KR970053285A - 반도체 소자의 금속 배선 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970053285A KR970053285A KR1019950056936A KR19950056936A KR970053285A KR 970053285 A KR970053285 A KR 970053285A KR 1019950056936 A KR1019950056936 A KR 1019950056936A KR 19950056936 A KR19950056936 A KR 19950056936A KR 970053285 A KR970053285 A KR 970053285A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- metal film
- semiconductor device
- aluminum metal
- metal wiring
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는반도체 소자의 금속 배선 공정시 스텝 커버리지(step coverage)를 개선할 수있는 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것이다. 본 발명은 하층 배선 상의 절연층의 소정 영역에 콘택홀을 형성하고, 상층 배선을 형성하여 전기적 접속을 이루는 반도체 소자의 금속배선 방법에 있어서, 상기 상층 배선은 저온형성 알루미늄 금속막과, 알루미늄 산화막 및 고온 형성 알루미늄 금속막으로 이루어지므로써, 심한 토폴로지를 갖는 반도체 소자상에도 금속막이 고르게 피복됨은 물론, 스텝 커버리지 또한 개선되어 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 및 (나)는 본 발명에 따른 알루미늄 금속 배선을 나타낸 요부단면도.
Claims (5)
- 본도체 기본 전극이 형성된 반도체 기판상부에 절연층을 형성하고, 소정 부분 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 구조물 상부에 저온형성 알루미늄 금속막을 형성하는 단계; 상기 저온형성 알루미늄 금속막 상부에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 산화막 상부에 고온 형성 알루미늄 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저온 형성 알루미늄 금속막은 약 20 내지 70℃의 온도 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항에 있어서,상기 고온에서 형성된 알루미늄 금속막은 약 400 내지 900℃의 온도 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상긱알루미늄 산화막은 저온 형성 알루미늄 금속막을 일정시간 공기중에 노출시켜, 저온 형성 알루미늄 금속막이 소정 깊이만큼 산화되어 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 20 내지 30Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056936A KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056936A KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053285A true KR970053285A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950056936A KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053285A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056936A patent/KR970053285A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970067775A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR960026671A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR840002162A (ko) | 반도체 장치(半導體裝置) | |
| KR970072325A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970053285A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| US3825453A (en) | Method of preventing a chemical reaction between aluminum and silicon dioxide in a semiconductor device | |
| KR910010625A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR980005467A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR910013461A (ko) | 다층배선시 콘택트부 형성방법 | |
| KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970052836A (ko) | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR910013526A (ko) | 배선용 콘택홀 형성방법 | |
| KR970030820A (ko) | 반도체 장치의 배선층 형성방법 | |
| KR970003495A (ko) | 반도체 소자 제조시 비아 콘택 방법 | |
| KR960026161A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005482A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR960019524A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR960026180A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR960002559A (ko) | 반도체소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR970053795A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970054050A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970023708A (ko) | 콘택 형성 방법 | |
| KR950007066A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950007100A (ko) | 자기정렬 콘택 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |