유전체층을 가진 다층 기판일 수도 있다. 도전체층 및 유전체층은 알루미나 베이스와 함께 통상적으로 기판의 베이스 또는 바로 앞서 형성된 층 상에 스크린 프린팅(screen printing)된다. 기판(12)의 상부면(32)위에는 칩 패드(34)가 형성된다.
칩 패드(34)는 그것의 주변에 위치한 복수의 OL패드(30)와 관련된다. 양호한 실시예에서, OL패드(30)는 금 또는 구리와 같은 양도체로 이루어진다. 칩 패드(34)의 재료로는 패드(34)상에 장착된 IC칩(16)에 의해 생성된 열을 방출하는 것을 돕기 위하여, 예컨대 금, 구리 또는 알루미늄과 같은 양호한 열전도체가 바람직하다.
프리폼(14)은 유리 섬유웨브(a web of fiber glass)의 작은 세그먼트이며. 그 세그먼트 각각은 B 스테이지 에폭시(B-stage epoxy)와 같은 적당한 열경화성 플라스틱 수지로 코팅된다. 양호한 실시예에서, 웨브는 1mil 직경의 유리 섬유 필라멘트로 이루어진다. 프리폼(14)이 절단되거나 형성되는 재료 시이트(sheets of the material)로는 캘리포니아, 가데나 소재의 Ablestik 연구소 제조원의 상표명 Able Film 550K를 이용할 수 있다. 프리폼(14)은 그것이 위에 놓여지는 칩 패드(34)와 실질적으로 같은 크기를 갖도록 되어 있다. 양호한 실시예에서, 프리폼(14)은 3-5mils 범위의 두께를 갖는다.
기판 즉 인쇄 회로 보오드(12)의 배면(36)상에는 열싱크 패드(38)가 형성된다. 열싱크 패드(38)의 위치는 그것이 칩 패드(34)와 실질적으로 대항하도록 되어 있다. 복수의 열도관 즉 통로(40)는 칩 패드(34)를 열싱크 패드(38)와 상호 접속시키도록 기판(12)를 통해 형성된다. 전형적으로, 각 통로에는 도금된 구리 라이닝(copper lining)이 마련된다. 양호한 실시에에서는, 5개의 열통로(40)가 기판(12)를 통해 형성된다. 열싱크 패드(38)에는 구리, 알루미늄 등과 같은 양호한 열전도체인 열싱크(42)가 접합된다.
열싱크 패드(38) 및 열싱크(42)는 면적이 실질적으로 같도록 형성되거나, 열싱크(42)가 열싱크 패드(38)위에 놓일 때 열싱크 패드(38)와 실질적으로 일치하여 그것을 덮게 된다. 제1도에 도시된 실시예에 있어서, 부분적으로 절개된 열싱크(42)는 프리폼(14)의 에폭시 재료와 실질적으로 동일한 종류의 것이 바람직한 열전도성 플라스틱 재료에 의해 열싱크 패드(38)에 접합된다. 얇은 에폭시 접합 재료 층은 열싱크(42)와 열싱크 패드(38)사이에 놓았다. 기판(12)는 약 30분 동안 180℃의 온도로 가열되어 에폭시를 최종적으로 경화시키게 된다.
이 과정동안, 에폭시는 열 도관 즉 열통로(40)를 채우고 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)에 고착시킨다. 열싱크(42)는 칩(16)이 패드(34)상에 장착되기 전에 정상적으로 열싱크 패드(38) 및 적당한 열전도성 물질로 채워진 열통로(40)에 고착된다.
