KR980005453A - 반도체 소자의 금속층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 절연층으로부터 방출되는 수분으로 인한 폴리머(Polymer)의 생성을 방지하기 위하여 금속을 증착하기 전에 실리콘 기판의 온도를 감소시키므로써 절연층으로부터 수분의 방출이 중단되고, 따라서 폴리머의 생성이 방지되어 금속층의 접촉 저항이 감소된다. 또한 고온에서 금속의 증착이 가능하여 금속의 층덮힘이 향상된다. 그러므로 소자의 전기적 특성 및 수율이 향상될 수 있는 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 및 제2b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성한 후 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 절연층에 함유된 수분을 방출시키기 위하여 열처리를 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 수분의 방출이 중단되도록 상기 열처리에 의해 가열된 상기 실리콘 기판을 냉각시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 콘택 홀이 매립되도록 전체 상부면에 금속을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 SOG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리는 300 내지 350℃의 온도 및 아르곤(Ar) 가스 분위기하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은 350 내지 450℃의 온도에서 스퍼터링 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022802A KR980005453A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960022802A KR980005453A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005453A true KR980005453A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022802A KR980005453A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005453A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022802A patent/KR980005453A/ko not_active Application Discontinuation
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