IC패키지(10)를 생산함에 있어서는, 패키지(10)의 제작 공정의 초기 단계로서 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)상에 장착하는 것이 바람직하다. 유리 섬유 필라멘트의 웨브가 없는 얇은 B 스테이지 에폭시 시이트는 열싱크 패드(38) 및 열싱크(42)에 근사한 크기로 절단된다. 기판(12)은 100°-120℃ 범위의 온도로 가열되는데, 그 온도에서 열경화성 플라스틱 재료는 그것이 패드(38)와 접촉하게 될 때 패드(38)에 달라붙도록 된다. 이어서 열싱크(42)가 접착된 기판(12)은 약 20분 동안 실질적으로 170℃의 온도로 가열되는 B 스테이지 에폭시를 부분적으로 경화시키게 된다. 부분적인 경화 단계 동안, 열싱크(42)는 그것이 바로 열싱크 패드(38)위에 놓이도록 위치하는데 이것은 그들 사이의 열임피던스를 감소시키며, 열경화성 플라스틱 재료는 기판(12)의 열통로(40)로 흘러 그곳을 채우게 된다. 에폭시의 부분적 경화는 또한 기판이 즉시 180℃의 최종 경화온도로 가열되는 경우에 흔히 발생되는 기포가 그 재료에서 생기는 것을 방지한다. 열경화성 플라스틱 재료에서 기포가 생기게 되면, 그 재료의 열임피던스가 증가되므로 결코 바람직스럽지 못하다. 열 가소성 물질의 부분적 경화가 행하여진 후, 열싱크(42)를 열전도성의 열가소성 물질을 사용하여 열싱크 패드(38)에 접합하는데에는 두가지 작용 코스가 있다.
그 중 한가지 작용코스는 프리폼(14)의 에폭시가 칩(16)을 칩 패드(34)에 접합함과 동시에 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)에 접합하는 에폭시의 최종 경화를 기다려서 실시하는 것이다.
한편 다른 코스는 칩 패드(34)상에 IC칩(16)을 장착하기 전에 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)에 접합하는 에폭시를 최종적으로 경화시키는 것이다.
프리폼(14)을 기판(12)의 칩 패드(34)상에 놓기전에, 기판(12)은 110℃ 내지 120℃ 범위의 온도로 예비 가열되며, 그 온도에서 프리폼(14)을 코팅하는 열경화성 플라스틱 재료는 끈적끈적하게 되어 그것이 놓여진 칩 패드(34)에 달라붙게 된다.
그 다음, 칩(16)은 그것의 활성면(20)이 프리폼(14)과 아래가 접촉되게 한 채로 프리폼(14)상에 놓이며, 활성면(20)과 칩(16) 근처의 리이드(18)의 일부를 프리폼(14)의 열경화성 플라스틱으로 캡슐화하는 것을 시작하도록 25 내지 50gram 범위의 힘으로 프리폼안으로 떠밀리게 된다. 프리폼(14)의 웨브중에 유리 필라멘트가 존재함으로 인하여 칩(16)의 활성면(20)이 칩부위(34)와 전기적, 기계적으로 접촉되어지게 할 가능성이 최소화되는데, 이러한 접촉은 칩(16)의 활성면과 기판(12)간에 전기적 단락을 일으킬 수 있다. 이어서 기판(12)은 일정한 온도로 예비가열되어서 전면(활성면)(20)을 캡슐화하기 위하여 프리폼의 열경화성 플라스틱 재료를 부분적으로 경화시킬 뿐만아니라 칩(16)을 칩 패드(34)에 접합시키며, 열경화성 플라스틱 재료가 열전도성 통로(40)의 채워지지 않은 부분으로 흐르게하여 실질적으로 그들을 채운 플라스틱 재료와 양호한 낮은 열임피던스 접촉을 이루도록 한다. 열경화성 플라스틱의 점성이 여전히 충분히 낮을 동안, 칩(16)은 각 가요성 비임리이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)가 그것이 접합되어질 OL패드(30)상에 놓이도록 위치하게 된다. 프리폼(14)의 열경화성 플라스틱 재료가 부분적으로 경화되고 있을 동안, 그것은 각 칩(16)의 활성면(20)사이의 리이드들(18)의 내부 주위를 흐르며 그 결과 리이드들(18)은 칩(16)의 외주변(24)으로부터 물리적으로 격리된다. 프리폼(14)의 열경화성 플라스틱 재료는 양호한 전기 절연체이므로, 리이드(18)과 칩(16)의 전면(활성면)(20)사이에서의 그것의 존재로 인해 단부 단락이 방지된다.
칩(16)의 각 리이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)는 공지의 적당한 기구를 사용하며, 열과 압력의 인가에 의해 즉 열압축 접합(thermocompression bonding)에 의해 그들의 대응하는 OL패드(30)에 접합시키는 것이 바람직하다. 전형적으로, 외부 리이드 접합부(28)는 OL패드(30)가 제조되는 금속과 병용될 수 있는 땜납으로 미리 주석도금되어서, 그 땜납이 녹거나 다시 흐르게 되는 온도보다 높게 조립체가 가열될 때 양호한 납땜 접합이 리이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)와 그것이 접합되어질 OL패드(30)사이에 형성된다. 리이드(18)를 그것의 대응하는 OL패드(30)에 열압축 접합하는 것을 리이드(18)로 하여금 약간의 압축력을 받게하여 리이드(18)의 노출된 부분이 기판(12)의 표면(32)으로부터 밖으로 약간 구부러지도록 한다. 리이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)가 OL패드(30)에 접합된 후, 패키지(10)는 약 3분동안 180℃의 온도로 가열되어서 프리폼(14)의 열경화성 플라스틱이 최종적으로 완전히 경화된다. 프리폼(14)의 플라스틱 재료는 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)에 접합하고 도관(40)을 채우는데 사용된 것과 동일한 물질인 바, 예컨대 공지의 분말 알루미나 또는 산화베릴륨과 같은 양도체가 아닌 양호한 열전도체를 열경화성 플라스틱과 혼합함으로써 만들어진다.
제2도를 참조하면, 칩 패드(34)와 열싱크 패드(38)를 상호 접속하는 열통로(40)는 구리로 도금된다. 열싱크(42)는 예컨대 얇은 시이트형의 주석/납 땜납을 열 싱크(42)와 열싱크 패드(38)사이에 둠으로써 열싱크 패드(42)에 납땜된다.
기판(12)은 땜납(44)이 열싱크(42)를 열싱크 패드(38)에 접합하거나 납땜하도록 다시 흐르게 하는 온도로 가열된다. 땜납(44)이 열통로(40)의 구리 도금을 습윤시키기 때문에, 땜납(44)은 열통로(40)으로 흘러 그것을 채우게 된다.
프리폼(14)의 열 가소성 재료는 경화중에 열통로(40)의 상부로 흘러서 열통로(40)를 채우는 땜납(44)의 상부면과 접촉하게 되어 그들 사이의 열 임피던스가 최소로 되게한다. 다른 면에서는, 제2도의 실시예는 제1도의 실시예와 실질적으로 동일하다. 칩(16)을 칩 패드(34)상에 장착하는 방법을 제1도를 참조로 설명한 것과 동일하다. 이와는 달리, 열통로(40)는 각 통로(40)가 모두 반드시 구리가 되도록 구리로 체워질 수도 있다.
전술한 내용으로부터, 본 발명의 IC칩 패키지는 패키지(10)가 칩(16)에 의해 발생된 열을 방출하는 능력이 최대화도록 칩(16)의 칩면(20)으로부터 열싱크(42)까지 열 임피던스가 최소로 되는 경로를 제공함을 알 수 있을 것이다.

Claims (16)

  1. 상부면(32)과 바닥면(36)을 가진 기판(12), 상부면상에 형성된 칩 패드(34), 칩 패드와 관련된 복수의 OL 패드(30) 및 칩 패드와 대향하는 기판의 바닥면상에 형성된 열싱크 패드(38)와; 기판(12)을 통해 칩 패드(34)와 열싱크 패드(38)를 상호 접속하는 열통로(40)와; 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료(14,44)와; 활성면(38) 및 그 활성면상에 위치한 복수의 입출력단자(22)를 가진 IC칩(16)과; 각각 내부(26) 및 외부(28)리이드 접합부를 가진 복수의 가요성 비임 리이드(18)를 구비하는데, 각 리이드(18)의 내부 리이드 접합부(26)가 각각 IC칩(16)의 입출력 단자(22)에 접합되며; 칩 패드(34)상에 위치하여 실질적으로 그것을 덮는 절연성, 열전도성, 열경화성의 플라스틱 프리폼(14)을 구비하는데, 상기 IC칩(16)이 그것의 활성면(20)과 함께 프리폼(14)상에 위치하고 IC칩(16)의 입출력단자(22) 근처의 리이드(18)의 일부가 프로폼(14)의 플라스틱 재료로 캡슐화되며, 상기 플라스틱 재료는 리이드(18)과 IC칩의 활성면(20)의 외주변(24)사이에 놓이며; 상기 각 라이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)가 각각 IC칩(16)이 그 위에 장착되는 칩 패드(34)와 관련된 OL패드(30)에 접합되며; 열싱크 패드(38)에 접합된 열싱크(42)를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칩 패드(34) 및 열싱크 패드(38)는 열전도성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 열통로(40)는 기판(12)을 통해 형성되며 각 열통로(40)는 칩 패드(34)와 열싱크 패드(38)를 상호 접속하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열통로(40)가 5개인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료가 열경화성 플라스틱인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열싱크(42)가 열전도성의 열경화성 플라스틱에 의해 열싱크 패드(38)에 접합되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  7. 제4항에 있어서, 상기 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료가 금속인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열전도성 금속이 주석/납으로된 땜납인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 열싱크(42)가 실질적으로 열통로(40)를 채우는 주석/납의 땜납에 의해 열싱크 패드에 접합되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  10. 활성면(20) 및 그 활성면상의 복수의 입출력단자(22)를 가진 IC칩(16)과; 내부(26) 및 외부(28)리이드 접합부를 가진 복수의 비임리이드(18)를 구비하는데, 각 내부 리이드 접합부(26)는 각각 IC칩의 입출력 단자에 접합되며; 상부면(32) 및 배면(36)을 가진 인쇄회로 보오드(12), 상부면상에 형성된 칩 패드(34), 칩 패드와 관련된 복수의 OL패드(30), 칩 패드와 실질적으로 대향하는 기판의 배면상에 형성된 열싱크 패드(38) 및 칩 패드(34)와 열싱크 패드(38)사이에서 기판을 통해 형성되며 열전도성 금속으로 채워지는 복수의 열통로(40)와; 칩 패드(34)와 열싱크 패드(38)사이에 낮은 열 임피던스 경로를 제공하도록 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료(44)와; 칩 패드(34)상에 위치한 플라스틱 코팅된 유리 섬유 메쉬로 이루어진 절연성, 열전도성, 열경화성의 플라스틱 프리폼(14)을 구비하는데, 상기 IC칩(16)이 상기 프리폼(14)상에 장착되고 IC칩의 활성면(20) 및 IC칩의 입출력단자(22) 근처의 리이드(18)의 일부가 프리폼(14)의 플라스틱으로 캡슐화되며, 상기 플라스틱이 상기 리이드(18)과 IC칩의 활성면(20)의 외주변(24)사이에 위치하며, 상기 리이드(18)의 외부 리이드 접합부(28)가 기판의 OL패드(30)에 각각 접합되며; 상기 열통로(40)를 실질적으로 채우는 재료(44)에 의해 열싱크 패드(38)에 접합된 열싱크(42)를 구비하는데, 상기 IC칩(16), OL패드(30) 및 열싱크 패드(38)가 도전성, 열전도성의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  11. 제10항에 있어서, 기판(12)을 통한 열통로(40)의 라이닝이 구리인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료가 열전도성의 플라스틱 조성물인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  13. 제12항에 있어서, 상기 열전도성의 플라스틱 조성물이 B 스테이지 에폭시인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 상기 IC칩(16), OL패드(30) 및 열싱크 패드(30)을 형성하는 도전성, 열전도성의 재료가 구리인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  15. 제13항에 있어서, 상기 열통로(40)를 실질적으로 채우는 열전도성 재료가 땜납인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
  16. 제15항에 있어서, 상기 땜납이 주석/납의 땜납인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
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